專利名稱：聚合物薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種聚合物薄膜，特別是一種復(fù)合聚合物薄膜。
大家都知道，聚合物薄膜通常具有較差的傳送性，其結(jié)果是可能很難將它繞成優(yōu)質(zhì)的膜卷，并且不能有效地將其通過加工(例如縱切)設(shè)備。通過提高薄膜表面的糙度可以改進薄膜的傳送性，例如通過適當(dāng)?shù)厥褂猛繉?或者用另一種方法，將填料，即有機或無機的顆粒摻混到薄膜中。涂層和填料的結(jié)合可被用來改進薄膜的傳送性。使用涂層來改進薄膜的傳送性會造成問題，即這些涂層限制了薄膜可能被應(yīng)用的使用范圍，因為敷施附加的涂層會帶來一些困難，可能要求這些涂層具有，例如，抗靜電性、增粘性或剝離性。
為了改進薄膜的傳送性，人們已把各種各樣的填料，例如，瓷土、二氧化鈦、碳酸鈣、硫酸鋇、高嶺土、Zeeospheres和磷酸鈣摻混到薄膜中。然而，在薄膜中存在這些填料會導(dǎo)致薄膜的光學(xué)透明性降低和霧度增加。已經(jīng)使用各種填料的結(jié)合，例如不同化學(xué)種類和/或不同粒徑的結(jié)合，以優(yōu)化所需的薄膜特性。例如英國專利1372811號揭示了在兩種不同尺寸范圍內(nèi)使用兩種惰性添加劑，而美國專利3980611號介紹一種具有粗的、中等的和細(xì)的顆粒的薄膜。美國專利4654249號揭示一種聚合物薄膜，它包含以規(guī)定濃度存在的、具有某一粒徑范圍的高嶺土和二氧化鈦的混合物。
在薄膜的各種應(yīng)用中，例如包裝、上金薄膜、復(fù)印薄膜以及一般工業(yè)用薄膜中，光學(xué)透明性和透明度是一個重要的指標(biāo)。對能呈現(xiàn)高透光度、低霧度和良好傳送性的薄膜一直都是需要的。處理此問題的辦法之一是用含填料的薄層材料涂覆透明基膜，薄層材料起抗粘連劑的作用，而不致將復(fù)合薄膜的總透明度降低至不可接受的水平。美國專利4533509號介紹了這種類型的聚酯薄膜。
英國專利1465973號介紹一種聚酯薄膜復(fù)合材料，它包括一層透明的均聚酯和一層透明的共聚多酯。歐洲專利35835號介紹一種類似的聚酯薄膜復(fù)合材料，其中共聚多酯層中填料的平均粒徑大于該層的厚度。填料顆粒從共聚多酯層中突出，使薄膜產(chǎn)生良好的防粘連性而同時提高其透明度和可熱合性。然而，上述諸性能只有在某些特定的共聚多酯層厚度/填料粒徑比時才能實現(xiàn)。這樣對共聚多酯層厚度所需的任何變化(例如為了不同的商業(yè)應(yīng)用)就需要相應(yīng)地改變填料粒徑。這種情況導(dǎo)致對于不同的應(yīng)用就需要各種不同的填料。
我們已經(jīng)令人吃驚地克服或基本上減輕上述的一個或多個的問題。
因此，本發(fā)明提供一種聚合物薄膜，它包括聚合物材料的底基層和在該層的至少為一個的表面上的聚合物材料的第二層，該層含有，以第二層聚合物的重量為基準(zhǔn)計，(a)50～1000ppm的玻璃顆粒，其體積分布的中等粒子直徑為1.0～7.0μm，和(b)200～2000ppm的硅石顆粒，其平均的基本粒徑為0.01～0.09μm。
本發(fā)明還提供一種生產(chǎn)聚合物薄膜的方法，它包括形成聚合物材料的底基層，在該層的至少為一個的表面上有聚合物材料的第二層，該層含有，以第二層聚合物的重量為基準(zhǔn)計，(a)50～1000ppm的玻璃顆粒，其體積分布的中等粒徑為1.0～7.0μm，和(b)200～2000ppm的硅石顆粒，其平均的基本粒徑為0.01～0.09μm。
