專利名稱：帶有數(shù)據(jù)信號(hào)鎖存電路的液體噴射裝置的制作方法
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帶有數(shù)據(jù)信號(hào)鎖存電路的液體噴射裝置
背景技術(shù)：
作為液體噴射系統(tǒng)的 一個(gè)實(shí)施例的噴墨打印系統(tǒng)，可包括打印頭、 為打印頭提供液墨的墨源和控制打印頭的電子控制器。作為液體噴射裝 置的一個(gè)實(shí)施例的打印頭通過多個(gè)孔口或噴嘴噴射墨滴。墨向著諸如紙 張的打印介質(zhì)噴射以在打印介質(zhì)上打印圖像。噴嘴通常以一個(gè)或多個(gè)陣 列安置，使得在打印頭和打印介質(zhì)相對(duì)彼此移動(dòng)時(shí)，適當(dāng)排序的從噴嘴 的墨噴射引起將字符或其它圖像在打印介質(zhì)上打印。
在一個(gè)典型的熱噴墨打印系統(tǒng)中，打印頭通過快速加熱位于蒸發(fā)室 中的小容量墨來通過噴嘴噴射墨滴。墨利用諸如在本文中稱為發(fā)射電阻 器的薄膜電阻器的小電加熱器加熱。加熱墨使墨蒸發(fā)并通過噴嘴噴射。
為噴射 一 滴墨，控制打印頭的電子控制器激活來自位于打印頭的外 部的電源的電流。電流通過選定的發(fā)射電阻器以加熱在相應(yīng)選定的蒸發(fā) 室中的墨，通過相應(yīng)的噴嘴噴射墨。已知的液滴生成器包括發(fā)射電阻器、 相應(yīng)的蒸發(fā)室和相應(yīng)的噴嘴。
隨著噴墨打印頭的演進(jìn)，在打印頭中的液滴生成器的數(shù)目增加，以 改進(jìn)打印速度和/或質(zhì)量。每個(gè)打印頭中的液滴生成器的數(shù)目的增加導(dǎo) 致了打印頭芯片上所需的輸入襯墊的數(shù)目相應(yīng)增加，以便為增加數(shù)目的 發(fā)射電阻器供能。在一種類型的打印頭中，每個(gè)發(fā)射電阻器耦接到相應(yīng) 的輸入襯墊以供電為發(fā)射電阻器提供能量。當(dāng)發(fā)射電阻器的數(shù)量增加 時(shí)，每一個(gè)發(fā)射電阻器有一個(gè)輸入襯墊就變得不切實(shí)際。
在具有基元(primitive)的另一種類型的打印頭中，每個(gè)輸入襯 墊的液滴生成器的數(shù)目顯著增加。單個(gè)輸電線為一個(gè)基元中所有的發(fā)射 電阻器供電。每個(gè)發(fā)射電阻器與輸電線和相應(yīng)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET) 的漏-源路徑串聯(lián)耦接?；械拿總€(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極與多個(gè)基元 共享的可單獨(dú)供能的地址引線耦接。
制造商通過減少輸入襯墊的數(shù)目和/或增加打印頭芯片上的液滴生 成器的數(shù)目來持續(xù)增加每個(gè)輸入襯墊的液滴生成器的數(shù)目。帶有更少輸 入襯墊的打印頭一般比有較多輸入襯墊的打印頭的成本低。另外，帶有 更多液滴生成器的打印頭一般以更高的質(zhì)量和/或更快的打印速度打印。
因?yàn)檫@些和其它的原因，有對(duì)本發(fā)明的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面提供了一種液體噴射裝置，包括第一發(fā)射線、第 二發(fā)射線、數(shù)據(jù)線、鎖存電路、第一液滴生成器和第二液滴生成器。第 一發(fā)射線適于傳導(dǎo)包括第一能量脈沖的第一能量信號(hào)，第二發(fā)射線適于 傳導(dǎo)包括第二能量脈沖的第二能量信號(hào)。數(shù)據(jù)線適于傳導(dǎo)表示圖像的數(shù) 據(jù)信號(hào)，鎖存電路配置為基于至少一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)以便提供 鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào)。第一液滴生成器配置為響應(yīng)笫一能量信號(hào)來基于鎖存 的數(shù)據(jù)信號(hào)噴射液體，第二液滴生成器配置為響應(yīng)第二能量信號(hào)來基于 鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào)噴射液體。


參考下面的附圖以更好地理解本發(fā)明的實(shí)施例。圖中的組成部分不 一定相互之間成比例。相同的附圖標(biāo)記指相應(yīng)的類似部件。 圖1示出了噴墨印刷系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例。
圖2是說明打印頭芯片的一個(gè)實(shí)施例的一部分的圖。
圖3是說明在打印頭芯片的一個(gè)實(shí)施例中的沿供墨槽而設(shè)的液滴生
成器的布局的圖。
圖4是說明在打印頭芯片的一個(gè)實(shí)施例中采用的發(fā)射單元的一個(gè)實(shí)
施例的圖。
圖5是說明噴墨打印頭發(fā)射單元陣列的 一 個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖6是說明預(yù)充電發(fā)射單元的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖7是說明噴墨打印頭發(fā)射單元陣列的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖8是說明發(fā)射單元陣列的一個(gè)實(shí)施例的操作的時(shí)序圖。
圖9是說明配置為鎖存數(shù)據(jù)的預(yù)充電發(fā)射單元的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖10是說明兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路的 一 個(gè)實(shí)施例的示意圖。 圖11是說明兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路的一個(gè)實(shí)施例的操作的時(shí) 序圖。
圖12是說明預(yù)充電發(fā)射單元的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖13是說明采用圖12的預(yù)充電發(fā)射單元的兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元
5電路的 一 個(gè)實(shí)施例的操作的時(shí)序圖。
圖14是說明雙通過晶體管預(yù)充電發(fā)射單元的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。 圖15是說明采用圖12的預(yù)充電發(fā)射單元和圖14的雙通過晶體管
預(yù)充電發(fā)射單元的兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路的一個(gè)實(shí)施例的操作的
時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式
在下面的詳細(xì)說明中，對(duì)附圖做了引述，附圖構(gòu)成說明書的一部分， 在說明書中以說明發(fā)明可實(shí)施的具體實(shí)施例的方式進(jìn)行說明。在這方 面，方向性的術(shù)語，例如"頂部"、"底部"、"前面"、"后面"、 "領(lǐng)先的"、"尾隨的"等，是參考被說明的圖的方向來使用的。因?yàn)?本發(fā)明的實(shí)施例的部件可置于多個(gè)不同的方向上，所以，定向性的術(shù)語 是用于說明性的而不是限制性的?？梢岳斫?，可以實(shí)施其它的實(shí)施例、 也可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)或邏輯的改變而不脫離本發(fā)明的范圍。因此，下面的詳 細(xì)說明不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是限制性的，本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要來定義。
圖1示出了噴墨打印系統(tǒng)20的一個(gè)實(shí)施例。噴墨打印系統(tǒng)20構(gòu)成 了液體噴射系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例，該液體噴射系統(tǒng)包括諸如噴墨打印頭組 件22的液體噴射裝置，和諸如墨供應(yīng)組件24的液體供應(yīng)組件。噴墨打 印系統(tǒng)20還包括安裝組件26、介質(zhì)傳輸組件28和電子控制器30。至 少一個(gè)電源32為噴墨打印系統(tǒng)20的各個(gè)電部件提供電源。
在一個(gè)實(shí)施例中，噴墨打印頭組件22包括至少一個(gè)打印頭或打印 頭芯片40,該打印頭或打印頭芯片40通過多個(gè)孔口或噴嘴34向打印介 質(zhì)36噴射墨滴，以便在打印介質(zhì)36上打印。打印頭40是液體噴射裝 置的一個(gè)實(shí)施例。打印介質(zhì)36可以是任何類型的合適的頁片材料，例 如紙、制卡片的紙料、透明片、聚酯薄膜、織物等。 一般來說，噴嘴34 是以一個(gè)或多個(gè)列或陣列等排列，使得，當(dāng)打印頭組件22和打印介質(zhì) 36相對(duì)于彼此移動(dòng)時(shí)，適當(dāng)排序的從噴嘴34的墨噴射使字符、符號(hào)和/ 或其它圖形或圖像在打印介質(zhì)36上打印。雖然下面的說明是指從打印 頭組件22噴射墨，但應(yīng)理解，可以從打印頭組件22噴射包括透明液體 的其它液體、液體或可流動(dòng)材泮+。
作為液體供應(yīng)組件的一個(gè)實(shí)施例的墨供應(yīng)組件24為打印頭組件22 提供墨，并包括儲(chǔ)存墨的儲(chǔ)墨器38。這樣，墨從儲(chǔ)墨器38流到噴墨打 印頭組件22。墨供應(yīng)組件24和噴墨打印頭組件22可以形成單向墨傳送系統(tǒng)或循環(huán)墨傳送系統(tǒng)。在單向墨傳送系統(tǒng)中，幾乎所有供給噴墨打印
頭組件22的墨在打印期間消耗掉。在循環(huán)墨傳送系統(tǒng)中，供給打印頭 組件22的墨只有一部分在打印期間消耗掉。因此，打印期間未消耗的 墨返回墨供應(yīng)組件24。
在一個(gè)實(shí)施例中，噴墨打印頭組件22和墨供應(yīng)組件24 —并置于墨 盒或筆中。該墨盒或筆是液體噴射裝置的一個(gè)實(shí)施例。在另一實(shí)施例中， 墨供應(yīng)組件24與噴墨打印頭組件22是分開的，并通過諸如供應(yīng)管(未 示出)的接口連接為噴墨打印頭組件22供墨。在任一實(shí)施例中，墨供 應(yīng)組件24的儲(chǔ)墨器38可以被去除、被替換、和/或被再裝填。在一個(gè) 實(shí)施例中，噴墨打印頭組件22和墨供應(yīng)組件24—并置于墨盒中，儲(chǔ)墨 器38包括位于墨盒中的本地儲(chǔ)墨器，可能還包括位置與墨盒分開的較 大的儲(chǔ)墨器。這樣，分開的、更大的儲(chǔ)墨器可以填充本地儲(chǔ)墨器。相應(yīng) 地，分開的、更大的儲(chǔ)墨器和/或本地儲(chǔ)墨器可以被去除、被替換、和/ 或被再裝填。
安裝組件26相對(duì)于介質(zhì)傳輸組件28定位噴墨打印頭組件22,介質(zhì) 傳輸組件28相對(duì)于噴墨打印頭組件22定位打印介質(zhì)36。因此，在噴墨 打印頭組件22和打印介質(zhì)36之間的區(qū)域中鄰近噴嘴34限定了打印區(qū) 37。在一個(gè)實(shí)施例中，噴墨打印頭組件22是掃描型打印頭組件。這樣， 安裝組件26包括用于相對(duì)于介質(zhì)傳輸組件28移動(dòng)噴墨打印頭組件22 以掃描打印介質(zhì)36的托架(未示出)。在另一實(shí)施例中，噴墨打印頭 組件22是非掃描型打印頭組件。這樣，安裝組件26將噴墨打印頭組件 22固定在相對(duì)于介質(zhì)傳輸組件28預(yù)定義的位置。因此，介質(zhì)傳輸組件 28相對(duì)于噴墨打印頭組件22定位打印介質(zhì)36。
電子控制器或打印機(jī)控制器30通常包括處理器、固件、其它電子 產(chǎn)品或其任意的組合，以與噴墨打印頭組件22、安裝組件26和介質(zhì)傳 輸組件28聯(lián)系并控制它們。電子控制器30接收從諸如計(jì)算機(jī)的主機(jī)系 統(tǒng)來的數(shù)據(jù)39,并通常包括內(nèi)存來暫時(shí)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)39。 一般地，數(shù)據(jù)39 沿電子、紅外線、光、或其它信息傳輸路徑傳送給噴墨打印系統(tǒng)20。數(shù) 據(jù)39表示例如要打印的文獻(xiàn)和/或文件。這樣，數(shù)據(jù)39形成噴墨打印 系統(tǒng)20的打印作業(yè)，并包括一個(gè)或多個(gè)打印作業(yè)命令和/或命令參數(shù)。
在一個(gè)實(shí)施例中，電子控制器30控制噴墨打印頭組件22從噴嘴34 噴射墨滴。這樣，電子控制器30定義了形成字符、符號(hào)和/或其它在打 印介質(zhì)36上的圖形或圖像的噴射墨滴的圖樣。噴射的墨滴的圖樣取決于打印作業(yè)命令和/或命令參數(shù)。
在一個(gè)實(shí)施例中，噴墨打印頭組件22包括一個(gè)打印頭40。在另一 實(shí)施例中，噴墨打印頭組件22是寬陣列或多打印頭的打印頭組件。在 一個(gè)寬陣列實(shí)施例中，噴墨打印頭組件22包括承載器，該承載器承載 打印頭芯片40,提供打印頭芯片40和電子控制器30之間的電聯(lián)系，并 提供打印頭芯片40和墨供應(yīng)組件24之間的液體聯(lián)系。
圖2是說明打印頭芯片40的一個(gè)實(shí)施例的一部分的圖。打印頭芯 片40包括打印或液體噴射元件42的陣列。打印元件42在基片44上形 成，在該基片中形成有供墨槽46。這樣，供墨槽46為打印元件42提供 液墨供應(yīng)。供墨槽46是液體供應(yīng)源的一個(gè)實(shí)施例。液體供應(yīng)源的其它 實(shí)施例包括但不限于為各相應(yīng)的蒸發(fā)室供應(yīng)的各相應(yīng)的單獨(dú)的供墨孔 和多個(gè)較短的供墨溝，每一個(gè)供墨溝為對(duì)應(yīng)的液體噴射元件的組供應(yīng)。 薄膜結(jié)構(gòu)48有在其中形成的供墨通道54,該供墨通道54與在基片44 中形成的供墨槽46連通?？卓趯?0有正面50a和在正面50a上形成的 噴嘴口 34?？卓趯?0也有在其中形成的噴嘴室或蒸發(fā)室56,它與噴嘴 口 34和薄膜結(jié)構(gòu)48的供墨通道54連通。發(fā)射電阻器52置于蒸發(fā)室56 中，引線58將發(fā)射電阻器52與控制施加電流通過選定的發(fā)射電阻器的 電路電耦接。這里提及的液滴生成器60包括發(fā)射電阻器52、噴嘴室或 蒸發(fā)室56和噴嘴口 34。
在打印過程中，墨從供墨槽46通過供墨通道54流至蒸發(fā)室56。噴 嘴口 34與發(fā)射電阻器52操作上關(guān)聯(lián)，使得一旦給發(fā)射電阻器52供能， 在蒸發(fā)室56中的墨滴就通過噴嘴口 34 (例如，基本上垂直于發(fā)射電阻 器52的平面)向打印介質(zhì)36噴射。
打印頭芯片40的實(shí)施樣例包括熱打印頭、壓電打印頭、靜電打印 頭或任何本領(lǐng)域已知的能夠集成到多層結(jié)構(gòu)中的其它類型的液體噴射 裝置?；?4例如由硅、玻璃、陶瓷或穩(wěn)定的聚合物形成，薄膜結(jié)構(gòu) 48形成為包括一個(gè)或多個(gè)二氧化硅、碳化硅、氮化硅、鉭、多晶硅玻璃 或其它適合的材料的鈍化或絕緣層。薄膜結(jié)構(gòu)48也包括定義發(fā)射電阻 器52和引線58的至少一個(gè)導(dǎo)電層。導(dǎo)電層制造為例如包括鋁、金、鉭、 鉭-鋁或其它金屬或金屬合金。在一個(gè)實(shí)施例中，如下面詳細(xì)說明的那 樣，發(fā)射單元電路是在諸如基片44和薄膜結(jié)構(gòu)48的基片和薄膜層中實(shí) 施。
在一個(gè)實(shí)施例中，孔口層50包括感光環(huán)氧樹脂，例如，麻省牛頓市(Newton, MA)的微化(Micro-Chem )公司銷售的稱為SU8的環(huán)氧樹 脂。用SU8或其它聚合物制備孔口層50的典范技術(shù)在美國(guó)專利號(hào) 6162589中有詳盡的說明，這里將其作為引用引入。在一個(gè)實(shí)施例中， 孔口層50由兩個(gè)稱為阻隔層(例如干膜光阻阻隔層)的獨(dú)立的層和在 阻隔層上形成的一個(gè)金屬孔口層(例如鎳、銅、鐵/鎳合金、4巴、金或 銠層)構(gòu)成。然而，可以采用其它適當(dāng)?shù)牟牧蟻硇纬煽卓趯?0。
圖3是說明在打印頭芯片40的一個(gè)實(shí)施例中沿供墨槽46而設(shè)的液 滴生成器60的圖。供墨槽46包括相對(duì)的供墨槽的邊46a和46b。液滴 生成器60沿每一個(gè)相對(duì)的供墨槽的邊46a和46b設(shè)置?？偣瞡個(gè)液滴 生成器60沿供墨槽46而設(shè)，有m個(gè)液滴生成器60位于供墨槽的邊46a 上，有n-m個(gè)液滴生成器60位于供墨槽的邊46b上。在一個(gè)實(shí)施例中， n等于沿供墨槽46而設(shè)的200個(gè)液滴生成器60， m等于沿每一個(gè)相對(duì)的 供墨槽的邊46a和46b而設(shè)的100個(gè)液滴生成器60。在其它的實(shí)施例中， 能夠沿供墨槽46設(shè)置任何適當(dāng)數(shù)目的液滴生成器60。
供墨槽46為沿供墨槽46設(shè)置的n個(gè)液滴生成器60中的每一個(gè)提 供墨。n個(gè)液滴生成器60中的每一個(gè)都包括發(fā)射電阻器52 、蒸發(fā)室56 和噴嘴34。 n個(gè)蒸發(fā)室56中的每一個(gè)通過至少一個(gè)供墨通道54與供墨 槽46液體地耦接。液滴生成器60中的發(fā)射電阻器52以受控制的順序 供能，以從蒸發(fā)室56噴射液體通過噴嘴34,在打印介質(zhì)36上打印圖 像。
圖4是說明在打印頭芯片40的一個(gè)實(shí)施例中采用的發(fā)射單元70的 一個(gè)實(shí)施例的圖。發(fā)射單元70包括發(fā)射電阻器52、電阻器驅(qū)動(dòng)開關(guān)72 和存儲(chǔ)電路74。發(fā)射電阻器52是液滴生成器60的一部分。驅(qū)動(dòng)開關(guān) 72和存儲(chǔ)電路74是控制電流施加通過發(fā)射電阻器52的電路的一部分。 在薄膜結(jié)構(gòu)48中和基片44上形成發(fā)射單元70。
在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)射電阻器52是薄膜電阻器，驅(qū)動(dòng)開關(guān)72是場(chǎng) 效應(yīng)晶體管(FET)。發(fā)射電阻器52與發(fā)射線76和驅(qū)動(dòng)開關(guān)72的漏-源路徑電耦接。驅(qū)動(dòng)開關(guān)72的漏-源路徑也與參考線78電耦接，該參 考線78與諸如地的參考電壓耦接。驅(qū)動(dòng)開關(guān)72的柵極與控制驅(qū)動(dòng)開關(guān) 72的狀態(tài)的存儲(chǔ)電路74電耦接。
存儲(chǔ)電路74與數(shù)據(jù)線(DATA) 80和使能線(ENABLE) 82電耦接。 數(shù)據(jù)線80接收表示圖像的一部分的數(shù)據(jù)信號(hào)，使能線82接收使能信號(hào)， 以控制存儲(chǔ)電路74的操作。存儲(chǔ)電路74被使能信號(hào)使能時(shí)，存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位的邏輯電平設(shè)置驅(qū)動(dòng)開關(guān)72的狀態(tài)(例如，關(guān)或 閉，導(dǎo)通或不導(dǎo)通)。使能信號(hào)可以包括一個(gè)或多個(gè)選擇信號(hào)和一個(gè)或 多個(gè)地址信號(hào)。
發(fā)射線(FIRE) 76接收包括能量脈沖的能量信號(hào)，并為發(fā)射電阻器 52提供能量脈沖。在一個(gè)實(shí)施例中，能量脈沖由電子控制器30提供， 具有定時(shí)的起始時(shí)間和定時(shí)的持續(xù)期間，產(chǎn)生了定時(shí)的結(jié)束時(shí)間，來提 供適量的能量來加熱和蒸發(fā)液滴生成器60的蒸發(fā)室56中的液體。如果 驅(qū)動(dòng)開關(guān)72是導(dǎo)通(傳導(dǎo))，能量脈沖就加熱發(fā)射電阻器52,加熱并 從液滴生成器60噴射液體。如果驅(qū)動(dòng)開關(guān)72斷開(不傳導(dǎo))，能量脈 沖就不加熱發(fā)射電阻器52,液體保持在液滴生成器60中。
圖5是說明噴墨打印頭發(fā)射單元陣列100的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。 發(fā)射單元陣列100包括排列為n個(gè)發(fā)射組102a-102n的多個(gè)發(fā)射單元 70。在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)射單元70排列為6個(gè)發(fā)射組102a-102n。在其 它的實(shí)施例中，發(fā)射單元70可排列為任何合適數(shù)目的發(fā)射組 102a-102n，例如4個(gè)或更多個(gè)發(fā)射組102a-102n。
陣列100中的發(fā)射單元70示意性地排列成L行ra列。發(fā)射單元70 的L行與接收使能信號(hào)的使能線路(ENABLE) 104電耦接。發(fā)射單元70 的每一行(這里稱為發(fā)射單元70的行子組或子組)與一組子組使能線 106a-106L電耦接。子組使能線106a-106L接收使能發(fā)射單元70的相應(yīng) 子組的子組使能信號(hào)SG1、 SG2、 ...SGL。
m列分別與接收數(shù)據(jù)信號(hào)Dl、 D2. . . Dm的m個(gè)數(shù)據(jù)線108a-108m電 耦接。m列中的每一個(gè)包括n個(gè)發(fā)射組102a-102n中的每一個(gè)中的發(fā)射 單元70,發(fā)射單元70的每一列(這里稱為數(shù)據(jù)線組或數(shù)據(jù)組)電耦接 到數(shù)據(jù)線108a-108m中的一個(gè)。換句話說，數(shù)據(jù)線108a-l08m中的每一 個(gè)與一列中的每一個(gè)發(fā)射單元70電耦接，該列包括在發(fā)射組102a-102n 的每一個(gè)中的發(fā)射單元70。例如，數(shù)據(jù)線108a與最左方的列中的發(fā)射 單元70的每一個(gè)電耦接，該列包括在發(fā)射組102a-102n的每一個(gè)中的 發(fā)射單元70。數(shù)據(jù)線108b與相鄰的列中的發(fā)射單元70的每一個(gè)電耦接， 如此類推，直到并包括數(shù)據(jù)線108m,該數(shù)據(jù)線108m與最右方的列中的 發(fā)射單元70的每一個(gè)電耦接，該列包括在發(fā)射組102a-102n的每一個(gè) 中的發(fā)射單元70。
在一個(gè)實(shí)施例中，陣列100浮皮布置成六個(gè)發(fā)射組102a-102n,六個(gè) 發(fā)射組102a-102n的每一個(gè)包括13個(gè)子組和8個(gè)數(shù)據(jù)線組。在其它的實(shí)施例中，陣列100可安排成任何合適數(shù)目的發(fā)射組102a-102n和任何 合適數(shù)目的子組和數(shù)據(jù)線組。在任一實(shí)施例中，發(fā)射組102a-102n不限 于有相同數(shù)目的子組和數(shù)據(jù)線組。相反，發(fā)射組102a-102n的每一個(gè)與 任何其它發(fā)射組102a-102n相比，可以有不同數(shù)目的子組和/或數(shù)據(jù)線 組。此外，每個(gè)子組與任何其它子組相比，可以有不同數(shù)目的發(fā)射單元 70,每個(gè)數(shù)據(jù)線組與任何其它數(shù)據(jù)線組相比，可以有不同數(shù)目的發(fā)射單 元70。
