層疊體的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種層疊體的制造方法，其通過對層疊體塊的側(cè)邊緣部進(jìn)行倒角加工而得到層疊體，所述層疊體塊具有基板和加強(qiáng)板，該加強(qiáng)板具有樹脂層和支承板，該制造方法具備用圓板狀或圓筒狀的旋轉(zhuǎn)的磨石磨削前述層疊體塊的側(cè)邊緣部的磨削工序，該磨削工序中，前述磨石的磨削面傾斜地抵接于前述樹脂層與前述基板的界面、以及前述樹脂層與前述支承板的界面。
【專利說明】層疊體的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及層疊體的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]對液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示器(PDP)、有機(jī)EL顯示器(OLED)等的顯示面板、太陽能電池、薄膜2次電池等電子器件而言，迫切需要薄型化、輕量化，用于這些電子器件的基板的薄板化正在推進(jìn)。由于薄板化而基板的剛性變低時，基板的操作性變差。而且，由于薄板化而基板的厚度改變時，難以使用現(xiàn)有的設(shè)備來制作電子器件。
[0003]因此，提出了如下方法:在基板上貼附加強(qiáng)板而制成層疊體塊，在層疊體塊的基板上形成規(guī)定的功能層(例如導(dǎo)電層)，然后，從層疊體塊的基板上剝離加強(qiáng)板(例如參照專利文獻(xiàn)I)。根據(jù)該方法，能夠確?；宓牟僮餍裕⑶夷軌蚴褂矛F(xiàn)有的設(shè)備來制造薄型的電子器件。
[0004]加強(qiáng)板具有以能夠剝離的方式與基板結(jié)合的樹脂層、以及隔著樹脂層支承基板的支承板。樹脂層通過將具有流動性的樹脂組合物涂布在支承板上并使其固化而形成。樹脂組合物例如為硅樹脂組合物，其包含具有乙烯基的直鏈狀聚有機(jī)硅氧烷和具有硅氫基的甲基氫聚硅氧烷，在鉬催化劑的存在下被加熱固化。由該樹脂組合物的固化物形成的樹脂層的耐熱性、易剝離性優(yōu)異。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開2007-326358號公報
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明要解決的問題
[0009]圖6是現(xiàn)有的層疊體塊的側(cè)視圖。層疊體塊111具有基板112和對基板112進(jìn)行加強(qiáng)的加強(qiáng)板113。加強(qiáng)板113具有以能夠剝離的方式與基板112結(jié)合的樹脂層114、以及隔著樹脂層114支承基板112的支承板115。為了提聞層置體塊111的耐沖擊性，對層置體塊111的側(cè)邊緣部進(jìn)行倒角加工。
[0010]圖7是表示對圖6所示的層疊體塊的側(cè)邊緣部進(jìn)行倒角加工的方法的俯視圖。圖8是表示對圖6所示的層疊體塊的側(cè)邊緣部進(jìn)行倒角加工的方法的側(cè)視圖。
[0011]層疊體塊111的側(cè)邊緣部Illa用磨石121進(jìn)行磨削。磨石121為圓板狀的旋轉(zhuǎn)磨石，其外周面121a的整個圓周形成有磨削槽122(圖8)。在磨削槽122的壁面122a與層疊體塊111的側(cè)邊緣部Illa抵接的狀態(tài)下，磨石121邊沿著磨石121的圓周方向(圖7的X方向)旋轉(zhuǎn)，邊相對于層疊體塊111相對地移動(圖7的Y方向)，從而將層疊體塊111的側(cè)邊緣部Illa磨削成與磨削槽122的形狀相同的形狀。
[0012]磨削面即壁面122a和樹脂層114與基板112的界面116、以及樹脂層114與支承板115的界面117垂直地進(jìn)行抵接。此時，在界面116和界面117中的至少一者的附近，有時基板112和支承板115中的至少一者的角部出現(xiàn)缺損。
[0013]這是因為，通過壁面122a所包含的磨粒，層疊體塊111的側(cè)面產(chǎn)生微裂紋118，該微裂紋118到達(dá)界面116和界面117中的至少一者。如圖8所示，存在微裂紋118相對于壁面122a傾斜地伸展的傾向。
[0014]圖9是通過圖7所示的對層疊體塊的側(cè)邊緣部進(jìn)行倒角加工而得到的層疊體的側(cè)視圖。圖9中，磨削前的層疊體塊的狀態(tài)用兩點劃線示出。
[0015]通過對層疊體塊111的側(cè)邊緣部Illa進(jìn)行磨削而得到的層疊體131與層疊體塊111同樣地具有基板132和加強(qiáng)板133，加強(qiáng)板133具有樹脂層134和支承板135。層疊體131的側(cè)面由于在磨削中產(chǎn)生的微裂紋118 (圖8)而形成凹痕139。
