專利名稱:可涂覆在入射光照射下能轉(zhuǎn)換的有機(jī)層的高吸收施主基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明有關(guān)有機(jī)材料從施主元件到接收器件(例如OLED器件)的熱轉(zhuǎn)換。
背景技術(shù):
彩色或全彩色有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示設(shè)備(即有機(jī)發(fā)光二極管器件,或OLED器件)內(nèi)部具有彩色像素的陣列,例如紅、綠、藍(lán)像素(通常稱為RGB像素)。為了生成RGB像素,需要對(duì)產(chǎn)生色彩的有機(jī)EL介質(zhì)進(jìn)行精確布置。普通的OLED器件通常具有陽極、陰極和如同三明治般夾在陽極和陰極之間的有機(jī)EL介質(zhì)。有機(jī)EL介質(zhì)可由一個(gè)或多個(gè)有機(jī)薄膜組成,其中的一層主要用于產(chǎn)生光或電致發(fā)光。該特殊層通常被稱為有機(jī)EL介質(zhì)的發(fā)射層。有機(jī)EL介質(zhì)中的其它有機(jī)層主要提供電子傳輸功能,被稱為空穴傳輸層(實(shí)現(xiàn)空穴傳輸)或電子傳輸層(實(shí)現(xiàn)電子傳輸)。為在全彩色OLED顯示板中形成RGB像素,必須找出一種方法,以便精確布置有機(jī)EL介質(zhì)中的發(fā)射層或整個(gè)有機(jī)EL介質(zhì)。
Grande等人在共同申請(qǐng)的US-A-5,851,709中提出了一種設(shè)計(jì)高分辨率OLED顯示器件的可行方法。該方法包括以下步驟1)提供一個(gè)具有相對(duì)的第一和第二表面的基板。2)在基板的第一表面上形成透射光絕熱層。3)在絕熱層上形成光吸收層。4)提供具有從第二表面延伸到絕熱層的開口陣列的基板。5)提供在光吸收層上形成的可轉(zhuǎn)換的顏色形成有機(jī)施主層。6)在基板的開口和器件上的相應(yīng)顏色像素之間,按定向關(guān)系將施主基板和顯示基板精確對(duì)準(zhǔn);7)提供一個(gè)輻射源,在開口上的光吸收層上產(chǎn)生足夠的熱,以實(shí)現(xiàn)施主基板上的有機(jī)層向顯示基板的轉(zhuǎn)換。Grande等人的方法所存在的一個(gè)問題是需要在施主基板上構(gòu)圖開口陣列。另一個(gè)問題是需要在施主基板和顯示基板間實(shí)現(xiàn)精確的機(jī)械對(duì)準(zhǔn)。再者,施主圖形是固定的,不易改變。
Littman和Tang(共同申請(qǐng)US-A-5,688,551)提出了有機(jī)EL材料從未構(gòu)圖的施主薄片到EL基板的圖形方式的轉(zhuǎn)換。Wolk等人的一系列專利(US-A-6,114,088;US-A-6,140,009;US-A-6,214,520和US-A-6,221,553)提出了通過激光束加熱施主的選定部分來實(shí)現(xiàn)EL器件中的發(fā)光層從施主元件到基板的轉(zhuǎn)換。每個(gè)層都是在器件的功能中使用的可操作或不可操作的層。
在這些步驟中,包含有電致發(fā)光材料的施主被輻射加熱,然后轉(zhuǎn)換為一個(gè)已經(jīng)含有有源器件一部分的接收器。通過應(yīng)用其它更多的層,可以完成該器件。通過使用含有電子或空穴導(dǎo)體施主和摻雜劑的合適的施主,這個(gè)過程可以實(shí)現(xiàn)彩色的構(gòu)圖。最終的發(fā)光設(shè)備必須具有混合在一起以給出較好的發(fā)射的摻雜劑。同時(shí)共同蒸發(fā)兩種或多種材料并且維持恒定控制比率是困難的。這些輻射轉(zhuǎn)換設(shè)備的最終發(fā)射效率也有待提高。
Deboer和Spahn(共同申請(qǐng)US-A-5,244,770)提出了用于彩色打印領(lǐng)域中顏色轉(zhuǎn)換的施主元件。他們提出了位于透明支撐和熱吸收金屬層之間的抗反射層的概念。這種元件用于轉(zhuǎn)換包含粘結(jié)劑和一種可升華染料的染料層。粘結(jié)劑的使用在彩色打印領(lǐng)域是很普遍,但不適用于OLED器件的制造。轉(zhuǎn)換一種有機(jī)材料而不受到粘結(jié)劑的沾污是困難的。彩色打印中很少的沾污是可以被容許的,不過,在電致發(fā)光器件,例如OLED中,當(dāng)折衷考慮到壽命、效率和性能時(shí),這樣的沾污是難以接受的。再者,共同申請(qǐng)的US-A-5,244,770涵蓋了多種系統(tǒng),不是完全適合設(shè)計(jì)類似OLED的器件。在制造業(yè)中,產(chǎn)量是關(guān)鍵,只有最具吸收性的施主是可行的,因?yàn)樗鼈儗⒃谥圃爝^程中使產(chǎn)量最大化。最后,像OLED之類的器件材料的首選升華過程通常靠近材料轉(zhuǎn)換所要求的閾值功率,因?yàn)檫^多的能量能夠?qū)е略O(shè)備的污染或被轉(zhuǎn)換的材料的退化。為了在轉(zhuǎn)換閾值附近操作,要求在整個(gè)施主區(qū)域上,施主效率,和由此的施主吸收應(yīng)保持一致。由于施主的吸收層的反射的光和空氣維持界面的反射的光的干涉,這些要求經(jīng)常無法實(shí)現(xiàn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種非常高吸收激光熱能的襯底,其微吸收變化率很小,在該襯底上可以染色或涂覆其它有機(jī)材料。
通過制造能夠被一個(gè)或多個(gè)有機(jī)材料層涂覆的高吸收施主基板,和用于給OLED器件提供一個(gè)或多個(gè)能夠?qū)︻A(yù)定波長范圍內(nèi)的激光響應(yīng)的OLED材料的方法,能夠達(dá)到該目的,該方法包括
提供一種透明支撐元件。
在透明支撐元件上提供吸收體抗反射層,所選抗反射層的折射率指數(shù)的實(shí)部大于3.0,且厚度接近于感興趣波長處的第一反射率最小值。
在抗放射層上提供一個(gè)金屬的熱吸收層,用于吸收穿過透明支撐元件和抗反射層的激光。
