專利名稱：：切割模片接合膜以及半導體器件的生產(chǎn)方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及切割模片接合膜(dicingdie-bondingfilm)，其用于在切割前通過將用于固定芯片狀工件(如半導體芯片)和電極構(gòu)件的粘結(jié)劑設置在工件(如半導體晶片)上來切割工件。形成電路圖案的半導體晶片(工件)根據(jù)需要通過背面研磨調(diào)節(jié)其厚度之后，切割成半導體芯片(芯片狀工件)(切割步驟)。在切割步驟中，為了除去切斷層，通常用適度的液壓(通常約2kg/cm2)洗滌半導體晶片。然后，用粘結(jié)劑將所述半導體芯片固定于被粘物如引線框上(安裝步驟)，然后，轉(zhuǎn)移至接合步驟。在傳統(tǒng)的安裝步驟中，在引線框或半導體芯片上涂布粘結(jié)劑。然而，在該方法中，難以使得粘結(jié)劑層均勻化，并且粘結(jié)劑的涂布需要特殊裝置和長時間。為此原因，已提出切割模片接合膜，其在切割步驟中粘結(jié)保持半導體晶片，也提供安裝步驟中所需要的芯片固定用粘結(jié)劑層(例如，參見JP-A-60-57642)。在JP-A-60-57642中描述的切割模片接合膜中，粘結(jié)劑層形成于支撐基材上，使得粘結(jié)劑層能從支撐基材剝離。即，制造切割模片接合膜，使得在通過粘結(jié)劑層保持的同時切割半導體晶片后，通過拉伸支撐基材使各半導體芯片與粘結(jié)劑層一起剝離并分別回收，然后用該粘結(jié)層將其固定于被粘物如引線框上。對于這種切割模片接合膜的粘結(jié)劑層，期望以下性能不發(fā)生切割失敗和尺寸錯誤等的對半導體晶片的良好保持力，切割后半導體芯片能與粘結(jié)劑層一體化地從支撐基材上剝離的良好剝離性，和剝離后沒有粘合劑附著至半導體晶片和粘結(jié)劑層的低污染性。然而，很難良好平衡地顯示這些特性。特別地，如用旋轉(zhuǎn)圓形刮刀切割半導體晶片的方法中，需要粘結(jié)劑層具有大的保持力的情況下，難以得到滿足上述特性的切割模片接合膜。因此，為了克服該問題，已提出各種改良方法(例如，參見JP-A-2-248064)。在JP-A-2-248064中，在支撐基材與粘結(jié)劑層之間插入能通過紫外線固化的壓敏粘合劑層。在此方法中，切割后通過紫外線固化壓敏粘合劑層，使壓敏粘合劑層與粘結(jié)劑層之間的粘合力下降，然后將兩層彼此剝離，從而便于半導體芯片的拾取(picking-up)。然而，即使通過這種改進的方法，有時也難以制備良好平衡切割時的保持力和隨后所需的剝離性的切割模片接合膜。例如，在得到具有10mmX10mm以上尺寸的大型半導體芯片的情況下，因半導體芯片尺寸如此大，不易于通過常規(guī)模片接合機(diebonder)拾取半導體芯片?？紤]到上述問題，已作出本發(fā)明，其目的在于提供切割模片接合膜，其在即使切割薄工件時的保持力，將通過切割得到的半導體芯片和模片接合膜一體化剝離時的剝離性，和剝離后無壓敏粘合劑附著至半導體晶片和粘結(jié)劑層的低污染性之間的平衡性優(yōu)良。為解決上述傳統(tǒng)問題，本申請的發(fā)明人已研究切割模片接合膜。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，當使用
背景技術：
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發(fā)明內(nèi)容具有包含以下切割膜和由環(huán)氧樹脂組合物構(gòu)成的模片接合膜形式的切割模片接合膜時，用于保持薄工件以有效切割該工件的保持力、用于易于一體化剝離通過切割得到的半導體芯片和模片接合膜的剝離性、用于抑制或防止剝離后壓敏粘合劑組分附著至半導體晶片和模片接合膜(粘結(jié)劑層)的低污染性之間的平衡性優(yōu)良，所述切割膜的壓敏粘合劑層是由熱膨脹性壓敏粘合劑形成并具有特定表面自由能的熱膨脹性壓敏粘合劑層，所述熱膨脹性壓敏粘合劑包含由特定單體組合物構(gòu)成的丙烯酸類聚合物。由此完成本發(fā)明。SP，本發(fā)明涉及切割模片接合膜，其包括具有設置于基材上的壓敏粘合劑層的切割膜；禾口設置于所述壓敏粘合劑層上的模片接合膜，其中所述切割膜的壓敏粘合劑層為由包含丙烯酸類聚合物A和發(fā)泡劑的熱膨脹性壓敏粘合劑形成的熱膨脹性壓敏粘合劑層，所述丙烯酸類聚合物A是由單體組合物構(gòu)成的丙烯酸類聚合物，所述單體組合物包括50重量％以上的由CH2=CHC00R(其中R為具有6至10個碳原子的烷基)表示的丙烯酸酯，和1重量％至30重量％的含羥基單體，且不包括含羧基單體，所述熱膨脹性壓敏粘合劑層具有30mJ/m2以下的表面自由能，和其中所述模片接合膜由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物構(gòu)成。如上，本發(fā)明的切割模片接合膜中切割膜的壓敏粘合劑層是由具有規(guī)定組成的丙烯酸類聚合物形成并具有規(guī)定程度的表面自由能的熱膨脹性壓敏粘合劑層。因此，該切割模片接合膜具有熱膨脹性，因而由于熱膨脹性能夠?qū)崿F(xiàn)降低剝離力，因此剝離性良好并能夠獲得良好的拾取性。另外，因為壓敏粘合劑層具有規(guī)定程度的表面自由能，低污染性能得以改進。當然，熱膨脹性壓敏粘合劑層具有壓敏粘合性(保持力)，因此能在切割時良好地保持薄工件(半導體晶片)。另外，由于在剝離后模片接合膜已附著至半導體晶片，在下一步驟中，半導體芯片能夠使用模片接合膜粘接并固定至規(guī)定被粘物，在所述下一步驟后，隨后可通過有效進行適當處理等而生產(chǎn)半導體器件。關于切割膜的熱膨脹性壓敏粘合劑層，在作為基礎聚合物的丙烯酸類聚合物A中，通過使用CH2=CHCOOR(其中R為具有6至10個碳原子的烷基)作為單體組合物中的丙烯酸酯，能防止由于過大剝離力導致的拾取性降低。此外，通過調(diào)整含羥基單體的比例為10重量％至30重量％的范圍內(nèi)，能有效防止拾取性和低污染性的降低。在本發(fā)明中，熱膨脹性微球能適于用作發(fā)泡劑。在本發(fā)明的切割模片接合膜中，優(yōu)選切割膜的熱膨脹性壓敏粘合劑層由包括壓敏粘合劑和發(fā)泡劑的熱膨脹性壓敏粘合劑形成，該壓敏粘合劑能形成具有5X104Pa至1X106pa的在23t:至15(TC溫度范圍內(nèi)的彈性模量的壓敏粘合劑層；該模片接合膜具有1X105Pa至1X101QPa的在T。至T。+2(TC溫度范圍內(nèi)的彈性模量，其中T。表示所述切割膜的熱膨脹性壓敏粘合劑層的發(fā)泡起始溫度。通過控制切割膜的熱膨脹性壓敏粘合劑層的彈性模量(特別地，丙烯酸類聚合物A的彈性模量)至上述范圍，熱膨脹性變得良好并能防止拾取性降低。此外，通過控制模片接合膜的彈性模量至上述范圍，能防止抑制由熱膨脹產(chǎn)生的切割膜和模片接合膜之間的接觸面積的減少，由此切割膜和模片接合膜之間的接觸面積能有效地減少。此外，本發(fā)明提供包含使用上述切割模片接合膜的半導體器件的生產(chǎn)方法。本發(fā)明的切割模片接合膜在即使切割薄工件時的保持力，在將通過切割得到的半導體芯片和模片接合膜一體化剝離時的剝離性、和剝離后無壓敏粘合劑組分附著至半導體晶片和粘結(jié)劑層的低污染性之間的平衡性優(yōu)良。此外，剝離后，因為模片接合膜附著在半導體芯片上，在下一步驟中可用模片接合膜將半導體芯片粘貼并固定。在切割工件時，可以以以下狀態(tài)使用本發(fā)明的切割模片接合膜將用于使芯片狀工件如半導體芯片固定在電極構(gòu)件上的粘結(jié)劑，在切割前預先設置在工件如半導體晶片上。通過使用本發(fā)明的切割模片接合膜，可以容易地生產(chǎn)其中將半導體芯片固定于電極構(gòu)件上的半導體器件。圖1為顯示根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的切割模片接合膜的橫截面示意圖。圖2為顯示根據(jù)本發(fā)明另一個實施方案的切割模片接合膜的橫截面示意圖。圖3A-3E為顯示其中半導體芯片通過模片接合膜安裝在切割模片接合膜上的實例的橫截面示意圖。10，11切割模片接合膜la基材lb熱膨脹性壓敏粘合劑層2切割膜3，31模片接合膜4半導體晶片5半導體芯片6被粘物7接合導線8密封樹脂9墊片具體實施例方式參考圖1和2描述本發(fā)明的實施方案，但本發(fā)明不限于這些實施方案。圖1為顯示本發(fā)明切割模片接合膜一個實施方案的橫截面示意圖。圖2為顯示本發(fā)明切割模片接合膜另一個實施方案的橫截面示意圖。然而，沒有給出對于描述不必要的部分，為了使描述容易，存在通過放大、縮小等顯示的部分。如圖1所示，本發(fā)明的切割模片接合膜為具有如下構(gòu)成的切割模片接合膜10:包含具有在基材la上設置的熱膨脹性壓敏粘合劑層lb的切割膜2，和在熱膨脹性壓敏粘合劑層lb上設置的模片接合膜3。此外，本發(fā)明的切割模片接合膜可以是具有如下構(gòu)成的切割模片接合膜11:不是在熱膨脹性壓敏粘合劑層lb的全部表面上，而是僅在半導體晶片附著部分上形成模片接合膜31，如圖2所示。此處，該熱膨脹性壓敏粘合劑層lb由包含下述丙烯酸類聚合物A和發(fā)泡劑的熱膨脹性壓敏粘合劑形成，并具有表面自由能為30mJ/m2以下的特性。