專利名稱：凹版制版輥及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種凹版制版輥及其制造方法，能夠改善霧版(版力7 V )、 且不使用鍍鉻而能夠制備具有足夠強(qiáng)度的表面強(qiáng)化覆蓋層，特別是涉及一種作為代替鉻層的表面強(qiáng)化覆蓋層而設(shè)置類金剛石碳(DLC)層的凹版制 版輥及其制造方法。
背景技術(shù)：
凹版印刷中，是相對(duì)于凹版制版輥(凹版滾筒)形成與制版信息對(duì)應(yīng) 的微小凹部(凹槽)并制作版面，且在該凹槽中填充墨并轉(zhuǎn)印到被印刷物 上。普通的凹版制版輥中，在鋁和鐵等金屬制或碳素纖維強(qiáng)化樹脂(CFRP) 等強(qiáng)化樹脂制的中空輥的表面設(shè)置用于版面形成的鍍銅層(版材)，利用 蝕刻在該鍍銅層上形成與制版信息對(duì)應(yīng)的多個(gè)微小凹部(凹槽)，接下來， 經(jīng)由用以增加凹版制版輥的耐刷力的鍍鉻形成硬質(zhì)的鉻層作為表面強(qiáng)化 覆蓋層，完成制版(版面制作)。可是，目前的現(xiàn)狀是在鍍鉻工序中由于 使用毒性高的六價(jià)鉻，因而除了增加多余的成本以謀求維持作業(yè)安全以 外，還存在公害產(chǎn)生的問題，期待一種代替鉻層的表面強(qiáng)化覆蓋層的出現(xiàn)。另一方面，關(guān)于凹版制版輥(凹版滾筒)的制造，已知在形成了槽的 鍍銅層上形成類金剛石碳(DLC)作為表面強(qiáng)化覆蓋層來使用的技術(shù)(專 利文獻(xiàn)1~3)和在鍍銅層上形成DLC層后形成槽來制造印刷版的技術(shù)(專 利文獻(xiàn)4)，不過，DLC層與銅的密接性弱，存在容易剝離的問題。另外， 本案申請(qǐng)人己經(jīng)提出了在中空輥上形成橡膠或樹脂層并在其上形成類金 剛石碳(DLC)覆膜后、形成槽來制造凹版印刷版的技術(shù)(專利文獻(xiàn)5~7)。再有，凹版印刷中，在非畫線部(印刷用版面的不附著印刷墨的部分) 附著微小墨而以不清潔感印刷的霧版，是一種在刮墨刀的持續(xù)使用時(shí)間增 多而刮墨刀變得不鋒利時(shí)、或疏忽了用砂紙?jiān)诎及孑伒腻冦t的非畫線部沒有遺漏地擦劃印痕時(shí)、或輪轉(zhuǎn)印刷機(jī)的印刷速度過快時(shí)、或使用水性墨印 刷時(shí)等顯著出現(xiàn)的現(xiàn)象。霧版的原因是由于刮刀通過而導(dǎo)致微小墨沒有干而轉(zhuǎn)移到印刷用版 面的非畫線部。在印刷用版面的非畫線部存在大量成為霧版原因的墨時(shí)， 原因是刮墨刀變得不鋒利而對(duì)墨的切削變差、或者原因在于印刷用版面過 于成為鏡面狀態(tài)而使自潤(rùn)滑性差、造成刮墨刀和輥面的直接接觸，刮墨刀 產(chǎn)生微小顫動(dòng)而使墨通過。因而，通過更換刮刀、或在輥上利用砂紙微小 擦劃，則大體能夠消除。與之相對(duì)，關(guān)于使用水性墨進(jìn)行印刷時(shí)顯著出現(xiàn)的霧版，其原因在于 由于墨的溶劑中使用水和少量的醇，因此揮發(fā)速度比甲苯慢，用輪轉(zhuǎn)印刷機(jī)印刷的速度與使用油性墨印刷的速度相比下降20%左右。 