選擇透明支撐元件、抗反射層和金屬的熱吸收層,使平均反射率小于10%,使由于透明支撐元件厚度變化而導(dǎo)致的在感興趣波長的微反射率變化小于10%。
在金屬的熱吸收層上的沒有粘結(jié)劑材料內(nèi)提供一個(gè)或多個(gè)有機(jī)材料層,該層含有能夠轉(zhuǎn)換為OLED器件的有機(jī)材料。
一種用于激光-熱轉(zhuǎn)換的調(diào)整好的高吸收施主基板,具有高性能的吸收體,能夠吸收95%-100%的撞擊它的光。與僅使用簡單的金屬熱吸收層作為吸收體進(jìn)行激光-熱轉(zhuǎn)換的簡單施主基板相比,這一點(diǎn)能將施主元件的光學(xué)效率提高2倍,因此在給定光強(qiáng)時(shí),該基板具有更高的轉(zhuǎn)換效率。反射率非常低的吸收體能極大地減少了施主基板吸收效率的變化,即使在轉(zhuǎn)換閾值附近操作時(shí),也能實(shí)現(xiàn)施主基板上來自施主元件的有機(jī)材料的均勻轉(zhuǎn)換。已知OLED材料對(duì)過度的加熱很敏感,因此對(duì)許多系統(tǒng)來說,最好的轉(zhuǎn)換條件是處于轉(zhuǎn)換閾值附近。平均反射率僅大于10%的施主,其轉(zhuǎn)換閾值的變化能夠到18%。再者,由于對(duì)于類似OLED設(shè)備的電致發(fā)光設(shè)備來說,不允許有沾污,因此對(duì)于OLED設(shè)備來說,對(duì)具有能夠以整體進(jìn)行轉(zhuǎn)換的有機(jī)層進(jìn)行轉(zhuǎn)換,比具有含有只能部分轉(zhuǎn)換或根本沒有轉(zhuǎn)換的惰性粘結(jié)劑的有機(jī)層更有利。
圖1顯示了在現(xiàn)有技術(shù)中,具有金屬熱吸收層的施主元件的剖面圖,顯示了入射光的反射。
圖2顯示了在現(xiàn)有技術(shù)中,金屬熱吸收層對(duì)光的吸收相對(duì)于透明塑料支撐元件厚度的變化曲線。
圖3顯示了在現(xiàn)有技術(shù)中,在單色光的照射下,包含Kapton上的鉻的施主基板的基板一側(cè)的照片。
圖4A和4B是部分施主基板元件的剖面圖,說明了a施主背面反射,b施主吸收體反射。
圖5是具有增加了本發(fā)明提及的抗反射層的施主元件的剖面圖。
圖6是通過試驗(yàn)得到的在聚碳酸酯上的Si-Cr的反射率數(shù)據(jù)的曲線,是Si的厚度的函數(shù)。
圖7顯示了計(jì)算得到的MAV曲線,該曲線是幾個(gè)典型的施主背面反射率值的施主吸收體反射率的函數(shù)。
圖8是通過試驗(yàn)得到的在聚碳酸酯上的Ge-Ni的反射率數(shù)據(jù)的曲線,是Ge厚度的函數(shù)。
圖9是針對(duì)Si-Cr高吸收施主基板,通過計(jì)算得到的最低可達(dá)到的施主吸收體反射率的曲線,該反射率是波長的函數(shù)。
圖10是針對(duì)Si-Cr高吸收施主基板,通過計(jì)算得到的最低可達(dá)到的MAV的曲線,是波長的函數(shù)。
圖11是針對(duì)理想的聚碳酸酯上的Si-Ni和Si-Cr涂層,在800nm時(shí)的總反射率的計(jì)算值的曲線,是Si厚度的函數(shù)。
圖12是針對(duì)采用慢速Si沉積得到的實(shí)際的聚碳酸酯上的Si-Ni和Si-Cr涂層,在800nm時(shí)的總反射率的試驗(yàn)值的曲線。
圖13是針對(duì)采用快速Si沉積得到的實(shí)際的聚碳酸酯上的Si-Ni和Si-Cr涂層,在800nm時(shí)的總反射率的試驗(yàn)值的曲線。
具體實(shí)施例方式
所期望的施主基板的理想特性是高效性和一致性。圖1表示了一種簡單的施主基板12,由金屬熱吸收層22及與之相接的可為塑料的透明支撐元件20組成。這種簡單施主基板12能夠接收有機(jī)材料層24,從而,簡單施主基板12和有機(jī)材料層24組合構(gòu)成了一種簡單施主元件10。在入射到簡單施主元件10的非轉(zhuǎn)換表面36上的激光30的曝光和隨后的加熱的作用下,有機(jī)材料層的選定區(qū)域能夠被轉(zhuǎn)換為接收器件。
圖1中所示的簡單施主基板12具有低效率和低一致性的缺點(diǎn)。大部分金屬的固有反射率導(dǎo)致了低效率。典型的金屬反射率在50%到98%之間。由于反射光對(duì)于加熱金屬熱吸收層24沒有任何作用,所以必須采用加大激光功率來補(bǔ)償。為理解圖1中簡單施主基板的低一致性的本性,我們必須仔細(xì)研究入射到由多個(gè)薄層組成的元件上的光線的行為特點(diǎn)。
入射到由多個(gè)薄(一致)層組成的元件的光的行為,在光學(xué)領(lǐng)域中已經(jīng)很清楚了。元件中的每個(gè)層的特征在于厚度(t)和折射指數(shù)(n)。在非吸收材料的情況中,折射指數(shù)是實(shí)數(shù)。在例如金屬的吸收材料的情況中,其折射指數(shù)為含有實(shí)部和虛部的復(fù)數(shù)。通常將這一復(fù)指數(shù)表示為N(大寫),其中實(shí)部記為n(小寫),虛部記為k(小寫),即N=n+i*k。如果已知每層的N和t,就有可能通過現(xiàn)有的公式和方法,精確計(jì)算出多層元件的反射光、吸收光和透射光的數(shù)量,例如Fowles文章中所述(Fowles,Grant R.,Introduction to ModernOptics,Reinhart and Winston,Inc.,(1968),pp.95-100,165-168)。
回到圖1,入射激光30首先遇到透明支撐20的非轉(zhuǎn)換表面36。一部分入射激光30從非轉(zhuǎn)換表面反射32。另一部分入射激光30進(jìn)入透明支撐元件,遇到金屬熱吸收層22。如果金屬熱吸收層22足夠厚(通常大于200nm),則光的不重要的部分被發(fā)送(未表示)。遇到金屬熱吸收層22的入射激光30中的一部分被該層吸收且轉(zhuǎn)換為熱量。另一部分光反射回簡單施主基板12的非轉(zhuǎn)換表面。離開簡單施主基板12的反射激光34占用的空間與反射激光32相同,并與其相結(jié)合。如果這兩種反射激光是相干的(激光通常是這種情況),則電場的幅值將疊加,導(dǎo)致兩種反射激光結(jié)合后的幅度取決于它們的現(xiàn)對(duì)相位。