[0016]本發(fā)明是鑒于上述課題而進(jìn)行的，其目的在于提供能夠降低因磨削而產(chǎn)生的缺損的層疊體的制造方法。
[0017]用于解決問題的方案
[0018]為了解決上述目的，本發(fā)明提供一種層疊體的制造方法，
[0019]其通過對層疊體塊的側(cè)邊緣部進(jìn)行倒角加工而得到層疊體，所述層疊體塊具有基板和對該基板進(jìn)行加強(qiáng)的加強(qiáng)板，該加強(qiáng)板具有以能夠剝離的方式與前述基板結(jié)合的樹脂層和隔著該樹脂層支承前述基板的支承板，
[0020]所述制造方法具備用磨石磨削前述層疊體塊的側(cè)邊緣部的磨削工序，該磨削工序中，前述磨石的磨削面傾斜地抵接于前述樹脂層與前述基板的界面、以及前述樹脂層與前述支承板的界面。
[0021]發(fā)明的效果
[0022]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供可以降低因磨削而產(chǎn)生的缺損的層疊體的制造方法。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是本發(fā)明的一個實施方式的層疊體的制造方法中使用的層疊體塊的側(cè)視圖。
[0024]圖2是表示本發(fā)明的一個實施方式的層疊體的制造方法的俯視圖。
[0025]圖3是表示本發(fā)明的一個實施方式的層疊體的制造方法的側(cè)視圖。
[0026]圖4是通過本發(fā)明的一個實施方式的層疊體的制造方法而得到的層疊體的側(cè)視圖。
[0027]圖5A是表示磨削面即壁面和界面所成的角與偏置量的關(guān)系的一例的側(cè)視圖(I)。
[0028]圖5B是表示磨削面即壁面和界面所成的角與偏置量的關(guān)系的一例的側(cè)視圖(2)。
[0029]圖5C是表示磨削面即壁面和界面所成的角與偏置量的關(guān)系的一例的側(cè)視圖(3)。
[0030]圖6是現(xiàn)有的層疊體塊的側(cè)視圖。
[0031]圖7是表示對圖7所示的層疊體塊的側(cè)邊緣部進(jìn)行倒角加工的方法的俯視圖。
[0032]圖8是表示圖7所示的對層疊體塊的側(cè)邊緣部進(jìn)行倒角加工的方法的側(cè)視圖。
[0033]圖9是通過圖7所示的對層疊體塊的側(cè)邊緣部進(jìn)行倒角加工而得到的層疊體的側(cè)視圖。
【具體實施方式】
[0034]以下，參照附圖對用于實施本發(fā)明的方式進(jìn)行說明，各圖中，對相同的或相應(yīng)的構(gòu)成賦予相同的或相應(yīng)的標(biāo)記，省略說明。
[0035](層疊體塊)
[0036]圖1是本發(fā)明的一個實施方式的層疊體的制造方法中使用的層疊體塊的側(cè)視圖。
[0037]如圖1所示，層疊體塊11具有基板12和對基板12進(jìn)行加強(qiáng)的加強(qiáng)板13。加強(qiáng)板13由以能夠剝離的方式與基板12結(jié)合的樹脂層14和隔著樹脂層14支承基板12的支承板15構(gòu)成?；?2的側(cè)面、樹脂層14的側(cè)面以及支承板15的側(cè)面成為一個面。
[0038]層疊體塊11在利用后述的加工方法進(jìn)行加工后，用于制造具有基板12作為制品結(jié)構(gòu)的一部分的制品。加強(qiáng)板13在制品的制造工序過程中從基板12被剝離，不會成為制品結(jié)構(gòu)的一部分。作為制品，例如可列舉出顯示面板、太陽能電池、薄膜2次電池等電子器件。
[0039]層疊體塊11使用對現(xiàn)有基板(未利用加強(qiáng)板進(jìn)行過加強(qiáng)的基板)進(jìn)行處理的處理設(shè)備制造電子器件，因此可以具有與現(xiàn)有的基板大致相同的厚度。例如，現(xiàn)有的電子器件的制造工序是以處理厚度0.5mm的基板的方式進(jìn)行設(shè)計的，在基板12的厚度與樹脂層14的厚度之和為0.1mm的情況下,將支承板15的厚度設(shè)為0.4mm。以下,基于圖1來說明各構(gòu)成。
[0040](基板)
[0041]基板12是電子器件用的基板。在基板12的表面，在電子器件的制造工序中形成規(guī)定的功能層(例如導(dǎo)電層)。功能層的種類根據(jù)電子器件的種類進(jìn)行選擇，也可以在基板12上依次層疊多個功能層。
[0042]對基板12的種類沒有特別限定，例如可列舉出玻璃基板、陶瓷基板、樹脂基板、金屬基板、半導(dǎo)體基板等。這些之中，優(yōu)選玻璃基板。這是因為玻璃基板的耐化學(xué)試劑性、耐透濕性優(yōu)異，且線膨脹系數(shù)小。線膨脹系數(shù)大時，由于電子器件的制造工序多伴有加熱處理，因此容易產(chǎn)生各種不良情況。例如，將在加熱下形成有TFT (薄膜晶體管)的基板12冷卻時，由于基板12的熱收縮，TFT的位置偏移有可能變得過大。
