專利名稱：磁轉(zhuǎn)錄方法及磁轉(zhuǎn)錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在硬盤裝置及軟盤裝置所使用的磁盤的制造過程中，進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄記錄的磁轉(zhuǎn)錄方法及磁轉(zhuǎn)錄裝置。
目前，作為代表性磁盤裝置的硬盤驅(qū)動器已有面記錄密度超過1×109比特/平方英寸的商品，甚至已在議論數(shù)年后10×109比特/平方英寸的將實(shí)際應(yīng)用，技術(shù)進(jìn)步發(fā)展迅猛。
使這樣的高記錄密度成為可能的技術(shù)背景，雖然也有線記錄密度提高的因素，但主要因素在于，依靠了能將寬度僅數(shù)μm磁道的信號信噪比良好地再現(xiàn)的磁阻元件型磁頭。
隨著高記錄密度，也要求降低浮動磁滑塊相對磁記錄媒體的上浮量，增大了在上浮過程中因某種原因使盤片與滑塊發(fā)生接觸的可能性。在這樣的狀況下，對記錄媒體要求有更好的光滑性。
此時，要使磁頭正確掃描狹磁道，磁頭的跟蹤伺服技術(shù)起著重要的作用。使用這樣的跟蹤伺服技術(shù)的目前的硬盤驅(qū)動器在盤片一周中，以一定的角度間隔記錄有跟蹤用的伺服信號及地址信息信號、再現(xiàn)時鐘信號等。驅(qū)動裝置根據(jù)磁頭以一定時間間隔再現(xiàn)的這些信號，檢測磁頭位置并加以修正，使磁頭在磁道上正確掃描成為可能。
上述的伺服信號、地址信息信號、再現(xiàn)時鐘信號等是使磁頭在磁道上正確掃描用的基準(zhǔn)信號，因此，其寫入(以下稱格式化)必須有高的定位精度。目前的硬盤驅(qū)動器使用組裝有利用光干涉的高精度位置檢測裝置的專用伺服裝置(以下稱伺服記錄器)進(jìn)行記錄磁頭的定位后進(jìn)行格式化。
但是，上述利用伺服記錄器進(jìn)行的格式化存在以下的問題。
第1，邊對磁頭進(jìn)行高精度定位邊對多個磁道寫入信號要化很多時間。為了提高生產(chǎn)率必須使多個伺服記錄器同時工作。
第2，引入多個伺服記錄器，維護(hù)管理成本就增高。這些問題當(dāng)磁道密度越高、磁道數(shù)越多時問題越嚴(yán)重。
因此有人提出了這樣的方式格式化不是使用伺服記錄器，而是將預(yù)先寫入有所有伺服信息的稱為母盤的盤片與應(yīng)格式化的磁盤重疊，從外部給予轉(zhuǎn)錄用的能量，以此將母盤信息一下子轉(zhuǎn)錄在磁盤上。
作為其一個例子，例如有日本發(fā)明專利公開1998年第40544號公報所公開的磁轉(zhuǎn)錄裝置。
該公報公開了這樣的方法在基體表面以相對信息信號的圖案形狀形成由強(qiáng)磁性材料構(gòu)成的磁性部來作為磁轉(zhuǎn)錄用母盤，使該磁轉(zhuǎn)錄用母盤的表面與形成有強(qiáng)磁性薄膜或強(qiáng)磁性粉涂層的的片狀或盤狀磁記錄媒體的表面接觸，并施加規(guī)定的磁場，以此將與形成在磁轉(zhuǎn)錄用母盤上的信息信號對應(yīng)的圖案形狀的磁化圖案記錄在磁記錄媒體上。
但是，盤片旋轉(zhuǎn)時磁頭與盤片表面的間隙一般為30nm左右，因此盤片表面的凹凸最大也必須控制在20nm左右。如果磁記錄媒體上存在更大的凸起，則數(shù)據(jù)記錄再現(xiàn)時，磁頭與磁記錄媒體就會接觸。在這種情況下，接觸的瞬間磁頭與磁盤的間隔變大，信號的記錄再現(xiàn)性能下降，并由于磁頭與磁盤物理性接觸，故會引起磁頭壽命下降。
即，上述日本發(fā)明專利公開1998年第40544號公報所公開的磁轉(zhuǎn)錄裝置，雖能在瞬間完成格式化，但其缺點(diǎn)是，因?yàn)榇呸D(zhuǎn)錄用母盤與磁盤在整個面接觸，為了以這樣的磁頭、盤片之間的間隙也能經(jīng)得起實(shí)際使用，必須進(jìn)行嚴(yán)格的表面管理。
還有，近年來，磁盤、光磁盤、光盤等盤狀記錄媒體正在進(jìn)行小型化、薄型化、高容量化等的高性能化，隨之如上所述，對高密度記錄媒體的要求也增高。為了滿足這樣的要求，必須有高精度高可靠性的盤狀記錄媒體，制造平坦性、光滑性良好且記錄信息時不會附著微小塵埃等的盤狀記錄媒體成為當(dāng)務(wù)之急。
相對上述要求，上述現(xiàn)有的磁轉(zhuǎn)錄裝置無論進(jìn)行怎樣嚴(yán)格的管理，也很難避免混入微小異物，在將母盤與要格式化的磁盤疊合的瞬間，由于這樣的異物在母盤或磁盤表面會產(chǎn)生微小的異常凸起。一般母盤的材質(zhì)為硅，磁盤是硬度比此低的材質(zhì)例如鋁，在這樣的情況下，母盤上異物引起的凸部會被形狀復(fù)制成磁盤側(cè)的凹陷，相反，在磁盤為硬度高的材質(zhì)、例如為玻璃時，由于磁盤上存在的異物，母盤側(cè)會產(chǎn)生缺陷，在這種情況下，其缺陷會全部反映在然后進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄的磁盤上，很難高效率穩(wěn)定地制造高品質(zhì)的磁盤。
本發(fā)明的目的在于，為了制造能將這樣的微小凸起減小到不成問題的大小、記錄再現(xiàn)時不會發(fā)生錯誤的高品質(zhì)盤片，實(shí)現(xiàn)一種能進(jìn)行正確的磁轉(zhuǎn)錄的磁轉(zhuǎn)錄裝置。
發(fā)明的公開本發(fā)明的磁轉(zhuǎn)錄方法，是一種將形成有磁性膜的磁轉(zhuǎn)錄用母盤貼緊在形成有強(qiáng)磁性層的磁盤表面，使用外界磁場將磁轉(zhuǎn)錄用母盤的磁性膜圖案磁轉(zhuǎn)錄在磁盤表面上的制造方法，首先使用暫設(shè)的盤片使其壓在磁轉(zhuǎn)錄用母盤上，此時對磁轉(zhuǎn)錄用母盤與磁盤間的氣體反復(fù)進(jìn)行抽吸、壓送，然后安裝正規(guī)的磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄記錄。通過采用這樣的方法，可以使磁轉(zhuǎn)錄時的磁轉(zhuǎn)錄用母盤表面始終保持無異物及毛刺的光滑狀態(tài)，能制造出幾乎不會產(chǎn)生對進(jìn)行了磁轉(zhuǎn)錄的磁盤來說會成為問題的微小凸起的、高品質(zhì)的磁盤。
此外，本發(fā)明的磁轉(zhuǎn)錄方法可以提供這樣的磁轉(zhuǎn)錄方法，還具有檢測磁盤表面缺陷的缺陷檢測手段，用該缺陷檢測手段測出在磁盤表面有規(guī)定數(shù)以上的缺陷時，使磁轉(zhuǎn)錄用母盤與暫設(shè)盤的貼緊、分離的操作重復(fù)規(guī)定次數(shù)之后，將暫設(shè)盤更換成磁轉(zhuǎn)錄前的磁盤，并使其與磁轉(zhuǎn)錄用母盤貼緊，進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄記錄，以此可以定期進(jìn)行除去磁轉(zhuǎn)錄用母盤的污垢及異物的維護(hù)保養(yǎng)，能長期進(jìn)行高品質(zhì)磁盤的磁轉(zhuǎn)錄。
還有，在本發(fā)明中，在磁轉(zhuǎn)錄用母盤上使與暫設(shè)盤貼緊、分離的區(qū)域完全包含進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄時從磁轉(zhuǎn)錄用母盤向磁盤的磁轉(zhuǎn)錄區(qū)域。由此，磁盤的外周側(cè)邊緣部也能正確轉(zhuǎn)錄伺服信號，能制造高品質(zhì)的磁盤。