反射激光34的相位與反射激光32的相位間的差異取決于它穿過透明支撐元件20所經(jīng)過的距離。當(dāng)反射激光34從金屬熱吸收層22反射時(shí),將產(chǎn)生一個(gè)附加的相位偏移。這一行為的結(jié)果是兩種反射激光組合后的幅度取決于透明支撐元件20的精確厚度。如果沒有相當(dāng)大部分的激光被透射,則反射能量中的變化必須被由金屬熱吸收層22吸收的能量的變化來補(bǔ)充。由于透明支撐元件20的厚度通常無法在所需的程度上得到控制,因此這種變化是導(dǎo)致簡單施主基板12吸收率的低一致性的主要因素。
有關(guān)這些影響,進(jìn)行了大量的計(jì)算工作。通常來說,除了最簡單的光學(xué)系統(tǒng),任何光學(xué)系統(tǒng)的精確數(shù)學(xué)公式描述變得非常復(fù)雜,將不在此表述。實(shí)際上,大多數(shù)本技術(shù)專業(yè)人員是依靠計(jì)算機(jī)建模來計(jì)算多層光學(xué)系統(tǒng)的行為。
例1(現(xiàn)有技術(shù)中;計(jì)算結(jié)果)簡單施主基板12的例子,光學(xué)厚度的鉻層作為金屬吸收層22,涂覆在折射率為1.5的透明支撐元件20上。
ns=1.5(下標(biāo)s表示透明支撐元件)大多數(shù)可用的支撐材料的折射率在1.4到1.75之間。同時(shí),考慮波長為800nm的激光。
λ=800nm這是高能二極管激光器的典型波長。文獻(xiàn)上記載鉻在這個(gè)波長的折射率是Nm=4.18+4.34i(Edward D.Palik,Handbook of OpticalConstants of solids,Academic Press Inc.,(1985)和Edward D.Palik,Handbook of Optical Constants of solids II,AcademicPress Inc.,(1991)和其中的參考書籍,以下稱其為“Palik”)。
nm=4.18(下標(biāo)m表示金屬光吸收層22)km=4.34(下標(biāo)m表示金屬光吸收層22)圖2表示在例1中的光學(xué)系統(tǒng)中應(yīng)用Fowles的方法而得到的吸收曲線。吸收峰值40出現(xiàn)在當(dāng)透明支撐元件20的厚度導(dǎo)致兩束反射光的相對(duì)相位為pi的奇數(shù)倍時(shí)(異相)。吸收谷值42出現(xiàn)在當(dāng)透明支撐元件20的厚度導(dǎo)致兩束反射光的相對(duì)相位為pi的偶數(shù)倍時(shí)(同相)。簡單施主基板12在吸收峰值時(shí)的吸收率被表示為Apeak,簡單施主基板12在吸收谷值42時(shí)的吸收率被表示為Avalley。從圖2的吸收曲線中可以看出,基板厚度只要有0.1微米的變化就將導(dǎo)致整個(gè)吸收的變化。這樣高精度的基板的合理價(jià)格將無法令人接受。這意味著這些影響表示了簡單施主基板12無法控制的吸收率變化。
通過定義一個(gè)被稱為微吸收變化(MAV)的數(shù)量,可以量化由這種干涉效應(yīng)所導(dǎo)致的簡單施主基板12的吸收率變化的總量,該數(shù)量定義如下MAV=(Apeak-Avalley)/(Apeak+Avalley)式中Apeak和Avalley表示圖2中的簡單施主基板的同相和異相吸收率。由于Apeak和Avalley的值須介于0和1之間,MAV的值也必須位于0和1之間,優(yōu)選一致性的施主的MAV=0。注意MAV值和簡單施主基板12的敏感度變化值成比例。對(duì)當(dāng)前例子來說,Apeak值為64.1%和Avalley值為36.1%,得出的MAV值為27.9%。為了從施主元件轉(zhuǎn)換所有的有機(jī)材料,我們必須克服在最差點(diǎn)即Avalley時(shí)的低吸收率。這使得這種施主的總體施主基板效率等于Avalley,或只有36.1%。
圖3是圖1中描述的簡單施主基板的照片,可以說明這種效果。簡單施主基板12是鉻涂覆于75微米厚的Kapton支撐上。光線來自于一個(gè)燈盒,該燈盒內(nèi)有兩個(gè)無罩熒光燈管,一個(gè)白色塑料散光片和一個(gè)綠色塑料濾光片,其提供散射的綠光照明,其具有經(jīng)測量為548nm的波長和為8nm的帶寬。圖3中亮的和暗的邊紋對(duì)應(yīng)于圖2中的峰值和谷值,正如Kapton的厚度是穿過它的表面變化的那樣。邊紋以間距在大約1-5mm之間變化。這種光學(xué)布置稍微不同于激光刻字出現(xiàn)的布置但是邊紋效果是相似的。當(dāng)最少的光被反射(暗邊紋),最多的光被吸收,簡單施主基板12將增加敏感性。同樣,當(dāng)最多的光被反射(亮邊紋),最少的光被吸收,簡單施主基板12將降低敏感性。這種變化對(duì)于使用簡單施主基板12來進(jìn)行激光的熱轉(zhuǎn)換是不希望的。
雖然圖1中描述的光學(xué)系統(tǒng)的總的行為由反射激光32和反射激光34的干涉,如圖3中所示,但我們能夠獨(dú)立計(jì)算這些反射激光的幅值,就好象它們沒有發(fā)生干涉。現(xiàn)在參考圖4A,通過假設(shè)沒有金屬吸收層22并且透明支撐元件20的范圍是半無限大的,我們可以消除反射激光34,我們能夠計(jì)算出反射激光34除入射激光30的值,這個(gè)值被稱作“施主背面反射率”。同樣的,參考圖4B,通過假設(shè)透明支撐元件20的范圍在朝向背后是半無限大的,可以消除施主背面反射率,則我們能夠得到反射激光34的強(qiáng)度除入射激光30的強(qiáng)度的比值,這個(gè)值被稱作“施主吸收體反射率”。為方便起見,入射激光30被施主吸收體吸收的比例被稱為“施主吸收體效率”。對(duì)例1來說,光學(xué)計(jì)算結(jié)果表明施主背面反射率是4.0%,施主吸收體反射率是50.9%,由此得到施主吸收體效率是49.1%。計(jì)算也表明Apeak值為63.9%和Avalley值為35.8%,得到MAV值為28.2%。