[0043]玻璃基板是將玻璃原料熔融并將熔融玻璃成型為板狀而得到的。這種成型方法可以是一般的方法，例如可以使用浮法、熔融法、狹縫下拉法、垂直引上法、魯伯法(Lubbersprocess)等。另外,尤其是厚度小的玻璃基板可以利用如下方法(再拉法:redraw process)來成型獲得:將暫時成型為板狀的玻璃加熱至能夠成型的溫度，利用拉伸等手段進(jìn)行伸展而減薄。
[0044]作為玻璃基板的玻璃，沒有特別限定，例如可列舉出無堿玻璃、硼硅酸玻璃、鈉鈣玻璃、高硅玻璃、其它以氧化硅為主要成分的氧化物系玻璃等。作為氧化物系玻璃，優(yōu)選以氧化物換算的氧化硅的含量為40?90質(zhì)量％的玻璃。
[0045]作為玻璃基板的玻璃，優(yōu)選采用適合于電子器件的種類、其制造工序的玻璃。例如，液晶顯示器用的玻璃基板由實質(zhì)上不含堿金屬成分的玻璃(無堿玻璃)形成。這樣，玻璃基板的玻璃基于所應(yīng)用的電子器件的種類及其制造工序而進(jìn)行適當(dāng)選擇。
[0046]樹脂基板的樹脂可以是結(jié)晶性樹脂，也可以是非結(jié)晶性樹脂，沒有特別限定。
[0047]作為上述結(jié)晶性樹脂，例如可列舉出屬于熱塑性樹脂的聚酰胺、聚縮醛、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或間規(guī)聚苯乙烯(syndiotactic polystyrene)等,熱固化性樹脂可列舉出聚苯硫醚、聚醚醚酮、液晶聚合物、氟樹脂或聚醚腈等。
[0048]作為上述非結(jié)晶性樹脂，例如可列舉出屬于熱塑性樹脂的聚碳酸酯、改性聚苯醚、聚環(huán)己烯或聚降冰片烯系樹脂等，熱固化性樹脂可列舉出聚砜、聚醚砜、聚芳酯、聚酰胺酰亞胺、聚醚酰亞胺或熱塑性聚酰亞胺。
[0049]作為樹脂基板的樹脂，特別優(yōu)選非結(jié)晶性且熱塑性的樹脂。
[0050]基板12的厚度根據(jù)基板12的種類來設(shè)定。例如，在玻璃基板的情況下，為了電子器件的輕量化、薄板化，優(yōu)選為0.7mm以下，更優(yōu)選為0.3mm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.1mm以下。超過0.7mm時，無法滿足玻璃基板的薄型化和/或輕量化的要求。為0.3mm以下時，能夠?qū)ΣＡЩ遒x予良好的撓性。為0.1mm以下時，能夠?qū)⒉ＡЩ寰砣〕删頎?。另外，從容易制造玻璃基板、容易操作玻璃基板等理由出發(fā)，玻璃基板的厚度優(yōu)選為0.03mm以上。
[0051](樹脂層)
[0052]樹脂層14與基板12密合時，會防止基板12的位置偏移直至進(jìn)行剝離操作為止。樹脂層14通過剝離操作而容易地從基板12剝離。通過容易地剝離基板12，可以防止基板12的破損，另外，可以防止不期望的位置處(樹脂層14與支承板15之間)的剝離。本說明書中，密合是指以能夠剝離的方式進(jìn)行結(jié)合。此處，以能夠剝離的方式進(jìn)行結(jié)合是指:將基板12從樹脂層14剝離時，能夠?qū)⒒?2從樹脂層14剝離而不會使支承板15從樹脂層14剝離。換言之，意味著支承板15與樹脂層14的結(jié)合力大于基板12與樹脂層14的結(jié)合力。
[0053]樹脂層14以其與支承板15的結(jié)合力相對高于其與基板12的結(jié)合力的方式形成(形成方法詳見后述)。由此，在進(jìn)行剝離操作時，能夠防止層疊體塊11在不期望的位置處(樹脂層14與支承板15之間)發(fā)生剝離。
[0054]樹脂層14與基板12之間的初始剝離強(qiáng)度根據(jù)電子器件的制造工序進(jìn)行設(shè)定。例如，基板12使用板厚0.05mm的聚酰亞胺薄膜(DU P0NT-T0RAY C0., LTD.制、Kapton200HV)時，在下述剝離試驗中，初始剝離強(qiáng)度的下限值為0.3N/25mm、優(yōu)選為0.5N/25mm、更優(yōu)選為lN/25mm。另外，初始剝離強(qiáng)度的上限值為10N/25mm、優(yōu)選為5N/25mm。此處，“初始剝離強(qiáng)度”是指層疊體塊11剛剛制作完成后的剝離強(qiáng)度，是指在室溫下測定的剝離強(qiáng)度。
[0055]初始剝離強(qiáng)度為0.3N/25mm以上時，能夠充分地限制不期望的分離。另一方面，初始剝離強(qiáng)度為10N/25mm以下時，在修正樹脂層14與基板12的位置關(guān)系時等，容易從基板12剝離樹脂層14。
