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抗強洗與煮沸膜系的制作方法

文檔序號:2413498閱讀:278來源:國知局
專利名稱:抗強洗與煮沸膜系的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及一種抗強洗與煮沸膜系,主要應用于光學薄膜加工。
背景技術
光學薄膜已廣泛用于光學和光電子技術領域,制造各種光學儀器。主要應用在光在傳播路徑過程中,附著在光學器件表面的厚度薄而均勻的介質膜層,通過分層介質膜層時的反射、折射和偏振等特性,以達到我們想要的在某一或是多個波段范圍內的光的全部透過或光的全部反射或是光的偏振分離等各特殊形態(tài)的光。目前,光學膜系加工的產品,經3次以上的洗凈或是5分鐘的煮沸膜就會脫落,此現(xiàn)象嚴重影響品質;舊膜系結構為H4與Al2O3組成的層狀膜系,其中Al2O3為兩性氧化物,易·與堿發(fā)生化學反應,而洗劑的PH值約12,故用此結構加工的產品經過多次洗凈時,Al2O3層易被洗劑腐蝕從而出現(xiàn)脫膜。同時Al2O3膜相對較松軟,其抗煮沸與熱沖擊能力較弱,特別是高溫時更易出現(xiàn)邊緣掉膜。

發(fā)明內容
鑒于現(xiàn)有技術的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種與傳統(tǒng)結構、材質不同的抗強洗與煮沸膜系。為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的技術方案是一種抗強洗與煮沸膜系,包括從上而下依次設置的七層膜,所述第一層、第三層、第五層和第七層為MgF2薄膜層,所述第二層、第四層和第六層為H4鍍膜層。進一步的,所述第一層厚度為16. 25nm,所述第二層厚度為35. 43nm,所述第三層厚度為21. 34nm,所述第四層厚度為76. 9nm,所述第五層厚度為8nm,所述第六層厚度為47. 76nm,所述第七層厚度為95. 44nm。進一步的,所述七層膜通過熱處理復合為一體。本發(fā)明具有以下優(yōu)點采用多層MgF2薄膜層和多層H4鍍膜層復合一體結構,能夠在保證反射率的情況下提高其抗強洗性能和抗煮沸性能,其中MgF2為氟化物,化學性穩(wěn)定,受酸堿的影響小,穩(wěn)定性極強,特別是溫度在280度以上時,它與H4的結合層致密堅硬,抗擦拭與煮沸能力明顯比Al2O3提升2倍以上。


圖I為本發(fā)明實施例的構造示意圖。圖中,I-第一層,2-第二層,3-第三層,4-第四層,5-第五層,6-第六層,7-第七層。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本發(fā)明做進一步的闡述。
傳統(tǒng)舊膜系結構如表I所示。表I
權利要求
1.一種抗強洗與煮沸膜系,包括從上而下依次設置的七層膜,其特征是,所述第一層、第三層、第五層和第七層為MgF2薄膜層,所述第二層、第四層和第六層為H4鍍膜層。
2.根據權利要求I所述的抗強洗與煮沸膜系,其特征是,所述第一層厚度為16.25nm,所述第二層厚度為35. 43nm,所述第三層厚度為21. 34nm,所述第四層厚度為76. 9nm,所述第五層厚度為8nm,所述第六層厚度為47. 76nm,所述第七層厚度為95. 44nm。
3.根據權利要求I所述的抗強洗與煮沸膜系,其特征是,所述七層膜通過熱處理復合為一體。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種抗強洗與煮沸膜系,包括從上而下依次設置的七層膜,所述第一層、第三層、第五層和第七層為MgF2薄膜層,所述第二層、第四層和第六層為H4鍍膜層。本發(fā)明采用多層MgF2薄膜層和多層H4鍍膜層復合一體結構,能夠在保證反射率的情況下提高其抗強洗性能和抗煮沸性能,其中MgF2為氟化物,化學性穩(wěn)定,受酸堿的影響小,穩(wěn)定性極強,特別是溫度在280度以上時,它與H4的結合層致密堅硬,抗擦拭與煮沸能力明顯比Al2O3提升2倍以上。
文檔編號B32B9/04GK102896827SQ201210428509
公開日2013年1月30日 申請日期2012年11月1日 優(yōu)先權日2012年11月1日
發(fā)明者田儒平, 雷洪濤, 易燈良, 李成 申請人:福建福光光電科技有限公司
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