有兩種方法可以減少施主的MAV值。一種是減少或消除施主背面反射率,另一種是減少或消除施主吸收體反射率。減少施主背面反射率可以通過施加在施主基板的非轉(zhuǎn)換面上涂覆的抗反射層來實(shí)現(xiàn)。該涂層被稱為背面抗反射層。這種眾所周知的技術(shù)方案可通過在施主基板的非轉(zhuǎn)換面上涂覆低折射指數(shù)材料的四分之一波長層來實(shí)現(xiàn)。單層的背面抗反射涂層并不完全有效。眾所周知,施加在電介質(zhì)上的理想單層抗反射涂層的折射率必須等于電介質(zhì)的折射率的平方根。透明支撐元件的折射率的典型值,ns,范圍為1.4到1.75,需要施主背面抗反射層的折射率大約在1.18到1.32之間。在本技術(shù)領(lǐng)域,已知用于該目的的最好的低折射率材料是MgF2,其折射率為1.37,這種材料不能和任何典型的支撐完全匹配,因此不能產(chǎn)生理想的抗反射層。
例2(現(xiàn)有技術(shù);計(jì)算結(jié)果)結(jié)構(gòu)與例1中一致,圖1中所示的非轉(zhuǎn)換面36上涂敷具有四分之一波長層的MgF2(148nm)。計(jì)算結(jié)果為施主背面反射率從4.0%降為1.25%。因此,Apeak值為58.7%,Avalley值為42.5%,MAV值從28.2%降為15.5%。由于ns向著理想值1.88增大,這種方法的效率將提高。我們可以通過將兩層抗反射層涂覆在簡單施主基板12的非轉(zhuǎn)換面上來縮小MAV值到0。這種減小MAV值的方法是不希望使用的,這是因?yàn)槌遣捎枚鄬?,否則不會(huì)完全有效,另一個(gè)原因是現(xiàn)在完整的施主基板在其透明支撐元件20兩側(cè)均包括涂覆材料。這種方法還需要涂覆陶瓷材料,這一點(diǎn)使得e-beam蒸發(fā)和dc濺射成為不吸引人的沉積方法,增加了生產(chǎn)成本。
一種更好的減少M(fèi)AV的方法是減少或消除施主吸收體反射率。這一點(diǎn)可以用圖5表示的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。在此結(jié)構(gòu)中,通過在透明支撐元件20和金屬熱吸收層22之間的抗反射層,可以得到一種高吸收施主元件14,更具體來說,一種高吸收施主基板16。該位置中的抗反射層被稱為吸收體抗反射層28。金屬熱吸收層22和吸收體抗反射層28的組合被稱為高效吸收體18。如果吸收體抗反射層28的材料選擇合適,施主吸收體的反射率將被消除或極大地減少。被選為吸收體抗反射層28的材料的折射率指數(shù)(Na=na+ika,式中下標(biāo)a表示吸收體抗反射層28)將會(huì)是金屬熱吸收層22的復(fù)數(shù)折射指數(shù)(Nm=nm+ikm)和透明支撐元件20的折射指數(shù)(ns)的復(fù)合函數(shù)。如果金屬熱吸收層22不是足夠厚以至于完全不透明,將影響吸收體抗反射層28材料的理想選擇。
例3(本發(fā)明,理論計(jì)算)根據(jù)圖5,一種高吸收施主基板16被建模。透明支撐元件20的材料選為聚碳酸酯。吸收體抗反射層28的材料選擇為非晶硅,因?yàn)榭梢酝ㄟ^濺射或e-beam蒸發(fā)得到,金屬熱吸收層22是光學(xué)厚鉻(200nm厚),也可以通過濺射和e-beam蒸發(fā)得到。在這個(gè)理論計(jì)算例子中,所用的光學(xué)常數(shù)是公開的值,典型為松散材料(bu1k materia1)的值(Palik和其參考書)。即ns=1.58(聚碳酸酯,典型值)na=3.89(非晶硅,Palik)ka=0.15(非晶硅,Palik)nm=4.18(鉻,Palik)km=4.34(鉻,Palik)λ=800nm計(jì)算結(jié)果表明36.2nm厚的非晶硅層是最佳的調(diào)整厚度。施主背面反射率是5.1%,施主吸收體反射率將近0(0.003%)。Apeak值為94.99%和Avalley值為94.90%,得到MAV值為0.05%。
在表1中總結(jié)了例1,2和3的性能。需要注意的是高效結(jié)構(gòu)的低MAV值,表明了空間一致性的施主吸收水平,和高的施主基板效率,表明了減少激光能量數(shù)量以便實(shí)現(xiàn)有機(jī)材料100%的轉(zhuǎn)換。高效結(jié)構(gòu)明顯處于優(yōu)勢。
表1
例3中最后一點(diǎn)需要指出的是,硅不是完全透明的。理想的背面抗反射層應(yīng)該是不吸收,但是,正如我們將看到的,吸收體抗反射層可以有相當(dāng)大的吸收且仍然工作良好。
薄片的光學(xué)常數(shù)的公開值通常是通過體材料測量得到的。薄膜的實(shí)際光學(xué)常數(shù)取決于制備該薄膜的條件,經(jīng)常與公開值有一些差異。因此,根據(jù)經(jīng)驗(yàn)調(diào)整抗反射層的厚度是合適的。這種方法即沒有提供實(shí)際薄膜厚度的獨(dú)立測量,也沒有提供涂覆層的實(shí)際光學(xué)常數(shù)。這些常數(shù)可以分別通過分布測量法和橢圓形測量法得到,但是對(duì)于制造實(shí)際的器件來說,我們可以使用公開的光學(xué)值,及計(jì)算機(jī)建模來預(yù)測調(diào)整好的系統(tǒng)的性能,然后通過經(jīng)驗(yàn)來調(diào)整吸收體抗反射層的厚度來制造該系統(tǒng),以達(dá)到接近于模型預(yù)測性能的最優(yōu)的系統(tǒng)性能。一些小差異來源于實(shí)際的光學(xué)常數(shù)和為松散材料(bulk material)的光學(xué)常數(shù)之間的不同。