此外，本發(fā)明的磁轉(zhuǎn)錄方法在使暫設(shè)母盤與磁盤貼緊、分離的操作重復(fù)規(guī)定次數(shù)之后，將暫設(shè)母盤更換成磁轉(zhuǎn)錄用母盤，使其與磁盤貼緊后進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄，以此能除去磁盤上的異物，能在保證有極光滑的表面性和高可靠性的情況下，進(jìn)行正確的磁轉(zhuǎn)錄。
還有，本發(fā)明的磁轉(zhuǎn)錄裝置是一種使至少一個面上形成有磁性膜的磁轉(zhuǎn)錄用母盤貼緊在磁盤上并施加外界磁場，以此將所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的磁性膜圖案磁轉(zhuǎn)錄到所述磁盤上的磁轉(zhuǎn)錄裝置，包括寫入有應(yīng)轉(zhuǎn)錄的規(guī)定信息的所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤；可滑動地定位于導(dǎo)向構(gòu)件、保持所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的保持部；設(shè)有通氣孔、支承所述磁盤或暫設(shè)盤的支承臺；向設(shè)于所述支承臺的所述通氣孔供給氣體用的供氣部；從所述通氣孔排出氣體用的排氣部；以及，施加磁轉(zhuǎn)錄用的磁場的磁鐵。由于該構(gòu)成，可以使磁轉(zhuǎn)錄時的磁轉(zhuǎn)錄用母盤表面始終保持無異物和毛刺的光滑狀態(tài)，而被磁轉(zhuǎn)錄的磁盤幾乎不發(fā)生微小凸起，能制造高品質(zhì)的磁盤。
附圖的簡單說明

圖1為示出本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)的工序的流程圖。
圖2所示為本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄裝置的剖視圖。
圖3為示出圖2的磁轉(zhuǎn)錄裝置中磁轉(zhuǎn)錄用母盤與暫設(shè)盤貼緊時狀態(tài)的磁轉(zhuǎn)錄裝置的剖視圖。
圖4為示出本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄用母盤的與磁盤的接觸面的圖。
圖5為示出本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄用母盤的輪轂形狀之一例的圖。
圖6為示出本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)的磁轉(zhuǎn)錄裝置中的氣體抽吸、壓送時空間S的氣壓的時間經(jīng)過說明圖。
圖7為示出將磁盤向一個方向磁化后的狀態(tài)的立體圖。
圖8為示出在磁盤規(guī)定區(qū)域，記錄有與母盤磁性部的圖案形狀對應(yīng)的信息信號狀態(tài)的圖。
圖9為示出將與母盤上形成的圖案形狀對應(yīng)的信息信號轉(zhuǎn)錄到磁盤上的順序的圖。
圖10所示為對用本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄裝置進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之后的磁盤表面用異物檢測裝置進(jìn)行測定所得數(shù)據(jù)的圖。
圖11所示為對用現(xiàn)有的磁轉(zhuǎn)錄裝置進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之后的磁盤表面用異物檢測裝置進(jìn)行測定所得數(shù)據(jù)的圖。
圖12為示出磁盤表面的缺陷數(shù)與抽吸/壓送次數(shù)之關(guān)系的圖。
圖13A為示出磁轉(zhuǎn)錄用母盤上形成的磁道圖案邊緣部出現(xiàn)的初始狀態(tài)的毛刺的圖。
圖13B為示出重復(fù)進(jìn)行抽吸/壓送之后狀態(tài)的毛刺的圖。
圖13C為示出磁轉(zhuǎn)錄用母盤上形成的初始狀態(tài)的凸起部的圖。
圖13D為示出重復(fù)進(jìn)行抽吸/壓送之后狀態(tài)的凸起部的圖。
圖14為示出本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄用母盤的信號區(qū)域之一例的示意圖。
圖15為示出本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄用母盤的信號區(qū)域的局部放大示意圖。
圖16為示出本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄用母盤的信號區(qū)域的局部剖面示意圖。
圖17為示出本發(fā)明第2實(shí)施形態(tài)的磁轉(zhuǎn)錄方法的工序的流程圖。
圖18為示出暫設(shè)盤上潤滑劑的有無與磁轉(zhuǎn)錄用母盤上的異物、缺陷數(shù)及抽吸/壓送之關(guān)系的圖。
圖19A為示出在使用涂有潤滑劑的暫設(shè)盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄后的磁盤上記錄的信號的再現(xiàn)包絡(luò)線的圖。
圖19B為示出在使用未涂潤滑劑的暫設(shè)盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄后的磁盤上記錄的信號的再現(xiàn)包絡(luò)線的圖。
圖20A為示意性示出使本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄用母盤比暫設(shè)盤大時的抽吸/壓送時之關(guān)系的圖。
圖20B為示意性示出本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)中的磁盤的安裝位置偏離暫設(shè)盤時的抽吸/壓送時之關(guān)系的圖。
圖21為示出暫設(shè)盤相對本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)中的較大磁轉(zhuǎn)錄用母盤貼緊位置之一例的圖。
圖22為示出本發(fā)明第4實(shí)施形態(tài)的磁轉(zhuǎn)錄裝置中的工序的流程圖。
圖23為示出進(jìn)行了本發(fā)明第4實(shí)施形態(tài)中抽吸、壓送之工序狀態(tài)下的磁轉(zhuǎn)錄用母盤表面的圖。
圖24為示出未進(jìn)行本發(fā)明第4實(shí)施形態(tài)中的抽吸、壓送之工序狀態(tài)下的磁轉(zhuǎn)錄用母盤表面的圖。
實(shí)施發(fā)明的最佳形態(tài)以下參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說明。
本發(fā)明是一種磁轉(zhuǎn)錄方法及磁轉(zhuǎn)錄裝置，該方法及裝置通過使磁轉(zhuǎn)錄用母盤的形成有磁性膜的表面貼緊暫設(shè)盤來凈化磁轉(zhuǎn)錄用母盤之后，使磁轉(zhuǎn)錄用母盤疊合在磁盤上進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄記錄。