在每一個(gè)發(fā)射組102a-102n中的發(fā)射單元70與發(fā)射線110a-110n 中的一個(gè)電耦接。在發(fā)射組102a中，每一個(gè)發(fā)射單元70與接收發(fā)射信 號(hào)或能量信號(hào)FIRE1的發(fā)射線110a電耦接。在發(fā)射組102b中，每一個(gè) 發(fā)射單元70與接收發(fā)射信號(hào)或能量信號(hào)FIRE2的發(fā)射線110b電耦接， 如此類推，直到并包括發(fā)射組102n，其中每一個(gè)發(fā)射單元70與接收發(fā) 射信號(hào)或能量信號(hào)FIREn的發(fā)射線11 On電耦接。此外，發(fā)射組102a-l 02n 的每一個(gè)中的發(fā)射單元70的每一個(gè)與連到地的公共參考線112電耦接。
在操作中，在子組使能線106a-106L上提供子組使能信號(hào)SGl、 SG2、 ... SGL來使能發(fā)射單元70的一個(gè)子組。被使能的發(fā)射單元70存 儲(chǔ)在數(shù)據(jù)線108a-108m上提供的數(shù)據(jù)信號(hào)Dl、 D2. . . Dm。數(shù)據(jù)信號(hào)Dl、 02...Dm存儲(chǔ)在被使能的發(fā)射單元70的存儲(chǔ)電路74中。存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信 號(hào)Dl、 D2...Dm的每一個(gè)設(shè)定了在被使能的發(fā)射單元70中的一個(gè)之中 的驅(qū)動(dòng)開關(guān)72的狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)開關(guān)72基于存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信號(hào)值而設(shè)定為導(dǎo) 通或不導(dǎo)通。
在選定的驅(qū)動(dòng)開關(guān)72的狀態(tài)祐:設(shè)定后，在與包括選定的發(fā)射單元 70的子組的發(fā)射組102a-102n對(duì)應(yīng)的發(fā)射線11 Oa-11 On上提供能量信號(hào) FIRE1到FIREn。該能量信號(hào)FIRE1到FIREn包括能量脈沖。在選定的 發(fā)射線110a-110n上提供能量脈沖，為具有導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)開關(guān)72的發(fā)射單 元70中的發(fā)射電阻器52供能。被供能的發(fā)射電阻器52加熱并在打印 介質(zhì)36上噴射墨，來打印數(shù)據(jù)信號(hào)Dl、 D2...Dm所表示的圖像。在打 印結(jié)束之前，使能發(fā)射單元70的子組、在纟皮使能的子組中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信 號(hào)D1、 D2.,.Dm、以及提供能量信號(hào)FIRE1到FIREn來為被使能的子組 中的發(fā)射電阻器52供能的過程持續(xù)進(jìn)行。
在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)能量信號(hào)FIRE1到FIREn提供給選定的發(fā)射組 102a-102n時(shí)，子組4吏能信號(hào)SG1、 SG2、 ... SGL改變以選擇和^f吏能不 同發(fā)射組102a-102n中的另一個(gè)子組。新使能的子組存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)線108a-108m上提供的數(shù)據(jù)信號(hào)D1、D2... Dm，并且能量信號(hào)FIRE1到FIREn 在發(fā)射線110a-110n中的一個(gè)上提供，為新使能的發(fā)射單元70中的發(fā) 射電阻器52供能。在任何一個(gè)時(shí)候，只有發(fā)射單元70的一個(gè)子組被子 組使能信號(hào)SG1、 SG2、 ... SGL使能來存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)線108a-108m上提供 的數(shù)據(jù)信號(hào)D1、 D2...Dm。在這方面，在數(shù)據(jù)線108a-108m上的數(shù)據(jù)信 號(hào)Dl、 D2. . . Dra是時(shí)分復(fù)用數(shù)據(jù)信號(hào)。另外，當(dāng)能量信號(hào)FIRE1到FIREn 提供給選定的發(fā)射組102a-102n時(shí)，在選定的發(fā)射組102a-102n中只有 一個(gè)子組包括設(shè)置為導(dǎo)通的驅(qū)動(dòng)開關(guān)72。然而，提供給不同發(fā)射組 102a-102n的能量信號(hào)FIREl到FIREn可以并且的確是重疊的。
圖6是說明預(yù)充電發(fā)射單元120的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。預(yù)充電發(fā) 射單元120包括電耦接到發(fā)射電阻器52的驅(qū)動(dòng)開關(guān)172。在一個(gè)實(shí)施例 中，驅(qū)動(dòng)開關(guān)172是包括漏-源路徑的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，漏-源路徑一端與 發(fā)射電阻器52的一末端電耦接，另一端與參考線122電耦接。參考線 122是與諸如地的參考電壓連在一起。發(fā)射電阻器52的另一末端與接收 包括能量脈沖的發(fā)射信號(hào)或能量信號(hào)FIRE的發(fā)射線124電耦接。如果 驅(qū)動(dòng)開關(guān)172接通(導(dǎo)通)，能量脈沖就為發(fā)射電阻器52供能。
驅(qū)動(dòng)開關(guān)172的柵極形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126,該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126 作為存儲(chǔ)器元件來起作用，按照預(yù)充電晶體管128和選擇晶體管130的 順序激活而存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126以虛線示出，因?yàn)樗球?qū)動(dòng)開 關(guān)172的一部分?？商鎿Q地，可以將與驅(qū)動(dòng)開關(guān)172分離的電容器作為 存儲(chǔ)元件使用。
預(yù)充電晶體管128的漏-源路徑和柵極電耦接到接收預(yù)充電信號(hào)的 預(yù)充電線(PRECHARGE) 132。驅(qū)動(dòng)開關(guān)172的柵極與預(yù)充電晶體管128 的漏-源路徑和選擇晶體管130的漏-源路徑電耦接。選擇晶體管130的 柵極與接收選擇信號(hào)的選擇線(SELECT) 134電耦接。預(yù)充電信號(hào)是一 種脈沖式充電控制信號(hào)。另一種類型的脈沖式充電控制信號(hào)是一種在放 電的發(fā)射單元的實(shí)施例中采用的放電信號(hào)。
數(shù)據(jù)晶體管136、第一地址晶體管138和第二地址晶體管140包括 并行電耦接的漏-源路徑。數(shù)據(jù)晶體管136、第一地址晶體管138和第二 地址晶體管140的并行組合在選擇晶體管130的漏-源路徑和參考線122 之間電耦接。包括與數(shù)據(jù)晶體管136、第一地址晶體管138和第二地址 晶體管140的并行結(jié)合耦接的選擇晶體管130的串行電路跨驅(qū)動(dòng)開關(guān) 172的節(jié)點(diǎn)電容126電耦接。數(shù)據(jù)晶體管136的柵極與接收數(shù)據(jù)信號(hào)~DATA的數(shù)據(jù)線142電耦接。第一地址晶體管138的柵極與接收地址信 號(hào)~ ADDRESS1的第一地址線144電耦接，第二地址晶體管"0的柵極與 接收地址信號(hào)~ ADDRESS2的第二地址線146電耦接。數(shù)據(jù)信號(hào)~ DATA 和地址信號(hào)~ ADDRESS1、 ~ ADDRESS2在低(在信號(hào)名稱的開始處標(biāo)示有 波形符~ )時(shí)是激活的。節(jié)點(diǎn)電容126、預(yù)充電晶體管128、選擇晶體 管130、數(shù)據(jù)晶體管136和地址晶體管138、 140組成存儲(chǔ)單元。
在操作中，節(jié)點(diǎn)電容126是通過在預(yù)充電線132上提供高幅度的電 壓脈沖而通過預(yù)充電晶體管128預(yù)充電的。在一個(gè)實(shí)施例中，在預(yù)充電 線132上的高幅度的電壓脈沖后，在數(shù)據(jù)線14、2上提供數(shù)據(jù)信號(hào) DATA 以設(shè)置數(shù)據(jù)晶體管136的狀態(tài)，在地址線144 ^口 146上提供地址信號(hào)~ ADDRESS1、 ~ADDRESS2以設(shè)置第一地址晶體管138和第二地址晶體管 140的狀態(tài)。在選擇線134上提供高幅度電壓脈沖以打開選擇晶體管 130,如果數(shù)據(jù)晶體管136、笫一地址晶體管138和/或第二地址晶體管 140導(dǎo)通，節(jié)點(diǎn)電容126就放電?？商娲?，如果數(shù)據(jù)晶體管136、第 一地址晶體管138和第二地址晶體管140都斷開，節(jié)點(diǎn)電容126就維持 充電。
如果兩個(gè)地址信號(hào)~ ADDRESS1、 ~ ADDRESS2都^氐，預(yù)充電發(fā)射單元 120就是被尋址的發(fā)射單元；如果數(shù)據(jù)信號(hào)-DATA是高，節(jié)點(diǎn)電容126 就放電，如果數(shù)據(jù)信號(hào) DATA為低，節(jié)點(diǎn)電容126就保持充電。如果地 址信號(hào) ADDRESS1和 ADDRESS2中的至少一個(gè)為高，預(yù)充電發(fā)射單元 120就不是被尋址的發(fā)射單元；不管數(shù)據(jù)信號(hào) DATA電壓幅度如何，節(jié) 點(diǎn)電容126都放電。第一地址晶體管136和第二地址晶體管138構(gòu)成地 址解碼器，如果預(yù)充電發(fā)射單元120被尋址，數(shù)據(jù)晶體管136就控制在 節(jié)點(diǎn)電容126上的電壓幅度。
圖7是說明噴墨打印頭發(fā)射單元陣列200的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。 發(fā)射單元陣列200包括安排成6個(gè)發(fā)射組202a-202f的多個(gè)預(yù)充電發(fā)射 單元120。每一個(gè)發(fā)射組202a-202f中的預(yù)充電發(fā)射單元120示意性安 排成13行、8列。陣列200中的發(fā)射組202a-202f和預(yù)充電發(fā)射單元 120示意性安排為78行、8列。
八列預(yù)充電發(fā)射單元120分別與接收數(shù)據(jù)信號(hào)~D1、 ~D2... ~D8的 8條數(shù)據(jù)線208a-208h電耦接。8列(這里稱為數(shù)據(jù)線組或數(shù)據(jù)組)中 的每一個(gè)包括在六個(gè)發(fā)射組202a-202f中的每一個(gè)之中的預(yù)充電發(fā)射單 元120。每一列預(yù)充電發(fā)射單元120中的發(fā)射單元120中的每一個(gè)與數(shù)據(jù)線208a-208h中的一個(gè)電耦接。數(shù)據(jù)線組中的所有預(yù)充電發(fā)射單元 120與同一數(shù)據(jù)線208a-208h電耦接，該同一數(shù)據(jù)線208a-208h與該列 中的預(yù)充電發(fā)射單元120的數(shù)據(jù)晶體管136的柵極電耦接。在一個(gè)實(shí)施 例中，數(shù)據(jù)信號(hào) D1、 ~D2、 ... ~D8的每一個(gè)表示圖像的一部分。還 有，在一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線208a-208h中的每一個(gè)通過相應(yīng)的接口數(shù) 據(jù)襯墊與外部控制電路電耦接。
數(shù)據(jù)線208a與在最左列的預(yù)充電發(fā)射單元120中的每一個(gè)電耦接， 包括在每一個(gè)發(fā)射組202a-202f中的預(yù)充電發(fā)射單元。數(shù)據(jù)線208b與 相鄰列的預(yù)充電發(fā)射單元120中的每一個(gè)電耦接，如此類推，直到和包 括數(shù)據(jù)線208h,該數(shù)據(jù)線208h與在最右列的預(yù)充電發(fā)射單元120中的 每一個(gè)電耦接，包括在每一個(gè)發(fā)射組202a-202f中的預(yù)充電發(fā)射單元 120。
78行的預(yù)充電發(fā)射單元120分別與接收地址信號(hào)~ Al、 ~ A2、 ... ~A7的地址線206a-206g電耦接。 一行的預(yù)充電發(fā)射單元120 (這里稱為行子組或預(yù)充電發(fā)射單元120的子組)中的每一個(gè)預(yù)充電發(fā) 射單元120與地址線206a-206g中的兩個(gè)電耦接。行子組中的所有預(yù)充 電發(fā)射單元120與相同的兩個(gè)地址線206a-206g電耦接。
發(fā)射組202a-202f的子組;波標(biāo)識(shí)為在發(fā)射組1 ( FG1 ) 202a中的子 組SGI-1到SG1-13、在發(fā)射組2 ( FG2 ) 202b中的子組SG2-1到SG2-13、... 直到并包括在發(fā)射組6 (FG6 ) 202f中的子組SG6-1到SG6-13。在其它 一些實(shí)施例中，每個(gè)發(fā)射組202a-202f可包括任何合適數(shù)目的子組，例 如14個(gè)或更多的子組。
每個(gè)子組的預(yù)充電發(fā)射單元120與兩個(gè)地址線206a-206g電耦接。 對(duì)應(yīng)于一子組的兩個(gè)地址線206a-206g與該子組中所有預(yù)充電發(fā)射單元 120的第一和第二地址晶體管138和140電耦接。一個(gè)地址線206a-206g 與第一和第二地址晶體管138和140中的一個(gè)的柵極電耦接，另一個(gè)地 址線206a-206g與笫一和第二地址晶體管138和140中的另一個(gè)的柵極 電耦接。地址線206a-206g接收地址信號(hào)-Al、 ~A2...~A7,按如下 所示為陣列200的子組提供地址信號(hào)-Al、 ~A2 ... ~A7:行子組地址信號(hào)行子組
~A1, ~A2SGl-l， SG2-1...SG6-1
~A1， ~A3SG1-2, SG2-2...SG6-2
~A1,~ A4SGI-3， SG2-3...SG6-3
~A1, ~A5SG1-4, SG2-4...SG6-4
~ Al,~ A6SGI-5, SG2-5...SG6-5
~A1, ~A7SGI-6, SG2-6...SG6-6
~A2, ~A3SGI-7, SG2-7...SG6-7
~A2, ~A4SGI-8, SG2-8...SG6-8
~A2, ~A5SGI-9， SG2-9…SG6-9
~ A2,~ A6SGl-lO， SG2-10...SG6-10
~A2, ~A7SG卜ll， SG2-11...SG6-11
~A3, ~A4SGI-12, SG2-12...SG6-12
~A3, ~A5SGH3， SG2-13…SG6-13
在其它的實(shí)施例中，以任何合適的地址線206a-206g與子組的耦接 將地址線206a-206g電耦接到陣列200的子組，以提供任何合適的從行 子組地址信號(hào)到行子組的映射。
預(yù)充電發(fā)射單元120的子組通過在地址線206a-206g上提供地址信 號(hào)-Al、 ~A2 ... ~A7來尋址。在一個(gè)實(shí)施例中，地址線206a-206g 與在打印頭芯片40上提供的一個(gè)或多個(gè)地址生成器電耦接。在其它的 實(shí)施例中，地址線206a-206g通過接口襯墊與外部控制電路電耦接。
預(yù)充電線210a-210f接收預(yù)充電信號(hào)PREl、 PRE2 ... PRE6，為相 應(yīng)的發(fā)射組202a-202f提供預(yù)充電信號(hào)PREl、 PRE2 ... PRE6。預(yù)充電 線210a與FG1 202a中的所有預(yù)充電發(fā)射單元120電耦接。預(yù)充電線210b 與FG2 202b中的所有預(yù)充電發(fā)射單元120電耦接，如此繼續(xù)，直至并 包括預(yù)充電線210f,該預(yù)充電線210f與FG6 202f中的所有預(yù)充電發(fā)射 單元12G電耦接。每個(gè)預(yù)充電線210a-210f與在相應(yīng)的發(fā)射組202a-202f 中的所有預(yù)充電晶體管128的柵極和漏-源路徑電耦接， 一個(gè)發(fā)射組 202a-202f的所有預(yù)充電發(fā)射單元120只與一個(gè)預(yù)充電線210a-210f電 耦接。因此，發(fā)射組202a-202f中的所有預(yù)充電發(fā)射單元120的節(jié)點(diǎn)電 容126通過為相應(yīng)的預(yù)充電線210a-210f提供相應(yīng)的預(yù)充電信號(hào)PREl、PRE2 ... PRE6來充電。在一個(gè)實(shí)施例中，預(yù)充電線210a-210f的每一 個(gè)通過相應(yīng)的接口襯墊與外部控制電路電耦接。
選擇線212a-212f接收選擇信號(hào)SEL1、 SEL2 ... SEL6，并為相應(yīng) 的發(fā)射組202a-202f ^是供選擇信號(hào)SEL1、 SEL2 ... SEL6。選擇線212a 與FG1 202a中的所有預(yù)充電發(fā)射單元120電耦接。選擇線212b與FG2 202b中的所有預(yù)充電發(fā)射單元120電耦接，如此類推，直至并包括選 擇線212f,該選擇線212f與FG6 202f中的所有預(yù)充電發(fā)射單元120電 耦接。選擇線212a-212f的每一個(gè)與相應(yīng)的發(fā)射組202a-202f中的所有 選擇晶體管130的柵極電耦接， 一個(gè)發(fā)射組202a-202f的所有預(yù)充電發(fā) 射單元120只與一個(gè)選擇線212a-212f電耦接。在一個(gè)實(shí)施例中，選擇 線212a-212f的每一個(gè)通過相應(yīng)的接口襯墊與外部控制電路電耦接。還 有，在一個(gè)實(shí)施例中， 一些預(yù)充電線210a-21 Of和一些選擇線212a-212f 電耦接在一起共用接口襯墊。
發(fā)射線214a-214f接收發(fā)射信號(hào)或能量信號(hào)FIRE1、 FIRE2 ... FIRE6,并為相應(yīng)的發(fā)射組202a-202f提供能量信號(hào)FIREl、 FIRE2 ... FIRE6。發(fā)射線214a與FG1 202a中的所有預(yù)充電發(fā)射單元120電耦接。 發(fā)射線214b與FG2 202b中的所有預(yù)充電發(fā)射單元120電耦接，如此類 推，直至并包括發(fā)射線214f,該發(fā)射線214f與FG6 202f中的所有預(yù)充 電發(fā)射單元120電耦接。發(fā)射線214a-214f的每一個(gè)與相應(yīng)的發(fā)射組 202a-202f中的所有發(fā)射電阻器52電耦接， 一個(gè)發(fā)射組202a-202f中的 所有預(yù)充電發(fā)射單元120只與一個(gè)發(fā)射線214a-214f電耦接。發(fā)射線 214a-214f通過合適的接口襯墊與外部供應(yīng)電路電耦接。陣列200的所 有預(yù)充電發(fā)射單元120與參考線216電耦接，該參考線216與諸如地的 參考電壓連接。因此，在預(yù)充電發(fā)射單元120的一個(gè)行子組中的預(yù)充電 發(fā)射單元120與相同的地址線206a-206g、預(yù)充電線210a-210f、選擇 線212a-212f和發(fā)射線214a-214f電耦接。
在操作中，在一個(gè)實(shí)施例中，選擇發(fā)射組202a-202f來連續(xù)發(fā)射。 在FG2 202b之前選擇FGl 202a，在FG3之前選擇FG2 202b,依次類推， 直到FG6 202f。在FG6 202f之后，發(fā)射組循環(huán)以FG1 202a重新開始。
地址信號(hào)-Al、 ~A2... ~ A7循環(huán)通過13 4于子組地址，然后再重 復(fù)行子組地址。在通過發(fā)射組202a-202f的每次循環(huán)期間，在地址線 206a-206g上提供的地址信號(hào)~ Al、 ~ A2 . . . -A7設(shè)置到一個(gè)行子組 地址。對(duì)通過發(fā)射組202a-202f的一次循環(huán)，地址信號(hào)-Al、 ~ A2 . . . ~
16A7在每個(gè)發(fā)射組202a-202f中選擇一個(gè)行子組。對(duì)通過發(fā)射組 202a-202f的下一循環(huán)，改變地址信號(hào) A1、 ~ A2 .. . ~ A7以選擇在 每個(gè)發(fā)射組202a-202f中的另一個(gè)行子組。該操作持續(xù)進(jìn)行，直到地址 信號(hào) A1、 ~A2 ... ~ A7選擇發(fā)射組202a-202f中的最后行子組。在 最后行子組之后，地址信號(hào) A1、 ~A2 ... -A7選擇第一行子組再次 開始地址循環(huán)。
在操作的另一方面，通過在一個(gè)發(fā)射組202a-202f的預(yù)充電線 210a-210f上提供預(yù)充電信號(hào)PREl、 PRE2 ... PRE6,操作發(fā)射組 202a-202f中的該一個(gè)。預(yù)充電信號(hào)PREl、 PRE2 ... PRE6定義了預(yù)充 電時(shí)間間隔或期間，在該l殳時(shí)間內(nèi)，在該一個(gè)發(fā)射組202a-202f中的每 一個(gè)驅(qū)動(dòng)開關(guān)172上的節(jié)點(diǎn)電容126被充電到高電壓幅度，以對(duì)該一個(gè) 發(fā)射組202a-202f預(yù)充電。
在地址線206a-206g上提供地址信號(hào) A1、 ~ A2 . ,. ~A7,以便 在每一個(gè)發(fā)射組202a-202f中尋址一個(gè)行子組，包括在預(yù)充電的發(fā)射組 202a-202f中的一個(gè)行子組。在數(shù)據(jù)線208a-208h上提供數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl、 ~D2...~D8,來為所有發(fā)射組202a-202f提供數(shù)據(jù)，包括在預(yù)充 電發(fā)射組202a-202f中尋址的行子組。
接著，在預(yù)充電發(fā)射組202a-202f的選擇線212a-212f上提供選擇 信號(hào)SELl、 SEL2 ... SEL6以選擇預(yù)充電發(fā)射組202a-202f。選擇信號(hào) SELl、 SEL2 ... SEL6定義了對(duì)這樣的預(yù)充電發(fā)射單元120中每一個(gè)驅(qū) 動(dòng)開關(guān)172上的節(jié)點(diǎn)電容126進(jìn)行放電的放電時(shí)間間隔，所述的預(yù)充電 發(fā)射單元120或者不在所選擇的發(fā)射組202a-202f中的被尋址的行子組 中，或者在選擇的發(fā)射組202a-202f中被尋址并且接收高電平的數(shù)據(jù)信 號(hào) DK ~D2... ~D8。在這樣的預(yù)充電發(fā)射單元120中節(jié)點(diǎn)電容126 不放電，所述預(yù)充電發(fā)射單元120在選定的發(fā)射組202a-202f中被尋址 并接收低電平的數(shù)據(jù)信號(hào) D1、 ~D2... ~D8。在節(jié)點(diǎn)電容126上的高 電壓幅度將驅(qū)動(dòng)開關(guān)172開通(導(dǎo)通)。
在選定的發(fā)射組202a-202f中的驅(qū)動(dòng)開關(guān)172祐 沒為導(dǎo)通或不導(dǎo)通 之后，在選定的發(fā)射組202a-202f的發(fā)射線214a-214f上提供能量脈沖 或電壓脈沖。具有導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)開關(guān)172的預(yù)充電發(fā)射單元120傳導(dǎo)電流通 過發(fā)射電阻器52,加熱墨并從相應(yīng)的液滴生成器60中噴墨。