[0056]剝離試驗由以下的測定方法表示。
[0057]將通過以下方式得到的層疊物作為評價樣品:在縱25mmX橫75mm的支承板15上的整個面形成樹脂層14，將縱25mmX橫50mm的基板12以支承板15和基板12的一個縱面平齊的方式進(jìn)行層疊。并且，將該評價樣品的基板12的與樹脂層14側(cè)的面相對的面用雙面膠固定在檢查臺的端部，然后使用數(shù)字測力計垂直地提拉突出的支承板(縱25X橫25mm)的中央部，測定剝離強(qiáng)度。
[0058]樹脂層14與基板12之間的加熱后的剝離強(qiáng)度雖因電子器件的制造工序而異，但在上述的剝離試驗中例如優(yōu)選為8.5N/25mm以下，更優(yōu)選為7.8N/25mm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為4.5N/25mm以下。此處，“加熱后的剝離強(qiáng)度”是指將樹脂層14以350°C (相當(dāng)于構(gòu)成薄膜晶體管的非晶硅層的形成溫度)進(jìn)行加熱后在室溫下測定的剝離強(qiáng)度。
[0059]加熱后的剝離強(qiáng)度為0.3N/25mm以上時，能夠充分地限制不期望的分離。另一方面，加熱后的剝離強(qiáng)度為10N/25mm以下時，容易從基板12剝離樹脂層14。
[0060]對樹脂層14的樹脂沒有特別限定。例如，作為樹脂層14的樹脂，可列舉出丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂、聚氨酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、硅樹脂、聚酰亞胺硅樹脂等。也可以將幾種樹脂混合使用。其中，從耐熱性、剝離性的觀點出發(fā)，優(yōu)選為硅樹脂、聚酰亞胺硅樹脂。
[0061]樹脂層14的厚度沒有特別限定，優(yōu)選為I?50 μ m、更優(yōu)選為5?30 μ m、進(jìn)一步優(yōu)選為7?20 μ m。通過將樹脂層14的厚度設(shè)為I μ m以上，在氣泡、異物混入樹脂層14與基板12之間的情況下，可以抑制基板12的變形。另一方面，樹脂層14的厚度為50 μ m以下時，能夠縮短樹脂層14的形成時間，進(jìn)而不會過量使用樹脂層14的樹脂，因此是經(jīng)濟(jì)的。
[0062]樹脂層14也可以由2層以上形成。此時，“樹脂層的厚度”是指所有樹脂層的合計厚度。
[0063]另外，樹脂層14由2層以上形成時，形成各個層的樹脂的種類可以不同。
[0064](支承板)
[0065]支承板15隔著樹脂層14支承基板12進(jìn)行加強(qiáng)。支承板15會防止電子器件的制造工序中的基板12的變形、損傷、破損等。
[0066]對支承板15的種類沒有特別限定，例如可以使用玻璃板、陶瓷板、樹脂板、半導(dǎo)體板、金屬板、玻璃/樹脂復(fù)合板等。支承板15的種類根據(jù)電子器件的種類、基板12的種類等進(jìn)行選擇，與基板12的種類相同時，支承板15和基板12的熱膨脹差小，因此能夠抑制因加熱而產(chǎn)生翹曲。
[0067]支承板15和基板12的平均線膨脹系數(shù)之差(絕對值)根據(jù)基板12的外形等而適當(dāng)設(shè)定，例如優(yōu)選為35X 10_7/°C以下。此處，“平均線膨脹系數(shù)”是指50?300°C的溫度范圍內(nèi)的平均線膨脹系數(shù)(JIS R3102:1995年)。
[0068]對支承板15的厚度沒有特別限定，為了使層疊體塊11適合于現(xiàn)有的處理設(shè)備，優(yōu)選為0.7mm以下。另外，為了對基板12進(jìn)行加強(qiáng),支承板15的厚度優(yōu)選為0.4mm以上。支承板15的厚度可以比基板12厚，也可以比其薄。
[0069](層疊體塊的制造方法)
[0070]作為制造層疊體塊11的方法，有以下方法:(I)在支承板15上涂布具有流動性的樹脂組合物，使其固化而形成樹脂層14后，在樹脂層14上壓接基板12的方法；(2)在規(guī)定的基材上涂布具有流動性的樹脂組合物，使其固化而形成樹脂層14后，將樹脂層14從規(guī)定的基材上剝離，以薄膜的形態(tài)夾持在基板12與支承板15之間并壓接的方法；(3)在基板12與支承板15之間夾持樹脂組合物，使其固化而形成樹脂層14的方法等。
[0071 ] 在上述(I)的方法中，樹脂組合物固化時，樹脂組合物與支承板15相互作用，因此支承板15與樹脂層14的結(jié)合力容易變得高于樹脂層14與基板12的結(jié)合力。
