專利名稱：噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種噴墨印頭，且特別涉及一種噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法及其結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前市面上的噴墨打印機(jī)所應(yīng)用之噴墨技術(shù)主要有壓電式(piezoelectric)或熱泡式(thermal bubble)兩種。其中，壓電式噴墨技術(shù)是利用壓電材料之形變來(lái)擠壓位于墨水腔(ink chamber)內(nèi)的墨水，再將墨水經(jīng)由噴嘴射出而形成墨滴。氣泡式噴墨技術(shù)則是利用加熱元件(heater)將墨水瞬間氣化(vapor)，因而產(chǎn)生高壓氣泡來(lái)推動(dòng)墨水，再將墨水經(jīng)由噴嘴射出而形成墨滴(droplet)。
圖1為公知一種噴墨印頭之剖面示意圖。請(qǐng)參閱圖1，噴墨印頭10主要是由具有一個(gè)墨水供給槽(ink slot)102的噴墨印頭芯片100、墨腔層(chamber layer，亦可稱為干膜層(dry film layer))104以及噴嘴板(nozzleplate)110所構(gòu)成。噴墨印頭芯片100的墨水供給槽102可為狹長(zhǎng)狀(亦可為其它適當(dāng)形狀，例如橢圓形或圓形)且貫穿整個(gè)噴墨印頭芯片100，而墨腔層104設(shè)置于噴墨印頭芯片100上。墨腔層104一般具有多個(gè)墨水流道106與墨水腔108，其中墨水腔108可通過(guò)墨水流道106與墨水供給口102連通。此外，噴嘴板110設(shè)置于墨腔層104之上，且噴嘴板110之噴嘴112對(duì)應(yīng)位于墨水腔108之上方。
圖2～圖5分別為公知四種噴墨印頭芯片的剖面示意圖。請(qǐng)先參考圖2，噴墨印頭芯片200之背面202以噴砂頭(sand blasting head)所噴出之砂粒進(jìn)行預(yù)定工作點(diǎn)之半噴砂工序，以形成一個(gè)剖面為半圓形之槽穴204，接著通過(guò)光學(xué)尺(未表示)移動(dòng)噴砂頭到下一個(gè)預(yù)定工作點(diǎn)，以形成另一個(gè)槽穴206。待噴墨印頭芯片200之背面202完成所有工作點(diǎn)的半噴砂工序之后，再以激光(laser)(未表示)對(duì)準(zhǔn)噴墨印頭芯片200之正面208的預(yù)定工作點(diǎn)，通過(guò)激光之高溫灼燒而貫通至槽穴204，以形成噴墨印頭芯片200上之墨水供給槽210。同樣，其余的墨水供給槽212也是通過(guò)移動(dòng)激光頭至其它工作點(diǎn)，并以激光高溫灼燒而貫通至槽穴206所形成的。采用激光方式高溫灼燒以形成槽穴，噴墨印頭芯片容易因?yàn)榧す馑a(chǎn)生之靜電和熱之效應(yīng)，而受到影響或損傷。
噴墨印頭芯片200之正面208除了用激光成孔之外，亦可用干式蝕刻(dry etching)機(jī)所產(chǎn)生的高速帶電粒子撞擊噴墨印頭芯片200上之預(yù)定工作點(diǎn)，以形成多個(gè)貫穿至槽穴204之墨水供給槽210。然而，干式蝕刻機(jī)等相關(guān)設(shè)備及耗材過(guò)于昂貴，使噴墨印頭芯片之加工成本過(guò)高。
請(qǐng)參考圖3，其與圖2之差別僅在于噴墨印頭芯片300之背面302采用干式蝕刻的方式成孔，而噴墨印頭芯片300之正面304采用半噴砂的方式形成墨水供給槽310，但缺點(diǎn)同樣是設(shè)備及耗材過(guò)于昂貴，使噴墨印頭芯片之加工成本過(guò)高。
請(qǐng)參考圖4，噴墨印頭芯片400之背面402先覆蓋預(yù)定開槽圖案之光刻膠(photoresist)(未表示)，利用濕式蝕刻方式，以蝕刻液產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)而形成槽穴404，接著再讓噴墨印頭芯片400之正面408覆蓋預(yù)定開槽圖案之光刻膠(未表示)，使其與蝕刻液反應(yīng)而形成貫穿槽穴404之墨水供給槽410。然而，上述濕式蝕刻的工序過(guò)于耗時(shí)且產(chǎn)量低，不利于大量生產(chǎn)。
請(qǐng)參考圖5，噴墨印頭芯片500以全噴砂的方式形成從背面502貫穿至正面504的墨水供給槽510，但墨水供給槽510的槽寬、槽長(zhǎng)和深度的精確度控制不易，影響供墨和噴墨質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法，可于噴墨印頭芯片上形成預(yù)定開槽尺寸的墨水供給槽，且產(chǎn)能提高以適合大量生產(chǎn)。