隨著發(fā)射組202a-202f依次操作，將一個(gè)發(fā)射組202a-202f的選擇 信號(hào)SELl、SEL2... SEL6用作下一發(fā)射組202a-202f的預(yù)充電信號(hào)PRE1 、PRE2 . . . PRE6。一個(gè)發(fā)射組202a-202f的預(yù)充電信號(hào)PRE1、PRE2 ... PRE6先于該一個(gè)發(fā)射組202a-202f的選擇信號(hào)SEL1、 SEL2 . . . SEL6和 能量信號(hào)FIRE1、 FIRE2…FIRE6。在預(yù)充電信號(hào)PRE1、 PRE2 ... PRE6 之后，數(shù)據(jù)信號(hào) D1 、 ~D2... D8被時(shí)分復(fù)用，并儲(chǔ)存在由選擇信 號(hào)SEL1、 SEL2 ... SEL6尋址的該一個(gè)發(fā)射組202a-202f的行子組中。 選定的發(fā)射組202a-202f的選擇信號(hào)SEL1、 SEL2 . . . SEL6也是下一個(gè) 發(fā)射組202a-202f的預(yù)充電信號(hào)PRE1、 PRE2 ... PRE6。在選定的發(fā)射 組202a-202f的選擇信號(hào)SEL1、 SEL2 . . . SEL6完成之后，提供下一發(fā) 射組202a-202f的選擇信號(hào)SEL1、 SEL2 ... SEL6。當(dāng)包括能量脈沖的 能量信號(hào)FIRE1、 FIRE2... FIRE6提供給選定的發(fā)射組202a-202f時(shí)， 在選定的子組中的預(yù)充電發(fā)射單元120基于存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信號(hào) D1、 ~ D2… -D8發(fā)射或加熱墨。
圖8是說明發(fā)射單元陣列200的一個(gè)實(shí)施例的操作的時(shí)序圖。在根 據(jù)在300標(biāo)示的數(shù)據(jù)信號(hào) D1、 ~D2... ~D8為預(yù)充電發(fā)射單元120供 能后，選定發(fā)射組202a-202f。如302所示，對(duì)每個(gè)行子組地址和發(fā)射 組202a-202f組合，在300處標(biāo)示的數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl、 ~ D2. . . ~ D8 4艮據(jù) 需要改變。在地址線206a-206g上提供在304處的地址信號(hào)-Al、 ~ A2 ... ~ A7以從發(fā)射組202a-202f中的每一個(gè)中尋址一個(gè)行子組。對(duì) 遍歷發(fā)射組202a-202f的一個(gè)循環(huán)，在304處的地址信號(hào)-Al、 ~ A2... A7;故設(shè)置成一個(gè)在306處標(biāo)示的地址。在循環(huán)完成后，在304 處的地址信號(hào) A1、 ~A2 ... ~A7在308處改變，以便從發(fā)射組 202a-202f中的每一個(gè)中尋址不同的4亍子組。在304處的地址信號(hào)~ Al、 ~ A2 . . . ~ A7遞增遍歷4亍子組，以用連續(xù)的順序/人1到13再回到 1尋址行子組。在其它的實(shí)施例中，可以設(shè)置在304處的地址信號(hào)~ Al、 ~A2 ... ~ A7來以任何合適的順序?qū)ぶ沸凶咏M。
在遍歷發(fā)射組202a-202f的一個(gè)循環(huán)中，與FG6 202f耦接的選擇 線212f和與FGl 202a耦接的預(yù)充電線210a接收包括SEL6/PRE1信號(hào) 脈沖310的SEL6/PRE1信號(hào)309。在一個(gè)實(shí)施例中，選擇線212f和預(yù) 充電線210a電耦接在一起接收相同的信號(hào)。在另一實(shí)施例中，選擇線 212f和預(yù)充電線210a沒有電耦接在一起，但接收類似的信號(hào)。
在預(yù)充電線210a上的在310的SEL6/PRE1信號(hào)脈沖對(duì)FGl 202a中 的所有發(fā)射單元120預(yù)充電。將FGl 202a中的預(yù)充電發(fā)射單元120的 每一個(gè)的節(jié)點(diǎn)電容126充電到高電壓幅度。在一個(gè)行子組SG1-K(在311處標(biāo)示)中的預(yù)充電發(fā)射單元120的節(jié)點(diǎn)電容126在312預(yù)充電到高電 壓幅度。在306的行子組地址選擇子組SG1-K，為包括該地址選取的行 子組SG1-K的所有發(fā)射組202a-202f的所有預(yù)充電發(fā)射單元120中的數(shù) 據(jù)晶體管136提供在314的數(shù)據(jù)信號(hào)集。
FG1 202a的選擇線212a和FG2 202b的預(yù)充電線210b接收包括 SEL1/PRE2信號(hào)脈沖316的SEL1/PRE2信號(hào)315。在選擇線212a上的 SEL1/PRE2信號(hào)脈沖316開通FG1 202a中的每一個(gè)預(yù)充電發(fā)射單元120 中的選擇晶體管130。對(duì)FG1 202a中的不在地址選中的行子組SGI-K的 每個(gè)預(yù)充電發(fā)射單元120,節(jié)點(diǎn)電容126放電。如318所示，在地址選 中的行子組SG1-K中，314處的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在行子組SG1-K中的驅(qū)動(dòng)開 關(guān)172的節(jié)點(diǎn)電容126中，來將驅(qū)動(dòng)開關(guān)開通(導(dǎo)通)或斷開(不導(dǎo)通)。
在預(yù)充電線210b上的在316的SEL1/PRE2信號(hào)脈沖對(duì)FG2 202b中 的所有發(fā)射單元120預(yù)充電。將FG2 202b中的預(yù)充電發(fā)射單元120的 每一個(gè)的節(jié)點(diǎn)電容126充電到高電壓幅度。在一個(gè)行子組SG2-K(在319 標(biāo)示)中的預(yù)充電發(fā)射單元120的節(jié)點(diǎn)電容126在320預(yù)充電到高電壓 幅度。在306的行子組地址選取子組SG2-K,在328的數(shù)據(jù)信號(hào)集提供 給包括地址選取的行子組SG2-K的所有發(fā)射組202a-202f的所有預(yù)充電 發(fā)射單元120中的數(shù)據(jù)晶體管136。
發(fā)射線214a接收包括在322的能量脈沖的能量信號(hào)FIRE1 (在323 標(biāo)示)來為在FG1 202a中有導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)開關(guān)172的預(yù)充電發(fā)射單元120 中的發(fā)射電阻器52供能。當(dāng)SEL1/PRE2信號(hào)脈沖316為高并且在非導(dǎo) 通驅(qū)動(dòng)開關(guān)172上的節(jié)點(diǎn)電容126正^f皮積極拉低的同時(shí)，F(xiàn)IRE1能量脈 沖322變高，這在324的能量信號(hào)FIRE1 323上有標(biāo)示。在節(jié)點(diǎn)電容126 正被積極拉低時(shí)將能量脈沖322切換為高避免了節(jié)點(diǎn)電容126在能量脈 沖322變高時(shí)被無意中通過驅(qū)動(dòng)開關(guān)172充電。SEL1/PRE2信號(hào)315變 低，能量脈沖322提供給FG1 202a預(yù)定時(shí)間以加熱墨并通過對(duì)應(yīng)于導(dǎo) 通的預(yù)充電發(fā)射單元120的噴嘴34噴射墨。
用于FG2 202b的選擇線212b和用于FG3 202c的預(yù)充電線21 Oc接 收包括SEL2/PRE3信號(hào)脈沖326的SEL2/PRE3信號(hào)325。在SEL1/PRE2 信號(hào)脈沖316變低而能量脈沖322為高時(shí)，在選擇線212b上的 SEL2/PRE3信號(hào)脈沖326開通在FG2 202b的每一個(gè)預(yù)充電發(fā)射單元120 的選擇晶體管130。對(duì)FG2 202b中的不在地址選中的行子組SG2-K的所 有預(yù)充電發(fā)射單元120,節(jié)點(diǎn)電容126放電。如330所示，用于子組SG2-K的數(shù)據(jù)信號(hào)集328存儲(chǔ)在子組SG2-K的預(yù)充電發(fā)射單元120中來將驅(qū)動(dòng) 開關(guān)172開通(導(dǎo)通)或斷開(不導(dǎo)通)。在預(yù)充電線210c上的SEL2/PRE3 信號(hào)脈沖預(yù)充電FG3 202c的所有預(yù)充電發(fā)射單元120。
發(fā)射線214b接收包括能量脈沖332的能量信號(hào)FIRE2(在331標(biāo) 示)，為在FG2 202b中的具有導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)開關(guān)172的預(yù)充電發(fā)射單元120 中的發(fā)射電阻器52供電。在334示出，當(dāng)SEL2/PRE3信號(hào)脈沖326為 高時(shí)，F(xiàn)IRE2能量脈沖332升高。SEL2/PRE3信號(hào)脈沖326變低，F(xiàn)IRE2 能量脈沖332保持為高以加熱和從相應(yīng)的液滴生成器60噴射墨。
在SEL2/PRE3信號(hào)脈沖326變低之后而能量脈沖332為高時(shí)，提供 SEL3/PRE4信號(hào)以選擇FG3 202c并預(yù)充電FG4 202d。預(yù)充電、選擇和 提供包括能量脈沖的能量信號(hào)的過程繼續(xù)進(jìn)行，一直到并包括FG6 202f。
在預(yù)充電線210f上的SEL5/PRE6信號(hào)脈沖預(yù)充電FG6 上的所 有發(fā)射單元120。將FG6 202f的預(yù)充電發(fā)射單元的每一個(gè)的節(jié)點(diǎn)電 容126充電到高電壓幅度。將在339所示的一個(gè)行子組SG6-K中的預(yù)充 電發(fā)射單元120的節(jié)點(diǎn)電容126在341預(yù)充電到高電壓幅度。在306的 行子組地址選擇子組SG6-K,將數(shù)據(jù)信號(hào)集338提供給在包括地址選定 的行子組SG6-K的所有發(fā)射組202a-202f的所有預(yù)充電發(fā)射單元120中 的數(shù)據(jù)晶體管136。
用于FG6 202f的選^奪線212f和用于FG1 202a的預(yù)充電線21 Oa在 336接收第二 SEL6/PRE1信號(hào)脈沖。在選擇線上的第二 SEW/PRE1 信號(hào)脈沖336開通在FG6 202f的每個(gè)預(yù)充電發(fā)射單元中的選擇晶 體管130。對(duì)FG6 202f中的不在地址選中的行子組SG6-K中的所有預(yù)充 電發(fā)射單元120,節(jié)點(diǎn)電容126放電。在地址選中的行子組SG"K中， 數(shù)據(jù)338在340存儲(chǔ)在每一個(gè)驅(qū)動(dòng)開關(guān)172的節(jié)點(diǎn)電容126中以開通或 斷開驅(qū)動(dòng)開關(guān)。
在預(yù)充電線210a上的SEL6/PRE1信號(hào)將FG1 202a的所有發(fā)射單元 120 (包括在342標(biāo)示的行子組SGI-K中的發(fā)射單元120)中的節(jié)點(diǎn)電容 126預(yù)充電到高電壓幅度。在地址信號(hào)-Al、 ~A2 ... ~A7 3(M選擇行 子組SG1-K、 SG2-K等等，直到子組SG6-K的同時(shí)，F(xiàn)G1 202a中的發(fā)射 單元120預(yù)充電。
發(fā)射線214f接收包括在344的能量脈沖的在343標(biāo)示的能量信號(hào) FIRE6，來為FG6 202f中具有導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)開關(guān)172的預(yù)充電發(fā)射單元120 的發(fā)射電阻器52供能。當(dāng)SEL6/PRE1信號(hào)脈沖336為高，且非導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)開關(guān)172上的節(jié)點(diǎn)電容126正被積極拉低(在346標(biāo)示)時(shí)，能量脈 沖344變高。在將節(jié)點(diǎn)電容126積極拉低的同時(shí)將能量脈沖3"切換為 高，防止了在能量脈沖344變高時(shí)節(jié)點(diǎn)電容126無意中通過驅(qū)動(dòng)開關(guān)172 充電。SEL6/PRE1信號(hào)脈沖336變低，能量脈沖344保持為高一段預(yù)定 時(shí)間以加熱墨并通過對(duì)應(yīng)于導(dǎo)通的預(yù)充電發(fā)射單元120的噴嘴34噴墨。在SEL6/PRE1信號(hào)脈沖336變低之后而能量脈沖344為高時(shí)，在308 改變地址信號(hào) A1、 ~A2... ~ A7以選擇另一組子組SG1-K+1、 SG2-K+1 等等直到SG6-K+1。用于FG 1 202a的選擇線212a和用于FG2 202b的 預(yù)充電線210b接收SEL1/PRE2信號(hào)脈沖(在348標(biāo)示)。在選擇線212a 上的SEL1/PRE2信號(hào)脈沖348開通在FG1 202a的每個(gè)預(yù)充電發(fā)射單元 120中的選擇晶體管130。對(duì)FG1 202a中的不在地址選中的子組SGI-K+l 中的每個(gè)預(yù)充電發(fā)射單元120，節(jié)點(diǎn)電容126放電。用于行子組SG1-K+1 的數(shù)據(jù)信號(hào)集350存儲(chǔ)在子組SG1-K+l的預(yù)充電發(fā)射單元120中來將驅(qū) 動(dòng)開關(guān)172導(dǎo)通或斷開。在預(yù)充電線210b上的SEL1/PRE2信號(hào)脈沖348 對(duì)FG2 202b中的所有發(fā)射單元120預(yù)充電。發(fā)射線214a接收能量脈沖352為FG1 202a的具有導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)開關(guān)172 的預(yù)充電發(fā)射單元120的發(fā)射電阻器52供能。在348的SEL1/PRE2信 號(hào)脈沖為高時(shí)，能量脈沖352變高。SEL1/PRE2信號(hào)脈沖3"變低，能 量脈沖352維持高以加熱并從相應(yīng)的液滴生成器60噴墨。這一過程將 持續(xù)到打印結(jié)束。圖9是說明配置為鎖存數(shù)據(jù)的預(yù)充電發(fā)射單元15 G的 一 個(gè)實(shí)施例的 示意圖。在一個(gè)實(shí)施例中，預(yù)充電發(fā)射單元150是當(dāng)前發(fā)射組的一部分， 而當(dāng)前發(fā)射組是噴墨打印頭發(fā)射單元陣列的一部分。噴墨打印頭發(fā)射單 元陣列包括多個(gè)發(fā)射組。預(yù)充電發(fā)射單元150與圖6的預(yù)充電發(fā)射單元120相似，包括驅(qū)動(dòng) 開關(guān)172、發(fā)射電阻器52和預(yù)充電發(fā)射單元120的存儲(chǔ)單元。預(yù)充電發(fā) 射單元150的與預(yù)充電發(fā)射單元120的部件一致的部件與預(yù)充電發(fā)射單 元12G的部件的數(shù)字相同，像在圖6的說明中說明的那樣電耦接在一起 以及耦接到信號(hào)線，區(qū)別在于，數(shù)據(jù)晶體管136的柵極與接收鎖存數(shù)據(jù) 信號(hào) LDATAIN的鎖存數(shù)據(jù)線156電耦接，而不是與接收數(shù)據(jù)信號(hào)-DATA的數(shù)據(jù)線142耦接。此外，與預(yù)充電發(fā)射單元120—致的預(yù)充電發(fā) 射單元150的部件像在圖6的說明中說明的那樣起作用和操作。預(yù)充電發(fā)射單元150包括數(shù)據(jù)鎖存晶體管152,該數(shù)據(jù)鎖存晶體管包括在數(shù)據(jù)線154和鎖存數(shù)據(jù)線156之間電耦接的漏-源路徑。數(shù)據(jù)線 154接收數(shù)據(jù)信號(hào)~ DATA,數(shù)據(jù)鎖存晶體管152將數(shù)據(jù)鎖存到預(yù)充電發(fā) 射單元150以提供鎖存數(shù)據(jù)信號(hào) LDATAIN。在信號(hào)名稱的開始處有波 形符(~ )標(biāo)示的數(shù)據(jù)信號(hào) DATAIN和鎖存數(shù)據(jù)信號(hào) LDATAIN在低電 平時(shí)是活性的。數(shù)據(jù)鎖存晶體管152的柵極與接收當(dāng)前發(fā)射組的預(yù)充電 信號(hào)的預(yù)充電線(PRECHARGE) 132電耦接。在另一實(shí)施例中，數(shù)據(jù)鎖存晶體管152的柵極不與當(dāng)前發(fā)射組的預(yù) 充電線132電耦接。相反，數(shù)據(jù)鎖存晶體管152的柵極與例如另一發(fā)射 組的預(yù)充電線的提供脈沖信號(hào)的不同的信號(hào)線電耦接。在一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)鎖存晶體管152是最小尺寸的晶體管，以便 在預(yù)充電信號(hào)從高電壓幅度轉(zhuǎn)換到低電壓幅度時(shí)，使在鎖存數(shù)據(jù)線156 和數(shù)據(jù)鎖存晶體管152的柵到源節(jié)點(diǎn)之間的電荷共享最小化。電荷共享 減少了高電壓幅度的鎖存數(shù)據(jù)。還有，在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)充電信號(hào) 是低電壓幅度并且最小尺寸的晶體管使這個(gè)電容保持為低時(shí)，數(shù)據(jù)鎖存 晶體管152的漏極決定在數(shù)據(jù)線154上看到的電容。數(shù)據(jù)鎖存晶體管152通過高幅度的預(yù)充電信號(hào)，將來自數(shù)據(jù)線154 的數(shù)據(jù)傳至鎖存數(shù)據(jù)線156和鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容158。當(dāng)預(yù)充電信 號(hào)從高幅度向低幅度轉(zhuǎn)換時(shí)，該數(shù)據(jù)鎖存在鎖存數(shù)據(jù)線154和鎖存數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容158上。該鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容158以虛線示出，因?yàn)?它是數(shù)據(jù)晶體管136的一部分。可替換地，可以使用與數(shù)據(jù)晶體管136 分離的電容器來存儲(chǔ)鎖存的數(shù)據(jù)。鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容158足夠大，以致當(dāng)預(yù)充電信號(hào)從高幅度轉(zhuǎn) 換為低幅度時(shí)，它基本上保持在高幅度。還有，鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容 158足夠大，以致在通過發(fā)射信號(hào)FIRE提供能量脈沖并且在選擇信號(hào) SELECT中提供高的電壓脈沖時(shí)，該鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容基本上保持低 幅度。此外，數(shù)據(jù)晶體管136足夠小，使得當(dāng)驅(qū)動(dòng)開關(guān)172的柵極放電 時(shí)，在鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容158上保持低幅度，數(shù)據(jù)晶體管136又足 夠大，使得在發(fā)射信號(hào)FIRE中的能量脈沖的開始之前將驅(qū)動(dòng)開關(guān)172 的才冊(cè)纟及完全放電。在一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)預(yù)充電發(fā)射單元使用相同的數(shù)據(jù)，共享相同 的數(shù)據(jù)鎖存晶體管152和在156的鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)~LDATAIN。在156的 鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)-LDATAIN鎖存一次，被該多個(gè)預(yù)充電發(fā)射單元所使用。 這增加了在任何單個(gè)鎖存數(shù)據(jù)線15 6上的電容，使得它少經(jīng)受切換問題，并降低通過數(shù)據(jù)線154驅(qū)動(dòng)的總電容。在操作中，數(shù)據(jù)線154接收數(shù)據(jù)信號(hào)-DATAIN,通過在預(yù)充電線132 上提供高幅度的電壓脈沖，通過數(shù)據(jù)鎖存晶體管152將該數(shù)據(jù)信號(hào)~ DATAIN傳送到鎖存數(shù)據(jù)線156和鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容158。還有，存 儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126是利用在預(yù)充電線132上的高幅度電壓脈沖、通過預(yù)充 電晶體管128預(yù)充電的。當(dāng)預(yù)充電線132上的電壓脈沖從高電壓幅度轉(zhuǎn) 變到低電壓幅度時(shí)，斷開數(shù)據(jù)鎖存晶體管152來提供鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)~ LDATAIN。當(dāng)預(yù)充電信號(hào)處于高電壓幅度時(shí)提供要鎖存到預(yù)充電發(fā)射單 元150中的數(shù)據(jù)，并保持到預(yù)充電信號(hào)轉(zhuǎn)換為低電壓幅度之后。相反， 在選擇信號(hào)處于高電壓幅度時(shí)，提供要鎖存到圖6的預(yù)充電發(fā)射單元 120中的數(shù)據(jù)。在另一實(shí)施例中，數(shù)據(jù)鎖存晶體管152的柵極不與當(dāng)前發(fā)射組的預(yù) 充電線132電耦接。取而代之的是，數(shù)據(jù)鎖存晶體管152的柵極與另一 發(fā)射組的預(yù)充電線電耦接。數(shù)據(jù)線154接收數(shù)據(jù)信號(hào) MTAIN,并通過 在該另一發(fā)射組的預(yù)充電線上提供高幅度電壓脈沖、通過數(shù)據(jù)鎖存晶體 管152傳送到鎖存數(shù)據(jù)線156和鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容158。在該另一 發(fā)射組的預(yù)充電線上的電壓脈沖從高電壓幅度轉(zhuǎn)變到低電壓幅度時(shí)，數(shù) 據(jù)鎖存晶體管152斷開，.以提供鎖存數(shù)據(jù)信號(hào) LDATAIN。存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電 容126通過預(yù)充電線132上的高幅度電壓脈沖通過預(yù)充電晶體管128預(yù) 充電。在該另一發(fā)射組的預(yù)充電線上的電壓脈沖從高電壓幅度轉(zhuǎn)變到低 電壓幅度之后，在預(yù)充電線132上的高電壓脈沖發(fā)生。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)前發(fā)射組的第 一預(yù)充電發(fā)射單元的諸如數(shù)據(jù)鎖 存晶體管152的數(shù)據(jù)鎖存晶體管的柵極與不同于當(dāng)前發(fā)射組的第 一發(fā)射 組的第一預(yù)充電線電耦接。還有，當(dāng)前發(fā)射組的第二預(yù)充電發(fā)射單元的 諸如數(shù)據(jù)鎖存晶體管152的數(shù)據(jù)鎖存晶體管的柵極與不同于第一發(fā)射組 和當(dāng)前發(fā)射組的第二發(fā)射組的笫二預(yù)充電線電耦接。數(shù)據(jù)線154在第一 和第二發(fā)射組的預(yù)充電信號(hào)是高電壓幅度時(shí)提供數(shù)據(jù)。通過當(dāng)前發(fā)射組 的預(yù)充電信號(hào)和選擇信號(hào)使用鎖存到第一和第二預(yù)充電發(fā)射單元中的 數(shù)據(jù)。