專利名稱：曝光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及曝光裝置，特別涉及由多個發(fā)光元件在主掃描方向上以給定間隔排列配置而成的元件列、在副掃描方向上多列排列配置而成的曝光裝置。
背景技術(shù)：
使用熒光性有機物質(zhì)做發(fā)光層的有機電致發(fā)光元件，被稱為有機EL元件，與其他發(fā)光元件相比具有容易制造、能構(gòu)成薄且輕的發(fā)光元件等優(yōu)點，因此，歷來是作為薄型顯示器用元件予以研究開發(fā)而得以發(fā)展。近年，由于得到了在發(fā)光灰度、發(fā)光效率、耐久性能方面也能與發(fā)光二極管(LED)相拼比的高性能有機EL元件，開始研討將其應(yīng)用于對鹵化銀感光體等感光體曝光的曝光裝置中。
作為使用有機EL元件的曝光裝置，例如如圖8所示，以發(fā)出紅(R)綠(G)藍(B)各色光的有機EL元件80按每個顏色在主掃描方向上由多個元件排列配置而成的元件行、以RGB三色為1組、在副掃描方向上多組(圖8中為2組)排列配置而形成的。還有，圖8中，為區(qū)別RGB各色有機EL元件80，在符號末尾處添加表示相應(yīng)顏色的字母(R/G/B)。該曝光裝置中，由于各元件間的光量散差，圖像中在副掃描方向上產(chǎn)生條紋斑。
為解決該問題，有提議將多行元件行排列配置在副掃描方向上，通過用多行元件行在一條主掃描線反復(fù)曝光，可以將元件間光量散差平均化以消除條紋斑的技術(shù)(專利文獻1)但是，現(xiàn)有的多重曝光裝置是通過在副掃描方向上排列配置的多行元件行在一條主掃描線上多重曝光，存在由于在副掃描方向上曝光位置偏差而使得分辨率降低的問題。
專利文獻1特開2001-356422號公報。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為解決上述問題而進行的發(fā)明，其目的在于提供防止在副掃描方向上曝光位置的偏差、能進行高分辨率曝光的曝光裝置。
為達到上述目的，本發(fā)明的第一曝光裝置，其特征在于，具有發(fā)光元件陣列，讓多個發(fā)光元件在副掃描方向相對于感光材料排列，由多個各自可獨立驅(qū)動控制的發(fā)光元件沿與所述副掃描方向交叉的主掃描方向排列配置形成的元件行，在所述副掃描方向上排列配置多行而成；驅(qū)動控制單元，驅(qū)動控制各個所述發(fā)光元件，以分時順次點亮在所述副掃描方向上排列配置的多行元件行。當(dāng)以與副掃描方向相同方向順次點亮所述多行元件行時，所述元件行以下式(1)表示的間距排列配置，并且當(dāng)以與副掃描方向相反方向順次點亮所述多行元件行時，所述元件行以下式(2)表示的間距排列配置；T＝(m-1/n)P (1)T＝(m+1/n)P (2)式中，P為曝光像素間距，m為2以上的整數(shù)，n為在副掃描方向上排列配置的發(fā)光元件行數(shù)。
本發(fā)明的第一曝光裝置，具有發(fā)光元件陣列，讓多個發(fā)光元件在副掃描方向相對于感光材料排列，由多個各自可獨立驅(qū)動控制的發(fā)光元件沿與所述副掃描方向交叉的主掃描方向排列配置形成的元件行，在所述副掃描方向上排列配置多行而成，通過在副掃描方向上排列配置的多個發(fā)光元件對感光材料的同一位置多重曝光。驅(qū)動控制單元以分時順次點亮在發(fā)光元件陣列中在所述副掃描方向上排列配置的多行元件行，即所謂的無源驅(qū)動方式驅(qū)動控制各個發(fā)光元件。