專利文獻(xiàn)1:特開平4一282296號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:特開2002—172752號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)3:特開2000—10300號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)4:特開2002—178653號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)5:特開平11—309950號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)6:特開平11—327124號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)7:特開2000 — 15770號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)8:特開2003 — 145952號(hào)公報(bào)從防止地球溫室化的觀點(diǎn)而言，希望停止使用含有50%左右成為二氧 化碳?xì)怏w排出原因的甲苯的油性墨而使用水性墨，因此為了使在使用水性 墨印刷的速度與使用油性墨印刷的速度大致同等時(shí)也不會(huì)產(chǎn)生霧版，而謀 求水性墨的改良、刮墨刀的改良和在凹版制版輥等上有所改善等。本發(fā)明者之一著眼于在輥上利用砂紙微小擦劃由此能夠消除霧版，進(jìn) 行銳意研究，己經(jīng)確認(rèn)在非畫線部設(shè)置3.5ymX7.0"m的槽，使用水性 墨進(jìn)行印刷時(shí)沒有產(chǎn)生霧版。為此，若在非畫線部制備無數(shù)個(gè)不轉(zhuǎn)移墨的微小擦痕，同時(shí)在輥上利 用砂紙形成微小劃痕，則使用水性墨印刷的速度與使用油性墨印刷的速度 大致同等時(shí)也很難產(chǎn)生霧版，根據(jù)這樣的觀點(diǎn)，完成并已經(jīng)提出了新型的 凹版制版輥及凹版制版方法(專利文獻(xiàn)8)。另一方面，本發(fā)明者等關(guān)于代替鉻層的表面強(qiáng)化覆蓋層進(jìn)行了不斷的 銳意研究后，發(fā)現(xiàn)通過將金屬層、碳化金屬層和類金剛石碳(DLC)層組 合使用，從而能夠獲得具有與鉻層匹敵的強(qiáng)度且無毒性、完全不用擔(dān)心公 害產(chǎn)生的表面強(qiáng)化覆蓋層。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供一種新型的凹版制版輥及其制造方法，其能 夠改善霧版、同時(shí)具備無毒性且完全不用擔(dān)心公害產(chǎn)生的表面強(qiáng)化覆蓋 層，同時(shí)耐刷力優(yōu)異。本發(fā)明的凹版制版輥，包括中空輥、設(shè)置在該中空輥的表面且表面 形成有多個(gè)凹槽的鍍銅層、設(shè)置在該鍍銅層的表面的金屬層、設(shè)置在該金 屬層的表面的該金屬的碳化金屬層和覆蓋該碳化金屬層的表面的類金剛 石碳覆膜，所述凹版制版輥的特征在于，以在網(wǎng)線的l個(gè)間距的區(qū)域內(nèi)至 少存在l個(gè)的方式，在非畫線部排列有比所述鍍銅層的最亮部的最小凹槽 小且不能進(jìn)行墨轉(zhuǎn)移的大小的凹坑。本發(fā)明的凹版制版輥的制造方法，包括準(zhǔn)備中空輥的工序、在該中 空輥的表面形成鍍銅層的鍍銅工序、在該鍍銅層的表面形成多個(gè)凹槽及凹 坑的凹槽及凹坑形成工序、在該鍍銅層的表面形成金屬層的金屬層形成工 序、在該金屬層的表面形成該金屬的碳化金屬層的碳化金屬層形成工序、 在該碳化金屬層的表面形成類金剛石碳覆膜的類金剛石碳覆膜形成工序， 所述凹版制版輥的制造方法的特征在于，在所述凹槽及凹坑形成工序中， 以在網(wǎng)線的l個(gè)間距的區(qū)域內(nèi)至少存在l個(gè)的方式，在非畫線部排列有比所 述鍍銅層的最亮部的最小凹槽小且不能進(jìn)行墨轉(zhuǎn)移的大小的凹坑。