一種高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃及其制造方法，其包括：玻璃基片，氧化不銹鋼膜層、金屬不銹鋼膜層、陶瓷氧化鈦膜層。在玻璃基片的表面從底層向上依次鍍制氧化不銹鋼膜層、金屬不銹鋼膜層、陶瓷氧化鈦膜層，從而構(gòu)成三層膜結(jié)構(gòu)。其通過磁控濺射鍍膜設(shè)備在玻璃基片表面沉積一層金屬氧化物形成氧化不銹鋼膜層，再在該氧化不銹鋼膜層的表面上沉積另一層純金屬的金屬不銹鋼膜層，作為吸收和干涉層，又在金屬不銹鋼膜層沉積一層陶瓷氧化鈦膜層，本發(fā)明對太陽能有很高的吸收率，反射率低于6﹪，成本低，易于大規(guī)模生產(chǎn),且能有效地將太陽能轉(zhuǎn)換成熱能。其主要應(yīng)用于平板太陽能集熱器，既可用于家庭供熱水，也可用于太陽能電站供熱水。
【專利說明】一種高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種玻璃材料領(lǐng)域的鍍膜玻璃，特別是涉及一種高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃及其制造方法，其是一種含有納米級金屬氧化物薄膜和純金屬薄膜組成的玻璃面反射顏色為深藍(lán)色的高吸熱、低反射鍍膜玻璃，主要應(yīng)用于平板太陽能集熱器，既可用于家庭供熱水，也可用于太陽能電站供熱水。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽能是人類取之不盡用之不竭的自然資源，太陽能集熱器是用來吸收太陽輻射并使之轉(zhuǎn)化為熱能的裝置。現(xiàn)在市場上已經(jīng)有很多太陽能集熱器，最常見的是全玻璃真空管太陽能熱水器，它的缺點(diǎn)是無法承壓、易爆炸、維修率高。不適應(yīng)未來太陽能集熱器的發(fā)展。
[0003]有鑒于上述現(xiàn)有的全玻璃真空管存在的缺陷，本發(fā)明人積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的一種高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃及其制造方法，使其更具有實(shí)用性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的全玻璃真空管存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的一種高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃及其制造方法，所要解決的技術(shù)問題是使其對太陽能吸熱率高、反射率低、吸熱面積大、生產(chǎn)成本低，從而更加適于實(shí)用。
[0005]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃，其主要由玻璃基片，氧化不銹鋼膜層、金屬不銹鋼膜層、陶瓷氧化鈦膜層組成。其中，在所述的玻璃基片的表面從底層向上依次鍍制氧化不銹鋼膜層、金屬不銹鋼膜層、陶瓷氧化鈦膜層，從而構(gòu)成三層膜結(jié)構(gòu)。
[0006]前述的一種高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃，其中所述的玻璃基片為浮法玻璃。
[0007]前述的一種高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃，其中所述的氧化不銹鋼膜層厚度為50納米至60納米，所述的金屬不銹鋼膜層厚度為20納米至30納米，所說的陶瓷氧化鈦膜層厚度20納米至30納米。
[0008]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種制造高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃的制造方法，其在工廠鍍膜機(jī)上按如下具體步驟完成:首先將鍍膜室抽真空至本底真空度5X 10 - 4Pa以下，充入工藝氣體即氬氣、氮?dú)狻⒀鯕?，使鍍膜室?nèi)工藝氣體壓力穩(wěn)定在2.5X10 -1Pa左右，接通濺射電源，通過磁控濺射鍍膜設(shè)備使靶材開始濺射，玻璃基片經(jīng)清洗機(jī)清洗合格后進(jìn)入真空室，經(jīng)過靶材時(shí)，靶材原子或其化合物就會(huì)沉積到玻璃基片的表面，第一個(gè)和第二個(gè)靶靶材為金屬不銹鋼，工藝氣體為氬氣和氧氣，將氧化不銹鋼薄膜沉積到玻璃基片表面，形成第一層膜即氧化不銹鋼膜層；第二個(gè)靶靶材為金屬不銹鋼，工藝氣體為氬氣，將純金屬不銹鋼薄膜沉積到氧化不銹鋼膜層表面，形成第二層膜即金屬不銹鋼膜層；第三個(gè)靶靶材為陶瓷鈦，工藝氣體為氬氣和氧氣，將氧化鈦薄膜沉積到金屬不銹鋼膜層的表面，形成第三層膜即陶瓷氧化鈦膜層。[0009]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明一種高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃及其制造方法，可達(dá)到相當(dāng)?shù)募夹g(shù)進(jìn)步性及實(shí)用性，并具有產(chǎn)業(yè)上的廣泛利用價(jià)值，其至少具有下列優(yōu)點(diǎn):
[0010]1、本發(fā)明的金屬不銹鋼膜層主要起吸收太陽能的作用，使其對太陽能具有很高的吸收率。
[0011]2、本發(fā)明的氧化不銹鋼膜層通過干涉作用增加對太陽能的吸收并降低反射率，反射率低于6 %，同時(shí)可增加膜與玻璃的結(jié)合力，它可將太陽能有效地轉(zhuǎn)換成熱能。
[0012]3、本發(fā)明的陶瓷氧化鈦膜層采用納米陶瓷材料，主要起后續(xù)加工過程中保護(hù)膜層的作用。
