專利名稱:一種高阻隔反射型太陽電池背膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及一種用于太陽電池中的組件,尤其涉及一種高阻隔反射型太陽電 池背膜。
技術(shù)背景 太陽電池板通常是一個(gè)疊層結(jié)構(gòu),主要包括玻璃表層、EVA密封層、太陽電池片、 EVA密封層和太陽電池背膜,其中太陽電池片被兩層EVA密封層密封包裹。太陽電池背膜的 主要作用是提高太陽電池板的整體機(jī)械強(qiáng)度,另外可以防止水汽滲透到密封層中,影響電 池片的使用壽命。為了提高背膜的整體性能,現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)了大量針對背膜進(jìn)行改進(jìn)的 方案。例如,日本專利公開號(hào)為JP2008085294(A)的專利,
公開日為2008年4月10日,公 開了一種太陽電池背膜及其制備方法,該背膜包括表層的樹脂膜,一層阻隔膜和一層背面 的樹脂膜,表層樹脂膜的主要成分是聚乙烯。在表層樹脂模和阻隔膜之間還有一層絕緣膜。 鋁箔層或有機(jī)氧化層作為阻隔層,其背面樹脂模主要成分為PEN和PET。上述方案的生產(chǎn)成 本低,性能優(yōu)良,其剝離強(qiáng)度高,阻水性能好,耐候性好。但上述方案中鋁箔與其他膜層之間 的復(fù)合需要通過膠進(jìn)行粘結(jié),但是粘結(jié)強(qiáng)度不夠理想,在長期使用過程中膠最先老化,造成 背膜本身的分層
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)之不足,提供一種具有高 的防水性、抗紫外線性、高粘結(jié)性太陽電池背膜,同時(shí)還具備鏡面反射的效果,從而提高組 件發(fā)電效率。按照本實(shí)用新型提供的一種高阻隔反射型太陽電池背膜,包括高透光基材和位于 所述基材內(nèi)表面的鋁膜層,在所述基材的外表面和/或所述鋁膜層的內(nèi)表面涂覆有基于丙 烯酸聚合物的高透光紫外吸收層。按照本實(shí)用新型提供的一種高阻隔反射型太陽電池背膜還具有如下附屬技術(shù)特 征所述鋁膜層為納米級(jí)鋁粉和樹脂混合均勻涂覆形成的膜層。所述鋁膜層的厚度為Inm 30歷。所述鋁膜層的厚度為Inm 15nm。所述基材的厚度為0. 05mm 0. 35mm。所述基材的厚度為0. 15mm 0. 2mm。所述紫外吸收層的厚度為0. OOlmm 0. 01mm。所述紫外吸收層的厚度為0. 003mm 0. 005mm。所述鋁膜層的內(nèi)表面或位于鋁膜層內(nèi)表面的紫外吸收層的內(nèi)表面具有經(jīng)等離子 體氟硅氧烷化處理形成的氟硅氧烷化成膜層。所述氟硅氧烷化成膜層的厚度為0. 01微米至5微米。[0015]按照本實(shí)用新型提供的一種高阻隔反射型太陽電池背膜與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如 下優(yōu)點(diǎn)首先,所述基材與鋁膜層復(fù)合,不但具有良好的阻水性能,同時(shí)具有優(yōu)異的附著力, 同時(shí)還具備鏡面反射的效果,從而提高組件發(fā)電效率;其次,本實(shí)用新型對高透光基材表面 復(fù)合添加有紫外吸收劑和紫外穩(wěn)定劑的丙烯酸聚合物樹脂,使得面膜的外側(cè)具有吸收紫外 線的功能;再次,本實(shí)用新型的表層形成有氟硅氧烷化成膜層,使其具有較高的粘結(jié)性,與 不同的EVA和硅膠都具有很好的相容性。
圖1是本實(shí)用新型的一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示,按照本實(shí)用新型提供的一種高阻隔反射型太陽電池背膜,包括高透 光基材1和位于所述基材1內(nèi)表面的鋁膜層3,在所述基材1的外表面和所述鋁膜層3的內(nèi) 表面涂覆有基于丙烯酸聚合物的高透光紫外吸收層2。本發(fā)明的鋁膜層3為納米級(jí)鋁粉和 樹脂混合均勻涂覆形成的膜層。納米鋁的含量以重量計(jì)為10 90%,優(yōu)選40 80%。通 過將混合有納米鋁的樹脂均勻涂布在高透光基材1,使得本實(shí)用新型具有非常突出的阻隔 性,整體的防潮性能和耐候性能,并對外部光線有較高的反射效果,有利于提高光能的利用 率。本實(shí)用新型的鋁膜層中的樹脂應(yīng)該是具有高度分散性和低分子量的樹脂,同時(shí)具有高 附著力,如羥基丙烯酸樹,其含量為10 90 %,優(yōu)選20 60 %。在所述基材1的外表面和所述鋁膜層3的內(nèi)表面涂覆有基于丙烯酸聚合物的高透 光紫外吸收層2,這種膜為高硬度的高透光的具有吸收紫外線作用的保護(hù)層,如添加有紫外 穩(wěn)定劑和吸收劑的聚丙烯酸聚合物樹脂,所述紫外穩(wěn)定劑為受阻胺類聚合物,所述紫外吸 收劑為納米級(jí)Si02、TiOx的一種或多種的混合物,所述紫外吸收層2的厚度為0. OOlmm 0. 01mm,優(yōu)選 0. 003mm 0. 005mm。具體數(shù)值可以選為 0. 002mm、0. 003mm、0. 004mm、0. 005mm 和0. 008mm,其中選用0. 003mm、0. 004mm和0. 005mm時(shí),性價(jià)比最高,也更能滿足工藝的要 求。在本實(shí)用新型給出的上述實(shí)施例中,所述基材1的厚度為0.05mm 0.35mm,優(yōu) 選的方案為 0. 15mm 0. 2mm,具體數(shù)值可以選為 0. 10mm、0. 15mm、0. 18mm、0. 20mm、0. 25mm、