例4(本發(fā)明,試驗(yàn)值)參考圖5,通過在透明支撐元件20上涂覆近乎理想的指數(shù)匹配的吸收體抗反射層28,我們制得高吸收施主基板16。透明支撐元件20是1.2mm厚的聚碳酸酯。吸收體抗反射層28是99.999%的具有硼摻雜的硅,其電阻率為0.020Ω-cm,在6mTorr的氬氣中使用dc濺射生成。硼用于在dc濺射中減少充電,且其不影響硅的光學(xué)特性。準(zhǔn)備了硅層厚度在0nm到45nm之間變化的一系列試片。僅從濺射時(shí)間可以估算得到精確的厚度。在6mTorr的氬氣中,在吸收體抗反射層28上濺射一種純Cr金屬(99.98%)的金屬熱吸收層22,厚度大約為60nm。全部厚度系列的高吸收施主基板16的反射率通過Cary 2500分光光度計(jì)用800nm光進(jìn)行測量。結(jié)果見圖6所示。最好效果是當(dāng)硅層厚度為45nm時(shí)。這個(gè)結(jié)果略高于例3的預(yù)測結(jié)果36.2nm。這一差異可以是試驗(yàn)厚度測量值的不準(zhǔn)確造成的,或更可能是在文獻(xiàn)中公開發(fā)表的光學(xué)常數(shù)的體值(bulk value)和通過濺射得到的實(shí)際值之間的不同造成的。無論如何,調(diào)整到最好的高吸收施主基板16在800nm時(shí)測得的反射率是5.3%。應(yīng)該注意的是,在Cary 2500分光光度計(jì)中暴露的試樣區(qū)域?yàn)橐粋€(gè)直徑大約15mm的圓。參考圖3,在許多邊紋上進(jìn)行平均測量反射率,所以測量值為平均反射率。
例5(試驗(yàn))例4中的最佳涂覆層(45nm Si和60nm Cr),被施加于75微米厚的UDEL支撐的表面。據(jù)其提供者說明,UDEL支撐的折射指數(shù)為1.633,這導(dǎo)致其施主背面反射率為5.8%。通過Cary2500分光光度計(jì)在800nm光時(shí)測量,得到這種高吸收體施主基板的反射率為5.7%。明顯的,這種高效吸收體具有可忽略的反射率。我們可以在任何高效施主基板上涂覆一種材料為MgF2的施主背面抗反射層,制造出總反射率大約為1.25%且低MAV值的施主基板。相對(duì)其成本來說,在效率已經(jīng)很高的施主基板上放置這種涂層的優(yōu)點(diǎn)是不重要的。
例6(本發(fā)明;試驗(yàn)值)按例5的方法生成一種高吸收施主基板16,只是被涂覆的鉻層只有40nm厚。一層20nm厚的2-叔丁基-9,10-雙(2-萘基)蒽(TBADN)被真空沉積到鉻層上,緊接著是第2層0.25nm厚的四-叔丁基-二萘嵌苯(tetra-tert-butyl-perylene)(TBP),生成用于OLED工藝的藍(lán)色高吸收施主元件14。通過使用波長為810nm的掃描紅外激光來加熱藍(lán)色高吸收施主元件14,將這些材料從藍(lán)色高吸收施主元件14轉(zhuǎn)換到工作中的OLED器件。激光點(diǎn)是0.010mm乘2.56mm,總輸出功率為1.5w。光線在0.01mm線度方向以140mm/s的速度掃描,因此在大約70ms時(shí)間段內(nèi)將施主元件暴露在4.2mJ/mm2的能量下。這些曝光量足以將有機(jī)物從施主薄片轉(zhuǎn)換到工作OLED器件。正如對(duì)這種化合作用所預(yù)期的那樣,器件的完工將產(chǎn)生藍(lán)光元件。
例7(本發(fā)明;試驗(yàn)數(shù)據(jù))按例6的方法涂覆一種簡單施主元件10,只不過省略了被作為吸收體抗反射層28的硅層,生成一種藍(lán)色的簡單施主元件10,用于OLED工藝。通過使用波長為810nm的掃描紅外激光來加熱藍(lán)色簡單施主元件10,這些材料被從藍(lán)色簡單施主元件10轉(zhuǎn)換為工作中的OLED器件。激光點(diǎn)是0.010mm乘2.56mm,總輸出功率為3.0w。光線以220mm/s的速度掃描。這一曝光量(大約45ms內(nèi)5.3mJ/mm2的能量)不足以將任何有機(jī)物從施主薄片轉(zhuǎn)換為工作OLED器件。正如對(duì)未摻雜的OLED設(shè)備所預(yù)期的那樣,器件的完工產(chǎn)生了綠光元件。在10微米方向以140mm/s的低掃描速度是使用同一簡單藍(lán)色施主基板元件10,因此在大約70ms內(nèi)將施主元件暴露在8.4mJ/mm2的能量下。這一曝光量足以將有機(jī)物從施主薄片轉(zhuǎn)換到工作OLED器件。正如對(duì)這種化合作用所預(yù)期的那樣,器件的完工產(chǎn)生了藍(lán)光元件。為完成跟例6中的高吸收施主元件14相同的轉(zhuǎn)換,例7中的簡單施主元件10需要將近兩倍的能量密度。
從上述的計(jì)算例子中可以得到,我們必須得到一種非常有效的吸收體以大量減少微吸收變化率(MAV)。施主背面反射率、施主吸收體反射率和微吸收反射率之間具有一定的關(guān)系。圖7顯示了利用對(duì)之前所描述的薄膜堆的計(jì)算方法所得出的一系列點(diǎn)的曲線。對(duì)于折射率為1.5的高吸收施主基板,計(jì)算得到的施主背面反射率為4%。參考圖7,如果要求MAV小于10%,我們必須設(shè)計(jì)施主吸收體反射率小于6%的系統(tǒng)。如果高吸收體施主基板的折射指數(shù)為1.79(非常高的值),則施主背面反射率將為8%,施主吸收體反射率將不得不小于3%。施主支撐的該指數(shù)越高,則施主吸收體必須越有效,以達(dá)到低的MAV。
對(duì)于低變化高吸收施主基板16的主要興趣點(diǎn)在近紅外段,這是因?yàn)樵谶@一段中可以得到最大功率而低成本的激光。計(jì)算顯示,為了得到一種有效的施主吸收體,吸收體抗反射層28需要具有非常高的折射指數(shù),na。只有有限的幾種材料能被用于在一個(gè)簡單、廉價(jià)和可制造的元件上,生產(chǎn)可以充分有效以獲得低MAV的吸收體抗反射層28。
首先考慮定義系統(tǒng)的變量。透明支撐元件20的材料可以是塑料或玻璃,這些材料在激光的波長范圍內(nèi)基本不吸收。大多數(shù)這類材料的折射率(ns)在1.4到1.7之間,由于它們具有不吸收的特性,其ks值接近0。能夠被用于金屬熱吸收層22的金屬具有復(fù)數(shù)的折射指數(shù)(因?yàn)樗鼈兾?,其nm值的范圍在約2(例如Pd)到大約4.5(例如Cr)之間。該金屬的km值的范圍在約3(例如Mo和Al)到大約6(Pt和Ir)之間。貴金屬(Cu,Ag和Au)對(duì)這一范圍(n<0.3;k>3.0)來說是個(gè)例外,但是在這一部分中不會(huì)被考慮。堿金屬(Li,Na,K,Cs)在光學(xué)特性上和貴金屬相似,但因其反應(yīng)性的原因而不適合。