丙烯酸類聚合物A:由單體組合物構(gòu)成的丙烯酸類聚合物，該單體組合物包括50重量％以上的由CH2=CHC00R(其中R為具有6至10個碳原子的烷基)表示的丙烯酸酯，和1重量％至30重量％的含羥基單體，且不包括含羧基單體。(切割膜)(基材)基材為切割模片接合膜的強度基質(zhì)(strengthmatrix)?；膶嵗ň巯N如低密度聚乙烯、直鏈聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚物聚丙烯、嵌段共聚物聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯和聚甲基戊烯；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；離聚物樹脂；乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物；乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)或交替)共聚物；乙烯_丁烯共聚物；乙烯_己烯共聚物；丙烯酸類樹脂；聚氨酯；聚酯如聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯；聚碳酸酯；聚酰亞胺；聚醚醚酮；聚醚酰亞胺；聚酰胺；全芳族聚酰胺(wholearomaticpolyamide);聚苯硫醚；芳族聚酰胺(紙)；玻璃；玻璃布；氟化樹脂凍氯乙烯凍偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素樹脂；硅酮樹脂；金屬(箔)；和紙。另外，作為基材的材料，還可使用聚合物如上述各樹脂的交聯(lián)體。源自各所述樹脂的塑料膜可未拉伸地使用，或可根據(jù)需要實施單軸或雙軸拉伸處理后使用。根據(jù)通過拉伸處理等而被賦予熱收縮性的樹脂片，切割后通過基材的熱收縮降低熱膨脹性壓敏粘合劑層與模片接合膜之間的粘合面積，從而可有效地促進半導體芯片的拾取。作為基材，可使用由透明樹脂形成的片、具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的片、在其上開孔的片等?？稍诨谋砻嫔蠈嵤┏Ｒ?guī)使用的表面處理如化學或物理處理，例如鉻酸鹽處理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高壓電擊和電離照射處理，以及使用底漆劑(undercoatingagent)(例如，稍后描述的粘性物質(zhì)(tackysubstance))的涂布處理，以改進與鄰接層的粘合性、保持性等。可適當?shù)剡x擇和使用相同種類或不同種類的樹脂以形成基材，根據(jù)需要，可使用將多種樹脂共混的共混樹脂。此外，可在基材上設置由金屬、合金及其氧化物等構(gòu)成并具有厚度約30至500埃的導電性物質(zhì)的氣相沉積層，以賦予基材抗靜電功能?；目删哂袉螌踊蛘哂蓛煞N或多種構(gòu)成的多層的形式?；牡暮穸瓤蛇m當?shù)卮_定，沒有特別限制，然而，其通常為約5至200iim。此外，在不損害本發(fā)明的優(yōu)點等的范圍內(nèi)，基材可包含各種添加劑(著色劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。(熱膨脹性壓敏粘合劑層)該熱膨脹性壓敏粘合劑層具有壓敏粘合性以及熱膨脹性，可由熱膨脹性壓敏粘合劑(組合物)形成。關于此點，通過對熱膨脹性壓敏粘合劑層實施規(guī)定熱處理，產(chǎn)生熱膨脹性壓敏粘合劑層的形狀改變，熱膨脹性壓敏粘合劑層和模片接合膜之間的壓敏粘合力顯著降低，壓敏粘合力能降低到幾乎為零，由此能賦予優(yōu)良的拾取性。作為用于形成熱膨脹性壓敏粘合劑層的熱膨脹性壓敏粘合劑，能夠使用包含壓敏粘合劑和發(fā)泡劑的熱膨脹性壓敏粘合劑。在本發(fā)明中，重要的是使用包含以下丙烯酸類聚合物A的壓敏粘合劑作為壓敏粘合劑。因此，熱膨脹性壓敏粘合劑是包含以下丙烯酸類聚合物A和發(fā)泡劑的熱膨脹性壓敏粘合劑。丙烯酸類聚合物A:由單體組合物構(gòu)成的丙烯酸類聚合物，該單體組合物包括50重量％以上的由CH2=CHC00R(其中R為具有6至10個碳原子的烷基)表示的丙烯酸酯，和1重量％至30重量％的含羥基單體，且不包括含羧基單體。作為壓敏粘合劑(或熱膨脹性壓敏粘合劑)，重要的是使用包含丙烯酸類聚合物A作為基礎聚合物或聚合物主要組分的壓敏粘合劑(或熱膨脹性壓敏粘合劑)。在丙烯酸類聚合物A中，由化學式CH2=CHC00R表示的丙烯酸烷基酯(其中R為具有6至10個碳原子的烷基)(有時稱為"丙烯酸C6-10烷基酯")用作主要單體組分。在丙烯酸烷基酯中，當具有包含少于6個碳原子的烷基的丙烯酸烷基酯用作主要單體組分時，剝離力變得過大，存在拾取性降低的情況。另一方面，當具有包含多于IO個碳原子的烷基的丙烯酸烷基酯用作主要單體組分時，與模片接合膜的粘合性降低，結(jié)果，在切割時產(chǎn)生碎屑飛散(chipfly)的情況。具體地，丙烯酸C6-10烷基酯的實例包括丙烯酸己酯，丙烯酸庚酯，丙烯酸辛酯，丙烯酸異辛酯，丙烯酸2-乙基己酯，丙烯酸壬酯，丙烯酸異壬酯，丙烯酸癸酯和丙烯酸異癸酯。作為丙烯酸C6-10烷基酯，特別優(yōu)選具有包含8至9個碳原子的烷基的丙烯酸烷基酯。其中，丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸異辛酯是最適合的。丙烯酸C6-10烷基酯可單獨使用或兩種以上組合使用。此外，在本發(fā)明中，丙烯酸C6_10烷基酯的含量重要地為50重量％(wt%)以上，優(yōu)選70-99wt^，基于單體組分的總量。當丙烯酸C6-10烷基酯的含量低于50wt^時，剝離力變得過大，存在拾取性下降的情況。作為所述丙烯酸類聚合物A，可使用除了丙烯酸C6-10烷基酯以外的丙烯酸酯作為單體組分。該丙烯酸酯的實例包括除丙烯酸C6-10烷基酯以外的丙烯酸烷基酯，具有芳香環(huán)的丙烯酸酯(丙烯酸芳基酯如丙烯酸苯酯等)，具有脂環(huán)烴基的丙烯酸酯(丙烯酸環(huán)烷基酯如丙烯酸環(huán)戊酯和丙烯酸環(huán)己酯、丙烯酸異冰片酯等)。丙烯酸烷基酯和丙烯酸環(huán)烷基酯是適合的，特別地，適合使用丙烯酸烷基酯。這些丙烯酸酯可單獨使用或可兩種以上組合使用。丙烯酸烷基酯的實例包括具有包含5個以下碳原子的烷基的丙烯酸烷基酯如丙烯酸甲酯，丙烯酸乙酯，丙烯酸丙酯，丙烯酸異丙酯，丙烯酸丁酯，丙烯酸異丁酯，丙烯酸仲丁酯，丙烯酸叔丁酯，丙烯酸戊酯，丙烯酸異戊酯；具有包含11個以上(優(yōu)選11至30個)碳原子的烷基的丙烯酸烷基酯如丙烯酸十一烷基酯，丙烯酸十二烷基酯，丙烯酸十三烷基酯，丙烯酸十四烷基酯，丙烯酸十六烷基酯，丙烯酸十八烷基酯，和丙烯酸二十烷基酯。丙烯酸烷基酯如丙烯酸C6-10烷基酯可以是任何形式的丙烯酸烷基酯如丙烯酸直鏈烷基酯或丙烯酸支鏈烷基酯。在本發(fā)明中，丙烯酸類聚合物A包含與丙烯酸C6-10烷基酯可共聚的含羥基單體。含羥基單體的實例包括(甲基)丙烯酸2-羥乙酯，(甲基)丙烯酸2-羥丙酯，(甲基)丙烯酸4-羥丁酯，(甲基)丙烯酸6-羥己酯，(甲基)丙烯酸8-羥辛酯，(甲基)丙烯酸10-羥癸酯，(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯和(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酉旨。含羥基單體可單獨使用或兩種以上組合使用。7含羥基單體的含量重要地在lwt%_30^%的范圍內(nèi)，優(yōu)選在3wt%-10wt^的范圍內(nèi)，基于單體組分的總量。當含羥基單體的含量基于單體組分的總量低于lwt^時，壓敏粘合劑的粘合力降低且拾取性降低。另一方面，當含羥基單體的含量基于單體組分的總量超過30wt^時，壓敏粘合劑的極性變高，其與模片接合膜的相互作用變高，因此拾取性降低。為了改進粘合力、耐熱性等的目的，根據(jù)需要，丙烯酸類聚合物A可包含相應于與丙烯酸C6-10烷基酯和含羥基單體可共聚的其他單體組分的單元(有時稱為"與其它單體組分可共聚的")。然而，本發(fā)明中，重要的是不采用含羧基單體。當采用含羧基單體時，熱膨脹性壓敏粘合劑層和模片接合膜之間的粘合性通過羧基和模片接合膜中環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基反應變高，且二者的剝離性可能降低。作為該含羧基單體，可以提及丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和巴豆酸等。可共聚的其他單體組分的實例包括甲基丙烯酸酯如甲基丙烯酸甲酯，甲基丙烯酸乙酯，甲基丙烯酸丙酯，甲基丙烯酸異丙脂，甲基丙烯酸丁酯，甲基丙烯酸異丁酯，甲基丙烯酸仲丁酯和甲基丙烯酸叔丁酯；酸酐單體如馬來酸酐和衣康酸酐；含磺酸基單體如苯乙烯磺酸，烯丙基磺酸，2-(甲基)丙烯酰胺基_2-甲基丙烷磺酸，(甲基)丙烯酰胺基丙烷磺酸，(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基單體如2-羥乙基丙烯酰基磷酸酯；苯乙烯類單體如苯乙烯，乙烯基甲苯和a-甲基苯乙?。