在一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線154沒有與噴墨打印頭發(fā)射單元陣列中 的每個(gè)發(fā)射組電耦4妾。在預(yù)充電發(fā)射單元150的一個(gè)實(shí)施例中，在預(yù)充電線132上的高幅 度電壓脈沖之后，在地址線144和146上提供地址信號(hào)~ ADDRESS1和~ ADDRESS2來設(shè)置第一地址晶體管138和第二地址晶體管140的狀態(tài)。在23選擇線(SELECT) 134上提供高電壓幅度脈沖開通選擇晶體管130,如 果數(shù)據(jù)晶體管136、第一地址晶體管138和/或笫二地址晶體管W0開通， 存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就放電?？商鎿Q地，如果數(shù)據(jù)晶體管136、笫一地址 晶體管138和第二地址晶體管14Q都斷開，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容U6就保持充 電。如果兩個(gè)地址信號(hào) ADDRESS1和 ADDRESS2都^氐，預(yù)充電發(fā)射單 元150就是被尋址的發(fā)射單元，如果鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)-LDATAIN為高，存 儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就放電，或者如果鎖存數(shù)據(jù)信號(hào) LDATAIN為低，存儲(chǔ) 節(jié)點(diǎn)電容126就保持充電。如果至少有一個(gè)地址信號(hào)~ ADDRESS1和~ ADDRESS2為高，預(yù)充電發(fā)射單元150就不是被尋址的發(fā)射單元，不管鎖 存數(shù)據(jù)信號(hào) LDATAIN的電壓幅度如何，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126都放電。第 一和第二地址晶體管136和138構(gòu)成地址解碼器，如果預(yù)充電發(fā)射單元 150被尋址，數(shù)據(jù)晶體管136就控制存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126上的電壓幅度。圖10是說明兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路400的一個(gè)實(shí)施例的示意 圖。兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路400在預(yù)充電信號(hào)中的每個(gè)高電壓脈沖 下，鎖存來自每一個(gè)數(shù)據(jù)線的兩個(gè)數(shù)據(jù)位。因此，不增加發(fā)射頻率或輸 入襯墊的數(shù)目就能夠?yàn)閮杀稊?shù)目的發(fā)射電阻器供能。通過例如增加打印:用相同數(shù)目的液;離生成器而降低輸5入襯墊的數(shù)目、:能^多提高每個(gè)i入襯墊的墨滴發(fā)生器的數(shù)目。有更多液滴生成器的打印頭通常以更高的質(zhì) 量和/或更快的打印速度打印。還有，具有較少的輸入襯墊的打印頭一 般比具有更多的輸入襯墊的打印頭成本更低。兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路40G包括諸如發(fā)射組402的多個(gè)發(fā)射組 和一個(gè)時(shí)鐘鎖存電路404。發(fā)射組402包括配置為鎖存數(shù)據(jù)的多個(gè)預(yù)充 電發(fā)射單元150和諸如行子組406的多個(gè)行子組。行子組406包括預(yù)充 電發(fā)射單元150a-150m。發(fā)射組402中的每個(gè)預(yù)充電發(fā)射單元150與預(yù)充電線408電耦接以 接收預(yù)充電信號(hào)PRECHARGE,與選擇線410電耦接以接收選擇信號(hào) SELECT,與發(fā)射線412電耦接以接收發(fā)射信號(hào)FIRE。行子組406中的每 個(gè)預(yù)充電發(fā)射單元150a-150m與第一地址線414電耦接以接收第一地址 信號(hào) ADDRESS1，與第二地址線416電耦接以接收第二地址信號(hào)~ ADDRESS2。預(yù)充電發(fā)射單元150接收信號(hào)并如圖9的說明中那樣來操作。時(shí)鐘鎖存電路404包括時(shí)鐘鎖存晶體管418a-418n。每個(gè)時(shí)鐘鎖存晶體管418a-418n的柵極與時(shí)鐘線420電耦接以接收數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào) DCLK。每個(gè)時(shí)鐘鎖存晶體管418a-418n的漏-源路徑與數(shù)據(jù)線422a-422n 中的一個(gè)電耦接以接收在422所示的數(shù)據(jù)信號(hào) D1到 Dn中的一個(gè)。 每個(gè)時(shí)鐘鎖存晶體管418a-418n的漏-源路徑的另 一側(cè)通過相應(yīng)的時(shí)鐘 數(shù)據(jù)線424a-424n，與發(fā)射組402和兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路400中 的所有其它發(fā)射組中的預(yù)充電發(fā)射單元150電耦接。讓一個(gè)數(shù)據(jù)線組中 的所有的預(yù)充電發(fā)射單元15G與時(shí)鐘鎖存晶體管418a-418n中的一個(gè)電 耦接確保了在時(shí)鐘化的數(shù)據(jù)線424a-424n上有足夠的電容，以確保時(shí)鐘 化數(shù)據(jù)信號(hào) DC1到~DCn共享的電荷足夠小，以致當(dāng)預(yù)充電信號(hào)轉(zhuǎn)換 為低電壓幅度和在420的數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK轉(zhuǎn)換為低電壓幅度時(shí)，足 以在鎖存于預(yù)充電發(fā)射單元150中的數(shù)據(jù)中維持最低程度的高電壓幅 度。在其它的實(shí)施例中，每一個(gè)時(shí)鐘鎖存晶體管418a-418n和相應(yīng)的時(shí) 鐘數(shù)據(jù)線424a-424n可以分割成多個(gè)晶體管和多個(gè)數(shù)據(jù)線。在一個(gè)實(shí)施 例中，與時(shí)鐘鎖存晶體管418a-418n中的一個(gè)對(duì)應(yīng)的多個(gè)晶體管中的一 個(gè)和與時(shí)鐘數(shù)據(jù)線424a-424n中的一個(gè)對(duì)應(yīng)的多個(gè)數(shù)據(jù)線中的一個(gè)與在 液體通道的一側(cè)上的發(fā)射組的噴嘴耦接。與時(shí)鐘鎖存晶體管418a-418n 中的同 一個(gè)對(duì)應(yīng)的多個(gè)晶體管中的另 一個(gè)和與時(shí)鐘數(shù)據(jù)線424a-424n中 的同 一個(gè)對(duì)應(yīng)的多個(gè)數(shù)據(jù)線中的另 一個(gè)與在液體通道的另 一側(cè)上的發(fā) 射組的噴嘴耦接。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)噴嘴可以通過多個(gè)數(shù)據(jù)線中的 單獨(dú)的 一 個(gè)與多個(gè)晶體管中的單獨(dú)的 一 個(gè)耦接。時(shí)鐘鎖存晶體管418a包括在一端與數(shù)據(jù)線422a電耦接以接收數(shù)據(jù) 信號(hào)-Dl的漏-源路徑。時(shí)鐘鎖存晶體管418a的漏-源路徑的另一端在 424a與預(yù)充電發(fā)射單元150a和所有與預(yù)充電發(fā)射單元150a同列或同數(shù) 據(jù)線組的預(yù)充電發(fā)射單元150電耦接，包括發(fā)射組402中的預(yù)充電發(fā)射 單元150和兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路400中的其它發(fā)射組。時(shí)鐘鎖存 晶體管418a的漏-源路徑與數(shù)據(jù)線154和在相應(yīng)的數(shù)據(jù)線組中的每一個(gè) 預(yù)充電發(fā)射單元150中的數(shù)據(jù)鎖存晶體管152的漏-源路徑電耦接。時(shí) 鐘鎖存晶體管418a在422a接收數(shù)據(jù)信號(hào)~D1,并在422a為包括預(yù)充 電發(fā)射單元150a的數(shù)據(jù)線組提供時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)~DC1。數(shù)據(jù)線422a也與預(yù)充電發(fā)射單元150b和所有與預(yù)充電發(fā)射單元 150b同列或同數(shù)據(jù)線組的預(yù)充電發(fā)射單元150電耦接，包括發(fā)射組402150。數(shù)據(jù)線422a與數(shù)據(jù)線154和在相應(yīng)的數(shù)據(jù)線組中的每一個(gè)預(yù)充電 發(fā)射單元15G中的數(shù)據(jù)鎖存晶體管152的漏-源路徑電耦接。包括預(yù)充 電發(fā)射單元15 0b的數(shù)據(jù)線組在422a接收數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl。時(shí)鐘鎖存晶體管418b包括在一端與數(shù)據(jù)線422b電耦接以接收數(shù)據(jù) 信號(hào)~ D2的漏-源路徑。時(shí)鐘鎖存晶體管418b的漏-源路徑的另一端在 424b與預(yù)充電發(fā)射單元150c和與預(yù)充電發(fā)射單元UOc同列或同數(shù)據(jù)線 組的所有的預(yù)充電發(fā)射單元150電耦接，包括在發(fā)射組402和在兩倍數(shù) 據(jù)速率發(fā)射單元電路400中的其它發(fā)射組中的預(yù)充電發(fā)射單元150。時(shí) 鐘鎖存晶體管418b的漏-源路徑與數(shù)據(jù)線154和在相應(yīng)的數(shù)據(jù)線組中的 每一個(gè)預(yù)充電發(fā)射單元150中的數(shù)據(jù)鎖存晶體管152的漏-源路徑電耦 接。時(shí)鐘鎖存晶體管418b在422b接收數(shù)據(jù)信號(hào) D2，并在424b為包 括預(yù)充電發(fā)射單元150c的數(shù)據(jù)線組提供時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)~ DC2。數(shù)據(jù)線422b還與預(yù)充電發(fā)射單元150d和與預(yù)充電發(fā)射單元150d 同列或同數(shù)據(jù)線組的所有的預(yù)充電發(fā)射單元150電耦接，包括在發(fā)射組 402和在兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路400中的其它發(fā)射組中的預(yù)充電發(fā) 射單元150。數(shù)據(jù)線422b與數(shù)據(jù)線154和在相應(yīng)的數(shù)據(jù)線組中的每一個(gè) 預(yù)充電發(fā)射單元150中的數(shù)據(jù)鎖存晶體管152的漏-源路徑電耦接。包 括預(yù)充電發(fā)射單元150d的數(shù)據(jù)線組在422b接收數(shù)據(jù)信號(hào)~ D2。時(shí)鐘鎖存電路404中的其余的時(shí)鐘鎖存晶體管418同樣與兩倍數(shù)據(jù) 速率發(fā)射單元電路400中的預(yù)充電發(fā)射單元150電耦接，直至并包括時(shí) 鐘鎖存晶體管418n,該時(shí)鐘鎖存晶體管418n包括在一端與數(shù)據(jù)線422n 電耦接以接收數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dn的漏-源路徑。時(shí)鐘鎖存晶體管418n的漏-源路徑的另一端在424n與預(yù)充電發(fā)射單元150m-l和與預(yù)充電發(fā)射單元 150m-l同列或同數(shù)據(jù)線組的所有的預(yù)充電發(fā)射單元150電耦接，包括 在發(fā)射組402和在兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路400中的其它發(fā)射組中的 預(yù)充電發(fā)射單元150。時(shí)鐘鎖存晶體管418n的漏-源路徑與數(shù)據(jù)線154 和在相應(yīng)的數(shù)據(jù)線組中的每一個(gè)預(yù)充電發(fā)射單元150中的數(shù)據(jù)鎖存晶體 管152的漏-源路徑電耦接。時(shí)鐘鎖存晶體管418n在"卩n接收數(shù)據(jù)信 號(hào)~ Dn,并在424n為包括預(yù)充電發(fā)射單元150m_l的數(shù)據(jù)線組提供時(shí)鐘 化數(shù)據(jù)信號(hào)~ DCn。數(shù)據(jù)線422n也與預(yù)充電發(fā)射單元150m和與預(yù)充電發(fā)射單元150m 同列或同數(shù)據(jù)線組的所有的預(yù)充電發(fā)射單元15G電耦接，包括在發(fā)射組 402和在兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路400中的其它發(fā)射組中的預(yù)充電發(fā)射單元150。數(shù)據(jù)線422n與數(shù)據(jù)線154和在相應(yīng)的數(shù)據(jù)線組中的每一個(gè) 預(yù)充電發(fā)射單元15G中的數(shù)據(jù)鎖存晶體管152的漏-源路徑電耦接。包 括預(yù)充電發(fā)射單元150m的數(shù)據(jù)線組在422n接收數(shù)據(jù)信號(hào)~Dn。數(shù)據(jù)線422a-422n的每一個(gè)通過這樣的預(yù)充電發(fā)射單元150中的凄史 據(jù)鎖存晶體管152對(duì)鎖存數(shù)據(jù)線節(jié)點(diǎn)充電，所述預(yù)充電發(fā)射單元150在 接收高電壓幅度預(yù)充電信號(hào)的發(fā)射組中。此外，每一個(gè)數(shù)據(jù)線422a-422n 在數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)CLK中的每一個(gè)高電壓脈沖下對(duì)時(shí)鐘化數(shù)據(jù)線 424a-424n充電，并通過這樣的預(yù)充電發(fā)射單元150中的數(shù)據(jù)鎖存晶體 管152對(duì)所連接的鎖存數(shù)據(jù)線節(jié)點(diǎn)充電，所述預(yù)充電發(fā)射單元150在接 收高電壓幅度預(yù)充電信號(hào)的發(fā)射組中。通過數(shù)據(jù)線422a-422n充電的數(shù) 據(jù)節(jié)點(diǎn)具有比非兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路的柵極電容大一些的電容。在本實(shí)施例中，大體上一半的預(yù)充電發(fā)射單元150耦接以接收時(shí)鐘 化數(shù)據(jù)信號(hào)~DC1到~DCn,大體上一半的預(yù)充電發(fā)射單元150耦接以接 收數(shù)據(jù)信號(hào) D1到~Dn。還有，在行子組中的每隔一個(gè)的預(yù)充電發(fā)射單 元150電耦接以接收時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)~ DC1到~ DCn，其它的耦接以接收 數(shù)據(jù)信號(hào)-DCl到 Dn。在其它的實(shí)施例中，可以耦接任何適當(dāng)百分比 的預(yù)充電發(fā)射單元150以接收時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)~ DC1到~ DCn，可以耦接 任何適當(dāng)百分比以接收數(shù)據(jù)信號(hào)~D1到 Dn。在其它的實(shí)施例中，可以 耦接預(yù)充電發(fā)射單元150以任何合適的順序或模式或根本沒有順序地接 收時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)~ DC1到~ DCn和數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl到~ Dn。每一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)~ DC1到~ Dn在預(yù)充電信號(hào)PRECHARGE的高電壓脈 沖的前半部分期間包括第 一數(shù)據(jù)位，在高電壓脈沖的后半部分期間包括 第二數(shù)據(jù)位。還有，時(shí)鐘信號(hào)DCLK在預(yù)充電信號(hào)PRECHARGE中的高電 壓脈沖的前半部分期間包括高電壓脈沖。在操作中，預(yù)充電信號(hào)PRECHARGE和時(shí)鐘信號(hào)DCLK轉(zhuǎn)變到高電壓 幅度，數(shù)據(jù)信號(hào) D1到 Dn中的每一個(gè)包括第一數(shù)據(jù)位，該第一數(shù)據(jù) 位在時(shí)鐘信號(hào)DCLK的高電壓脈沖期間提供給相應(yīng)的時(shí)鐘鎖存晶體管 418a-418n。時(shí)鐘鎖存晶體管418a-418n將第一數(shù)據(jù)位傳遞給預(yù)充電發(fā) 射單元150a、 150c等直到150m-l的相應(yīng)的數(shù)據(jù)線組。當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)DCLK 中的高電壓脈沖轉(zhuǎn)變到低電壓幅度時(shí)，時(shí)鐘鎖存晶體管418a-418n鎖存 第一數(shù)據(jù)位以提供時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)~ DC1到~ DCn。也為預(yù)充電發(fā)射單元 150b、 150d等直至150m的相應(yīng)的數(shù)據(jù)線組提供第一數(shù)據(jù)位。接著，每一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào) D1到-Dn包括第二數(shù)據(jù)位，該第二數(shù)據(jù)27位在預(yù)充電信號(hào)PRECHARGE中的高電壓脈沖的后半部分期間提供給相應(yīng) 的時(shí)鐘鎖存晶體管418a-418n和預(yù)充電發(fā)射單元15 Ob、 150d等直至15 0m 的相應(yīng)的數(shù)據(jù)線組。時(shí)鐘鎖存晶體管418a-418n通過低電壓幅度的時(shí)鐘 信號(hào)CLK斷開，防止第二數(shù)據(jù)位傳遞到預(yù)充電發(fā)射單元150a、 150c等 直到150m-l的相應(yīng)的數(shù)據(jù)線組。時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)~ DC1到~ DCn和數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl到~ Dn中的第二數(shù) 據(jù)位由兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路400中的相應(yīng)的數(shù)據(jù)線組中的所有預(yù) 充電發(fā)射單元150接收。在發(fā)射組402,時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào) DC1到~DCn 和數(shù)據(jù)信號(hào) D1到 Dn中的第二數(shù)據(jù)位由預(yù)充電發(fā)射單元150中的數(shù) 據(jù)線154接收，通過數(shù)據(jù)鎖存晶體管152和預(yù)充電信號(hào)PRECHARGE的高 電壓幅度脈沖傳遞給鎖存數(shù)據(jù)線156和鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容158。還 有，在發(fā)射組402,利用預(yù)充電信號(hào)PRECHARGE中的高電壓幅度脈沖， 通過預(yù)充電晶體管128對(duì)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126預(yù)充電。接著，在發(fā)射組402 中，數(shù)據(jù)鎖存晶體管152斷開以鎖存時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào) DC1到-DCn和 數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl到~ Dn中的第二數(shù)據(jù)位，以在預(yù)充電信號(hào)PRECHARGE轉(zhuǎn) 變到低電壓幅度時(shí)提供鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)~ LDATAIN。在預(yù)充電發(fā)射單元150的一個(gè)實(shí)施例中，在預(yù)充電信號(hào)PRECHARGE 的高電壓幅度脈沖轉(zhuǎn)變到低電壓幅度時(shí)，提供地址信號(hào)~ ADDRESS1和~ ADDRESS2以選擇行子組406,在選才奪信號(hào)SELECT中提供高電壓幅度月永 沖以開通選擇晶體管130。在行子組406中，如果鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)~ LDATAIN為高，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就放電，如果鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)~ LDATAIN 為低，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就保持充電。在沒有被尋址的行子組中，不管 鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)~ LDATAIN的電壓幅度如何，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126都放電。 在發(fā)射信號(hào)FIRE中提供能量脈沖，以便為與行子組406中的導(dǎo)通驅(qū)動(dòng) 開關(guān)172耦接的發(fā)射電阻器52供能。在一個(gè)實(shí)施例中，通過在第 一數(shù)據(jù)位中時(shí)鐘化和在另 一發(fā)射組中對(duì) 發(fā)射單元150預(yù)充電，對(duì)兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路40Q中的預(yù)充電發(fā) 射單元150的供能繼續(xù)。時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)和第二數(shù)據(jù)位通過預(yù)充電信號(hào) 的下降沿被鎖存到預(yù)充電發(fā)射單元150，提供地址信號(hào)來選擇行子組。 提供選擇信號(hào)中的高電壓幅度脈沖信號(hào)和發(fā)射信號(hào)中的能量脈沖，以便 激勵(lì)其它發(fā)射組中的導(dǎo)通的預(yù)充電發(fā)射單元150。這一進(jìn)程持續(xù)到噴射 -液體完成為止。在其它的實(shí)施例中，發(fā)射單元電路可包括諸如時(shí)鐘鎖存電路404的任何合適數(shù)量的時(shí)鐘鎖存電路，以在預(yù)充電信號(hào)PRECHARGE的每一個(gè)高 電壓脈沖鎖存諸如3或4個(gè)或更多個(gè)數(shù)據(jù)位的合適數(shù)目的數(shù)據(jù)位。例如， 發(fā)射單元電路可以包括第二時(shí)鐘鎖存電路，該第二時(shí)鐘鎖存電路通過第 二數(shù)據(jù)時(shí)鐘在第三數(shù)據(jù)位中時(shí)鐘化，并且在預(yù)充電信號(hào)PRECHARGE從高 電壓幅度轉(zhuǎn)到低電壓幅度時(shí)，發(fā)射單元電路鎖存第一、第二和第三數(shù)據(jù) 位，使得發(fā)射單元電路是三數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路。