專利名稱：易于撿取的防靜電晶圓切割膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體晶圓處理技術(shù)，涉及晶圓的保護(hù)用膜，特別是對靜電需要降低風(fēng)險的切割用膜，另外本發(fā)明對晶圓的減薄研磨中避免靜電的損傷用保護(hù)膜、晶圓的承載靜電防護(hù)都是適用的。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體晶圓加工過程中，特別是后期晶圓封裝測試的晶圓切割后撿取晶粒的過程中，往往因?yàn)榍懈詈蟮男【ЯＴ谂c切割膜剝離的過程中很容易產(chǎn)生靜電，對晶粒的功能性造成損傷，從而導(dǎo)致后續(xù)測試中良率的降低。目前，通常的做法是在晶粒撿取設(shè)備上加裝離子防靜電風(fēng)機(jī)，通過離子風(fēng)來消散產(chǎn)生的靜電，但這樣的裝置很容易因?yàn)殡x子風(fēng)大而造成特別小的晶粒的撿取定位不準(zhǔn)確，而造成撿取設(shè)備的經(jīng)常性報警，離子風(fēng)小又不能起到消散靜電的效果，而且由于離子防靜電風(fēng)機(jī)的損壞在沒有意識到的情況下造成大量產(chǎn)品報 廢的事件也時有發(fā)生。另外，在晶圓的切割或者是減薄研磨過程中，為了保證晶圓能很完美的固定位置，需要切割膜的粘著力盡可能的大，而在撿取的過程中，或者是研磨后，為了能使晶粒和切割膜很容易的剝離，研磨保護(hù)膜和晶圓很容易剝離開，都需要切割膜的粘著力盡可能的小。本發(fā)明的目的就是解決目前存在的問題，提供一種避免靜電影響而易于撿取的防靜電晶圓切割膜。

發(fā)明內(nèi)容
為達(dá)到上述發(fā)明目的，本發(fā)明公開的一種防靜電晶圓切割膜由基材膜、膠粘膜和離型膜組成。其中，基材膜的主要成分為低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯中的一種或多種按比例混合經(jīng)過吹塑或者是流延制成。為了使切割膜具有抗靜電的效果，在基材膜制備的過程中在其成分內(nèi)添加質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1% 10%的防靜電母料，以使其表面電阻率在IO8 Ω-1O13 Ω范圍內(nèi)。防靜電母料的主要成分為季銨鹽、銨鹽、季銨內(nèi)鹽、烷基咪唑類、烷基氨基酸、多元醇、多元醇酯、脂肪酸醇等材料中的一種或按比例混合的多種。本發(fā)明涉及到的添加抗靜電母料和沒有添加抗靜電母料的基材膜都為直接向供應(yīng)商訂購的基材膜。膠粘膜主要是由多組分溶劑型丙烯酸壓敏膠、UV單體或UV低聚物、光引發(fā)劑和固化劑混合制成。其中多組分溶劑型丙烯酸壓敏膠為水溶劑和/或有機(jī)溶劑的丙烯酸壓敏膠，主要參數(shù)剝離力3. ON/in 30. ON/in，優(yōu)選5. ON/in 25. ON/in,固含量10% 70%，優(yōu)選20% 60% ；UV單體或UV低聚物為丙烯酸烷基酯，甲基丙烯酸羥基酯，乙二醇類二丙烯酸酯，丙二醇類二丙烯酸酯，三羥甲基丙烷三丙烯酸酯，季戊四醇三丙烯酸酯，季戊四醇四丙烯酸酯，二季戊四醇五丙烯酸酯，二季戊四醇六丙烯酸酯，二縮三羥甲基丙烷四丙烯酸酯，環(huán)氧丙烯酸低聚物，聚氨脂丙烯酸酯低聚物，聚脂丙烯酸酯低聚物，聚醚丙烯酸酯低聚物，純丙烯酸樹脂低聚物等以上的一種或多種混合物，多組分溶劑型丙烯酸壓敏膠質(zhì)量份100，選取UV單體或UV低聚物10到70份，優(yōu)選20到60份；光引發(fā)劑為苯偶姻，苯偶酰衍生物，α-羥基酮衍生物，α-氨基酮衍生物，?；⒀趸?，二苯甲酮及其衍生物，三芳基硫鎗鹽，芳茂鐵鹽等以上的一種或多種混合物，多組分溶劑型丙烯酸壓敏膠質(zhì)量份100，選取光引發(fā)劑O. 5-10份，優(yōu)選1-7份；固化劑為有機(jī)過氧化物，多異氰酸酯，金屬氧化物等以上的一種或多種混合物，多組分溶劑型丙烯酸壓敏膠質(zhì)量份100，選取固化劑1-6份。以上各組分混合均勻，并根據(jù)需要添加一定的醋酸乙酯或甲苯來調(diào)整膠黏劑的固含量和粘度，以適應(yīng)涂布機(jī)上膠時的要求。?！?br> 離型膜一般是由PET離型膜或離型紙構(gòu)成；ΡΕΤ離型膜通用的有單面硅PET、單面氟素PET ;離型紙一般是單面硅離型紙。離型膜在市場上都可以購得。由于本發(fā)明使用了上述技術(shù)方案，所以使用本發(fā)明形成的晶圓切割膜降低甚至消除了靜電影響，易于晶圓切割后晶粒的撿取。