發(fā)光元件陣列中，當(dāng)以副掃描方向相同方向順次點亮多行元件行時，元件行以上述式(1)表示的間距排列配置。還有，當(dāng)以副掃描方向相反方向順次點亮多行元件行時，元件行以上述式(2)表示的間距排列配置。式(1)及(2)中，事先考慮了曝光裝置的副掃描方向的移動量及移動方向，來決定各發(fā)光部的副掃描方向的間距T，使得即使曝光裝置移動了也能對給定像素位置曝光，因此，能夠防止在副掃描方向曝光位置的偏差。再有，由于是通過無源驅(qū)動進行曝光，因此能使副掃描方向的曝光量分布變窄。其結(jié)果，可以實現(xiàn)高分辨率多重曝光。
為達到上述目的，本發(fā)明的第二曝光裝置，其特征在于，具有發(fā)光元件陣列，讓多個發(fā)光元件在副掃描方向相對于感光材料排列，由多個各自可獨立驅(qū)動控制的發(fā)光元件沿與所述副掃描方向交叉的主掃描方向排列配置形成的元件行，在所述副掃描方向上排列配置多行而成；驅(qū)動控制單元，驅(qū)動控制各個所述發(fā)光元件，以分時順次點亮在所述副掃描方向上排列配置的多行元件行。在各元件行發(fā)光時間為t、幀間的間隔時間為t1的條件下，當(dāng)以與副掃描方向相同方向順次點亮所述多行元件行時，所述元件行以下式(4)表示的間距排列配置，當(dāng)以與副掃描方向相反方向順次點亮所述多行元件行時，所述元件行以下式(5)表示的間距排列配置；T′＝{m-t/(n·t+t1)}P(4)T′＝{m+t/(n·t+t1)}P(5)式中，P為曝光像素間距，m為2以上的整數(shù)，n為在副掃描方向上排列配置的發(fā)光元件行數(shù)。
第二曝光裝置，通過在曝光裝置的副掃描方向的移動量及移動方向的基礎(chǔ)上，預(yù)先還考慮幀間的間隔時間，來決定各發(fā)光部的副掃描方向間距T’，使得即使曝光裝置移動了也能對給定像素位置曝光，從而在實際驅(qū)動順序中能防止在副掃描方向的曝光位置偏差。另外，由于是通過無源驅(qū)動曝光，使在副掃描方向的曝光量分布變窄。其結(jié)果，能進行高分辨率多重曝光。
在上述第一曝光裝置中，以下式(3)表示的副掃描速度v對感光材料掃描曝光。
v＝P/(n·t) (3)在上述第二曝光裝置中，以下式(6)表示的副掃描速度v′對感光材料掃描曝光。
v′＝P/(n·t+t1) (6)
再有，發(fā)光元件陣列優(yōu)選采用有機EL元件，此時，有機EL元件的各發(fā)光部相當(dāng)于本發(fā)明的“發(fā)光元件”。
按照本發(fā)明，可以得到防止副掃描方向的曝光位置偏差，以進行高分辨率曝光的效果。


圖1表示有關(guān)本發(fā)明實施方式的曝光裝置結(jié)構(gòu)的斷面圖。
圖2表示有機EL元件發(fā)光部形成模式的俯視圖。
圖3(A)表示當(dāng)設(shè)定陰極線間距T為曝光像素間距P整數(shù)倍時陰極線與曝光像素位置關(guān)系的圖，(B)表示當(dāng)設(shè)定陰極線間距T為由式(1)決定時陰極線與曝光像素位置關(guān)系的圖。
圖4表示在有源驅(qū)動情況下，(A)為陰極線點燈時發(fā)光光量的圖表，(B)為陰極線熄燈時發(fā)光光量的圖表，(C)為感光材料表面曝光量分布的圖表。
圖5表示在無源驅(qū)動情況下，(A)為陰極線點燈時發(fā)光光量的圖表，(B)為陰極線熄燈時發(fā)光光量的圖表，(C)為感光材料表面曝光量分布的圖表。
圖6(A)表示當(dāng)設(shè)定陰極線間距T為曝光像素間距P整數(shù)倍時陰極線與曝光像素位置關(guān)系的圖，(B)表示當(dāng)設(shè)定陰極線間距T為由式(1)決定時陰極線與曝光像素位置關(guān)系的圖。
