專(zhuān)利名稱(chēng)：使用綠色激光標(biāo)記半導(dǎo)體裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用綠色激光標(biāo)記單一個(gè)體物件，諸如封裝的半導(dǎo)體裝置的表面的方法。
由于墨水印制存在有許多缺點(diǎn)，因此利用激光束來(lái)標(biāo)記芯片封裝的表面變得愈來(lái)愈受到歡迎。不像墨水印制，激光標(biāo)記相當(dāng)迅速，且不需要固化時(shí)間，并且能以最短的操作時(shí)間來(lái)生產(chǎn)出一致性高品質(zhì)標(biāo)記。激光束基本上燒錄永久標(biāo)記在制造產(chǎn)品的表面上；然而墨水標(biāo)記則會(huì)有臟污、退化、褪色或腐蝕的情況產(chǎn)生。在封裝芯片的例子中，激光標(biāo)記產(chǎn)生與其余封裝表面不同的反射率。因此，通過(guò)將芯片針對(duì)光源放置而呈某一角度，便可以輕易地讀取通過(guò)激光而記錄在芯片上的信息。
利用紅外線激光已發(fā)展出各種不同的機(jī)器及方法來(lái)標(biāo)記芯片或其它制品。然而，紅外線激光無(wú)法在硅母材圓盤(pán)上標(biāo)記，因?yàn)槟芰繒?huì)穿透硅而傷害主要金屬層受損。
因此，需要一種標(biāo)記方法可有效利用激光的速度及精確度以較佳的深度控制而精確地且干凈地標(biāo)記奇特的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的另一優(yōu)點(diǎn)在于一種標(biāo)記硅半導(dǎo)體裝置的方法，而不會(huì)損壞內(nèi)部的主要金屬層。
依照本發(fā)明的目的提供一種標(biāo)記個(gè)別電子物件的表面的方法，該方法包含以下的步驟在第一標(biāo)記位置上定位欲通過(guò)綠色激光所標(biāo)記的至少一物件，以及提供所承載的半導(dǎo)體元件，在該第一標(biāo)記區(qū)域標(biāo)記該至少一物件。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可以由下的詳細(xì)說(shuō)明，而對(duì)于本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)有進(jìn)一步的了解。實(shí)施例的顯示及描述提供執(zhí)行本發(fā)明的最佳模式的說(shuō)明。本發(fā)明在許多不同方面的目的上可加以修飾，且這修飾皆不會(huì)脫離本發(fā)明的范圍。因此，附圖
在本質(zhì)上可視為說(shuō)明而非限制。
芯片定位在一標(biāo)記區(qū)域中，且在進(jìn)行標(biāo)記時(shí)可以固定在位置上。選擇性的光學(xué)感應(yīng)器可以檢測(cè)芯片是否已到達(dá)標(biāo)記區(qū)域并且預(yù)定由綠色激光來(lái)標(biāo)記。一旦芯片標(biāo)記之后，其便可以由標(biāo)記區(qū)域向下游移動(dòng)，并且重復(fù)循環(huán)操作直到所有芯片完成標(biāo)記為止。
雖然激光束可以主動(dòng)地標(biāo)記一位在標(biāo)記位置上的芯片，然而另一芯片亦可以移動(dòng)至另一個(gè)通過(guò)相同的綠色激光束源可存取的標(biāo)記位置。一旦芯片完成標(biāo)記之后，該綠色激光源便可以變換至相鄰的標(biāo)記位置，然后標(biāo)記另一芯片，且在此同時(shí)，先前已標(biāo)記的芯片便由未標(biāo)記的芯片取代。在此方式中，綠色激光實(shí)質(zhì)上連續(xù)地標(biāo)記在一標(biāo)記位置或另一標(biāo)記位置上的芯片，而不需要等待芯片定位在標(biāo)記位置上。
在每一標(biāo)記位置上系可以存在一個(gè)以上的芯片。換言之，多個(gè)芯片可以，例如成行地，定位在每一標(biāo)記位置上，且在一標(biāo)記位置上的所有芯片可以連續(xù)地進(jìn)行標(biāo)記，然后再換成位在另一個(gè)標(biāo)記位置上的相同的多個(gè)芯片。
本發(fā)明可以采用傳統(tǒng)的綠色激光來(lái)進(jìn)行標(biāo)記。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，大約532納米(nm)的波長(zhǎng)特別適合在塑料或陶瓷表面上具有最佳的定義及清晰度。鋁帶或金片亦可以通過(guò)本發(fā)明的方法來(lái)加以標(biāo)記。綠色激光在硅上具有較佳的吸附性、產(chǎn)生具較高輸出產(chǎn)能的較佳標(biāo)記品質(zhì)以及減少碎片的產(chǎn)生。
在芯片于標(biāo)記區(qū)域中完成標(biāo)記之后，該芯片便可以通過(guò)選擇性的碎片清除系統(tǒng)中。該碎片清除系統(tǒng)可以利用吸力、強(qiáng)力氣流及/或其它在本領(lǐng)域里已知的方法以清除芯片表面上的細(xì)微顆粒，而不會(huì)影響到該芯片表面上的標(biāo)記。
另一可視情況選用的光學(xué)感應(yīng)器經(jīng)定位以感應(yīng)芯片是否存在及預(yù)備進(jìn)行檢查。若是如此，該芯片便可以通過(guò)，例如，一種向下拍攝式攝影機(jī)，來(lái)進(jìn)行檢查，其中該攝影機(jī)可以為CCD攝影機(jī)或其它在本領(lǐng)域里已知的攝影機(jī)。該攝影機(jī)會(huì)拍下芯片表面及包含在其上的標(biāo)記的影像，然后傳送影像至微處理器。由微處理器所接收的影像，會(huì)被分解成個(gè)別的像素，然后將此像素與最小分辨率標(biāo)準(zhǔn)相比較。一旦接收到芯片的影像且由微處理器比較后，便可以釋放該芯片以進(jìn)行其它處理。若在芯片上的標(biāo)記經(jīng)微處理器判定無(wú)法接受時(shí)，該具有瑕疵標(biāo)記的芯片可以回收以重新加工及重新標(biāo)記。
