專利名稱：流體噴射裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種流體噴射裝置及其制造方法，特別是涉及一種可提高使用效率及延長壽命的流體噴射裝置及其制造方法。
背景技術：
目前流體噴射裝置大多運用于噴墨頭、燃料噴射器等元件上，其中噴墨頭更是大量的使用熱趨氣泡式設計。
圖1顯示一種現(xiàn)有美國專利號碼6,102,530的單石化的流體噴射裝置1，其以一硅基底10作為本體，且在硅基底10上形成一結構層12，而在硅基底10和結構層12之間形成一流體腔14，用以容納流體26；而在結構層12上設有一第一加熱器20、以及一第二加熱器22，第一加熱器20用以在流體腔14內(nèi)產(chǎn)生一第一氣泡30，第二加熱器22用以在流體腔14內(nèi)產(chǎn)生一第二氣泡32，以將流體腔14內(nèi)的流體26射出。
由于單石化的流體噴射裝置1具有虛擬氣閥(virtual valve)的設計，并擁有高排列密度、低交互干擾、低熱量損失的特性，且無須另外利用組裝方式接合噴孔片，因此可以降低生產(chǎn)成本。
然而，在現(xiàn)有的單石化的流體噴射裝置1中，結構層12主要由低應力的氧化硅所組成，在制造工藝上，其厚度有所限制，因此對于整體結構的壽命有其影響，且由于受氣泡擠壓而飛離裝置的液滴因為結構層12厚度不足，而會有方向無法導正的缺點；其次，加熱器20、22位于結構層12之上，產(chǎn)生的熱量可大量的傳導到流體腔內(nèi)的流體26，但是相對的仍有部分的殘余熱量會累積在結構層12上，間接影響到系統(tǒng)的操作頻率。
基于上述缺點，因而需要一種有效率地移除殘余熱量，并增加整體結構強度的流體噴射裝置。藉由批覆一金屬層于結構層之外，達到除殘余熱量，并增加整體結構強度的目的。然而，金屬層的表面特性并不足以滿足流體噴射裝置的需求。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種流體噴射裝置及其制造方法，可提高使用效率，加強流體噴出穩(wěn)定性，且可延長壽命。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種流體噴射裝置，包括一硅基底；一結構層，設置在該硅基底上，且在與該硅基底之間形成一流體腔；至少一氣泡產(chǎn)生裝置、設置于該結構層上且與該流體腔對應；一保護層設置于該結構層上且覆蓋該氣泡產(chǎn)生裝置；一復合層，位于該保護層上；以及一噴孔，鄰近該氣泡產(chǎn)生器且穿透疏水厚膜層、金屬層、保護層與結構層，而噴孔與流體腔連通；其中復合層至少包括一金屬層及一疏水厚膜層。
根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實施方式，其中該復合層包括一金屬層，位于該保護層上；以及一疏水厚膜層，位于該金屬層上。
根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實施方式，其中該復合層包括一金屬層，位于該保護層上，且具有一開口；以及一疏水厚膜層，順應性形成于該金屬層與該保護層上，填入該開口。
根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實施方式，其中該復合層包括一金屬層，位于該保護層上，且具有一開口；以及一疏水厚膜層，設置于該開口內(nèi)的基底上。