圖7表示各發(fā)光部的每一幀發(fā)光時序圖。
圖8表示現(xiàn)有技術(shù)的使用有機EL元件的曝光裝置結(jié)構(gòu)圖。
圖中10-透明基板，20-有機EL元件，20R、20G、20B-發(fā)光部，21-透明陽極，22-有機化合物層，23-金屬陰極，30-SLA，31-自聚焦透鏡，40-感光材料。
具體實施例方式
下面，參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式。
如圖1所示，有關(guān)本實施方式的曝光裝置，包括透明基板10、在透明基板10上使用蒸鍍法形成的有機EL元件20、將有機EL元件20發(fā)出的光聚光并照射到感光材料40上的自聚焦透鏡陣列(以下稱為“SLA”)30、和支撐透明基板10和SLA30的支撐體50。
有機EL元件20是在透明基板10上順次層疊透明陽極21、含發(fā)光層的有機化合物層22、金屬陰極23而形成的。通過適當(dāng)選擇含發(fā)光層的有機化合物層22的材料，可以得到所期望顏色的發(fā)出光，在透明基本10上以后述的給定模式形成發(fā)出紅色(R)光的發(fā)光部20R、發(fā)出綠色(G)光的發(fā)光部20G、發(fā)出藍色(B)光的發(fā)光部20B。還有，對于有機EL元件，各發(fā)光部相當(dāng)于本發(fā)明的“發(fā)光元件”。
該發(fā)光EL元件20由圖1所示的不銹鋼制罐等封閉部件60予以覆蓋。封閉部件60的端部與透明基板10粘接，將有機EL元件20封閉在由干燥氮氣置換的封閉部件60內(nèi)。如給該有機EL元件20的透明陽極21和金屬陰極23之間施加給定電壓，則包含于有機化合物層22中的發(fā)光層發(fā)光，發(fā)出光通過透明陽極21及透明基板10取出。再有，有機EL元件20，具有波長穩(wěn)定性好的特性。
還有，有機EL元件20的透明電極21和金屬電極23兩電極，與分別獨立驅(qū)動(無源驅(qū)動)該多個發(fā)光部的驅(qū)動電路(圖中未表示)連接。該驅(qū)動電路通過幀存儲器(圖中未表示)與控制部(圖中未表示)連接。
驅(qū)動電路是包括向兩電極間施加電壓的電源及由晶體管或晶閘管構(gòu)成的開關(guān)元件(圖中未表示)而構(gòu)成，根據(jù)通過幀存儲器從控制部輸入的控制信號，生成驅(qū)動信號，分別對多個發(fā)光部進行發(fā)光驅(qū)動。
透明基板10是對發(fā)出光透明的基板，可以使用玻璃基板、塑料基板等。還有，透明基板10要求有作為一般基板特性的耐熱性、尺寸穩(wěn)定性、耐溶劑性、電絕緣性、加工性、低通氣性、低吸濕性等。
透明陽極21，在400nm～700nm可見光波長區(qū)域中優(yōu)選具有至少50％以上的透光率，更優(yōu)選具有70％以上的透光率。作為構(gòu)成透明陽極21的材料，除氧化錫、氧化錫銦(ITO)、氧化鋅銦等作為透明電極材料公知的化合物外，還可以采用由金、鉑等功函數(shù)大的金屬構(gòu)成的薄膜。另外，還可以是聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯或者這些的衍生物等有機化合物。對于透明導(dǎo)電膜，在澤田豐主編的“透明導(dǎo)電膜的新發(fā)展”一書(沢田豐監(jiān)修“透明導(dǎo)電膜の新展開”CMC刊，1999年)中有詳細(xì)記載，也可以適用于本發(fā)明。再有，透明陽極21可以通過真空蒸鍍法、濺射法、離子注入法等，在透明基板10上形成。
