專利名稱：電鑄金屬結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種以電鑄工藝制作金屬結(jié)構(gòu)的技術(shù)，特別是關(guān)于一種 電鑄金屬結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
査電鑄金屬結(jié)構(gòu)經(jīng)常應(yīng)用于液體噴霧微細(xì)孔結(jié)構(gòu)、噴墨打印機(jī)的墨 盒、醫(yī)藥或美容藥水的噴霧器、及顏色染料墨水噴液器等。例如中國臺(tái)灣
專利公開第508271號(hào)的發(fā)明專利「液體噴霧裝置」，具有貯液部、振動(dòng)源、 篩孔構(gòu)件，以及多個(gè)微細(xì)微孔配置于振動(dòng)源的前端部端面，經(jīng)由振動(dòng)源及 篩孔構(gòu)件的振動(dòng)使貯部的液體霧化，篩孔構(gòu)件是以電鑄技術(shù)形成，而其為 具有微孔數(shù)組的電鑄金屬結(jié)構(gòu)。
公知具有微穿孔的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法有三(l)基板材以感應(yīng)耦 合電漿蝕刻制作微穿孔結(jié)構(gòu)；(2)聚酰亞胺高分子薄膜以激光鉆孔制作微穿 孔結(jié)構(gòu)；(3)利用圓柱狀的光阻凸塊結(jié)構(gòu)的電鑄方法制作微穿孔電鑄結(jié)構(gòu)。
而揭露于中國臺(tái)灣專利公開號(hào)第00583347號(hào)的電鑄模仁表面硬度提 升方法，是于玻璃基板的曲面微結(jié)構(gòu)表面形成金屬導(dǎo)電薄膜；將具有金屬 導(dǎo)電薄膜的基板置入化學(xué)鎳溶液中浸泡后，再以化學(xué)方式于導(dǎo)電薄膜上沉 積一層鎳金屬層；將沉積有金屬層的基板置入裝有電鑄液的電鑄槽中進(jìn)行 電鑄，以于沉積金屬層上形成一電鑄鎳層；將基板分離，即可取得由導(dǎo)電 薄膜、化學(xué)鎳層與電鑄鎳層共同形成的金屬模仁。
然而，揭示于中國臺(tái)灣公開第508271號(hào)發(fā)明專利篩孔構(gòu)件的各微細(xì) 穿孔的入液端與噴液端為不平滑的結(jié)構(gòu)，且其半徑的變化亦不為漸變的形式。因此液體由入液端經(jīng)微細(xì)穿孔自噴液端噴出時(shí)極易產(chǎn)生噴液不均的情 況，亦即不易掌其噴液情況及噴液效果的一致性。
又，上述專利并未揭示具有微穿孔數(shù)組電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作流程，致 使本領(lǐng)域技術(shù)人員不能得知其工藝方法。
再者，具有此類型微穿孔的電鑄金屬結(jié)構(gòu)或微凸起結(jié)構(gòu)的電鑄金屬結(jié) 構(gòu)易肇生的問題即是，當(dāng)沉積金屬層上形成金屬模仁后，于進(jìn)行金屬模仁 分離步驟時(shí)，由于金屬模仁與沉積金屬層之間的黏著性極佳，以公知的蝕 刻技術(shù)亦無法有效率使沉積金屬層被去除，而達(dá)到金屬模仁與基材分離的 目的。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種電鑄金屬結(jié)構(gòu)，其具有微穿孔結(jié)構(gòu)數(shù)組， 各微穿孔結(jié)構(gòu)具有一入液端與一噴液端且為平滑結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種制作上述電鑄金屬結(jié)構(gòu)的方法，揭示 制作具有微穿孔數(shù)組的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的方法。