聚合物薄膜是一種自支承薄膜，即一種在沒有支承底基時能獨立存在的自支承結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的聚合物薄膜的基層或底基可由任何合成的、成膜聚合物材料形成。適用的熱塑性材料包括1-烯烴，如乙烯、丙烯和丁烯-1的均聚物或共聚物，聚酰胺，聚碳酸酯和，尤其是合成的線性聚酯，它可通過將一種或多種二羧酸或它們的低級烷基(最多為6個碳原子)的二酯，例如對苯二甲酸、間苯二甲酸、苯二甲酸、2，5-、2，6-或2，7-萘二甲酸、琥珀酸、癸二酸、己二酸、壬二酸、4，4′-聯(lián)苯二羧酸、六氫化對苯二甲酸或1，2-雙對羧苯氧基乙烷(可任意地含有一元羧酸，例如新戊酸)，與一種或多種二元醇，尤其是脂肪族二元醇，例如乙二醇、1，3-丙二醇、1，4-丁二醇、新戊二醇和1，4-環(huán)己二甲醇縮合而制得。特別優(yōu)選聚對苯二甲酸乙二酯薄膜底基，尤其是通過一般在溫度范圍為70°～125°F經(jīng)在二個相互垂直方向的順序拉伸，并且最在通常溫度范圍為150°～250°F經(jīng)過熱定形的，例如像英國專利838708中所描述的那樣的薄膜。
聚合物薄膜底基可包括括聚芳基醚或其硫代類似物，特別是聚芳基醚酮、聚芳基醚砜、聚芳基醚醚酮、聚芳基醚醚砜、或其共聚物或其硫代類似物。這些聚合物的例子已在EP-A-1879，EP-A-184458和US-A-4008203中被公開。特別適用的材料是由ICI PLC出售的注冊商標(biāo)為STABAR的材料。底基可以包括聚(亞芳基硫醚)，尤其是聚對亞苯基硫醚或其共聚物。還可以使用這些聚合物的共混物。
適用的熱固性材料包括加聚樹脂，例如丙烯酸類、乙烯基類、雙馬來酰亞胺類和不飽和聚酯類，甲醛縮合物樹脂-例如與脲、三聚氰胺或酚類的縮合物，氰酸酯樹脂，官能化聚酯，聚酰胺或聚酰亞胺。
根據(jù)本發(fā)明的聚合物薄膜可以是未取向的或單軸取向的，但最好是通過在薄膜平面的兩個相互垂直方向進行拉伸，以得到令人滿意的機械和物理性質(zhì)的結(jié)合的雙軸取向的。同步雙軸取向是這樣實現(xiàn)的，即擠出一熱塑性聚合物管，接著對其驟冷、再加熱，然后通過內(nèi)部氣壓膨脹以引起橫向取向，接著再以某一速率拉伸而引起縱向取向。順序拉伸可在展幅機加工中實現(xiàn)，即將熱塑性材料以扁平擠出物形式擠出，接著將其先沿某一方向進行拉伸，然后再以與其相互垂直的另一方向進行拉伸。一般說來，最好先在縱向(即通過薄膜拉伸機的前進方向)，然后在橫向拉伸。拉伸薄膜可以、而且最好是，通過在溫度高于其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和使尺寸受到約束的條件下進行熱定形，使其尺寸穩(wěn)定化。
根據(jù)本發(fā)明的聚合物薄膜的第二層包含一種或多種如前文所述的適用于形成聚合物底基層的聚合物材料。在本發(fā)明的一個優(yōu)選的實施方案中，底基和第二層包含相同的聚合物材料，較優(yōu)選的是聚酯，而特別優(yōu)選的是聚對苯二甲酸乙二酯。
在本發(fā)明的另一可供選擇的實施方案中，第二層包含一種可熱合材料，在不使底基層的聚合物材料軟化或熔化的情況下，通過對它加熱軟化和施以壓力，可熱合料能與本身或與底基，而最好是與二者形成熱合粘合。可熱合料合宜地包括聚酯樹脂，特別是由一種或多種的二元芳香羧酸，例如對苯二甲酸、間苯二甲酸和六氫化對苯二甲酸與一種或多種的二醇。例如乙二醇、二乙二醇、三乙二醇和新戊二醇衍生物的共聚多酯。能提供令人滿意的可熱合性的典型的共聚多酯是對苯二甲酸乙二酯和間苯二甲酸乙二酯，特別是摩爾比為50～90摩爾%的對苯二甲酸乙二酯與相應(yīng)的50～10摩爾%的間苯二甲酸乙二酯的共聚多酯。優(yōu)選的共聚多酯包含65～85摩爾%的對苯二甲酸乙二酯和35～15%的間苯二甲酸乙二酯，特別是包含約82摩爾%的對苯二甲酸乙二酯與約18摩爾%間苯二甲酸乙二酯的共聚多酯。
