專利名稱：一種半透明超潔凈防靜電屏蔽膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及防靜電技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半透明超潔凈防靜電屏蔽膜。
背景技術(shù)：
超潔凈防靜電屏蔽膜廣泛應(yīng)用于電子半導(dǎo)體行業(yè)、國(guó)防工業(yè)、記錄磁盤(pán)行業(yè)、纖維光學(xué)器件制造業(yè)、電信無(wú)線電通訊業(yè)、醫(yī)藥業(yè)、汽車制造業(yè)等涉及敏感電子元器件加工、包裝和封裝等領(lǐng)域，用于保護(hù)敏感電子元件內(nèi)部和表面不受微顆粒、濕氣、靜電釋放和電磁干擾等傷害。目前市場(chǎng)上通用的防靜電屏蔽膜，在微顆?？刂埔约半x子含量控制方面技術(shù)水平較低或者不作為控制項(xiàng)目，無(wú)法滿足某些行業(yè)中超潔凈的要求?！ぐl(fā)明內(nèi)容針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型的目的是提供一種半透明超潔凈防靜電屏蔽膜，它具有超高的潔凈度，陰離子含量極低，可以有效防止陰離子與水分子結(jié)合而產(chǎn)生的具有強(qiáng)烈腐蝕作用的酸性物質(zhì)，能最大限度的保護(hù)電子器件的安全。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是一種半透明超潔凈防靜電屏蔽膜，包括順序排列的外表面靜電耗散層、聚酯層、金屬招層與內(nèi)表面靜電耗散層。進(jìn)一步地，所述外表面靜電耗散層與內(nèi)表面靜電耗散層為具有靜電耗散性能的特殊聚乙烯層(PE)。進(jìn)一步地，所述外表面靜電耗散層與內(nèi)表面靜電耗散層的電阻小于1X1011歐姆，金屬招層表面電阻小于100歐姆,靜電屏蔽小于50V。進(jìn)一步地，材料厚度為O. 075mm,拉伸強(qiáng)度大于15N (TD&MD)，撕裂強(qiáng)度大于8N(TD&MD)，穿刺強(qiáng)度大于5N。所述外表面靜電耗散層與內(nèi)表面靜電耗散層主要作用是阻止屏蔽膜內(nèi)外表面靜電的產(chǎn)生，提供釋放外部電荷的途徑，同時(shí)也能提供薄膜的熱封面以及物理性能。所述聚酯層(PET)提供材料的物理性能，所述金屬鋁(AL)提供法拉第籠原理的靜電屏蔽保護(hù)。本實(shí)用新型的各項(xiàng)性能符合ANSI/ESD S541，MIL-1686A，MIL-PRF_81705Rev D,Type III，GB-13022-91的相關(guān)要求。通過(guò)特定的抗靜電配方，使屏蔽膜潔凈度能夠滿足記錄磁盤(pán)行業(yè)的高標(biāo)準(zhǔn)要求，而且不含氨基化合物、硅油和酸二辛酯(DOP)，IC陰離子含量極低，氟離子(F_)小于O. 001 μ g/cm2，氯離子(CF)小于O. 001 μ g/cm2，亞硝酸根離子(NO2O小于 O. 001 μ g/cm2,溴離子(Br-)小于 O. 001 μ g/cm2，硝酸根離子(NO3O 小于 O. 009 μ g/cm2,磷酸根離子(P0/_)小于O. 001 μ g/cm2，硫酸根離子(S042_)小于O. 001 μ g/cm2,總的陰離子含量小于O. 012 μ g/cm2。與市場(chǎng)上普通的防靜電屏蔽膜相比，本實(shí)用新型的陰離子含量?jī)H僅為幾十分之一，氟離子、氯離子、亞硝酸根離子、溴離子、磷酸根離子、硫酸根離子僅為十分之一，硝酸根離子僅是十四分之一，總的離子含量?jī)H為十一分之一。同時(shí)，本實(shí)用新型也符合 FTIR、RoHS, REACH、Halogen Free、PFOS, PFOA 和 PVC 等有害物質(zhì)的限量要求。本實(shí)用新型具有超高的潔凈度，陰離子含量極低，可以有效防止陰離子與水分子結(jié)合而產(chǎn)生的具有強(qiáng)烈腐蝕作用的酸性物質(zhì)，最大限度的保護(hù)電子器件的安全。所具有的物理性能和防靜電性能，可以按包裝物的要求制作成各種形狀及尺寸，并且能夠達(dá)到抽真空包裝的要求。半透明性能可以查看包裝內(nèi)部電子器件的外觀狀況，并且通過(guò)濕度指示卡觀察包裝袋內(nèi)的濕度變化情況。本實(shí)用新型適用于環(huán)境有無(wú)塵要求的生產(chǎn)、包裝和測(cè)試等場(chǎng)合，符合磁頭、硬盤(pán)等對(duì)潔凈度有苛刻要求的高科技行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