所述碳化金屬層優(yōu)選為碳化金屬傾斜層，該碳化金屬傾斜層中碳的組 成比被設(shè)定成碳的比率從所述金屬層側(cè)向所述類金剛石碳覆膜方向逐漸 增大。優(yōu)選是所述鍍銅層的厚度為50~200um，所述凹槽的深度為5~150li m，所述金屬層的厚度為0.001~lum、優(yōu)選是0.001 0.1um、更優(yōu)選是 0.001 0.05um，所述碳化金屬層的厚度為0.1~lum，所述類金剛石碳覆 膜的厚度為0.1 10wm。最好是利用濺射法分別形成所述金屬層、所述碳化金屬層優(yōu)選是碳化 金屬傾斜層及所述類金剛石碳覆膜。優(yōu)選是所述金屬為可碳化且與銅親和性高的金屬。優(yōu)選是所述金屬為從由鎢(W)、硅(Si)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鉭(Ta) 及鋯(Zr)組成的組中選擇的一種或兩種以上的金屬。優(yōu)選是利用蝕刻法或電子雕刻法進(jìn)行所述凹槽及凹坑的形成。最好是制作將所述凹槽的形成圖案的數(shù)字版信息和所述凹坑的排列 圖案的數(shù)字版信息重疊而成的合成數(shù)字版信息，根據(jù)該重疊而成的合成數(shù) 字版信息形成所述凹槽及凹坑。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的凹版制版輥，通過了刮墨刀的墨基于毛細(xì)管現(xiàn)象進(jìn)入非 畫線部上形成的無數(shù)個(gè)微小槽中，霧版得以改善，若同時(shí)利用砂紙進(jìn)行微 小擦劃則大幅地消除霧版。并且，在使用水性墨印刷的速度與使用油性墨 印刷的速度大致同等時(shí)也不會(huì)產(chǎn)生霧版。根據(jù)本發(fā)明的凹版制版輥的制造方法，能夠良好地制版本發(fā)明的凹版 制版輥，獲得上述效果。另外，根據(jù)本發(fā)明，作為表面強(qiáng)化覆蓋層采用類 金剛石碳(DLC)覆膜，從而能夠省略鍍鉻工序，因此實(shí)現(xiàn)不使用毒性高 的六價(jià)絡(luò)，不需要用以謀求作業(yè)安全性的多余成本，完全不用擔(dān)心公害產(chǎn) 生，而且類金剛石碳(DLC)覆膜具有與鉻層匹敵的強(qiáng)度、耐刷力也優(yōu)異 這樣大的效果。


圖1是模式性表示本發(fā)明的凹版制版輥的制造工序的說明圖，(a)是 中空輥的整體截面圖，(b)是表示在中空輥的表面形成鍍銅層的狀態(tài)的局 部放大截面圖，(c)是表示在中空輥的鍍銅層上形成凹槽的狀態(tài)的局部放 大截面圖，(d)是表示在中空輥的鍍銅層表面形成金屬層的狀態(tài)的局部放 大截面圖，(e)是表示在中空輥的金屬層表面形成碳化金屬層的狀態(tài)的局 部放大截面圖，(f)是表示在中空輥的碳化金屬層表面覆蓋類金剛石碳 (DLC)覆膜的狀態(tài)的局部放大截面圖。圖2是表示本發(fā)明的凹版制版輥的制造方法的流程圖。圖3是本發(fā)明的凹版制版輥的主要部分的放大截面圖。圖4是表示本發(fā)明的凹版制版輥的各層的層疊狀態(tài)的放大截面圖。圖中，IO —版母件(中空輥)，10a—凹版制版輥，12 —鍍銅層，14一 凹槽，14a—最小凹槽，15 —凹坑，16 —金屬層，18 —碳化金屬層、優(yōu)選 是碳化金屬傾斜層，20 —類金剛石碳(DLC)覆膜。具體實(shí)施方式