若有需要，每一經(jīng)過(guò)檢查的芯片的影像可以?xún)?chǔ)存在內(nèi)存中，以做為品質(zhì)控制/品質(zhì)保證的目的。除了單一芯片檢查系統(tǒng)以外，其亦可以采用可同時(shí)檢查在已標(biāo)記群組里的所有芯片的系統(tǒng)。
由于半導(dǎo)體裝置變得愈來(lái)愈小，且采用愈來(lái)愈細(xì)的導(dǎo)線間距，便有需要視情況而采用芯片載具，在標(biāo)記與后續(xù)裝運(yùn)期間來(lái)運(yùn)送封裝芯片。在此情況下，芯片所采用的載具最好是由可排除靜電的材料所制成，諸如某些塑料及其它在本領(lǐng)域里已知的材料。若有提供適當(dāng)?shù)妮d具，則不排除亦可以在晶粒母材或部分晶片的背面來(lái)加以標(biāo)記。
本發(fā)明的目的在于制造流程的最后階段，亦即，在燒機(jī)測(cè)試之后，但在裝運(yùn)之前，以激光標(biāo)記該芯片。該方式允許僅經(jīng)過(guò)燒機(jī)測(cè)試的芯片的適合運(yùn)送給客戶(hù)的標(biāo)記。本發(fā)明有利于在接到客戶(hù)訂單時(shí)，可以在未經(jīng)標(biāo)記過(guò)的芯片上標(biāo)記客戶(hù)所指定的信息。
以上已針對(duì)利用綠色激光來(lái)標(biāo)記半導(dǎo)體芯片的方法來(lái)加以說(shuō)明。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于可以很容易地實(shí)現(xiàn)，且在降低紅外線激光所造成的主要金屬層的損壞上相當(dāng)具有效率且符合成本效益。本發(fā)明有助于制造及制式化各種不同的半導(dǎo)體裝置。在本說(shuō)明書(shū)中所顯示及說(shuō)明的僅本發(fā)明的特定較佳實(shí)施例，如前所述，應(yīng)了解的是在此所表達(dá)的本發(fā)明的概念的范圍內(nèi)，本發(fā)明可以應(yīng)用在各種其它組合及環(huán)境中，且可以具有許多不同的變化及修正。
權(quán)利要求
1.一種標(biāo)記個(gè)別電子物件的表面的方法，該方法包括以下的步驟在第一標(biāo)記位置上定位欲通過(guò)綠色激光所標(biāo)記的至少一物件；在該第一標(biāo)記位置上標(biāo)記至少一物件。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該個(gè)別電子物件為半導(dǎo)體芯片。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，包括標(biāo)記該個(gè)別電子物件的表面，其中該表面可選擇由以下的材料所構(gòu)成塑料、陶瓷、鋁蓋以及金片。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，包括以具有大約532納米波長(zhǎng)的綠色激光來(lái)標(biāo)記該個(gè)別電子物件。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括當(dāng)標(biāo)記在該第一標(biāo)記位置上的該至少一物件的同時(shí)，將至少一第二物件定位在第二標(biāo)記位置上；以及當(dāng)該至少一已標(biāo)記物件由該第一標(biāo)記位置上移開(kāi)且當(dāng)至少未經(jīng)標(biāo)記的第三物件定位在該第一標(biāo)記位置上的同時(shí)，標(biāo)記在該第二標(biāo)記位置上的該至少一第二物件。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，更進(jìn)一步包括在該第一標(biāo)記位置上定位該物件之前，在第一分段位置上分段該物件。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，更進(jìn)一步包括由該已標(biāo)記物件的該表面上清除碎片。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，更進(jìn)一步包括拍攝每一已標(biāo)記的物件。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，更進(jìn)一步包括傳送該已標(biāo)記物件的影像至微處理器。
10.一種用權(quán)利要求1的方法生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件。
全文摘要
本發(fā)明利用綠色激光標(biāo)記單一個(gè)體物件，例如封裝半導(dǎo)體元件，藉以相較于現(xiàn)有的紅外線激光，本發(fā)明擴(kuò)大材料能標(biāo)記的范圍。
文檔編號(hào)B41M5/26GK1454164SQ00819676
公開(kāi)日2003年11月5日 申請(qǐng)日期2000年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2000年6月28日
發(fā)明者Q·D·源, R·C·比利史 申請(qǐng)人:先進(jìn)微裝置公司