[0072]上述(2)的方法在樹脂層14壓接后與基板12的結(jié)合力低、樹脂層14壓接后與支承板15的結(jié)合力高的情況下是有效的。也可以在與樹脂層14接觸前，對基板12或支承板15的表面進(jìn)行表面處理，從而使其與樹脂層14的壓接后的結(jié)合力存在差異。
[0073]上述(3)的方法在樹脂組合物固化后與基板12的結(jié)合力低、樹脂組合物固化后與支承板15的結(jié)合力高的情況下是有效的。也可以在與樹脂組合物接觸前，對基板12或支承板15的表面進(jìn)行表面處理，從而使樹脂組合物的固化后的結(jié)合力存在差異。
[0074]在上述(I)?(3)的方法中，對樹脂組合物的種類沒有特別限定。例如，樹脂組合物根據(jù)固化原理而分為縮合反應(yīng)型、加成反應(yīng)型、紫外線固化型、電子射線固化型，但均可使用。在它們之中優(yōu)選加成反應(yīng)型。這是因為固化反應(yīng)的容易程度、形成樹脂層14時剝離性的程度良好，耐熱性也高。
[0075]另外，樹脂組合物雖根據(jù)形態(tài)而分為溶劑型、乳液型、無溶劑型，但均可使用。在它們之中優(yōu)選無溶劑型。其理由是生產(chǎn)率、環(huán)境特性的方面優(yōu)異。另外，其理由在于不含有在形成樹脂層14時的固化時、即加熱固化、紫外線固化或電子射線固化時產(chǎn)生發(fā)泡的溶劑，因而樹脂層14中不易殘留氣泡。
[0076]作為加成反應(yīng)型且無溶劑型的硅樹脂組合物，有包含具有乙烯基的直鏈狀聚有機(jī)硅氧烷和具有硅氫基的甲基氫聚硅氧烷的組合物。該硅樹脂組合物在鉬催化劑的存在下加熱固化，成為硅樹脂層。
[0077]樹脂組合物的涂布方法例如有噴涂法、模涂法、旋涂法、浸涂法、輥涂法、棒涂法、絲網(wǎng)印刷法、凹版涂布法等。這些涂布方法根據(jù)樹脂組合物的種類而適當(dāng)選擇。
[0078]樹脂組合物的涂覆量根據(jù)樹脂組合物的種類等而適當(dāng)選擇。例如，在上述硅樹脂組合物的情況下，優(yōu)選為I?100g/m2、更優(yōu)選為5?20g/m2。
[0079]樹脂組合物的固化條件根據(jù)樹脂組合物的種類等而適當(dāng)選擇。例如，作為上述硅樹脂組合物，相對于直鏈狀聚有機(jī)硅氧烷和甲基氫聚硅氧烷的總量100質(zhì)量份配混2質(zhì)量份的鉬系催化劑時，在大氣中的加熱溫度為50°C?250°C、優(yōu)選為100°C?200°C。另外，此時的反應(yīng)時間為5?60分鐘、優(yōu)選為10?30分鐘。樹脂組合物的固化條件為上述的反應(yīng)時間的范圍和反應(yīng)溫度的范圍時，不會同時發(fā)生硅樹脂的氧化分解，不會生成低分子量的有機(jī)娃成分，娃遷移性不會變高。
[0080]在上述(I)和(2)的方法中，壓接優(yōu)選在潔凈度高的環(huán)境下實施。作為壓接的方式，有輥式、壓制式等。實施壓接的氣氛可以是大氣壓氣氛，但為了抑制氣泡的混入，優(yōu)選為減壓氣氛。實施壓接的溫度可以是高于室溫的溫度，但為了防止樹脂層14的劣化，優(yōu)選為室溫。
[0081](層疊體的制造方法)
[0082]圖2是表示本發(fā)明的一個實施方式的層疊體的制造方法的俯視圖。圖3是表示本發(fā)明的一個實施方式的層疊體的制造方法的側(cè)視圖。圖4是通過本發(fā)明的一個實施方式的層疊體的制造方法而得到的層疊體的側(cè)視圖。圖4中，加工前的層疊體塊的狀態(tài)用2點劃線示出。
[0083]層疊體的制造方法是為了提高耐沖擊性而對層疊體塊11的側(cè)邊緣部Ila進(jìn)行倒角加工、從而獲得層疊體的方法。層疊體塊11的側(cè)邊緣部Ila例如可以加工成帶弧度的形狀，具體而言，加工后的至少一部分的截面形狀可以是包含例如圓弧狀部分、橢圓弧狀部分或拋物線狀部分的曲面形狀。層疊體塊11的側(cè)邊緣部Ila的加工后的截面形狀也可以是多角形狀。
[0084]層疊體的制造方法具備用磨石21磨削層疊體塊11的側(cè)邊緣部Ila的工序。磨石21是形成為圓板狀的旋轉(zhuǎn)磨石，磨石21的外周面21a的整個圓周形成有磨削槽22(圖3)。磨削槽22的壁面22a是磨削面，層疊體塊11的側(cè)邊緣部Ila的加工后的截面形狀成為與磨削槽22的截面形狀相同的形狀。磨石21的形狀不限定于圓板狀，可以是圓筒狀。
[0085]磨削槽22例如按照從磨削槽22的寬度方向兩端部22b、22c朝向磨削槽22的寬度方向內(nèi)側(cè)變深的方式形成。例如，磨削槽22按照從寬度方向兩端部22b、22c朝向磨削槽22的寬度方向中央部22d變深的方式形成。
[0086]磨削槽22的壁面22a例如由截面為圓弧狀的底面22a_l、以及從底面22a_l的兩端邊緣向外周面21a延伸的兩個側(cè)面22a-2、22a-3構(gòu)成。兩個側(cè)面22a_2、22a_3與底面22a-l平滑地連接。