圖ll是說明圖10的兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路400的一個(gè)實(shí)施例 的操作的時(shí)序圖。兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路400包括第一發(fā)射組FG1、 第二發(fā)射組FG2、第三發(fā)射組FG3和其它發(fā)射組直至發(fā)射組FGn。兩倍 數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路400接收預(yù)充電/選擇信號(hào)SO、 Sl、 S2及其它預(yù) 充電/選擇信號(hào)直至Sn。預(yù)充電/選擇信號(hào)SO-Sn被用作兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā) 射單元電路400中的預(yù)充電信號(hào)和/或選擇信號(hào)。第一發(fā)射組FG1接收在500的信號(hào)SO作為預(yù)充電信號(hào)，接收在502 的信號(hào)Sl作為選擇信號(hào)。第二發(fā)射組FG2接收在502的信號(hào)Sl作為預(yù) 充電信號(hào)，接收在504的信號(hào)S2作為選擇信號(hào)。第三發(fā)射組FG3接收 在504的信號(hào)S2作為預(yù)充電信號(hào)，接收信號(hào)S3 (未示出)作為選擇信 號(hào)等等，直到接收信號(hào)Sn-l (未示出)作為預(yù)充電信號(hào)和信號(hào)Sn (未示 出)作為選擇信號(hào)的發(fā)射組FGn。時(shí)鐘鎖存電路404接收在506的數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK,接收在508的 數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl到~ Dn，提供在510的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)~ DC1到~ DCn。 發(fā)射組FG1到FGn鎖存在508的數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl到~ Dn和在510的時(shí)鐘 化數(shù)據(jù)信號(hào)~ DC1到~ DCn,以提供用于開通驅(qū)動(dòng)開關(guān)172來為選擇的發(fā) 射電阻器52供能的鎖存時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)和鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)。每個(gè)發(fā)射組 接收到發(fā)射信號(hào)，所述發(fā)射信號(hào)包括為選定的發(fā)射電阻器52供能的能 量脈沖。在一個(gè)實(shí)施例中，能量脈沖基本上向著發(fā)射組的選擇信號(hào)中的 高電壓脈沖的中部或尾部開始，以便為發(fā)射組中的選定的發(fā)射電阻器52 供能。第一發(fā)射組FG1鎖存在508的數(shù)據(jù)信號(hào)~D1到~Dn和在510的時(shí) 鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)~ DC1到~ DCn,以便提供在512的鎖存的第一發(fā)射組時(shí)鐘 化數(shù)據(jù)信號(hào)FG1C和在514的鎖存的第一發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)FG1D。第二發(fā) 射組FG2鎖存在508的數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl到~ Dn和在510的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信 號(hào)~ DC1到~ DCn,以便提供在516的鎖存的第二發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào) FG2C和在518的鎖存的笫二發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)FG2D。第三發(fā)射組FG3鎖存在508的數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl到~ Dn和在510的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)~ DC1到~ DCn，以便提供在520的鎖存的第三發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)FG3C和在522 的鎖存的第三發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)FG3D。其它發(fā)射組與發(fā)射組FG1到FG3類 似，也鎖存在508的數(shù)據(jù)信號(hào)~D1到 Dn和在510的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)~ DC1到~ DCn,以便提供鎖存時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)和鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)。首先，在500的信號(hào)SO在第一發(fā)射組FG1的預(yù)充電信號(hào)中提供了 在524的高電壓脈沖，在524的高電壓脈沖的前半部分期間，在506的 數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK提供了在526的高電壓脈沖。時(shí)鐘鎖存電路404接 收在526的高電壓脈沖，傳遞在508的數(shù)據(jù)信號(hào)~D1到~Dn,以提供在 510的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)~ DC1到~ DCn。在位于524的高電壓脈沖的前半部分，位于508的數(shù)據(jù)信號(hào) D1 到-Dn包括在528的第一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)1C,該第一發(fā)射組時(shí) 鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)1C通過時(shí)鐘鎖存電路404來提供在510的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信 號(hào) DC1到~DCn中的在530的第一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)1C。還有， 在530的第一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)1C通過第一發(fā)射組FG1的預(yù)充電 發(fā)射單元150中的數(shù)據(jù)鎖存晶體管152,來提供在512的鎖存的第一發(fā) 射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)FG1C中的在532的第一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)1C。 當(dāng)高電壓脈沖526轉(zhuǎn)變到低的邏輯電平時(shí)，在530的第一發(fā)射組時(shí)鐘化 數(shù)據(jù)信號(hào)1C被作為在510的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào) DC1 DCn鎖存。在528 的第一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)1C必須保持到高電壓脈沖526轉(zhuǎn)變到低 于晶體管的閾值之后。在位于524的高電壓脈沖的后半部分，在508的數(shù)據(jù)信號(hào)~D1到~ Dn包括在5 34的第一發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)1D。在534的第一發(fā)射組數(shù)據(jù)信 號(hào)1D通過連到數(shù)據(jù)線422的第一發(fā)射組FG1的預(yù)充電發(fā)射單元150中 的數(shù)據(jù)鎖存晶體管152,來提供在514的鎖存的第一發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào) FG1D中的在536的第一發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)1D。當(dāng)高電壓脈沖524轉(zhuǎn)變到 低的邏輯電平時(shí)，在532的笫一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)1C和在536的 第一發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)1D被鎖存到第一發(fā)射組FG1中的預(yù)充電發(fā)射單元 150中。在534的第一發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)1D必須保持到高電壓脈沖524轉(zhuǎn) 變到低于晶體管的閾值之后。提供地址信號(hào)來選擇行子組，在502的信號(hào)Sl提供了在第一發(fā)射 組FG1的選擇信號(hào)和第二發(fā)射組FG2的預(yù)充電信號(hào)中的在538的高電壓 脈沖。在538的高電壓脈沖開通在第一發(fā)射組FG1的預(yù)充電發(fā)射單元150中的選擇晶體管130。在尋址的行子組中，如果在512的鎖存的第一發(fā) 射組數(shù)據(jù)FG1C和在514的FG1D為高，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就放電，或者 如果在512的鎖存的第一發(fā)射組數(shù)據(jù)FG1C和在514的FG1D為低，存儲(chǔ) 節(jié)點(diǎn)電容126就保持充電。在未尋址的行子組中，無論在512的鎖存的 第一發(fā)射組數(shù)據(jù)FG1C和在514的FG1D的電壓幅度是高是低，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn) 電容126都放電。在第一發(fā)射組發(fā)射信號(hào)中提供了能量脈沖，以便為與 尋址的行子組中的導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)開關(guān)172耦接的發(fā)射電阻器52供能。在位于538的高電壓脈沖的前半部分，在506的數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK 提供了在540的高電壓脈沖。時(shí)鐘鎖存電路404接收在540的高電壓脈 沖，傳遞在508的數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl到~ Dn,以便提供在510的時(shí)鐘化數(shù)據(jù) 信號(hào)~ DC1到~ DCn。在位于538的高電壓脈沖的前半部分，位于508的數(shù)據(jù)信號(hào) D1 到~Dn包括在542的第二發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)2C,該第二發(fā)射組時(shí) 鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)2C通過時(shí)鐘鎖存電路404,來提供在510的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信 號(hào) DC1到~DCn中的在544的第二發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)2C。還有， 在544的第二發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)2C通過第二發(fā)射組FG2的預(yù)充電 發(fā)射單元150中的數(shù)據(jù)鎖存晶體管152,來提供在516的鎖存的第二發(fā) 射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)FG2C中的在546的第二發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)2C。 當(dāng)高電壓脈沖540轉(zhuǎn)變到低的邏輯電平時(shí)，在544的第二發(fā)射組時(shí)鐘化 數(shù)據(jù)信號(hào)2C被作為在510的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)~ DC1到~ DCn鎖存。在542的第二發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)2c必須保持到高電壓脈沖540轉(zhuǎn)變到低于晶體管的閾值之后。在位于538的高電壓脈沖的后半部分，在508的數(shù)據(jù)信號(hào)~D1到~ Dn包括在548的第二發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)2D。在548的第二發(fā)射組數(shù)據(jù)信 號(hào)2D通過連到數(shù)據(jù)線422的第二發(fā)射組FG2的預(yù)充電發(fā)射單元150中 的數(shù)據(jù)鎖存晶體管152,來提供在518的鎖存的第二發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào) FG2D中的在550的第二發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)2D。當(dāng)高電壓脈沖538轉(zhuǎn)變到 低的邏輯電平時(shí)，在546的第二發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)2C和在550的 第二發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)2D被鎖存到第二發(fā)射組FG2中的預(yù)充電發(fā)射單元 150中。在548的第二發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)2D必須保持到高電壓脈沖538轉(zhuǎn) 變到低于晶體管的閾值之后。提供地址信號(hào)來選擇行子組，在504的信號(hào)S2提供了在第二發(fā)射 組FG2的選擇信號(hào)和第三發(fā)射組FG3的預(yù)充電信號(hào)中的在552的高電壓脈沖。在552的高電壓脈沖開通在第二發(fā)射組FG2的預(yù)充電發(fā)射單元150 中的選擇晶體管130。在被尋址的行子組中，如果在516的鎖存的第二 發(fā)射組數(shù)據(jù)FG2C和在518的FG2D為高，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就放電，或 者如果在516的鎖存的第二發(fā)射組數(shù)據(jù)FG2C和在518的FG2D為低，存 儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就保持充電。在未尋址的行子組中，無論在516的鎖存 的第二發(fā)射組數(shù)據(jù)FG2C和在518的FG2D的電壓幅度是高是低，存儲(chǔ)節(jié) 點(diǎn)電容126都放電。在第二發(fā)射組發(fā)射信號(hào)中提供了能量脈沖，以便為 與尋址的行子組中的導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)開關(guān)172耦接的發(fā)射電阻器52供能。在位于552的高電壓脈沖的前半部分，在506的數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK 提供了在554的高電壓脈沖。時(shí)鐘鎖存電路404接收在554的高電壓脈 沖，傳遞在508的數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl到~ Dn,以便提供在510的時(shí)鐘化數(shù)據(jù) 信號(hào) DC1到~DCn。在位于552的高電壓脈沖的前半部分，位于508的數(shù)據(jù)信號(hào) D1 到~Dn包括在556的第三發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)3C,該笫三發(fā)射組時(shí) 鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)3C通過時(shí)鐘鎖存電路404來提供在510的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信 號(hào) DC1到~DCn中的在558的第三發(fā)射組時(shí)鐘化舉據(jù)信號(hào)3C。還有， 在558的第三發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)3C通過第三發(fā)射組FG3的預(yù)充電 發(fā)射單元150中的數(shù)據(jù)鎖存晶體管152,來提供在520的鎖存的第三發(fā) 射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)FG3C中的在560的第三發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)3C。 當(dāng)高電壓脈沖554轉(zhuǎn)變到低的邏輯電平時(shí)，在558的第三發(fā)射組時(shí)鐘化 數(shù)據(jù)信號(hào)3C被作為在510的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)~ DC1到~ DCn鎖存。在556 的第三發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)3C必須保持到高電壓脈沖554轉(zhuǎn)變到低 于晶體管的閾值之后。在位于552的高電壓脈沖的后半部分，在508的數(shù)據(jù)信號(hào)~D1到~ Dn包括在562的第三發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)3D。在562的第三發(fā)射組數(shù)據(jù)信 號(hào)3D通過連到數(shù)據(jù)線422的第三發(fā)射組FG3的預(yù)充電發(fā)射單元150中 的數(shù)據(jù)鎖存晶體管152,來提供在522的鎖存的第三發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào) FG3D中的在564的第三發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)3D。當(dāng)高電壓脈沖552轉(zhuǎn)變到 低的邏輯電平時(shí)，在560的第三發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)3C和在564的 第三發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)3D被鎖存到笫三發(fā)射組FG3中的預(yù)充電發(fā)射單元 150中。在562的第三發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)3D必須保持到高電壓脈沖552轉(zhuǎn) 變到低于晶體管的閾值之后。這個(gè)過程持續(xù)進(jìn)行到且包括接收信號(hào)Sn-1作為預(yù)充電信號(hào)和接收32信號(hào)Sn作為選擇信號(hào)的發(fā)射組FGn。然后該過程從第一發(fā)射組FG1開始 重新進(jìn)行，直到噴射液體結(jié)束為止。圖12是說明可用于多數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路的預(yù)充電發(fā)射單元 160的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。預(yù)充電發(fā)射單元160與圖6的預(yù)充電發(fā)射 單元120類似，包括驅(qū)動(dòng)開關(guān)172、發(fā)射電阻器52和預(yù)充電發(fā)射單元 120的存儲(chǔ)單元。預(yù)充電發(fā)射單元160的與預(yù)充電發(fā)射單元120的部件 對(duì)應(yīng)的部件有與預(yù)充電發(fā)射單元120的部件相同的數(shù)字，如圖6所述那 樣電耦接在一起耦接到信號(hào)線，區(qū)別是數(shù)據(jù)晶體管136的柵極電耦接到 接收鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)~LDATAIN的鎖存數(shù)據(jù)線166,而不是耦接到接收數(shù) 據(jù)信號(hào)~ DATA的數(shù)據(jù)線142。此外，預(yù)充電發(fā)射單元160的與預(yù)充電發(fā) 射單元120的部件對(duì)應(yīng)的部件如圖6的說明中那樣起作用和操作。預(yù)充電發(fā)射單元160包括數(shù)據(jù)鎖存晶體管162，該數(shù)據(jù)鎖存晶體管 162包括在數(shù)據(jù)線164和數(shù)據(jù)鎖存線166之間電耦接的漏-源路徑。數(shù) 據(jù)線164接收數(shù)據(jù)信號(hào)~ DATAIN，數(shù)據(jù)鎖存晶體管162將數(shù)據(jù)鎖存到預(yù) 充電發(fā)射單元160以提供鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)-LDATAIN。數(shù)據(jù)信號(hào)~ DATAIN 和鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào) LDATAIN在低時(shí)是活性的，以在信號(hào)名的前面的波 形符(~ )標(biāo)示。數(shù)據(jù)鎖存晶體管162的柵極電耦接到接收數(shù)據(jù)選擇信 號(hào)DATASEL的數(shù)據(jù)選擇線170。在一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)鎖存晶體管162是最小尺寸的晶體管，以便 在數(shù)據(jù)選擇信號(hào)從高電壓幅度轉(zhuǎn)換到低電壓幅度時(shí)，使在鎖存數(shù)據(jù)線 166和數(shù)據(jù)鎖存晶體管162的柵-源節(jié)點(diǎn)之間的電荷共享最小化。電荷共 享減少了高電壓幅度的鎖存數(shù)據(jù)。還有，在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)數(shù)據(jù)選擇 信號(hào)是低電壓幅度并且最小尺寸的晶體管使這個(gè)電容保持為低時(shí)，數(shù)據(jù) 鎖存晶體管162的漏極決定在數(shù)據(jù)線164上看到的電容。數(shù)據(jù)鎖存晶體管162通過高幅度的數(shù)據(jù)選擇信號(hào)，將來自數(shù)據(jù)線 164的數(shù)據(jù)傳至鎖存數(shù)據(jù)線166和鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容168。當(dāng)數(shù)據(jù) 選擇信號(hào)從高電壓幅度向低電壓幅度轉(zhuǎn)換時(shí)，該數(shù)據(jù)鎖存在鎖存數(shù)據(jù)線 164和鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容168中。該鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容168以 虛線示出，因?yàn)樗菙?shù)據(jù)晶體管136的一部分?？商鎿Q地，可以使用與 數(shù)據(jù)晶體管136分離的電容器來存儲(chǔ)鎖存的數(shù)據(jù)。鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容168足夠大，以致當(dāng)數(shù)據(jù)選擇信號(hào)從高幅度 轉(zhuǎn)換為低幅度時(shí)，它基本上保持在高幅度。還有，鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電 容168足夠大，以致在通過發(fā)射信號(hào)FIRE提供能量脈沖、在選擇信號(hào)SELECT中提供高的電壓脈沖并且在預(yù)充電信號(hào)PRECHARGE中提供高的 電壓脈沖時(shí)，該鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容基本上保持低幅度。此外，數(shù)據(jù) 晶體管136足夠小，使得當(dāng)驅(qū)動(dòng)開關(guān)172的柵極放電時(shí)，在鎖存數(shù)據(jù)存 儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容168上保持低幅度，數(shù)據(jù)晶體管136又足夠大，使得能夠在 發(fā)射信號(hào)FIRE中的能量脈沖開始之前將驅(qū)動(dòng)開關(guān)172的柵極完全放電。在使用預(yù)充電發(fā)射單元160的兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路的一個(gè)實(shí) 施例中，每一個(gè)數(shù)據(jù)選擇線170與預(yù)充電線、第一時(shí)鐘或第二時(shí)鐘電耦 接。在一些發(fā)射組中，第一時(shí)鐘與一些預(yù)充電發(fā)射單元160的數(shù)據(jù)選擇 線170電耦接，發(fā)射組預(yù)充電線與其他預(yù)充電發(fā)射單元160中的數(shù)據(jù)選 擇線170電耦接。在其它發(fā)射組中，第二時(shí)鐘與一些預(yù)充電發(fā)射單元160 中的數(shù)據(jù)選擇線170電耦接，發(fā)射組預(yù)充電線與其他預(yù)充電發(fā)射單元 160中的數(shù)據(jù)選擇線170電耦接。第一時(shí)鐘在與第一時(shí)鐘耦接的發(fā)射組 的預(yù)充電信號(hào)中的每一個(gè)高電壓脈沖的前半部分包括高電壓脈沖。笫二 時(shí)鐘在與第二時(shí)鐘耦接的發(fā)射組的預(yù)充電信號(hào)中的每一個(gè)高電壓脈沖 的前半部分包括高電壓脈沖。因此，在一些發(fā)射組中，第一時(shí)鐘和預(yù)充 電信號(hào)在預(yù)充電信號(hào)的每個(gè)高電壓脈沖期間鎖存兩個(gè)數(shù)據(jù)位，在其它發(fā) 射組中，第二時(shí)鐘和預(yù)充電信號(hào)在預(yù)充電信號(hào)的每一個(gè)高電壓脈沖期間 鎖存兩個(gè)數(shù)據(jù)位。在使用預(yù)充電發(fā)射單元16G的多數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電 路的其它實(shí)施例中，可以在在預(yù)充電信號(hào)的高電壓脈沖期間使用任何合 適數(shù)目的時(shí)鐘信號(hào)鎖存例如三個(gè)或更多數(shù)據(jù)位的多個(gè)數(shù)據(jù)位。在使用預(yù)充電發(fā)射單元160的多數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路中， 一些數(shù) 據(jù)線每次對(duì)一個(gè)發(fā)射組中的鎖存數(shù)據(jù)線節(jié)點(diǎn)充電，其中每個(gè)發(fā)射組接收 該發(fā)射組的預(yù)充電信號(hào)中的高電壓幅度。其它數(shù)據(jù)線對(duì)多個(gè)發(fā)射組中的 鎖存的數(shù)據(jù)線節(jié)點(diǎn)充電，其中多個(gè)發(fā)射組接收在時(shí)鐘信號(hào)中的高電壓脈 沖。在預(yù)充電發(fā)射單元160的操作中，數(shù)據(jù)線164接收數(shù)據(jù)信號(hào) DATAIN,通過在數(shù)據(jù)選擇線170上提供高電壓脈沖，通過數(shù)據(jù)鎖存晶體 管162將該數(shù)據(jù)信號(hào)~ DATAIN傳送到鎖存數(shù)據(jù)線166和鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié) 點(diǎn)電容168。存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126是利用在預(yù)充電線132上的高電壓脈沖、 通過預(yù)充電晶體管128預(yù)充電的。當(dāng)數(shù)據(jù)選擇線170上的電壓脈沖從高 電壓幅度轉(zhuǎn)變到低電壓幅度時(shí)，斷開數(shù)據(jù)鎖存晶體管162，以提供鎖存 的數(shù)據(jù)信號(hào) LDATAIN。在數(shù)據(jù)選擇信號(hào)處于高電壓幅度的同時(shí)提供要 鎖存到預(yù)充電發(fā)射單元160中的數(shù)據(jù)，并保持到數(shù)據(jù)選擇信號(hào)轉(zhuǎn)換為低電壓幅度后為止。數(shù)據(jù)選擇信號(hào)中的高電壓脈沖在預(yù)充電信號(hào)中的高電 壓脈沖期間產(chǎn)生，或者它是預(yù)充電信號(hào)中的高電壓脈沖。與此不同的是，在選擇信號(hào)處于高電壓幅度時(shí)，提供要鎖存到圖6的預(yù)充電發(fā)射單元 120中的數(shù)據(jù)。在預(yù)充電發(fā)射單元160的 一個(gè)實(shí)施例中，在數(shù)據(jù)選擇線170上的高 電壓脈沖之后，在地址線144和146上提供地址信號(hào)~ ADDRESS1和~ ADDRESS2來設(shè)定第一地址晶體管138和第二地址晶體管140的狀態(tài)。在 選擇線134上提供高電壓幅度脈沖以開通選擇晶體管130，如果數(shù)據(jù)晶 體管136、第一地址晶體管138和/或笫二地址晶體管140開通，存儲(chǔ)節(jié) 點(diǎn)電容126就放電?？商鎿Q地，如果數(shù)據(jù)晶體管136、第一地址晶體管 138和第二地址晶體管140都斷開，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就保持充電。如果兩個(gè)地址信號(hào)~ ADDRESS1和 ADDRESS2都低，預(yù)充電發(fā)射單 元160就是被尋址的發(fā)射單元，如果鎖存數(shù)據(jù)信號(hào) LDATAIN為高，存 儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就放電，或者如果鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)-LDATAIN為低，存儲(chǔ) 節(jié)點(diǎn)電容126就保持充電。如果至少有一個(gè)地址信號(hào) ADDRESS1和~ ADDRESS2為高，預(yù)充電發(fā)射單元160就不是被尋址的發(fā)射單元，不管鎖 存數(shù)據(jù)信號(hào) LDATAIN的電壓幅度如何，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126都放電。第 一和笫二地址晶體管136和138構(gòu)成地址解碼器，如果預(yù)充電發(fā)射單元 160被尋址，數(shù)據(jù)晶體管136就控制存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126上的電壓幅度。圖13是說明采用預(yù)充電發(fā)射單元160的兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電 路的一個(gè)實(shí)施例的操作的時(shí)序圖。每一個(gè)數(shù)據(jù)選擇線170電耦接到預(yù)充 電線、第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘或第二數(shù)據(jù)時(shí)鐘。兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路包括 第一發(fā)射組FG1、第二發(fā)射組FG2、第三發(fā)射組FG3和其它發(fā)射組直至 發(fā)射組FGn。兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路接收預(yù)充電/選擇信號(hào)SO、 Sl、 S2和其它預(yù)充電/選擇信號(hào)直至Sn。該預(yù)充電/選擇信號(hào)SO-Sn被用作 兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路的預(yù)充電信號(hào)和/或選擇信號(hào)。第一發(fā)射組FG1接收在600的信號(hào)SO作為預(yù)充電信號(hào)，接收在602 的信號(hào)Sl作為選擇信號(hào)。第二發(fā)射組FG2接收在602的信號(hào)Sl作為預(yù) 充電信號(hào)，接收在604的信號(hào)S2作為選擇信號(hào)。第三發(fā)射組FG3接收 在604的信號(hào)S2作為預(yù)充電信號(hào)，接收信號(hào)S3 (未示出)作為選擇信 號(hào)等等，直到接收信號(hào)Sn-l(未示出)作為預(yù)充電信號(hào)和信號(hào)Sn (未示 出)作為選擇信號(hào)的發(fā)射組FGn。兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路通過第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘接收在606的第一數(shù)過第二數(shù)據(jù)時(shí)鐘接收在608的第二數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào) DCLK2。第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘與諸如第一發(fā)射組FG1和第三發(fā)射組FG3的奇數(shù) 編號(hào)的發(fā)射組中的大約一半的預(yù)充電發(fā)射單元160的數(shù)據(jù)選擇線170電 耦接。每一發(fā)射組的預(yù)充電線與奇數(shù)編號(hào)的發(fā)射組中的大約另 一半的預(yù) 充電發(fā)射單元160的數(shù)據(jù)選擇線170電耦接。第二數(shù)據(jù)時(shí)鐘與諸如第二 發(fā)射組FG2和第四發(fā)射組FG4的偶數(shù)編號(hào)的發(fā)射組中的大約一半的預(yù)充 電發(fā)射單元160的數(shù)據(jù)選擇線170電耦接，每一發(fā)射組的預(yù)充電線與偶 數(shù)編號(hào)的發(fā)射組中的大約另一半的預(yù)充電發(fā)射單元160的數(shù)據(jù)選擇線 170電耦接。在606的第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK1在與第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘耦接的發(fā)射組 的預(yù)充電信號(hào)中的每一高電壓脈沖的前半部分包括高電壓脈沖，在608 的第二數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK2在與第二數(shù)據(jù)時(shí)鐘耦接的發(fā)射組的預(yù)充電信 號(hào)中的每一高電壓脈沖的前半部分包括高電壓脈沖。數(shù)據(jù)線提供在610 的數(shù)據(jù)信號(hào)-D1到~Dn,其中每一個(gè)數(shù)據(jù)線在預(yù)充電信號(hào)中的高電壓脈 沖的前半部分期間提供在610的數(shù)據(jù)信號(hào) D1到 Dn中的一個(gè)和第一 數(shù)據(jù)位，在預(yù)充電信號(hào)中的高電壓脈沖的后半部分期間提供第二數(shù)據(jù) 位。每個(gè)數(shù)據(jù)線與所有發(fā)射組中的預(yù)充電發(fā)射單元160電耦接。還有， 每個(gè)數(shù)據(jù)線與具有與第一或第二數(shù)據(jù)時(shí)鐘耦接的數(shù)據(jù)選擇線170的發(fā)射 組中的預(yù)充電發(fā)射單元160電耦接，并與具有與發(fā)射組的預(yù)充電線耦接 的數(shù)據(jù)選擇線170的發(fā)射組中的預(yù)充電發(fā)射單元160電耦接。在奇數(shù)編號(hào)的發(fā)射組中，在606的第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK1和預(yù)充 電信號(hào)在預(yù)充電信號(hào)的每個(gè)高電壓脈沖期間鎖存兩個(gè)數(shù)據(jù)位。在偶數(shù)編 號(hào)的發(fā)射組中，在608的第二數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK2和預(yù)充電信號(hào)在預(yù)充 電信號(hào)的每一個(gè)高電壓脈沖期間鎖存兩個(gè)數(shù)據(jù)位。在使用預(yù)充電發(fā)射單 元160的多數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路的其它實(shí)施例中，可以使用任何合適 數(shù)目的數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)來在預(yù)充電信號(hào)的高電壓脈沖期間鎖存例如三個(gè) 或更多數(shù)據(jù)位的多個(gè)數(shù)據(jù)位。發(fā)射組FG1到FGn鎖存在610的數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl到~ Dn，以提供用于 開通驅(qū)動(dòng)開關(guān)172來為選定的發(fā)射電阻器52供能的鎖存時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信 號(hào)和鎖存預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)。每個(gè)發(fā)射組接收包括為選定的發(fā)射電阻器52 供能的能量脈沖的發(fā)射信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，能量脈沖基本上是朝著 發(fā)射組的選擇信號(hào)中的高電壓脈沖的中間或尾部開始，來為發(fā)射組中的 選定的發(fā)射電阻器52供能。第一發(fā)射組FG1鎖存在610的數(shù)據(jù)信號(hào)~D1到~Dn，以提供在612 的鎖存的第一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)FGIC和在614的鎖存的第一發(fā)射 組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)FG1P。第二發(fā)射組FG2鎖存在610的數(shù)據(jù)信號(hào) D1 到~Dn,以提供在616的鎖存的第二發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)FG2C和在 618的鎖存的第二發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)FG2P。第三發(fā)射組FG3鎖存在 610的數(shù)據(jù)信號(hào)~D1到~Dn，以提供在620的鎖存的第三發(fā)射組時(shí)鐘化 數(shù)據(jù)信號(hào)FG3C和在622的鎖存的第三發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)FG3P。其 它的發(fā)射組也鎖存在610的數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl到~ Dn,以提供與發(fā)射組FG1 到FG3類似的鎖存時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)和鎖存預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)。首先，在600的信號(hào)SO在第一發(fā)射組FG1的預(yù)充電信號(hào)中提供了 在624的高電壓脈沖。在位于624的高電壓脈沖的前半部分，在606的 第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK1提供了在626的高電壓脈沖。在610的數(shù)據(jù)信 號(hào)~ Dl到~ Dn包括在628的第一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)1C,它們傳過 第一發(fā)射組FG1中與第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘耦接的數(shù)據(jù)鎖存晶體管162,來提供 在612的鎖存的第一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)FGIC中的在630的第一發(fā) 射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)1C。在630的第一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)IC在高 電壓脈沖626轉(zhuǎn)到低邏輯電平時(shí)被鎖存。在628的第一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù) 據(jù)信號(hào)1C必須保持到高電壓脈沖626轉(zhuǎn)變到低于晶體管的閾值之后。在位于624的高電壓脈沖的后半部分期間，在610的數(shù)據(jù)信號(hào)~D1 到~Dn包括在632的第一發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)1P。在632的第一發(fā) 射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)IP通過耦接到第一發(fā)射組FG1的預(yù)充電線的數(shù)據(jù) 鎖存晶體管162,來提供在614的鎖存的笫一發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào) FGIP中的在634的第一發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)1P。當(dāng)高電壓脈沖624 轉(zhuǎn)變到低的邏輯電平時(shí)，在634的笫一發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)IP被鎖 存到第一發(fā)射組FG1中的預(yù)充電發(fā)射單元160中。在632的第一發(fā)射組 預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)IP必須保持到高電壓脈沖624轉(zhuǎn)變到低于晶體管的閾 值之后。提供地址信號(hào)來選擇行子組，在602的信號(hào)SI提供了在第一發(fā)射 組FG1的選擇信號(hào)中的在636的高電壓脈沖和第二發(fā)射組FG2的預(yù)充電 信號(hào)。在636的高電壓脈沖開通在笫一發(fā)射組FG1的預(yù)充電發(fā)射單元160 中的選擇晶體管130。在被尋址的行子組中，如果在612的鎖存的第一 發(fā)射組數(shù)據(jù)FGIC和在614的FGIP為高，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就放電，或 者如果在612的鎖存的第一發(fā)射組數(shù)據(jù)FGIC和在614的FGIP為低，存37儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就保持充電。在未被尋址的行子組中，無論在612的鎖 存的第一發(fā)射組數(shù)據(jù)FG1C和在614的FG1P的電壓幅度是高是低，存儲(chǔ) 節(jié)點(diǎn)電容126都放電。在第一發(fā)射組發(fā)射信號(hào)中提供了能量脈沖，以便 為與尋址的行子組中的導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)開關(guān)172耦接的發(fā)射電阻器52供能。在位于636的高電壓脈沖的前半部分，在608的第二數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào) DCLK2提供在638的高電壓脈沖。在610的數(shù)據(jù)信號(hào)~D1到~ Dn包括在 640的第二發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)2C，它們通過第二發(fā)射組FG2中與第 二數(shù)據(jù)時(shí)鐘耦接的數(shù)據(jù)鎖存晶體管162，來提供在616的鎖存的第二發(fā) 射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)FG2C中的在642的第二發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)2C。 當(dāng)高電壓脈沖638轉(zhuǎn)變到低的邏輯電平時(shí)，在642的第二發(fā)射組時(shí)鐘化 數(shù)據(jù)信號(hào)2C被鎖存。在640的第二發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)2C必須保持 到高電壓脈沖638轉(zhuǎn)變到低于晶體管的閾值之后。在位于636的高電壓脈沖的后半部分，在610的數(shù)據(jù)信號(hào) D1到~ Dn包括在644的第二發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)2P。在644的第二發(fā)射組預(yù)充電 數(shù)據(jù)信號(hào)2P通過與第二發(fā)射組FG2的預(yù)充電線耦接的數(shù)據(jù)鎖存晶體管 162，來提供在618的鎖存的第二發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)FG2P中的在646 的第二發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)2P。當(dāng)高電壓脈沖636轉(zhuǎn)變到低的邏輯電 平時(shí)，在646的第二發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)2P被鎖存到第二發(fā)射組FG2 中的預(yù)充電發(fā)射單元160中。在644的第二發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)2P 必須保持到高電壓脈沖636轉(zhuǎn)變到低于晶體管的閾值之后。提供地址信號(hào)來選擇行子組，在604的信號(hào)S2在第二發(fā)射組FG2 的選擇信號(hào)和第三發(fā)射組FG3的預(yù)充電信號(hào)中提供了在648的高電壓脈 沖。在648的高電壓脈沖開通了在第二發(fā)射組FG2的預(yù)充電發(fā)射單元160 中的選擇晶體管130。在尋址的行子組中，如果在616的鎖存的第二發(fā) 射組數(shù)據(jù)FG2C和在618的FG2P為高，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就放電，或者 如果在616的鎖存的第二發(fā)射組數(shù)據(jù)FG2C和在618的FG2P為低，存儲(chǔ) 節(jié)點(diǎn)電容126就保持充電。在未尋址的行子組中，無論在616的鎖存的 第二發(fā)射組數(shù)據(jù)FG2C和在618的FG2P的電壓幅度是高是低，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn) 電容126都放電。在第二發(fā)射組發(fā)射信號(hào)中提供了能量脈沖，以便為與 尋址的行子組中的導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)開關(guān)172耦接的發(fā)射電阻器52供能。