有機化合物層22可以為僅由發(fā)光層構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，也可以是除發(fā)光層以外可適當(dāng)含有空穴注入層、空穴遷移層、電子注入層、電子遷移層等其它層的層疊結(jié)構(gòu)。有機化合物層22的具體結(jié)構(gòu)(含電極)可以是陽極/空穴注入層/空穴遷移層/發(fā)光層/電子遷移層/陰極、陽極/發(fā)光層/電子遷移層/陰極、陽極/空穴遷移層/發(fā)光層/電子遷移層/陰極等。再有，也可以設(shè)置多個發(fā)光層、空穴遷移層、空穴注入層、電子注入層。
有機化合物層22的各層可以是從透明電極21側(cè)層開始通過蒸鍍法將低分子類的各有機材料順次形成薄膜、并層疊而形成。此時，通過使用蒸鍍掩模，可以容易地進行圖案化。
金屬陰極23優(yōu)選由功函數(shù)低的Li、K等堿性金屬、Mg、Ca等堿土族金屬及這些金屬與Ag或Al等的合金或混合物等金屬材料而形成。為能同時兼有陰極的保存穩(wěn)定性及電子注入性，也可以用功函數(shù)大且導(dǎo)電性高的Ag、Al、Au等覆蓋由上述材料形成的電極。還有，金屬陰極23也可以和透明陽極21一樣，通過真空蒸鍍法、濺射法、離子注入法等公知方法形成。
SLA30可以由多個自聚焦透鏡31構(gòu)成。自聚焦鏡透鏡31為在剖面半徑方向上具有折射率分布的棒狀厚透鏡。射入自聚焦透鏡31的光，以相對于光軸的正弦波狀蛇行前進，按照在感光材料40表面上成像而結(jié)為曝光點70的方式、向著感光材料40輸出。
另外，為聚集曝光點，抑制光學(xué)上的串?dāng)_，該自聚焦透鏡31的開口部形成為比有機EL元件20的各發(fā)光部的發(fā)光區(qū)域大，并且按照相鄰自聚焦透鏡31之間相互相接的方式排列配置。再有，自聚焦鏡頭31也可以按照與發(fā)光部一一對應(yīng)的方式設(shè)置，或者按照對于在副掃描方向上排列的一組發(fā)光部20R、20G、20B配置一個或2個那樣，讓各個自聚焦透鏡31于多個發(fā)光部對應(yīng)。
下面，說明有機EL元件20發(fā)光部的配置。
如圖2所示，在透明基板10上形成有發(fā)光部20R、20G、20B。更具體地說，在主掃描方向上將多個發(fā)光部20R相隔給定間距排列配置的發(fā)光部行R，在副掃描方向上排列配置多行。同樣，在主掃描方向上將多個發(fā)光部20G相隔給定間距排列配置的發(fā)光部行G，在副掃描方向上排列配置多行，而在主掃描方向上將多個發(fā)光部20B相隔給定間距排列配置的發(fā)光部行B，在副掃描方向上排列配置多行。有機EL元件具有R色發(fā)光強度小的特性。為此，優(yōu)選為增加發(fā)光部行R的行數(shù)。本例中，是將4行發(fā)光部行R、2行發(fā)光部行G、2行發(fā)光部行B在副掃描方向上以RGB順序排列配置。因此，成為總計8個發(fā)光部行在副掃描方向上排列配置。
按照上述構(gòu)成的曝光裝置，由在有機EL元件20的副掃描方向排列配置的各發(fā)光部(20R、20G、20B)發(fā)出的光通過SLA30聚光并對感光材料40的同一位置曝光，形成曝光點70。還有，該曝光裝置，通過在副掃描方向上相對于感光材料40移動，對感光材料40掃描曝光。
下面，說明各發(fā)光部的副掃描方向的間距。