以下說明本發(fā)明的實(shí)施方式，不過，這些實(shí)施方式只是例示性表示， 只要不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想就能夠進(jìn)行各種變形是不言而喻的。圖1是模式性表示本發(fā)明的凹版制版輥的制造工序的說明圖，(a)是 中空輥的整體截面圖，(b)是表示在中空輥的表面形成鍍銅層的狀態(tài)的局 部放大截面圖，(c)是表示在中空輥的鍍銅層上形成凹槽及凹坑的狀態(tài)的 局部放大截面圖，(d)是表示在中空輥的鍍銅層表面形成金屬層的狀態(tài)的 局部放大截面圖，(e)是表示在中空輥的金屬層表面形成碳化金屬層的狀 態(tài)的局部放大截面圖，(f)是表示在中空輥的碳化金屬層表面覆蓋類金剛 石碳(DLC)覆膜的狀態(tài)的局部放大截面圖。圖2是表示本發(fā)明的凹版制 版輥的制造方法的流程圖。圖3是本發(fā)明的凹版制版輥的主要部分的放大 截面圖。圖4是表示本發(fā)明的凹版制版輥的各層的層疊狀態(tài)的放大截面圖。利用圖1~圖4說明本發(fā)明方法。圖1 (a)、圖3及圖4中，符號(hào)10 為版母件，采用由鋁或鐵等構(gòu)成的金屬制或碳素纖維強(qiáng)化樹脂(CFRP) 等強(qiáng)化樹脂制中空輥(圖2的步驟100)。在該中空輥10的表面經(jīng)由鍍銅 處理形成鍍銅層12 (圖2的步驟102)。在該鍍銅層12的表面形成多個(gè)微小的凹部(凹槽)14及凹坑15 (圖 2的步驟104)。作為凹槽14的形成方法，能夠采用蝕刻法(在版體面上 涂敷感光液、直接燒結(jié)后，進(jìn)行蝕刻形成凹槽14)和電子雕刻法(根據(jù)數(shù) 字信號(hào)機(jī)械操作金剛石雕刻針，在銅表面雕刻凹槽14)等眾所周知的方法， 而蝕刻法最好。接下來，在形成了凹槽14的鍍銅層12 (包括凹槽14)的表面形成金 屬層16 (圖2的步驟106)。再有，在該金屬層16表面形成該金屬的碳化 金屬層、優(yōu)選是碳化金屬傾斜層18 (圖2的步驟108)。作為金屬層16及碳化金屬層、優(yōu)選是碳化金屬傾斜層18的形成方法，能夠適用濺射法、真空蒸鍍法(電子束法)、離子鍍法、MBE (分子束外延法)、激光消融法、 離子輔助成膜法、等離子CVD法等眾所周知的方法，而濺射法最好。作為所述金屬，優(yōu)選是可碳化且與銅親和性高的金屬。作為該金屬能 夠采用鉤(W)、硅(SO、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鉭(Ta)及鋯(Zr)等。所述碳化金屬層、優(yōu)選是碳化金屬傾斜層18中的金屬采用與所述金 屬層16相同的金屬。碳化金屬傾斜層18中碳的組成比設(shè)定成使碳的比率 從金屬層16側(cè)向后述的類金剛石碳(DLC)覆膜20方向逐漸增大。也就 是說，以碳的組成比從0% 逐漸地(呈階段性或無階段性)增大比率、最 后幾乎達(dá)到100%的方式進(jìn)行成膜。此時(shí)，碳化金屬層、優(yōu)選是碳化金屬傾斜層18中碳的組成比的調(diào)整方 法采用眾所周知的方法即可，例如利用濺射法(使用固體金屬耙，在氬氣 氣氛中呈階段性或無階段性地逐漸增大碳?xì)錃怏w、例如甲烷氣體、乙烷氣 體、丙烷氣體、丁烷氣體、乙炔氣體等的注入量)，能夠形成碳及金屬兩 者的組成比例按照碳化金屬層18中碳的比例從鍍銅層12側(cè)向類金剛石碳 (DLC)覆膜20方向呈階段性或無階段性地逐漸增大這樣變化的碳化金屬 層、即碳化金屬傾斜層18。這樣，通過調(diào)整碳化金屬層18的碳的比例，從而能夠提高碳化金屬層 18相對(duì)于鍍銅層12及類金剛石碳(DLC)覆膜20雙方的密接度。另外，如 果碳?xì)錃怏w的注入量一定，則能夠形成碳及金屬的組成比例一定的碳化金 屬層，能夠進(jìn)行與碳化金屬傾斜層同樣的作用。接下來，在所述碳化金屬層、優(yōu)選是碳化金屬傾斜層18的表面覆蓋形 成類金剛石碳(DLC)覆膜20 (圖2的步驟110)。