圖1是本發(fā)明易于撿取的防靜電晶圓切割膜的結(jié)構(gòu)示意圖。其中1-基材膜層，2-膠粘膜層，3-離型膜層。
具體實(shí)施例方式如圖1所示，本發(fā)明防靜電晶圓切割膜由下到上分別包括基材膜層1、膠粘層2和離型膜層3，在基材膜中添加了質(zhì)量百分比為1% -10%的防靜電母料，從而形成了基材膜層，使基材膜層的表面電阻率在IO8 Ω-1O13 Ω范圍內(nèi)，然后與膠粘層和離型膜層一起構(gòu)成了防靜電的晶圓切割膜。其中基材膜的主要成分為低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯中的一種或幾種。本發(fā)明中在基材膜中添加的防靜電母料的主要成分為季銨鹽、銨鹽、季銨內(nèi)鹽、烷基咪唑類、烷基氨基酸、多元醇、多元醇酯、脂肪酸醇等材料中的一種或按比例混合的多種。本發(fā)明中的膠粘層成分質(zhì)量份配比為多組分溶劑型丙烯酸壓敏100份，UV單體或UV低聚物20-60份，光引發(fā)劑2-7份，固化劑1-6份。其中多組分溶劑型丙烯酸壓敏膠為雙組份溶劑型丙烯酸壓敏膠或多組分溶劑型丙烯酸壓敏膠，其溶劑為水溶劑或有機(jī)溶劑的丙烯酸壓敏膠，剝離力為5. 0N/in-30. ON/in,固含量范圍在20% -60%之間；UV單體或UV低聚物包括丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸羥基酯、乙二醇類二丙烯酸酯、丙二醇類二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二縮三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸低聚物、聚氨脂丙烯酸酯低聚物、聚脂丙烯酸酯低聚物、聚醚丙烯酸酯低聚物、純丙烯酸樹脂低聚物等材料中的一種或多種；光引發(fā)劑包括苯偶姻、苯偶酰衍生物、α-羥基酮衍生物、α-氨基酮衍生物、?；⒀趸铩⒍郊淄捌溲苌?、三芳基硫鎗鹽、芳茂鐵鹽等材料中的一種或多種；固化劑包括有機(jī)過氧化物、多異氰酸酯、金屬氧化物等材料中的一種或多種。實(shí)施例1 :低密度聚乙烯(1F7B，北京燕山石化)、超低密度聚乙烯(FG-20，沙特基礎(chǔ)工業(yè))、防老劑等各種助劑按一定比例添加，并按質(zhì)量比添加1%的防靜電母料季銨鹽(ΝΗΧ-101，南通市弘鑫塑料 有限公司)，經(jīng)吹膜機(jī)(SJ-65-30，山東塑機(jī)廠)吹膜，制成O. 090mm厚度的作為基材膜。經(jīng)測量形成的基材膜層的表面電阻率為IO13 Ω。選取東洋油墨的膠水BPS5513(剝離力為7. 5N/in，固含量45% )質(zhì)量份100，二季戊四醇六丙烯酸酯50份，苯偶姻光引發(fā)劑1. 5份(184，南京瓦力化工)均勻混合攪拌，多異氰酸酯固化劑1. 5份(L75，拜耳)?；旌蠑嚢杈鶆?，直接涂布于基材膜層，經(jīng)涂布機(jī)刮刀涂布烘烤后熟成，收卷時和PET離型膜(厚度O. 050mm,上海聯(lián)睿產(chǎn))復(fù)合。經(jīng)測，使用本實(shí)施例UV前(切割前)剝離力為4. 13N/in，UV后(切割后)剝離力為O. 46N/in，距離撿取處IOcm的靜電值為+12v，撿取1000顆晶粒，定位不準(zhǔn)確顆數(shù)為5顆。而不添加防靜電母料的同樣配方經(jīng)過同樣的吹膜機(jī)得到的基材膜，經(jīng)過涂膠復(fù)合離型膜后，在晶粒撿取過程中，距離撿取處IOcm的靜電值為-173v，撿取1000顆晶粒，定位不準(zhǔn)確顆數(shù)為213。