專利名稱：驅(qū)動(dòng)裝置及打印頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在記錄紙上進(jìn)行打印的打印頭以及該打印頭的驅(qū)動(dòng)裝置，特別是涉及設(shè)計(jì)一種根據(jù)熱感方式或熱轉(zhuǎn)寫方式(含升華方式)或噴墨方式進(jìn)行打印的熱打印頭以及該打印頭的驅(qū)動(dòng)裝置。
背景技術(shù)：
在傳真機(jī)或打印機(jī)等打印裝置中，通常使用熱轉(zhuǎn)寫方式和噴墨方式等，在熱轉(zhuǎn)寫方式中包含根據(jù)在熱反應(yīng)的感熱紙上按壓打印用的打印頭在感熱紙上打印的熱感方式；在涂布了固態(tài)墨的墨帶上用打印用的打印頭加熱使墨水升華后附著在記錄紙上打印出文字的升華方式。噴墨方式是根據(jù)加熱后產(chǎn)生的氣泡噴出墨水的同時(shí)將噴出得到的微細(xì)粒子噴射在記錄紙上打印的方式。使用這樣的各種方式的打印裝置，具有將構(gòu)成發(fā)熱體的電阻體配設(shè)為1列的熱打印頭，該發(fā)熱體作為打印用的打印頭而使用。并且，在該熱打印頭中設(shè)置驅(qū)動(dòng)裝置，該驅(qū)動(dòng)裝置為使配設(shè)為1列的電阻體依據(jù)打印用數(shù)據(jù)發(fā)熱而驅(qū)動(dòng)電阻體。
作為上述的熱打印頭，現(xiàn)已公開(kāi)了這樣的記錄打印頭在其內(nèi)部設(shè)置的驅(qū)動(dòng)裝置具有驅(qū)動(dòng)電流在由電阻體構(gòu)成的加熱器中流過(guò)的MOS晶體管(參照特開(kāi)平10-138484號(hào)公報(bào))。由于加熱器驅(qū)動(dòng)用MOS晶體管在制造工藝上的偏差或布線電阻等存在不同，在加熱器中流過(guò)的電流會(huì)產(chǎn)生偏差，為了防止因加熱器中流過(guò)的電流產(chǎn)生偏差，該特開(kāi)平10-138484號(hào)公報(bào)中的記錄打印頭具備與加熱器驅(qū)動(dòng)用MOS晶體管同一制造工序中形成的修正電路。
另外，在現(xiàn)有的熱打印頭中，如圖8所示，具有多個(gè)配設(shè)為1列的電阻體以組單位驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)裝置100。該驅(qū)動(dòng)裝置100每一個(gè)，如圖9所示，包含移位寄存器101，其保存形成與驅(qū)動(dòng)裝置100所驅(qū)動(dòng)的電阻體相同數(shù)量位數(shù)的加熱器數(shù)量的數(shù)據(jù)；多個(gè)反相器Inv，其向MOS晶體管提供移位寄存器101的各位的數(shù)據(jù)；多個(gè)MOS晶體管Tr，進(jìn)行電阻體的驅(qū)動(dòng)；輸出端子Out，與MOS晶體管Tr的漏極連接的同時(shí)與電阻體連接。
如此構(gòu)成的熱打印頭，將對(duì)于在各驅(qū)動(dòng)裝置100中設(shè)置的移位寄存器101以每一位提供給打印數(shù)據(jù)，串行提供并保存。這時(shí)，驅(qū)動(dòng)裝置100，在每一位，其內(nèi)部所具有的移位寄存器101置為可寫入狀態(tài)，由此各個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置100的移位寄存器101保存不同組的打印數(shù)據(jù)。然后，以每一位在移位寄存器101中保存的打印數(shù)據(jù)，以每一位提供給反相器Inv。還有，該打印數(shù)據(jù)的各位，相當(dāng)于打印的各個(gè)位。即，打印數(shù)據(jù)的位數(shù)相當(dāng)于打印的位數(shù)。
這時(shí)，向反相器Inv，提供與移位寄存器101同樣的電源電壓VDD，將該電源電壓VDD或者接地電壓提供給MOS晶體管Tr的柵極。移位寄存器101保存n位數(shù)據(jù)的同時(shí)，在驅(qū)動(dòng)裝置100為m個(gè)的情況下，在每個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置100中，分別設(shè)置n個(gè)反相器Inv以及n個(gè)MOS晶體管Tr，并且，驅(qū)動(dòng)控制相當(dāng)于n×m位的n×m個(gè)電阻體。