幌N或二烯烴如乙烯，丁二烯，異戊二烯和異丁烯；含鹵原子的單體如氯乙烯；含氟原子的單體如氟化(甲基)丙烯酸酯；丙烯酰胺；和丙烯腈?？梢允褂眠@些可以共聚的其他單體組分的一種或兩種以上。這些可以共聚的單體的用量優(yōu)選為單體組分總量的40wt^以下。丙烯酸類聚合物A可通過聚合單一的單體或兩種以上的單體混合物得到。聚合可通過任何方法如溶液聚合(如，自由基聚合，陰離子聚合，陽離子聚合等)，乳液聚合，本體聚合，懸浮液聚合和光聚合(如紫外線(UV)聚合等)進行。從防止污染潔凈被粘物的觀點，低分子量物質(zhì)的含量優(yōu)選小。從該觀點，丙烯酸類聚合物A的重均分子量優(yōu)選350，000-1，000，000，更優(yōu)選約450，000-800，000。此外，在壓敏粘合劑(或熱膨脹性壓敏粘合劑)中，為了控制壓敏粘合力，可任選地使用外部交聯(lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體方式，可以提及以下方法添加所謂的交聯(lián)劑如多異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物或三聚氰胺類交聯(lián)劑并使之反應的方法。在采用外部交聯(lián)劑的情況下，其量根據(jù)要交聯(lián)的基礎聚合物的余量(balance)和進一步作為壓敏粘合劑的使用用途適當?shù)貨Q定。要使用的外部交聯(lián)劑的用量為20重量份以下，優(yōu)選0.1重量份-10重量份，基于100重量份基礎聚合物。此外，壓敏粘合劑(或熱膨脹性壓敏粘合劑)可與常規(guī)已知的各種添加劑如增粘劑和防老劑混合。此外，作為丙烯酸類聚合物A，可以使用其中除以上示例的含羥基單體以外，共聚含羥基醚類化合物(醚類含羥基單體)如2-羥乙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯基醚或二甘醇單乙烯基醚等的聚合物等。在本發(fā)明中，重要的是熱膨脹性壓敏粘合劑層包含用于賦予熱膨脹性的發(fā)泡劑。因此，通過加熱至少部分切割模片接合膜，在任何時候，在被粘物(特別地多片被粘物)粘著至切割模片接合膜的壓敏粘合劑表面從而使在熱膨脹性壓敏粘合劑層加熱部分中包含的發(fā)泡劑發(fā)泡和/或膨脹的狀態(tài)下，熱膨脹性壓敏粘合劑層至少部分膨脹，并由于該熱膨脹性壓敏粘合劑層的至少部分膨脹，相應于膨脹部分的熱膨脹性壓敏粘合劑層的壓敏粘合劑表面不均一變形，從而減少壓敏粘合劑表面和粘著被粘物的模片接合膜之間的面積。因此，不均一變形的壓敏粘合劑表面和粘著被粘物的模片接合膜之間的粘合力降低，由此粘貼至壓敏粘合劑表面的模片接合膜(具有粘著至其的被粘物的模片接合膜)能從切割膜剝離。在熱膨脹性壓敏粘合劑層部分加熱的情況下，部分加熱的部分可以為至少包括通過模片接合膜粘貼要剝離或拾取的半導體芯片至其的部分的部分。用于熱膨脹性壓敏粘合劑層的發(fā)泡劑沒有特別限制，可從已知的發(fā)泡劑中適當選擇。發(fā)泡劑可單獨使用或以兩種以上組合使用。作為發(fā)泡劑，可適當采用熱膨脹性微球。熱膨脹性微球沒有特別限制，可從已知的熱膨脹性微球中是(各種無機熱膨脹性微球、有機熱膨脹性微球等)適當?shù)剡x擇。作為熱膨脹性微球，從易于混合操作等的觀點，可以適當?shù)夭捎梦⒛一l(fā)泡劑。該熱膨脹性微球的實例包括其中在具有彈性的殼中包含易于氣化和膨脹的物質(zhì)如異丁烷、丙烷或戊烷的微球。上述殼通常由熱熔融性物質(zhì)或通過熱膨脹破壞的物質(zhì)形成。形成殼的物質(zhì)實例包括偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物，聚乙烯醇，聚乙烯醇縮丁醛，聚甲基丙烯酸甲酯，聚丙烯腈，聚偏二氯乙烯和聚砜。熱膨脹性微球可通過常用方法如凝聚方法、界面聚合方法等生產(chǎn)。關于這一點，作為熱膨脹性微球，可以使用商購可得到的產(chǎn)品如由MatsumotoYushi-SeiyakuCo.，Ltd.制造的商品名"Mats翻toMicrosphere"系列如商品名〃Mats翻toMicrosphereF30"、商品名"Mats翻toMicrosphereF301D"、商品名"Mats翻toMicrosphereF50D"、商品名〃Mats翻toMicrosphereF501D〃、商品名〃Mats翻toMicrosphereF80SD〃禾口商品名〃Mats翻toMicrosphereF80VSD〃，及由ExpancelCompany制造的商品名〃051DU"、商品名〃053DU"、商品名〃551DU"，〃551-20DU"和商品名〃551-80DU"。在本發(fā)明中，作為發(fā)泡劑，也可使用除了熱膨脹性微球以外的發(fā)泡劑。作為該發(fā)泡劑，發(fā)泡劑可從各種發(fā)泡劑如各種無機和有機發(fā)泡劑中適當選擇并使用。代表性無機發(fā)泡劑的實例包括碳酸銨、碳酸氫銨、亞硝酸銨、硼氫化鈉(sodiumborohydxide)和各種疊氮化物。另外，典型有機發(fā)泡劑的實例包括水；氯氟烷類化合物，如三氯單氟甲烷和二氯單氟甲烷；偶氮類化合物，如偶氮二異丁腈、偶氮二碳酰胺和偶氮二羧酸鋇；肼類化合物，如對甲苯磺酰肼、聯(lián)苯砜-3，3'_二磺酰肼、4，4'-氧代雙(苯磺酰肼)和烯丙基雙(磺酰肼)；氨基脲類化合物，如對甲苯磺酰氨基脲和4，4'-氧代雙(苯磺酰氨基脲)；三唑類化合物，如5-嗎啉基-l，2，3，4-噻三唑；N-亞硝基類化合物，如N，N'-二亞硝基五亞甲基四月安(N，N'—dinitrosopentamethylenetetoramine)禾口N，N'—二甲基一N，N'_二亞石肖基X寸苯二甲酰胺。在本發(fā)明中，由于熱膨脹性壓敏粘合劑層的粘合力通過熱處理有效并穩(wěn)定地下降，優(yōu)選具有適當強度的發(fā)泡劑，直至體積膨脹比達到5倍以上，7倍以上，特別地10倍以上時，所述發(fā)泡劑也不會脹破。發(fā)泡劑(熱膨脹性微球等)的混合量可根據(jù)熱膨脹性壓敏粘合劑層的膨脹倍率和粘合力下降度適當?shù)卦O定，但通常該量基于100重量份形成熱膨脹性壓敏粘合劑層的基礎聚合物，為例如1重量份至150重量份，優(yōu)選10重量份至130重量份，和進一步優(yōu)選25重量份至100重量份。在使用熱膨脹性微球作為發(fā)泡劑的情況下，熱膨脹性微球的粒徑(平均粒徑)可根據(jù)熱膨脹性壓敏粘合劑層的厚度等適當?shù)剡x擇。熱膨脹性微球的平均粒徑可以例如在100iim以下，優(yōu)選80iim以下，更優(yōu)選liim至50iim，特別地liim至30iim的范圍內(nèi)選擇。熱膨脹性微球的粒徑可在形成熱膨脹性微球的過程中控制，或可在形成后通過分級等方式控制。熱膨脹性微球優(yōu)選具有均勻的粒徑。在本發(fā)明中，作為發(fā)泡劑，適合使用具有80°C至2l(TC，優(yōu)選95°C至200°C，特別優(yōu)選IO(TC至17(TC范圍的發(fā)泡起始溫度(熱膨脹起始溫度，T。)的發(fā)泡劑。當發(fā)泡劑的發(fā)泡起始溫度低于8(TC時，在切割模片接合膜生產(chǎn)期間或其使用期間在一些情況下發(fā)泡劑可能受熱發(fā)泡，從而操作性和生產(chǎn)性下降。另一方面，當發(fā)泡劑的發(fā)泡起始溫度超過21(TC時，要求切割膜和模片接合膜的基材具有過高的耐熱性，因此考慮到操作性、生產(chǎn)性和成本，該情況不是優(yōu)選的。此外，發(fā)泡劑的發(fā)泡起始溫度(T。)對應于熱膨脹性壓敏粘合劑層的發(fā)泡起始溫度(T。)。作為使發(fā)泡劑發(fā)泡的方法(即，使熱膨脹性壓敏粘合劑層熱膨脹的方法)，可從已知加熱和發(fā)泡方法中適當?shù)剡x擇并采取任意方法。在本發(fā)明中，基于熱處理前適當?shù)恼澈狭εc熱處理后粘合力下降度之間平衡的觀點，熱膨脹性壓敏粘合劑層優(yōu)選具有在23t:至15(TC溫度范圍內(nèi)的5X104Pa至1X106Pa，更優(yōu)選5X104Pa至8X1()5Pa，特別優(yōu)選5X104Pa至5X105Pa的以不含發(fā)泡劑形式的彈性模量。當不含發(fā)泡劑形式的熱膨脹性壓敏粘合劑層的彈性模量(溫度23t:至150°C)小于5X104Pa時，在一些情況下熱膨脹性變差和拾取性下降。此外，當不含發(fā)泡劑形式的熱膨脹性壓敏粘合劑層的彈性模量(溫度23t:至150°C)大于1Xl()6pa時，在一些情況下初始粘合性變差。不含發(fā)泡劑形式的熱膨脹性壓敏粘合劑層對應于由壓敏粘合劑(不含發(fā)泡劑)形成的壓敏粘合劑層。因此，不含發(fā)泡劑形式的熱膨脹性壓敏粘合劑層的彈性模量可使用壓敏粘合劑(不含發(fā)泡劑)測量。就此而言，熱膨脹性壓敏粘合劑層可由包含以下壓敏粘合劑的熱膨脹性壓敏粘合劑和發(fā)泡劑形成，所述壓敏粘合劑能夠形成在23t:至15(TC溫度范圍內(nèi)其彈性模量為5X104Pa至1X106Pa的壓敏粘合劑層。不含發(fā)泡劑形式的熱膨脹性壓敏粘合劑層的彈性模量如下測定。生產(chǎn)未添加發(fā)泡劑形式的熱膨脹性壓敏粘合劑層(即，由不含發(fā)泡劑的壓敏粘合劑形成的壓敏粘合劑層)(樣品)。然后，使用RheometricsCo丄td.