氣泡產(chǎn)生裝置是電阻加熱器。金屬層是鎳-鈷合金、金-鈷合金或金。疏水厚膜層的材料是聚亞酰胺(polyimide)、感光性光致抗蝕劑或硅膠。而結構層的材料為低應力的氮氧化硅(SiON)或氮化硅(SiN)。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明另提供一種流體噴射裝置的制造方法，包括下列步驟提供一基底；形成一圖案化犧牲層于該基底的一第一面上；形成一圖案化結構層于該基底上，且覆蓋該圖案化犧牲層；設置一致動裝置于該結構層上，其中該致動裝置位于該流體腔外；在該結構層上形成一保護層并覆蓋該致動裝置；形成一圖案化復合層于該保護層上；形成一流體通道于該基板的一第二面，以露出該犧牲層；移除該犧牲層以形成一流體腔；以及依序蝕刻該保護層及該結構層，以形成一噴孔鄰近該氣泡產(chǎn)生裝置且與該流體腔連通；其中該復合層至少包括一金屬層及一疏水厚膜層。
應了解的是金屬層是鎳-鈷合金、金-鈷合金或金。金屬層由電鑄、無電鍍、物理氣相沉積以及化學氣相沉積法形成。疏水厚膜層的材料是聚亞酰胺(polyimide)、感光性光致抗蝕劑或硅膠。疏水厚膜層由旋轉涂布、網(wǎng)印或滾壓貼合法形成。而結構層的材料為低應力的氮氧化硅(SiON)或氮化硅(SiN)。
以下配合圖式以及優(yōu)選實施例，以更詳細地說明本發(fā)明。


圖1顯示一種現(xiàn)有的單石化的流體噴射裝置；圖2顯示本發(fā)明第一實施例的流體噴射裝置；圖3A～3D說明本實施例的一種流體噴射裝置的制造方法示意圖；圖4A～4E為本發(fā)明的流體噴射裝置的第二實施例的制造方法示意圖；圖5A～5D為本發(fā)明的流體噴射裝置的第三實施例的制造方法示意圖；以及圖6A～6E為本發(fā)明的流體噴射裝置的第四實施例的制造方法示意圖。
簡單符號說明現(xiàn)有部分(圖1)1～單石化的流體噴射裝置；10～硅基底；12～結構層；14～流體腔；20～第一加熱器；22～第二加熱器；26～流體通道；30～第一氣泡；32～第二氣泡。
本發(fā)明部分(圖2～5)100、100a、100b～流體噴射裝置；110～基材；111～硅基底；111a～犧牲層；112～結構層；1122～表面；113～流體腔；114～噴孔；114a～開孔；116～流體通道；120～氣泡產(chǎn)生裝置；121～第一加熱器；122～第二加熱器；130～保護層；140a～起始層；140、140b～金屬層；142、155～圖案化光致抗蝕劑層；144～開口；150～疏水厚膜層；150a～圖案化疏水厚膜層；150b～甜甜圈型疏水厚膜層。
具體實施例方式
第一實施例參考圖2，其顯示本發(fā)明的流體噴射裝置的第一實施例，本實施例的流體噴射裝置100包括一基材110，具有一流體腔113、一結構層112、至少一氣泡產(chǎn)生裝置120與流體腔113對應以及一保護層130設置于該結構層112上且覆蓋該氣泡產(chǎn)生裝置120；一具疏水及散熱性質(zhì)的復合層包括一金屬層140，位于基材110上及一疏水性厚膜層150，位于金屬層140上；以及一噴孔114，鄰近該氣泡產(chǎn)生裝置120且穿透疏水厚膜層150、金屬層140、保護層130與結構層112與流體腔113連通。
基材110包括一硅基底111、一結構層112，設置在該硅基底111上，且在與該硅基底111之間形成一流體腔113；至少一氣泡產(chǎn)生裝置120、設置于結構層112上且與流體腔113對應；以及一保護層130設置于結構層112上且覆蓋氣泡產(chǎn)生裝置120。
流體致動裝置120設置于結構層112的表面上，并且位于基材110中的流體腔113外；氣泡產(chǎn)生裝置120優(yōu)選者為由電阻層所構成的加熱器。在本實施例中，氣泡產(chǎn)生裝置120包括一第一加熱器121、以及一第二加熱器122，第一加熱器121如現(xiàn)有般，用以在流體腔113內(nèi)產(chǎn)生一第一氣泡(參考圖1)，第二加熱器122與第一加熱器121分別位于第一通孔114的相對側，且如現(xiàn)有般，用以在流體腔113內(nèi)產(chǎn)生一第二氣泡(參考圖1)以將流體腔113內(nèi)的流體射出。