然后，在從移位寄存器101輸出的打印數(shù)據(jù)為低電平的位列中，通過(guò)反相器Inv向MOS晶體管Tr的柵極提供電源電壓VDD。這樣，MOS晶體管Tr導(dǎo)通，通過(guò)輸出端子OUT電流流入電阻體，電阻體發(fā)熱后進(jìn)行打印。另外，在從移位寄存器101輸出的打印數(shù)據(jù)為高電平的位列中，通過(guò)反相器Inv向MOS晶體管Tr的柵極提供接地電壓。這樣，MOS晶體管Tr為截止，通過(guò)輸出端子Out沒(méi)有電流流入電阻體，電阻體不發(fā)熱。
圖8以及圖9中構(gòu)成的熱打印頭中，向驅(qū)動(dòng)裝置100中設(shè)置的MOS晶體管Tr的柵極提供的電壓，與MOS晶體管Tr的導(dǎo)通電阻之間的關(guān)系，如圖10所示。另外，MOS晶體管Tr的柵極寬度為Wa，Wb，Wc(Wa＞W(wǎng)b＞W(wǎng)c)時(shí)，圖10中，實(shí)線表示柵極寬度為Wa的MOS晶體管Tr中的關(guān)系，虛線表示柵極寬度為Wb的MOS晶體管Tr的關(guān)系，點(diǎn)劃線表示柵極寬度為Wc的MOS晶體管Tr的關(guān)系。這樣，由圖10可以明白，給MOS晶體管Tr的柵極提供的電壓越低，或者柵極寬度越窄，由對(duì)MOS晶體管的柵極提供的電壓所引起導(dǎo)通電阻以及其偏差就越大。
這樣，在以往，向驅(qū)動(dòng)裝置100提供的電源電壓VDD為3～5V，該3～5V的電源電壓VDD也提供給MOS晶體管Tr。為了降低了MOS晶體管Tr的導(dǎo)通電阻的影響，需將MOS晶體管Tr的柵極寬度作成2100μm長(zhǎng)，其結(jié)果，作為半導(dǎo)體集成電路裝置構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)裝置的芯片短邊一側(cè)的大小增大為1400μm。而且，向MOS晶體管Tr的柵極提供的電壓越低，由MOS晶體管的柵極寬度的導(dǎo)通電阻就越大。
還有，特開(kāi)平10-138484號(hào)公報(bào)中的記錄打印頭中，為了降低該MOS晶體管的導(dǎo)通電阻的影響，設(shè)置修正電路的構(gòu)成，通過(guò)修正電路提供的電壓，成為根據(jù)修正電路內(nèi)的電阻提供的比電源電壓低的電壓。因此，結(jié)果，需要加長(zhǎng)MOS晶體管的柵極寬度抑制導(dǎo)通電阻的影響。而且，該修正電路，需要與MOS晶體管相同的制造工序制成，需要設(shè)置在各驅(qū)動(dòng)裝置中。因而，具有多個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置的熱打印頭中，由于必需有對(duì)每個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置設(shè)置修正電路的區(qū)域，因此有礙裝置的小型化。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于這樣的問(wèn)題，本發(fā)明其目的在于，提供一種驅(qū)動(dòng)裝置和備有該驅(qū)動(dòng)裝置的打印頭，其抑制由于向驅(qū)動(dòng)用晶體管的控制電極提供的電壓的變化或者控制電極特性而引起的對(duì)導(dǎo)通電阻的影響。
為達(dá)到所述目的，本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)裝置，包含n個(gè)晶體管，其分別驅(qū)動(dòng)n個(gè)發(fā)熱體每一個(gè)；數(shù)據(jù)保存部，其保存進(jìn)行n個(gè)所述晶體管的導(dǎo)通/截止控制的n位數(shù)據(jù)；和n個(gè)電平移位器，其將所述n位數(shù)據(jù)各自的電壓分別轉(zhuǎn)換成比從所述數(shù)據(jù)保存部輸入的第1電壓更高的第2電壓，并輸出到所述n個(gè)晶體管的各個(gè)控制電極，其中，所述第2電壓由外部穩(wěn)壓器提供。