通過慣用的工藝，例如，通過將聚合物流延到預(yù)成型的底基層上可以實現(xiàn)在底基層上形成第二層。然而，更便利的方法是，通過共擠塑未形成復(fù)合片材(底基和第二層)，這既可以通過多孔模的各別的?？淄瑫r共擠出相應(yīng)的成膜層，然后將仍然熔融的各層結(jié)合在一起;也可，而且最好的是，通過單料道的共擠塑，其中相應(yīng)聚合物的熔流先在料道中合并導(dǎo)入到模頭集料管，其后在流線流動而不混合的條件下被一起從?？讛D出，由此形成復(fù)合片材。共擠塑片材被拉伸以實現(xiàn)底基的分子取向，而最好也使第二層分子取向。此外，最好對復(fù)合材料進行熱定形。
第二層可被置于底基層的一面或兩面上。薄膜復(fù)合材料可具有10～500μm、最好為50～175μm的總厚度，而第二層或每一第二層最好占復(fù)合材料總厚度的1～25%。第二層的優(yōu)選厚度可高達20μm、更優(yōu)選的為0.5～10μm、而特別優(yōu)選的為0.5～5μm。
適用于本發(fā)明聚合物薄膜的第二層中的玻璃粒子最好是實心玻璃珠，優(yōu)選的為具有與選定的視點無關(guān)的基本上為園形截面的玻璃珠。想望的是，各別玻璃粒子所呈現(xiàn)的d1∶d2的形態(tài)比(其中d1和d2分別為粒子的最大和最小粒徑)為1∶1至1∶0.5，優(yōu)選的為1∶1至1∶0.8，而最優(yōu)選的為1∶1至1∶0.9。
用于本發(fā)明的玻璃粒子并不受其化學(xué)種類的限制，但是玻璃粒子最好包括無鉛玻璃和/或硼硅玻璃以使所得的充填薄膜具有最佳的光學(xué)透明性。玻璃粒子既可以具有較光滑的表面，也可具有受蝕的或化學(xué)處理過的表面。通過使粒子與硝酸接觸一段充分長的時間而得到所要求的腐蝕度，這樣就可以適當(dāng)?shù)貙崿F(xiàn)玻璃粒子表面的腐觸。玻璃粒子表面的化學(xué)處理可能涉及合適的配位劑(例如，基于硅烷化學(xué)的那些試劑)的吸附或反應(yīng)。
摻入到本發(fā)明聚合物薄膜中的玻璃粒子之體積分布的中等粒徑(即，相應(yīng)于全部粒子體積的50%的當(dāng)量球直徑，它是根據(jù)體積%對粒徑的累積分布曲線讀出的-通常稱之為“D(V，0.5)”值)在1.0～7.0μm、優(yōu)選的為在2.0～4.5μm、而特別優(yōu)選的為在2.5～4.0μm范圍內(nèi)。玻璃粒子的尺寸分布也是一個重要的參數(shù)，例如存在過大的粒子可能使薄膜呈現(xiàn)難看的“斑點”即用肉眼可以發(fā)現(xiàn)在薄膜中存在的個別的填料粒子。在薄膜中存在過量的小粒子會引起霧度難以接受地增加。因此，理想的是，99.9%體積的粒子之實際粒徑應(yīng)不超過20μm、優(yōu)選的為不超過15μm、而特別優(yōu)選的為不超過10μm。最好，90%的玻璃粒子處于平均粒徑的±3.0μm、特別是±2.5μm的范圍。
為了獲得本發(fā)明的有利特性，在第二層中存在的玻璃粒子的濃度，以第二層中聚合物的重量為基準(zhǔn)計，應(yīng)在50～1000ppm、優(yōu)選為在100～800ppm、特別為在150～600ppm、而最好在200～400ppm范圍內(nèi)。
用于本發(fā)明的玻璃粒子最好包含非燒結(jié)性添加劑，其基本粒子結(jié)構(gòu)在其與成膜聚合物相混時仍保持無損，由此形成薄膜，在成品薄膜中玻璃仍保持離散的粒子形式。
適用于本發(fā)明的聚合物薄膜第二層中的各別或基本的硅石粒子，最好其斷面基本上為園形而與所選定的視點無關(guān)。想望的是，典型的基本硅石粒子所呈現(xiàn)的d1∶d2的形態(tài)比(其中d1和d2分別為粒子的最大和最小粒徑)為1∶1～1∶0.5，優(yōu)選的為1∶1～1∶0.8。
