專利名稱：3650納米長(zhǎng)波通紅外濾光片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種紅外濾光片，特別是3650納米長(zhǎng)波通紅外濾光片。
背景技術(shù)：
紅外濾光片過濾、截止可見光同時(shí)允許通過紅外線。紅外線的波長(zhǎng)很容易地穿透任何的物體，也就是紅外線在經(jīng)過物體時(shí)不會(huì)發(fā)生折射。利用紅外線的這個(gè)特性，只讓長(zhǎng)波長(zhǎng)的紅外線通過，濾除短波長(zhǎng)的紫外線和可見光。應(yīng)用于很多領(lǐng)域，目前對(duì)于物體溫度的感應(yīng)和測(cè)量過程中，選擇合適的波長(zhǎng)范圍至關(guān)重要。而現(xiàn)有長(zhǎng)波通紅外濾光片在使用過程中存在著測(cè)溫不穩(wěn)定、精確度不高等特點(diǎn)，特別是透過率和截止區(qū)的信噪比不高，不能滿足高精度的測(cè)量要求。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了解決上述技術(shù)存在的不足而提供一種信噪比高、穩(wěn)定性好、有效提高物體溫度測(cè)量分辨能力和檢測(cè)精度使用要求的3650納米長(zhǎng)波通紅外濾光片。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的3650納米長(zhǎng)波通紅外濾光片，包括以Si 為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間，其特征是所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有M6nm厚度的SiO層、148nm厚度的Ge層、198nm厚度的SiO層、182nm厚度的Ge層、350nm厚度的 SiO層、141nm厚度的Ge層、413nm厚度的SiO層、158nm厚度的Ge層、351nm厚度的SiO層、 169nm厚度的Ge層、40Inm厚度的SiO層、144nm厚度的Ge層、386nm厚度的SiO層、177nm 厚度的Ge層、360nm厚度的SiO層、140nm厚度的Ge層、436nm厚度的SiO層、174nm厚度的Ge層和769nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有250nm厚度的 SiO層、89nm厚度的Ge層、140nm厚度的SiO層、142nm厚度的Ge層、165nm厚度的SiO層、 107nm厚度的Ge層、272nm厚度的SiO層、80nm厚度的Ge層、299nm厚度的SiO層、77nm厚度的Ge層、191nm厚度的SiO層、209nm厚度的Ge層、117nm厚度的SiO層、184nm厚度的Ge 層和685nm厚度的SiO層。上述各材料對(duì)應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在IOnm左右。本實(shí)用新型得到的3650納米長(zhǎng)波通紅外濾光片，通過上述的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定性好，且能適用于物體的溫度感應(yīng)和測(cè)量，該濾光片得到半高點(diǎn)波長(zhǎng)定位3650士 1 %納米，能實(shí)現(xiàn)截止區(qū)透過率小于0. 1%，透過區(qū)的透過率可大于90%，大大提高了信噪比，在用于物體溫度的測(cè)量和感應(yīng)時(shí)，能有效的提高分辨能力和檢測(cè)精度，更好的滿足實(shí)際中的使用要求。

圖1是實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)示意圖；[0008]圖2是紅外光譜實(shí)測(cè)曲線圖。圖中第一鍍膜層1、基板2、第二鍍膜層3。
具體實(shí)施方式
下面通過實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。實(shí)施例如圖1所示，本實(shí)施例提供的3650納米長(zhǎng)波通紅外濾光片，包括以Si為原材料的基板2，以Ge、SiO為第一鍍膜層1和以Ge、SiO為第二鍍膜層3，且所述基板2設(shè)于第一鍍膜層1與第二鍍膜層3之間，其特征是所述第一鍍膜層1由內(nèi)向外依次排列包含有246nm 厚度的SiO層、148nm厚度的Ge層、198nm厚度的SiO層、182nm厚度的Ge層、350nm厚度的 SiO層、141nm厚度的Ge層、413nm厚度的SiO層、158nm厚度的Ge層、351nm厚度的SiO層、 169nm厚度的Ge層、40Inm厚度的SiO層、144nm厚度的Ge層、386nm厚度的SiO層、177nm 厚度的Ge層、360nm厚度的SiO層、140nm厚度的Ge層、436nm厚度的SiO層、174nm厚度的Ge層和769nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有250nm厚度的 SiO層、89nm厚度的Ge層、140nm厚度的SiO層、142nm厚度的Ge層、165nm厚度的SiO層、 107nm厚度的Ge層、272nm厚度的SiO層、80nm厚度的Ge層、299nm厚度的SiO層、77nm厚度的Ge層、191nm厚度的SiO層、209nm厚度的Ge層、117nm厚度的SiO層、184nm厚度的Ge 層和685nm厚度的SiO層。本實(shí)施例提供的3650納米長(zhǎng)波通紅外濾光片，其實(shí)測(cè)曲線如圖2所示，能實(shí)現(xiàn)截止區(qū)透過率小于0. 1%，透過區(qū)的透過率可大于90%。
權(quán)利要求1. 一種3650納米長(zhǎng)波通紅外濾光片，包括以Si為原材料的基板( ，以Ge、SiO為第一鍍膜層(1)和以Ge、SiO為第二鍍膜層(3)，且所述基板( 設(shè)于第一鍍膜層(1)與第二鍍膜層C3)之間，其特征是所述第一鍍膜層(1)由內(nèi)向外依次排列包含有M6nm厚度的SiO 層、148nm厚度的Ge層、198nm厚度的SiO層、182nm厚度的Ge層、350nm厚度的SiO層、141nm 厚度的Ge層、413nm厚度的SiO層、158nm厚度的Ge層、351nm厚度的SiO層、169nm厚度的 Ge層、40Inm厚度的SiO層、144nm厚度的Ge層、386nm厚度的SiO層、177nm厚度的Ge層、 360nm厚度的SiO層、140nm厚度的Ge層、436nm厚度的SiO層、174nm厚度的Ge層和769nm 厚度的SiO層；所述第二鍍膜層(3)由內(nèi)向外依次排列包含有250nm厚度的SiO層、89nm厚度的Ge層、140nm厚度的SiO層、142nm厚度的Ge層、165nm厚度的SiO層、107nm厚度的Ge 層、272nm厚度的SiO層、80nm厚度的Ge層、299nm厚度的SiO層、77nm厚度的Ge層、19Inm 厚度的SiO層、209nm厚度的Ge層、117nm厚度的SiO層、184nm厚度的Ge層和685nm厚度的SiO層。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種3650納米長(zhǎng)波通紅外濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間，其特征是第一鍍膜層和第二鍍膜層均勻由不同厚度的Ge和SiO交互排列而成。本實(shí)用新型得到的3650納米長(zhǎng)波通紅外濾光片，通過上述的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定性好，且能適用于物體的溫度感應(yīng)和測(cè)量，該濾光片得到半高點(diǎn)波長(zhǎng)定位3650±1％納米，能實(shí)現(xiàn)截止區(qū)透過率小于0.1％，透過區(qū)的透過率可大于90％，用于物體溫度的測(cè)量和感應(yīng)時(shí)，能有效的提高分辨能力和檢測(cè)精度，更好的滿足實(shí)際中的使用要求。
文檔編號(hào)B32B9/04GK202275173SQ201220090978
公開日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2012年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月12日
發(fā)明者呂晶 申請(qǐng)人:杭州麥樂克電子科技有限公司