離型層、基板結(jié)構(gòu)、與柔性電子元件工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供的基板結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于柔性電子元件工藝，包括：支撐載體；離型層，以第一面積覆蓋支撐載體，其中離型層為芳香性聚亞酰胺；以及柔性(flexible)基板，以第二面積覆蓋離型層與支撐載體，其中第二面積大于第一面積，且柔性基板與支撐載體之間的密著度大于離型層與支撐載體之間的密著度。
【專利說明】離型層、基板結(jié)構(gòu)、與柔性電子元件工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種離型層（release layer)，特別涉及包括此離型層的基板結(jié)構(gòu)與 其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 由于2011年行動通訊快速興起與內(nèi)容服務(wù)相結(jié)合的發(fā)展趨勢，柔性顯示器已成 為新世代新穎顯示器的發(fā)展趨勢。世界各大研發(fā)公司均由現(xiàn)行厚重且易破碎的玻璃基板跨 入非玻璃系（如重量更輕的柔性塑料基板材料），并朝向主動式全彩TFT顯示面板邁進(jìn)。隨 著平面顯示器在智能手機（Smart Phone)與平板計算機（Tablet)的新應(yīng)用需求，產(chǎn)品設(shè)計 朝向薄化與重量更輕的趨勢邁進(jìn)。另一個備受矚目的發(fā)展重點為可撓式/柔性顯示技術(shù)， 未來可能開啟顯示器設(shè)計變革新紀(jì)元。隨著中小尺寸面板量產(chǎn)技術(shù)成熟，在輕薄、爭取電池 空間的價值要求下，有機會量產(chǎn)可撓式柔性顯示器。
[0003] 柔性基板的制造方式可分成批次式（batch type)及卷對卷（roll to roll)兩種 方式。若選擇批次式制作TFT元件，可利用現(xiàn)有TFT設(shè)備進(jìn)行制作，具有相當(dāng)優(yōu)勢。但批次 式必須發(fā)展所謂基板轉(zhuǎn)移或離膜技術(shù)，將柔性顯示器從玻璃上轉(zhuǎn)移到其它柔性基板上，或 由玻璃基板上取下柔性基板。而卷對卷式則必須利用全新設(shè)備來進(jìn)行，并必須克服轉(zhuǎn)動及 接觸所引發(fā)的相關(guān)問題。
[0004] 以批次式式制作TFT元件如LTPS，因工藝溫度高于400°C，所以需要耐高溫材料。 由于批次式可使用現(xiàn)有玻璃基板的相關(guān)工藝設(shè)備，可節(jié)省設(shè)備的成本支出。但如何在玻璃 上的柔性基板上進(jìn)行工藝時不會產(chǎn)生離型狀況，且在完成元件后又可輕易將柔性基板取下 而不粘附于玻璃上，將是一大關(guān)鍵。
[0005] 綜上所述，目前亟需新的基板結(jié)構(gòu)用于柔性電子元件工藝。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明提供可耐高溫材料（例如400°C以上），以應(yīng)用于TFT工藝，可使玻璃上的 柔性（flexible)基板上進(jìn)行工藝時不會產(chǎn)生離型狀況，且在完成元件后又可輕易將柔性 基板取下而不粘附于玻璃。
[0007] 本發(fā)明一實施例提供的離型層（release layer)，應(yīng)用于柔性電子元件工藝，且該 離型層為芳香性聚亞酰胺。
[0008] 本發(fā)明一實施例提供的基板結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于柔性電子元件工藝，包括：支撐載體；離 型層，以第一面積覆蓋支撐載體，其中離型層為芳香性聚亞酰胺；以及柔性基板，以第二面 積覆蓋離型層與支撐載體，其中第二面積大于第一面積，且柔性基板與支撐載體之間的密 著度（adhesion force)大于離型層與支撐載體之間的密著度。
[0009] 本發(fā)明一實施例提供的柔性電子元件工藝，包括：提供支撐載體；形成第一面積 的離型層覆蓋支撐載體，且離型層為芳香性聚亞酰胺；形成第二面積的柔性基板覆蓋離型 層與支撐載體，其中第二面積大于第一面積，且柔性基板與支撐載體之間的密著度大于離 型層與支撐載體之間的密著度；形成元件于柔性基板上；以及分離支撐載體與離型層，且 自支撐載體分離的離型層與柔性基板的面積實質(zhì)上等于第二面積。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010] 圖IA示出了本發(fā)明一實施例中的基板結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0011] 圖IB與圖IC示出了本發(fā)明一實施例中的基板結(jié)構(gòu)的上視圖。
[0012] 圖2A至圖2E示出了本發(fā)明一實施例中的柔性電子元件的工藝剖視圖。

【具體實施方式】
[0013] 本發(fā)明提供的基板結(jié)構(gòu)具有耐高溫的特性。在支撐載體與柔性基板中間，導(dǎo)入耐 高溫涂布型的離型層材料。藉由離型層，可分隔柔性基板與支撐載體，避免柔性基板在后段 高溫工藝后，柔性基板與玻璃粘死而無法分離，造成無法取下柔性基板的問題。上述基板結(jié) 構(gòu)可提升工藝良率。