[0087]磨削工序中，在磨削槽22的壁面22a與層疊體塊11的側(cè)邊緣部Ila抵接的狀態(tài)下，磨石21沿著磨石21的圓周方向旋轉(zhuǎn)(圖2的X方向)，從而磨削層疊體塊11的側(cè)邊緣部11a。其結(jié)果，圖1所示的基板12、樹脂層14以及支承板15分別被磨削掉圖3所示的側(cè)邊緣部12a、14a、15a，成為圖4所示的基板32、樹脂層34以及支承板35。因此，通過對圖1所示的層疊體塊11的側(cè)邊緣部Ila進(jìn)行倒角加工而得到的層疊體31與層疊體塊11同樣地具有基板32和對基板32進(jìn)行加強(qiáng)的加強(qiáng)板33。加強(qiáng)板33具有以能夠剝離的方式與基板32結(jié)合的樹脂層34和隔著樹脂層34支承基板32的支承板35。
[0088]磨削工序中，優(yōu)選的是，層疊體塊11的層疊方向與磨石21的旋轉(zhuǎn)軸方向大致平行地配置，磨石21沿著層疊體塊11的側(cè)邊緣部Ila的周向相對地移動(圖2的Y方向)。因而，層疊體塊11的側(cè)邊緣部Ila的整個周向被磨削。也可以是僅僅側(cè)邊緣部Ila的周向的一部分被磨削?？梢允悄ナ?1側(cè)發(fā)生移動，可以是層疊體塊11側(cè)發(fā)生移動，還可以是兩側(cè)均移動。
[0089]磨削工序中，樹脂層14與基板12的界面16以及樹脂層14與支承板15的界面17分別相對于磨削槽22的最深部(本實施方式中為寬度方向中央部22d)在磨削槽22的寬度方向偏置。因此，界面16、17分別與磨石21的磨削面即壁面22a傾斜地抵接而非垂直。界面16、17相對于磨削槽22的最深部在磨削槽22的寬度方向一側(cè)偏置。
[0090]然而，由于壁面22a所包含的磨粒而層疊體塊11的側(cè)面產(chǎn)生微裂紋時，存在微裂紋相對于壁面22a傾斜地伸展的傾向。
[0091]本實施方式中，由于界面16、17與磨石21的壁面22a傾斜地抵接，因此能夠抑制微裂紋從層疊體塊11的側(cè)面朝向界面16、17傾斜地伸展。從而，能夠降低因磨削而產(chǎn)生的基板12和支承板15中的至少一者的角部缺損，能夠得到側(cè)面幾乎沒有凹痕的層疊體31。該效果在基板12和支承板15中的至少一者由脆性材料構(gòu)成時是顯著的。作為脆性材料，可列舉出玻璃、陶瓷、金屬硅等。
[0092]本實施方式的磨石21在外周面21a具有磨削槽22，但也可以不具有，此時，磨石21的外周面21a為磨削面，磨石21的旋轉(zhuǎn)軸與界面16、17傾斜地抵接。
[0093]磨削工序中，如圖3所示，磨削槽22的最深部(本實施方式中為寬度方向中央部22d)與支承板15的側(cè)邊緣部15a抵接。因此，在磨削后，如圖4所示，支承板35變得比基板32更向外側(cè)突出，因此能夠降低成為制品的基板32的損傷。
[0094]另外，磨削工序中，如圖3所示，界面16、17與截面為圓弧狀的底面22a_l抵接。因此，通過在磨削前調(diào)節(jié)上述偏置的量，能夠調(diào)節(jié)磨削面即壁面22a與界面16、17所成的角。
[0095]圖5A?圖5C是表示磨削面即壁面和界面所成的角與偏置量的關(guān)系的一例的側(cè)視圖，圖5A是偏置量小時的側(cè)視圖、圖5B是偏置量為中等時的側(cè)視圖、圖5C是偏置量大時的側(cè)視圖。
[0096]圖5A?圖5C中，Tl表示基板12的厚度，T2表示支承板15的厚度。樹脂層14的厚度與基板12的厚度、支承板15的厚度相比小到可以忽略的程度，因此示為不隔著樹脂層14而貼合基板12和支承板15。順便一提，后述的計算結(jié)果(Θ與D的關(guān)系)幾乎不會因樹脂層14的有無而變動。Θ表示基板12和支承板15的貼合面18 (相當(dāng)于界面16、17)與磨削槽22的基板12側(cè)的壁面22a所成的角。D表示貼合面18相對于磨削槽22的最深部(本實施方式中為寬度方向中央部22d)的偏置量。R表示底面22a-l的曲率半徑。
[0097]例如，在Tl=0.3mm、T2=0.4mm、R=0.4mm 的情況下，D 以 0.05mm (圖 5A)、0.15mm (圖5Β)、0.25mm (圖 5C)階段性地增加時，Θ 以 81.9。(圖 5Α)、65.I。(圖 5Β)、45.4。(圖5C)階段性地變小。
[0098]本實施方式中，僅僅磨削槽22的底面22a_l形成為截面為圓弧狀，例如，也可以將磨削槽22的壁面22a整體形成為截面為圓弧狀，截面為圓弧狀的部分的位置沒有特別限定。
[0099]進(jìn)而，層疊體塊11也可以在磨削工序之前供于將層疊體塊11切斷成規(guī)定尺寸的工序。
[0100](電子器件的制造方法)
