專利名稱：一種電容式觸摸屏用ito玻璃的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于觸摸屏技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電容式觸摸屏用ITO玻璃。
背景技術(shù)：
電容式觸摸屏用ITO玻璃是一種透明導(dǎo)電玻璃，在鈉鈣型或硅硼型玻璃上，通過磁控濺射的方法鍍上一層氧化銦錫膜(ΙΤ0)。當(dāng)電容式觸摸屏用于手機、GPS終端設(shè)備時，為了阻止鈉鈣型玻璃上的鈉離子向液晶顯示器盒內(nèi)液晶擴散，還會在鍍ITO膜之前，鍍上一層二氧化硅(SiO2)阻擋層。通常，電容式觸摸屏使用單面ITO鍍膜玻璃，經(jīng)刻蝕后形成圖案，但是單面ITO玻璃的反射率較高，存在ITO圖案底影現(xiàn)象，嚴(yán)重影響觸摸屏的外觀及產(chǎn)品性能。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種能消除ITO圖案底影，改善觸摸屏顯示清晰度和顯示效果的電容式觸摸屏用ITO玻璃。本實用新型是這樣實現(xiàn)的:一種電容觸摸屏用ITO玻璃，包括玻璃基片和在所述玻璃基片的表面上依次層疊結(jié)合有二氧化硅膜層和氧化銦錫膜層，還包括層疊結(jié)合在所述玻璃基片與二氧化硅膜層之間的五氧化二鈮膜層。優(yōu)選地，所述五氧化二鈮膜的厚度為50、100 A.[0007]優(yōu)選地，所述二氧化硅膜的厚度為150 400 A,優(yōu)選地，所述 氧化銦錫膜的厚度為200 500 A,,本實用新型提供的電容觸摸屏用ITO玻璃通過在玻璃基片和二氧化硅膜層之間增加一層五氧化二鈮(Nb2O5)作為減反層，依據(jù)多層膜的光學(xué)干涉作用，使反射率減小，提高透過率，從而消除ITO圖案底影，提高該電容式觸摸屏用ITO玻璃的顯示清晰度和顯示效果O

圖1是本實用新型實施例提供的電容觸摸屏用ITO玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。本實用新型實施例提供一種能消除ITO圖案底影，改善觸摸屏顯示清晰度和顯示效果的電容式觸摸屏用ITO玻璃。該電容式觸摸屏用ITO玻璃的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其包括依次層疊結(jié)合的玻璃基片1、五氧化二鈮膜層4、二氧化硅膜層2和氧化銦錫膜層3。這樣，該電容觸摸屏用ITO玻璃通過在玻璃基片I和二氧化硅膜層2之間增加了作為減反層的五氧化二鈮(Nb2O5)膜層4，依據(jù)多層膜的光學(xué)干涉作用，使反射率減小，提高透過率，從而消除ITO圖案底影，提高觸摸屏的顯示清晰度和顯示效果。作為本實用新型優(yōu)選實施例，圖1所示的上述五氧化二鈮膜層4的厚度為50 100 A,二氧化硅膜層2的厚度為150 400 A，氧化銦錫膜層3的厚度為200 500 A,在該實施例中，通過調(diào)整各膜層的厚度，使得各層之間的光學(xué)干涉作用發(fā)揮至最佳，進(jìn)一步降低其對光線的反射現(xiàn)象，提高光的透過率，達(dá)到消除ITO圖案底影的效果更好，使得觸摸屏的顯示清晰度和顯示效果更好。另外，上述五氧化二鈮膜層4、二氧化硅膜層2和氧化銦錫膜層3可以在上述玻璃基片I的任一表面上依次層疊結(jié)合，也可以分別在上述玻璃基片I的兩個表面上依次層疊結(jié)合，形成雙面消影ITO玻璃。