本發(fā)明的又一 目的在于提供一種可將電鑄金屬結(jié)構(gòu)自基材分離的電 鑄金屬結(jié)構(gòu)制作方法，利用一第一蝕刻劑去除犧牲層后，續(xù)利用一第二蝕 刻劑去除與電鑄金屬層結(jié)合的沉積金屬層，以得到完整的電鑄金屬結(jié)構(gòu)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的電鑄金屬結(jié)構(gòu)，其具有一第一表面、 一第二表面與復(fù)數(shù)個(gè)微穿孔，各微穿孔于該第一表面具有一第一開孔孔 徑，且于該第二表面具有一第二開孔孔徑，其中，該第一開孔孔徑大于該 第二開孔孔徑，并且各微穿孔的孔徑是由該第一開孔孔徑漸縮變化至該第 二開孔孔徑。
所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)，其中，該第二表面還具有復(fù)數(shù)個(gè)凹部。 本發(fā)明提供的上述電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，包括下列步驟.，
(a)提供一基材；
9(b)于該基材的表面形成具有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞的沉積金屬層，且各孔洞具有 一預(yù)定寬度；
(C)以該沉積金屬層為電鑄起始區(qū)域，于該沉積金屬層的表面與該些孔 洞分界的側(cè)壁處形成一電鑄金屬層，且該電鑄金屬層形成于該些孔洞的孔 洞側(cè)壁處的沉積厚度小于該預(yù)定寬度的一半；
(d)使該電鑄金屬層與該沉積金屬層及該基材分離，形成一具有微穿孔 數(shù)組的電鑄金屬結(jié)構(gòu)。
所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(b)中，于該基材的表面
形成具有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞的沉積金屬層的方式包括下列步驟 (bl)于該基材的表面形成一沉積金屬層；
(b2)以一激光產(chǎn)生器發(fā)射激光束投射向該沉積金屬層的選定蝕刻區(qū)
域;
(b3)以該激光束在該沉積金屬層的選定蝕刻區(qū)域進(jìn)行蝕刻以形成復(fù)數(shù) 個(gè)具有一預(yù)定寬度的孔洞。
所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(b)中，于該基材的表面 形成具有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞的沉積金屬層的方式包括下列步驟
(bl)于該基材的表面形成一光阻層；
(b2)于該材料層的表面定義至少一待移除區(qū)；
(b3)去除該材料層的待移除區(qū)，使留存的材料層形成突出于該基材的 數(shù)組；
(b4)于該基材及該材料層的表面形成一沉積金屬層； (b5)去除該材料層以及該材料層表面的沉積金屬層。 所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(b)之后還包括一于該沉 積金屬層的表面形成一鈍化膜的步驟。
本發(fā)明提供的上述電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括下列步驟 (a)提供一具有預(yù)定圖型及復(fù)數(shù)個(gè)微孔區(qū)的導(dǎo)電基材；(b)以該導(dǎo)電基材為電鑄模板進(jìn)行電鑄工藝，以在該導(dǎo)電基材的表面形 成一電鑄金屬層；
(C)進(jìn)行脫膜程序，使該電鑄金屬層與該導(dǎo)電基材分離，而得到一具有 微穿孔數(shù)組的電鑄金屬結(jié)構(gòu)。
所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(a)中，該具有預(yù)定圖型
及復(fù)數(shù)個(gè)微孔區(qū)的導(dǎo)電基材的制作方式包括下列步驟
(al)提供一導(dǎo)電基材；
(a2)于該導(dǎo)電基材的表面形成一具有預(yù)定圖型的光阻層，該光阻層的 預(yù)定圖型具有至少一透光區(qū)與至少一阻光區(qū)；