本發(fā)明另一目的是提供一種噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法，可于噴墨印頭芯片上形成預(yù)定開槽尺寸的墨水供給槽，且降低生產(chǎn)成本，同時(shí)維持或改善墨水供給槽尺寸/位置的精確度。
本發(fā)明另一目的是提供一種噴墨印頭芯片，其具有預(yù)定開槽尺寸的墨水供給槽，且產(chǎn)能提高以適合大量生產(chǎn)。
本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)可以從本發(fā)明所披露的技術(shù)特征中得到近一步的了解。
基于上述其中之一個(gè)或部分或全部目的或其它目的，本發(fā)明提出一種噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法。首先，提供噴墨印頭芯片，噴墨印頭芯片具有第一表面以及第二表面，接著于噴墨印頭芯片之第一表面上形成第一膜層，且于噴墨印頭芯片之第二表面上形成第二膜層。之后，圖案化第一膜層，以形成至少一個(gè)預(yù)定尺寸(例如是長(zhǎng)度以及寬度)的第一開口；圖案化第二膜層，以形成至少一個(gè)預(yù)定尺寸(例如是長(zhǎng)度以及寬度)的第二開口，且第二開口與第一開口相對(duì)應(yīng)。最后，進(jìn)行噴墨印頭芯片之第一表面的半噴砂處理，以形成第一槽穴于第一開口中；以及進(jìn)行噴墨印頭芯片之第二表面的半噴砂處理，以形成第二槽穴于第二開口中，且第二槽穴貫通至第一槽穴而形成墨水供給槽。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述之第一膜層例如為感光膜。此外，圖案化第一膜層之步驟例如包括對(duì)第一膜層上預(yù)定開口的部分進(jìn)行曝光；以及對(duì)預(yù)定開口部分的第一膜層進(jìn)行顯影，以形成第一開口。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述之第二膜層例如為感光膜。此外，圖案化第二膜層之步驟例如包括對(duì)第二膜層上預(yù)定開口的部分進(jìn)行曝光；以及對(duì)預(yù)定開口部分的第二膜層進(jìn)行顯影，以形成第二開口。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述之半噴砂方法還包括去除第一膜層；以及去除第二膜層。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述形成第二槽穴于第二開口中時(shí)，還包括形成頸部于第一槽穴與第二槽穴之間。此外，第一槽穴在第一表面有第一開口寬度W1，第二槽穴在第二表面有第二開口寬度W2，且第二開口寬度W2介于50％～90％W1之間。另外，第二槽穴在第二表面有第二開口寬度W2，頸部有寬度為W3，且頸部之寬度W3介于70％～90％W2之間。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述第一槽穴在第一表面有第一開口寬度W1，頸部相對(duì)于第一表面之距離為H1，且W1≥H1。此外，噴墨印頭芯片具有基材，基材的厚度為H，且頸部相對(duì)于第一表面之距離H1為30％～90％H之間。
本發(fā)明提出另一種噴墨印頭芯片，包括基材以及墨水供給槽。基材具有第一表面以及第二表面，而墨水供給槽貫穿基材，墨水供給槽具有第一槽穴、第二槽穴以及連接第一槽穴與第二槽穴之頸部，第一槽穴的開口暴露于第一表面，且開口寬度為W1，第二槽穴的開口暴露于第二表面上之穴層，且開口寬度為W2，頸部之寬度為W3，其中W3小于W2且W3小于W1，頸部相對(duì)于第一表面之距離為H1，且W1大于等于H1。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，噴墨印頭芯片還可包括設(shè)置于基材之第二表面之導(dǎo)體層；覆蓋該導(dǎo)體層之鈍化層；以及覆蓋鈍化層之穴層，其中墨水供給槽貫穿基材、導(dǎo)體層、鈍化層以及穴層。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述之第一槽穴的開口寬度W1大于第二槽穴的開口寬度W2，且第二槽穴的開口寬度W2大于頸部之寬度W3。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，其中基材厚度為H，且頸部相對(duì)于第一表面之距離為H1例如介于30％～90％H之間。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述之第二槽穴的開口寬度W2例如介于50％～90％W1之間。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述之頸部之寬度W3例如介于70％～90％W2之間。此外，墨水供給槽之形狀例如為漏斗狀。