生產(chǎn)的動態(tài)粘彈性測量設備"ARES"，在頻率1Hz、升溫速率5t:/min和應變0.1%(23°C)或O.3%(150°C)的條件下，以剪切模式測量樣品的彈性模量，并將其作為在23t:或15(rC下獲得的剪切貯能彈性模量(shearstorageelasticmodulus)G'的值。熱膨脹性壓敏粘合劑層的彈性模量可通過調(diào)節(jié)壓敏粘合劑基礎聚合物的種類、交聯(lián)劑、添加劑等來控制。另外，在本發(fā)明中，熱膨脹性壓敏粘合劑層在形成模片接合膜一側(cè)的表面上，特別是在與模片接合膜接觸位置的表面上，優(yōu)選具有30mJ/m2以下(例如，lmj/m2至30mJ/m2)的表面自由能。熱膨脹性壓敏粘合劑層的表面自由能進一步優(yōu)選15mJ/m2至30mJ/m2，特別優(yōu)選20mJ/m2至28mJ/m2。在熱膨脹性壓敏粘合劑層的表面自由能超過30mJ/m2的情況下，在一些情況下熱膨脹性壓敏粘合劑層與模片接合膜之間粘合性增強，拾取性可能下降。就此而言，熱膨脹性壓敏粘合劑層的表面自由能(mj/m2)為熱膨脹前的熱膨脹性壓敏粘合劑層的表面自由能。在本發(fā)明中，熱膨脹性壓敏粘合劑層的表面自由能意指通過以下方式確定的表面自由能值(Ys):分別測量水和二碘甲烷對熱膨脹性壓敏粘合劑層表面的接觸角9(rad)，并求解作為聯(lián)立線性方程的兩個方程，所述方程利用測量值和從文獻已知的值作為接觸角測量液體表面自由能值{水(色散分量(y。21.8(mJ/m2)，極性分量(yJ):51.0(mJ/m2))，二碘甲烷(色散分量(Y。49.5(mJ/m2)，極性分量:1.3(mj/m2))}以及以下方程(la)至(lc)獲得<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>其中，方程(la)至(lc)中的各符號分別如下。9:用水或二碘甲烷液滴測量的接觸角(rad)Ys:壓敏層(熱膨脹性壓敏粘合劑層)的表面自由能(mj/m2)Ysd:壓敏層(熱膨脹性壓敏粘合劑層)表面自由能中的色散分量(mj/m2)Ysp:壓敏層(熱膨脹性壓敏粘合劑層)表面自由能中的極性分量(mj/m2)Y^:水或二碘甲烷的表面自由能(mj/m2)Y:水或二碘甲烷表面自由能中的色散分量(mj/m2):水或二碘甲烷表面自由能中的極性分量(mj/m2)另外，水或二碘甲烷對熱膨脹性壓敏粘合劑層的接觸角通過如下方法測定在JISZ8703所述的測試場所環(huán)境(溫度23士2t:，濕度50±5%RH)下，將約lyL水(蒸餾水)或二碘甲烷液滴滴加至熱膨脹性壓敏粘合劑層表面上，并使用表面接觸角計"CA-X"(由FACECompany制造)在滴加30秒后通過三點法測量角度。熱膨脹性壓敏粘合劑層的表面自由能可通過調(diào)節(jié)壓敏粘合劑基礎聚合物的種類和添加劑等控制。熱膨脹性壓敏粘合劑層可通過例如以下形成將壓敏粘合劑、發(fā)泡劑(熱膨脹性微球等)和任選的溶劑以及其它添加劑混合，并利用常規(guī)使用的方法將該混合物成型為片狀層。具體地，熱膨脹性壓敏粘合劑層可例如通過如下方法形成包括將含有壓敏粘合劑、發(fā)泡劑(熱膨脹性微球等)和任選的溶劑以及其它添加劑的混合物施涂在基材或下述橡膠狀有機彈性中間層上的方法；包括將上述混合物施涂在適當?shù)母綦x體如隔離紙上，以形成熱膨脹性壓敏粘合劑層，并將其轉(zhuǎn)移(transfer)(轉(zhuǎn)換)至基材或橡膠狀有機彈性中間層上的方法，或類似方法。熱膨脹性壓敏粘合劑層的厚度沒有特別限制，可根據(jù)粘合力的下降度適當?shù)剡x擇。例如，厚度為約5iim至300iim，優(yōu)選20iim至150iim。然而，在使用熱膨脹性微球作為發(fā)泡劑的情況下，重要的是熱膨脹性壓敏粘合劑層的厚度大于其中包含的熱膨脹性微球最大粒徑。當熱膨脹性壓敏粘合劑層的厚度過小時，由于熱膨脹性微球的不均勻性導致表面平滑性受到損害，從而加熱前(未發(fā)泡狀態(tài))的粘合性下降。另外，通過熱處理的熱膨脹性壓敏粘合劑層的變形度較小，從而難以平穩(wěn)地降低粘合力。另一方面，當熱膨脹性壓敏粘合劑層的厚度過大時，在通過熱處理膨脹或發(fā)泡后的熱膨脹性壓敏粘合劑層中，內(nèi)聚破壞趨于發(fā)生，在一些情況下在被粘物上可能產(chǎn)生粘合劑殘余物。熱膨脹性壓敏粘合劑層可為單層或多層。在本發(fā)明中，在不損害本發(fā)明優(yōu)點等的范圍內(nèi)，熱膨脹性壓敏粘合劑層可包含各種添加劑(例如，著色齊U、增稠齊U、增量齊U、填料、增粘齊U、增塑齊iJ、防老齊iJ、抗氧化齊iJ、表面活性劑、交聯(lián)劑等)。本發(fā)明中，熱膨脹性壓敏粘合劑層可通過加熱進行熱膨脹。熱處理可利用適當?shù)募訜岱绞饺鐭岜P、熱風干燥器、近紅外燈或空氣干燥器進行。熱處理時的加熱溫度可為熱膨脹性壓敏粘合劑層中發(fā)泡劑(熱膨脹性微球等)的發(fā)泡起始溫度(熱膨脹起始溫度)以上。熱處理的條件可根據(jù)通過發(fā)泡劑(熱膨脹性微球等)的種類等導致的粘合面積減少性(decreasingprofile)，基材、模片接合膜等的耐熱性和加熱方法(熱容量、加熱方式等)等適當?shù)卦O定。熱處理的常用條件如下溫度IO(TC至25(TC下進行1至90秒(熱盤等)，或5至15分鐘(熱風干燥器等)。熱處理可以根據(jù)使用的預期目的在合適階段進行。此外，存在可使用紅外燈或熱水作為熱處理時的熱源的情況。(中間層)本發(fā)明中，可在基材與熱膨脹性壓敏粘合劑層之間設置中間層。作為該中間層，可提及基于改進粘合力目的的底漆劑的涂層。另外，除了底漆劑涂層之外的中間層的實例包括為了賦予良好變形性的層、為了增大與被粘物(半導體晶片等)的粘附面積目的的層、為了改進粘合力目的的層、為了獲得對被粘物(半導體晶片等)表面形狀的良好追隨性目的的層、為了改進用于通過加熱降低粘合力的處理性目的的層和為了改進加熱后從被粘物(半導體晶片等)的剝離性目的的層。特別地，從賦予具有熱膨脹性壓敏粘合劑層的切割膜以變形性和改進其加熱后的剝離性的觀點，優(yōu)選在基材與熱膨脹性壓敏粘合劑層之間設置橡膠狀有機彈性中間層。如上所述，通過設置橡膠狀有機彈性中間層，在將切割模片接合膜粘附在被粘物上時，切割模片接合膜的表面能夠良好地追隨被粘物的表面形狀，從而可擴大粘合面積。另外，在加熱并從切割膜上剝離具有被粘物的模片接合膜時，能夠高度(精確)控制熱膨脹性壓敏粘合劑層的熱膨脹，由此熱膨脹性壓敏粘合劑層能夠沿厚度方向優(yōu)先并均勻地膨脹。即，所述橡膠狀有機彈性中間層可發(fā)揮以下作用當將切割模片接合膜粘附在被粘物上時，通過使表面追隨被粘物表面形狀來提供大的粘附面積的作用；和為了從切割膜上剝離具有被粘物的模片接合膜的目的，當通過加熱使熱膨脹性壓敏粘合劑層發(fā)泡和/或膨脹時，通過降低沿切割膜平面方向的發(fā)泡和/或膨脹限制，便于通過熱膨脹性壓敏粘合劑層的三維結(jié)構(gòu)變化形成波紋結(jié)構(gòu)的作用。此外，橡膠狀有機彈性中間層為如上所述根據(jù)需要設置的層，其可不必需設置。為了增強加工期間被粘物的固定性和加熱后的其剝離性，優(yōu)選設置橡膠狀有機彈性中間層。橡膠狀有機彈性中間層優(yōu)選以覆蓋熱膨脹性壓敏粘合劑層的形式設置于基材側(cè)熱膨脹性壓敏粘合劑層表面上。就此而言，中間層還可作為除了基材與熱膨脹性壓敏粘合劑層之間的中間層之外的層來設置。橡膠狀有機彈性中間層可介于基材的一面或兩面上。所述橡膠狀有機彈性中間層優(yōu)選由具有橡膠彈性例如具有50以下，特別是40以12下的根據(jù)ASTMD-2240的D型肖氏(Shore)硬度的天然橡膠、合成橡膠或合成樹脂形成。就此而言，即使當聚合物為基本上硬的聚合物如聚氯乙烯時，也可與共混劑如增塑劑或軟化劑組合來顯示橡膠彈性。該組合物也可用作橡膠狀有機彈性中間層的組成材料。橡膠狀有機彈性中間層可通過形成方法形成，所述形成方法例如包括施涂包含橡膠狀有機彈性層形成材料如具有橡膠彈性的天然橡膠、合成橡膠或合成樹脂的涂布液的方法(涂布法)；包括在基材上粘附由橡膠狀有機彈性層形成材料組成的膜或?qū)訅耗さ姆椒?干法層壓法)，在所述層壓膜中預先在一層或多層熱膨脹性壓敏粘合劑層上形成由橡膠狀有機彈性中間層組成材料形成的層；或包括將包含基材的組成材料的樹脂組合物與含有橡膠狀有機彈性層形成材料的樹脂組合物共擠出的方法(共擠出法)。此外，橡膠狀有機彈性中間層可由包含具有橡膠彈性的天然橡膠、合成橡膠或合成樹脂作為主要組分的壓敏粘合性物質(zhì)形成，并可由主要包含該組分的發(fā)泡膜形成。發(fā)泡可通過例如以下的常規(guī)使用的方法實現(xiàn)通過機械攪拌的方法、利用反應形成的氣體的方法、使用發(fā)泡劑的方法、除去可溶性物質(zhì)的方法、通過噴霧的方法、形成復合泡沫的方法或燒結(jié)法等。中間層如橡膠狀有機彈性中間層的厚度為例如約5iim至300iim，優(yōu)選約20ym至150ym。在中間層為例如橡膠狀有機彈性中間層的情況下，當橡膠狀有機彈性中間層厚度過小時，不能獲得加熱發(fā)泡后的三維結(jié)構(gòu)變化，從而在一些情況下剝離性變差。中間層如橡膠狀有機彈性中間層可以是單層，或可由兩層或多層構(gòu)成。另外，作為中間層如橡膠狀有機彈性中間層，優(yōu)選使用不抑制活性能量射線透射的層。