摻入到本發(fā)明聚合物薄膜中的基本硅石顆粒的平均粒徑(意指數(shù)均粒徑)的范圍為0.01～0.09μm、優(yōu)選的為0.02～0.08μm、特別優(yōu)選的為0.03～0.06μm。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，基本硅石粒子聚集而形成含有許多基本硅石粒子的團或塊?；竟枋Ｗ拥木奂^程可在硅石的實際合成過程中和/或在聚合物和薄膜的制備過程中發(fā)生。在最終的薄膜產(chǎn)品中，硅石團塊的平均粒徑最好在0.05～0.5μm、優(yōu)選為在0.2～0.4μm、尤其是在0.25～0.35μm范圍內(nèi)。
為了獲得本發(fā)明的有利特性，在最終聚合物薄膜中存在的硅石粒子的濃度，以第二層中聚合物的重量為基準(zhǔn)計，應(yīng)在200～2000ppm、優(yōu)選為在800～1600ppm、尤其是在1000～1400ppm范圍內(nèi)。
用于本發(fā)明薄膜中的硅石粒子最好含一種商業(yè)上已知類型的硅石如鍛制或熱解法氧化硅。鍛制氧化硅的制備可通過將四氯化硅氧烷在氧焰中反應(yīng)而形成單個的二氧化硅球形顆粒。上述的粒子通過碰撞和聚結(jié)而增大變成大的粒子，即基本粒子。當(dāng)粒子冷卻并開始凝結(jié)但仍繼續(xù)碰撞時，它們粘附但不聚結(jié)形成固體粒料，它們本身又繼續(xù)碰撞形成團或塊。以上給出的基本硅石粒子的平均粒徑值為單個已冷卻的球形硅石粒子的平均粒徑。
本發(fā)明所用的硅石粒子當(dāng)被加入到聚合物料或形成聚合物料的反應(yīng)物中時，最好，在限定的程度內(nèi)，進一步結(jié)塊成較大的粒子。
根據(jù)本發(fā)明的聚合物薄膜最好包括第二層，該層含100～800ppm的玻璃粒子和800～1600ppm的硅石粒子，尤其是含150～600ppm的玻璃粒子和1000～1400ppm的硅石粒子。另外，在第二層中的玻璃粒子最好呈現(xiàn)體積分布的中等粒徑值為2.0～4.5μm、而硅石粒子的平均粒徑為0.02～0.08μm，特別是玻璃粒子的體積分布的中等粒徑為2.5～4.0μm、而硅石粒子的平均粒徑為0.03～0.06μm。
本發(fā)明的聚合物薄膜是理想的光學(xué)透明的，最好具有廣角度霧度，對75μm厚的薄膜而言，為小于1.5%、更優(yōu)選的為小于1.2%、特別優(yōu)選的為小于1.0%、最優(yōu)選的為小于0.8%，根據(jù)ASTM標(biāo)準(zhǔn)D1003-61測定。
根據(jù)本發(fā)明的聚合物薄膜的第二層表面最好顯示出小于0.8的靜摩擦系數(shù)，優(yōu)選的為小于0.6，而特別優(yōu)選的為小于0.5的靜摩擦系數(shù)。
玻璃粒子和硅石粒子的粒徑可以通過電子顯微鏡、庫爾特計數(shù)器、沉降分析法和靜態(tài)或動態(tài)光散射法來測定?；诩す庋苌浼夹g(shù)的方法被優(yōu)選用來測定玻璃粒子的粒徑。中等粒徑可以通過繪制代表低于所選粒徑的粒子體積百分比的累積分布曲線并量測第50百分位來確定。
可在薄膜制造過程的擠出聚合物前的任何時候?qū)⒉ＡШ凸枋Ｗ蛹拥骄酆衔锏诙踊蛐纬删酆衔锏诙拥牟牧现?。對于包括聚酯第二層的?fù)合薄膜來說，最好是在聚酯合成的酯化反應(yīng)步驟中摻入作為二醇分散體的玻璃和硅石粒子。
根據(jù)本發(fā)明的薄膜之各層宜于含有聚合物薄膜制造時慣用的任何添加劑。因此，諸如染料、顏料、潤滑劑、抗氧劑、抗粘連劑、表面活性劑、滑爽劑、增光劑、降解助劑、紫外光穩(wěn)定劑、粘度調(diào)節(jié)劑以及分散體穩(wěn)定劑等試劑，如果合用的話，都可以被摻入到底基和/或第二層中。各種添加劑最好不要使聚合物薄膜的廣角度霧度增大到或超過上述值。特別是，為了生產(chǎn)最大光學(xué)特性的薄膜，本發(fā)明的聚合物薄膜之底基最好不含或幾乎不含填料。然而，例如，由于通常習(xí)慣在制膜過程中使用再生薄膜，因此底基可以含較少量的填料，優(yōu)選為小于500ppm、更優(yōu)選為小于250ppm、而特別為小于125ppm。