另外，本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)裝置，包含n個(gè)晶體管，分別驅(qū)動(dòng)n個(gè)發(fā)熱體的每一個(gè)；數(shù)據(jù)保存部，其保存進(jìn)行n個(gè)所述晶體管的導(dǎo)通/截止控制的n位數(shù)據(jù)；n個(gè)電平移位器，其將所述n位數(shù)據(jù)各自的電壓轉(zhuǎn)換為比從所述數(shù)據(jù)保存部輸入的第1電壓更高的第2電壓，并輸出到所述n個(gè)晶體管各自的控制電極；穩(wěn)壓器，其生成所述第2電壓并提供給所述電平移位器。
本發(fā)明的打印頭，具有m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置，該m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置包含穩(wěn)壓器，其生成比作為由外部輸入n位打印數(shù)據(jù)時(shí)的電壓的第1電壓更高的第2電壓；n個(gè)晶體管，其分別驅(qū)動(dòng)n個(gè)發(fā)熱體的每一個(gè)；數(shù)據(jù)保存部，其保存進(jìn)行n個(gè)所述晶體管的導(dǎo)通/截止控制的所述n位打印數(shù)據(jù)；n個(gè)第1電平移位器，其將所述n位打印數(shù)據(jù)各自的電壓轉(zhuǎn)換為由所述穩(wěn)壓器提供的第2電壓并輸出到所述n個(gè)晶體管各自的控制電極。
另外，本發(fā)明的打印頭具有m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置，該m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置其包含n個(gè)晶體管，其分別驅(qū)動(dòng)n個(gè)發(fā)熱體的每一個(gè)；數(shù)據(jù)保存部，其保存進(jìn)行所述n個(gè)晶體管的導(dǎo)通/截止控制的打印數(shù)據(jù)；n個(gè)第1電平移位器，將所述n位打印數(shù)據(jù)各自的電壓分別轉(zhuǎn)換為由所述穩(wěn)壓器提供的第2電壓并輸出到所述n個(gè)晶體管各自的控制電極，同時(shí)所述驅(qū)動(dòng)裝置中的1個(gè)具有穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器生成比所述打印數(shù)據(jù)從外部輸入時(shí)的第1電壓更高的第2電壓。
根據(jù)本發(fā)明，由于將第2電壓設(shè)為非常大的值，可以將晶體管的導(dǎo)通電阻值，做到即使向控制電極提供的電壓的變化也只是稍稍變化的穩(wěn)定值。因而，能夠抑制構(gòu)成發(fā)熱體的電阻體中流過(guò)的電流量的差異。而且，這時(shí)，通過(guò)使用MOS晶體管作為晶體管，即使其柵極寬度變短，能夠?qū)?dǎo)通電阻值作為穩(wěn)定的值。這樣，能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)裝置以及打印頭的小型化。
加之，通過(guò)將第2電壓設(shè)為非常大的值，通過(guò)使用MOS晶體管作為晶體管，因柵極寬度的偏差所引起的晶體管導(dǎo)通電阻值的變化偏差也能夠是微小的。這樣，在不是由同一制造工程制造的驅(qū)動(dòng)裝置之間，能夠降低因由于其晶體管的柵極寬度的影響，能夠抑制構(gòu)成發(fā)熱體的電阻體的電流量的偏差。


圖1為表示第1實(shí)施方式的打印頭內(nèi)部構(gòu)成的框圖。
圖2為表示圖1的打印頭中驅(qū)動(dòng)裝置內(nèi)部構(gòu)成的框圖。
圖3為表示第2實(shí)施方式的打印頭內(nèi)部構(gòu)成的框圖。
圖4為表示圖3的打印頭中驅(qū)動(dòng)裝置內(nèi)部構(gòu)成的框圖。
圖5為表示第3實(shí)施方式的打印頭內(nèi)部構(gòu)成的框圖。
圖6為表示第3實(shí)施方式的另一例的打印頭內(nèi)部構(gòu)成的框圖。
圖7為圖6的打印頭中驅(qū)動(dòng)裝置的內(nèi)部構(gòu)成的框圖。
圖8為表示以往的打印頭的內(nèi)部構(gòu)成的框圖。
圖9為表示圖8的打印頭中驅(qū)動(dòng)裝置內(nèi)部構(gòu)成的框圖。
圖10為表示MOS晶體管的柵極電壓與導(dǎo)通電阻關(guān)系的框圖。
具體實(shí)施例方式