此外，在不損害本發(fā)明優(yōu)點等的范圍內(nèi)，中間層可包含各種添加劑(如著色劑、增稠劑、增量劑、填料、增粘劑、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯(lián)劑等)。(模片接合膜)重要的是模片接合膜具有以下功能在加工壓接于模片接合膜上的半導體晶片(例如，將其切割成芯片形式)期間，粘附和支撐半導體晶片的功能，和當安裝半導體晶片加工體時，起到半導體晶片(例如，切割成芯片形式的半導體晶片)加工體與各種載體(carrier)的接合層作用的功能。特別地，作為模片接合膜，重要的是在半導體晶片加工(例如，加工如切割)期間具有切割片不飛散的粘合性。本發(fā)明中，模片接合膜由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物構(gòu)成。在樹脂組合物中，環(huán)氧樹脂的比例可在基于聚合物組分總量的5重量％以上，優(yōu)選7重量％以上，更優(yōu)選9重量％以上的范圍內(nèi)適當?shù)剡x擇。環(huán)氧樹脂比例的上限沒有特別限制，可以是100重量％以下，但優(yōu)選50重量％以下，更優(yōu)選40重量％以下，基于聚合物組分的總量。從較少包含腐蝕半導體元件的離子雜質(zhì)等的觀點，環(huán)氧樹脂是優(yōu)選的。環(huán)氧樹脂沒有特別限制，只要其通常用作粘結(jié)劑組合物即可。例如，可使用雙官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂如雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹脂、氫化雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚AF型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧樹脂、酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環(huán)氧樹脂和四羥苯基乙烷型環(huán)氧樹脂，或環(huán)氧樹脂如乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹脂、三縮水甘油基異氰脲酸酯型環(huán)氧樹脂或縮水甘油基胺型環(huán)氧樹脂。環(huán)氧樹脂可單獨使用，或兩種或多種組合使用。作為環(huán)氧樹脂，在上述示例的那些中，特別優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三羥苯基甲烷型環(huán)氧樹脂和四羥苯基乙烷型環(huán)氧樹脂。這是因為這些環(huán)氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂具有高反應性，且耐熱性等優(yōu)異。另外，根據(jù)需要，在模片接合膜中，可組合使用其它熱固性樹脂或熱塑性樹脂。熱固性樹脂的實例包括酚醛樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、硅酮樹脂和熱固性聚酰亞胺樹脂。這些熱固性樹脂可單獨使用，或可兩種或多種組合使用。此外，優(yōu)選酚醛樹脂作為環(huán)氧樹脂的固化劑。此外，酚醛樹脂起到環(huán)氧樹脂的固化劑的作用，其實例包括酚醛清漆型酚醛樹脂如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂和壬基酚酚醛清漆樹脂；甲階型酚醛樹脂；和聚氧苯乙烯如聚對氧苯乙烯。它們可單獨使用，或可兩種或多種組合使用。在這些酚醛樹脂中，特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆樹脂和苯酚芳烷基樹脂。這是因為可改進半導體器件的連接可靠性。環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的混合比優(yōu)選使得例如酚醛樹脂中的羥基為0.5至2.0當量，基于環(huán)氧樹脂組分中的每當量環(huán)氧基團。更優(yōu)選0.8至1.2當量。S卩，當混合比變?yōu)樵谠摲秶鈺r，固化反應不能充分進行，環(huán)氧樹脂固化產(chǎn)品的特性趨于劣化。熱塑性樹脂的實例包括天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯_乙酸乙烯酯共聚物、乙烯_丙烯酸共聚物、乙烯_丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂如6-尼龍和6，6-尼龍、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、飽和聚酯樹脂如PET和PBT、聚酰胺酰亞胺樹脂和氟樹脂。這些熱塑性樹脂可單獨使用，或兩種或多種組合使用。在這些熱塑性樹脂中，離子雜質(zhì)較少、耐熱性高和能夠確保半導體元件可靠性的丙烯酸類樹脂是特別優(yōu)選的。對丙烯酸類樹脂沒有特別限制，其實例包括含有具有30個以下碳原子，特別是4至18個碳原子的直鏈或支化烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的一種或兩種以上酯作為組分的聚合物。所述烷基的實例括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2_乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。另外，作為用于形成丙烯酸類樹脂的其他單體(除了具有30個以下碳原子的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯以外的單體)沒有特別限制，其實例包括含羧基的單體如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸；酸酐單體如馬來酸酐和衣康酸酐；含羥基單體如(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯和(4-羥甲基環(huán)己基)-甲基丙烯酸酯；含磺酸的單體如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基_2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸單體如2-羥乙基丙烯酰基磷酸酯等。本發(fā)明中，熱塑性樹脂(特別是丙烯酸類樹脂)能夠以基于聚合物組分的總量低于90重量％，例如1重量％至90重量％的比例使用。熱塑性樹脂如丙烯酸類樹脂的比例優(yōu)選為20重量％至85重量％，更優(yōu)選40重量％至80重量％，基于聚合物組分總量。因為模片接合膜的粘結(jié)劑層(由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物組成的粘合劑層)預先交聯(lián)至一定程度，優(yōu)選添加與聚合物分子鏈末端的官能團反應的多官能化合物作為在生產(chǎn)粘結(jié)層時的交聯(lián)劑。因此，改進高溫下的粘合特性，并嘗試改進耐熱性。這里，根據(jù)需要可將其它添加劑適當?shù)毓不烊肽Ｆ雍夏さ恼辰Y(jié)劑層(由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物組成的粘結(jié)劑層)中。該添加劑的實例包括阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑和離子捕集劑以及著色劑、增量劑、填料、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯(lián)劑等。阻燃劑的實例包括三氧化銻、五氧化銻和溴化環(huán)氧樹脂。阻燃劑可單獨使用，或可兩種或多種組合使用。硅烷偶聯(lián)劑的實例包括P-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷和Y-環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶聯(lián)劑可單獨使用，或可兩種或多種組合使用。離子捕集劑的實例包括水滑石和氫氧化鉍。離子捕集劑可單獨使用，或可兩種或多種組合使用。模片接合膜可由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成，并可具有例如僅由含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成的粘結(jié)劑層(模片粘結(jié)劑層)的單層組成的結(jié)構(gòu)。此外，除環(huán)氧樹脂之外，其可具有通過適當?shù)亟M合具有不同玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的熱塑性樹脂和具有不同熱固化溫度的熱固性樹脂的兩層以上的多層結(jié)構(gòu)。此外，因為在半導體晶片的切割步驟中使用切割水(cuttingwater)，存在模片接合膜吸收水分和水分含量變?yōu)槌Ｒ?guī)狀態(tài)以上的情況。