如上所述，通過驅(qū)動電路(圖中未表示)無源驅(qū)動多個發(fā)光部的各個。無源驅(qū)動是指分時對沿金屬陰極的發(fā)光部行(陰極線)逐行掃描，根據(jù)驅(qū)動信號驅(qū)動與掃描中的陰極線交叉的發(fā)光部(陽極線)，以順次遍及全部陰極線進行掃描的驅(qū)動方法。
多條陰極線在與副掃描方向同一方向上在發(fā)光時間t順次點燈的情況下，事先考慮陰極線的移動量及移動方向，即曝光位置的副掃描方向的移動量及移動方向，各發(fā)光部的副掃描方向的間距T設(shè)定為下式(1)所表示的值。
T＝(m-1/n)P(1)式(1)中，P為曝光像素的間距，m為2以上的整數(shù)，n為在副掃描方向上排列配置的發(fā)光部行數(shù)。通過在副掃描方向上排列配置的n個發(fā)光部，多重曝光同一像素n次。
如圖3(A)所示，當(dāng)順次點燈的第一陰極線和第二陰極線之間的間距T設(shè)定了是曝光像素間距P的整數(shù)倍時(圖中為3倍)，當(dāng)?shù)谝魂帢O線點燈時，能曝光感光材料上的給定像素位置，t秒后第一陰極線熄燈并當(dāng)?shù)诙帢O線點燈時，第二陰極線在副掃描線方向上移動P/n，曝光從給定像素位置向副掃描方向下游側(cè)錯開P/n后的位置。
還有，陰極線的副掃描方向移動量為P/n是因為，當(dāng)用一條陰極線曝光一條主掃描線時(有源驅(qū)動情況)，在發(fā)光時間的間隔中陰極線可以僅移動曝光像素間距P，但在無源驅(qū)動時用n條陰極線對一條主掃描線進行多重曝光情況下，各陰極線的發(fā)光時間t成為有源驅(qū)動情況時的1/n的緣故。換句話來說，副掃描速度v用下式(3)表示。
v＝P/(n·t)(3)對此，如圖3(B)所示那樣，間距T設(shè)定為上述式(1)所表示的值時，在第二陰極線點燈時也能曝光給定像素位置，從而可以防止因曝光位置的偏差而造成分辨率的降低。
還有，有源驅(qū)動情況時，如圖4(A)及(B)所示，由于僅在移動曝光像素間距P間陰極線點燈，因此成為以圖4(C)所示曝光量分布曝光，曝光像素變?yōu)樵诟睊呙璺较蛏祥g距延長的形狀。因此，降低了分辨率。對此，在無源驅(qū)動情況下，如圖5(A)及(B)所示，成為僅在P/n移動陰極線之間點燈，因而如圖5(C)所示，曝光量分布變窄，提高了分辨率。
如上所述，本實施方式的曝光裝置是事先考慮曝光裝置的副掃描方向的移動量及移動方向，決定各發(fā)光部的副掃描方向的間距T以使在曝光裝置移動了的情況下也能曝光給定像素位置，從而能防止在副掃描方向上曝光位置的偏差。還有，由于是通過無源驅(qū)動曝光，因此使在副掃描方向的曝光量分布變窄。其結(jié)果，能進行高分辨率多重曝光。
再有，上述實施方式中，雖然對多條陰極線在與副掃描方向相同方向上在發(fā)光時間t順次點燈的情況進行了說明，但在多條陰極線在與副掃描方向相反方向上順次點燈情況時，各發(fā)光部的副掃描方向的間距T設(shè)定為下式(2)表示的值。
T＝(m+1/n)P(2)如圖6(B)所示，當(dāng)將間距T設(shè)定為間距P的整數(shù)倍時，雖然第一陰極線點燈時能曝光副掃描方向的給定像素位置，但第二陰極線點燈時成為對從副掃描方向的給定像素位置向副掃描方向上游側(cè)偏差P/n的位置曝光。對此，如圖6(B)所示，當(dāng)將間距T設(shè)定為式(2)所表示的值時，第二陰極線點燈時也能曝光給定像素位置，從而能防止由于曝光位置偏差造成的分辨率降低。