本發(fā)明之噴墨印頭芯片因采用雙面半噴砂處理，且在進(jìn)行半噴砂處理之前，先以圖案化之第一膜層以及第二膜層覆蓋噴墨印頭芯片之第一表面以及第二表面，以暴露預(yù)定形成墨水供給槽的區(qū)域于第一開口與第二開口中，故能提高產(chǎn)量且大量生產(chǎn)。由于雙面半噴砂處理可準(zhǔn)確控制槽穴的尺寸(例如是長(zhǎng)度、寬度)以及深度，相對(duì)于公知其它方法所生產(chǎn)的噴墨印頭芯片而言，設(shè)備成本較低，且合格率(yield rate)穩(wěn)定。
為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。須說(shuō)明的是，本發(fā)明各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附圖，用以舉例說(shuō)明本發(fā)明可用以實(shí)施之特定實(shí)施例。因此，本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如“上”、“下”、“左”、“右”、“正面”、“背面”等，僅是參考附圖的方向。本發(fā)明所披露的噴墨印頭芯片可以任意放置，因此使用的方向用語(yǔ)是用來(lái)說(shuō)明，而非用來(lái)限制本發(fā)明。


圖1為公知一種噴墨印頭之剖面示意圖。
圖2～圖5分別為公知四種噴墨印頭芯片的剖面示意圖。
圖6A～圖6F分別為本發(fā)明一較佳實(shí)施例之一種噴墨印頭芯片的雙面半噴砂方法的示意圖。
主要元件標(biāo)記說(shuō)明10噴墨印頭100噴墨印頭芯片102墨水供給槽104墨腔層106墨水流道108墨水腔110噴嘴板112噴嘴200、300、400、500噴墨印頭芯片202、302、402、502背面204、206、404槽穴208、408、304、504正面210、212、310、410、510墨水供給槽600噴墨印頭芯片602第一表面
604第二表面612基材614柵氧化層616介電層618電阻層620導(dǎo)體層630鈍化層640穴層650第一膜層652第一開口654第一槽穴656墨水供給槽660第二膜層662第二開口664第二槽穴666頸部具體實(shí)施方式

圖6A～圖6F分別為本發(fā)明一較佳實(shí)施例之一種噴墨印頭芯片的雙面半噴砂方法的示意圖。首先，請(qǐng)參考圖6A，提供噴墨印頭芯片600，此噴墨印頭芯片600包括基材(substrate)612、導(dǎo)體層(conductive layer)620、鈍化層(passivation layer)630以及穴層(cavitation layer)640?；?12例如是半導(dǎo)體之多晶硅或單晶硅結(jié)構(gòu)，其上方具有堆棧薄模層(stack thinfilms)，例如是具有磷硅玻璃(phosphosilicate glass，PSG)或硼磷硅玻璃(borophosphosilicate glass，BPSG)沉積(deposit)之介電層616、柵氧化層614，及電阻層618。此外，鈍化層630用以防止墨水對(duì)其底下之導(dǎo)體層620以及電阻層618產(chǎn)生腐蝕反應(yīng)。其中，電阻層618具有多個(gè)加熱區(qū)域，用以加熱墨水使墨水汽化后從墨腔室噴出墨滴，而電阻層618材質(zhì)例如包括TaAl、TaN或摻雜多晶硅等。另外，穴層640覆蓋于鈍化層630之上，其材質(zhì)例如是Ta、W或Mo等金屬。
接著，請(qǐng)參考圖6B，形成第一膜層650于噴墨印頭芯片600之背面(或第一表面602)上，而第一膜層650例如是以壓膜(laminating)的方式所形成之感光膜。在另一實(shí)施例中，第一膜層650例如是以旋轉(zhuǎn)涂布(spin coating)或噴灑涂布(spray coating)或其它所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的涂布法的方式所形成之感光膜。在圖6B中，噴墨印頭芯片600之正面(或第二表面604)亦可以相同的方式形成第二膜層660，但不以此為限。