當具有高水分含量的模片接合膜粘貼于基板等上時，存在水蒸氣在固化后的步驟中累積在粘附界面上并由此產(chǎn)生漂移的情況。因此，通過使模片接合膜具有采用模片粘合用粘結(jié)劑層包夾具有高透濕性的芯材料的結(jié)構(gòu)，在固化后的步驟中水蒸氣通過所述膜擴散，由此可避免該問題?；谠撚^點，模片接合膜可具有在芯材料的一面或兩面上形成粘結(jié)劑層的多層結(jié)構(gòu)。所述芯材料的實例包括膜(例如，聚酰亞胺膜、聚酯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等)、用玻璃纖維或塑料無紡纖維增強的樹脂基板、硅基板和玻璃基板。模片接合膜優(yōu)選具有1X105Pa至1X101QPa的在T。至T。+2(TC溫度范圍內(nèi)的彈性模量(特別地，由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成的粘結(jié)劑層的彈性模量)，其中T。表示切割膜的熱膨脹性壓敏粘合劑層的發(fā)泡起始溫度(°C)。更優(yōu)選的是，在T。至T。+2(TC溫度范圍內(nèi)，模片接合膜的彈性模量(特別地，由含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成的粘結(jié)劑層的彈性模量)更優(yōu)選為1X105Pa至1X108Pa，特別優(yōu)選1X105Pa至1X107Pa。在模片接合膜(特別地，粘結(jié)劑層)的彈性模量(溫度T。至T。+2(TC)低于1X105Pa的情況下，當熱膨脹性壓敏粘合劑層通過熱處理發(fā)泡并剝離時，模片接合膜可追隨通過熱膨脹導致的壓敏粘合劑的表面形狀變化，從而在一些情況下可抑制剝離強度的下降。此外，模片接合膜的彈性模量(Pa)為通過熱固化顯示粘合力之前的模片接合膜的彈性模量。此外，優(yōu)選在(T。+2(TC)下的模片接合膜的彈性模量/在(T。+2(TC)下的熱膨脹性壓敏粘合劑層的彈性模量(有時稱為"模片接合膜的彈性模量/熱膨脹性壓敏粘合劑層的彈性模量(T。+2(TC)")優(yōu)選為1至200，000。"模片接合膜的彈性模量/熱膨脹性壓敏粘合劑層的彈性模量(T。+2(TC)"優(yōu)選為1至2000，更優(yōu)選1至150。當"模片接合膜的彈性模量/熱膨脹性壓敏粘合劑層的彈性模量(T。+2(TC)"小于1時，模片接合膜可以追隨熱膨脹導致的壓敏粘合劑層的表面形狀改變，因此在一些情況下拾取性可能下降。當"模片接合膜的彈性模量/熱膨脹性壓敏粘合劑層的彈性模量(T。+2(TC)"大于200，000時，熱膨脹導致的熱膨脹性壓敏粘合劑層的表面形狀改變可能有時變得不足。模片接合膜的彈性模量通過如下方式測定在不將模片接合膜層壓在切割膜上的情況下制備模片接合膜，并使用RheometricsCo丄td.生產(chǎn)的動態(tài)粘彈性測量設備"SolidAnalyzerRSA2"，于規(guī)定溫度(T。。C，(T。+20)°C)下，在氮氣氣氛中，在樣品寬度10mm、樣品長度22.5mm、樣品厚度0.2mm、頻率1Hz和升溫速率10°C/分鐘的條件下，以拉伸模式測量彈性模量，將其作為得到的拉伸貯能彈性模量E'的值。此外，熱膨脹性壓敏粘合劑層的發(fā)泡起始溫度(T。)是指通過熱處理能夠?qū)l(fā)泡劑(熱膨脹性微球等)的熱膨脹性壓敏粘合劑層的粘合力降至加熱前粘合力的10%以下的最低熱處理溫度。因此，發(fā)泡起始溫度可通過測量能夠?qū)l(fā)泡劑(熱膨脹性微球等)的熱膨脹性壓敏粘合劑層的粘合力(壓敏粘合力)降至加熱前粘合力的10%以下的最低熱處理溫度來確定。具體地，將具有寬度20mm和厚度25iim的聚對苯二甲酸乙二酯膜(商品名"LumilarS10#25"(由TorayIndustries,Inc.制造)；有時稱作"PET膜")通過手動輥粘貼至切割膜的含發(fā)泡劑(熱膨脹性微球等)的熱膨脹性壓敏粘合劑層表面上，以不夾帶氣泡，從而制備試驗片。關于該試驗片，在粘貼所述PET膜30分鐘后，將該PET膜以180°剝離角度剝離，然后測量此時的壓敏粘合力(測量溫度23t:，拉伸速率300mm/min，剝離角度18(T)，并將該壓敏粘合力作為"初始壓敏粘合力"。另外，將通過上述方法生產(chǎn)的試驗片放置在設定為各溫度(熱處理溫度)的熱循環(huán)干燥器中l(wèi)分鐘，然后從熱循環(huán)干燥器中取出，接著將其靜置在23t:下2小時。此后，將PET膜以180°剝離角度剝離，然后測量此時的壓敏粘合力(測量溫度23t:，拉伸速率300mm/min，剝離角度180°)，并將該壓敏粘合力作為"熱處理后的壓敏粘合力"。然后，將熱處理后壓敏粘合力變?yōu)槌跏級好粽澈狭Φ?0%以下的最低熱處理溫度作為發(fā)泡起始溫度(T。)。此處，模片接合膜的彈性模量可通過調(diào)節(jié)模片接合膜或壓敏粘合劑層基礎聚合物的種類以及交聯(lián)或固化狀態(tài)來控制。模片接合膜的厚度沒有特別限制。然而，其為約5iim至100iim，優(yōu)選約5iim至50iim。切割模片接合膜的模片接合膜優(yōu)選通過隔離體(圖中未示出)保護。隔離體具有作為保護模片接合膜直至其實際使用的保護材料的功能。此外，當將模片接合膜轉(zhuǎn)移至熱膨脹性壓敏粘合劑層時，隔離體可用作支撐基材。當將工件粘附在切割模片接合膜的模片接合膜上時，剝離隔離體。作為隔離體，還可使用聚乙烯或聚丙烯膜，以及表面涂布有脫模劑如氟類脫模劑或長鏈烷基丙烯酸酯類脫模劑的塑料膜(聚對苯二甲酸乙二酯)或紙。隔離體可通過常規(guī)已知方法形成。另外，隔離體的厚度等沒有特別限制。根據(jù)本發(fā)明，可使得切割模片接合膜具有抗靜電功能。由于抗靜電功能，可防止在切割模片接合膜粘附和剝離，或通過靜電能使工件(半導體晶片等)充電時，電路因靜電能的產(chǎn)生而破壞?？轨o電功能的賦予可通過例如以下適當方式進行向基材、熱膨脹性壓敏粘合劑層和模片接合膜中添加抗靜電劑或?qū)щ娦晕镔|(zhì)的方法，或在基材上設置由電荷轉(zhuǎn)移配合物(complex)或金屬膜等組成的導電層的方法。關于這些方法，優(yōu)選難以產(chǎn)生具有改變半導體晶片品質(zhì)風險的雜質(zhì)離子的方法。為了賦予導電性和改進熱傳導性等目的而共混的導電性物質(zhì)(導電性填料)的實例包括球形、針狀、片狀金屬粉末如銀、鋁、金、銅、鎳和導電性合金；金屬氧化物如氧化鋁；無定形炭黑和石墨。然而，基于不具有漏電性的觀點，模片接合膜優(yōu)選非導電性的。本發(fā)明的切割模片接合膜可具有適當?shù)男问饺缙瑺罨驇睢?切割模片接合膜的生產(chǎn)方法)本發(fā)明的切割模片接合膜的生產(chǎn)方法以切割模片接合膜10為例描述。首先，基材la可通過常規(guī)已知的膜生產(chǎn)方法形成。成膜法的實例包括壓延成膜法、在有機溶劑中的流延法(castingmethod)、在嚴格密閉體系中的膨脹擠出法、T-膜擠出法、共擠出法和干法層壓法。接著，熱膨脹性壓敏粘合劑層lb通過將含熱膨脹性壓敏粘合劑的熱膨脹性壓敏粘合劑組合物施涂在基材la上，接著干燥(根據(jù)需要，在加熱下交聯(lián))形成。施涂方式的實例包括輥涂、絲網(wǎng)涂布(screencoating)和凹印涂布。就此而言，熱膨脹性壓敏粘合劑組合物的施涂可直接在基材la上進行，以在基材la上形成熱膨脹性壓敏粘合劑層lb，或可將熱膨脹性壓敏粘合劑組合物施涂于表面已進行脫模處理的隔離紙等上，然后轉(zhuǎn)移至基材la上，從而在基材la上形成熱膨脹性壓敏粘合劑層lb。另一方面，涂布層可通過在隔離紙上施涂用于形成模片接合膜3的形成材料以具有規(guī)定厚度，并在規(guī)定條件下進一步干燥形成。模片接合膜3通過將該涂布層轉(zhuǎn)移至熱膨脹性壓敏粘合劑層lb上而在熱膨脹性壓敏粘合劑層lb上形成。關于此點，模片接合膜3還可通過在熱膨脹性壓敏粘合劑層lb上直接施涂用于形成模片接合膜3的形成材料，接著在規(guī)定條件下干燥，而在熱膨脹性壓敏粘合劑層lb上形成。根據(jù)本發(fā)明的切割模片接合膜IO可如上所述獲得。(半導體晶片)半導體晶片沒有特別限制，只要其為已知的或通常使用的半導體晶片即可，并可從各種材料制成的半導體晶片中適當?shù)剡x擇。在本發(fā)明中，作為半導體晶片，可適當?shù)厥褂霉杈?半導體器件的生產(chǎn)方法)用于生產(chǎn)本發(fā)明半導體器件的方法沒有特別限制，只要其為使用切割模片接合膜生產(chǎn)半導體器件的方法即可。例如，半導體器件可在適當?shù)貏冸x在模片接合膜上任選地設置的隔離體后，如下使用本發(fā)明的切割模片接合膜來生產(chǎn)。以下，參考圖3A至3E，同時使用切割模片接合膜11為例描述所述方法。首先，將半導體晶片4壓接在切割模片接合膜11中的模片接合膜31上以通過粘附和保持固定半導體晶片(安裝步驟)。在用加壓裝置如加壓輥加壓的同時進行該步驟。接著，進行半導體晶片4的切割。從而，將半導體晶片4切割成規(guī)定尺寸并個體化(形成小片)，以生產(chǎn)半導體芯片5。所述切割按照常規(guī)方法例如從半導體晶片4的電路面?zhèn)冗M行。