(第1實(shí)施方式)關(guān)于本發(fā)明的第1實(shí)施方式，參照附圖作以下說(shuō)明。圖1為表示本實(shí)施方式的打印頭的構(gòu)成的框圖，圖2為在圖1的打印頭內(nèi)部構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)裝置的構(gòu)成的框圖。還有，在圖2的驅(qū)動(dòng)裝置中，關(guān)于與圖9的驅(qū)動(dòng)裝置中的元件以及部件作為相同目的使用的元件以及部件，附加相同的符號(hào)并省略其詳細(xì)說(shuō)明。
圖1所示的打印頭，包含m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1，其提供電源電壓VDD的同時(shí)進(jìn)行構(gòu)成后述加熱器的電阻體R的驅(qū)動(dòng)控制；穩(wěn)壓器2，其提供比電源電壓VDD更高電壓的電源電壓VH的同時(shí)將電源電壓VH轉(zhuǎn)換成電壓VG提供給各驅(qū)動(dòng)裝置1。這樣構(gòu)成時(shí)，向驅(qū)動(dòng)裝置1提供的電源電壓VDD以及電壓VG的關(guān)系，為VG＞VDD。
這時(shí)，驅(qū)動(dòng)裝置1以及穩(wěn)壓器2分別作為1個(gè)半導(dǎo)體集成電路裝置而構(gòu)成。即，打印頭備有由n個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1構(gòu)成的半導(dǎo)體集成電路裝置，和1個(gè)穩(wěn)壓器2構(gòu)成的半導(dǎo)體集成電路裝置。還有，本實(shí)施方式中，例如，將電源電壓VDD設(shè)為3～5V，電壓VH設(shè)為24V，電壓VG設(shè)為14V。而且，電源電壓VH，為后述的作為加熱電源使用的電源電壓。
而且，在該打印頭中設(shè)置的驅(qū)動(dòng)裝置1，包含移位寄存器10，其保存串行輸入的n位打印數(shù)據(jù)；n個(gè)電平移位器11，其被付與來(lái)自移位寄存器10的各位數(shù)據(jù)；n個(gè)N通道MOS晶體管Tr，其將n個(gè)電平移位器11輸出的電壓信號(hào)分別提供給柵極的同時(shí)其源極接地；輸出端子Out，其分別與n個(gè)MOS晶體管Tr的漏極連接。
通過(guò)這樣構(gòu)成驅(qū)動(dòng)裝置1，構(gòu)成加熱器的電阻體R的一端與各個(gè)輸出端子Out連接。在該電阻體R的另一端，外加作為加熱電源的電源電壓VH。這樣，對(duì)于給有m個(gè)該驅(qū)動(dòng)裝置1的打印頭，由外部提供n×m位打印數(shù)據(jù)，每n位m組的打印數(shù)據(jù)分別保存在m個(gè)晶體管裝置1各自的移位寄存器10中。
然后，在m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1各個(gè)中，將移位寄存器10各自中保存的n位打印數(shù)據(jù)通過(guò)電平移位器11提供給MOS晶體管Tr的柵極，控制MOS晶體管Tr的導(dǎo)通/截止。這時(shí)，通過(guò)MOS晶體管Tr導(dǎo)通后在輸出端子Out中輸出的電流使電阻體R發(fā)熱，進(jìn)行n×m個(gè)電阻體R的驅(qū)動(dòng)控制并進(jìn)行打印。
這時(shí)，由于在移位寄存器10中附加電源電壓VDD，從移位寄存器10中輸出的各位的打印數(shù)據(jù)，成為接地電壓和電源電壓VDD之間的值。即，從移位寄存器10并行輸出到n個(gè)電平移位器11的n位打印數(shù)據(jù)的各個(gè)信號(hào)值中，其振幅電壓為電源電壓VDD。然后，從移位寄存器10輸出的n位打印數(shù)據(jù)，在以每位分別提供給n個(gè)電平移位器11每一個(gè)時(shí)，由于對(duì)電平移位器11提供電壓VG，在電平移位器11中，將作為電壓VDD的振幅電壓，電壓轉(zhuǎn)換為成為電壓VG的振幅電壓。即，根據(jù)電平移位器11提供給MOS晶體管Tr的電壓VDD由VDD電平移位到VG。