以下結(jié)合附圖
和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。圖I是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中1、外表面靜電耗散層；2、聚酯層；3、金屬鋁層；4、內(nèi)表面靜電耗散層。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述，本部分的描述僅是示范性和解釋性的，不應(yīng)對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍有任何的限制作用。實(shí)施例，見(jiàn)圖I所示本實(shí)用新型是一種半透明超潔凈防靜電屏蔽膜，包括順序排列的外表面靜電耗散層I、聚酯層2、金屬鋁層3與內(nèi)表面靜電耗散層4。所述外表面靜電耗散層I與內(nèi)表面靜電耗散層4為具有靜電耗散性能的特殊聚乙烯層(PE)。首先采用常規(guī)流延法將聚酯拉伸至所需厚度的薄膜聚酯層2 ;再利用真空鍍鋁技術(shù)在聚酯層2內(nèi)表面鍍上金屬鋁層3，制成鍍鋁聚酯，其金屬鋁層3的厚度為150埃左右；然后采用多層共擠將鍍鋁聚酯和添加有機(jī)高分子導(dǎo)電化合物的特殊聚乙烯等樹(shù)脂熱熔共擠復(fù)合。本實(shí)用新型加工過(guò)程不采用傳統(tǒng)的干式復(fù)合生產(chǎn)工序，而是先由鍍鋁聚酯制成支撐層，支撐層的兩個(gè)表面再與具有防靜電的和具有粘合功能的特殊聚乙烯等樹(shù)脂熱熔共擠復(fù)合，減少了中間環(huán)節(jié)，無(wú)需熟化工藝和涂布工藝，提高了生產(chǎn)效率，同時(shí)，不需要膠水和防靜電劑，從而在加工過(guò)程不會(huì)導(dǎo)致有害化學(xué)成分的揮發(fā)，使生產(chǎn)過(guò)程更符合節(jié)能與減少污染物排放的環(huán)保要求，有利于生態(tài)環(huán)境的可持續(xù)發(fā)展。以上所述僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式，故凡依本實(shí)用新型專利申請(qǐng)范圍所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，均包括于本實(shí)用新型專利申請(qǐng)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.ー種半透明超潔凈防靜電屏蔽膜，其特征在于包括順序排列的外表面靜電耗散層(I)、聚酯層(2)、金屬鋁層(3)與內(nèi)表面靜電耗散層(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種半透明超潔凈防靜電屏蔽膜，其特征在于所述外表面靜電耗散層(I)與內(nèi)表面靜電耗散層(4)為具有靜電耗散性能的特殊聚こ烯層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種半透明超潔凈防靜電屏蔽膜，其特征在于所述外表面靜電耗散層(I)與內(nèi)表面靜電耗散層(4)的電阻小于IX IO11歐姆；所述金屬鋁層(3)表面電阻小于100歐姆，靜電屏蔽小于50V。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種半透明超潔凈防靜電屏蔽膜，其特征在于厚度為O.075mm,拉伸強(qiáng)度大于15N,撕裂強(qiáng)度大于8N,穿刺強(qiáng)度大于5N。
專利摘要本實(shí)用新型涉及防靜電技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半透明超潔凈防靜電屏蔽膜，包括順序排列的外表面靜電耗散層、聚酯層、金屬鋁層與內(nèi)表面靜電耗散層，所述外表面靜電耗散層與內(nèi)表面靜電耗散層為具有靜電耗散性能的特殊聚乙烯層。本實(shí)用新型半透明超潔凈防靜電屏蔽膜，具有超高的潔凈度，陰離子含量極低，可以有效防止陰離子與水分子結(jié)合而產(chǎn)生的具有強(qiáng)烈腐蝕作用的酸性物質(zhì)，能最大限度的保護(hù)電子器件的安全。
文檔編號(hào)B32B27/32GK202640916SQ20122018060
公開(kāi)日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月25日
發(fā)明者郭先正 申請(qǐng)人:衛(wèi)利凈化產(chǎn)品(上海)有限公司