上述氣泡產(chǎn)生裝置還包括一信號傳送線路(未圖標)，形成于結構層與保護層之間，連接驅(qū)動氣泡產(chǎn)生裝置的電路。信號傳送線路利用物理氣相沉積法(PVD)沉積一圖案化導電層，例如Al、Cu、AlCu或其它導線材料于結構層上。
保護層130(例如氮化硅)設置于結構層112上。而結構層的材料為低應力的氮氧化硅(SiON)，其應力介于100～200百萬帕(MPa)。
一金屬層140設置于保護層130上。應了解的是金屬層140的材料可為鎳(Ni)、鎳鈷合金(Ni-Co alloy)、金(Au)、金鈷合金(Au-Co alloy)或上述材料的組合，優(yōu)選者為導熱系數(shù)較高的材料。一疏水厚膜層(例如高分子層)1 50設置于金屬層140上。疏水厚膜層150可為聚亞酰胺(polyimide)、感光性光致抗蝕劑或是硅膠。
流體噴射裝置的噴孔114，鄰近氣泡產(chǎn)生裝置120且穿透疏水厚膜層150、金屬層140、保護層130及結構層112與流體腔113連通。
在本發(fā)明的流體噴射裝置中，主要將低應力的氮氧化硅形成一懸浮結構，此懸浮結構在實際操作上，必須經(jīng)過多次的熱應力以及外力沖擊，因而必須具備相當程度的結構強度。若僅以單層低應力的氮氧化硅，在結構強度上會有相當?shù)南拗?。因此本發(fā)明提出在低應力的氮氧化硅層外部披覆上一既定厚度且經(jīng)曝光產(chǎn)生交聯(lián)作用(cross-link)的疏水性的厚膜層，可有效地增加懸浮結構的強度，使流體噴射裝置使用的壽命顯著提升。
本實施例的流體噴射裝置的構成如上所述，以下參考圖3A～3E說明本實施例的一種流體噴射裝置的制造方法。
請參閱圖3A，提供一硅基底111，且在硅基底111上形成一圖案化犧牲層111a。犧牲層111a由化學氣相沉積(CVD)法所沉積的硼硅酸磷玻璃(BPSG)、硅酸磷玻璃(PSG)或其它氧化硅材料。接著，順應性形成一圖案化結構層112于硅基底111上，且覆蓋圖案化犧牲層111a。結構層112可由化學氣相沉積法(CVD)所形成的一低應力的氮氧化硅(SiON)層，或氮化硅層。
請參閱圖3B，設置一氣泡產(chǎn)生裝置120于結構層112上。氣泡產(chǎn)生裝置120優(yōu)選者為由一電阻層所構成的加熱器，其中電阻層由物理氣相沉積法(PVD)，例如蒸鍍、濺射法或反應性濺射法，形成如HfB2、TaAl、TaN或其它電阻材料。接著，在結構層112上形成一保護層130。
請參閱圖3C，在保護層130上形成一金屬層140，覆蓋該保護層130。金屬層140是鎳-鈷合金、金-鈷合金或金。金屬層140由電鑄、無電鍍、物理氣相沉積以及化學氣相沉積法形成。接著，形成一疏水厚膜層(例如高分子層)150于金屬140層上。疏水厚膜層150的材料是聚亞酰胺(polyimide)、感光性光致抗蝕劑或硅膠。疏水厚膜層150由旋轉涂布、網(wǎng)印或滾壓貼合法形成。
請參閱圖3D，以濕蝕刻法蝕刻于基底111背面形成一流體通道116，且露出犧牲層111a。然后，再蝕刻犧牲層111a以形成一流體腔113并擴大之。
接著，依序蝕刻疏水厚膜層150、金屬層140、保護層130及結構層120，以形成一噴孔114鄰近氣泡產(chǎn)生裝置120且與流體腔113連通。
如上所述，本實施例的流體噴射裝置在其外部形成一層金屬層，一方面可加強流體噴射裝置的結構強度，另一方面利用金屬層優(yōu)選的導熱特性，使氣泡產(chǎn)生裝置的加熱器殘留熱量可以透過金屬層，迅速地傳導到空氣中或基材等其它區(qū)域，使操作頻率得以提高。而高分子厚膜則因其表面具有疏水性質(zhì)，使流體不易殘留于噴射裝置表面，使每次流體噴射時的條件一致，以及液滴飛離的方向穩(wěn)定。