再有，上述實施方式中，雖然對在發(fā)光時間t多條陰極線順次點燈的情況進行了說明，但在實際驅(qū)動順序中，如圖7所示，考慮每一幀中為傳送一幀量數(shù)據(jù)所需的傳送時間tD，在幀與幀之間插入間隔時間tI。間隔時間tI設(shè)定為比傳送時間tD的最大值Max(tD)大的值。如不考慮該間隔時間tI而進行曝光，則每一幀中曝光像素位置會偏差v·tI。由于曝光位置的偏差而導(dǎo)致了分辨率的降低。因此，必須修正由于上述的間隔時間tI帶來的曝光像素位置偏差。
如果也包含間隔時間tI、根據(jù)一幀量數(shù)據(jù)進行曝光所需必要時間設(shè)定為“一幀時間”，則一幀時間成為n·t+tI。通過按照在每一幀時間讓曝光位置(曝光頭)僅移動曝光像素間隔P進行設(shè)計，則能由一幀時間整體吸收由于間隔時間tI帶來的偏差量，從而實現(xiàn)曝光像素的位置偏差最小。此時曝光頭的移動速度(修正后的副掃描方向)v′用下式(6)表示。
v′＝P/(n·t+t1) (6)因此，各發(fā)光部的副掃描方向的間距T′由下式表示。
T′＝m·P±v′·t將上式中v′的值代入，則能得到下式(7)。
T′＝{m±t/(n·t+t1)}P (7)即，當(dāng)多條陰極線在與副掃描方向相同方向上于發(fā)光時間t順次點燈時，設(shè)定各發(fā)光部的副掃描方向的間距T′為下式(4)所表示的值，當(dāng)多條陰極線在與副掃描方向相反方向上順次點燈時，設(shè)定各發(fā)光部的副掃描方向的間距T′為下式(5)所表示的值。
T′＝{m-t/(n·t+t1)}P (4)T′＝{m+t/(n·t+t1)}P (5)如此，通過在曝光裝置的副掃描方向的移動量及移動方向的基礎(chǔ)上，預(yù)先考慮幀間的間隔時間，來決定各發(fā)光部的副掃描方向間距T′，從而實現(xiàn)在副掃描方向上曝光位置偏差最小。另外，由于是通過無源驅(qū)動曝光，使在副掃描方向的曝光量分布變窄。其結(jié)果，能進行高分辨率多重曝光。
再有，對各陰極線的灰度分配是按每個顏色獨立進行的。以發(fā)光部行R為8行、發(fā)光部行G為4行、發(fā)光部行B為4行、總計16行排列配置情況為例予以說明。設(shè)定圖像數(shù)據(jù)的位數(shù)為b，則驅(qū)動各陰極線的位數(shù)a表示為a＝b-n。設(shè)定某個曝光像素的灰度數(shù)為k時，k為k＜2b，則曝光該像素的各陰極線的灰度數(shù)為k/2a。
比如，當(dāng)設(shè)定b＝8位(256灰度)、n＝4、k＝200時，驅(qū)動各陰極線位數(shù)成為200/28-4＝12.5。還有，小數(shù)點以下灰度不能實現(xiàn)，尾數(shù)部分(200-12×16＝8)以各1個分配到各陰極線。此時，比如從第一陰極線到第八陰極線以13灰度曝光，從第九陰極線到第十六陰極線以灰度12曝光，則可以以200灰度曝光一個像素。
通過上述分配方式，可以實現(xiàn)對各陰極線大致均等分配灰度。因此，不會造成一部分發(fā)光部的曝光時間變長等不均衡的驅(qū)動，可以將各發(fā)光部的老化程度保持基本一定。其結(jié)果，可以提高曝光裝置整體壽命。
再有，上述實施方式雖然是對使用有機EL元件的例子予以說明，也可以使用無機EL元件或使用LED元件。但是，使用有機EL元件情況與使用無機EL元件情況相比具有可以使用低電壓驅(qū)動的優(yōu)點，與使用LED元件情況相比具有，由于能使用蒸鍍法統(tǒng)一形成全部元件從而能較容易地將各元件正確排列配置在給定位置上，且減小每個元件的光量散差的優(yōu)點。
權(quán)利要求