在本發(fā)明的各實(shí)施形態(tài)中，對將磁轉(zhuǎn)錄用母盤的磁性膜圖案磁轉(zhuǎn)錄到正規(guī)磁盤表面的磁轉(zhuǎn)錄方法及磁轉(zhuǎn)錄裝置進(jìn)行說明。
第1實(shí)施形態(tài)用圖1-圖6對本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄方法及磁轉(zhuǎn)錄裝置進(jìn)行說明。
圖1為本實(shí)施形態(tài)的磁轉(zhuǎn)錄方法的流程圖。在圖1中，首先通過濺射法等公知的方法，對正規(guī)的磁盤(以下稱磁盤)在盤片表面形成例如由Co等構(gòu)成的強(qiáng)磁性薄膜作為磁性層。
另一方面，將暫設(shè)盤裝在磁轉(zhuǎn)錄裝置(以下稱裝置)上，使磁轉(zhuǎn)錄用母盤(以下稱母盤)靠近暫設(shè)盤之后，重復(fù)進(jìn)行抽吸/壓送，然后更換成磁盤，進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄。又，母盤是事前已安裝在母盤上的。
接著使用圖2-圖5，詳細(xì)說明圖1的磁轉(zhuǎn)錄工序。
圖2為本實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄裝置的剖視圖，示出母盤與暫設(shè)盤相分離時的狀態(tài)。圖3示出母盤2與暫設(shè)盤1貼緊時的狀態(tài)。圖4為示出母盤2中的與磁盤的接觸面3的圖，槽4從母盤2的中心起放射狀擴(kuò)展。在本實(shí)施形態(tài)中，槽的深度設(shè)定為5μm左右。
在圖2中，暫設(shè)盤1在進(jìn)行抽吸/壓送的工序之后，更換成磁盤。暫設(shè)盤的材質(zhì)使用鋁。母盤2的材質(zhì)使用比鋁硬的最好使用硅。在母盤2上的與暫設(shè)盤1的接觸面3上，設(shè)有從母盤2中心呈放射狀伸展的槽4(參照圖4)。圖2中的母盤2示出的是通過該槽的沿圖4的虛線2-2的剖面。
在母盤2的中心部固定有中心塊5，與暫設(shè)盤1的內(nèi)周孔有間隙地嵌合。支承臺6支承著暫設(shè)盤1，中心部設(shè)有流過空氣用的通氣孔7。通道8是對母盤2與暫設(shè)盤1之間的氣體進(jìn)行排出、壓送用的。氣體經(jīng)過氣體排出口9及控制氣體排出的排氣閥11，從與氣體排出口9連接的抽吸泵10排出。此外，供氣泵12向通道8壓送氣體，供氣閥13控制氣體的供氣。在此，供氣泵12設(shè)有0.01μm的空氣過濾器，以使0.01μm以上的異物不被壓送到通道8。
保持母盤2用的保持臂14保持著母盤2。作為保持方法，也有粘接等方法，但也可以如圖2所示，通過從設(shè)于保持臂14的通孔19抽吸氣體，將母盤2吸附。
保持臂14再通過導(dǎo)向構(gòu)件16，經(jīng)上部的中心塊部，沿垂直方向可自由滑動地被定位。
但是，母盤2的定位方法并不限于依靠保持臂14的方法，例如通過使中心塊5的外周與磁盤(在此是暫設(shè)盤1)的內(nèi)周孔嵌合也可以進(jìn)行。在這樣的情況下，中心塊5的形狀如圖5所示，母盤2與暫設(shè)盤1之間的氣體通過設(shè)于中心塊5外周部的缺口部51被排出、壓送。
接著利用圖2-圖4，詳細(xì)說明抽吸/壓送工序。
首先參照圖2，說明利用壓送的分離的工序。關(guān)閉排氣閥11，打開供氣閥13，在該狀態(tài)使供氣泵12工作，使氣體流入通道8。于是，在通氣孔7內(nèi)，如圖2的箭頭A所示，空氣向上方壓送。因此，被壓送到通氣孔7內(nèi)的空氣將中心塊5向上推壓，再如箭頭B所示，空氣被壓送入槽4。被壓送到槽4的空氣通過槽4從母盤2的中心向外周放射狀擴(kuò)散。再從槽4通過母盤2與暫設(shè)盤1的間隙向大氣排放。由于該空氣的流動，附著在母盤2及暫設(shè)盤1表面的微小異物與氣體一起被排出到外部。
圖6示出了從抽吸工序向壓送工序變化時的時間經(jīng)過與夾在母盤2與暫設(shè)盤1之間空間(以下稱空間S)的氣壓之關(guān)系。在圖6中，從時間經(jīng)過約3秒起空間S的氣壓從30kPa瞬間上升，之后約1秒鐘保持超過大氣壓的130kPa程度的氣壓，該期間相當(dāng)于圖2所示的母盤2與磁盤1分離時的狀態(tài)。
此時，暫設(shè)盤1與母盤2之間的間隙最好設(shè)定得盡量小。在本實(shí)施例中設(shè)定為約0.5mm。因此，暫設(shè)盤1與母盤2之間的氣體流動加快，可以將存在于兩者之間的微小異物可靠排出到外部。
在本實(shí)施形態(tài)中，當(dāng)母盤2和保持臂14成一體地從暫設(shè)盤1與母盤2貼緊的狀態(tài)上升了0.5mm時，由于保持臂14的上側(cè)面與導(dǎo)向構(gòu)件16的下側(cè)面抵靠，故暫設(shè)盤1與母盤2間的距離得到控制。
以下使用圖3說明利用抽吸而貼緊的工序。
使供氣泵12停止，關(guān)閉供氣閥13。于是，保持母盤2的保持臂14因自重而向下移動，母盤2以中心塊5與暫設(shè)盤1的內(nèi)周孔嵌合的狀態(tài)放置在暫設(shè)盤1之上。然后，打開排氣閥11，使排氣泵10工作。于是，如圖3的箭頭C所示，通氣孔7的氣體向下方排出，因此槽4內(nèi)部即空間S的氣體也通過暫設(shè)盤1的內(nèi)周孔與中心塊5的間隙被排出。
在此，因?yàn)椴?如圖4所示，并不是一直開設(shè)到母盤2最外周的形狀，所以，在最外周的厚壁部分，母盤2與暫設(shè)盤1在整個圓周呈貼緊狀態(tài)，空間S呈密閉狀態(tài)，其壓力比大氣壓低。因此，暫設(shè)盤1被大氣壓15壓靠在母盤2上(圖3)。
其結(jié)果是，暫設(shè)盤1上存在的異物被夾在暫設(shè)盤1與母盤2之間。若比較暫設(shè)盤1與母盤2的硬度，則暫設(shè)盤的硬度較低，故夾在兩者間的異物不會損傷母盤2的表面，而是進(jìn)入暫設(shè)盤1側(cè)或使其產(chǎn)生缺陷。此外，母盤2上存在的微小異常凸起由于與暫設(shè)盤1貼緊而趨向平坦。
圖6中空間S的氣壓為30kPa程度的期間相當(dāng)于上述貼緊狀態(tài)。
但槽4的形狀并不限于上述形狀，在槽4為開設(shè)至母盤2外周形狀的情況下，只要設(shè)置能密封母盤2與暫設(shè)盤1的外周的構(gòu)件就行。
下面再次實(shí)施圖2所示的分離工序。即，關(guān)閉排氣閥11，打開供氣閥13，使供氣泵12工作。于是，如箭頭A、B所示氣體被壓送，母盤2由于氣體壓送的力而與保持臂14成一體移動，在保持臂14的上側(cè)面與導(dǎo)向構(gòu)件16抵靠處停止。此時如箭頭B所示，氣體通過槽4保持從母盤2的中心向外周側(cè)放射狀壓送的狀態(tài)。由于這樣的情況，存在于暫設(shè)盤1表面的異物與從供氣泵12壓送來的氣體一起被排出到外部。
上述抽吸、壓送重復(fù)進(jìn)行規(guī)定次數(shù)之后，將暫設(shè)盤1換成正規(guī)的磁盤，對磁盤進(jìn)行上述的抽吸工序，在磁盤與磁轉(zhuǎn)錄用母盤2貼緊的狀態(tài)下，如圖3所示，進(jìn)行施加磁場的工序。
