專(zhuān)利名稱(chēng)：一種可鋼化超高透單銀低輻射玻璃的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可鋼化超高透單銀低輻射玻璃。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的玻璃，在實(shí)現(xiàn)防輻射功能的同時(shí)，又導(dǎo)致其透光率較低，故有必要對(duì)現(xiàn)有的玻璃作出改進(jìn)，以提供一種既能防輻射，又具有高透光率的玻璃。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可鋼化超高透單銀低輻射玻璃，其可在保證透光率的同時(shí)，降低紅外福射。
一種可鋼化超高透單銀低輻射玻璃，包括玻璃基材，其特征在于還包括由下而上依次設(shè)于玻璃基材上表面的一 Si3N4介質(zhì)層、一 TiO2介質(zhì)層、一 NbOx折射層、一 CrNx阻擋層、一 AZO平整層、一降福射鍍Ag層、一 CrNxOy膜層、一 TiO2保護(hù)層、以及一 Si3N4Oy介質(zhì)層。作為上述方案的一種改進(jìn)，所述Si3N4介質(zhì)層的厚度為2(T50nm。作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述TiO2介質(zhì)層的厚度為l(T30nm。作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述NbOx折射層的厚度為5 10nm。作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述CrNJ且擋層的厚度為O. 5 3nm。防止Ag被氧化。作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述AZO平整層的厚度為5 20nm。平滑所述CrNx阻擋層，為Ag層作鋪墊，降低輻射率。作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述降輻射鍍Ag層的厚度為7 10nm。可大大降低紅外輻射。作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述CrNxOy膜層的厚度為0.5飛nm。可提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時(shí)抗高溫氧化性。作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述TiO2保護(hù)層的厚度為2(T50nm。耐腐蝕性好。作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述Si3N4Oy介質(zhì)層的厚度為2(T50nm。提高鋼化時(shí)
抗高溫氧化性。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)鋼化前透光率達(dá)83%，鋼化后透光率達(dá)86%，且輻射率小于O. 07。


圖I為本發(fā)明結(jié)構(gòu)剖視圖。
具體實(shí)施例方式如圖所示，一種可鋼化超高透單銀低輻射玻璃，包括玻璃基材I、以及由下而上依次設(shè)于玻璃基材I上表面的一 Si3N4介質(zhì)層2、一 TiO2介質(zhì)層3、一 NbOx折射層4、一 CrNx阻擋層5、一 AZO平整層6、一降輻射鍍Ag層7、一 CrNxOy膜層8、一 TiO2保護(hù)層9和一 Si3N4Oy介質(zhì)層10。所述Si3N4介質(zhì)層2的厚度為2(T50nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源濺射半導(dǎo)體材料，該半導(dǎo)體材料為含Si和Al的半導(dǎo)體材料，其中Si、Al的比例為90:10，用氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體，從而在玻璃基材表面形成Si3N4介質(zhì)層。所述TiO2介質(zhì)層3的厚度為l(T30nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶，用氧氣作反應(yīng)氣體，最終在Si3N4介質(zhì)層表面形成TiO2介質(zhì)層。所述NbOx折射層4的厚度為5 10nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源濺射陶瓷鈮靶，最終在TiO2介質(zhì)層表面形成NbOx折射層。所述CrNx阻擋層5的厚度為O. 5 3nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射鉻靶，用氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體，最終在NbOx折射層表面形成CrNx阻擋層。防止Ag被氧化。
所述AZO平整層6的厚度為5 20nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn (AZO)靶，最終在CrNx阻擋層表面形成AZO平整層，平滑所述CrNx阻擋層，為Ag層作鋪墊，降低輻射率。所述降輻射鍍Ag層7的厚度為7 10nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶，最終在AZO平整層表面形成降輻射鍍Ag層。所述CrNxOy膜層8的厚度為O. 5 5nm?？商岣吣幽湍バ浴⑻岣咄腹饴?、提高鋼化時(shí)抗高溫氧化性。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射鉻靶，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，最終在降輻射鍍Ag層表面形成CrNxOy膜層，可提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時(shí)抗高溫氧化性。所述TiO2保護(hù)層9的厚度為2(T50nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶，用氧氣作反應(yīng)氣體，最終在CrNxOy膜層上形成TiO2保護(hù)層。耐腐蝕性好。所述Si3N4Oy介質(zhì)層10的厚度為2(T50nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源濺射半導(dǎo)體材料，該半導(dǎo)體材料為含Si和Al的半導(dǎo)體材料，其中Si、Al的比例為90:10，用氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體，滲入少量氧氣，最終在TiO2保護(hù)層的表面形成Si3N4Oy介質(zhì)層，其可提高鋼化時(shí)抗高溫氧化性。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來(lái)限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，凡依本發(fā)明專(zhuān)利范圍所做的同等變化與修飾，皆落入本發(fā)明專(zhuān)利涵蓋的范圍。
權(quán)利要求
1.一種可鋼化超高透單銀低輻射玻璃，包括玻璃基材，其特征在于還包括由下而上依次設(shè)于玻璃基材上表面的一 Si3N4介質(zhì)層、一 TiO2介質(zhì)層、一 NbOx折射層、一 CrNx阻擋層、一 AZO平整層、一降福射鍍Ag層、一 CrNxOy膜層、一 TiO2保護(hù)層、以及一 Si3N4Oy介質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種可鋼化超高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述Si3N4介質(zhì)層的厚度為2(T50nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種可鋼化超高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述TiO2介質(zhì)層的厚度為l(T30nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種可鋼化超高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述NbOx折射層的厚度為5 10nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種可鋼化超高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述CrNx阻擋層的厚度為O. 5 3nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種可鋼化超高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述AZO平整層的厚度為5 20nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種可鋼化超高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述降輻射鍍Ag層的厚度為7 10nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種可鋼化超高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述CrNxOy膜層的厚度為O. 5 5nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種可鋼化超高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述TiO2保護(hù)層的厚度為2(T50nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種可鋼化超高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述Si3N4Oy介質(zhì)層的厚度為2(T50nm。
全文摘要
一種可鋼化超高透單銀低輻射玻璃，包括玻璃基材，其特征在于還包括由下而上依次設(shè)于玻璃基材上表面的一Si3N4介質(zhì)層、一TiO2介質(zhì)層、一NbOx折射層、一CrNx阻擋層、一AZO平整層、一降輻射鍍Ag層、一CrNxOy膜層、一TiO2保護(hù)層、以及一Si3N4Oy介質(zhì)層。本發(fā)明可在保證透光率的同時(shí)，降低紅外輻射。
文檔編號(hào)B32B17/06GK102950842SQ201210491299
公開(kāi)日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2012年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月26日
發(fā)明者楊柳, 劉昕 申請(qǐng)人:中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司