(a3)以網(wǎng)版印刷蝕刻技術(shù)或黃光微影蝕刻技術(shù)通過該光阻層對(duì)該導(dǎo)電 基材進(jìn)行網(wǎng)版印刷蝕刻技術(shù)或黃光微影蝕刻工藝，以形成具有預(yù)定圖型及 復(fù)數(shù)個(gè)微孔區(qū)的導(dǎo)電基材；
(a4)將該光阻層予以去除。
所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(a)中，該具有預(yù)定圖型 及復(fù)數(shù)個(gè)微孔區(qū)的導(dǎo)電基材的制作方式包括下列步驟: (al)提供一導(dǎo)電基材；
(a2)在該導(dǎo)電基材選定欲執(zhí)行激光鉆孔的區(qū)域； (a3)以激光鉆孔的技術(shù)對(duì)該導(dǎo)電基材的選定區(qū)域進(jìn)行激光鉆孔。 所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(a)之后還包括一將該具
有預(yù)定圖型的導(dǎo)電基材固定于一不導(dǎo)電的絕緣基材上的步驟。
所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(a)之后還包括一于該導(dǎo)
電基材的頂面形成一鈍化膜的步驟。
本發(fā)明提供的上述電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括下列步驟
(a) 提供一基材；
(b) 以金屬沉積技術(shù)在該基材上沉積一層金屬薄膜；
(c) 在該金屬薄膜的表面形成一具有預(yù)定圖型的光阻層，該光阻層的預(yù)定圖型具有至少一透光區(qū)與阻光區(qū)；
(d) 以網(wǎng)版印刷蝕刻技術(shù)或黃光微影蝕刻技術(shù)通過該光阻層對(duì)該金屬 薄膜進(jìn)行網(wǎng)版印刷蝕刻技術(shù)或黃光微影蝕刻工藝，以形成具有預(yù)定圖型及 復(fù)數(shù)個(gè)微孔區(qū)的金屬薄膜；
(e) 將光阻層予以去除；
(f) 以該金屬薄膜為電鑄模板進(jìn)行電鑄工藝，以在該金屬薄膜的表面形 成一電鑄金屬層；
(g) 進(jìn)行脫膜程序，使該電鑄金屬層與該金屬薄膜分離，而得到一具有 微穿孔數(shù)組的電鑄金屬結(jié)構(gòu)。
所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(e)之后還包括一于該金 屬薄膜的表面形成一鈍化膜的步驟。
本發(fā)明提供的上述電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括下列步驟
(a) 提供一基材；
(b) 于該基材的表面形成一犧牲層；
(c) 于該犧牲層的表面形成一沉積金屬層；
(d) 于該沉積金屬層的表面定義至少一待移除區(qū)；
(e) 去除該沉積金屬層的待移除區(qū)，以于該犧牲層的表面形成具有復(fù)數(shù) 個(gè)孔洞的沉積金屬層，且各孔洞具有一預(yù)定寬度；
(f) 以該沉積金屬層為電鑄起始區(qū)域，于該沉積金屬層的表面及該沉積 金屬層的該些孔洞分界的側(cè)壁處形成一電鑄金屬層；
(g) 利用一選定的第一蝕刻劑去除該犧牲層；
(h) 利用一選定的第二蝕刻劑去除該沉積金屬層；
(i) 將該電鑄金屬層與該基材分離，形成一具有微穿孔數(shù)組的電鑄金屬 結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明提供的上述電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括下列步驟 (a)提供一基材；(b)于該基材的表面形成一犧牲層； (C)于該犧牲層的表面形成一沉積金屬層；
(d) 于該沉積金屬層的表面定義至少一待移除區(qū)；
(e) 在該沉積金屬層的表面形成復(fù)數(shù)個(gè)盲孔洞，各盲孔洞具有一預(yù)定寬 度及深度；
(f) 以該沉積金屬層為電鑄起始區(qū)域，于該沉積金屬層的表面及該盲孔 洞的表面形成一電鑄金屬層；
(g) 利用一選定的第一蝕刻劑去除該犧牲層；