這樣如果由電平移位器11將使其振幅電壓變?yōu)殡妷篤G的信號(hào)值提供給MOS晶體管Tr，則被提供變?yōu)殡妷篤G的信號(hào)值的MOS晶體管Tr變?yōu)閷?dǎo)通的同時(shí)，被提供變?yōu)榻拥仉妷旱男盘?hào)值的MOS晶體管Tr變?yōu)榻刂?。這樣，將振幅電壓變?yōu)殡妷篤G的信號(hào)值提供給晶體管Tr時(shí)，根據(jù)圖10的圖表，可以看出該電壓VG前后的電壓值中，MOS晶體管Tr的導(dǎo)通電阻，為更小的且變化很小的穩(wěn)定值。這樣，晶體管Tr的柵極寬度設(shè)為約870μm，構(gòu)成驅(qū)動(dòng)裝置1的半導(dǎo)體集成電路裝置的芯片的短邊一側(cè)的長(zhǎng)度設(shè)為約1100μm，能夠比以往芯片的尺寸小。
還有，每個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1，即使MOS晶體管Tr的柵極寬度多少存在差異，為能夠使導(dǎo)通電阻的偏差變小，按照特開(kāi)平10-138484號(hào)公報(bào)那樣，不設(shè)置修正電路也可以。還有，穩(wěn)壓器2生成向m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1上分別設(shè)置的電平移位器11提供的電壓VG，通過(guò)構(gòu)成1個(gè)穩(wěn)壓器2與在各驅(qū)動(dòng)裝置中均構(gòu)成穩(wěn)壓器的情況相比，能夠使打印頭中穩(wěn)壓器所使用的安裝面積將為1/m。另外，通過(guò)使穩(wěn)壓器2作為與驅(qū)動(dòng)裝置1不同的半導(dǎo)體集成電路裝置，能夠在功能方面和成本方面選擇作合適的制造路線。
(第2實(shí)施方式)關(guān)于本發(fā)明的第2實(shí)施方式，參照附圖作以下說(shuō)明。圖3為表示本實(shí)施方式的打印頭的構(gòu)成的框圖，圖4為表示在圖3的打印頭內(nèi)部構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)裝置的構(gòu)成的框圖。還有，在圖3的打印頭以及圖4的驅(qū)動(dòng)裝置中，關(guān)于與圖1的打印頭以及圖2的驅(qū)動(dòng)裝置中的元件以及部件作為同一目的使用的元件以及部件，附加同一符號(hào)并省略其詳細(xì)說(shuō)明。
圖3所示的打印頭，含有m-1個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1、供給電源電壓VDD、VH同時(shí)向m-1個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1提供電壓VG的驅(qū)動(dòng)裝置1a。這樣構(gòu)成時(shí)，驅(qū)動(dòng)裝置1a，如圖4所示，含有移位寄存器10、n個(gè)移位電平移位器11、n個(gè)MOS晶體管Tr、n個(gè)輸出端子Out、和穩(wěn)壓器12，該穩(wěn)壓器12將電動(dòng)機(jī)電源的電源電壓VN變壓為電壓VG后向n個(gè)電平移位器11以及m-1個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1分別提供電壓VG。還有，驅(qū)動(dòng)裝置1，與第1實(shí)施方式相同，為圖2這樣的構(gòu)成，根據(jù)驅(qū)動(dòng)裝置1a的穩(wěn)壓器12提供的電壓VG，分別提供給驅(qū)動(dòng)裝置1具有的電平移位器11。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，根據(jù)驅(qū)動(dòng)裝置1a內(nèi)具有的穩(wěn)壓器12，向驅(qū)動(dòng)裝置1a以及m-1個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1分別具有的n×m個(gè)電平移位器11，提供電壓VH。這樣，如果將驅(qū)動(dòng)裝置1a以及m-1個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1每一個(gè)所具有的m個(gè)移位寄存器10各自輸出的n位打印數(shù)據(jù)以每一位都提供給電平移位器11，則其振幅電壓由電壓VDD電平移位為電壓VG。
