專利名稱：具有均一薄膜形態(tài)的bopp的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種新的聚丙烯和由所述聚丙烯制成的電容器薄膜，以及所述聚丙烯的制備。
背景技術：
電容器薄膜必須耐受極端條件比如高溫和較高的電擊穿強度。此外，優(yōu)選電容器薄膜具有較好的機械性能比如較高的剛度。就電擊穿強度來說，必須考慮體系(在此為電容器-薄膜)的整體性能或特性受該體系中的較小極端區(qū)域的性能支配。不幸的是，并不是最強的極值起主導作用，而是最弱值支配整體性能。因此，即使優(yōu)選電容器薄膜的試樣具有較 高的電擊穿強度，也還必須確保同一電容器薄膜的不同試樣也顯示出有希望的平均電擊穿值。因此，換句話說，電容器薄膜必須連續(xù)地在所述薄膜的每一位置處具有相同的性能。因此，為了評估電容器薄膜整體上是否具有良好的電擊穿強度，從所述薄膜中切割出10個較小試樣并使每一試樣經(jīng)歷根據(jù)IEC-60243實施的獨立的擊穿測定。這些較小試樣通過測定被不可逆地破壞。由于擊穿事件的隨機性，故用于記錄10個試樣(來自相同的薄膜)中每一個的擊穿場散布地非常寬，并且不是高斯分布，而是已知的韋伯分布。這是所謂的極值分布。因此，需要對結果的離散度進行觀察，而不是單獨地觀察擊穿電壓。韋伯數(shù)據(jù)的離散度的特征是β參數(shù)。β參數(shù)越低，電擊穿結果的分布越寬。考慮到可靠性，離散度應盡可能地小，因此β參數(shù)盡可能地大。這意味著，面臨的任務不僅是實現(xiàn)較高的電擊穿電壓而且獲得較高的β參數(shù)。僅較高的β參數(shù)確保了較高的電擊穿電壓實際上經(jīng)常被該電容器薄膜所滿足。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種確保由其制成的電容器薄膜耐受較高的電擊穿強度而不因其失效的聚丙烯，聚丙烯的上述性能可通過相當高的β參數(shù)實現(xiàn)。優(yōu)選這種聚丙烯另外具有較高的耐溫性。本發(fā)明基于如下發(fā)現(xiàn)考慮到β參數(shù)的經(jīng)提高的擊穿性能可通過使用具有如下特征的用于電容器薄膜的聚丙烯來實現(xiàn)該聚丙烯的特征是其具有相當高含量的通過步進等溫分離技術(SIST)確定的較厚薄層。這種聚丙烯可以獲得具有較高電擊穿強度和較高β參數(shù)的雙向拉伸聚丙烯(BOPP)和/或電容器薄膜。
具體實施例方式因此，本發(fā)明涉及一種具有如下性質的聚丙烯(a)根據(jù)ISO 11357-3測定的熔融溫度(Tm)為至少151. (TC，(b) 二甲苯冷可溶物分數(shù)(XCS)為不超過I. 5wt%,以及(C)薄層厚度超過14. 09nm的晶體組分為至少18. 0wt%,更優(yōu)選至少18. 3wt%,更優(yōu)選至少18. 6wt%,更優(yōu)選至少19. 0wt%,其中所述組分通過步進等溫分離技術(SIST)確定。
因此，本發(fā)明特別地涉及具有如下性質的聚丙烯(a)根據(jù)ISO 11357-3測定的熔融溫度(Tm)為至少151. (TC，(b) 二甲苯冷可溶物分數(shù)(XCS)為不超過I. 5wt%,以及(C)薄層厚度超過14. 09nm的晶體組分為至少18. 0wt%,更優(yōu)選至少18. 3wt%,更優(yōu)選至少18. 6wt%,更優(yōu)選至少19. 0wt%,其中所述組分通過步進等溫分離技術(SIST)確定，其中，(i)在225°C處將聚丙烯熔融5分鐘，(ii)然后以80°C /min的速率冷卻到145°C，(iii)在145°C處保持2小時，(iv)然后以80°C /min的速率冷卻到135°C，(V)在135°C處保持2小時，(vi)然后以80°C /min的速率冷卻到125°C，(vii)在125°C處保持2小時，(viii)然后以80°C /min的速率冷卻到115°C，(ix)在115°C處保持2小時，(X)然后以80°C /min的速率冷卻到105°C，(xi)在105°C處保持2小時，(xii)然后以80°C /min的速率冷卻到_10°C，以及(xiii)然后以10°C /min的加熱率加熱到200°C，獲得所述聚丙烯的熔融曲線，使用溫度范圍為50至200°C的所述熔融曲線以根據(jù)Thomson-Gibbs式(式I)計算薄層厚度分布。
權利要求