(h) 利用一選定的第二蝕刻劑去除該沉積金屬層；
(i) 將該電鑄金屬層與該基材分離，形成具有微凸起結(jié)構(gòu)的電鑄金屬結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明提供的電鑄金屬結(jié)構(gòu)，還包括
一第一表面；
一第二表面；
復(fù)數(shù)個(gè)微穿孔，各微穿孔自該第一表面貫穿至該第二表面，各微穿孔 包括
一第一開孔，其開設(shè)于該第一表面，具有一第一開孔孔徑； 一第二開孔，其開設(shè)于該第二表面，具有一第二開孔孔徑； 一中間區(qū)段，其位于該第一開孔與該第二開孔間，并具有一微穿孔孔
徑，且該微穿孔孔徑小于該第一開孔孔徑與該第二開孔孔徑；
一漸縮區(qū)段，其自該第一開孔延伸至該中間區(qū)段，且其孔徑大小是自
該第一開孔孔徑漸小至該微穿孔孔徑；
一漸闊區(qū)段，其自該中間區(qū)段延伸至該第二開孔，且其孔徑大小是自
該微穿孔孔徑漸大至該第二開孔孔徑。
所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)，其中，該第二表面還具有復(fù)數(shù)個(gè)凹部。 本發(fā)明提供的上述電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，包括下列步驟
13(a) 提供一表面具有一沉積金屬層的基材，其具有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)，各 孔洞結(jié)構(gòu)具有一預(yù)定深度與一預(yù)定寬度，且該預(yù)定深度不小于該預(yù)定寬度 的二分之一；
(b) 以該沉積金屬層為電鑄起始層，于該沉積金屬層的表面及該側(cè)壁處 形成一電鑄金屬層，且其于側(cè)壁處的沉積厚度小于該孔洞結(jié)構(gòu)的預(yù)定寬度
的二分之一；
(c) 形成一具有微穿孔數(shù)組的電鑄金屬結(jié)構(gòu)。
所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(a)中，該具有一沉積金 屬層和復(fù)數(shù)個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的基材的制作方式包括下列步驟 (al)提供一基材；
(a2)于該基材的表面形成一沉積金屬層；
(a3)以一激光產(chǎn)生器發(fā)射激光束投射向該沉積金屬層的選定蝕刻區(qū)
域；
(a4)蝕刻該選定蝕刻區(qū)域的沉積金屬層及基材以形成復(fù)數(shù)個(gè)孔洞結(jié) 構(gòu)，各孔洞結(jié)構(gòu)具有一預(yù)定深度與一預(yù)定寬度，且該預(yù)定深度不小于該預(yù) 定寬度的二分之一。
所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(a)中，該具有一沉積金 屬層和復(fù)數(shù)個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的基材的制作方式包括下列步驟
(al)提供一基材，其系具有復(fù)數(shù)個(gè)開孔結(jié)構(gòu)，各開孔結(jié)構(gòu)具有一預(yù)定 深度與一預(yù)定寬度，且該預(yù)定深度不小于該預(yù)定寬度的二分之一；
(a2)于該基材的表面形成一沉積金屬層，該基材的開孔結(jié)構(gòu)的預(yù)定深 度加上該沉積金屬層的厚度等于該孔洞結(jié)構(gòu)的預(yù)定深度。
所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(a)之后還包括于該沉積 金屬層的表面形成一鈍化披覆層的步驟。
本發(fā)明與公知技術(shù)對(duì)照所具有的效果