作為具體實施例，上述電容觸摸屏用ITO玻璃的制備方法如下，主要步驟為:(I)將玻璃基片進(jìn)行平板清洗、吹干；(2)將玻璃上架裝片；(3)采用真空磁控濺射依 次鍍五氧化二鈮膜層4、二氧化硅膜層2和氧化銦錫膜層3，得到該電容式觸摸屏用ITO玻璃。具體地，上述步驟(I)中對玻璃基片進(jìn)行平板清洗的方法按照現(xiàn)有的常規(guī)方法進(jìn)行即可。上述步驟(3)真空磁控濺射所用的設(shè)備可以是立式全自動連續(xù)磁控濺射鍍膜機，其各項參數(shù)設(shè)置如下:鍍膜溫度180°C ^280°C ;鍍膜室傳動節(jié)拍120秒；使用I個Nb2O5靶鍍Nb2O5膜層4，使用3個SiO2靶鍍SiO2膜層2，使用2個ITO靶鍍ITO膜層3，其中Nb2O5濺射功率為4.5kff 9kW，SiO2濺射功率為IOkW 50kW，ITO濺射功率為IOkW 50kW ；02流量 100 130Sccm, Ar 流量 200 220Sccm，真空度 1.0XKT1Pa 4.5 X KT1Pa,總氣壓
0.40 0.45Pa。以下通過具體實施例進(jìn)一步說明本實用新型。實施例1:一種電容觸摸屏用ITO玻璃，包括半鋼化玻璃基片，在該半鋼化玻璃基片的一表面依次層疊結(jié)合有五氧化二鈮(Nb2O5)膜層、二氧化硅(SiO2)膜層和氧化銦錫(ITO)膜層。其中，該Nb2O5膜厚為50 A, SiO2膜厚為300A，ITO膜厚為250 A0該電容觸摸屏用ITO玻璃制備方法如下:首先，將半鋼化玻璃基片進(jìn)行平板清洗、吹干；然后，將半鋼化玻璃上架裝片；設(shè)置鍍膜機參數(shù)，在半鋼化玻璃的一表面上依次鍍五氧化二鈮膜層、二氧化硅膜層和氧化銦錫膜層。其中，鍍各膜層采用立式全自動連續(xù)磁控濺射鍍膜機，半鋼化玻璃基片加熱溫度2800C ;鍍膜室傳動節(jié)拍120秒；使用I個Nb2O5靶鍍Nb2O5膜，使用3個SiO2靶鍍SiO2膜，使用2個ITO靶鍍ITO膜，其中鍍Nb2O5濺射功率5kW，鍍SiO2濺射功率15kW，鍍ITO濺射功率 20kff ；02 流量 IOOSccm, Ar 流量 200Sccm，真空度 2 X KT1Pa,總氣壓 0.4Pa。在上述制備的單面電容觸摸屏用ITO玻璃中，在玻璃基片上依次鍍有Nb2O5膜層和SiO2膜層時的透過率為90.5%(波長為550nm時測定，以下所述透過率均為在此波長條件下測定)；在玻璃基片上單獨鍍有ITO膜層時的透過率為89.0%，ITO膜層面電阻為80 Ω / □;上述制備的單面電容觸摸屏用ITO玻璃的透過率為91%。人眼不能顯著看到玻璃上ITO圖案，即基本消除了 ITO圖案底影。實施例2:一種電容觸摸屏用ITO玻璃，包括半鋼化玻璃基片，在該半鋼化玻璃基片的一表面依次層疊結(jié)合有五氧化二鈮(Nb2O5)膜層、二氧化硅(SiO2)膜層和氧化銦錫(ITO)膜層。其中，該Nb2O5膜厚為55 A，SiO2膜厚為250A，ITO膜厚為300 A.[0030]該電容觸摸屏用ITO玻璃制備方法如下:首先，將半鋼化玻璃基片進(jìn)行平板清洗、吹干；然后，將半鋼化玻璃上架裝片；設(shè)置鍍膜機參數(shù)，在半鋼化玻璃的一表面上依次鍍五氧化二鈮膜層、二氧化硅膜層和氧化銦錫膜層。其中，鍍各膜層采用立式全自動連續(xù)磁控濺射鍍膜機，半鋼化玻璃基片加熱溫度2800C ;鍍膜室傳動節(jié)拍120秒；使用I個Nb2O5靶鍍Nb2O5膜，使用3個SiO2靶鍍SiO2膜，使用2個ITO靶鍍ITO膜，其中鍍Nb2O5濺射功率5kW，鍍SiO2濺射功率10kW，鍍ITO濺射功率 22kff ；02 流量 IlOSccm, Ar 流量 200Sccm，真空度 2 X KT1Pa,總氣壓 0.4Pa。