這樣，振幅電壓變?yōu)殡妷篤G的信號(hào)值提供給驅(qū)動(dòng)裝置1a以及m-1個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1各自所具有的n×m個(gè)MOS晶體管Tr的柵極，被提供變?yōu)殡妷篤G的信號(hào)值的MOS晶體管Tr變?yōu)閷?dǎo)通，同時(shí)被提供變?yōu)榻拥仉妷旱男盘?hào)值的MOS晶體管Tr變?yōu)榻刂?。這樣，在本實(shí)施方式中，也與第1實(shí)施方式同樣，由于將振幅電壓變?yōu)殡妷篤G的信號(hào)值提供給MOS晶體管Tr，因此各個(gè)MOS晶體管Tr的導(dǎo)通電阻，成為較小且變化較少的穩(wěn)定值。這樣，晶體管Tr的柵極寬度約設(shè)為870μm，構(gòu)成驅(qū)動(dòng)裝置1的半導(dǎo)體集成電路裝置的芯片的短邊一側(cè)的長(zhǎng)度約設(shè)為1100μm，能夠比以往縮小芯片大小。
(第3實(shí)施方式)
關(guān)于本發(fā)明的第3實(shí)施方式，參照附圖作以下說(shuō)明。圖5為表示本實(shí)施方式的打印頭構(gòu)成的框圖。還有，圖5的打印頭中，關(guān)于與圖1的打印頭的部分按相同目的使用的部分，附加相同符號(hào)并省略其說(shuō)明。
圖5所示的打印頭，包含m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1；穩(wěn)壓器2a，其提供電源電壓VH的同時(shí)向m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1以及電平移位器3提供電壓VDD2、VG；電平移位器3，其將外部輸入的打印數(shù)據(jù)的振幅電壓從電壓VDD電平移位為電壓VDD2(VDD2＞VDD)后提供給m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1。還有，本實(shí)施方式中，例如，將電壓VDD2變?yōu)楸入妷篤DD3～5V高的值即設(shè)為6～7V。
這樣構(gòu)成打印頭時(shí)，由穩(wěn)壓器2a輸出的電壓VDD2，被提供給電平移位器3以及m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1各自的移位寄存器10，同時(shí)將由穩(wěn)壓器2a輸出的電壓VG，提供給m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1各自具有的n個(gè)電平移位器11。這樣，電平移位器3中，首先，由外部提供的每位打印數(shù)據(jù)的振幅電壓由VDD電平移位為VDD2，以每n位，提供給m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1各自具有的移位寄存器10。
這樣，將振幅電壓電平移位為由穩(wěn)壓器2a提供的電壓VDD2的打印數(shù)據(jù)，保存在各個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1的移位寄存器10中，由于該移位寄存器10中也施加來(lái)自穩(wěn)壓器2a的電壓VDD2，因此各個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1中，振幅電壓變?yōu)閂DD2的n位打印數(shù)據(jù)分別提供給n個(gè)電平移位器11。然后，被提供打印數(shù)據(jù)的各移位電平11中，與第1實(shí)施方式相同，將振幅電壓由VDD2電平移位為VG后得到的信號(hào)值提供給MOS晶體管Tr的柵極。
這樣，本實(shí)施方式中，由于將振幅電壓變?yōu)殡妷篤G的信號(hào)值，提供給m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1各個(gè)所具有的n×m個(gè)MOS晶體管Tr的柵極，與第1實(shí)施方式相同，將振幅電壓變?yōu)殡妷篤G的信號(hào)值提供給MOS晶體管Tr。因此，各個(gè)MOS晶體管Tr的的導(dǎo)通電阻，為很小且變化小的穩(wěn)定值。這樣，驅(qū)動(dòng)晶體管Tr的柵極寬度約為870μm，構(gòu)成驅(qū)動(dòng)裝置1的半導(dǎo)體集成電路裝置的芯片大小約為1100μm，能夠比以往芯片大小縮小。而且，根據(jù)本實(shí)施方式中，打印數(shù)據(jù)由電平移位器3電平移位后，輸入到驅(qū)動(dòng)裝置1，使驅(qū)動(dòng)裝置1的工序(耐壓)沒(méi)有變更，能夠使根據(jù)高壓化的移位寄存器10等進(jìn)行更高速動(dòng)作。