相較于公知技術(shù)，本發(fā)明所提供的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的微穿孔，其開孔處及側(cè)壁處皆為平滑的結(jié)構(gòu)，實(shí)際應(yīng)用于噴液裝置時(shí)，可輕易達(dá)成噴液均勻 且掌握其噴液效果的一致性。
并且本發(fā)明有效改良了傳統(tǒng)電鑄金屬結(jié)構(gòu)無法有效率且完整地自基 材分離，而以第一蝕刻劑、第二蝕刻劑分別蝕刻犧牲層與沉積金屬層的方 法，即可有效率地得到一完整的電鑄金屬結(jié)構(gòu)。
圖1至圖6是本發(fā)明電鑄金屬結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的第一具體制作方法各 步驟的結(jié)構(gòu)示意圖7是本發(fā)明第一實(shí)施例的第一具體制作方法的流程圖； 圖8是本發(fā)明第一實(shí)施例的立體圖9至圖12是本發(fā)明第一實(shí)施例的第二具體制作方法的主要步驟的 結(jié)構(gòu)示意圖13至圖20是本發(fā)明第一實(shí)施例的第三具體制作方法各步驟的結(jié)構(gòu) 示意圖21是本發(fā)明第一實(shí)施例的第三具體制作方法的流程圖； 圖22至圖23是本發(fā)明第一實(shí)施例的第四具體制作方法的主要步驟的 結(jié)構(gòu)示意圖24至圖27是本發(fā)明第一實(shí)施例的第五具體制作方法的主要步驟的 結(jié)構(gòu)示意圖28是本發(fā)明第一實(shí)施例的第六具體制作方法的主要步驟的結(jié)構(gòu)示 意圖29至圖35是本發(fā)明第一實(shí)施例的第七具體制作方法各步驟的結(jié)構(gòu) 示意圖36是本發(fā)明第一實(shí)施例的第七具體制作方法的流程圖37至圖39是本發(fā)明第二實(shí)施例的具體制作方法的主要步驟的結(jié)構(gòu)示意圖40至圖43是本發(fā)明第三實(shí)施例的第一具體制作方法的主要步驟的 結(jié)構(gòu)示意圖44是本發(fā)明第三實(shí)施例的第一具體制作方法的流程圖； 圖45是系本發(fā)明第三實(shí)施例的第二具體制作方法的主要步驟的結(jié)構(gòu) 示意圖46是本發(fā)明第三實(shí)施例的第三具體制作方法的主要步驟的結(jié)構(gòu)示 意圖。
附圖中主要組件符號(hào)說明
1、 la、 lb導(dǎo)電基材
l'基材
IO絕緣基材
11基材
lla、 llb微孔區(qū)
12沉積金屬層
12a、 12b金屬薄膜
13孔洞
131孔洞側(cè)壁
14鈍化膜
14a鈍化披覆層
15、 15a、 15b電鑄金屬層
16、 16'蝕刻結(jié)構(gòu)
16a、 16b、 16c孔洞結(jié)構(gòu)
161側(cè)壁
2光罩
21、 21a透光區(qū)22、 22a阻光區(qū)
3、 3a電鑄金屬結(jié)構(gòu)
31、 31a第一表面 311第一開孔 312第二開孔 313中間區(qū)段 314漸縮區(qū)段 315漸闊區(qū)段
32、 32a第二表面 33微穿孔結(jié)構(gòu) 33a微穿孔
331第一開孔
332第二開孔
34凹部
4材料層
4a、 4b光阻層
5犧牲層
6盲孔洞
7凹部
d蝕刻深度
H、 h'預(yù)定高度
h"預(yù)定深度
L激光束
L'剝除激光束
s待移除區(qū)
t沉積厚度W、 W'、 W"預(yù)定寬度
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明為解決公知技術(shù)問題所采用的技術(shù)手段是首先提供一基材，接 著于基材的表面形成一犧牲層，然后于犧牲層的表面形成一沉積金屬層， 且于沉積金屬層的表面定義至少一待移除區(qū)，再去除沉積金屬層的待移除 區(qū)，以于犧牲層的表面形成具有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞的沉積金屬層，各孔洞具有一 預(yù)定寬度。然后以沉積金屬層為電鑄起始區(qū)域，于沉積金屬層的表面及沉 積金屬層的孔洞分界的側(cè)壁處形成一電鑄金屬層，接著利用一選定的第一 蝕刻劑去除犧牲層，而后再利用一選定的第二蝕刻劑去除沉積金屬層，最 后將電鑄金屬層與基材分離，形成一具有微穿孔數(shù)組的電鑄金屬結(jié)構(gòu)，其 具有一第一表面、 一第二表面與復(fù)數(shù)個(gè)微穿孔，各微穿孔于第一表面具有 一第一開孔孔徑，且于第二表面具有一第二開孔孔徑，其中，第一開孔孔 徑大于第二開孔孔徑，并且各微穿孔的孔徑是由第一開孔孔徑漸縮變化至 第二開孔孔徑，而為平滑的結(jié)構(gòu)。