根據(jù)本發(fā)明的聚合物薄膜可以在其一個或二個表面上用一種或多種的附加的涂料、印墨、清漆和/或金屬層加以涂覆，從而形成例如與各組分材料相比顯示出改進的某些性能(諸如抗靜電性、增粘性或剝離性)的層合材料或復(fù)合材料。優(yōu)選的抗靜電涂層包含乙氧基化羥胺的多氯醇醚和聚乙二醇二胺，特別是歐洲專利-190499號中所公開的那種類型。
在涂料介質(zhì)積附到底基和/或第二層上之前，如果需要的話，其暴露表面可經(jīng)受化學(xué)或物理的表面改性處理，以改進表面與隨后敷施的涂層之間的粘合。優(yōu)選的處理是電暈放電，這可在空氣中和常壓下使用通用的設(shè)備來實現(xiàn)，即使用高頻、高壓發(fā)生器，優(yōu)選的發(fā)生器其輸出功率在1～100KV的電勢下為1～20KW。讓薄膜在放電工位的電介質(zhì)支承輥上以優(yōu)選為1.0～500米/分的線速度通過，即能方便地完成放電。放電電極可位于離移動的薄膜表面為0.1～10.0毫米處。另外一種方案是將底基用本技術(shù)領(lǐng)域中已知的對聚合物層具有溶劑或溶脹作用的試劑進行預(yù)處理。特別適用于聚酯薄薄表面處理的這類試劑的例子包括溶于常用有機溶劑中的鹵代酚，例如對氯間甲苯酚、2，4-二氯苯酚、2，4，5-或2，4，6-三氯苯酚或4-氯代間苯二酚的丙酮或甲醇溶液。
涂料介質(zhì)可以被敷施于已取向的薄膜底基上，但是最好在拉伸操作之前或之中進行涂料介質(zhì)的敷施。
尤其是，最好在熱塑性薄膜雙軸拉伸操作的二個步驟(縱向和橫向)之間將涂料介質(zhì)敷施到薄膜底基和/或第二層上。對于生產(chǎn)包括線型聚酯薄膜底基和/或聚酯第二層的涂覆聚合物薄膜來說，這樣的拉伸和涂覆順序尤被優(yōu)選，即最好先在一系列旋轉(zhuǎn)輥上進行縱向拉伸，涂覆涂料層，然后在展幅機爐中進行橫向拉伸，最好接著加以熱定形。
根據(jù)本發(fā)明的聚合物薄膜適用于各種的薄膜應(yīng)用，諸如包裝，例如作為紙板盒窗，上金薄膜，復(fù)印薄膜以及一般工業(yè)用薄膜。此處所描敘的聚合物薄膜特別適用于信息存儲與顯示。諸如剪輯、蒙板、漏板、過頂投影、膜接觸開關(guān)、縮微膠卷和印刷，如熱蠟轉(zhuǎn)印。根據(jù)本發(fā)明的薄膜能顯示出抗牛頓環(huán)性，在某些復(fù)印應(yīng)用中這是個重要的優(yōu)點。
在本說明書中使用以下的試驗方法來測定聚合物薄膜的某些性質(zhì)。
聚合物薄膜第二層表面本身的靜摩擦系數(shù)是通過根據(jù)ASTM D4518-87試驗的傾斜平面法使用Model IPST(Specialist Engineering，Welwyn，UK)測定的。
聚合物薄膜第二層表面本身的動摩擦系數(shù)是通過根據(jù)ASTM D1894-87的試驗方法、用英斯特朗萬能試驗機(Instron UK)測定的。
廣角度霧度是以透射光在穿過薄膜時按大于2.5°弧的平均量偏離薄膜表面法線的百分比來測定的，基本上根據(jù)ASTM D-1003-61測試法、使用Hazegard XL211霧度計(BYK Gardner US)。
用分切機來評估薄膜的傳送性和收卷性。以每分鐘50～400米的速度分切長度為1000～3000米、寬度為500～2000毫米的膜卷。評估所得分切膜卷的物理外觀。
現(xiàn)參照附圖對本發(fā)明進行說明，其中