接著，請(qǐng)參考圖6C，圖案化第一膜層650，以形成預(yù)定開槽尺寸(例如是長(zhǎng)度以及寬度)的第一開口652，而圖6C僅為第一開口652的寬度方向的剖面圖，第一開口652的寬度以W1表示。第一膜層650例如以光刻掩膜(photoresist)(未表示)定義預(yù)定形成開口的位置，使第一膜層650上預(yù)定形成開口的部分受光而產(chǎn)生與光刻掩膜相同的圖案。經(jīng)過(guò)曝光(exposure)之后的第一膜層650便可進(jìn)行顯影的步驟，使得經(jīng)由曝光所形成的圖案因顯影液之反應(yīng)而加以清除，最后形成預(yù)定尺寸的第一開口652。
承上所述，第二膜層660同樣可采用上述的方式形成第二開口662，而圖6C僅為第二開口662的寬度方向的剖面圖，第二開口662的寬度以W2表示。在后續(xù)工序中，僅以第二開口662的寬度W2小于第一開口652的寬度W1為范例，作詳細(xì)之說(shuō)明，但不因此而限制本發(fā)明。換言之，本發(fā)明的第一開口652大小和第二開口662大小可以相同，也可以不同。
請(qǐng)參考圖6D，以圖案后的第一膜層650為掩膜(mask)進(jìn)行噴墨印頭芯片600之第一表面602的半噴砂處理，以形成第一槽穴654于第一開口652中，第一槽穴654之剖面例如是呈半圓弧形(如圖6D所示)，且其最大開口寬度W1與第一膜層650之第一開口652的寬度W1相當(dāng)，W1例如是350μm～500μm。也就是說(shuō)，利用第一膜層650所形成之第一開口652可精確控制半噴砂蝕刻之第一槽穴654的位置和尺寸(例如是槽寬與槽長(zhǎng))。相較于公知以光學(xué)尺來(lái)控制噴砂頭的位置而言，本發(fā)明之位置精確度更佳，此外，本發(fā)明能同時(shí)進(jìn)行單面多個(gè)預(yù)定工作點(diǎn)(即多個(gè)第一開口652)的半噴砂處理，以提高處理工序的速度。因此，第一表面602上形成多個(gè)第一槽穴654的時(shí)間可大幅縮短，以提高產(chǎn)能且大量生產(chǎn)。
在本實(shí)施例中，噴砂頭(未表示)的噴壓可以例如為2～5kg/cm2，砂粒的粒徑可以約為17～60μm(微米)，噴砂頭可通過(guò)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)(未表示)沿著噴墨印頭芯片600的第一表面602來(lái)回移動(dòng)，使其砂粒撞擊第一膜層650所覆蓋之第一表面602而形成一個(gè)或多個(gè)第一槽穴654。
請(qǐng)參考圖6E，噴墨印頭芯片600的第二表面604同樣進(jìn)行半噴砂處理，以形成第二槽穴664于第二開口662中，直到第二槽穴664的底部貫通至第一槽穴654而形成墨水供給槽656為止。墨水供給槽656之剖面形狀大致上為漏斗狀。其中，第二槽穴664之剖面例如是呈半圓弧形，且其最大開口寬度W2與第二膜層660之第二開口662的寬度相當(dāng)，W2例如是300μm～400μm。第一槽穴654與第二槽穴664相連通之處則形成最小寬度之頸部666，其寬度為W3，其數(shù)值例如是200μm～300μm。在最佳實(shí)施例中，W3＜W2＜W1。除此之外，第一槽穴654的深度(也就是頸部666相對(duì)于第一表面602之距離)為H1，而基材612厚度為H，例如200μm至800μm，其中第一槽穴654的最大開口寬度W1大于等于其深度H1，即W1≥H1。在一較佳實(shí)施例中，第一槽穴654的深度H1控制在30％～90％H之間。，在另一實(shí)施例中，可通過(guò)半噴砂處理來(lái)精確控制頸部666以及第二槽穴664之寬度，第二槽穴664的最大開口寬度W2例如控制在50％～90％W1之間，而頸部666之寬度W3例如控制在70％～90％W2之間。
最后，請(qǐng)參考圖6F，將第一表面602以及第二表面604上之第一膜層650以及第二膜層660溶于去膜層溶液(未表示)中，例如是丙酮或氫氧化鈉等溶液，使第一表面602以及第二表面604不再殘留第一膜層650以及第二膜層660。第一膜層650與第二膜層660可使用一般光刻工序(Lithography)常用之樹脂(resin)、感光劑(sensitizer)與溶劑(solvent)等三種不同成分之混合。但本發(fā)明可使用之第一膜層650與第二膜層660材料，不限于上述披露之材料。
由以上的說(shuō)明可知，本發(fā)明之噴墨印頭芯片在進(jìn)行雙面半噴砂處理之前，先以圖案化之第一膜層以及第二膜層覆蓋噴墨印頭芯片之第一表面以及第二表面，不僅能達(dá)到保護(hù)芯片之功效，更能以噴砂方式形成連通第一槽穴以及第二槽穴的墨水供給槽，且其精確度與位置精確，能提高產(chǎn)品的合格率。此外，由于雙面半噴砂處理可準(zhǔn)確控制槽穴的尺寸以及深度，相對(duì)于公知其它工序所生產(chǎn)的噴墨印頭芯片而言，設(shè)備成本較低，生產(chǎn)速度快，非常適合大量生產(chǎn)。