即，如圖3所示，使磁鐵17向箭頭D方向移動而靠近母盤2，當(dāng)其距離約為1mm時停止向箭頭D方向的移動。接著使磁鐵17向磁盤的圓周方向即箭頭E的方向旋轉(zhuǎn)1周以上來施加轉(zhuǎn)錄必需的磁場。
使用圖7-圖9，對將與母盤2形成的圖案形狀對應(yīng)的信息信號轉(zhuǎn)錄到磁盤100上的順序作更詳細(xì)的說明。
首先，在使磁鐵17靠近母盤2的狀態(tài)下，以母盤2的中心軸為旋轉(zhuǎn)軸，使磁鐵17與母盤2平行地旋轉(zhuǎn)，如圖7的箭頭所示，預(yù)先向一個方向磁化磁盤100(初始磁化)。
接著如上所述，在將母盤2定位并疊合于磁盤100上的狀態(tài)下，使母盤2與磁盤100均勻貼緊，然后使磁鐵17向與圖3的箭頭E相反的方向旋轉(zhuǎn)。即施加與初始磁化相反方向的磁場，于是母盤2的磁性部26被磁化，在與母盤2疊合的磁盤100的與母盤2的磁性部26對應(yīng)的規(guī)定區(qū)域116，如圖8所示，被記錄與母盤2的磁性部26的圖案形狀對應(yīng)的信息信號。又，圖8所示的箭頭表面此時轉(zhuǎn)錄在磁盤1上的磁化圖案的磁場的方向。
圖9示出該磁化處理時的情況，在使母盤2貼緊在磁盤1上的狀態(tài)下，從外部向磁轉(zhuǎn)錄用母盤2施加磁場而使磁性部26磁化，能將信息信號記錄在磁盤100的強(qiáng)磁性層1c上。即，通過使用在非磁性的硅基體2b上形成有由排列圖案形狀與規(guī)定的信息信號對應(yīng)的強(qiáng)磁性薄膜構(gòu)成的磁性部26的母盤2，作為與該信息信號對應(yīng)的磁化圖案，能磁轉(zhuǎn)錄記錄在磁盤100上。
另外，作為將母盤2的圖案轉(zhuǎn)錄到磁盤1時的方法，除了如上所述，在使母盤2與磁盤100接觸的狀態(tài)下施加外部磁場的方法之外，預(yù)先使母盤2的磁性部26磁化，在該狀態(tài)使母盤2與磁盤1貼緊接觸的方法，也能記錄信息信號。
圖10及圖11示出了用異物檢測裝置等測定制成的磁盤表面狀態(tài)的測定結(jié)果，圖11所示為傳統(tǒng)轉(zhuǎn)錄方法即未使用暫設(shè)盤未進(jìn)行上述的抽吸/壓送動作情況下轉(zhuǎn)錄的磁盤的表面狀態(tài)。表2所示為使用傳統(tǒng)轉(zhuǎn)錄方法的缺陷深度與缺陷個數(shù)的關(guān)系。
表1

表2

從圖11及表2可知，磁盤表面深度為40nm以上的缺陷有24個，尤其是很多存在于外周部。
與此相對照，圖10所示為在使用暫設(shè)盤進(jìn)行上述抽吸/壓送動作10萬次之后，換上正規(guī)的磁盤進(jìn)行了磁轉(zhuǎn)錄的磁盤的表面狀態(tài)。表1示出了此時的缺陷深度與缺陷個數(shù)的關(guān)系。從表1可知，磁盤表面存在的40nm以上的缺陷為2個。
從這些圖可知，通過使用暫設(shè)盤重復(fù)進(jìn)行抽吸/壓送動作，母盤2的表面趨向光滑，明顯減少了如傳統(tǒng)那樣的因母盤2上的異常凸起而存在的磁盤上的缺陷。
圖12將抽吸/壓送的動作次數(shù)與缺陷深度40nm以上的缺陷個數(shù)之關(guān)系變成了圖，從圖10可知，越增加抽吸/壓送的動作次數(shù)，缺陷1的數(shù)目越減少。
圖13A-13D所示為母盤2表面的初始狀態(tài)及經(jīng)過上述反復(fù)抽吸/壓送之后的狀態(tài)。
可以知道，在形成于母盤2上的磁道圖案21的邊緣部出現(xiàn)的如圖13A所示那樣的初始狀態(tài)的毛刺22，如圖13B所示，通過10萬次的抽吸/壓送而變光滑。
此外可知，初期存在的如圖13C那樣的凸起部23如圖13D所示，由于10萬次的抽吸/壓送而變光滑，除了凸起量最大的凸起部頂端24之外基本消失了。
如上所述，若采用本實(shí)施形態(tài)，通過在磁轉(zhuǎn)錄之前使用暫設(shè)盤進(jìn)行抽吸/壓送動作，除去母盤2表面存在的異物，并使異常凸起變平坦，因此可以制造有極光滑的表面性的高品質(zhì)磁盤，可以進(jìn)行正確的磁轉(zhuǎn)錄。
另外，若暫設(shè)盤的表面污垢或表面異物數(shù)達(dá)到規(guī)定數(shù)以上，就換成新的暫設(shè)盤。
此外，如本實(shí)施形態(tài)所示，暫設(shè)盤的表面硬度最好比母盤的表面硬度低。這是因?yàn)椋绻麜涸O(shè)盤表面硬度比母盤的表面硬度高，則當(dāng)母盤2與暫設(shè)盤1之間存在硬度比母盤的表面硬度高但比暫設(shè)盤的表面硬度低的異物時，因?yàn)闀涸O(shè)盤的表面硬度比異物的硬度高，故暫設(shè)盤表面不會產(chǎn)生凹陷，即，暫設(shè)盤側(cè)不會附著異物。因此，異物附著在母盤2側(cè)，在該狀態(tài)，然后當(dāng)暫設(shè)盤1與母盤2貼緊時，因?yàn)楫愇镉捕缺葧涸O(shè)盤1的表面硬度高，故在暫設(shè)盤1的表面產(chǎn)生凹陷，成為引起缺陷的原因。
相反，如果如本實(shí)施形態(tài)那樣，使暫設(shè)盤的表面硬度比暫設(shè)盤的表面硬度要小，則當(dāng)暫設(shè)盤1與母盤2貼緊時，由于上述原因，能可靠防止暫設(shè)盤產(chǎn)生凹陷。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，暫設(shè)盤的材質(zhì)為鋁，但并不受此限制，例如也可以將在鋁表面形成有鍍層的盤片用作暫設(shè)盤。作為鍍層，最好是具有如Co-Re-P、Co-Ni-P、Co-Ni-Re-P那樣強(qiáng)磁性的磁特性的材料。通過在暫設(shè)盤表面形成具有磁特性的鍍層，能獲得以下所示的效果。即，當(dāng)母盤盤片2的表面上存在的磁性膜有異常凸起時，由于與暫設(shè)盤1反復(fù)進(jìn)行貼緊/分離的動作，故磁性膜會剝離，但由于暫設(shè)盤1的表面形成有具有磁特性的鍍層，故磁性膜可靠地附著在暫設(shè)盤側(cè)。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，未實(shí)施拋光工序，但也可以例如在使用磁帶、磁頭、拋光劑等實(shí)施拋光工序之后，通過進(jìn)行上述的抽吸/壓送工序來除去磁盤表面上殘存的拋光粉及車削粉末。在該情況下，壓送時的壓力保持原樣，提高抽吸時的壓力，例如設(shè)定為60kPa程度，能進(jìn)一步提高除去效果。
現(xiàn)對圖4所示的母盤2進(jìn)行詳細(xì)說明。
圖14所示為磁轉(zhuǎn)錄用母盤2之一例的平面示意圖。如圖14所示，在母盤2的一主面即與磁盤1的強(qiáng)磁性薄膜表面接觸側(cè)的接觸面3上，大致放射狀地形成有信號區(qū)域2a。圖4及圖14是示意性圖，實(shí)際上，圖14中的信號區(qū)域2a形成在除了圖4中的槽4之外的接觸面3上。
圖15為示意性示出圖14的虛線所包圍部分A的放大圖。如圖15所示，在信號區(qū)域2a，在與記錄在磁盤上的數(shù)字信息信號，例如預(yù)先格式記錄對應(yīng)的位置，形成有形狀與上述信息信號對應(yīng)并由強(qiáng)磁性薄膜構(gòu)成的磁性部形成的母盤信息圖案。在圖15中，加有剖面線的部分是由強(qiáng)磁性薄膜構(gòu)成的磁性部。該圖15所示的母盤信息圖案相對盤片周向34，沿磁道長度方向依次有排列時鐘信號31、跟蹤用伺服信號32、地址信息信號33等各個區(qū)域。也示出了數(shù)據(jù)信號區(qū)域35。另外，圖15所示母盤信息圖案是一個例子，根據(jù)記錄在磁記錄媒體上的數(shù)字信息信號，適當(dāng)決定母盤信息圖案的構(gòu)成及配置等。