另外，本步驟可采取例如形成達到切割模片接合膜11的切口的稱作完全切割的切割方法。對本步驟中使用的切割裝置沒有特別限制，可使用常規(guī)已知的裝置。此外，由于半導體晶片4通過切割模片接合膜11粘貼并固定，從而可抑制芯片破裂和碎屑飛散，以及還可抑制半導體晶片破損。就此而言，由于模片接合膜由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成，因此即使當將其通過切割切斷時，在切斷面上產(chǎn)生由模片接合膜粘結(jié)劑層的粘結(jié)劑擠出也受到抑制或防止。結(jié)果，可抑制或防止切斷面自身的再附著(粘連)，從而可更加方便地進行以下要描述的拾取。在切割模片接合膜擴展的情況下，擴展可使用常規(guī)已知的擴展裝置進行。擴展裝置具有能夠推動切割模片接合膜向下經(jīng)過切割環(huán)的環(huán)狀外環(huán)，和直徑小于外環(huán)并支撐切割模片接合膜的內(nèi)環(huán)。由于擴展步驟，可以防止相鄰的半導體芯片在以下要描述的拾取步驟中通過相互接觸而損壞。進行半導體芯片5的拾取，以收集粘貼并固定于切割模片接合膜11上的半導體芯片。拾取方法沒有特別限制，可采用常規(guī)已知的各種方法。其實例包括以下方法包括用針從切割模片接合膜的基材la側(cè)向上推動各半導體芯片5，并用拾取裝置拾取推出的半導體芯片5的方法。此處，拾取在通過將熱膨脹性壓敏粘合劑層lb進行規(guī)定熱處理的熱膨脹后進行。因此，熱膨脹性壓敏粘合劑層lb與模片接合膜31的壓敏粘合力(粘合力)降低，半導體芯片5的剝離變得容易。結(jié)果，可在不損壞半導體芯片5的情況下拾取。關于此點，可用于熱處理的加熱裝置沒有特別限制，可提及上述示例的加熱裝置如熱盤、熱風干燥器、近紅外燈或空氣干燥器。拾取的半導體芯片5通過插入其間的模片接合膜31粘貼并固定在被粘物6上(模片接合)。將被粘物6安裝在加熱墊片(heatblock)9上。被粘物6的實例包括引線框、TAB膜、基板和分別生產(chǎn)的半導體芯片。被粘物6例如可為易于變形的可變形被粘物，或難于變形的不可變形被粘物(半導體晶片等)?？墒褂贸Ｒ?guī)已知的基板作為所述基板。此外，可使用金屬引線框如Cu引線框和42合金引線框以及由玻璃環(huán)氧樹脂、BT(雙馬來酰亞胺-三嗪)或聚酰亞胺組成的有機基板作為引線框。然而，本發(fā)明不限于上述，包括在安裝半導體元件和與半導體元件電連接后可使用的電路基板。由于模片接合膜31由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成，因此通過熱固化增強粘合力，并由此可將半導體芯片5粘貼并固定在被粘物6上，以改進耐熱強度。此處，可使其中半導體芯片5通過半導體晶片附著部分31a粘貼并固定在基板等上的產(chǎn)品進行重熔步驟。此后，引線接合通過以下進行用接合導線7將基板端子部(內(nèi)部引線)的頂端與半導體芯片5上的電極片(electrodepad)(圖中未示出)電連接，此外，將半導體芯片5用密封樹脂8密封，接著固化該密封樹脂8。從而，生產(chǎn)根據(jù)本實施方案的半導體器件。實施例以下將示例性地詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，除非另外說明，否則這些實施例中描述的材料和混合量等不意欲限制本發(fā)明的范圍至那些，它們僅為解釋性的實例。另外，除非另外說明，否則各實施例中的份均為重量標準。實施例1〈切割膜的生產(chǎn)〉丙烯酸類聚合物X通過如下獲得將95份丙烯酸2-乙基己酯(以下有時稱作"2EHA")、5份丙烯酸2-羥乙酯(以下有時稱作"HEA")和65份甲苯裝入裝配有冷卻管、氮氣導入管、溫度計和攪拌裝置的反應器中，接著在氮氣流中于erc下進行聚合處理6小時。接下來，熱膨脹性壓敏粘合劑的壓敏粘合劑溶液通過將3份多異氰酸酯化合物(商品名"C0L0NATEL"，NipponPolyurethaneIndustryCo.Ltd.生產(chǎn))和35份熱膨脹性微球(商品名"MicrosphereF_50D，，，Mats翻toYushi-SeiyakuCo.，Ltd.生產(chǎn)；發(fā)泡起始溫度12(TC)加入到100份丙烯酸類聚合物X中制備。作為切割膜的熱膨脹性壓敏粘結(jié)劑片通過以下制備將上述制得的壓敏粘合劑溶液涂布到具有厚度為50i！m的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(PET膜)，接著在8(TC下進行熱交聯(lián)3分鐘，以形成具有厚度40i！m的壓敏粘合劑層(熱膨脹性壓敏粘合劑層)?！茨Ｆ雍夏さ纳a(chǎn)〉基于IOO份具有丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合物(商品名"PARACR0麗-197CM"，由NegamiChemicalIndustrialCo.，Ltd.生產(chǎn))，將59份環(huán)氧樹月旨1(商品名"EPIC0AT1004"，由J即anEpoxyResins(JER)Co.，Ltd.生產(chǎn))、53份環(huán)氧樹脂2(商品名"EPIC0AT827"，由J即anEpoxyResins(JER)Co.，Ltd.生產(chǎn))、121份酚醛樹月旨(商品名"MILEXXLC-4L"，由MitsuiChemicals,Inc.生產(chǎn))、222份球狀二氧化硅(商品名"S0-25R"，由AdmatechsCo.，Ltd.生產(chǎn))溶解在甲乙酮中，從而制備具有固體濃度為23.6重量％的粘結(jié)劑組合物溶液。將所述粘結(jié)劑組合物溶液施涂在作為隔離襯墊(隔離體)的由在其上已進行硅酮脫模處理的具有38m厚度的PET膜構(gòu)成的脫模處理膜上，然后在13(TC下干燥2分鐘。從而，生產(chǎn)具有厚度25ym的模片接合膜A。此外，通過將模片接合膜A轉(zhuǎn)移至上述切割膜的熱膨脹性壓敏粘合劑層上，得到根據(jù)本實施例1的切割模片接合膜。實施例2〈模片接合膜的生產(chǎn)〉基于IOO份具有丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合物(商品名"PARACR0麗-197CM"，由NegamiChemicalIndustrialCo.，Ltd.生產(chǎn))，將102份環(huán)氧樹月旨1(商品名"EPIC0AT1004"，由J即anEpoxyResins(JER)Co.，Ltd.生產(chǎn))、13份環(huán)氧樹脂2(商品名"EPIC0AT827"，由J即anEpoxyResins(JER)Co.，Ltd.生產(chǎn))、119份酚醛樹月旨(商品名"MILEXXLC-4L"，由MitsuiChemicals,Inc.生產(chǎn))、222份球狀二氧化硅(商品名"S0-25R"，由AdmatechsCo.，Ltd.生產(chǎn))溶解在甲乙酮中，從而制備具有固體濃度為23.6重量％的粘結(jié)劑組合物溶液。將所述粘結(jié)劑組合物溶液施涂在作為隔離襯墊(隔離體)的由在其上已進行硅酮脫模處理的具有38m厚度的PET膜構(gòu)成的脫模處理膜上，然后在13(TC下干燥2分鐘。從而，生產(chǎn)具有厚度25m的模片接合膜B。除了使用模片接合膜B代替模片接合膜A之外，以與實施例1相同的方式生產(chǎn)切割模片接合膜。實施例3至4除了將切割膜變?yōu)榫哂斜?所示組成和含量的相應切割膜之外，以與實施例1相同的方式在各實施例3至4中生產(chǎn)切割模片接合膜。比較例1至5除了將切割膜變?yōu)榫哂斜?所示組成和含量的相應切割膜之外，以與實施例1相同的方式在各比較例1至5中生產(chǎn)切割模片接合膜。比較例6除了將20份的鵬酚類樹脂(terpen印henol-basedresin)(商品名〃PR-12603"，由SumitomoBakeliteCo.，Ltd.制造)加入到切割膜的壓敏粘合劑中19<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>BA:丙烯酸正丁酯AA:丙烯酸HEA:丙烯酸2-羥乙酯C/L:多異氰酸酯化合物(商品名"C0L0NATEL"，由NipponPolyurethaneIndustryCo.，Ltd.生產(chǎn))SUMILITE:鵬酚類樹脂(商品名〃PR-12603"，由SumitomoBakeliteCo.，Ltd.制造)(評價)關于實施例1至4和比較例1至6的切割模片接合膜，通過以下的評價或測量方法來評價或測量各切割膜中的壓敏粘合劑層的表面自由能、關于各切割膜中的壓敏粘合劑層的彈性模量、各模片接合膜的彈性模量、各模片接合膜的彈性模量/各切割膜中的壓敏粘合劑層的彈性模量(T。+20°C)、切割性和拾取性。評價和測量的結(jié)果如表1中所述?！幢砻孀杂赡艿脑u價方法>接觸角9(rad)通過如下測定在按照JISZ8703的試驗場所的環(huán)境(溫度23士2t:，濕度50±5%RH)下，將約lyL水(蒸餾水)或二碘甲烷的液滴滴加在各切割膜的壓敏粘合劑層(在熱膨脹性壓敏粘合劑層(實施例1至4、比較例1至4和6)的情況下，熱膨脹前的熱膨脹性壓敏粘合劑層)的表面上，并使用表面接觸角計"CA-X"(由FACECompany制造)在滴加30秒后通過三點法測量。