專利名稱：透光單銀低輻射鍍膜玻璃的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種鍍膜玻璃，具體是一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃。
背景技術(shù)：
目前市場上普通單銀低輻射鍍膜產(chǎn)品，由于使用金屬膜層作為銀層保護(hù)層，往往透光不能做到很高，而且金屬層保護(hù)層的存在也使得膜層對光線的吸收增加，使得玻璃看上不夠清澈、通透。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的技術(shù)目的是解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供一種清澈、通透的低輻射鍍膜玻璃。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板和鍍在玻璃基板上的鍍膜膜層，其特征在于以玻璃基板為基礎(chǔ)，所述鍍膜膜層自內(nèi)向外依次包括第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、銀層、第三電介質(zhì)層、第四電介質(zhì)層及第五電介質(zhì)層；其中，第三電介質(zhì)層為AZO層，該膜層的作用是保護(hù)銀層不被氧化，并且提高銀層和其它膜層的附著力；進(jìn)一步的技術(shù)方案還包括第一電介質(zhì)層為NbOx層，根據(jù)鍍膜工藝條件設(shè)定的不同，鍍膜最終形成的材料為鈮氧化物中的一種。該鍍層的作用是阻止玻璃中的Na+向膜層中滲透，提高膜層透過率，能夠有效增加膜層和玻璃基片之間的吸附力，并且控制膜系的光學(xué)性能和顏色；第二電介質(zhì)層為ZnAlOx層，該層對銀層起鋪墊作用，銀層在其上可以更好地成膜，并且保護(hù)銀層不被氧化；銀層的材料為Ag，用于降低輻射率，達(dá)到隔熱、保溫的效果；第四電介質(zhì)層為ZnSnO3層，該膜層保護(hù)整個(gè)膜層結(jié)構(gòu)，減少氧化，提高膜層的物理和化學(xué)性能，并且控制膜系的光學(xué)性能和顏色。第五電介質(zhì)層的材料為Si3N4層，該膜層的作用是在銀層和電介質(zhì)層之間提供吸附力，保護(hù)整個(gè)膜層結(jié)構(gòu)，減少氧化，提高膜層的物理和化學(xué)性能，并且控制膜系的光學(xué)性能和顏色。上述透光單銀低輻射鍍膜玻璃基板上的鍍膜膜層可采用真空磁控濺射鍍膜，各膜層的鍍制工藝如下第一電介質(zhì)層，通過旋轉(zhuǎn)交流陰極的陶瓷氧化鈮靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜，其工藝氣體成分的氧氣與氬氣的體積比設(shè)為I : 10;第二電介質(zhì)層，通過旋轉(zhuǎn)交流陰極的鋅鋁靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜，其中質(zhì)量比 Zn : Al = 98 : 2，氧氣與氬氣的體積比設(shè)為9 14;[0017]第三電介質(zhì)層，通過旋轉(zhuǎn)交流陰極的AZO靶在純氬或氧、氬氛圍中濺射鍍膜，在氧、氬氛圍中時(shí)，氧氣與氬氣的體積比可設(shè)為9 100 ；銀層，通過直流平面陰極的銀靶在氬氣氛圍中濺射；第四電介質(zhì)層，通過旋轉(zhuǎn)交流陰極的鋅錫靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜，其中質(zhì)量比 Zn : Sn = 50 : 50，氧氣與氬氣的體積比設(shè)為3 2 ；第五電介質(zhì)層，通過旋轉(zhuǎn)交流陰極的硅鋁靶在氮、氬氛圍中濺射鍍膜，其中質(zhì)量比 Si Al = 92 8，氮?dú)馀c氬氣的體積比設(shè)為2 I。本實(shí)用新型生產(chǎn)的產(chǎn)品由于使用了陶瓷材料AZO作為銀層后電介質(zhì)層，取代了現(xiàn)有產(chǎn)品中的金屬保護(hù)層，并且使用高折射率的新型材料來抵消銀層的吸收，所以使得本實(shí)用新型產(chǎn)品的透光可以達(dá)到和同厚度玻璃原板一樣，甚至更高的透過率，并且產(chǎn)品外觀清澈、通透，還可以保證良好的隔熱、保溫效果，非常符合消費(fèi)者追求自然環(huán)保的需求。

圖I是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型制造工藝的流程示意圖。
具體實(shí)施方式
為了闡明本實(shí)用新型的技術(shù)方案及技術(shù)目的，