[0014] 請參閱圖1A，本發(fā)明一實施例提供的基板結(jié)構(gòu)10可用于柔性電子元件工藝?；?板結(jié)構(gòu)10包括支撐載體12、離型層14、以及柔性基板16。支撐載體12可包括玻璃或硅晶 圓。離型層14覆蓋支撐載體12的面積為A1，且離型層14的圖案可為一或多個區(qū)塊（如 圖IB或圖IC所示）。值得注意的是，上述離型層14的圖案僅用以舉例，本【技術(shù)領(lǐng)域】中具有 通常知識者自可依需求選擇適當(dāng)?shù)碾x型層14的圖案的形狀、大小、與密度。離型層14為芳 香性聚亞酰胺，由二胺與二酸酐共聚而成。二胺為4, 4' -二胺基二苯醚、3, 4' -二胺基二苯 醚、對苯二胺、2, 2'-二（三氟甲基）二胺基聯(lián)苯、或上述的組合，且二酸酐為均苯四甲酸二 酐、聯(lián)苯四羧酸二酐、4, 4'-(六氟異丙烯）二酞酸酐、或上述的組合。二胺與二酸酐先聚合 形成聚酰胺酸（Polyamic acid, PAA)后,再脫水形成聚亞酰胺（Polyimide, PI),如式1所 /Jn 〇
[0015]

【權(quán)利要求】
1. 一種離型層，應(yīng)用于柔性電子元件工藝，且所述離型層為芳香性聚亞酰胺。
2. 權(quán)利要求1所述的離型層，其中所述芳香性聚亞酰胺由二胺與二酸酐共聚而成，所 述二胺為4, 4'-二胺基二苯醚、3, 4'-二胺基二苯醚、對苯二胺、2, 2'-二（三氟甲基）二胺 基聯(lián)苯、或上述的組合，且所述二酸酐為均苯四甲酸二酐、聯(lián)苯四羧酸二酐、4, 4' -(六氟異 丙烯）二酞酸酐、或上述的組合。
3. -種基板結(jié)構(gòu)，包括： 支撐載體； 離型層，以第一面積覆蓋該支撐載體，其中所述離型層為芳香性聚亞酰胺；以及 柔性基板，以第二面積覆蓋所述離型層與所述支撐載體，其中所述第二面積大于所述 第一面積，且所述柔性基板與所述支撐載體之間的密著度大于所述離型層與所述支撐載體 之間的密著度。
4. 權(quán)利要求3所述的基板結(jié)構(gòu)，其中所述芳香性聚亞酰胺由二胺與二酸酐共聚而成， 所述二胺為4, 4'-二胺基二苯醚、3, 4'-二胺基二苯醚、對苯二胺、2, 2'-二（三氟甲基）二 胺基聯(lián)苯、或上述的組合，且所述二酸酐為均苯四甲酸二酐、聯(lián)苯四羧酸二酐、4, 4' -(六氟 異丙烯）二酞酸酐、或上述的組合。
5. 權(quán)利要求3所述的基板結(jié)構(gòu)，其中所述支撐載體包括玻璃或硅晶圓。
6. 權(quán)利要求3所述的基板結(jié)構(gòu)，其中所述柔性基板的組成不同于所述離型層的組成， 且所述柔性基板包括聚亞酰胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚原冰烯、聚對苯二甲酸乙 二醇酯、聚醚醚酮、聚萘二甲酸乙二醇酯、或聚醚亞酰胺。
7. 權(quán)利要求3所述的基板結(jié)構(gòu)，更包括粉末混摻于所述柔性基板中。
8. 權(quán)利要求3所述的基板結(jié)構(gòu)，更包括元件形成于所述柔性基板上。
9. 一種柔性電子元件工藝，包括： 提供支撐載體； 形成第一面積的離型層覆蓋所述支撐載體，且所述離型層為芳香性聚亞酰胺； 形成第二面積的柔性基板覆蓋所述離型層與所述支撐載體，其中所述第二面積大于所 述第一面積，且所述柔性基板與所述支撐載體之間的密著度大于所述離型層與所述支撐載 體之間的密著度； 形成元件于所述柔性基板上；以及 分離所述支撐載體與所述離型層，且自所述支撐載體分離的離型層與所述柔性基板的 面積實質(zhì)上等于所述第二面積。
10. 權(quán)利要求9所述的柔性電子元件工藝，其中所述芳香性聚亞酰胺由二胺與二酸酐 共聚而成，所述二胺為4, 4' -二胺基二苯醚、3, 4' -二胺基二苯醚、對苯二胺、2, 2' -二（三 氟甲基）二胺基聯(lián)苯、或上述的組合，且所述二酸酐為均苯四甲酸二酐、聯(lián)苯四羧酸二酐、 4, 4'-(六氟異丙烯）二酞酸酐、或上述的組合。
11. 權(quán)利要求9所述的柔性電子元件工藝，其中形成所述元件于所述柔性基板上的步 驟的溫度介于250°C至450°C之間。
12. 權(quán)利要求9所述的柔性電子元件工藝，其中分離所述支撐載體與所述離型層的步 驟包括：以垂直所述支撐載體表面的方向，切割所述離型層與所述柔性基板重疊的邊緣部 份。
13.權(quán)利要求9所述的柔性電子元件工藝，更包括在分離所述支撐載體與所述離型層 的步驟后，分離所述柔性基板與所述離型層。
【文檔編號】B32B17/10GK104512075SQ201410130994
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年4月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月4日
【發(fā)明者】林志成, 呂奇明, 郭育如 申請人:財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院