作為類金剛石碳(DLC) 覆膜20的形成方法，與金屬層16及碳化金屬層、優(yōu)選是碳化金屬傾斜層18 的形成同樣，能夠適用濺射法、真空蒸鍍法(電子束法)、離子鍍法、MBE (分子束外延法)、激光消融法、離子輔助成膜法、等離子CVD法等眾所 周知的方法，而濺射法最好。覆蓋上述的類金剛石碳(DLC)覆膜20，使該類金剛石碳(DLC)覆 膜20作為表面強(qiáng)化覆蓋層發(fā)揮作用，從而能夠獲得無毒性且完全不用擔(dān)心 公害產(chǎn)生、同時(shí)耐刷力優(yōu)異的凹版制版輥10a。在此，濺射法是一種若在要成為薄膜的材料(靶材料)上投擲離子則 材料產(chǎn)生飛濺、而將該飛濺的材料堆積在基板上、制作薄膜的方法，具有 的特征是靶材料的制約少、能夠大面積再現(xiàn)性好地制作薄膜等。真空蒸鍍法(電子束法)是一種向要成為薄膜的材料照射電子束、加 熱蒸發(fā)、將該蒸發(fā)的材料附著(堆積)在基板上、制作薄膜的方法，具有 的特征是成膜速度快、對(duì)基板的損傷少等。離子鍍法是一種將要成為薄膜的材料蒸發(fā)后、利用高頻(RF) (RF離 子鍍法)或電弧(電弧離子鍍法)堆積在離子化了的基板上、制作薄膜的 方法，具有的特征是成膜速度快、附著強(qiáng)度大等。分子束外延法是一種將原料物質(zhì)在超高真空中蒸發(fā)、向加熱過的基板 上供給、形成薄膜的方法。激光消融法是一種向靶入射高密度化了的激光脈沖從而釋放離子、在 對(duì)置的基板上形成薄膜的方法。離子輔助成膜法是一種在真空容器內(nèi)設(shè)置蒸發(fā)源和離子源、輔助性利 用離子進(jìn)行成膜的方法。等離子CVD法是一種從以比在減壓下進(jìn)行CVD法時(shí)更低溫進(jìn)行薄膜 形成的目的出發(fā)、利用等離子激勵(lì)將原料氣體分解、在基板上進(jìn)行反應(yīng)堆 積的方法。圖3表示本發(fā)明的凹版制版輥的主要部分的放大截面。符號(hào)14a是最亮 部的最小凹槽(圓形時(shí)，在油性墨中為直徑30y m，在水性墨中為直徑15 ym)，可轉(zhuǎn)移墨。符號(hào)15是設(shè)置在非畫線部的凹坑(該說明書中，將可轉(zhuǎn) 移墨的凹部作為凹槽，區(qū)別使用的技術(shù)用語)，是比最亮部的最小凹槽14a 小且不能進(jìn)行墨轉(zhuǎn)移的大小。凹坑15只要以在網(wǎng)線的1個(gè)間距的區(qū)域內(nèi)至 少存在l個(gè)的方式排列即可。通常的凹版制版輥凹槽的間距確定，因此， 能夠設(shè)置在非畫線部的不能轉(zhuǎn)移墨的微小凹坑也按照凹槽的排列而排列。 并沒有限定為在網(wǎng)線的l個(gè)間距的區(qū)域內(nèi)設(shè)置l個(gè)微小的凹坑，根據(jù)構(gòu)圖能 夠設(shè)置多個(gè)。所說的比最亮部的最小凹槽14a小且不能進(jìn)行墨轉(zhuǎn)移的大小 的凹坑，具體地說適合于例如7.0 y mX 7.0y m的大小。制版中，在非畫線部設(shè)置不能轉(zhuǎn)移墨的微小的凹坑，通過以下實(shí)現(xiàn)， 制成將形成版之前的凹槽的形成圖案的數(shù)字版信息和凹坑的排列圖案的數(shù)字版信息重疊而成合成數(shù)字版信息，根據(jù)該合成數(shù)字版信息進(jìn)行曝光。 凹坑的排列圖案是使凹坑的輥周方向的間距隨機(jī)排列，凹坑不會(huì)切到網(wǎng)線的周方向的同一位置，不會(huì)妨礙刮刀的墨刮取功能。本發(fā)明的凹版制版輥的制造方法優(yōu)選是制成上述的合成數(shù)字版信息、根據(jù)該重疊而成的合成數(shù)字版信息形成凹槽及凹坑。 實(shí)施例以下列舉實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更具體地說明，當(dāng)然這些實(shí)施例只是例 示地表示，而不是限定性地解釋。 (實(shí)施例l)將圓周600mm、面長(zhǎng)1100mm的凹版滾筒(鋁中空輥)裝在鍍槽中， 利用基于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的自動(dòng)滑動(dòng)裝置將陽極室向中空輥靠近到20mm，使 鍍液溢出，淹沒中空輥，在18A/dm2、 6.0V下形成80iim的鍍銅層。鍍敷 時(shí)間為20分鐘，鍍敷表面沒有產(chǎn)生脫落等，獲得均勻的鍍銅層。在上述形成的鍍銅層上涂敷感光膜，將圖像進(jìn)行激光曝光、顯影、構(gòu) 圖、形成抗蝕圖像，接下來迸行等離子蝕刻等干式蝕刻，對(duì)由凹槽構(gòu)成的 圖像進(jìn)行雕刻及形成凹坑，其后去除抗蝕圖像從而制作形成了印刷版的中 空輥。在形成了該凹槽及凹坑的鍍銅層的上面利用濺射法形成鎢(W)層。濺射條件如下。鎢(W)試料固體鎢靶，氣氛氬氣氣氛，成膜溫度200~300°C，成膜時(shí)間60分鐘，成膜厚度0.03 um。接下來，在鎢(W)層上面形成碳化鎢層。濺射條件如下。鎢(W)試料固體鎢靶，氣氛在氬氣氣氛中逐漸增加碳?xì)錃怏w，成膜溫度-200 300°C，成膜時(shí)間60分鐘，成膜厚度0.1 ym。再在碳化鎢層上面利用濺射法覆蓋形成類金剛石碳(DLC)覆膜。濺射條件如下。DLC試料固體碳靶，氣氛氬氣氣氛，成膜溫度200 300 °C，成膜時(shí)間150分鐘，成膜厚度lum。這樣一來，完成了凹版制版 輥(凹版滾筒)。此時(shí)確認(rèn)，凹槽深度為10iim，最小凹槽為直徑15^m的 圓形，在非畫線部形成2iimX5ym的凹坑。然后，利用砂紙對(duì)該凹版滾 筒局部進(jìn)行微少擦劃。對(duì)上述凹版滾筒適用水性墨，使用OPP (OrientedPolypropylene Film:2軸延伸聚丙烯薄膜)進(jìn)行印刷試驗(yàn)(印刷速度200m/分鐘、OPP薄膜長(zhǎng) 度4000m)。所得的印刷物中，利用砂紙施加微少擦劃的部分沒有產(chǎn)生霧 版、或沒有利用砂紙施加微少擦劃的部分也很少產(chǎn)生霧版。另外，轉(zhuǎn)位性 也良好。再有，其結(jié)果是確認(rèn)，類金剛石碳(DLC)覆膜具有與現(xiàn)有的鉻 層匹敵的性能，能夠足已作為鉻層替代品使用。 (實(shí)施例2)與實(shí)施例l同樣地制作形成了凹槽及凹坑的中空輥。對(duì)于上述中空輥 除了將鎢(W)試料變更為硅(Si)試料以外，與實(shí)施例l同樣地處理完成 凹版制版輥，同樣進(jìn)行印刷試驗(yàn)后，與實(shí)施例l同樣能夠獲得利用砂紙施 加微少擦劃的部分沒有產(chǎn)生霧版、或沒有利用砂紙施加微少擦劃的部分也 很少產(chǎn)生霧版且轉(zhuǎn)位性良好的印刷物。確認(rèn)這些實(shí)施例中，類金剛石碳 (DLC)覆膜也具有與現(xiàn)有的鉻層匹敵的性能、能夠足夠作為鉻層替代品 使用。還確認(rèn)，作為金屬試料，采用鈦(Ti)、鉻(Cr)進(jìn)行同樣的試驗(yàn)， 獲得同樣的結(jié)果。 (實(shí)施例3)作為形成版之前的版信息準(zhǔn)備0%~100%的等級(jí)。并且，制成沿著輥周 方向并排2個(gè)激光束進(jìn)行照射的圖案，以使作為3.5umX7.0um大小的單 位曝光面積形成沿輥面縱向140lim間距的排列、且使輥周方向的間距在70 ym 140iim的范圍內(nèi)隨機(jī)排列，制成將經(jīng)由篩選程序進(jìn)行篩選所得的網(wǎng) 板的數(shù)字信息與所述等級(jí)重疊而成的數(shù)字版信息。