以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型做進(jìn)一步的介紹。如圖所示，一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板和鍍在玻璃基板上的鍍膜膜層，以玻璃基板為基礎(chǔ)，所述鍍膜膜層自內(nèi)向外依次包括第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、銀層、第三電介質(zhì)層、第四電介質(zhì)層及第五電介質(zhì)層；其中，第一電介質(zhì)層為NbOx層，通過旋轉(zhuǎn)交流陰極的陶瓷氧化鈮靶在氧氬氛圍中濺射鍍膜，氧氣與氬氣的體積比為I : 10;;第二電介質(zhì)層為ZnAlOx層，通過旋轉(zhuǎn)交流陰極的鋅鋁靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜，其中質(zhì)量比Zn Al = 98 2，氧氣與氬氣的體積比為9 14;銀層的材料為Ag，通過直流平面陰極的銀靶在氬氣氛圍中濺射鍍膜；第三電介質(zhì)層的材料為AZO層，通過旋轉(zhuǎn)交流陰極的AZO靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜，氧氣與氬氣的體積比為9 100 ；第四電介質(zhì)層的材料為ZnSnO3層，通過旋轉(zhuǎn)交流陰極的鋅錫靶在氧、氬氛圍中濺射鍍膜，其中質(zhì)量比Zn Sn = 50 50，氧氣與氬氣的體積比為3 2 ；第五電介質(zhì)層的材料為Si3N4層，通過旋轉(zhuǎn)交流陰極的硅鋁靶在氮、氬氛圍中濺射，其中質(zhì)量比Si Al = 92 8，氮?dú)馀c氬氣的體積比為2 I。本實(shí)用新型可采用磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行玻璃的鍍膜，所述磁控濺射鍍膜機(jī)包括19 個(gè)交流旋轉(zhuǎn)雙陰極，7個(gè)直流平面陰極，本實(shí)用新型采用下表列出的工藝參數(shù)，使用6個(gè)交流旋轉(zhuǎn)雙陰極，I個(gè)直流平面直流陰極，制出本實(shí)用新型的透光單銀低輻射鍍膜玻璃，其工藝參數(shù)和靶的位置列表如下
權(quán)利要求1.一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板和鍍在玻璃基板上的鍍膜膜層，其特征在于以玻璃基板為基礎(chǔ)，所述鍍膜膜層自內(nèi)向外依次包括第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、銀層、第三電介質(zhì)層、第四電介質(zhì)層及第五電介質(zhì)層；其中，第三電介質(zhì)層為AZO層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于第一電介質(zhì)層為NbOx層；第二電介質(zhì)層為ZnAlOx層；銀層的材料為Ag ；第四電介質(zhì)層為ZnSnO3層；第五電介質(zhì)層為Si3N4層。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種真空濺射方法生產(chǎn)的多層膜結(jié)構(gòu)鍍膜玻璃，具體是一種透光單銀低輻射鍍膜玻璃，所述鍍膜玻璃包括玻璃基板和鍍在玻璃基板上的鍍膜膜層，其特征在于以玻璃基板為基礎(chǔ)，所述鍍膜膜層自內(nèi)向外依次包括第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、銀層、第三電介質(zhì)層、第四電介質(zhì)層及第五電介質(zhì)層。玻璃膜層中含有具有紅外線反射能力的銀層和減少可見光反射以及保護(hù)銀層的電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層使用新型陶瓷材料AZO作為銀層后的電介質(zhì)層，替代了現(xiàn)有的金屬阻擋層，優(yōu)化了膜層架構(gòu)，使本實(shí)用新型在保證很低輻射率的情況下，獲得與相同厚度普通透明玻璃原板相等，甚至更高的透過率，玻璃通透、自然，并且具有良好的隔熱、保溫效果。
文檔編號B32B15/00GK202344932SQ20112047806
公開日2012年7月25日 申請日期2011年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月25日
發(fā)明者林嘉宏 申請人:林嘉宏