第二實施例圖4A～4E為本發(fā)明的流體噴射裝置的第二實施例的示意圖，在本實施例中所提供的基材110包括一硅基底111、一結構層112，設置在硅基底111上；至少一氣泡產(chǎn)生裝置120，設置于結構層112上；以及一保護層130設置于結構層112上且覆蓋該氣泡產(chǎn)生裝置120。其構成于實施步驟與第一實施例相同(如圖3A～3B)，在此省略其說明。
請參閱圖4A，形成一起始層140a于基材110上。起始層140a的材料可提供金屬層與保護層間有足夠的附著力。
請參閱圖4B，以微影制造工藝形成一圖案化光致抗蝕劑層142于晶種層140a上，且鄰近氣泡產(chǎn)生裝置120。接著，形成一金屬層140b于圖案化光致抗蝕劑層142周側的起始層140a上。金屬層140b以電鑄(electroforming)、無電鍍(electroless plating)。金屬層140的材料可為鎳(Ni)、鎳鈷合金(Ni-Coalloy)、金(Au)、金鈷合金(Au-Co alloy)或上述材料的組合，優(yōu)選者為導熱系數(shù)較高的材料。
請參閱圖4C，移除圖案化光致抗蝕劑層142及裸露的起始層140a，形成一開口144于金屬層140b內(nèi)。開口144的位置相對于流體噴射裝置的噴孔位置(圖2)，且直徑大于噴孔的直徑。。
請參閱圖4D，順應性形成一疏水厚膜(例如高分子層)150于金屬層140b上并填入開口144。疏水厚膜層150的材料是聚亞酰胺(polyimide)、感光性光致抗蝕劑或硅膠。疏水厚膜層150由旋轉涂布、網(wǎng)印或滾壓貼合法形成。
請參閱圖4E，以濕蝕刻法蝕刻于基底111背面形成一流體通道116，且露出犧牲層111a。然后，再蝕刻犧牲層111a以形成一流體腔113并擴大之。
接著，依序蝕刻疏水厚膜層150、保護層130及結構層120，以形成一噴孔114鄰近該氣泡產(chǎn)生裝置120且與該流體腔113連通。
在本實施例的流體噴射裝置中，主要將流體噴射裝置外部也形成金屬層以及具疏水性的高分子層，因此也可達到與第一實施例相同的功效，也就是，可加強流體噴射裝置的結構強度，增加流體噴射裝置的散熱效率及使流體不易殘留于噴射裝置表面。另一方面，由于金屬層并未直接與流體接觸，使得流體經(jīng)由歧管回填至流體腔時，表面的疏水性質(zhì)會抑制流體經(jīng)由噴孔擴散至噴射裝置表面，而使飛離液滴的脫離方向更加穩(wěn)定。
第三實施例圖5A～5C為本發(fā)明的流體噴射裝置的第三實施例的示意圖，在本實施例中所提供的基材110包括一硅基底111、一結構層112，設置在硅基底111上。至少一氣泡產(chǎn)生裝置120、設置于結構層112上。以及一保護層130設置于結構層112上且覆蓋氣泡產(chǎn)生裝置120。其構成于實施步驟與第一實施例相同(如圖3A～3B)，在此省略其說明。
請參閱圖5A，形成一起始層140a于基材110上。起始層140a的材料可提供金屬層與保護層間有足夠的附著力。此步驟與圖4A相同。
請參閱圖5B，形成一疏水厚膜層(例如高分子層)150于起始層140a上。疏水厚膜層150的材料是聚亞酰胺(polyimide)、感光性光致抗蝕劑或硅膠。疏水厚膜層150由旋轉涂布、網(wǎng)印或滾壓貼合法形成。以微影制造工藝形成一圖案化疏水厚膜層150a于起始層140a上，且鄰近氣泡產(chǎn)生裝置120。圖案化疏水性厚膜層150a的位置相對于流體噴射裝置的噴孔位置(圖2)，且直徑大于噴孔的直徑。
請參閱圖5C，形成一金屬層140b于圖案化疏水厚膜層150a周側的起始層140a上。金屬層140b以電鑄(electrofoming)、無電鍍(electroless plating)法形成。金屬層140的材料可為鎳鈷合金(Ni-Co alloy)、金(Au)、金鈷合金(Au-Co alloy)或上述材料的組合，優(yōu)選者為導熱系數(shù)較高的材料。