例如，在如硬盤驅(qū)動器那樣，在硬盤的磁性膜上首先記錄基準(zhǔn)信號，根據(jù)該基準(zhǔn)信號進(jìn)行跟蹤用伺服信號等的預(yù)先格式記錄時，也可以使用本發(fā)明的母盤，在硬盤的磁性膜上，預(yù)先僅轉(zhuǎn)錄預(yù)先格式記錄用的基準(zhǔn)信號，然后將該硬盤組裝入驅(qū)動器的筐體內(nèi)，跟蹤用伺服信號等的預(yù)先格式記錄使用硬盤驅(qū)動器的磁頭進(jìn)行。
圖16所示為圖14、圖15所示區(qū)域的局部剖面。
如圖16所示，母盤2是這樣構(gòu)成的，即，在由Si基板、玻璃基板、塑料基板等的非磁性材料構(gòu)成的圓盤狀基體41的一個主面，即接觸磁盤1的表面?zhèn)鹊慕佑|面3，以與信息信號對應(yīng)的多個細(xì)微的排列圖案形狀，形成有凹部42，在該基體41的凹部42內(nèi)，以埋入的形態(tài)形成有作為磁性部的強(qiáng)磁性薄膜43。
在此，作為強(qiáng)磁性薄膜43，可以使用多種磁性材料，無論是硬質(zhì)磁性材料、半硬質(zhì)磁性材料還是軟質(zhì)磁性材料，只要是能將數(shù)據(jù)信息信號轉(zhuǎn)錄到磁性記錄媒體上的就行。例如可以使用Fe、Co、Fe-Co合金等。又，為了無論記錄有母盤信息的磁性記錄媒體的種類如何均能產(chǎn)生充分的記錄磁場，磁性材料的飽和磁通密度越大越好。尤其是，對于超過2000奧斯特的高矯頑磁力的磁盤及磁性層厚度大的軟盤來說，如果飽和磁通密度在0.8泰斯拉以下，有時就不能進(jìn)行充分的記錄，所以，一般使用具有0.8泰斯拉以上，最好使用具有1.0泰斯拉以上飽和磁通密度的磁性材料。
此外，強(qiáng)磁性薄膜43的厚度與比特長度、磁性記錄媒體的飽和磁化及磁性層的膜厚有關(guān)，例如在比特長度約1μm、磁性記錄媒體的飽和磁化約500emu/cc、磁性記錄媒體的磁性層厚度約20nm的情況下，強(qiáng)磁性薄膜43的厚度可以為50nm-500nm。
此時，在這樣的記錄方法中，為了獲得良好的記錄信號質(zhì)量，最好根據(jù)作為設(shè)于母盤的強(qiáng)磁性薄膜的軟質(zhì)磁性薄膜或半硬質(zhì)磁性薄膜的排列圖案形狀，在進(jìn)行預(yù)先格式記錄時對此進(jìn)行勵磁，使其同樣磁化，并最好在使用母盤進(jìn)行信號記錄之前，預(yù)先對硬盤等的磁性記錄媒體進(jìn)行直流消磁。
下面對制造這樣的母盤的方法進(jìn)行說明。
具體是，本發(fā)明的記錄方法使用的母盤的制造方法如下在Si基板表面形成抗蝕劑膜，通過如光刻蝕那樣的使用激光束或電子束的刻蝕技術(shù)對抗蝕劑膜進(jìn)行曝光、顯影，形成圖案之后，通過干腐蝕等進(jìn)行腐蝕，形成與信息信號對應(yīng)的細(xì)微的凹凸形狀，然后用濺鍍法、真空蒸鍍法、離子鍍敷法、CVD法、電鍍法等形成由Co等構(gòu)成的強(qiáng)磁性薄膜之后，利用所謂的剝離法除去抗蝕劑膜，這樣就能獲得具有在凹部埋入有強(qiáng)磁性薄膜形態(tài)的、且與信息信號對應(yīng)的磁性部的母盤。
另外，在母盤表面形成凹凸形狀的方法并不限于上述方法，例如也可以使用激光、電子束或離子束直接形成細(xì)微的凹凸形狀，或用機(jī)械加工直接形成細(xì)微的凹凸形狀。
另外在本實(shí)施形態(tài)中，對為了吸氣使用供氣泵的例子進(jìn)行了說明，但也可以從高壓儲氣瓶供給氮?dú)獾取?br> 第2實(shí)施形態(tài)下面使用圖17對本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)的磁轉(zhuǎn)錄方法進(jìn)行說明。
圖17所示為本實(shí)施形態(tài)工序的流程圖。關(guān)于各工序與第1實(shí)施形態(tài)相同，不同之點(diǎn)在于，在對正規(guī)的磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之后，測定磁轉(zhuǎn)錄用母盤的表面粗糙度，并將反饋該結(jié)果。
即在圖17中，在對磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之后，使用采用散射光檢測法的異物檢測裝置等對母盤上存在的異物進(jìn)行測定。此時如果未觀察到異物，則裝上新的磁盤，繼續(xù)進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄。
但是，在反復(fù)進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄的過程中，母盤表面的異物數(shù)增多，達(dá)到某一定值以上時，如上所述會出現(xiàn)磁頭撞壞的問題，所以，當(dāng)異物數(shù)達(dá)到規(guī)定的值，在本實(shí)施例的情況下為3個以上時，裝上暫設(shè)盤反復(fù)進(jìn)行抽吸/壓送的動作。由此，對于表面性惡化的母盤2，通過進(jìn)行抽吸/壓送的工序，能改善表面性，能重新制造出具有光滑的表面性的磁盤。
即，本實(shí)施形態(tài)在磁轉(zhuǎn)錄工序之中，通過對母盤2的表面性定期進(jìn)行維護(hù)保養(yǎng)，就能持續(xù)生產(chǎn)具有光滑的表面性的磁盤。
另外，對母盤2的異物檢查，未必要每進(jìn)行一次磁盤的磁轉(zhuǎn)錄就進(jìn)行一次，也可以每進(jìn)行規(guī)定片數(shù)的磁轉(zhuǎn)錄進(jìn)行一次，或者，逐次存儲進(jìn)行幾次磁轉(zhuǎn)錄之后母盤異物數(shù)達(dá)到規(guī)定值以上這樣的數(shù)據(jù)，每進(jìn)行次數(shù)少于該次數(shù)的磁轉(zhuǎn)錄工序進(jìn)行一次母盤表面粗糙度的測定。
此外，因?yàn)檫M(jìn)行母盤的異物檢查需要一定的時間，所以，如果不進(jìn)行異物檢查，而是每當(dāng)對規(guī)定片數(shù)的磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之后，裝上暫設(shè)盤進(jìn)行母盤的維護(hù)保養(yǎng)，也能獲得同樣的結(jié)果。
此外，利用盤片進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之后的檢查，如果磁轉(zhuǎn)錄之后的盤片的異物為規(guī)定值以上，采用對母盤2進(jìn)行抽吸/壓送工序的方法也能獲得同樣的效果。
這對于暫設(shè)盤1也一樣，進(jìn)行母盤2和暫設(shè)盤1的抽吸/壓送時，通過測定暫設(shè)盤1表面，也能測出母盤2上的異物。
即，因?yàn)殇X制的暫設(shè)盤1硬度比硅制的母盤2的低，所以如果母盤/暫設(shè)盤之間存在異物，則抽吸時，該異物會陷入暫設(shè)盤1側(cè)，暫設(shè)盤1表面會產(chǎn)生凹陷。
