抗靜電性剝離薄膜的制作方法
【專利摘要】在基底薄膜的至少一面形成抗靜電層、在該抗靜電層上進(jìn)一步形成硅酮類剝離層而成的抗靜電性剝離薄膜的該抗靜電層含有：成分(a)使硅酸烷基酯的水解物與偶聯(lián)劑發(fā)生縮合反應(yīng)而得到的縮合反應(yīng)物、成分(b)水溶性成膜用樹脂和成分(c)抗靜電劑。硅酸烷基酯具有式(1)的結(jié)構(gòu)，偶聯(lián)劑具有式(2)的結(jié)構(gòu)：。
【專利說(shuō)明】抗靜電性剝離薄膜

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及在基底薄膜的一面形成有抗靜電層、在該抗靜電層上進(jìn)一步形成有硅 酮類剝離層的抗靜電性剝離薄膜。

【背景技術(shù)】
[0002] 對(duì)于各向異性導(dǎo)電薄膜（ACF)等所使用的剝離薄膜，不僅要求良好的剝離性，而 且，為了防止由帶電導(dǎo)致的異物向ACF的附著、操作性的降低，還要求顯示良好的抗靜電 性，作為這樣的剝離薄膜，提出了在聚酯薄膜等基底薄膜上設(shè)置有抗靜電層、進(jìn)而在該抗靜 電層上設(shè)置有硅酮類剝離層的剝離薄膜，所述抗靜電層含有異氰酸酯與通常用作表面活性 劑的烷基乙炔二醇的反應(yīng)物且含有導(dǎo)電性高分子作為抗靜電劑（專利文獻(xiàn)1)。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2007-83536號(hào)公報(bào)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 發(fā)明所要解決的課題 但是，在專利文獻(xiàn)1所提出的抗靜電性剝離薄膜的情況下，由于抗靜電層所含有的烷 基乙炔二醇為表面活性劑，所以有抗靜電層與硅酮類剝離層之間的粘附性降低的問(wèn)題。該 問(wèn)題有在將抗靜電性剝離薄膜長(zhǎng)時(shí)間放置于高溫高濕環(huán)境下時(shí)顯著顯現(xiàn)的趨勢(shì)。因此，在 抗靜電性剝離薄膜上層壓ACF的情況下，擔(dān)心發(fā)生硅酮類剝離層向ACF側(cè)的轉(zhuǎn)移和粘附而 妨礙ACF特性的發(fā)揮。
[0005] 本發(fā)明的課題在于解決以上目前的問(wèn)題，在基底薄膜的一面形成有抗靜電層、該 抗靜電層上進(jìn)一步形成有硅酮類剝離層的抗靜電性剝離薄膜中，在顯示令人滿意的剝離力 和表面電阻值的同時(shí)，也使在放置于高溫高濕環(huán)境下時(shí)抗靜電層與硅酮類剝離層之間的粘 附性為良好的水平。
[0006] 解決課題的手段 本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過(guò)使抗靜電層中含有使硅酸烷基酯的水解物與偶聯(lián)劑發(fā)生縮合反應(yīng) 而得到的縮合反應(yīng)物、水溶性成膜用樹脂和抗靜電劑，可解決上述課題，從而完成本發(fā)明。
[0007] 即，本發(fā)明提供抗靜電性剝離薄膜，所述抗靜電性剝離薄膜是在基底薄膜的一面 形成抗靜電層、在該抗靜電層上進(jìn)一步形成硅酮類剝離層而成，其中，該抗靜電層含有以下 成分（a)~(c): (a) 使硅酸烷基酯的水解物與偶聯(lián)劑發(fā)生縮合反應(yīng)而得到的縮合反應(yīng)物， (b) 水溶性成膜用樹脂，和 (c) 抗靜電劑。
[0008] 另外，本發(fā)明提供在該抗靜電性剝離薄膜上層壓有雙面粘合薄膜的帶有剝離薄膜 的膠帶。
[0009] 發(fā)明的效果 在基底薄膜的一面形成抗靜電層、該抗靜電層上進(jìn)一步形成硅酮類剝離層而成的本發(fā) 明的抗靜電性剝離薄膜中，該抗靜電層含有使硅酸烷基酯的水解物與偶聯(lián)劑發(fā)生縮合反應(yīng) 而得到的縮合反應(yīng)物。因此，在抗靜電層相對(duì)于聚酯薄膜等基底薄膜確保良好的粘附性的 同時(shí)，相對(duì)于硅酮類剝離層，例如在放置于高溫高濕環(huán)境下時(shí)也可確保良好的粘附性。另 夕卜，水溶性成膜用樹脂可將縮合反應(yīng)物和抗靜電劑一同在水性介質(zhì)中均勻地混合，可提供 操作性優(yōu)異的抗靜電層形成用涂料組合物。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010] 圖1為本發(fā)明的抗靜電性剝離薄膜的示意截面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0011] 如圖1所示，本發(fā)明的抗靜電性剝離薄膜具有在基底薄膜1的一面形成有抗靜電 層2、在該抗靜電層2上進(jìn)一步形成有硅酮類剝離層3的結(jié)構(gòu)。
[0012] 〈〈基底薄膜1>> 基底薄膜1可應(yīng)用目前的剝離薄膜的基底薄膜，通?？墒褂煤穸葹?〇~200ym的聚對(duì) 苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚酰胺薄膜、聚酰亞胺薄膜等。
[0013] <〈抗靜電層2>> 抗靜電層2通常為厚度0.05~0.5ym的含有以下成分（a)~(c)的層： (a) 使硅酸烷基酯的水解物與偶聯(lián)劑發(fā)生縮合反應(yīng)而得到的縮合反應(yīng)物， (b) 水溶性成膜用樹脂，和 (c) 抗靜電劑。
[0014] 以下，對(duì)上述各成分進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0015]〈成分（a)> 成分（a)為使硅酸烷基酯的水解物與偶聯(lián)劑發(fā)生縮合反應(yīng)而得到的縮合反應(yīng)物。
[0016] 此處，硅酸烷基酯為具有鍵合于硅原子的烷氧基作為可被水解的水解性基團(tuán)的硅 酸酯，具體而言為具有式（1)所示的結(jié)構(gòu)的化合物，可使用市售品。