1.一種曝光裝置，其特征在于，具有發(fā)光元件陣列，讓多個發(fā)光元件在副掃描方向相對于感光材料排列，由多個各自可獨立驅(qū)動控制的發(fā)光元件沿與所述副掃描方向交叉的主掃描方向排列配置形成的元件行，在所述副掃描方向上排列配置多行而成；驅(qū)動控制單元，驅(qū)動控制各個所述發(fā)光元件，以分時順次點亮在所述副掃描方向上排列配置的多行元件行；當(dāng)以與副掃描方向相同方向順次點亮所述多行元件行時，所述元件行以下式(1)表示的間距排列配置，并且當(dāng)以與副掃描方向相反方向順次點亮所述多行元件行時，所述元件行以下式(2)表示的間距排列配置；T＝(m-1/n)P(1)T＝(m+1/n)P(2)式中，P為曝光像素間距，m為2以上的整數(shù)，n為在副掃描方向上排列配置的發(fā)光元件行數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，以下式(3)表示的副掃描速度v對感光材料掃描曝光；v＝P/(n·t)(3)式中，P為曝光像素間距，n為在副掃描方向上排列配置的元件行數(shù)，t為各元件行的發(fā)光時間。
3.一種曝光裝置，其特征在于，具有發(fā)光元件陣列，讓多個發(fā)光元件在副掃描方向相對于感光材料排列，由多個各自可獨立驅(qū)動控制的發(fā)光元件沿與所述副掃描方向交叉的主掃描方向排列配置形成的元件行，在所述副掃描方向上排列配置多行而成；驅(qū)動控制單元，驅(qū)動控制各個所述發(fā)光元件，以分時順次點亮在所述副掃描方向上排列配置的多行元件行；在各元件行發(fā)光時間為t、幀間的間隔時間為t1條件下，當(dāng)以與副掃描方向相同方向順次點亮所述多行元件行時，所述元件行以下式(4)表示的間距排列配置，當(dāng)以與副掃描方向相反方向順次點亮所述多行元件行時，所述元件行以下式(5)表示的間距排列配置；T′＝{m-t/(n·t+t1)}P (4)T′＝{m+t/(n·t+t1)}P (5)式中，P為曝光像素間距，m為2以上的整數(shù)，n為在副掃描方向上排列配置的發(fā)光元件行數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光裝置，其特征在于，以下式(6)表示的副掃描速度v′對感光材料掃描曝光；v′＝P/(n·t+t1) (6)式中，P為曝光像素間距，n為在副掃描方向上排列配置的元件行數(shù)，t為各元件行的發(fā)光時間，t1為幀間的間隔時間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的曝光裝置，其特征在于，所述發(fā)光元件為有機EL元件的各發(fā)光部。
全文摘要
提供一種為防止在副掃描方向的曝光位置偏差，以進行高分辨率曝光的曝光裝置。當(dāng)以與副掃描方向相同方向在發(fā)光時間t多行陰極線順次點燈時，事先考慮陰極線的移動量及移動方向，即曝光裝置的副掃描方向的移動量及移動方向，設(shè)定各發(fā)光部的副掃描方向間距T為用(m－1/n)P表示的值。其中P為曝光裝置的間距、m為2以上整數(shù)、n為陰極線數(shù)。當(dāng)間距T設(shè)定為(m一1/n)P時，即使第二陰極線點燈也能曝光給定像素位置，從而能防止由于曝光位置偏差而造成的分辨率降低。
文檔編號B41J2/44GK1624577SQ2004100980
公開日2005年6月8日 申請日期2004年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月3日
發(fā)明者大久保和展, 日向浩彰 申請人:富士膠片株式會社