實(shí)施例2 :低密度聚乙烯(1F7B，北京燕山石化)、超低密度聚乙烯(FG-20，沙特基礎(chǔ)工業(yè))、防老劑等各種助劑按一定比例添加，并按質(zhì)量比添加10%的防靜電母料多元醇(0196，無錫市長虹化塑)，經(jīng)吹膜機(jī)(SJ-65-30，山東塑機(jī)廠)吹膜，制成O. 090mm厚度的作為基材膜。經(jīng)測量形成的基材膜層的表面電阻率為IO8 Ω。選取東洋油墨的膠水BPS5513 (剝離力為7· 5N/in,固含量45% )質(zhì)量份100, 二季戍四醇五丙烯酸酯55份,光引發(fā)劑1. 5份(184和651質(zhì)量份1:1混合，南京瓦力化工)均勻混合攪拌，多異氰酸酯固化劑1. 5份(L75，拜耳)?；旌蠑嚢杈鶆颍苯油坎加诨哪?，經(jīng)涂布機(jī)刮刀涂布烘烤后熟成，收卷時和PET離型膜(厚度O. 050mm,上海聯(lián)睿)復(fù)合。經(jīng)測，使用本實(shí)施例UV前(切割前)剝離力為4. 10N/in，UV后(切割后)剝離力為O. 41N/in，距離撿取處IOcm的靜電值為0v，撿取1000顆晶粒，定位不準(zhǔn)確顆數(shù)為O顆。而不添加防靜電母料的同樣配方經(jīng)過同樣的吹膜機(jī)得到的基材膜，經(jīng)過涂膠復(fù)合離型膜后，在晶粒撿取過程中，距離撿取處IOcm的靜電值為-171v，撿取1000顆晶粒，定位不準(zhǔn)確顆數(shù)為206。實(shí)施例3 :嵌段共聚聚丙烯(MG500026沙特基礎(chǔ)工業(yè))、防老劑等各種助劑按一定比例添加，并按質(zhì)量比添加7%的防靜電母料烷基咪唑類(HDC-103，臨安德昌化學(xué))，經(jīng)吹膜機(jī)(SJ-65-30，山東塑機(jī)廠)吹膜，制成O. 090mm厚度的作為基材膜。經(jīng)測量形成的基材膜層的表面電阻率為101°Ω。選取東洋油墨的膠水BPS5513(剝離力為7. 5N/in,固含量45%)質(zhì)量份100，二季戊四醇五丙烯酸酯和二季戊四醇六丙烯酸酯1:1混合物45份，光引發(fā)劑1. 5份(184和651質(zhì)量份1:1混合，南京瓦力化工)均勻混合攪拌，多異氰酸酯固化劑1. O份(L75，拜耳)?；旌蠑嚢杈鶆颍苯油坎加诨哪?，經(jīng)涂布機(jī)刮刀涂布烘烤后熟成，收卷時和PET離型膜(厚度O. 050mm,上海聯(lián)睿)復(fù)合。經(jīng)測，使用本實(shí)施例UV前(切割前)剝離力為4.47N/in，UV后(切割后)剝離力為O. 46N/in，距離撿取處IOcm的靜電值為+9v，撿取1000顆晶粒，定位不準(zhǔn)確顆數(shù)為2顆。而不添加防靜電母料的同樣配方經(jīng)過同樣的吹膜機(jī)得到的基材膜，經(jīng)過涂膠復(fù)合離型膜后，在晶粒撿取過程中，距離撿取處IOcm的靜電值為+203v，撿取1000顆晶粒，定位不準(zhǔn)確顆數(shù)為283。實(shí)施例4 :直鏈狀聚乙烯(001391恒星化工)、防老劑等各種助劑按一定比例添力口，并按質(zhì)量比添加8%的防靜電母料烷基氨基酸(HDC-P30，臨安德昌化學(xué))，經(jīng)吹膜機(jī)(SJ-65-30，山東塑機(jī)廠)吹膜，制成O. 090mm厚度的作為基材膜。經(jīng)測量形成的基材膜層的表面電阻率為IO9 Ω。選取東洋油墨的膠水BPS5513 (剝離力為7. 5N/in,固含量45% )質(zhì)量份100，三羥甲基丙烷三丙烯酸酯和二季戊四醇六丙烯酸酯1: 2混合物50份，二苯甲酮光引發(fā)劑3. O份(651，南京瓦力化工)均勻混合攪拌，多異氰酸酯固化劑1. 5份(L75，拜耳)?；旌蠑嚢杈鶆?，直接涂布于基材膜層，經(jīng)涂布機(jī)刮刀涂布烘烤后熟成，收卷時和PET離型膜(厚度O. 050mm,上海聯(lián)睿)復(fù)合。經(jīng)測，使用本實(shí)施例UV前(切割前)剝離力為4· 33N/in, UV后(切割后)剝離力為0.45N/in，距離撿取處IOcm的靜電值為0v，撿取1000顆晶粒，定位不準(zhǔn)確顆數(shù)為O顆。而不添加防靜電母料的同樣配方經(jīng)過同樣的吹膜機(jī)得到的基材膜，經(jīng)過涂膠復(fù)合離型膜后，在晶粒撿取過程中，距離撿取處IOcm的靜電值為+153v，撿取1000顆晶粒，定位不準(zhǔn)確顆數(shù)為236。