例8(本發(fā)明,計(jì)算結(jié)果)使用先前描述的光學(xué)建模技術(shù),我們能夠確定一個(gè)吸收體抗反射層的光學(xué)特性,該吸收體抗反射層能提供一個(gè)具有低的微吸收變化率的高效吸收施主基板。
首先,考慮透明支撐元件20和金屬熱吸收層22的平均值或典型值。同樣,只考慮一個(gè)非吸收抗反射層。具體如下,ns=1.55(n表示透明支撐元件)km=4.0(k表示金屬熱吸收層)nm=3.0(n表示金屬熱吸收層)ka=0.0(k表示吸收體抗反射層)薄膜計(jì)算結(jié)果顯示,吸收體抗反射層28的折射指數(shù)必須高于3.3,才能達(dá)到95%的施主吸收體效率,必須高于3.7才能達(dá)到98%的施主吸收體效率。這排除了用于制造薄膜的所有常規(guī)介電絕緣體的考慮,例如MgF2(n=1.37),SiO2(n=1.45),MgO(n=1.73),Al2O3(n=1.76),SiO(n=1.9到2),Si3N4(n=2.0)和TiO2(n=2.5到2.8)。用于解決這些材料問題的技術(shù)方案有兩類材料半導(dǎo)體和硫?qū)僭鼗铩?br>
有多種材料能夠滿足近紅外區(qū)的光學(xué)特性約束??紤]800nm附近的波長,我們從Palik的匯編中得到表2所示的材料列表。
表2
此次只考慮非吸收材料,所以我們能夠任意地將k值限制到0.2或更小,n值到3.3或更大。結(jié)果產(chǎn)生較少的優(yōu)選材料,包括AlSb,As2S3,GaAs,PbS,PbTe和Si。這些材料在光學(xué)上都是可用的,但是期望采用不含Sb,As或Pb的毒性少的材料。這樣將最優(yōu)選的材料簡化為Si。再者,由于高吸收施主基板16在轉(zhuǎn)換過程中將被激光加熱,因此需要將金屬光吸收層22和施主吸收體抗反射層28選為耐熱的。
對(duì)于可獲得材料來說,金屬光吸收層22的折射率指數(shù)的實(shí)部,nm的范圍介于大約2到4.5之間。為研究這些選擇是怎樣對(duì)吸收體抗反射層28材料的選擇產(chǎn)生影響的,在上述例8中進(jìn)行了薄膜計(jì)算,只是允許nm的值變化。表3是這些計(jì)算的結(jié)果,在表3和所有后續(xù)的表中,若對(duì)吸收體抗反射層28的折射指數(shù)的限制大于10,則不表示出上限。
表3
表3中清楚地表明具有低n的金屬需要高指數(shù)抗反射的材料,以提供有效的施主吸收體。例如,na值為3.9的非晶硅不適合與nm值為2.06的金屬例如Pd在一起工作以得到具有98%施主吸收體效率的高吸收施主基板16。高指數(shù)金屬增大了選擇吸收體抗反射材料的工作空間。有可能得到具有非常高的折射率的吸收體抗反射材料,但情況往往并非如此,除非考慮了吸收材料。
現(xiàn)在考慮在這種操作空間上的km的影響。對(duì)于作為上述例8中的“典型”系統(tǒng)選擇的值是4。實(shí)際金屬的值處于3到6。表4顯示了針對(duì)km極限值的薄膜計(jì)算結(jié)果。趨勢與表3中的類似,nm的增加值允許吸收體抗反射層28采用低指數(shù)材料。我們現(xiàn)在能夠看到,km的較低值也允許吸收體抗反射層28采用低指數(shù)材料。結(jié)論是為了達(dá)到98%的吸收體效率,具有高n值和低k值的金屬熱吸收層22仍然需要一個(gè)指數(shù)接近3的吸收體抗反射層。
表4
最后,考慮ns的影響,ns是透明支撐元件材料的折射指數(shù)。例8的“典型”系統(tǒng)中所用的值是1.55。現(xiàn)在考慮極限值1.4和1.7,大多數(shù)可用金屬的值都介于這兩個(gè)值之間。計(jì)算結(jié)果列于表5中,從中我們可以看出,低指數(shù)的透明支撐元件20允許選用低指數(shù)的吸收體抗反射層材料。
表5
總結(jié)上述計(jì)算的結(jié)果,最廣泛的用于吸收體抗反射層28的材料可以通過選擇具有高n值和低k值的材料作為金屬光吸收層22,選擇具有低折射率值n的材料作為透明支撐元件20來得到。表2表明,符合這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的金屬不是很多,可能的最佳選擇(鋨;n=2.99,k=1.7)是非常昂貴和難以制造。同樣的,高溫透明支撐材料通常具有高n值(例如,聚酰亞胺和聚砜)。實(shí)際可選的系統(tǒng)經(jīng)常需要有所變動(dòng),為吸收體抗反射層28選擇具有非常高的指數(shù)的材料,來補(bǔ)償或犧牲施主吸收體效率中的幾個(gè)百分點(diǎn)。
為了構(gòu)建一個(gè)有用的高吸收施主基板16,我們現(xiàn)在考慮最后一個(gè)變量?;谏鲜瞿康模覀兗俣ㄎ阵w抗反射層28沒有任何實(shí)質(zhì)的吸收。在例3,4,5和6中,非晶硅的濺射薄膜被非常成功地用作吸收體抗反射層28。據(jù)報(bào)道,非晶硅在感興趣的波長,810nm,的吸收系數(shù)km是0.08?;氐奖?,其中列舉了各種半導(dǎo)體和其它材料在810nm波長附近的n和k值,k值的范圍是0到2.6。由于抗反射層的目的是去除有害的反射或增加傳輸?shù)墓獾牧炕蚴羌嬗羞@兩個(gè)目的,k值為0的抗反射層將是有利的。在高吸收施主基板16的情況下,主要目標(biāo)是消除有害反射(以減少M(fèi)AV)。如果部分激光在吸收體抗反射層28中被轉(zhuǎn)換為熱,這些能量仍然有用,這是因?yàn)槲阵w抗反射層28與金屬光吸收層22緊密接觸,將極大地促進(jìn)后者溫度的升高。因此,在這種應(yīng)用場合下,只要符合光學(xué)準(zhǔn)則,吸收體抗反射層28具有有效的吸收率是可以接受的,并且從施主吸收體出來的反射光是很少的。