綜上所述，本發(fā)明之噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法及其結(jié)構(gòu)具有下列優(yōu)點(diǎn)(1)本發(fā)明能同時(shí)進(jìn)行單面多個(gè)預(yù)定工作點(diǎn)(即多個(gè)膜層開口)的半噴砂處理，以提高處理工序的速度。
(2)本發(fā)明能精確控制第一槽穴以及第二槽穴之尺寸以及深度，以控制墨水的流量。
(3)本發(fā)明之方法克服公知方法生產(chǎn)噴墨印頭芯片的缺點(diǎn)，能降低設(shè)備成本，生產(chǎn)速度快，非常適合大量生產(chǎn)。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與改進(jìn)，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。例如本發(fā)明不限于熱泡式的噴墨技術(shù)，同樣亦可適用于壓電式噴墨技術(shù)或其它噴墨技術(shù)。另外，本發(fā)明所稱之噴墨印頭芯片600的第一面和第二面不限于圖6B所示的噴墨印頭芯片600之背面和正面；如將噴墨印頭芯片600之正面定義為第一面，則噴墨印頭芯片600之背面則為第二面。另一方面，本發(fā)明實(shí)施步驟之間可以互相調(diào)換，可以達(dá)到相同之效果。因此權(quán)利要求之方法步驟并非限定于一步驟之后必須接續(xù)另一特定步驟；換言之，例如圖案化第一表面之第一膜層可以在第二膜層形成之前；或者在圖案化第一表面后且在圖案化第二表面之第二膜層前，即對(duì)第一表面進(jìn)行半噴砂處理。此外，摘要部分和標(biāo)題僅是用來(lái)輔助專利文件搜索之用，并非用來(lái)限制本發(fā)明之權(quán)利范圍。
權(quán)利要求
1.一種噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法，其特征是包括提供噴墨印頭芯片，該噴墨印頭芯片具有第一表面以及第二表面；于該噴墨印頭芯片之該第一表面上形成第一膜層；于該噴墨印頭芯片之該第二表面上形成第二膜層；圖案化該第一膜層，以形成至少一個(gè)預(yù)定尺寸的第一開口；圖案化該第二膜層，以形成至少一個(gè)預(yù)定尺寸的第二開口，該第二開口與該第一開口相對(duì)應(yīng)；進(jìn)行該噴墨印頭芯片之該第一表面的半噴砂處理，以形成第一槽穴于該第一開口中；以及進(jìn)行該噴墨印頭芯片之該第二表面的半噴砂處理，以形成第二槽穴于該第二開口中，且該第二槽穴貫通至該第一槽穴而形成墨水供給槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法，其特征是該第一膜層系為感光膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述之噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法，其特征是圖案化該第一膜層之步驟包括對(duì)該第一膜層上預(yù)定開口的部分進(jìn)行曝光；以及對(duì)該預(yù)定開口部分的該第一膜層進(jìn)行顯影，以形成該第一開口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述之噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法，其特征是該第二膜層為感光膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述之噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法，其特征是圖案化該第二膜層之步驟包括對(duì)該第二膜層上預(yù)定開口的部分進(jìn)行曝光；以及對(duì)該預(yù)定開口部分的該第二膜層進(jìn)行顯影，以形成該第二開口。