切割膜中壓敏粘合劑層的表面自由能(Ys)通過求解作為聯(lián)立線性方程的兩個方程計算，所述聯(lián)立線性方程利用得到的兩個接觸角和從文獻已知的水和二碘甲烷的表面自由能值以及以下方程(la)-(lc)得到。Ys=Ysd+Ysp(la)YL=YLd+YLp(lb)(1+cos9)YL=2(YsdYLd)1/2+2(YsPYLp)1/2(lc)此處，方程(la)-(lc)中各符號分別如下。e:用水或二碘甲烷液滴測量的接觸角(rad)Ys:壓敏層的表面自由能(mj/m2)Ysd:在壓敏層表面自由能中的色散分量(mj/m2)Ysp:在壓敏層表面自由能中的極性分量(mj/m2)Y。水或二碘甲烷的表面自由能(mj/m2)Y:水或二碘甲烷表面自由能中的色散分量(mj/m2):水或二碘甲烷表面自由能中的極性分量(mj/m2)已知的水(蒸餾水)表面自由能值[色散分量(Y。21.8(mJ/tf)，極性分量(YLP):51.0(mJ/m2)]已知的二碘甲烷表面自由能值[色散分量(Y。49.5(mJ/tf)，極性分量(Y):1.3(mJ/m2)]〈切割膜的壓敏粘合劑層的彈性模量測量方法>關于切割膜的壓敏粘合劑層的彈性模量，通過制備除了不包含發(fā)泡劑之外相同的壓敏粘合劑層(樣品)來評價或測量。彈性模量使用由RheometricsCo.，Ltd.生產(chǎn)的動態(tài)粘彈性測量裝置"ARES"，在頻率1Hz、升溫速率5°C/min和應變0.1%(23°C)或0.3%(150°C)條件下，以剪切模式測量，并作為在23t:或15(TC下得到的剪切貯能彈性模量G'的值。〈模片接合膜彈性模量的測量方法>模片接合膜的彈性模量通過如下測定并作為獲得的拉伸貯能彈性模量E'的值不將模片接合膜層壓在切割膜上來制備模片接合膜，并使用由RheometricsCo.，Ltd.生產(chǎn)的動態(tài)粘彈性測量裝置"SolidAnalyzerRSA2"，于氮氣氣氛中在規(guī)定溫度(T。，(T。+20)°C)下，在樣品寬度10mm、樣品長度22.5mm、樣品厚度0.2mm、頻率1Hz和升溫速率10°C/分鐘的條件下，以拉伸模式測量彈性模量。關于此點，T。如下測定。通過將具有厚度25iim的PET膜借助于手動輥粘貼在切割膜的壓敏粘合劑層(熱膨脹性壓敏粘合劑層)表面上以致不夾帶氣泡來生產(chǎn)試驗片。粘貼所述PET膜30分鐘后，將PET膜以180°剝離角度剝離，然后測量此時(測量溫度23t:，拉伸速率300mm/min，剝離角度18(T)的壓敏粘合力，并將該壓敏粘合力作為"初始壓敏粘合力"。另外，將通過上述方法制備的試驗片放置在設定為各溫度(熱處理溫度)的熱循環(huán)干燥器中l(wèi)分鐘，然后從熱循環(huán)干燥器中取出，接著靜置在23t:下2小時。此后，將PET膜以180°剝離角度剝離，然后測量此時(測量溫度23t:，拉伸速率300mm/min，剝離角度180°)的壓敏粘合力，并將該壓敏粘合力作為"熱處理后的壓敏粘合力"。將"熱處理后的壓敏粘合力"降至"初始壓敏粘合力"的10%以下時的最低熱處理溫度作為發(fā)泡起始溫度(T。)。根據(jù)實施例1至4以及比較例1至4和6的各切割膜的熱膨脹性壓敏粘合劑層的發(fā)泡起始溫度T。為12(TC。由于根據(jù)比較例5的切割膜的壓敏粘合劑層不包含發(fā)泡劑，因此，該切割膜不具有發(fā)泡起始溫度。然而，為比較彈性模量，認為比較例1的切割膜的發(fā)泡起始溫度為120°C。因此，在該情況下，T。+20。C為140°C?！磸椥阅Ａ勘壤脑u價方法>模片接合膜的彈性模量/切割膜的壓敏粘合劑層的彈性模量(T。+2(TC)從通過上述〈切割膜的壓敏粘合劑層的彈性模量的測量方法>和〈模片接合膜的彈性模量的測量方法>中的評價和測量得到的"模片接合膜在(T。+2(TC)下的彈性模量"和"切割膜的壓敏粘合劑層在(T。+2(TC)下的彈性模量"計算得出?！辞懈钚?拾取性的評價方法>使用各實施例和比較例的切割模片接合膜，通過實際切割半導體晶片評價切割性，然后評價剝離性，分別將其作為各切割模片接合膜的切割性能和拾取性能的評價。將半導體晶片(直徑8英寸，厚度0.6mm;硅鏡面晶片)進行背面研磨處理，并使用具有厚度0.025mm的鏡面晶片作為工件。從切割模片接合膜剝離隔離體后，將鏡面晶片(工件)在4(TC下通過輥壓接合粘貼在模片接合膜上，并進一步進行切割。此處，所述切割作為完全切割進行，以成為10mm2的芯片尺寸。就此而言，半導體晶片研磨條件、粘貼條件和切割條件如下。(半導體晶片研磨條件)研磨裝置由DISCOCorporation生產(chǎn)的商品名"DFG-8560"半導體晶片8英寸直徑(研磨背面至厚度為0.6mm至0.025mm)(粘貼條件)粘貼裝置:由NittoSeikiCo.，Ltd.生產(chǎn)的商品名"MA-3000II"粘貼速率10mm/min粘貼壓力0.15MPa粘貼時的階段溫度40°C(切割條件)切割裝置DISCOCorporation生產(chǎn)的商品名"DFD-6361"切割環(huán)"2-8-1"(由DISCOCorporation生產(chǎn))切割速率30mm/sec切割刮刀Zl;DISCOCorporation生產(chǎn)的"NBC-ZH226J27HAAA"切割刮刀旋轉(zhuǎn)速率Zl;30，000rpm切割方法單步切割晶片芯片尺寸10.0mm2在切割中，確認鏡面晶片(工件)是否牢固保持在切割模片接合膜上而未剝離以進行令人滿意的切割。將良好進行切割的情況評級為"良好"，將未良好進行切割的情況評級為"差"，由此評價切割性。接下來，將各切割模片接合膜放置在T。+20°C(在實施例1至4及比較例1至6中為140°C)的熱盤上，以使得在基材側(cè)的切割模片接合膜表面與熱盤表面接觸，并使壓敏粘合劑層(熱膨脹性壓敏粘合劑層等)進行熱處理l分鐘。然后，翻轉(zhuǎn)切割模片接合膜，以使得切割模片接合膜在空氣中倒置(以將芯片放下)，并將具有模片接合膜的芯片通過自由降落剝離。測量此時的芯片(總片數(shù)400)剝離率(％)，以評價拾取性。因此，當剝離率越接近于100%時，拾取性越好。如表1所示，確認根據(jù)實施例1至4的切割模片接合膜切割性和拾取性優(yōu)良，被粘物如半導體晶片能被牢固地保持并進行良好切割。盡管已經(jīng)參考其具體實施方案詳細地描述本發(fā)明，但是對于本領域技術人員顯而易見的是能在不超出本發(fā)明范圍內(nèi)進行各種改變和改進。本申請基于2008年11月26日提交的日本專利申請2008-301557，在此將其全部內(nèi)容引入以作參考。權利要求一種切割模片接合膜，其包括具有設置于基材上的壓敏粘合劑層的切割膜，和設置于所述壓敏粘合劑層上的模片接合膜，其中，所述切割膜的壓敏粘合劑層為由包含丙烯酸類聚合物A和發(fā)泡劑的熱膨脹性壓敏粘合劑形成的熱膨脹性壓敏粘合劑層，所述丙烯酸類聚合物A是由單體組合物構(gòu)成的丙烯酸類聚合物，所述單體組合物包括50重量％以上的由CH2＝CHCOOR(其中R為具有6至10個碳原子的烷基)表示的丙烯酸酯，和1重量％至30重量％的含羥基單體，且不包括含羧基單體，所述熱膨脹性壓敏粘合劑層具有30mJ/m2以下的表面自由能，和其中所述模片接合膜由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物構(gòu)成。2.根據(jù)權利要求1所述的切割模片接合膜，其中所述發(fā)泡劑是熱膨脹性微球。3.根據(jù)權利要求1所述的切割模片接合膜，其中所述切割膜的熱膨脹性壓敏粘合劑層由包括壓敏粘合劑和發(fā)泡劑的熱膨脹性壓敏粘合劑形成，所述壓敏粘合劑能形成具有5X104Pa至IX106Pa的在23"至15(TC溫度范圍內(nèi)的彈性模量的壓敏粘合劑層；禾口其中所述模片接合膜具有l(wèi)X10Spa至1Xl(TPa的在T。至T。+2(TC溫度范圍內(nèi)的彈性模量，其中T。表示所述切割膜的熱膨脹性壓敏粘合劑層的發(fā)泡起始溫度。4.一種用于生產(chǎn)半導體器件的方法，所述方法包括采用根據(jù)權利要求1所述的切割模片接合膜。全文摘要本發(fā)明涉及切割模片接合膜以及半導體器件的生產(chǎn)方法。本發(fā)明涉及切割模片接合膜，其包括具有設置于基材上的壓敏粘合劑層的切割膜，和設置于所述壓敏粘合劑層上的模片接合膜。所述切割膜的壓敏粘合劑層為由包含丙烯酸類聚合物A和發(fā)泡劑的熱膨脹性壓敏粘合劑形成的熱膨脹性壓敏粘合劑層。所述丙烯酸類聚合物A是由單體組合物構(gòu)成的丙烯酸類聚合物，所述單體組合物包括50重量％以上的由CH2＝CHCOOR(其中R為具有6至10個碳原子的烷基)表示的丙烯酸酯，和1重量％至30重量％的含羥基單體，且不包括含羧基單體。所述熱膨脹性壓敏粘合劑層具有30mJ/m2以下的表面自由能。所述模片接合膜由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物構(gòu)成。文檔編號B32B7/12GK101740351SQ200910224839公開日2010年6月16日申請日期2009年11月26日優(yōu)先權日2008年11月26日發(fā)明者大竹宏尚,村田修平,松村健,神谷克彥申請人:日東電工株式會社