對(duì)于典型金屬(不包括貴金屬,Cu,Ag,Au),k的極限值是大約是0.5。高于這個(gè)值,沒有足夠的光從金屬的光吸收層22反射出來,以滿足抗反射條件。對(duì)于極好的反射體,例如Cu,Ag,Au和Al,范圍在1到1.5之間的k值可以提供有效的抗反射層,反之當(dāng)k等于0時(shí)是無效的。對(duì)于不是有效反射體的金屬熱吸收材料,例如Cr,k值為0是有效的(參考前述全部例子),不過k值高到0.5時(shí)也還是有效的。這一點(diǎn)使得鍺的使用變?yōu)榭赡?,并使非晶硅的使用變?yōu)榭赡堋?br>
鍺在810nm附近的k值為0.316(見表2)。表6是表3的復(fù)制,只是現(xiàn)將ka值設(shè)到0.3,以仿真鍺。
表6
當(dāng)吸收體抗反射層28自身開始吸收時(shí),我們在非吸收體中努力去達(dá)到的高折射指數(shù)值更加寬松,吸收體抗反射材料具有非常高的指數(shù)的可能性成為可行。實(shí)際上,觀察表2中所述材料,可以發(fā)現(xiàn)吸收材料(高k值)傾向于具有高n值。
例9(本發(fā)明,計(jì)算結(jié)果)對(duì)圖5所示的一種高吸收施主基板16建模。參數(shù)和例3中的一致,只是用鍺的值代替了硅的值。在這種情況下,吸收體抗反射層28具有重要的吸收作用。在這個(gè)理論計(jì)算例子中,使用的光學(xué)常數(shù)是公開的值,典型為松散材料(bulkmaterial)的值(Palik和其參考書)。即ns=1.58(聚碳酸酯,典型值)na=4.684(鍺,Palik)ka=0.316(鍺,Palik)nm=4.23(鉻,Palik)km=4.34(鉻,Palik)λ=810nm計(jì)算結(jié)果表明27.0nm厚的鍺層是最佳的調(diào)整厚度。施主背面反射率是5.1%,施主吸收體反射率是3.1%。Apeak值為99.74%,Avalley值為85.13%,得到MAV值為7.90%。這比例1中的簡單施主基板12的一致性大三倍,但比例8中的Si-Cr施主差。問題在于,Ge事實(shí)上具有太高的指數(shù)以至于跟鉻不匹配。表6表明,為了達(dá)到少于2%的施主吸收體反射率,折射指數(shù)na應(yīng)該在2.4到4.1之間。再回到表6,一種更好的材料是鎳,其nm=2.48和km=4.38。
例10(本發(fā)明,計(jì)算結(jié)果)對(duì)圖5所示的一種高吸收施主基板16建模。參數(shù)和例9中的一致,只是用鎳的值代替了鉻的值。在這個(gè)理論計(jì)算例子中,使用的光學(xué)常數(shù)是公開的值典型為松散材料(bulkmaterial)的值(Palik和其參考書)。即
ns=1.58(聚碳酸酯,典型值)na=4.684(鍺,Palik)ka=0.316(鍺,Palik)nm=2.48(鎳,Palik)km=4.38(鎳,Palik)λ=810nm計(jì)算結(jié)果表明23.4nm厚的鍺層是最佳的調(diào)整厚度。施主背板反射率是5.1%,施主吸收體反射率是0.05%。Apeak值為95.83%,Avalley值為93.99%,得到MAV值為0.71%。這種搭配與例3中的硅-鉻搭配效果一樣好。
例11(本發(fā)明,試驗(yàn)結(jié)果)參考圖5,通過在透明支撐元件20上放置一種近乎理想指數(shù)匹配的吸收體抗反射層28,制得一種高吸收施主基板12。透明支撐元件20是1.2mm厚的聚碳酸酯。吸收體抗反射層28是99.999%的鍺,其中摻雜有銻,使其電阻率為0.020Ω-cm,該吸收體抗反射層是在8mTorr的氬氣中使用dc濺射得到的。銻用于在dc濺射過程中減少充電,且其不影響鍺的光學(xué)特性。準(zhǔn)備了一系列試片,其鍺層的厚度范圍在0nm到44nm之間變化。僅從濺射的時(shí)間估算得到精確的厚度。一種純鎳金屬(純度未知)的金屬熱吸收層22在6mTorr的氬氣中被濺射到吸收體抗反射層28上,厚度大約為100nm。整個(gè)厚度序列的高吸收施主基板16的反射率是通過一個(gè)未校正的分光光度計(jì)在800nm光時(shí)測量的。結(jié)果見圖8。效果最好的是當(dāng)鍺層厚度為30nm時(shí)。這個(gè)結(jié)果略高于例10(23.4nm)的預(yù)測結(jié)果。這種差異可能是由試驗(yàn)厚度測量值的不準(zhǔn)確性造成的,或更是文獻(xiàn)中公開發(fā)表的松散材料的光學(xué)常數(shù)和通過濺射得到的實(shí)際值之間的差異造成的。調(diào)整到最好的高吸收施主基板16在800nm時(shí)由Cary 2300分光光度計(jì)測得的反射率是7.2%。由于施主背面反射率(基于聚碳酸酯的折射指數(shù))是5.1%,施主吸收體反射率只有大約2%。應(yīng)該注意的是暴露的試樣區(qū)域?yàn)橐粋€(gè)直徑大約15mm的圓。參考圖3,反射率平均值在許多邊紋上測量的,所以測量值是平均反射率。
例12(本發(fā)明,試驗(yàn)結(jié)果)基于例11的結(jié)果,在75微米厚的UDEL支撐表面上涂覆30nm厚的Ge和60nm厚的Ni。所得到的涂覆層與例11中的涂覆層的外貌一致。一層20nm厚的2-叔丁基-9,10-雙(2-萘基)蒽(TBADN)層被真空沉積到鉻層上,緊接著是第2層0.25nm厚的四-叔丁基-二萘嵌苯(tetra-tert-butyl-perylene)(TBP),以生成用于OLED工藝的高效施主元件14。通過使用波長為810nm的掃描紅外線來加熱藍(lán)色高吸收施主元件14,這些材料從藍(lán)色高吸收施主元件14轉(zhuǎn)換為工作中的OLED器件。激光點(diǎn)大小是0.010mm乘5.12mm,總輸出功率為3.0w。光線在0.01mm線度方向上以187mm/s的速度掃描,因此在大約70ms內(nèi),藍(lán)色高效施主元件14暴露在3.4mJ/mm2的能量下。這些曝光量足以將有機(jī)物從施主薄片轉(zhuǎn)換到工作OLED器件。正如所預(yù)期的那樣,對(duì)于這種化合作用,器件的完工產(chǎn)生了藍(lán)光元件。
