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一種變色品膜系結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號(hào):2414578閱讀:319來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種變色品膜系結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型公開了一種基于氮化硅薄膜的高色品的膜系,是一種光電信息技術(shù)領(lǐng) 域。
背景技術(shù)
對(duì)于不同的薄膜材料,其性能也各不相同,薄膜材料性能的差別所表現(xiàn)出來(lái)的顏色品質(zhì)也有差異。薄膜的色調(diào)可以用兩個(gè)反射面所形成的顏色反射差來(lái)描述。所以根據(jù)測(cè)量得到的鍍膜前后的反射率差值就可以判斷薄膜色調(diào)好壞。色調(diào)的對(duì)比表現(xiàn)出色品空間。如果膜系當(dāng)中使用Nb2O5作為高透射率材料,用SiO2作為低折射率保護(hù)膜,Nb2O5薄膜雖然折射率很高,而且在可見(jiàn)光波段和紅外光波段也有很好的透過(guò)率,但是其在短波段的強(qiáng)吸收特性會(huì)使膜系性能受到很大的影響,尤其是短波段色彩品質(zhì)較差。Si3N4是重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料,它是一種表面均勻平整度好的薄膜。屬于六方晶系,
晶體呈六面體,密度一 □ 3.44g/ow5 ,其折射率在2. 0-2. I之間,硬度D約為9. 0-9. 5,是一
種超硬物質(zhì),它本身具有潤(rùn)滑性耐磨損的原子晶體。它抗氧化能力強(qiáng)而且還能抵抗冷熱沖擊,在空氣中加熱到1000°C以上,急劇冷卻后再急劇加熱,也不會(huì)碎裂。它還是一種超硬物質(zhì),不僅具有高折射率,而且不溶于普通的酸堿,并且有很強(qiáng)的抗冷熱沖擊能力,由多晶硅與氮?dú)獾姆磻?yīng)制備而成,是很好的半導(dǎo)體保護(hù)膜。只要控制好薄膜厚度,它在短波段范圍也有很好的透過(guò)率。將Si3N4用于PET柔性膜系中取得了很好的效果。
發(fā)明內(nèi)容為了克服上述缺陷,本實(shí)用新型的目的在于提供一種從短波段到紅外波段都有很好色品的薄膜結(jié)構(gòu)。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種變色品膜系結(jié)構(gòu),它自下而上依次設(shè)置由柔性PET基材、Si3N4薄膜、SiO2薄膜和ITO薄膜所組成的層狀結(jié)構(gòu)。所述的PET基材是一種柔性基材膜片,折射率n=l. 56,膜片厚度0. 025- 0. 30mm。所述的Si3N4薄膜為粘結(jié)層與高折射率層,折射率n=2. 0-2. 1,厚度為10-50nm。所述的SiO2薄膜為低折射率薄膜和抗腐蝕保護(hù)膜,其厚度為50-100nm。本實(shí)用新型的有益效果為從可見(jiàn)光到紅外波段,Si3N4薄膜和Nb2O5薄膜鍍膜前后的反射率差都很小,即有很好的色品,但是在短波段,Nb2O5薄膜的吸收卻很強(qiáng),色品也較差。這是因?yàn)镹b2O5的非均勻性密度導(dǎo)致其有很大的折射率散布,所以在短波段出現(xiàn)強(qiáng)吸收。而Si3N4薄膜,短波段的吸收非常的弱,甚至可以忽略不計(jì)。將測(cè)得的鍍Si3N4薄膜的反射率曲線與鍍有Nb2O5薄膜的反射率曲線進(jìn)行比較。由反射率曲線可以得出結(jié)論,Si3N4薄膜在紫外波段的色品要遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于Nb2O5薄膜。

圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為了詳細(xì)敘述本實(shí)用新型專利的上述特點(diǎn),優(yōu)勢(shì)和工作原理,下面結(jié)合說(shuō)明書附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說(shuō)明,但本實(shí)用新型所保護(hù)的范圍并不局限于此一種變色品膜系結(jié)構(gòu),其特征在于它自下而上依次設(shè)置由柔性PET基材I、Si3N4薄膜2、SiO2薄膜3和ITO薄膜4所組成的層狀結(jié)構(gòu)。所述的PET基材I是一種柔性基材膜片,折射率n=l. 56,膜片厚度0. 025-0. 30mmo所述的Si3N4薄膜2為粘結(jié)層與高折射率層,折射率n=2. 0-2. 1,厚度為10_50nm。所述的SiO2薄膜3為低折射率薄膜和抗腐蝕保護(hù)膜,其厚度為50_100nm。所述的ITO薄膜材料中銦錫配比為97%:3%,方阻在150Q/ □左右,厚度為 10_50nm。本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)膜系的薄膜結(jié)構(gòu)如下首先在PET柔性膜片上濺射一層Si3N4薄膜,因?yàn)镾i3N4薄膜有很強(qiáng)的粘附性,可以增加薄膜與基材的附著力;并且Si3N4屬于高折射率材料,PET屬于低折射率材料,從增透的角度來(lái)考慮這種方法也有很好的效果;接著在Si3N4薄膜上磁控濺射一層SiO2薄膜作為低折射率的保護(hù)層,制作觸摸屏的過(guò)程當(dāng)中,通常在ITO膜上面用酸性液進(jìn)行蝕刻,因此需要不溶于酸堿的保護(hù)層來(lái)保護(hù)膜系結(jié)構(gòu);最后在SiO2薄膜上鍍一層透明導(dǎo)電材料IT0,其折射率遠(yuǎn)高于SiO2薄膜,符合H/L/H高透過(guò)率膜系薄膜折射率高低相交替的原理。
權(quán)利要求1.一種變色品膜系結(jié)構(gòu),其特征在于它自下而上依次設(shè)置由柔性PET基材(l)、Si3N4薄膜(2 )、SiO2薄膜(3 )和ITO薄膜(4)所組成的層狀結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的變色品膜系結(jié)構(gòu),其特征在于所述的PET基材(I)是一種柔性基材膜片,折射率n=l. 56,膜片厚度O. 025- O. 30mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的變色品膜系結(jié)構(gòu),其特征在于所述的Si3N4薄膜(2)為粘結(jié)層與高折射率層,折射率n=2. 0-2. 1,厚度為10-50nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的變色品膜系結(jié)構(gòu),其特征在于所述的SiO2薄膜(3)為低折射率薄膜和抗腐蝕保護(hù)膜,其厚度為50-100nm。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種變色品膜系結(jié)構(gòu),是一種光電信息技術(shù)領(lǐng)域。它自下而上依次設(shè)置由柔性PET基材、Si3N4薄膜、SiO2薄膜和ITO薄膜所組成的層狀結(jié)構(gòu)。將測(cè)得的鍍Si3N4薄膜的反射率曲線與鍍有Nb2O5薄膜的反射率曲線進(jìn)行比較。由反射率曲線可以得出結(jié)論,Si3N4薄膜在紫外波段的色品要遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于Nb2O5薄膜。
文檔編號(hào)B32B27/40GK202421524SQ201220021700
公開日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月18日
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