專利名稱：一種介質(zhì)基板的制備方法
一種介質(zhì)基板的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種介質(zhì)基板的制備方法。
背景技術(shù)：
纖維增強樹脂基復(fù)合材料作為電路板以及超材料的襯底而被廣泛應(yīng)用。傳統(tǒng)的纖維增強樹脂基復(fù)合材料由環(huán)氧樹脂、填充劑、以及玻璃纖維制備而成。其特點是價格便宜，但熱脹系數(shù)大，結(jié)構(gòu)與性能的均勻性差。而陶瓷基板具有熱脹系數(shù)小，結(jié)構(gòu)與性能的均勻性好的特點，因此在日益發(fā)展的電子陶瓷工業(yè)中占很重要的地位。 現(xiàn)有技術(shù)中，采用流延法制備陶瓷基板，具體工藝是將陶瓷粉末與分散劑、粘合劑等添加劑在有機溶劑中混合，形成均勻懸浮的漿料；將漿料從料斗下部流至基帶上，通過基帶與刮刀的相對運動形成素坯，在表面張力的作用下形成光滑的上表面，坯膜的厚度由刮刀控制，待溶劑蒸發(fā)，形成具有一定強度和柔韌性的素坯，干燥的素坯與基帶剝離后卷軸，經(jīng)過燒結(jié)得到成品。但是，現(xiàn)有技術(shù)中對工藝參數(shù)的精確度要求高，如果控制不好就會導(dǎo)致陶瓷基板的結(jié)構(gòu)缺陷。例如，如果干燥工藝制定不當，素坯常會出現(xiàn)氣泡、針孔、皺紋、干裂，甚至不易從基帶上脫落等缺陷。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種介質(zhì)基板的制備方法，能夠降低對工藝參數(shù)的要求，提高介質(zhì)基板的質(zhì)量。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明一實施例提供了一種介質(zhì)基板的制備方法，該制備方法包括采用流延法制備陶瓷坯料片材；根據(jù)所需介質(zhì)基板的厚度對陶瓷坯料片材進行疊層；在預(yù)設(shè)的溫度下對疊層的陶瓷坯料片材進行真空熱壓，獲得介質(zhì)基板。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點將流延法制備的陶瓷坯料片材進行疊層，并進行低溫真空熱壓，從而實現(xiàn)介質(zhì)基板的均勻性，提高介質(zhì)基板的質(zhì)量，降低流延法制備陶瓷坯料片材過程中對工藝參數(shù)的要求。

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。圖I是本發(fā)明實施例一提供的一種介質(zhì)基板的制備方法流程圖；圖2是本發(fā)明實施例二提供的一種介質(zhì)基板的制備方法流程圖3是本發(fā)明實施例三提供的一種介質(zhì)基板的制備方法流程圖。
具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。實施例一、參見圖1，是本發(fā)明實施例一提供的一種介質(zhì)基板的制備方法流程圖，該制備方法 包括Sll :采用流延法制備陶瓷坯料片材。其中，陶瓷介質(zhì)片材可以是氧化鋁陶瓷介質(zhì)片材，也可以是氮化鋁陶瓷介質(zhì)片材。S12 :根據(jù)所需介質(zhì)基板的厚度對陶瓷坯料片材進行疊層。具體的，根據(jù)所需介質(zhì)基板的厚度，采用粘合劑將至少兩個陶瓷坯料片材上下對
齊疊層在一起。S13:在預(yù)設(shè)的溫度下對疊層的陶瓷坯料片材進行真空熱壓，獲得介質(zhì)基板。在具體的實施過程中，可采用環(huán)氧樹脂的真空熱壓法對疊層的陶瓷坯料片材進行真空熱壓。本實施例中，將流延法制備的陶瓷坯料片材進行疊層，并進行低溫真空熱壓，從而實現(xiàn)介質(zhì)基板的均勻性，提高介質(zhì)基板的質(zhì)量，降低流延法制備陶瓷坯料片材過程中對工藝參數(shù)的要求。實施例二、參見圖2，是本發(fā)明實施例二提供的一種介質(zhì)基板的制備方法流程圖，該制備方法包括S21 :采用流延法制備氧化鋁陶瓷坯料片材。具體的，將氧化鋁陶瓷粉末與分散劑、粘合劑、溶劑、以及表面活性劑混合制成氧化鋁陶瓷漿料，經(jīng)流延制成氧化鋁陶瓷坯料片材。在具體的實施過程中，還可以在氧化鋁陶瓷漿料中加入助燒劑，以調(diào)整燒結(jié)的溫度。S22 :根據(jù)所需介質(zhì)基板的厚度，采用粘合劑將至少兩個氧化鋁陶瓷坯料片材上下
對齊疊層在一起。其中，粘合劑可以采用聚乙烯醇聚丁醛，也可以采用環(huán)氧體系粘合劑，丙烯酸體系粘合劑。S23:在預(yù)設(shè)的溫度下對疊層的氧化鋁陶瓷坯料片材進行真空熱壓，獲得介質(zhì)基板。在具體的實施過程中，可采用環(huán)氧樹脂的真空熱壓法對疊層的氧化鋁陶瓷坯料片材進行真空熱壓。本實施例相對于實施例一，描述了氧化鋁陶瓷介質(zhì)基板的制備過程，能夠獲得均勻的氧化鋁介質(zhì)基板，降低了流延法制備氧化鋁陶瓷坯料片材過程中對工藝參數(shù)的要求。