接下來，在輥的經(jīng)鏡面精加工的鍍銅面上涂敷加拿大，^才廿< f '7 夕》公司制的正型感光膜，使殘留溶劑為2%以下，這樣將感光膜干燥， 之后利用具備能夠以1.8nmX7.0um的大小作為單位輸出照射紅外線激 光的激光頭的激光曝光裝置進(jìn)行曝光，沿著輥周方向并排2個(gè)沿輥面縱向 長(zhǎng)的1.8lxmX7.0lxm大小的激光束，使作為3.5 y mX 7.0 y m大小的單位曝 光面積沿輥周方向及輥面縱向以2Spm間距排列這樣進(jìn)行照射、曝光，接 下來，進(jìn)行顯影一蝕刻一抗蝕層剝離一鎢(W)層形成一碳化鎢傾斜層的 形成一類金剛石碳(DLC)覆膜形成，作成試驗(yàn)版。鎢層一碳化鉤層一DLC 覆膜的形成按照與實(shí)施例l同樣的順序進(jìn)行。確認(rèn)該試驗(yàn)版在非畫線部形成了2.0umX5.0ym的凹坑。并且，利用砂紙對(duì)輥進(jìn)行局部性微小擦劃。 安裝在凹版輪轉(zhuǎn)印刷機(jī)上、采用水性墨以每分鐘120m的印刷速度印 刷時(shí)，可進(jìn)行良好等級(jí)的印刷。產(chǎn)生了2.0umX5.0um的凹坑挨上分等級(jí) 的槽的情況，不過沒有產(chǎn)生損害濃淡反差系數(shù)的大影響。并且，發(fā)現(xiàn)非畫 線部的霧版有大的改善。即，利用砂紙施加微少擦劃的部分沒有產(chǎn)生霧版、 或沒有利用砂紙施加微少擦劃的部分也很少產(chǎn)生霧版。2.0 y mX 5.0 u m的凹坑不會(huì)切到網(wǎng)線的周方向的同一位置，不會(huì)妨礙刮刀的墨刮取功能。此 外，獲得與上述實(shí)施例l同樣的結(jié)果。
權(quán)利要求
1.一種凹版制版輥，包括中空輥、設(shè)置在該中空輥的表面且表面形成有多個(gè)凹槽的鍍銅層、設(shè)置在該鍍銅層的表面的金屬層、設(shè)置在該金屬層的表面的該金屬的碳化金屬層以及覆蓋該碳化金屬層的表面的類金剛石碳覆膜，所述凹版制版輥的特征在于，以在網(wǎng)線的1個(gè)間距的區(qū)域內(nèi)至少存在1個(gè)的方式，在非畫線部排列有比所述鍍銅層的最亮部的最小凹槽小且不能進(jìn)行墨轉(zhuǎn)移的大小的凹坑。
2. —種凹版制版輥，其特征在于，所述碳化金屬層為碳化金屬傾斜層，該碳化金屬傾斜層中碳的組成比 被設(shè)定成碳的比率從所述金屬層側(cè)向所述類金剛石碳覆膜方向逐漸增大。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的凹版制版輥，其特征在于， 所述鍍銅層的厚度為50 200iim，所述凹槽的深度為5 150!xm，所述金屬層的厚度為0.001~4 ym，所述碳化金屬層的厚度為0.1~lum，所 述類金剛石碳覆膜的厚度為0.1 10y m。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中任意一項(xiàng)所述的凹版制版輥，其特征在于， 所述金屬為可碳化且與銅親和性高的金屬。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1 4中任意一項(xiàng)所述的凹版制版輥，其特征在于， 所述金屬為從由鉤(W)、硅(Si)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鉅(Ta)及鋯(Zr)組成的組中選擇的一種或兩種以上的金屬。
