專利名稱：4640納米帶通紅外濾光片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及ー種濾光片，特別是4640納米帶通紅外濾光片。
背景技術(shù)：
在自然界，任何物體在絕對零度(-273度)以上，都有紅外譜線發(fā)出，而每種物質(zhì)都有其特殊的發(fā)射或吸收特征峰。帶通紅外濾光片過濾、截止可見光同時允許特定的紅外線通過。利用帶通紅外濾光片的這種允許物體的特征紅外譜線透過的特性，可以探測出特定物質(zhì)的存在，廣泛應(yīng)用于安防、環(huán)保、エ業(yè)、科研等。帶通紅外濾光片的質(zhì)量直接影響探測的精度和靈敏度。不同氣體的吸收光譜在某一些范圍彼此有重疊，因而除目標(biāo)外的其它氣體也會吸收測量波長范圍內(nèi)的光能，以致造成了測量誤差，如煙道氣中的氣體成分復(fù)雜，對于要測試的ー氧化碳的測量，其它氣體對它測量的結(jié)果影響很大，ー氧化碳能對特定波長的紅外輻射有吸水性，其濃度與紅外發(fā)射呈非線性減弱的原理，故需ー個特定波長的帶通 紅外濾光片，減少誤差。但是，就目前用于測量一氧化碳的4640納米帶通紅外濾光片，其信噪比低，精度差，不能滿足市場發(fā)展的需要。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種峰值透過率高，能極大的提高信噪比的4640納米帶通紅外濾光片。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型所設(shè)計的4640納米帶通紅外濾光片，包括以Si為原材料的基板、以Ge、SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層和以Ge、SiO為鍍膜材料的第二鍍膜層，基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是第一鍍膜層包含由內(nèi)到外依次排列185nm厚度的SiO層、168nm厚度的Ge層、206nm厚度的SiO層、Illnm厚度的Ge層、286nm厚度的SiO層、89nm厚度的Ge層、346nm厚度的SiO層、12Inm厚度的Ge層、232nm厚度的SiO層、IOOnm厚度的Ge層、308nm厚度的SiO層、190nm厚度的Ge層、419nm厚度的SiO層、125nm厚度的Ge層、480nm厚度的SiO層、261nm厚度的Ge層、260nm厚度的SiO層、164nm厚度的Ge層、567nm厚度的SiO層、152nm厚度的Ge層、227nm厚度的SiO層、241nm厚度的Ge層、566nm厚度的SiO層、52nm厚度的Ge層、396nm厚度的SiO層、38Inm厚度的Ge層、1185nm厚度的SiO層、366nm厚度的Ge層、1043nm厚度的SiO層、428nm厚度的Ge層、947nm厚度的SiO層、445nm厚度的Ge層、497nm厚度的SiO層；第二鍍膜層包含由內(nèi)到外依次排列的122nm厚度的SiO層、285nm厚度的Ge層、659nm厚度的SiO層、285nm厚度的Ge層、1318nm厚度的SiO層、285nm厚度的Ge層、659nm厚度的SiO層、285nm厚度的Ge層、659nm厚度的SiO層、285nm厚度的Ge層、1318nm厚度的SiO層、288nm厚度的Ge層、199nm厚度的SiO層、516nm厚度的Ge層、1355nm厚度的SiO層。上述各材料對應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在IOnm左右。[0007]本實用新型得到的4640納米帶通紅外濾光片，能實現(xiàn)中心波長定位為4640±1%納米，峰值透過率達(dá)90%以上，截止區(qū)透過率小于0. I %，大大提高了信噪比，為精確測量所需測量的氣體提供了基本保證，特別是可對一氧化碳準(zhǔn)確的測量。
圖I是實施例整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。圖中第一鍍膜層I、基板2、第二鍍膜層3。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進(jìn)ー步說明。 