因此，每進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的抽吸/壓送之后，檢測暫設(shè)盤1表面的細(xì)微凹陷，到檢測不出這樣的凹陷之時，將暫設(shè)盤1換成磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄，則可以用無異物的表面狀態(tài)光滑的母盤，制造高質(zhì)量的磁盤。
此時，若著眼于暫設(shè)盤表面對異物的吸附性，則吸附性高的為理想。
即，如果吸附性低，則母盤與暫設(shè)盤之間存在異物時，異物不附著在暫設(shè)盤表面，故有時會附著于母盤側(cè)。此外，因?yàn)闀涸O(shè)盤表面為無異物的光滑狀態(tài)，故根據(jù)暫設(shè)盤表面的狀態(tài)判斷有無異物時，有可能作出錯誤的判斷。
另一方面，若吸附性高，母盤與暫設(shè)盤之間的異物附著于暫設(shè)盤側(cè)，故能有效除去母盤上的異物，且根據(jù)暫設(shè)盤表面的狀態(tài)，也能正確判斷有無異物。
由于以上情況，作為暫設(shè)盤，最好硬度比母盤低，并且對異物的吸附性要好。即，理想的是未涂布有潤滑劑狀態(tài)的。
對作為暫設(shè)盤使用涂布有潤滑劑的場合及使用未涂布有潤滑劑的場合，圖18示出了母盤上的異物、缺陷數(shù)與抽吸/壓送的關(guān)系。
在圖18中，圓形符號表示暫設(shè)盤未涂布潤滑劑的(試樣D)，正方形的點(diǎn)表示表面涂布有潤滑劑的暫設(shè)盤(試樣E)。
從圖12可知，若比較試樣D與試樣E，母盤上的異物和缺陷數(shù)在初始階段是相同的，但是，試樣D通過母盤與暫設(shè)盤的貼緊、分離的多次重復(fù)進(jìn)行，能有效除去母盤-盤片上的微粒，能使其基本為0，而使用試樣E時，貼緊、分離100次以后，異物和缺陷的數(shù)目幾乎不減少。
還有，在圖19A、19B中，示意性示出了在磁轉(zhuǎn)錄后的磁盤上記錄信號之后，再現(xiàn)該信號時的信號的包絡(luò)線。
圖19A所示為使用涂有潤滑劑的暫設(shè)盤，與母盤重復(fù)進(jìn)行1000次的抽吸/壓送之后，從母盤磁轉(zhuǎn)錄的磁盤的包絡(luò)線，圖19B所示為使用無潤滑劑的暫設(shè)盤，與母盤進(jìn)行1000次的重復(fù)抽吸/壓送之后，從母盤磁轉(zhuǎn)錄的磁盤的包絡(luò)線。
從圖19A可以看到，包絡(luò)線的中央部分在信號輸出下降的部分50，而圖19B中未出現(xiàn)這樣的信號下降部分。
對此可以認(rèn)為，關(guān)于圖19A，雖然未看到磁盤表面上的缺陷，但因?yàn)槟副P留有異物，故從母盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄時，產(chǎn)生無信號損失，信號未被正常記錄。
而關(guān)于圖19B，可以認(rèn)為，因?yàn)閷δ副P，用無潤滑劑的暫設(shè)盤進(jìn)行抽吸/壓送處理，故母盤上的異物被完全除去，對磁盤的磁轉(zhuǎn)錄能正常進(jìn)行，所以未發(fā)生無信號損失。
第3實(shí)施形態(tài)下面使用圖20A-圖21，對本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)的磁轉(zhuǎn)錄方法進(jìn)行說明。
本實(shí)施形態(tài)與第1、第2實(shí)施形態(tài)的不同點(diǎn)在于，磁轉(zhuǎn)錄用母盤與暫設(shè)盤進(jìn)行抽吸/壓送時的母盤上的貼緊區(qū)域完全包含對正規(guī)磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄時的磁轉(zhuǎn)錄區(qū)域。
圖20A、20B為示意性示出母盤2和暫設(shè)盤1進(jìn)行抽吸/壓送時關(guān)系的圖。在圖20A中，通過對母盤2和暫設(shè)盤1進(jìn)行抽吸/壓送，區(qū)域A內(nèi)的異物被除去。
接著，將暫設(shè)盤1換成磁盤100之后，進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之時，當(dāng)暫設(shè)盤1與磁盤100一樣大小時，則由于磁盤100安裝位置的偏移，如圖20B所示，磁盤100的邊緣有時會與異物抵靠。
在這樣的情況下，在異物附近，磁盤100與母盤2的貼緊度下降，引起無信號損失，轉(zhuǎn)錄在磁盤100上的伺服信號的輸出下降。
其結(jié)果是，發(fā)生讀出錯誤，磁盤100的旋轉(zhuǎn)發(fā)生混亂。
因此，在本實(shí)施形態(tài)中，作為暫設(shè)盤1，使用尺寸比磁盤100大的，以此擴(kuò)大圖20A中的區(qū)域L，即使磁盤100與暫設(shè)盤1的安裝位置發(fā)生偏移，也能在磁盤100的整個面上進(jìn)行正常的磁轉(zhuǎn)錄，不會導(dǎo)致伺服信號輸出的下降，能制造高質(zhì)量的磁盤100。
另外，一般作為暫設(shè)盤1，往往使用磁盤100制造工序中途的磁盤，尺寸是相等的，所以，為了獲得上述效果，也可以在暫設(shè)盤1和母盤2進(jìn)行抽吸/壓送時，使暫設(shè)盤1偏心。即，如圖21所示，每次進(jìn)行抽吸/壓送時，使暫設(shè)盤1相對母盤2的貼緊位置如X、Y、Z所示那樣依次偏移，就能對完全包含磁盤100的區(qū)域進(jìn)行抽吸/壓送。
第4實(shí)施形態(tài)下面使用圖22-圖24，對本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的磁轉(zhuǎn)錄方法進(jìn)行說明。
本實(shí)施形態(tài)與第1-第3實(shí)施形態(tài)的不同之點(diǎn)在于，作為磁盤的材質(zhì)，使用硬度比硅還高的玻璃，硬度比硅制的磁轉(zhuǎn)錄用母盤2還高，以及，使用暫設(shè)母盤。
還有，圖22所示為本實(shí)施形態(tài)的工序的流程圖。關(guān)于各工序是與第1實(shí)施形態(tài)相同的。
在圖22中，首先，將用硅制成的暫設(shè)母盤安裝在裝置上，并將形成有磁性層的正規(guī)磁盤安裝在裝置上。
接著，與第1實(shí)施形態(tài)一樣，在暫設(shè)母盤與磁盤之間反復(fù)進(jìn)行抽吸/壓送的工序之后，將暫設(shè)母盤換成正規(guī)母盤，進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄。
此時，因?yàn)榇疟P材質(zhì)是比硅還硬度高的玻璃，所以當(dāng)暫設(shè)母盤與磁盤貼緊時，即使因夾在其間的異物而在暫設(shè)母盤側(cè)產(chǎn)生缺陷，磁盤側(cè)也不會產(chǎn)生缺陷。另一方面，磁盤表面存在的細(xì)微異物因暫設(shè)母盤而被除去。
圖23及圖24所示為本實(shí)施形態(tài)的磁盤表面的觀察結(jié)果。圖24所示為進(jìn)行抽吸/壓送之前的初始狀態(tài)下的磁盤表面狀態(tài)。表4示出此時的缺陷深度與缺陷個數(shù)的關(guān)系。從表4可知，深度30nm以上的缺陷有6個，更小的缺陷則在盤片上存在無數(shù)個。
表3