【權(quán)利要求】
1. 抗靜電性剝離薄膜，所述抗靜電性剝離薄膜是在基底薄膜的一面形成抗靜電 層、在所述抗靜電層上進(jìn)一步形成硅酮類剝離層而成，其中，所述抗靜電層含有以下成分 (a)-(c)： (a) 使硅酸烷基酯的水解物與偶聯(lián)劑發(fā)生縮合反應(yīng)而得到的縮合反應(yīng)物， (b) 水溶性成膜用樹脂，和 (c) 抗靜電劑。
2. 權(quán)利要求1的抗靜電性剝離薄膜，其中，硅酸烷基酯為以式（1)表示的化合物：
在式（1)中，Rl為烷基，n為1以上的整數(shù)。
3. 權(quán)利要求1或2的抗靜電性剝離薄膜，其中，硅酸烷基酯的水解物的數(shù)均分子量為 200-500〇
4. 權(quán)利要求2的抗靜電性剝離薄膜，其中，Rl為碳原子數(shù)1~3的烷基，n為3~8的整 數(shù)。
5. 權(quán)利要求4的抗靜電性剝離薄膜，其中，Rl為甲基，n為5。
6. 權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)的抗靜電性剝離薄膜，其中，硅酸烷基酯的水解程度為所有 ORl基的數(shù)量的50%以上被水解而生成羥基的程度。
7. 權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)的抗靜電性剝離薄膜，其中，偶聯(lián)劑為以式（2)表示的化合 物：
在式（2)中，R2為可被烷氧基取代的烷基或酰氧基，Y為縮水甘油基氧基、環(huán)氧基、氨 基、乙條基、條丙基、（甲基）丙條醜氧基、疏基、異氛酸醋基或脈基、碳原子數(shù)1~3的燒硫基， P為〇~2的整數(shù)，q為0~3的整數(shù)。
8. 權(quán)利要求7的抗靜電性剝離薄膜，其中，R2為甲基，Y為縮水甘油基氧基，p為0,q為3。
9. 權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)的抗靜電性剝離薄膜，其中，縮合反應(yīng)物為使200~300質(zhì)量 份的偶聯(lián)劑與100質(zhì)量份的硅酸烷基酯的水解物發(fā)生縮合反應(yīng)而得。
10. 權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)的抗靜電性剝離薄膜，其中，水溶性成膜用樹脂為相對(duì)于 IOOg的20°C的水至少溶解IOg的聚酯樹脂。
11. 權(quán)利要求1~1〇中任一項(xiàng)的抗靜電性剝離薄膜，其中，成分（c)的抗靜電劑為導(dǎo)電 性高分子。
12. 權(quán)利要求11的抗靜電性剝離薄膜，其中，導(dǎo)電性高分子具有以下列式⑶或（4) 表示的結(jié)構(gòu)：
在式中，m為重復(fù)單元數(shù)。
13. 權(quán)利要求1~12中任一項(xiàng)的抗靜電性剝離薄膜，其中，抗靜電層含有45~65質(zhì)量％ 的成分（a)的縮合反應(yīng)物、10~30質(zhì)量％的成分（b)的水溶性成膜用樹脂、20~30質(zhì)量％的 成分（c)的抗靜電劑，成分（a)與成分（b)的質(zhì)量基準(zhǔn)的含量比為100:200~300。
14. 帶有剝離薄膜的膠帶，其中，在權(quán)利要求1~13中任一項(xiàng)的抗靜電性剝離薄膜上層 壓有雙面粘合薄膜。
15. 權(quán)利要求14的帶有剝離薄膜的膠帶，其中，雙面粘合薄膜為各向異性導(dǎo)電薄膜。
【文檔編號(hào)】B32B27/00GK104507671SQ201380039382
【公開日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2013年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月25日
【發(fā)明者】長(zhǎng)島稔 申請(qǐng)人:迪睿合電子材料有限公司