另外，本實(shí)施方式中，與第2實(shí)施方式相同，打印頭如圖6所示，具有1個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1b和m-1個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置1，驅(qū)動(dòng)裝置1b只要將由電源電壓VH得到的電壓VDD2、VG提供給驅(qū)動(dòng)裝置1即可。如圖6所示的打印頭，進(jìn)一步，與圖5的打印頭同樣，由于還含有電平移位器3，因此將驅(qū)動(dòng)裝置1b得到的電壓VDD2提供給電平移位器3。
這時(shí)，驅(qū)動(dòng)裝置1b，如圖7所示，代替圖4的驅(qū)動(dòng)裝置1a中的穩(wěn)壓器12，備有穩(wěn)壓器12a，將電源電壓VH生成電壓VDD2、VG。然后，由穩(wěn)壓器12a生成的電壓VDD2提供給移位電平10，同時(shí)由穩(wěn)壓器12a生成的電壓VG提供給電平移位器11。
本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)裝置以及打印頭，可應(yīng)用于利用熱感方式、含升華方式的熱轉(zhuǎn)寫方式、噴墨方式等的傳真機(jī)或打印機(jī)或復(fù)印機(jī)等的打印裝置。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，包含n個(gè)晶體管，其分別驅(qū)動(dòng)n個(gè)發(fā)熱體的每一個(gè)；數(shù)據(jù)保存部，其保存進(jìn)行所述n個(gè)晶體管的導(dǎo)通/截止控制的n位數(shù)據(jù)；和n個(gè)電平移位器，其將所述n位數(shù)據(jù)每一個(gè)的電壓轉(zhuǎn)換成比從所述數(shù)據(jù)保存部輸入的第1電壓更高的第2電壓，并輸出到所述n個(gè)晶體管各自的控制電極，其中，所述第2電壓由外部穩(wěn)壓器提供。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述第2電壓，是根據(jù)向構(gòu)成所述發(fā)熱體的電阻體提供的電源電壓而生成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述穩(wěn)壓器生成所述第1電壓并提供給所述數(shù)據(jù)保存部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述穩(wěn)壓器，根據(jù)向構(gòu)成所述發(fā)熱體的電阻體提供的電源電壓，生成并輸出所述第1電壓。
5.一種驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，包含n個(gè)晶體管，其分別驅(qū)動(dòng)n個(gè)發(fā)熱體的每一個(gè)；數(shù)據(jù)保存部，其保存進(jìn)行所述n個(gè)晶體管的導(dǎo)通/截止控制的n位數(shù)據(jù)；n個(gè)電平移位器，其將所述n位數(shù)據(jù)各自的電壓轉(zhuǎn)換為比從所述數(shù)據(jù)保存部輸入的第1電壓更高的第2電壓，并輸出到所述n個(gè)晶體管各自的控制電極；和穩(wěn)壓器，其生成所述第2電壓并提供給所述電平移位器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述第2電壓，是根據(jù)向構(gòu)成所述發(fā)熱體的電阻體提供的電源電壓生成的。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述穩(wěn)壓器生成所述第1電壓并提供給所述數(shù)據(jù)保存部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述穩(wěn)壓器，根據(jù)向構(gòu)成所述發(fā)熱體的電阻體提供的電源電壓，生成并輸出所述第1電壓。