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述之噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法，其特征是還包括去除該第一膜層；以及去除該第二膜層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述之噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法，其特征是形成該第二槽穴于該第二開口中時(shí)，還包括形成頸部于該第一槽穴與該第二槽穴之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述之噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法，其特征是該第一槽穴在該第一表面有第一開口寬度W1，該第二槽穴在該第二表面有第二開口寬度W2，且該第二開口寬度W2介于50％～90％W1之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述之噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法，其特征是該第二槽穴在該第二表面有第二開口寬度W2，該頸部有寬度為W3，且該頸部之寬度W3介于70％～90％W2之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述之噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法，其特征是該第一槽穴在該第一表面有第一開口寬度W1，該頸部相對(duì)于該第一表面之距離為H1，且W1≥H1。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述之噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法，其特征是該噴墨印頭芯片具有基材，該基材的厚度為H，且該頸部相對(duì)于該第一表面之距離H1為30％～90％H之間。
12.一種噴墨印頭芯片，其特征是包括基材，具有第一表面以及第二表面；以及墨水供給槽，貫穿該基材，該墨水供給槽具有第一槽穴、第二槽穴以及連接該第一槽穴以及該第二槽穴之頸部，該第一槽穴的開口暴露于該第一表面，且開口寬度為W1，該第二槽穴的開口暴露于該第二表面上之該穴層，且開口寬度為W2，該頸部之寬度為W3，其中W3小于W2且W3小于W1，該頸部相對(duì)于該第一表面之距離為H1，且W1≥H1。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述之噴墨印頭芯片，其特征是還包括導(dǎo)體層，設(shè)置于該基材之該第二表面；鈍化層，覆蓋該導(dǎo)體層；以及穴層，覆蓋該鈍化層，其中該墨水供給槽貫穿該基材、該導(dǎo)體層、該鈍化層以及該穴層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述之噴墨印頭芯片，其特征是該第一槽穴的該開口寬度W1大于該第二槽穴的該開口寬度W2，且該第二槽穴的該開口寬度W2大于該頸部之該寬度W3。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述之噴墨印頭芯片，其特征是該基材厚度為H，且該頸部相對(duì)于該第一表面之距離H1介于30％～90％H之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述之噴墨印頭芯片，其特征是該第二槽穴的開口寬度W2介于50％～90％W1之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述之噴墨印頭芯片，其特征是該頸部之寬度W3介于70％～90％W2之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述之噴墨印頭芯片，其特征是該墨水供給槽之形狀系為漏斗狀。
全文摘要
一種噴墨印頭芯片之雙面半噴砂方法，包括于噴墨印頭芯片之第一表面上形成第一膜層，且于噴墨印頭芯片之第二表面上形成第二膜層。圖案化第一膜層，以形成至少一個(gè)第一開口；圖案化第二膜層，以形成至少一個(gè)第二開口，且第二開口與第一開口相對(duì)應(yīng)。進(jìn)行噴墨印頭芯片之第一表面的半噴砂處理，以形成第一槽穴于第一開口中；以及進(jìn)行噴墨印頭芯片之第二表面的半噴砂處理，以形成第二槽穴于第二開口中，且第二槽穴貫通至第一槽穴而形成墨水供給槽。
文檔編號(hào)B41J2/14GK1903577SQ200510085
公開日2007年1月31日 申請(qǐng)日期2005年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月26日
發(fā)明者李致淳, 李明玲, 賴怡絢, 鄭陳煜, 陳孟群, 謝明江 申請(qǐng)人:國(guó)際聯(lián)合科技股份有限公司