表3

圖23所示為用暫設(shè)母盤進(jìn)行1次抽吸/壓送之后，用母盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄的磁盤的表面狀態(tài)。表3示出此時的缺陷深度與缺陷個數(shù)的關(guān)系。從表3可知，深度30nm以上的缺陷未發(fā)現(xiàn)，也幾乎無更小的缺陷，具有極光滑的表面性。
在本實(shí)施形態(tài)中，可以認(rèn)為，因?yàn)樽鳛榇疟P材質(zhì)，使用比磁轉(zhuǎn)錄用母盤的材質(zhì)更硬度高的材質(zhì)，所以，磁盤表面不會被復(fù)制上母盤表面的凹凸形狀，磁盤表面存在的微小凸起或微小異物由于與暫設(shè)母盤的貼緊及抽吸/壓送工序而被除去。
如上所述，本實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄裝置，使用比磁盤硬度低的暫設(shè)母盤，首先進(jìn)行抽吸/壓送工序來除去磁盤上的異物，使磁盤表面變光滑之后，用磁轉(zhuǎn)錄用母盤對磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄的工序，從而能對幾乎無異物及異常凸起的磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄，能制造表面性極良好的高質(zhì)量磁盤。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性如上所述，若采用本發(fā)明，在將磁轉(zhuǎn)錄用母盤的磁性膜圖案磁轉(zhuǎn)錄到盤片表面上的制造方法中，在轉(zhuǎn)錄到正規(guī)的磁盤上之前，先在暫設(shè)盤與磁轉(zhuǎn)錄用母盤之間反復(fù)進(jìn)行抽吸、壓送，來凈化磁轉(zhuǎn)錄用母盤的表面，能保持無毛刺、光滑，能制造高質(zhì)量的磁盤。
還有，若根據(jù)本發(fā)明，在磁轉(zhuǎn)錄后測定磁轉(zhuǎn)錄用母盤表面，當(dāng)檢測到磁轉(zhuǎn)錄用母盤表面上有異物時，裝上暫設(shè)盤，對暫設(shè)盤與磁轉(zhuǎn)錄用母盤之間反復(fù)進(jìn)行抽吸、壓送，可以可靠除去附著在磁轉(zhuǎn)錄用母盤表面上的異物，能實(shí)現(xiàn)有耐久性的磁轉(zhuǎn)錄裝置及高質(zhì)量的磁盤。
此外，若根據(jù)本發(fā)明，作為磁盤材質(zhì)，使用硬度比磁轉(zhuǎn)錄用母盤材質(zhì)的硬度還高的材質(zhì)，在暫設(shè)母盤與正規(guī)磁盤之間反復(fù)進(jìn)行抽吸、壓送，就能除去磁盤上存在的微小異物，能制造表面性極光滑的、高質(zhì)量的磁盤。
權(quán)利要求
1.一種磁轉(zhuǎn)錄方法，通過將磁性膜形成為與規(guī)定的信息信號對應(yīng)的排列圖案形狀的磁轉(zhuǎn)錄用母盤與磁盤表面疊合，并使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的磁性膜磁化，將所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的信息信號的排列圖案磁轉(zhuǎn)錄在所述磁盤上作為信息信號的磁化圖案，其特征在于，具有通過使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的形成有磁性膜的表面與暫設(shè)盤貼緊/分離，來凈化所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的工序；在所述凈化工序之后，使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述磁盤疊合進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，還具有對所述磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之后檢測所述磁盤缺陷的檢測工序，用所述檢測工序測出在有缺陷時，進(jìn)行使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的形成有磁性膜的表面與暫設(shè)盤貼緊，以凈化所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的工序；然后再次進(jìn)行從所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤向所述磁盤的磁轉(zhuǎn)錄。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，每當(dāng)對規(guī)定片數(shù)的所述磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之后，進(jìn)行使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的形成有磁性膜的表面與暫設(shè)盤貼緊/分離，以凈化所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，具有使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述暫設(shè)盤貼緊/分離的操作重復(fù)規(guī)定次數(shù)的工序；在貼緊/分離的操作重復(fù)規(guī)定次數(shù)的工序之后，使所述磁盤與所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤貼緊，進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，還具有檢測盤片表面缺陷的檢測工序，當(dāng)根據(jù)所述檢測工序測出所述磁盤或所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤有規(guī)定數(shù)以上的缺陷時，在進(jìn)行從所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤向所述磁盤的磁轉(zhuǎn)錄之前，使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與暫設(shè)盤的貼緊/分離的操作重復(fù)規(guī)定次數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，每當(dāng)對規(guī)定片數(shù)的所述磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄，均使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述暫設(shè)盤貼緊/分離的操作重復(fù)規(guī)定次數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，貼緊/分離的操作通過抽吸所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述暫設(shè)盤之間的氣體，或者使氣體流入所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述暫設(shè)盤之間來進(jìn)行。