實施例如圖I所示，本實用新型提供的4640納米帶通紅外濾光片，包括以Si為原材料的基板2、以Ge、SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層I和以Ge、SiO為鍍膜材料的第二鍍膜層3，基板2位于第一鍍膜層I和第二鍍膜層3之間，第一鍍膜層I包含由內(nèi)到外依次排列185nm厚度的SiO層、168nm厚度的Ge層、206nm厚度的SiO層、Illnm厚度的Ge層、286nm厚度的SiO層、89nm厚度的Ge層、346nm厚度的SiO層、12Inm厚度的Ge層、232nm厚度的SiO層、IOOnm厚度的Ge層、308nm厚度的SiO層、190nm厚度的Ge層、419nm厚度的SiO層、125nm厚度的Ge層、480nm厚度的SiO層、26Inm厚度的Ge層、260nm厚度的SiO層、164nm厚度的Ge層、567nm厚度的SiO層、152nm厚度的Ge層、227nm厚度的SiO層、241nm厚度的Ge層、566nm厚度的SiO層、52nm厚度的Ge層、396nm厚度的SiO層、38Inm厚度的Ge層、1185nm厚度的SiO層、366nm厚度的Ge層、1043nm厚度的SiO層、428nm厚度的Ge層、947nm厚度的SiO層、445nm厚度的Ge層、497nm厚度的SiO層；第二鍍膜層3包含由內(nèi)到外依次排列的122nm厚度的SiO層、285nm厚度的Ge層、659nm厚度的SiO層、285nm厚度的Ge層、1318nm厚度的SiO層、285nm厚度的Ge層、659nm厚度的SiO層、285nm厚度的Ge層、659nm厚度的SiO層、285nm厚度的Ge層、1318nm厚度的SiO層、288nm厚度的Ge層、199nm厚度的SiO層、516nm厚度的Ge層、1355nm厚度的SiO層。上述得到的4640納米帶通紅外濾光片，對此進(jìn)行了實測，在波長4640nm時可對一氧化碳進(jìn)行準(zhǔn)確的測量，如圖2所示，本實施例得到的4640納米帶通紅外濾光片，能實現(xiàn)中心波長定位為4640 土 I %納米，峰值透過率達(dá)90 %以上，截止區(qū)透過率小于0. I %。
權(quán)利要求1. 一種4640納米帶通紅外濾光片，包括以Si為原材料的基板(2)、以Ge、SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層(I)和以Ge、SiO為鍍膜材料的第二鍍膜層(3),基板(2)位于第一鍍膜層(I)和第二鍍膜層(3)之間，其特征是第一鍍膜層(I)包含由內(nèi)到外依次排列185nm厚度的SiO層、168nm厚度的Ge層、206nm厚度的SiO層、Illnm厚度的Ge層、286nm厚度的SiO層、89nm厚度的Ge層、346nm厚度的SiO層、12Inm厚度的Ge層、232nm厚度的SiO層、IOOnm厚度的Ge層、308nm厚度的SiO層、190nm厚度的Ge層、419nm厚度的SiO層、125nm厚度的Ge層、480nm厚度的SiO層、26Inm厚度的Ge層、260nm厚度的SiO層、164nm厚度的Ge層、567nm厚度的SiO層、152nm厚度的Ge層、227nm厚度的SiO層、241nm厚度的Ge層、566nm厚度的SiO層、52nm厚度的Ge層、396nm厚度的SiO層、381nm厚度的Ge層、1185nm厚度的SiO層、366nm厚度的Ge層、1043nm厚度的SiO層、428nm厚度的Ge層、947nm厚度的SiO層、445nm厚度的Ge層、497nm厚度的SiO層；第二鍍膜層(3)包含由內(nèi)到外依次排列的122nm厚度的SiO層、285nm厚度的Ge層、659nm厚度的SiO層、285nm厚度的Ge層、1318nm厚度的SiO層、285nm厚度的Ge層、659nm厚度的SiO層、285nm厚度的Ge層、659nm厚度的SiO層、285nm厚度的Ge層、1318nm厚度的SiO層、288nm厚度的Ge層、199nm厚度的SiO層、516nm厚度的Ge層、1355nm厚度的SiO層。
專利摘要本實用新型公開了一種4640納米帶通紅外濾光片，包括以Si為原材料的基板、以Ge、SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層和以Ge、SiO為鍍膜材料的第二鍍膜層，基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，主要是第一鍍膜層包含了由內(nèi)到外依次排列不同厚度的鍍膜材料SiO層和Ge層，第二鍍膜層包含了有內(nèi)到外依次排列不同厚度的鍍膜材料SiO層和Ge層，本實用新型得到的4640納米帶通紅外濾光片，能實現(xiàn)中心波長定位為4640±1％納米，峰值透過率達(dá)90％以上，截止區(qū)透過率小于0.1％，大大提高了信噪比，為精確測量所需測量的氣體提供了基本保證，特別是可對一氧化碳準(zhǔn)確的測量。
文檔編號B32B9/04GK202472020SQ20122009099
公開日2012年10月3日 申請日期2012年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月12日
發(fā)明者呂晶 申請人:杭州麥樂克電子科技有限公司