一個(gè)用于生成具有低MAV的高吸收施主基板的特定系統(tǒng),該系統(tǒng)可以在給定波長下工作,但是在其它波長時(shí)將不能高效地工作。例如,一個(gè)適當(dāng)調(diào)整的Si-Cr系統(tǒng)能夠在800nm時(shí)達(dá)到實(shí)際為0的施主吸收體反射率。圖9顯示了在聚碳酸酯上適當(dāng)調(diào)整(最優(yōu)化硅厚度)的Si-Cr高吸收施主基板的施主吸收體反射率相對(duì)于波長的函數(shù)。其中,使用的光學(xué)常數(shù)是在Palik的文獻(xiàn)上公開的用于非晶硅和鉻金屬的值。在光的波長顯著不同于810nm時(shí),即使Si的厚度是最優(yōu)的,施主吸收體反射率也會(huì)高達(dá)10%。這是因?yàn)镾i和Cr的光學(xué)特性在這些波長處不能合適地匹配。圖10表示了這種系統(tǒng)的計(jì)算MAV值相對(duì)于波長的函數(shù)。這種高吸收施主基板的MAV值曲線比在其它波長處的反射率曲線惡化地更快。
最后需要詳細(xì)說明的是很難獲得蒸發(fā)得到的薄膜的折射指數(shù)的體值(bulk value)。蒸發(fā)方法得到的通常是低密度的膜,其折射指相對(duì)于公開的體數(shù)量(bulk quantity)低。再者,某些材料,例如硅,在涂覆設(shè)備中能夠與背景氣體起反應(yīng),例如氧氣或水蒸汽,生成部分氧化膜。它們同樣比塊硅具有更低的指數(shù)。為了說明這個(gè)效果,我們考慮在聚碳酸酯(ns=1.58)上涂覆的一系列非晶硅涂層(na=3.89;ka=0.10),其后是一層低指數(shù)金屬如鎳(nm=2.48;km=4.38)。圖11顯示了通過計(jì)算得到的,從這一系列涂層的800nm光的總反射率相對(duì)于硅厚度的函數(shù)。高指數(shù)的鉻金屬熱吸收層的最低總反射率是5.1%,這一反射率幾乎是施主背面反射率的全部。低指數(shù)的鎳金屬熱吸收層22的最低總反射率是7.3%。
這些精確的樣品是在壓力大約為5×10-6Torr的涂覆機(jī)器中制得的。硅的沉積速率非常慢,只有1埃每秒。樣品的總反射率被測量(800nm時(shí))出來,并表示在圖12中。800nm波長時(shí),硅-鎳和硅-鉻高吸收施主基板的總反射率最小值分別是22.9%和11.7%。我們可以利用以前例子中所用的光學(xué)模型進(jìn)行估計(jì),慢速沉積硅的折射指數(shù)在2.6到2.9的數(shù)量級(jí)。這只是一種估計(jì),因?yàn)殒嚭豌t的實(shí)際折射指數(shù)也是值得懷疑的。
在同樣的涂覆機(jī)器中生產(chǎn)出同樣的樣品系列,只不過將硅的沉積速度增加到5埃每秒??偡瓷渎时辉俅螠y量,并表示在圖13中。在800nm波長時(shí),硅-鎳和硅-鉻高吸收施主基板的總反射率最小值分別是11.7%和5.2%。光學(xué)建模建議高速沉積硅的折射指數(shù)在3.4到3.6數(shù)量級(jí)。這樣,覆蓋高指數(shù)硅具有一定的問題,使用高指數(shù)的金屬例如鉻在獲得高效施主基板16以及具有低MAV(高的一致性)的施主基板方面,具有相當(dāng)大的優(yōu)勢。
以下是本發(fā)明的其它特征本方法中,透明塑料支撐元件的厚度小于200微米。
本方法中,透明塑料支撐元件是聚酰亞胺、聚砜、聚醚酰亞胺、聚偏二氟乙烯或聚甲基戊烯、或其混合物。
權(quán)利要求
1.一種制作高吸收施主基板的方法,該高吸收施主基板被涂覆一種或多種有機(jī)材料層施主并且用于響應(yīng)于預(yù)定波長范圍的激光為OLED器件提供一種或多種OLED材料,該方法包括(a)提供一種透明支撐元件;(b)在透明支撐元件上提供一種吸收體抗反射層,該抗反射層的折射指數(shù)的實(shí)部大于3.0,厚度接近感興趣波長處的第一反射率最小值;(c)在該抗反射層上提供一個(gè)金屬熱吸收層,用于吸收穿過透明支撐元件和該抗反射層的激光;(d)選擇透明支撐元件,抗反射層,和金屬熱吸收層,使平均反射率小于10%,并且在感興趣波長處,由透明支撐元件的厚度變化所導(dǎo)致的微反射率變化小于10%;和(e)在金屬熱吸收層上的沒有粘結(jié)劑材料內(nèi)提供一層或多層有機(jī)材料層,金屬熱吸收層包括能夠轉(zhuǎn)換到OLED器件的有機(jī)材料。
2.權(quán)利要求1的方法中,其中金屬熱吸收層的折射指數(shù)的實(shí)部大于3.0。
3.權(quán)利要求1的方法中,其中感興趣的波長大于550nm并且小于1100nm。
4.權(quán)利要求1的方法中,其中金屬熱吸收層包括Cr。
5.權(quán)利要求1的方法中,其中有機(jī)材料層包括兩種不同有機(jī)材料。
6.權(quán)利要求1的方法中,其中吸收體抗反射層包括硅,金屬熱吸收層包括鉻。
7.權(quán)利要求1的方法中,其中抗反射層包括Si和Ge的混合物。
8.權(quán)利要求1的方法中,其中金屬熱吸收層包括Ag,Al,Au,Be,Co,Cr,Cu,F(xiàn)e,Ir,Mo,Nb,Ni,Pt,Rh,Ta,Pd,V,或W,或它們的混合物。
9.權(quán)利要求2的方法中,其中金屬熱吸收層包括Be,Cr,V,Mo,Pt,或W,或它們的混合物。
10.權(quán)利要求1的方法中,其中金屬熱吸收層包括Ni,抗反射層包括Ge。
全文摘要
生成高吸收施主基板以便向OLED器件提供一種或多種OLED材料的方法在透明支撐元件上提供吸收體抗反射層,該抗反射層的折射指數(shù)的實(shí)部大于3.0,厚度接近感興趣波長的第一反射率最小值;在抗反射層上提供一金屬熱吸收層,用于吸收穿過透明支撐元件和抗反射層的激光;選擇透明支撐元件,抗反射層,和金屬熱吸收層,使得當(dāng)在感興趣波長處,平均反射率小于10%,由透明支撐元件的厚度變化所導(dǎo)致的微反射率變化小于10%;在金屬熱吸收層上的沒有粘結(jié)劑材料內(nèi)提供一層或多層有機(jī)材料層。
文檔編號(hào)B41M5/42GK1533219SQ200410030130
公開日2004年9月29日 申請(qǐng)日期2004年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月20日
發(fā)明者D·R·普羅伊斯, F·瓦贊, D R 普羅伊斯 申請(qǐng)人:伊斯曼柯達(dá)公司