在位于648的高電壓脈沖的前半部分，位于606的第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘信 號(hào)DCLK1提供了在650的高電壓脈沖。在610的數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl到~ Dn 包括在652的笫三發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)3C,該第三發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)3C通過第三發(fā)射組FG3中與第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘耦接的數(shù)據(jù)鎖存晶體管 162,來提供在620的鎖存的第三發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)FG3C中的在654 的第三發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)3C。當(dāng)高電壓脈沖650轉(zhuǎn)變到低的邏輯電 平時(shí)，在654的第三發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)3C被鎖存。在652的第三 發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)3C必須保持到高電壓脈沖650轉(zhuǎn)變到低于晶體 管的閾值之后。在位于648的高電壓脈沖的后半部分，在610的數(shù)據(jù)信號(hào) D1到~ Dn包括在656的第三發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)3P。在6"的第三發(fā)射組 預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)3P通過與第三發(fā)射組FG3的預(yù)充電線耦接的數(shù)據(jù)鎖存 晶體管162，來提供在622的鎖存的第三發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)FG3P中 的在658的第三發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)3P。當(dāng)高電壓脈沖648轉(zhuǎn)變到低 的邏輯電平時(shí)，在658的第三發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)3P被鎖存到第三 發(fā)射組FG3中的預(yù)充電發(fā)射單元160中。在656的第三發(fā)射組預(yù)充電數(shù) 據(jù)信號(hào)3P必須保持到高電壓脈沖648轉(zhuǎn)變到低于晶體管的閾值之后。這個(gè)過程持續(xù)進(jìn)行到且包括接收信號(hào)Sn-l作為預(yù)充電信號(hào)和接收 信號(hào)Sn作為選擇信號(hào)的發(fā)射組FGn。然后該過程從第一發(fā)射組FG1開始 重新進(jìn)行，直到噴射液體結(jié)束為止。圖14是說明雙通過晶體管預(yù)充電發(fā)射單元180的一個(gè)實(shí)施例的示 意圖。該預(yù)充電發(fā)射單元180可與圖12的預(yù)充電發(fā)射單元160 —起用 于多數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路。在只使用圖12的預(yù)充電發(fā)射單元160的 多數(shù)據(jù)傳輸速率發(fā)射單元電路的一個(gè)實(shí)施例中， 一些數(shù)據(jù)線對(duì)與接收在 數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)中的高電壓脈沖的數(shù)據(jù)鎖存晶體管162耦接的鎖存數(shù)據(jù)線 節(jié)點(diǎn)充電，包括接收該數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)的所有發(fā)射組中的鎖存數(shù)據(jù)節(jié)點(diǎn)。 在這些多數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路中，雙通過晶體管預(yù)充電發(fā)射單元180 可用于替代接收數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)的預(yù)充電發(fā)射單元160。雙通過晶體管預(yù) 充電發(fā)射單元180降低了數(shù)據(jù)線電容，使得，數(shù)據(jù)線只對(duì)正在接收發(fā)射 組的預(yù)充電信號(hào)中的高電壓脈沖的那一個(gè)發(fā)射組中的鎖存數(shù)據(jù)線節(jié)點(diǎn) 充電。預(yù)充電發(fā)射單元180與圖6的預(yù)充電發(fā)射單元120類似，包括驅(qū)動(dòng) 開關(guān)172、發(fā)射電阻器52和預(yù)充電發(fā)射單元120的存儲(chǔ)單元。預(yù)充電發(fā) 射單元180的與預(yù)充電發(fā)射單元120的部件一致的部件具有與預(yù)充電發(fā) 射單元120的部件相同的數(shù)字，像在圖6的說明中說明的那樣電耦接在 一起耦接到信號(hào)線，區(qū)別在于，數(shù)據(jù)晶體管136的柵極與接收鎖存數(shù)據(jù)信號(hào) LDATAIN的鎖存數(shù)據(jù)線182電耦接，而不是與接收數(shù)據(jù)信號(hào)~ DATA的數(shù)據(jù)線142耦接。此外，與預(yù)充電發(fā)射單元120中的部件一致的 預(yù)充電發(fā)射單元180的部件像在圖6的說明中說明的那樣起作用和操作。預(yù)充電發(fā)射單元180包括時(shí)鐘化數(shù)據(jù)鎖存晶體管184和預(yù)充電通過 晶體管186。時(shí)鐘化數(shù)據(jù)鎖存晶體管184包括在預(yù)充電通過晶體管186 的漏-源路徑和鎖存數(shù)據(jù)線182之間電耦接的漏-源路徑。預(yù)充電通過晶 體管186的漏-源路徑在時(shí)鐘化數(shù)據(jù)鎖存晶體管184的漏-源路徑和數(shù)據(jù) 線188之間電耦接。時(shí)鐘化數(shù)據(jù)鎖存晶體管184的柵極與接收數(shù)據(jù)時(shí)鐘 信號(hào)DCLK的數(shù)據(jù)時(shí)鐘線190電耦接，預(yù)充電通過晶體管186的柵極與 接收預(yù)充電信號(hào)PRECHARGE的預(yù)充電線132電耦接。在190的數(shù)據(jù)時(shí)鐘 信號(hào)DCLK在預(yù)充電信號(hào)PRECHARGE的高電壓脈沖期間包括高電壓脈沖。 數(shù)據(jù)線188接收數(shù)據(jù)信號(hào)~ DATAIN,時(shí)鐘化數(shù)據(jù)鎖存晶體管184將數(shù)據(jù) 鎖存到預(yù)充電發(fā)射單元180,以提供鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào) LDATAIN。在信號(hào) 名的前面有波形符(~ )標(biāo)示的數(shù)據(jù)信號(hào) DATAIN和鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào) LDATAIN在低電平時(shí)是活性的。數(shù)據(jù)線188接收數(shù)據(jù)信號(hào)~ DATAIN,預(yù)充電通過晶體管186通過預(yù) 充電信號(hào)中的高電壓脈沖將數(shù)據(jù)從數(shù)據(jù)線188傳至?xí)r鐘化鎖存晶體管 184。時(shí)鐘化鎖存晶體管184通過在數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)中的高電壓脈沖將數(shù) 據(jù)傳至鎖存數(shù)據(jù)線182和鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容192。在數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào) 中的高電壓脈沖發(fā)生在預(yù)充電信號(hào)的高電壓脈沖期間。當(dāng)數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)從高電壓轉(zhuǎn)到低電壓幅度時(shí)，數(shù)據(jù)鎖存到鎖存數(shù)據(jù) 線182和鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容192。該鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容192以 虛線示出，因?yàn)樗菙?shù)據(jù)晶體管136的一部分?？商鎿Q地，可以使用與 數(shù)據(jù)晶體管136分離的電容器來存儲(chǔ)鎖存數(shù)據(jù)。鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容192足夠大，以致當(dāng)數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)從高電平 轉(zhuǎn)換為低電平時(shí)，它基本上保持在高電平。還有，鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電 容192足夠大，以致在通過發(fā)射信號(hào)FIRE提供能量脈沖、在選擇信號(hào) SELECT中提供高的電壓脈沖并且在預(yù)充電信號(hào)PRECHARGE中提供高的 電壓脈沖時(shí)，該鎖存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容192基本上保持低電平。此外， 數(shù)據(jù)晶體管136足夠小，使得當(dāng)驅(qū)動(dòng)開關(guān)172的柵極放電時(shí)，在鎖存數(shù) 據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容192上保持低電平，數(shù)據(jù)晶體管136又足夠大，使得在 發(fā)射信號(hào)FIRE中的能量脈沖開始之前將驅(qū)動(dòng)開關(guān)172的柵極完全放電。在使用預(yù)充電發(fā)射單元160和雙通過晶體管預(yù)充電發(fā)射單元180的 兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路的一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)發(fā)射組包括大約一半 的預(yù)充電發(fā)射單元160和大約一半的雙通過晶體管預(yù)充電發(fā)射單元 180。發(fā)射組中的所有預(yù)充電發(fā)射單元160的數(shù)據(jù)選擇線170與該發(fā)射 組的預(yù)充電線電耦接。還有，發(fā)射組中的所有預(yù)充電發(fā)射單元180的預(yù) 充電通過晶體管186與該發(fā)射組的預(yù)充電線電耦接。第一時(shí)鐘與一些發(fā) 射組中的預(yù)充電發(fā)射單元180的所有的數(shù)據(jù)時(shí)鐘線190電耦接，第二時(shí) 鐘與其它發(fā)射組中的預(yù)充電發(fā)射單元180的所有數(shù)據(jù)時(shí)鐘線190電耦 接。第一時(shí)鐘在與第一時(shí)鐘耦接的發(fā)射組的預(yù)充電信號(hào)的每一個(gè)高電壓 脈沖的前半部分包括高電壓脈沖。第二時(shí)鐘在與第二時(shí)鐘耦接的發(fā)射組 的預(yù)充電信號(hào)的每一個(gè)高電壓脈沖的前半部分包括高電壓脈沖。這樣， 在一些發(fā)射組中，第一時(shí)鐘和預(yù)充電信號(hào)在預(yù)充電信號(hào)的每個(gè)高電壓脈 沖期間鎖存兩個(gè)數(shù)據(jù)位，在其它發(fā)射組中，第二時(shí)鐘和預(yù)充電信號(hào)在預(yù) 充電信號(hào)的每個(gè)高電壓脈沖期間鎖存兩個(gè)數(shù)據(jù)位。在使用預(yù)充電發(fā)射單 元160和雙通過晶體管預(yù)充電發(fā)射單元160的這個(gè)多倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單 元電路中，數(shù)據(jù)線對(duì)接收高電壓幅度預(yù)充電信號(hào)的發(fā)射組的鎖存數(shù)據(jù)線 節(jié)點(diǎn)充電。
在預(yù)充電發(fā)射單元180的操作中，數(shù)據(jù)線188接收數(shù)據(jù)信號(hào)~ DATAIN并通過在預(yù)充電信號(hào)中提供高電壓脈沖、通過預(yù)充電通過晶體管 186傳送到時(shí)鐘化數(shù)據(jù)鎖存晶體管184。時(shí)鐘化數(shù)據(jù)鎖存晶體管184通 過在數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)中的高電壓脈沖將數(shù)據(jù)傳給鎖存數(shù)據(jù)線182和鎖存數(shù) 據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容192。在數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)中的高電壓脈沖在預(yù)充電信號(hào)的 高電壓脈沖期間發(fā)生。
存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126利用預(yù)充電信號(hào)中的高電壓脈沖通過預(yù)充電晶體 管128預(yù)充電。時(shí)鐘化數(shù)據(jù)鎖存晶體管184是斷開的，以便在數(shù)據(jù)時(shí)鐘 信號(hào)中的高電壓脈沖從高電壓幅度轉(zhuǎn)為低電壓幅度時(shí)提供鎖存的數(shù)據(jù)
信號(hào)~ LDATAIN。在數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)處于高電壓幅度的同時(shí)提供鎖存到預(yù) 充電發(fā)射單元180的數(shù)據(jù)，并維持到數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)轉(zhuǎn)至低電壓幅度之后， 這發(fā)生在預(yù)充電信號(hào)的高電壓脈沖期間。相反，在選擇信號(hào)為高電壓幅 度時(shí)提供要鎖存到圖6的預(yù)充電發(fā)射單元120中的數(shù)據(jù)。
在預(yù)充電發(fā)射單元180的一個(gè)實(shí)施例中，在數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)中的高電 壓脈沖之后，在地址線144和146上提供地址信號(hào)~ ADDRESS1和~ ADDRESS2來設(shè)定第一地址晶體管138和笫二地址晶體管140的狀態(tài)。在選擇線134上提供高電壓脈沖來開通選擇晶體管130,如果數(shù)據(jù)晶體管 136、第一地址晶體管138和/或第二地址晶體管140是開通的，存儲(chǔ)節(jié) 點(diǎn)電容126就放電。可替換地，如果數(shù)據(jù)晶體管136、第一地址晶體管 138和第二地址晶體管140都是斷開的，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就保持充電。
如果兩個(gè)地址信號(hào) ADDRESS1和-ADDRESS2都為低，預(yù)充電發(fā)射 單元180就是被尋址的發(fā)射單元，如果鎖存數(shù)據(jù)信號(hào) LDATAIN為高， 存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就放電，或者如果鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)~LDATAIN為低，存 儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就保持充電。如果至少有一個(gè)地址信號(hào)~ ADDRESS1和~ ADDRESS2為高，預(yù)充電發(fā)射單元180就不是被尋址的發(fā)射單元，不管鎖 存數(shù)據(jù)信號(hào) LDATAIN的電壓幅度如何，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126都放電。第 一和第二地址晶體管136和138構(gòu)成地址解碼器，如果預(yù)充電發(fā)射單元 180被尋址，數(shù)據(jù)晶體管136就控制存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126上的電壓幅度。
圖15是是說明使用預(yù)充電發(fā)射單元160和雙通過晶體管預(yù)充電發(fā) 射單元180的兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路的一個(gè)實(shí)施例的操作的時(shí)序 圖。該兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路包括多個(gè)發(fā)射組，每個(gè)發(fā)射組包括大 約一半的預(yù)充電發(fā)射單元160和大約一半的雙通過晶體管預(yù)充電發(fā)射單 元180。
兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路包括第一發(fā)射組FG1 、第二發(fā)射組FG2、 第三發(fā)射組FG3和其它發(fā)射組直至發(fā)射組FGn。兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元 電路信號(hào)接收預(yù)充電/選擇信號(hào)SO、 Sl、 S2和其它預(yù)充電/選擇信號(hào)直 至Sn。第一發(fā)射組FG 1接收在700的信號(hào)SO作為預(yù)充電信號(hào)，接收在 702的信號(hào)Sl作為選擇信號(hào)。第二發(fā)射組FG2接收在702的信號(hào)Sl作 為預(yù)充電信號(hào)，接收在704的信號(hào)S2作為選擇信號(hào)。第三發(fā)射組FG3 接收在704的信號(hào)S2作為預(yù)充電信號(hào)，接收信號(hào)S3 (未示出)作為選 擇信號(hào)等等，直到接收信號(hào)Sn-1 (未示出)作為預(yù)充電信號(hào)和信號(hào)Sn(未 示出)作為選擇信號(hào)的發(fā)射組FGn。
兩倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電路通過第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘接收在706的第一數(shù) 據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK1，通過第二數(shù)據(jù)時(shí)鐘接收在708的第二數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào) DCLK2。第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘與諸如第一發(fā)射組FG1和第三發(fā)射組FG3的奇數(shù) 編號(hào)的發(fā)射組中的預(yù)充電發(fā)射單元180的全部數(shù)據(jù)時(shí)鐘線190電耦接。 第二數(shù)據(jù)時(shí)鐘與諸如第二發(fā)射組FG2和第四發(fā)射組FG4的偶數(shù)編號(hào)的發(fā) 射組中的預(yù)充電發(fā)射單元180的全部數(shù)據(jù)時(shí)鐘線190電耦接。 一個(gè)發(fā)射 組中的所有預(yù)充電發(fā)射單元160的數(shù)據(jù)選擇線170與該發(fā)射組的預(yù)充電線電耦接。另外， 一個(gè)發(fā)射組中的所有預(yù)充電發(fā)射單元180的預(yù)充電通 過晶體管186與該發(fā)射組的預(yù)充電線電耦接。
在706的第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK1在與第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘耦接的發(fā)射組 的預(yù)充電信號(hào)中的每一高電壓脈沖的前半部分包括高電壓脈沖，在708 的第二數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK2在與第二數(shù)據(jù)時(shí)鐘耦接的發(fā)射組的預(yù)充電信 號(hào)中的每一高電壓脈沖的前半部分包括高電壓脈沖。數(shù)據(jù)線提供在710 的數(shù)據(jù)信號(hào)~D1到~Dn，其中每一個(gè)數(shù)據(jù)線在預(yù)充電信號(hào)中的高電壓脈 沖的前半部分期間提供在710的數(shù)據(jù)信號(hào)-Dl到~Dn中的一個(gè)和第一 數(shù)據(jù)位，在預(yù)充電信號(hào)中的高電壓脈沖的后半部分期間提供第二數(shù)據(jù) 位。每個(gè)數(shù)據(jù)線與發(fā)射組FG1到FGn的每一個(gè)中的預(yù)充電發(fā)射單元160 和雙通過晶體管預(yù)充電發(fā)射單元180電耦接。
在奇數(shù)編號(hào)的發(fā)射組中，在706的第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK1和預(yù)充 電信號(hào)在預(yù)充電信號(hào)的每個(gè)高電壓脈沖期間鎖存兩個(gè)數(shù)據(jù)位。在偶數(shù)編 號(hào)的發(fā)射組中，在708的第二數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK2和預(yù)充電信號(hào)在預(yù)充 電信號(hào)的每一個(gè)高電壓脈沖期間鎖存兩個(gè)數(shù)據(jù)位。在使用預(yù)充電發(fā)射單 元160和雙通過晶體管預(yù)充電發(fā)射單元180的多倍數(shù)據(jù)速率發(fā)射單元電 路的其它實(shí)施例中，可以使用任何合適數(shù)目的數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)來在預(yù)充電 信號(hào)的高電壓脈沖的期間鎖存例如三個(gè)或更多數(shù)據(jù)位的多個(gè)數(shù)據(jù)位。
發(fā)射組FG1到FGn鎖存在710的數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl到~ Dn以提供用于 開通驅(qū)動(dòng)開關(guān)172來為選定的發(fā)射電阻器52供能的鎖存時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信 號(hào)和鎖存預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)。每個(gè)發(fā)射組接收包括為選定的發(fā)射電阻器52 供能的能量脈沖的發(fā)射信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，能量脈沖基本上是朝著 發(fā)射組的選擇信號(hào)中的高電壓脈沖的中間或尾部開始，來為發(fā)射組中的 選定的發(fā)射電阻器52供能。