實(shí)施例5 :聚丙烯(K8303燕山石化)、防老劑等各種助劑按一定比例添加，并按質(zhì)量比添加6%的防靜電母料脂肪酸醇(0285，無錫長虹化塑)，經(jīng)吹膜機(jī)(SJ-65-30，山東塑機(jī)廠)吹膜，制成O. 090_厚度的作為基材膜。經(jīng)測量形成的基材膜層的表面電阻率為IO11 Ω。選取東洋油墨的膠水BPS5513(剝離力為7.5N/in，固含量45%)質(zhì)量份100，二季戊四醇五丙烯酸酯、丙烯酸烷基酯和環(huán)氧丙烯酸低聚物1:1 :1混合物60份，光引發(fā)劑3. 5份(184，南京瓦力化工)均勻混合攪拌，多異氰酸酯固化劑2. O份(L75，拜耳)?；旌蠑嚢杈鶆颍苯油坎加诨哪樱?jīng)涂布機(jī)刮刀涂布烘烤后熟成，收卷時和PET離型膜(厚度O. 050mm，上海聯(lián)睿產(chǎn))復(fù)合。經(jīng)測，使用本實(shí)施例UV前(切割前)剝離力為3. 51N/in,UV后(切割后)剝離力為O. 28N/in，距離撿取處IOcm的靜電值為+21v，撿取1000顆晶粒，定位不準(zhǔn)確顆數(shù)為11顆。而不添加防靜電母料的同樣配方經(jīng)過同樣的吹膜機(jī)得到的基材膜，經(jīng)過涂膠復(fù)合離型膜后，在晶粒撿取過程中，距離撿取處IOcm的靜電值為-103v，撿取1000顆晶粒，定位不準(zhǔn)確顆數(shù)為177。實(shí)施例6 :嵌段共聚聚丙烯(MG500026沙特基礎(chǔ)工業(yè)，)、防老劑等各種助劑按一定比例添加，并按質(zhì)量比添加7%的防靜電母料季銨鹽(NHX-101，南通市弘鑫塑料有限公司)，經(jīng)吹膜機(jī)(SJ-65-30，山東塑機(jī)廠)吹膜，制成O. 090mm厚度的作為基材膜。經(jīng)測量形成的基材膜層的表面電阻率為10的10次方歐姆。選取東洋油墨的膠水BPS5513(剝離力7. 5N/in，固含量45%)質(zhì)量份100，二季戊四醇五丙烯酸酯和二季戊四醇六丙烯酸酯1:1混合物30份，?；⒀趸锕庖l(fā)劑2份(ΤΡ0，南京瓦力化工)均勻混合攪拌，多異氰酸酯固化劑2份(L75，拜耳)。混合攪拌均勻，直接涂布于基材膜層，經(jīng)涂布機(jī)刮刀涂布烘烤后熟成，收卷時和PET離型膜(厚度O. 050mm,上海聯(lián)睿)復(fù)合。經(jīng)測，使用本實(shí)施例UV前(切割前)剝離力為4. 35N/in，UV后(切割后)剝離力為O. 42N/in，距離撿取處IOcm的靜電值為-7v，撿取1000顆晶粒，定位不準(zhǔn)確顆數(shù)為O顆。同樣以此基材膜，選取東洋油墨的膠水BPS5978(180度剝離力1. 5N/in,固含量35% )，混合上述成分涂布后，使用本實(shí)施例UV前(切割前)剝離力為1.23N/in，UV后(切割后)剝離力為O. 38N/in，距離撿取處IOcm的靜電值為+7v，撿取1000顆晶粒，定位不準(zhǔn)確顆數(shù)為57顆。這是因?yàn)樵谇懈钋暗膭冸x力比較小，晶圓在切割后撿取前位置已經(jīng)有所改變，所以在撿取的時候定位有部分不準(zhǔn)確。
權(quán)利要求