9.一種打印頭，在具有m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置的打印頭中，其特征在于，所述m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置包含穩(wěn)壓器，其生成比第1電壓更高的第2電壓，所述第1電壓為n位打印數(shù)據(jù)從外部輸入時(shí)的電壓；n個(gè)晶體管，其分別驅(qū)動(dòng)n個(gè)發(fā)熱體的每一個(gè)；數(shù)據(jù)保存部，其保存進(jìn)行所述n個(gè)該晶體管的導(dǎo)通/截止控制的所述n位打印數(shù)據(jù)；n個(gè)第1電平移位器，其將所述n位打印數(shù)據(jù)各自的電壓轉(zhuǎn)換為由所述穩(wěn)壓器體提供的第2電壓，并輸出到所述n個(gè)晶體管各自的控制電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的打印頭，其特征在于，備有第2電平移位器，其將所述打印數(shù)據(jù)由所述第1電壓轉(zhuǎn)換為第3電壓，并輸出到所述m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置各自的所述數(shù)據(jù)保存部，所述穩(wěn)壓器，其生成所述第3電壓，并提供給所述m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置各自的所述數(shù)據(jù)保存部以及所述第2電平移位器。
11.一種打印頭，在含有m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置的打印頭中，其特征在于，所述m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置包含n個(gè)晶體管，其分別驅(qū)動(dòng)n個(gè)發(fā)熱體的每一個(gè)；數(shù)據(jù)保存部，其保存進(jìn)行所述n個(gè)該晶體管的導(dǎo)通/截止控制的打印數(shù)據(jù)；n個(gè)第1電平移位器，其將所述n位打印數(shù)據(jù)各自的電壓分別轉(zhuǎn)換為由所述穩(wěn)壓器提供的第2電壓，并輸出到所述n個(gè)晶體管各自的控制電極，其中，所述驅(qū)動(dòng)裝置中的1個(gè)具有穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器生成比所述打印數(shù)據(jù)從外部輸入時(shí)的第1電壓更高的第2電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的打印頭，其特征在于，備有第2電平移位器，其將所述打印數(shù)據(jù)由所述第1電壓轉(zhuǎn)換為第3電壓，并輸出到所述m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置各自的所述數(shù)據(jù)保存部，所述穩(wěn)壓器，其生成所述第3電壓，并提供給所述m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置各自的所述數(shù)據(jù)保存部以及所述第2電平移位器。
全文摘要
本發(fā)明的打印頭，包含m個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置(1)，其提供電源電壓VDD的同時(shí)，進(jìn)行構(gòu)成加熱器的電阻體的驅(qū)動(dòng)控制；穩(wěn)壓器(2)，其提供比電源電壓VDD更高電壓的電源電壓VH的同時(shí)，將電源電壓VH變壓為電壓VG后提供給各個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置(1)。
文檔編號(hào)B41J2/05GK1660580SQ20051000958
公開(kāi)日2005年8月31日 申請(qǐng)日期2005年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月27日
發(fā)明者丹羽功 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司