實施例三、參見圖3，是本發(fā)明實施例三提供的一種介質(zhì)基板的制備方法流程圖，該制備方法包括S31 :采用流延法制備氮化鋁陶瓷坯料片材。具體的，將氮化鋁陶瓷粉末與分散劑、粘合劑、溶劑、以及表面活性劑混合制成氮化鋁陶瓷漿料，經(jīng)流延制成氮化鋁陶瓷坯料片材。
在具體的實施過程中，還可以在氮化鋁陶瓷漿料中加入助燒劑，以調(diào)整燒結(jié)的溫度。S32 :根據(jù)所需介質(zhì)基板的厚度，采用粘合劑將至少兩個氮化鋁陶瓷坯料片材上下
對齊疊層在一起。其中，粘合劑可以采用聚乙烯醇聚丁醛，也可以采用環(huán)氧體系粘合劑，丙烯酸體系粘合劑。S33:在預(yù)設(shè)的溫度下對疊層的氮化鋁陶瓷坯料片材進行真空熱壓，獲得介質(zhì)基板。在具體的實施過程中，可采用環(huán)氧樹脂的真空熱壓法對疊層的陶瓷坯料片材進行真空熱壓。本實施例相對于實施例二，描述了氮化鋁陶瓷介質(zhì)基板的制備過程，能夠獲得均勻的氧化鋁介質(zhì)基板，降低了流延法制備氮化鋁陶瓷坯料片材過程中對工藝參數(shù)的要求，氮化鋁陶瓷介質(zhì)基板相對與氧化鋁陶瓷介質(zhì)基板來說，絕緣電阻、絕緣耐壓要高些，介電常數(shù)更低些，在具體的實施過程中，根據(jù)需求選擇適合的實施例。以上對本發(fā)明實施例進行了詳細介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式

及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種介質(zhì)基板的制備方法,其特征在于,包括 采用流延法制備陶瓷坯料片材； 根據(jù)所需介質(zhì)基板的厚度對陶瓷坯料片材進行疊層； 在預(yù)設(shè)的溫度下對疊層的陶瓷坯料片材進行真空熱壓，獲得介質(zhì)基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備方法，其特征在于，所述陶瓷坯料片材為氧化鋁陶瓷坯料片材。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述采用流延法制備陶瓷坯料片材，具體包括 將氧化鋁陶瓷粉末與分散劑、粘合劑、溶劑、以及表面活性劑混合制成氧化鋁陶瓷漿料，經(jīng)流延制成氧化鋁陶瓷坯料片材。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鋁陶瓷漿料還包括助燒劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述根據(jù)所需介質(zhì)基板的厚度對陶瓷坯料片材進行疊層，具體包括 根據(jù)所需介質(zhì)基板的厚度，采用粘合劑將至少兩個氧化鋁陶瓷坯料片材上下對齊疊層在一起。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述制備方法，其特征在于，所述粘合劑為聚乙烯醇聚丁醛。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備方法，其特征在于，所述陶瓷坯料片材為氮化鋁陶瓷坯料片材。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述采用流延法制備陶瓷坯料片材，具體包括 將氮化鋁陶瓷粉末與分散劑、粘合劑、溶劑、以及表面活性劑混合制成氮化鋁陶瓷漿料，經(jīng)流延制成氮化鋁陶瓷坯料片材。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述氮化鋁陶瓷漿料還包括助燒劑。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述根據(jù)所需介質(zhì)基板的厚度對陶瓷坯料片材進行疊層，具體包括 根據(jù)所需介質(zhì)基板的厚度，采用粘合劑將至少兩個氮化鋁陶瓷坯料片材上下對齊疊層在一起。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供了一種介質(zhì)基板的制備方法，該介質(zhì)基板的制備方法包括采用流延法制備陶瓷坯料片材；根據(jù)所需介質(zhì)基板的厚度對陶瓷坯料片材進行疊層；在預(yù)設(shè)的溫度下對疊層的陶瓷坯料片材進行真空熱壓，獲得介質(zhì)基板。以提高介質(zhì)基板的質(zhì)量，降低流延法制備陶瓷坯料片材過程中對工藝參數(shù)的要求。
文檔編號B32B37/10GK102700220SQ2011103015
公開日2012年10月3日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者劉若鵬, 繆錫根 申請人:深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司, 深圳光啟高等理工研究院