1.一種易于撿取的防靜電晶圓切割膜，包含基材膜、膠粘層和離型膜，其特征在于所述基材膜中添加了質(zhì)量百分比為1% 10%的防靜電母料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的易于撿取的防靜電晶圓切割膜，其特征在于所述防靜電母料為季銨鹽、銨鹽、季銨內(nèi)鹽、烷基咪唑類、烷基氨基酸、多元醇、多元醇酯、脂肪酸醇中的一種或按比例混合的多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的易于撿取的防靜電晶圓切割膜，其特征在于所述基材膜為低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯中的一種或幾種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的易于撿取的防靜電晶圓切割膜，其特征在于所述膠粘層包括(按質(zhì)量份數(shù))多組分溶劑型丙烯酸壓敏股 100份UV單體或UV低聚物20-60份光引發(fā)劑1-7份固化劑1-6份。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的易于撿取的防靜電晶圓切割膜，其特征在于所述多組分溶劑型丙烯酸壓敏膠為雙組份溶劑型丙烯酸壓敏膠或多組分溶劑型丙烯酸壓敏膠，所述多組分溶劑型丙烯酸壓敏膠的溶劑為水溶劑或有機(jī)溶劑的丙烯酸壓敏膠，剝離力為5. ON/in 25. ON/in,固含量 20% 60%。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的易于撿取的防靜電晶圓切割膜，其特征在于所述UV單體或UV低聚物為丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸羥基酯、乙二醇類二丙烯酸酯、丙二醇類二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二縮三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸低聚物、聚氨脂丙烯酸酯低聚物、聚脂丙烯酸酯低聚物、聚醚丙烯酸酯低聚物、純丙烯酸樹脂低聚物中的一種或幾種。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的易于撿取的防靜電晶圓切割膜，其特征在于所述光引發(fā)劑為苯偶姻、苯偶酰衍生物、α-羥基酮衍生物、α-氨基酮衍生物、?；⒀趸?、二苯甲酮及其衍生物、三芳基硫鎗鹽、芳茂鐵鹽中的一種或幾種。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的易于撿取的防靜電晶圓切割膜，其特征在于所述固化劑為有機(jī)過氧化物、多異氰酸酯、金屬氧化物中的一種或幾種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的易于撿取的防靜電晶圓切割膜，其特征在于所述切割膜添加所述防靜電母料后在UV光照射前粘著力大于3. ON/in，在UV光照射后粘著力小于O.5N/in。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的易于撿取的防靜電晶圓切割膜，其特征在于所述離型膜由PET離型膜或離型紙構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體晶圓處理技術(shù)，涉及晶圓的保護(hù)用膜，特別是對靜電需要降低風(fēng)險的切割用膜，包含基材膜，膠粘層和離型膜。在基材膜內(nèi)添加1％～10％的防靜電母料，使基材膜的表面電阻率在108Ω到1013Ω范圍內(nèi)，以降低晶圓切割撿取晶粒時產(chǎn)生的靜電對其損傷的風(fēng)險；膠粘層選取剝離力5.0N/in～25.0N/in，固含量20％～60％的多組分溶劑型丙烯酸壓敏膠，混合一種或多種UV單體或低聚物、一種或多種UV引發(fā)劑、固化劑制成。切割膜在UV光照射后粘著力從大于3.0N/in降低到小于0.5N/in，使用本發(fā)明形成的晶圓切割膜降低甚至消除了靜電影響，易于晶圓切割后晶粒的撿取。
文檔編號B32B27/20GK103009758SQ2012105898
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月31日
發(fā)明者崔慶瓏 申請人:崔慶瓏