在上述制備的單面電容觸摸屏用ITO玻璃中，在玻璃基片上依次鍍有Nb2O5膜層和SiO2膜層時的透過率為90.1% ;在玻璃基片上單獨鍍有ITO膜層時的透過率為89.0%，ITO膜層面電阻為60Ω/口 ；上述制備的單面電容觸摸屏用ITO玻璃的透過率為90.5%。人眼不能顯著看到玻璃上ITO圖案，即基本消除了 ITO圖案底影。實施例3:一種電容觸摸屏用ITO玻璃，包括半鋼化玻璃基片，在該半鋼化玻璃基片的一表面依次層疊結(jié)合有五氧化二鈮(Nb2O5)膜層、二氧化硅(SiO2)膜層和氧化銦錫(ITO)膜層。其中，該Nb2O5膜厚為60A, SiO2膜厚為300A, ITO膜厚為400 A.[0036]該電容觸摸屏用ITO玻璃制備方法如下:首先，將半鋼化玻璃基片進(jìn)行平板清洗、吹干；然后，將半鋼化玻璃上架裝片；設(shè)置鍍膜機參數(shù)，在半鋼化玻璃的一表面上依次鍍五氧化二鈮膜層、二氧化硅膜層和氧化銦錫膜層。其中，鍍各膜層采用立式全自動連續(xù)磁控濺射鍍膜機，半鋼化玻璃基片加熱溫度2800C ;鍍膜室傳動節(jié)拍120秒；使用I個Nb2O5靶鍍Nb2O5膜，使用3個SiO2靶鍍SiO2膜，使用2個ITO靶鍍ITO膜，其中鍍Nb2O5濺射功率6kW，鍍SiO2濺射功率12kW，鍍ITO濺射功率 25kff ；02 流量 120Sccm, Ar 流量 200Sccm，真空度 2 X KT1Pa,總氣壓 0.4Pa。在上述制備的單面電容觸摸屏用ITO玻璃中，在玻璃基片上依次鍍有Nb2O5膜層和SiO2膜層時的透過率為90.3% ;在玻璃基片上單獨鍍有ITO膜層時的透過率為88.0%，ITO膜層面電阻為50Ω/口 ；上述制備的單面電容觸摸屏用ITO玻璃的透過率為90.5%。人眼不能顯著看到玻璃上ITO圖案，即基本消除了 ITO圖案底影。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換或改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電容觸摸屏用ITO玻璃，包括玻璃基片和在所述玻璃基片的表面上依次層疊結(jié)合有二氧化硅膜層和氧化銦錫膜層，其特征在于:還包括層疊結(jié)合在所述玻璃基片與二氧化硅膜層之間的五氧化二鈮膜層。
2.如權(quán)利要求1所述的電容觸摸屏用ITO玻璃，其特征在于:所述五氧化二鈮膜層的厚度為50 100 A。
3.如權(quán)利要求1所述的電容觸摸屏用ITO玻璃，其特征在于:所述二氧化硅膜層的厚度為150 400 A0
4.如權(quán)利要求1所述的電容觸摸屏用ITO玻璃，其特征在于:所述氧化銦錫膜層的厚度為200 500 A.
專利摘要本實用新型公開了一種電容觸摸屏用ITO玻璃，其依次層疊結(jié)合的玻璃基片、五氧化二鈮膜層、二氧化硅膜層和氧化銦錫膜層。該電容觸摸屏用ITO玻璃因增加一層五氧化二鈮(Nb2O5)作為減反層，依據(jù)多層膜的光學(xué)干涉作用，使反射率減小，提高透過率，從而消除ITO圖案底影，提高觸摸屏的顯示清晰度。
文檔編號B32B17/06GK203032032SQ20122068869
公開日2013年7月3日 申請日期2012年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月13日
發(fā)明者樊斌杰, 許東東, 楊春云, 李俊杰, 陳凱, 黃海東 申請人:深圳力合光電傳感股份有限公司