請參閱圖5D，以濕蝕刻法蝕刻于基底111背面形成一流體通道116，且露出犧牲層111a。然后，再蝕刻犧牲層111a以形成一流體腔113并擴大之。
接著，依序蝕刻疏水厚膜層150a、起始層140a、保護層130及結構層120，以形成一噴孔114鄰近氣泡產(chǎn)生裝置120且與流體腔113連通。
第四實施例圖6A～6E為本發(fā)明的流體噴射裝置的第四實施例的示意圖，在本實施例中所提供的基材110包括一硅基底111、一結構層112，設置在硅基底111上。至少一氣泡產(chǎn)生裝置120、設置于結構層112上。以及一保護層130設置于該結構層112上且覆蓋氣泡產(chǎn)生裝置120。其構成于實施步驟與第一實施例相同(如圖3A～3B)，在此省略其說明。
請參閱圖6A，形成一起始層140a于基材110上。起始層140a的材料可提供金屬層與保護層間有足夠的附著力。此步驟與圖4A相同。
請參閱圖6B，形成一甜甜圈型(doughnut-shape)疏水厚膜層150于起始層140a上，且鄰近氣泡產(chǎn)生裝置120。疏水厚膜層150的材料是聚亞酰胺(polyimide)、感光性光致抗蝕劑或硅膠。疏水厚膜層150由旋轉涂布、網(wǎng)印或滾壓貼合法形成。甜甜圈型疏水厚膜層150a的中心具有一開口114a位置相對于流體噴射裝置的噴孔位置(圖2)，且直徑大于噴孔的直徑。
請參閱圖6C，形成一圖案化光致抗蝕劑層155于甜甜圈型疏水厚膜層150a上，遮住甜甜圈型疏水厚膜層150a的中心。
請參閱圖6D，形成一金屬層140b于甜甜圈型圖案化疏水厚膜層150a周側的起始層140a上。金屬層140b以電鑄(electroforming)、無電鍍(electrolessplating)法形成。金屬層140的材料可為鎳(Ni)、鎳鈷合金(Ni-Co alloy)、金(Au)、金鈷合金(Au-Co alloy)或上述材料的組合，優(yōu)選者為導熱系數(shù)較高的材料。
請參閱圖6E，移除圖案化光致抗蝕劑層155。以濕蝕刻法蝕刻于基底111背面形成一流體通道116，且露出犧牲層111a。然后，再蝕刻犧牲層111a以形成一流體腔113并擴大之。
接著，沿開口114a依序蝕刻保護層130及結構層120，以形成一噴孔114鄰近該氣泡產(chǎn)生裝置120且與該流體腔113連通。
在本發(fā)明第三及第四實施例的流體噴射裝置中，主要將流體噴射裝置外部也形成金屬層以及具疏水性的高分子層，因此也可達到與第一實施例相同的功效，也就是，可加強流體噴射裝置的結構強度，增加流體噴射裝置的散熱效率及使流體不易殘留于噴射裝置表面。另一方面，由于金屬層并未直接與流體接觸，使得流體經(jīng)由歧管回填至流體腔時，表面的疏水性質(zhì)會抑制流體經(jīng)由噴孔擴散至噴射裝置表面，而使飛離液滴的脫離方向更加穩(wěn)定。此外由于金屬層及疏水性厚膜層皆形成于起始層上，可降低元件的厚度。
本發(fā)明的特征與效果在于形成一金屬層以及一疏水性厚膜層于流體噴射裝置上，以加強單石化流體噴射裝置的結構強度。一方面利用金屬層優(yōu)選的導熱性，使氣泡產(chǎn)生裝置(例如加熱器)的殘留熱量，可以透過金屬層迅速地傳導至空氣中或基板等其它區(qū)域，使得操作頻率得以提高；另一方面利用高分子層本身的疏水特性，使得流體經(jīng)由歧管回填至流體腔時，表面的疏水性質(zhì)會抑制流體經(jīng)由噴孔擴散至噴射裝置表面，使流體噴射時的條件一致，使飛離液滴的脫離方向更加穩(wěn)定。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的權利要求所界定者為準。
權利要求
1.一種流體噴射裝置，包括一硅基底；一結構層，設置在該硅基底上，且在與該硅基底之間形成一流體腔；至少一氣泡產(chǎn)生裝置、設置于該結構層上且與該流體腔對應；一保護層，設置于該結構層上且覆蓋該氣泡產(chǎn)生裝置；一復合層，位于該保護層上；以及一噴孔，鄰近該氣泡產(chǎn)生器且穿透該復合層、該保護層與該結構層，而該噴孔與該流體腔連通。