6. —種凹版制版方法，是凹版制版輥的制造方法，包括準(zhǔn)備中空 輥的工序、在該中空輥的表面形成鍍銅層的鍍銅工序、在該鍍銅層的表面 形成多個(gè)凹槽及凹坑的凹槽及凹坑形成工序、在該鍍銅層的表面形成金屬 層的金屬層形成工序、在該金屬層的表面形成該金屬的碳化金屬層的碳化 金屬層形成工序、在該碳化金屬層的表面形成類金剛石碳覆膜的類金剛石 碳覆膜形成工序，所述凹版制版方法的特征在于，在所述凹槽及凹坑形成工序中，以在網(wǎng)線的l個(gè)間距的區(qū)域內(nèi)至少存 在1個(gè)的方式，在非畫線部排列有比所述鍍銅層的最亮部的最小凹槽小且 不能進(jìn)行墨轉(zhuǎn)移的大小的凹坑。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的凹版制版方法，其特征在于， 所述碳化金屬層為碳化金屬傾斜層，該碳化金屬傾斜層中碳的組成比被設(shè)定成碳的比率從所述金屬層側(cè)向所述類金剛石碳覆膜方向逐漸增大。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的凹版制版輥的制造方法，其特征在于， 所述鍍銅層的厚度為50 200tim，所述凹槽的深度為5-150u m，所述金屬層的厚度為0.001 lum，所述碳化金屬層的厚度為0.1 lum，所 述類金剛石碳覆膜的厚度為(U 10y m。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6 8中任意一項(xiàng)所述的凹版制版輥的制造方法，其 特征在于，利用濺射法分別形成所述金屬層、所述碳化金屬傾斜層及所述類金剛 石碳覆膜。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6 9中任意一項(xiàng)所述的凹版制版輥的制造方法，其 特征在于，所述金屬為可碳化且與銅親和性高的金屬。
11. 根據(jù)權(quán)利要求6 10中任意一項(xiàng)所述的凹版制版輥的制造方法， 其特征在于，所述金屬為從由鎢(W)、硅(Si)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鉭(Ta)及 鋯(Zr)組成的組中選擇的一種或兩種以上的金屬。
12. 根據(jù)權(quán)利要求6~11中任意一項(xiàng)所述的凹版制版輥的制造方法， 其特征在于，利用蝕刻法或電子雕刻法進(jìn)行所述凹槽及凹坑的形成。
13. 根據(jù)權(quán)利要求6~12中任意一項(xiàng)所述的凹版制版輥的制造方法， 其特征在于，制作將所述凹槽的形成圖案的數(shù)字版信息和所述凹坑的排列圖案的 數(shù)字版信息重疊而成的合成數(shù)字版信息，根據(jù)該重疊而成的合成數(shù)字版信 息形成所述凹槽及凹坑。
全文摘要
本發(fā)明提供一種新型的凹版制版輥及其制造方法，其能夠改善霧版、同時(shí)具備無毒性且完全不用擔(dān)心公害產(chǎn)生的表面強(qiáng)化覆蓋層，同時(shí)耐刷力優(yōu)異。該凹版制版輥，由金屬制中空輥、設(shè)置在該中空輥表面且表面形成多個(gè)凹槽的鍍銅層、設(shè)置在該鍍銅層表面的金屬層、設(shè)置在該金屬層表面的該金屬的碳化金屬傾斜層和覆蓋該碳化金屬傾斜層表面的類金剛石碳覆膜構(gòu)成，以網(wǎng)線的1個(gè)間距的區(qū)域內(nèi)至少存在1個(gè)的方式，在非畫線部排列比所述鍍銅層的最亮部的最小凹槽小且不能進(jìn)行墨轉(zhuǎn)移的大小的凹坑。
文檔編號(hào)B41N1/20GK101272913SQ20068003529
公開日2008年9月24日 申請(qǐng)日期2006年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者佐藤勉, 杉山浩一, 淺野貴之, 重田龍男 申請(qǐng)人:株式會(huì)社新克