[0013]4、本發(fā)明能將太陽能有效地轉(zhuǎn)換成熱能。主要應(yīng)用于平板太陽能集熱器，既可用于家庭供熱水，也可用于太陽能電站供熱水。
[0014]5、本發(fā)明的生產(chǎn)方法不復(fù)雜，生產(chǎn)成本低，易于大規(guī)模生產(chǎn)。
[0015]6、本發(fā)明對現(xiàn)在興起的平板型太陽能集熱器有與建筑結(jié)合容易，易操作、免維護(hù)、安全可靠、舒適性高。
[0016]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1:為本發(fā)明的具體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]其中，
[0019]1:玻璃基片2:氧化不銹鋼膜層
[0020]3:金屬不銹鋼膜層4:陶瓷氧化鈦膜層
【具體實(shí)施方式】
[0021]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的一種高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃及其制造方法，其【具體實(shí)施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
[0022]請參閱圖1所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃，其主要包括:玻璃基片1，氧化不銹鋼膜層2、金屬不銹鋼膜層3、陶瓷氧化鈦膜層4。其中:在所述的玻璃基片I的表面從底層向上依次鍍制氧化不銹鋼膜層2、金屬不銹鋼膜層3、陶瓷氧化鈦膜層4，從而構(gòu)成三層膜結(jié)構(gòu)。其中所述的玻璃基片I為浮法玻璃。
[0023]本發(fā)明是在高真空環(huán)境下，用磁控濺射鍍膜機(jī)在浮法玻璃表面上鍍制三層納米材料膜的方法，通過精確控制每層膜的厚度和化合物比例來得到設(shè)計(jì)的折射率和消光系數(shù)，實(shí)現(xiàn)對太陽光譜的吸收和減反射，生產(chǎn)一種具有太陽能高吸收率、低反射率的藍(lán)膜鍍膜玻
3? ο
[0024]本發(fā)明的高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃的制造方法是在工廠鍍膜機(jī)上按如下方法完成:首先鍍膜室抽真空至本底真空度5X10 - 4Pa以下，充入工藝氣體即氬氣、氮?dú)?、氧氣，使鍍膜室?nèi)工藝氣體壓力穩(wěn)定在2.5X10 -1Pa左右，接通濺射電源，通過磁控濺射鍍膜設(shè)備使靶材開始濺射，玻璃基片I經(jīng)清洗機(jī)清洗合格后進(jìn)入真空室，經(jīng)過靶材時(shí)，靶材原子或其化合物就會(huì)沉積到玻璃表面。第一個(gè)和第二個(gè)靶靶材為金屬不銹鋼，工藝氣體為氬氣和氧氣，將氧化不銹鋼薄膜沉積到玻璃基片I的表面，形成第一層膜即氧化不銹鋼膜層2，厚度50納米至60納米；第二個(gè)靶靶材為金屬不銹鋼，工藝氣體為氬氣，將純金屬不銹鋼薄膜沉積到該氧化不銹鋼膜層2的表面，形成為第二層膜即金屬不銹鋼膜層3，厚度20納米至30納米；第三個(gè)靶靶材為陶瓷鈦，工藝氣體為氬氣和氧氣，將氧化鈦薄膜沉積到金屬不銹鋼膜層3的表面，形成第三層即膜陶瓷氧化鈦膜層4，厚度20納米至30納米。
[0025]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃，其特征在于:主要由玻璃基片(1)，氧化不銹鋼膜層(2)、金屬不銹鋼膜層(3)、陶瓷氧化鈦膜層(4)組成，其中，在所述的玻璃基片(1)的表面從底層向上依次鍍制氧化不銹鋼膜層(2)、金屬不銹鋼膜層(3)、陶瓷氧化鈦膜層(4)，從而構(gòu)成三層膜結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃，其特征在于其中所述的玻璃基片(I)為浮法玻璃。
3.根據(jù)權(quán)利要求根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃，其特征在于其中所述的氧化不銹鋼膜層(2)厚度為50納米至60納米，所述的金屬不銹鋼膜層(3)厚度為20納米至30納米，所說的陶瓷氧化鈦膜層(4)厚度20納米至30納米。
4.一種制造權(quán)利要求1所述的一種高吸熱低反射藍(lán)膜鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于其在工廠鍍膜機(jī)上按如下具體步驟完成::首先將鍍膜室抽真空至本底真空度5X10 -4Pa以下，充入工藝氣體即氬氣、氮?dú)?、氧氣，使鍍膜室?nèi)工藝氣體壓力穩(wěn)定在2.5X10 -1Pa左右，接通濺射電源，通過磁控濺射鍍膜設(shè)備使靶材開始濺射，玻璃基片(I)經(jīng)清洗機(jī)清洗合格后進(jìn)入真空室，經(jīng)過靶材時(shí)，靶材原子或其化合物就會(huì)沉積到玻璃基片(1)的表面。第一個(gè)和第二個(gè)靶靶材為金屬不銹鋼，工藝氣體為氬氣和氧氣，將氧化不銹鋼薄膜沉積到玻璃基片(1)表面，形成第一層膜即氧化不銹鋼膜層(2);第二個(gè)靶靶材為金屬不銹鋼，工藝氣體為氬氣，將純金屬不銹鋼薄膜沉積到氧化不銹鋼膜層(2)表面，形成第二層膜即金屬不銹鋼膜層(3);第三個(gè)靶靶材為陶瓷鈦，工藝氣體為氬氣和氧氣，將氧化鈦薄膜沉積到金屬不銹鋼膜層(3)的表面，形成第三層膜即陶瓷氧化鈦膜層(4)。
【文檔編號】B32B17/06GK103963387SQ201410019113
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年1月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月15日
【發(fā)明者】王紅兵, 白留森 申請人:洛陽新晶潤工程玻璃有限公司