0.30mm、0. 35mm。選擇上述厚度的基材1可以使背膜具有較高的強(qiáng)度,同時(shí),也利于加工和 整體性能的提高。在本實(shí)用新型給出的上述實(shí)施例中,所述鋁膜層3的厚度在Inm 30nm,優(yōu)選 Inm 15nm。具體可以選用 lnm、5nm、10nm、12nm、15nm、18nm、21nm、28nm。選擇上述厚度的 鋁膜層3具有較好的效果,能夠滿足本實(shí)用新型的需求,具有較高的性價(jià)比。為了提高背膜與EVA、硅膠等膠黏劑的粘結(jié)強(qiáng)度,本實(shí)用新型在位于鋁膜層3內(nèi)表 面的紫外吸收層的內(nèi)表面具有經(jīng)等離子體氟硅氧烷化處理形成的氟硅氧烷化成膜層4。所 述氟硅氧烷處理的改性劑選自硅烷偶聯(lián)劑、氟硅氧烷或聚硅氧烷一種或多種混合物。所述 硅氧烷化成膜層4的厚度為0. 01微米至5微米,優(yōu)選的方案是在0. 1微米至2微米之間, 具體數(shù)值可以選為0. 01微米、0. 05微米、0. 1微米、0. 2微米、0. 5微米、0. 8微米、1微米、
1.5微米、2微米。將氟硅氧烷化成膜層4的厚度限定在上述尺寸范圍內(nèi)可以更好的滿足粘結(jié)性的需求,而選擇上述具體厚度值,可以更好的滿足工藝要求,利于氟硅氧烷化成膜層的加工。在本實(shí)用新型給出的實(shí)施例中,也可以只在所述基材的外表面涂覆高透光紫外吸 收層2,此時(shí),在所述鋁膜層的內(nèi)表面具有經(jīng)等離子體氟硅氧烷化處理形成的氟硅氧烷化成 膜層4。 本實(shí)用新型的鋁膜層采用涂覆沉積的使鋁膜層復(fù)合在高透光基材上,不但大大提 高了背膜的阻水性能,并對外部光照有較高的反射效果,有利于提高光能的利用率,同時(shí)確 保了在長期的使用過程中不會(huì)因?yàn)殇X膜層與基材的膠粘劑老化而導(dǎo)致背膜分層,保證了組 件25年以上的使用壽命。
權(quán)利要求一種高阻隔反射型太陽電池背膜,其特征在于包括高透光基材和位于所述基材內(nèi)表面的鋁膜層,在所述基材的外表面和/或所述鋁膜層的內(nèi)表面涂覆有基于丙烯酸聚合物的高透光紫外吸收層。
2.如權(quán)利要求1所述的一種高阻隔反射型太陽電池背膜,其特征在于所述鋁膜層的 厚度為Inm 30nm。
3.如權(quán)利要求2所述的一種高阻隔反射型太陽電池背膜,其特征在于所述鋁膜層的 厚度為Inm 15nm。
4.如權(quán)利要求1所述的一種高阻隔反射型太陽電池背膜,其特征在于所述基材的厚 度為 0. 05mm 0. 35mm。
5.如權(quán)利要求4所述的一種高阻隔反射型太陽電池背膜,其特征在于所述基材的厚 度為 0. 15mm 0. 2mm。
6.如權(quán)利要求1所述的一種高阻隔反射型太陽電池背膜,其特征在于所述紫外吸收 層的厚度為0. OOlmm 0. 01mm。
7.如權(quán)利要求6所述的一種高阻隔反射型太陽電池背膜,其特征在于所述紫外吸收 層的厚度為0. 003mm 0. 005mm。
8.如權(quán)利要求1所述的一種高阻隔反射型太陽電池背膜,其特征在于所述鋁膜層的 內(nèi)表面或位于鋁膜層內(nèi)表面的紫外吸收層的內(nèi)表面具有經(jīng)輻照或等離子體氟硅氧烷化處 理形成的氟硅氧烷化成膜層。
9.如權(quán)利要求8所述的一種高阻隔反射型太陽電池背膜,其特征在于所述氟硅氧烷 化成膜層的厚度為0. 01微米至5微米。
專利摘要一種高阻隔反射型太陽電池背膜,包括高透光基材和位于所述基材內(nèi)表面的鋁膜層,在所述基材的外表面和/或所述鋁膜層的內(nèi)表面涂覆有基于丙烯酸聚合物的高透光紫外吸收層。本實(shí)用新型的鋁膜層與基材復(fù)合,使得背板具有高阻隔性能,尤其對水蒸氣的具有更好阻隔,防潮性能好和耐候性能更好,并對外部光照有較高的反射效果,有利于提高光能的利用率。
文檔編號(hào)B32B15/02GK201590419SQ20092022023
公開日2010年9月22日 申請日期2009年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月27日
發(fā)明者司瓊, 夏文進(jìn), 張育政, 林建偉, 鄭向陽 申請人:蘇州中來太陽能材料技術(shù)有限公司