2.如權利要求1所述的流體噴射裝置，其中該氣泡產(chǎn)生裝置是電阻加熱器。
3.如權利要求2所述的流體噴射裝置，其中該電阻加熱器包括一第一加熱器，以位于該流體腔外的方式設置于該表面上，用以在該流體腔內(nèi)產(chǎn)生一第一氣泡；以及一第二加熱器，以位于該流體腔外的方式設置于該表面上，且與該第一加熱器分別位于該第一通孔的相對側，用以在該流體腔內(nèi)產(chǎn)生一第二氣泡以將該流體腔內(nèi)的流體射出。
4.如權利要求1所述的流體噴射裝置，其中該結構層是氮化硅或氮氧化硅。
5.如權利要求1所述的流體噴射裝置，其中該復合層包括一金屬層，位于該保護層上；以及一疏水厚膜層，位于該金屬層上。
6.如權利要求5所述的流體噴射裝置，其中該金屬層是鎳、鎳-鈷合金、金-鈷合金或金。
7.如權利要求5所述的流體噴射裝置，其中該疏水厚膜層的材料是聚亞酰胺(polyimide)、感光性光致抗蝕劑或硅膠。
8.如權利要求1所述的流體噴射裝置，其中該復合層包括一金屬層，位于該保護層上，且具有一開口；以及一疏水厚膜層，順應性形成于該金屬層與該保護層上，填入該開口。
9.如權利要求1所述的流體噴射裝置，其中該復合層包括一金屬層，位于該保護層上，且具有一開口；以及一疏水厚膜層，設置于該開口內(nèi)的基底上。
10.一種流體噴射裝置的制造方法，包括下列步驟提供一基底；形成一圖案化犧牲層于該基底的一第一面上；形成一圖案化結構層于該基底上，且覆蓋該圖案化犧牲層；設置一致動裝置于該結構層上，其中該致動裝置位于該流體腔外；在該結構層上形成一保護層并覆蓋該致動裝置；形成一復合層于該保護層上；形成一流體通道于該基板的一第二面，以露出該犧牲層；移除該犧牲層以形成一流體腔；以及依序蝕刻該保護層及該結構層，以形成一噴孔鄰近該氣泡產(chǎn)生裝置且與該流體腔連通。
11.如權利要求10所述的流體噴射裝置的制造方法，其中該復合層包括一金屬層，位于該保護層上；以及一疏水厚膜層，位于該金屬層上。
12.如權利要求11所述的流體噴射裝置的制造方法，其中該金屬層是鎳、鎳-鈷合金、金-鈷合金或金。
13.如權利要求11所述的流體噴射裝置的制造方法，其中該金屬層由電鑄、無電鍍、物理氣相沉積以及化學氣相沉積法形成。
14.如權利要求11所述的流體噴射裝置的制造方法，其中該疏水厚膜層的材料是聚亞酰胺(polyimide)、感光性光致抗蝕劑或硅膠。
15.如權利要求11所述的流體噴射裝置的制造方法，其中該疏水性厚膜層由旋轉涂布、網(wǎng)印或滾壓貼合法形成。
16.如權利要求10所述的流體噴射裝置的制造方法，其中該復合層包括一金屬層，位于該保護層上，且具有一開口；以及一疏水厚膜層，順應性形成于該金屬層與該保護層上，填入該開口。
17.如權利要求10所述的流體噴射裝置的制造方法，其中該復合層包括一金屬層，位于該保護層上，且具有一開口；以及一疏水厚膜層，設置于該開口內(nèi)的基底上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種流體噴射裝置及其制造方法，其中流體噴射裝置包括一基材，具有一流體腔、一結構層、至少一氣泡產(chǎn)生裝置與流體腔對應以及一保護層設置于結構層上且覆蓋氣泡產(chǎn)生裝置。一具疏水及散熱性質(zhì)的復合層，位于基材上，其中該復合層至少包括一金屬層及一疏水厚膜層。以及一噴孔，鄰近氣泡產(chǎn)生裝置且穿透復合層、保護層以及結構層并與流體腔連通。
文檔編號B41J2/05GK1689815SQ200410038469
公開日2005年11月2日 申請日期2004年4月28日 優(yōu)先權日2004年4月28日
發(fā)明者陳葦霖, 胡宏盛 申請人:明基電通股份有限公司