[0101]制造電子器件的方法具備:在層疊體31的基板32上的至少一部分的區(qū)域形成規(guī)定的功能層(例如導(dǎo)電層)的形成工序；從形成有規(guī)定的功能層的基板32上剝離加強(qiáng)板33的剝離工序。層疊體31在供于電子器件的制造工序之前，可以供給于對基板32進(jìn)行研磨的工序。
[0102]在形成工序中，作為在基板32上形成規(guī)定的功能層的方法，例如可以使用光刻法、蝕刻法、蒸鍍法等。另外，為了對功能層進(jìn)行圖案形成，可以使用抗蝕液等涂布液。
[0103]本實施方式的層疊體31與圖9所示的現(xiàn)有層疊體131不同，能夠降低因磨削而產(chǎn)生的基板12和支承板15中的至少一者的角部缺損，層疊體31的側(cè)面幾乎沒有凹痕，因此容易去除在基板32上涂覆涂布液時附著于層疊體31的側(cè)面的涂布液。因此，在伴隨有電子器件的制造工序的熱處理的工序中，能夠防止涂布液的殘渣成為產(chǎn)塵源，能夠提高電子器件的成品率。
[0104]在剝離工序中，作為從基板32上剝離加強(qiáng)板33的方法，例如，可以使用以下方法:在構(gòu)成加強(qiáng)板33的樹脂層34與基板32之間刺入剃刀等，形成間隙后，將基板32側(cè)與支承板35側(cè)拉開。
[0105]在制造電子器件的方法中，在剝離工序之后，還可以具備在基板32上未形成功能層的區(qū)域、已形成的功能層上層疊其它功能層的工序。
[0106]另外，制造電子器件的方法也可以是以下方法:使用形成有規(guī)定的功能層的2組層疊體31，組裝電子器件，其后，從2組層疊體31的基板32上分別剝離加強(qiáng)板33的方法。
[0107]接著，對電子器件的制造方法的具體例子進(jìn)行說明。
[0108]液晶顯示器(IXD)的制造方法例如具備以下工序:在層疊體的基板上形成薄膜晶體管(TFT)等，從而制作TFT基板的TFT基板制作工序；以及在其它層疊體的基板上形成彩色濾光片(CF)等，從而制作CF基板的CF基板制作工序。另外，液晶顯示器的制造方法具備以下工序:在TFT基板與CF基板之間密封液晶材料的組裝工序；以及，從各層置體的基板上剝離加強(qiáng)板的剝離工序。
[0109]在TFT基板制作工序、CF基板制作工序中，作為形成TFT、CF的方法，例如可以使用光刻法、蝕刻法等。另外，為了對TFT、CF等進(jìn)行圖案形成，可以使用抗蝕液作為涂布液。
[0110]也可以在TFT基板制作工序、CF基板制作工序之間清洗層疊體的基板表面。作為清洗方法，可以使用公知的干式清洗、濕式清洗。
[0111]在組裝工序中，液晶材料被注入到TFT基板與CF基板之間。作為注入液晶材料的方法，有減壓注入法或滴加注入法。
[0112]在減壓注入法中，例如，首先，隔著密封材料和間隔材料貼合TFT基板和CF基板，制作大型面板。此時，以TFT、CF相對配置的方式制作大型面板，切割成多個單元。接著，使各單元的內(nèi)部處于減壓氣氛，從設(shè)置在各單元的側(cè)面的注入孔向各單元的內(nèi)部注入液晶材料后，注入孔被密封。接著，向各單元貼附偏光板，組裝背光燈等，由此制造液晶顯示器。
[0113]在滴加注入法中，例如，首先，向TFT基板的TFT形成面和CF基板的CF形成面中的任一者滴加液晶材料，然后，隔著密封材料和間隔材料貼合TFT基板和CF基板，制作大型面板。此時，以TFT、CF相對配置的方式制作大型面板。其后，大型面板被切割成多個單元。接著，向單元貼附偏光板，組裝背光燈等，從而制造液晶顯示器。
[0114]剝離工序也可以在TFT基板制作工序、CF基板制作工序之后且組裝工序之前進(jìn)行，還可以在組裝工序的過程中進(jìn)行。剝離工序在基于減壓注入法的組裝工序的過程中進(jìn)行時，可以在制作大型面板后且將大型面板切割成多個單元之前進(jìn)行，也可以在向各單元密封液晶材料后且向各單元貼附偏光板之前進(jìn)行。另外，剝離工序在基于滴加注入法的組裝工序的過程中進(jìn)行時，可以在制作大型面板后且將大型面板切割成多個單元之前進(jìn)行，也可以在將大型面板切割成多個單元之后且向各單元貼附偏光板之前進(jìn)行。
[0115]有機(jī)EL顯示器(OLED)的制造方法例如包括以下工序:在層疊體的基板上形成有機(jī)EL元件的有機(jī)EL元件形成工序；將形成有有機(jī)EL元件的基板和對向基板貼合的貼合工序；以及從層疊體的基板上剝離加強(qiáng)板的剝離工序。
[0116]在有機(jī)EL元件形成工序中，作為形成有機(jī)EL元件的方法，例如可以使用光刻法、蒸鍍法等。另外，為了對有機(jī)EL元件進(jìn)行圖案形成，可以使用抗蝕液作為涂布液。有機(jī)EL兀件例如由透明電極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層等形成。