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的硬度比所述磁盤及所述暫設(shè)盤的硬度要高。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，所述暫設(shè)盤的硬度比所述磁盤的硬度要低。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述暫設(shè)盤貼緊的區(qū)域包含從所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤向所述磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄時的磁轉(zhuǎn)錄區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，通過重復(fù)進(jìn)行所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與未涂潤滑劑的所述暫設(shè)盤的貼緊、分離，來凈化所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，所述暫設(shè)盤表面形成有電鍍膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，所述電鍍層具有強(qiáng)磁性的磁特性。
14.一種磁轉(zhuǎn)錄方法，通過將磁性膜形成為與規(guī)定的信息信號對應(yīng)的排列圖案形狀的磁轉(zhuǎn)錄用母盤與磁盤表面疊合，并使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的磁性膜磁化，將所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的信息信號的排列圖案磁轉(zhuǎn)錄在所述磁盤上作為信息信號的磁化圖案，其特征在于，具有使所述暫設(shè)母盤與所述磁盤貼緊/分離的操作重復(fù)規(guī)定次數(shù)的工序；在該工序之后，使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述磁盤貼緊，進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄的工序。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或14所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，所述貼緊/分離的操作通過抽吸貼緊/分離對象的所述兩盤片之間的氣體，接著使氣體流入來進(jìn)行。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，所述暫設(shè)母盤的硬度比所述磁盤的硬度要低。
17.一種磁轉(zhuǎn)錄裝置，其使至少一個面上形成有磁性膜的磁轉(zhuǎn)錄用母盤與磁盤貼緊，并施加外部磁場，從而將所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的磁性膜圖案磁轉(zhuǎn)錄到所述磁盤上，其特征在于，其構(gòu)成包括寫入有要轉(zhuǎn)錄的規(guī)定信息的所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤；可滑動地定位于導(dǎo)向構(gòu)件、保持所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的保持部；設(shè)有通氣孔、支承所述磁盤或暫設(shè)盤的支承臺；向設(shè)于所述支承臺的所述通氣孔供給氣體用的供氣部；從所述通氣孔排出氣體用的排氣部；施加磁轉(zhuǎn)錄用的磁場的磁鐵。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁轉(zhuǎn)錄裝置，其特征在于，所述保持部具有通孔，通過從所述通孔吸引氣體，將所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤保持在所述保持部。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁轉(zhuǎn)錄裝置，其特征在于，所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤具有設(shè)置成從中心部伸向外周部且未到達(dá)最外周的多條放射狀槽。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁轉(zhuǎn)錄裝置，其特征在于，所述磁盤或所述暫設(shè)盤具有內(nèi)周孔，所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的中心部具有與所述內(nèi)周孔嵌合的中心塊。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的磁轉(zhuǎn)錄裝置，其特征在于，所述中心塊在外周部有至少一個缺口部。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁轉(zhuǎn)錄裝置，其特征在于，利用所述排氣部使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述磁盤或所述暫設(shè)盤貼緊，利用所述供氣部使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述磁盤或所述暫設(shè)盤分離。
全文摘要
一種磁轉(zhuǎn)錄方法及其使用的磁轉(zhuǎn)錄裝置,該方法使形成有與規(guī)定信息信號對應(yīng)的排列圖案形狀的磁性膜的磁轉(zhuǎn)錄用母盤(2)與磁盤表面疊合,并對磁轉(zhuǎn)錄用母盤(2)的磁性膜進(jìn)行磁化,將磁轉(zhuǎn)錄用母盤(2)的信息信號的排列圖案磁轉(zhuǎn)錄到磁盤上作為信息信號的磁化圖案,其特征在于,具有:通過使磁轉(zhuǎn)錄用母盤(2)的形成有磁性膜的表面與暫設(shè)盤(1)貼緊/分離,來凈化磁轉(zhuǎn)錄用母盤(2)的工序;凈化工序之后,使磁轉(zhuǎn)錄用母盤(2)與磁盤疊合進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄的工序。
文檔編號B41F35/00GK1302431SQ00800668
公開日2001年7月4日 申請日期2000年4月25日 優(yōu)先權(quán)日1999年4月26日
發(fā)明者橋秀幸, 浜田泰三, 真壁俊夫, 東間清和, 石田達(dá)朗, 伴泰明, 宮田敬三 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社