圖1為具有被直接粘合到底基層的第一表面上的第二層的聚合物薄膜的示意剖面圖，未按比例。
圖2為具有被粘合到底基的第二表面上的另一個第二層的聚合物薄膜的類似示意圖。
參見附圖1，薄膜包括聚合物底基層(1)，在底基層的表面(3)上粘合有第二層(2)。
圖2的薄膜進一步包括另一第二層(4)，它被粘合到底基層(1)的第二表面(5)上。
通過參考以下的實施例對本發(fā)明作進一步的說明。
實施例1薄膜復(fù)合材料包括未充填的聚對苯二甲酸乙二酯(作為底基層)和兩個第二層，第二層由含約300ppm、具有體積分布的中等直徑為2.7μm的玻璃珠(Spheriglass E250 P4Cl，由美國Potters Industries Inc.供應(yīng))和約1200ppm、具有平均的基本粒徑為0.4μm的硅石粒子(Aerosil OX50，由Degussa供應(yīng))的聚對苯二甲酸乙二酯組成，玻璃珠的體積分布的中等粒徑是用Malvern Instruments Mastersizer MS15粒度計，使玻璃珠在高剪切(Chemcoll)混合機中分散后測定的。這種薄膜復(fù)合材料是用單料道共擠塑法生產(chǎn)的，其中未充填的和充填的聚對苯二甲酸乙二酯由各自的擠出機供給，并在通向擠出模頭的集料管中合并，然后在不相混的流線流動條件下經(jīng)過模頭被同時擠出。從擠出模頭出來的薄膜復(fù)合材料馬上在具有拋光表面的水冷旋轉(zhuǎn)金屬鼓上被驟冷，然后在約85℃溫度下在擠出方向被拉伸到其原始尺寸的3.3倍。然后將經(jīng)縱向拉伸的薄膜在溫度約120℃的展幅機爐中進行橫向拉伸到其原始尺寸的3.5倍。最后，在限制尺寸條件下在溫度約為225℃的展幅機爐中對薄膜復(fù)合材料進行熱定形。
所制得的薄膜復(fù)合材料是由雙軸取向的和熱定形的未充填的聚對苯二甲酸乙二酯的底層基料和兩個充填的聚對苯二甲酸乙二酯的第二層組成的。最后的薄膜厚度為75μm，每一第二層的厚度約為4μm。此薄膜經(jīng)受上述的測定并顯示以下的特性1)第二層的靜摩擦系數(shù)為0.462)第二層的動摩擦系數(shù)為0.363)霧度為1.3%通過收卷試驗形成的分切膜卷具有卓越的物理外觀。分切膜卷見不到“大小頭”或“偏斜”的跡象，即膜卷兩端平整并完全與膜卷的圓柱軸相垂直。在分切膜卷的表面或內(nèi)部也見不到疙瘩狀的缺陷。在分切膜卷的一端周圍或兩端周圍也見不到高棱的跡象。
實施例2此例為不屬于本發(fā)明的比較例。除了兩個第二層的每一個中都含有1550ppm的中等粒徑為0.8μm的瓷土外，重復(fù)實施例1的方法。使薄膜經(jīng)受上述測定，它顯示以下的特性1)第二層的靜摩擦系數(shù)為0.372)第二層的動摩擦系數(shù)為0.403)霧度為3.7%通過收卷試驗形成的分切膜也具有卓越的物理外觀并見不到“大小頭”或“偏斜”的跡象，疙瘩狀缺陷或在分切膜卷的兩端未出現(xiàn)高棱。然而，只有在薄膜具有不能接受的3.7%的霧度值的情況下才能達到這些收卷特性。
實施例3此例為不屬于本發(fā)明的比較例。重復(fù)實施例1的步驟，只是兩個第二層的每一個中都含有800ppm的硅石粒子而無玻璃珠。讓薄膜經(jīng)受上述方法的測定并顯示出可接受的霧度和不可接受的傳送性，因其靜摩擦系數(shù)大于1.1。
實施例4此例為不屬于本發(fā)明的比較例。重復(fù)實施例1的步驟，只是在兩個第二層的每一個中都含有300ppm的玻璃珠和100ppm的硅石粒子。讓薄膜經(jīng)受上述方法的測定，薄膜顯示出可接受的霧度和不可接受的傳送性，因其靜摩擦系數(shù)大于1.1。