[0117]在有機(jī)EL元件形成工序之前，根據(jù)需要，也可以清洗層疊體的基板表面。作為清洗方法，可以使用公知的干式清洗、濕式清洗。
[0118]在貼合工序中，形成有有機(jī)EL元件的基板被切割成多個單元，對各單元貼附對向基板，從而制作有機(jī)EL顯示器。
[0119]剝離工序例如可以在有機(jī)EL元件形成工序之后且貼合工序之前進(jìn)行，也可以在貼合工序的過程中或之后進(jìn)行。
[0120]太陽能電池的制造方法例如包括以下工序:在層疊體的基板上形成太陽能電池元件的太陽能電池元件形成工序；以及，從層疊體的基板上剝離加強(qiáng)板的剝離工序。
[0121]在太陽能電池元件形成工序中，作為形成太陽能電池元件的方法，例如可以使用光刻法、蒸鍍法等。另外，為了對太陽能電池元件進(jìn)行圖案形成，可以使用抗蝕液作為涂布液。太陽能電池元件例如由透明電極層、半導(dǎo)體層等形成。
[0122]剝離工序例如在太陽能電池元件形成工序之后進(jìn)行。
[0123]以上，針對本發(fā)明的一個實施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限定于上述實施方式?？梢圆幻撾x本發(fā)明的范圍地對上述實施方式施加各種變形和置換。[0124]本申請基于2011年6月23日申請的日本專利申請2011-139630,將其內(nèi)容作為參照而援引至此。
[0125]附圖標(biāo)記說明
[0126]11層疊體塊
[0127]12 基板
[0128]13加強(qiáng)板
[0129]14樹脂層
[0130]15支承板
[0131]16樹脂層與基板的界面
[0132]17樹脂層與支承板的界面
[0133]21 磨石
[0134]21a外周面
[0135]22磨削槽
[0136]22a 壁面
[0137]22a_l 底面
[0138]22a_2 側(cè)面
[0139]22a_3 側(cè)面
[0140]22d最深部
[0141]31層疊體
【權(quán)利要求】
1.一種層疊體的制造方法，其通過對層疊體塊的側(cè)邊緣部進(jìn)行倒角加工而得到層疊體，所述層疊體塊具有基板和對該基板進(jìn)行加強(qiáng)的加強(qiáng)板，該加強(qiáng)板具有以能夠剝離的方式與所述基板結(jié)合的樹脂層和隔著該樹脂層支承所述基板的支承板， 所述制造方法具備用圓板狀或圓筒狀的旋轉(zhuǎn)的磨石磨削所述層疊體塊的側(cè)邊緣部的磨削工序， 該磨削工序中，所述磨石的磨削面傾斜地抵接于所述樹脂層與所述基板的界面、以及所述樹脂層與所述支承板的界面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體的制造方法，其中，所述磨石的外周面形成有磨削槽， 所述磨削工序中，在所述磨削面即所述磨削槽的壁面與所述層疊體塊的側(cè)邊緣部抵接的狀態(tài)下，所述磨石沿著所述磨石的圓周方向旋轉(zhuǎn)，從而磨削所述層疊體塊的側(cè)邊緣部，所述樹脂層與所述基板的界面以及所述樹脂層與所述支承板的界面分別相對于所述磨削槽的最深部沿所述磨削槽的寬度方向偏移，與所述磨削槽的壁面傾斜地抵接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的層疊體的制造方法，其中，所述磨削工序中，所述磨削槽的最深部與所述支承板的側(cè)邊緣部抵接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的層疊體的制造方法，其中，所述磨削槽的壁面具有截面為圓弧狀的部分， 所述磨削工序中，所述樹脂層與所述基板的界面、以及所述樹脂層與所述支承板的界面分別與所述截面為圓弧狀的部分抵接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項所述的層疊體的制造方法，其中，所述基板和所述支承板中的至少一者由脆性材料構(gòu)成。
6.一種層疊體，其具有基板和對該基板進(jìn)行加強(qiáng)的加強(qiáng)板，該加強(qiáng)板具有以能夠剝離的方式與所述基板結(jié)合的樹脂層和隔著該樹脂層支承所述基板的支承板， 所述層疊體的側(cè)面相對于所述樹脂層與所述基板的界面、以及所述樹脂層與所述支承板的界面是傾斜的。
【文檔編號】B32B37/00GK103619536SQ201280030458
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2012年6月1日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月23日
【發(fā)明者】我妻明 申請人:旭硝子株式會社