第一發(fā)射組FG1鎖存在710的數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl到~ Dn以提供在712 的鎖存的第一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)FG1C和在714的鎖存的第一發(fā)射 組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)FG1P。第二發(fā)射組FG2鎖存在710的數(shù)據(jù)信號(hào) D1 到~ Dn以提供在716的鎖存的第二發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)FG2C和在718 的鎖存的第二發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)FG2P。第三發(fā)射組FG3鎖存在710 的數(shù)據(jù)信號(hào) D1到-Dn以提供在720的鎖存的第三發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù) 信號(hào)FG3C和在722的鎖存的笫三發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)FG3P。其它的 發(fā)射組也鎖存在710的數(shù)據(jù)信號(hào) D1到~Dn，以提供與發(fā)射組FG1到 FG3類似的鎖存時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)和鎖存預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)。
43在700的信號(hào)SO在第一發(fā)射組FG1的預(yù)充電信號(hào)中提供了在724 的高電壓脈沖。在位于724的高電壓脈沖的前半部分，在706的第一數(shù) 據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK1提供了在726的高電壓脈沖。在710的數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl 到~Dn包括在728的第一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)1C,它們傳過與第一 發(fā)射組FG1的預(yù)充電線耦接的預(yù)充電通過晶體管186和第一發(fā)射組FG1 中與第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘耦接的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)鎖存晶體管184,來提供在712的 鎖存的第一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)FG1C中的在730的第一發(fā)射組時(shí)鐘 化數(shù)據(jù)信號(hào)1C。在730的第一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)1C在高電壓脈沖 726轉(zhuǎn)到低邏輯電平時(shí)被鎖存。在728的第一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)1C 必須保持到高電壓脈沖726轉(zhuǎn)變到低于晶體管的閾值之后。
在位于724的高電壓脈沖的后半部分期間，在710的數(shù)據(jù)信號(hào)~D1 到~Dn包括在732的第一發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)1P。在732的第一發(fā) 射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)IP通過與第一發(fā)射組FG1的預(yù)充電線耦接的數(shù)據(jù) 鎖存晶體管162,來提供在714的鎖存的笫一發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào) FG1P中的在734的第一發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)1P。當(dāng)高電壓脈沖724 轉(zhuǎn)變到低的邏輯電平時(shí)，在734的第一發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)IP被鎖 存到第一發(fā)射組FG1中的預(yù)充電發(fā)射單元160中。在732的第一發(fā)射組 預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)IP必須保持到高電壓脈沖724轉(zhuǎn)變到低于晶體管的閾 值之后。
提供地址信號(hào)來選擇行子組，在702的信號(hào)Sl提供了在第一發(fā)射 組FG1的選擇信號(hào)和第二發(fā)射組FG2的預(yù)充電信號(hào)中的在736的高電壓 脈沖。在736的高電壓脈沖開通在第一發(fā)射組FG1的預(yù)充電發(fā)射單元160 中的選擇晶體管130和在預(yù)充電發(fā)射單元180中的選擇晶體管130。在 被尋址的行子組中，如果在712的鎖存的第一發(fā)射組數(shù)據(jù)FG1C和在714 的FG1P為高，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就放電，或者如果在712的鎖存的第 一發(fā)射組數(shù)據(jù)FG1C和在714的FG1P為低，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就保持充 電。在未尋址的行子組中，無論在712的鎖存的第一發(fā)射組數(shù)據(jù)FG1C 和在714的FG1P的電壓幅度是高是低，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126都放電。在 第 一發(fā)射組發(fā)射信號(hào)中提供了能量脈沖，以便為與尋址的行子組中的導(dǎo) 通驅(qū)動(dòng)開關(guān)172耦接的發(fā)射電阻器52供能。
在位于736的高電壓脈沖的前半部分，在708的第二數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào) DCLK2提供在738的高電壓脈沖。在710的數(shù)據(jù)信號(hào)~ Dl到~ Dn包括在 740的第二發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)2C,它們通過與第二發(fā)射組FG2的預(yù)充電線耦接的預(yù)充電通過晶體管186和第二發(fā)射組FG2中與第二數(shù)據(jù)時(shí) 鐘耦接的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)鎖存晶體管184，來提供在716的鎖存的第二發(fā)射 組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)FG2C中的在742的笫二發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)2C。 當(dāng)高電壓脈沖738轉(zhuǎn)變到低的邏輯電平時(shí)，在742的第二發(fā)射組時(shí)鐘化 數(shù)據(jù)信號(hào)2C被鎖存。在740的第二發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)2C必須保持 到高電壓脈沖7 3 8轉(zhuǎn)變到低于晶體管的閾值之后。
在位于736的高電壓脈沖的后半部分，在710的數(shù)據(jù)信號(hào)-D1到~ Dn包括在744的第二發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)2P。在744的笫二發(fā)射組 預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)2P通過與第二發(fā)射組FG2的預(yù)充電線耦接的數(shù)據(jù)鎖存 晶體管162,來提供在718的鎖存的第二發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)FG2P中 的在746的第二發(fā)射組數(shù)據(jù)信號(hào)2P。當(dāng)高電壓脈沖736轉(zhuǎn)變到低的邏輯 電平時(shí)，在746的第二發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)2P被鎖存到第二發(fā)射組 FG2中的預(yù)充電發(fā)射單元16G中。在744的第二發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào) 2P必須保持到高電壓脈沖736轉(zhuǎn)變到低于晶體管的閾值之后。
提供地址信號(hào)來選擇行子組，在704的信號(hào)S2在第二發(fā)射組FG2 的選擇信號(hào)和第三發(fā)射組FG3的預(yù)充電信號(hào)中提供了在7"的高電壓脈 沖。在748的高電壓脈沖開通了在第二發(fā)射組FG2的預(yù)充電發(fā)射單元160 中的選擇晶體管130和在笫二發(fā)射組FG2的預(yù)充電發(fā)射單元180中的選 擇晶體管130。在被尋址的行子組中，如果在716的鎖存的第二發(fā)射組 數(shù)據(jù)FG2C和在718的FG2P為高，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容126就放電，或者如果 在716的鎖存的第二發(fā)射組數(shù)據(jù)FG2C和在718的FG2P為低，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn) 電容126就保持充電。在未尋址的行子組中，無論在716的鎖存的第二 發(fā)射組數(shù)據(jù)FG2C和在718的FG2P的電壓幅度是高是低，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容 126都放電。在第一發(fā)射組發(fā)射信號(hào)中提供了能量脈沖，以便為與尋址 的行子組中的導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)開關(guān)172耦接的發(fā)射電阻器52供能。
在位于748的高電壓脈沖的前半部分，位于706的第一數(shù)據(jù)時(shí)鐘信 號(hào)DCLK1提供了在750的高電壓脈沖。這開通了奇數(shù)編號(hào)的發(fā)射組中的 時(shí)鐘化數(shù)據(jù)鎖存晶體管184,包括第一發(fā)射組FG1中的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)鎖存 晶體管184。當(dāng)?shù)谝话l(fā)射組FG1的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)鎖存晶體管184開通時(shí)， 在712的鎖存的第一發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)FG1C中的數(shù)據(jù)在752變?yōu)?不確定。
在710的數(shù)據(jù)信號(hào) D1到-Dn包括在754的第三發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù) 據(jù)信號(hào)3C，該第三發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)3C通過與笫三發(fā)射組FG3的預(yù)充電線耦接的預(yù)充電通過晶體管186和第三發(fā)射組FG3中與第一數(shù)據(jù) 時(shí)鐘耦接的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)鎖存晶體管184,來提供在720的鎖存的第三發(fā) 射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)FG3C中的在756的第三發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)3C。 當(dāng)高電壓脈沖750轉(zhuǎn)變到低的邏輯電平時(shí)，在756的第三發(fā)射組時(shí)鐘化 數(shù)據(jù)信號(hào)3C被鎖存。在754的第三發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)3C必須保持 到高電壓脈沖7 5 0轉(zhuǎn)變到低于晶體管的閾值之后。
在位于748的高電壓脈沖的后半部分，在710的數(shù)據(jù)信號(hào)~D1到~ Dn包括在758的第三發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)3P。在758的第三發(fā)射組 預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)3P通過與第三發(fā)射組FG3的預(yù)充電線耦接的數(shù)據(jù)鎖存 晶體管162,來提供在722的鎖存的第三發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)FG3P中 的在760的第三發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)3P。當(dāng)高電壓脈沖748轉(zhuǎn)變到低 的邏輯電平時(shí)，在760的第三發(fā)射組預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)3P被鎖存到第三 發(fā)射組FG3中的預(yù)充電發(fā)射單元160中。在758的第三發(fā)射組預(yù)充電數(shù) 據(jù)信號(hào)3P必須保持到高電壓脈沖748轉(zhuǎn)變到低于晶體管的閾值之后。
在信號(hào)S3 (未示出)中的高電壓脈沖的前半部分期間，在708的第 二數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)DCLK2提供了高電壓脈沖(在762標(biāo)示)。這開通了偶 數(shù)編號(hào)的發(fā)射組中的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)鎖存晶體管184,包括第二發(fā)射組FG2 中的時(shí)鐘化數(shù)據(jù)鎖存晶體管184。當(dāng)在第二發(fā)射組FG2中的時(shí)鐘化數(shù)據(jù) 鎖存晶體管184導(dǎo)通時(shí)，在716的鎖存的第二發(fā)射組時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào) FG2C中的數(shù)據(jù)在764變得不確定。這一進(jìn)程繼續(xù)進(jìn)行，直至并包括接收 信號(hào)Sn-1作為預(yù)充電信號(hào)和接收信號(hào)Sn作為選擇信號(hào)的發(fā)射組FGn。 然后，這一進(jìn)程從第一發(fā)射組FG1開始重復(fù)進(jìn)行，直到噴射液體完成為 止。
雖然本文圖示和說明了具體的實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解， 可以用各種替換和/或等同的實(shí)現(xiàn)來替代所示和所說明的具體實(shí)施例而 不偏離本發(fā)明的范圍。本申請(qǐng)旨在涵蓋這里討論的具體實(shí)施例的任何的 修改或變動(dòng)。因此，意在將本發(fā)明僅由權(quán)利要求及其等同物來限制。
權(quán)利要求
1.一種液體噴射裝置(22/40)，包括第一發(fā)射線(110a-110n/214a-214f)，適于傳導(dǎo)包括第一能量脈沖的第一能量信號(hào)；第二發(fā)射線(110a-110n/214a-214f)，適于傳導(dǎo)包括第二能量脈沖的第二能量信號(hào)；數(shù)據(jù)線(108a-108m/208a-208h)，適于傳導(dǎo)表示圖像的數(shù)據(jù)信號(hào)；鎖存電路(152，404/162/184，186)，配置為基于至少一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)鎖存所述數(shù)據(jù)信號(hào)，以提供鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào)；第一液滴生成器(60)，配置為響應(yīng)第一能量信號(hào)來基于鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào)噴射液體；和第二液滴生成器(60)，配置為響應(yīng)第二能量信號(hào)來基于鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào)噴射液體。
2. 如權(quán)利要求1所述的液體噴射裝置，其中第一能量脈沖中的一 個(gè)包括開始時(shí)間和結(jié)束時(shí)間，第二能量脈沖中的一個(gè)在所述開始時(shí)間和 所述結(jié)束時(shí)間之間啟動(dòng)。
3. 如權(quán)利要求1所述的液體噴射裝置，其中第一發(fā)射線與第二發(fā) 射線電絕緣。
4. 一種液體噴射裝置(22/40 ),包括發(fā)射線(124),適于傳導(dǎo)包括能量脈沖的能量信號(hào)；多個(gè)發(fā)射單元，其中該多個(gè)發(fā)射單元中的每一個(gè)發(fā)射單元 (150/160/180)包括發(fā)射電阻器(52);驅(qū)動(dòng)開關(guān)(172),配置為使發(fā)射電阻器能夠響應(yīng)能量信號(hào)； 第一數(shù)據(jù)開關(guān)(152/162/184 ),配置為接收表示圖像的數(shù)據(jù)信號(hào)并鎖存該數(shù)據(jù)信號(hào)以提供鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào)；和第二數(shù)據(jù)開關(guān)(136),配置為接收鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào)，并基于鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào)控制驅(qū)動(dòng)開關(guān)來使發(fā)射電阻器能夠響應(yīng)能量信號(hào)并加熱要噴射的液體。
5. 如權(quán)利要求4所述的液體噴射裝置，包括 數(shù)據(jù)線(422 ),適于傳導(dǎo)數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)信號(hào)；和 笫三數(shù)據(jù)開關(guān)(418a-418n),配置為接收數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)信號(hào)并鎖存數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)信號(hào)以提供時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)，其中該多個(gè)發(fā)射單元中的每一 個(gè)發(fā)射單元接收數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)信號(hào)和時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)中之一作為第一數(shù) 據(jù)開關(guān)接收的數(shù)據(jù)信號(hào)，該多個(gè)發(fā)射單元中的笫一部分接收數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù) 信號(hào)作為在第一數(shù)據(jù)開關(guān)處的數(shù)據(jù)信號(hào)，該多個(gè)發(fā)射單元中的第二部分 接收時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)作為在笫 一數(shù)據(jù)開關(guān)處的數(shù)據(jù)信號(hào)。
6. 如權(quán)利要求4所述的液體噴射裝置，其中該多個(gè)發(fā)射單元包括 第 一組發(fā)射單元，其中第 一數(shù)據(jù)開關(guān)配置為通過時(shí)鐘信號(hào)鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)；和第二組發(fā)射單元，其中第一數(shù)據(jù)開關(guān)配置為通過預(yù)充電信號(hào)鎖存數(shù) 據(jù)信號(hào)。
7. 如權(quán)利要求6所述的液體噴射裝置，其中第一組發(fā)射單元中的 發(fā)射單元的每一個(gè)包括第三數(shù)據(jù)開關(guān)(186),配置為基于預(yù)充電信號(hào)將數(shù)據(jù)信號(hào)傳遞給 第一數(shù)據(jù)開關(guān)。
8. —種操作液體噴射裝置(22/40 )的方法，包括 通過第一發(fā)射線(110a-110n/214a-2Mf )傳導(dǎo)包括第一能量脈沖的第一能量信號(hào)；通過第二發(fā)射線(110a-110n/214a-)傳導(dǎo)包括第二能量脈沖的第二能量信號(hào)；通過數(shù)據(jù)線(108-108m/208a-208h)傳導(dǎo)表示圖像的數(shù)據(jù)信號(hào)；基于至少一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)，以提供鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào)；響應(yīng)第一能量信號(hào)來基于鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào)噴射液體；和響應(yīng)第二能量信號(hào)來基于鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào)噴射液體。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)包括 通過第一時(shí)鐘信號(hào)鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)，以提供第一時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)；以及通過脈沖的充電控制信號(hào)鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)和第一時(shí)鐘化數(shù)據(jù)信號(hào)，以 提供鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào)。
10. 如權(quán)利要求8所述的方法，包括基于脈沖的充電控制信號(hào)，通過傳遞開關(guān)(186)傳遞數(shù)據(jù)信號(hào)。
全文摘要
一種液體噴射裝置(22/40)，包括第一發(fā)射線(110a-110n/214a-214f)、第二發(fā)射線(110a-110n/214a-214f)、數(shù)據(jù)線(108a-108m/208a-208h)、鎖存電路(152，404/162/184，186)、第一液滴生成器(60)和第二液滴生成器(60)。第一發(fā)射線適于傳導(dǎo)包括第一能量脈沖的第一能量信號(hào)，第二發(fā)射線適于傳導(dǎo)包括第二能量脈沖的第二能量信號(hào)。數(shù)據(jù)線適于傳導(dǎo)表示圖像的數(shù)據(jù)信號(hào)，鎖存電路配置為基于至少一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)以提供鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào)。第一液滴生成器配置為響應(yīng)第一能量信號(hào)來基于鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào)噴射液體，第二液滴生成器配置為響應(yīng)第二能量信號(hào)來基于鎖存的數(shù)據(jù)信號(hào)噴射液體。
文檔編號(hào)B41J2/05GK101600574SQ200680056896
公開日2009年12月9日 申請(qǐng)日期2006年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月30日
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