實施例5此例為不屬于本發(fā)明的比較例。重復(fù)實施例1的步驟，只是兩個第二層的每一個中都含有1100ppm的玻璃珠和1200ppm的硅石粒子。讓薄膜經(jīng)受上述方法的測定，薄膜顯示出可接受的靜態(tài)摩擦系數(shù)和不可接受的大于1.5%的霧度值。
上述結(jié)果說明本發(fā)明的聚合物薄膜的改進的特性。
權(quán)利要求
1.一種聚合物薄膜，它包括一聚合物料的底層基料，在其至少為一個的表面上有聚合物料的第二層，以第二層聚合物的重量為基準(zhǔn)計，第二層含有(a)50～1000ppm的、具有體積分布的中等粒徑為1.0～7.0μm的玻璃粒子，和(b)200～2000ppm的、具有平均基本粒徑為0.01～0.09μm的硅石粒子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜，其中，以第二層的聚合物料的重量為基準(zhǔn)計，第二層含有100～800ppm的玻璃粒子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1和2的任何一項權(quán)利要求的薄膜，其中，以第二層聚合物的重量為基準(zhǔn)計，第二層含有800～1600ppm的硅石粒子。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求的任何一項權(quán)利要求的薄膜，其中，玻璃粒子具有2.0～4.5μm的體積分布的中等粒徑。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求的任何一項權(quán)利要求的薄膜，其中，硅石粒子具有0.02～0.08μm的平均基本粒徑。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求的任何一項權(quán)利要求的薄膜，其中，硅石粒子以團塊形式存在于第二層中，其平均粒徑為0.2～0.4μm。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求的任何一項權(quán)利要求的薄膜，其中，第二層構(gòu)成總薄膜厚度的1～25%。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求的任何一項權(quán)利要求的薄膜，其中，75μm厚的薄膜之廣角度霧度為小于1.5%
9.根據(jù)前述權(quán)利要求的任何一項權(quán)利要求的薄膜，其中，聚合物薄膜既包括雙軸取向的聚對苯二甲酸乙二酯的底層基材也包括至少為一個的雙軸取向的聚對苯二甲酸乙二酯的第二層。
10.一種生產(chǎn)聚合物薄膜的方法，包括形成一聚合物料的底層基料，其至少為一個的表面上具有聚合物材料的第二層，以第二層中聚合物的重量為基準(zhǔn)計，第二層包含(a)50～1000ppm的、具有體積分布的中等粒徑為1.0～7.0μm的玻璃粒子，和(b)200～2000μm的具有平均基本粒徑為0.01～0.09μm的硅石粒子。
全文摘要
一種聚合物薄膜，特別是聚酯薄膜，它包括一基本上未充填的底層基材和一充填的第二層，薄膜呈現(xiàn)出改進的透明度和傳送性的結(jié)合。填料是玻璃粒子和硅石粒子的混合物。玻璃粒子具有1.0-7.0μm的體積分布的中等粒徑，并在第二層中以50-1000ppm的濃度存在，而硅石粒子具有0.01-0.09μm的平均基本粒徑，在第二層中以200-2000ppm的濃度存在。這種薄膜適用于各種應(yīng)用，特別是用于信息存貯和顯示。
文檔編號B32B27/20GK1067847SQ9210439
公開日1993年1月13日 申請日期1992年5月16日 優(yōu)先權(quán)日1991年5月16日
發(fā)明者P·D·A·米爾斯, A·R·奧列克, J·A·西迪基 申請人:帝國化學(xué)工業(yè)公司