1.聚丙烯，其具有如下性質 (a)根據(jù)ISO11357-3測定的熔融溫度(Tm)為至少151. (TC， (b)二甲苯冷可溶物分數(shù)(XCS)為不超過I. 5wt%， (c)薄層厚度在7.70至14. 09nm范圍內的晶體組分為45. 0至67. 0wt%，其中所述組分通過步進等溫分離技術(SIST)確定，以及 (d)薄層厚度超過14.09nm的晶體組分為至少18. 0wt%,其中所述組分通過步進等溫分離技術(SIST)確定。
2.聚丙烯，其具有如下性質 (al)根據(jù)ISO 11357-3測定的熔融溫度(Tm)為至少151. (TC， (bl) 二甲苯冷可溶物分數(shù)(XCS)為不超過I. 5wt%， (cl)薄層厚度超過14. 09nm的晶體組分為18. 0至50. 0wt%,其中所述組分通過步進等溫分離技術(SIST)確定，以及 (dl)可選的通過13C光譜測定的〈2，1>位置缺陷為0. 4摩爾％以上， 或者， (a2)根據(jù)ISO 11357-3測定的熔融溫度(Tm)為至少151. (TC， (b2) 二甲苯冷可溶物分數(shù)(XCS)為不超過I. 5wt%， (c2)薄層厚度超過14. 09nm的晶體組分為至少18. 0wt%,其中所述組分通過步進等溫分離技術(SIST)確定，以及 (d2)通過13C光譜測定的〈2，1>位置缺陷為0. 4摩爾％以上。
3.如權利要求I所述的聚丙烯，其特征在于，所述聚丙烯通過13C光譜測定的〈2，1>位置缺陷為0. 4摩爾％以上。
4.如權利要求I或2所述的聚丙烯，其特征在于，所述聚丙烯為丙烯均聚物。
5.如前述權利要求中任一項所述的聚丙烯，其特征在于，所述聚丙烯具有如下性質 Ca)根據(jù)ISO 16014測定的分子量分布(MWD)為至少2. 8， 和/或 (b)根據(jù)ISO 1133測定的熔體流動速率MFR2 (230°C)為超過2. 0g/10min。
6.如前述權利要求中任一項所述的聚丙烯，其特征在于，所述聚丙烯根據(jù)IS011357-3測定的結晶溫度(Tc)為至少113°C。
7.如前述權利要求中任一項所述的聚丙烯，其特征在于，所述聚丙烯的支化系數(shù)g’為至少0. 9。
8.如前述權利要求中任一項所述的聚丙烯，其特征在于，所述聚丙烯中的硅殘留低于0.5ppm。
9.如前述權利要求中任一項所述的聚丙烯，其特征在于，所述聚丙烯為雙向拉伸薄膜。
10.如前述權利要求中任一項所述的聚丙烯的用途，用于使得根據(jù)IEC-60243測定的電擊穿的P參數(shù)(韋伯參數(shù))的值超過8，優(yōu)選超過12。
11.雙向拉伸聚丙烯薄膜，其特征在于，所述聚丙烯如權利要求I至8中任一項所定義。
12.電容器薄膜，其包含如前述權利要求I至9中任一項所述的聚丙烯或如權利要求11中所述的雙向拉伸聚丙烯薄膜。
13.用于制備如前述權利要求I至8中任一項所述的聚丙烯的方法，其特征在于，包括如下步驟 丙烯與可選地不同于丙烯的C2至Cltl a -烯烴在催化劑體系的存在下聚合，所述催化劑體系根據(jù)ASTM D 3663測定的表面積為低于20m2/g并包含如式(I)的過渡金屬化合物所代表的催化劑 (Cp)2RZrX2 (I) 其中 X獨立地為單價陰離子配位體，比如O -配位體， Cp為選自于下組的有機配位體未取代的環(huán)戊二烯基、未取代的茚基、未取代的四氫茚基、未取代的芴基、經(jīng)取代的環(huán)戊二烯基、經(jīng)取代的茚基、經(jīng)取代的四氫茚基、以及經(jīng)取代的荷基， 附加條件是兩個Cp配位體均選自于上面所述的組并且兩個Cp配位體在化學上是相同的，即是同樣的， R為連接兩個Cp配位體的橋連基，其中R符合式(II): -Y(R，)2- (II) 其中 Y為C、Si或Ge，優(yōu)選為Si， R’為C1至C2tl烷基、C4至Cltl環(huán)烷基、C6至C12芳基、C7至C12芳烷基、或三甲基甲硅烷基， 附加條件是兩個R’殘基均選自于上面所述的組并且兩個R’殘基在化學上是不同的。
全文摘要
一種聚丙烯，其具有如下性質熔融溫度(Tm)為至少151.0℃，二甲苯冷可溶物分數(shù)(XCS)為不超過1.5wt%，以及在160℃以上熔融的18.0至50.0wt%的晶體組分，其中所述組分通過步進等溫分離技術(SIST)確定。
文檔編號B32B27/32GK102712716SQ201080059373
公開日2012年10月3日 申請日期2010年12月21日 優(yōu)先權日2009年12月30日
發(fā)明者D·格洛格爾, J·帕維萊寧 申請人:北歐化工公司