參閱圖1至圖7所示，首先提供一基材11作為基底(步驟101)，基材
ll可為玻璃基板、硅基板等硬質(zhì)基板，亦可為高分子基板等軟質(zhì)基板。
如圖2所示，于基材11表面形成一沉積金屬層12(步驟102)，而形成 的方法可為物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積等技術(shù)。
如圖3所示，以激光產(chǎn)生器發(fā)射一激光束L(步驟103)，并以一光罩2 對(duì)激光束L進(jìn)行調(diào)制(步驟104)，而光罩2具有至少一透光區(qū)21與至少一 阻光區(qū)22，穿通過透光區(qū)21的激光束L即形成剝除激光束L'。本方法艮卩 以剝除激光束L'投射向沉積金屬層12的選定蝕刻區(qū)域(步驟105)，并以剝 除激光束L'在沉積金屬層12的選定蝕刻區(qū)域進(jìn)行蝕刻以形成復(fù)數(shù)個(gè)具有 一預(yù)定寬度w的孔洞13(步驟106)。
如圖4所示，進(jìn)行鈍化工藝使沉積金屬層12的各表面形成一鈍化膜14(步驟107)。
再如圖5所示，將沉積金屬層12通以電流，并以鈍化膜14為電鑄起 始區(qū)域，于鈍化膜14表面形成一電鑄金屬層15(步驟108)，且電鑄金屬層 15亦形成于孔洞13的孔洞側(cè)壁131。由于基材11為不導(dǎo)電材料所制成， 故電鑄金屬層15僅由導(dǎo)電的鈍化膜14沉積。本方法并控制電鑄金屬層15 的成長量，使電鑄金屬層15形成于孔洞13的孔洞側(cè)壁131的沉積厚度t， 小于預(yù)定寬度w的一半(步驟109)。
如圖6所示，本方法使電鑄金屬層15與沉積金屬層12及基材11分 離(步驟110)，而形成具有微穿孔數(shù)組的電鑄金屬結(jié)構(gòu)3(步驟111)。
如圖8所示，電鑄金屬層15形成的電鑄金屬結(jié)構(gòu)3具有一第一表面 31與一第二表面32，電鑄金屬結(jié)構(gòu)3并具有復(fù)數(shù)個(gè)微穿孔結(jié)構(gòu)33，其中 微穿孔結(jié)構(gòu)33于第一表面31具有一第一開孔331，其具有一第一開孔半 徑，而微穿孔結(jié)構(gòu)33位于第二表面32具有一第二開孔332，其具有一第 二開孔半徑。
第一開孔半徑大于第二開孔半徑，并且微穿孔結(jié)構(gòu)33的半徑是由第 一開孔半徑漸縮變化至第二開孔半徑，亦即微穿孔結(jié)構(gòu)33為平滑的結(jié)構(gòu)。 另外，第二表面32具有復(fù)數(shù)個(gè)凹部34，其伴隨本發(fā)明電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制 作方法，并依據(jù)沉積金屬層12的厚度而產(chǎn)生。
本方法于實(shí)際應(yīng)用時(shí)，除可使用光罩式激光產(chǎn)生器，亦可使用直寫式 激光產(chǎn)生器。而激光產(chǎn)生器的激光束發(fā)射方式，可為連續(xù)式激光，亦可為 脈沖式激光。
參閱圖9至圖12,為本發(fā)明第一實(shí)施例的第二具體制作方法的主要步 驟的結(jié)構(gòu)示意圖，因其大致上與前述第一具體制作方法相同，故相同構(gòu)件 乃標(biāo)示以相同的組件編號(hào)，以資對(duì)應(yīng)。
如圖9所示，在提供一基材ll后，于基材11表面形成一材料層4。 本發(fā)明于實(shí)際應(yīng)用中，材料層4可為高分子材制成的光阻層，而形成材料層4的方式可為旋轉(zhuǎn)涂布法或浸漬法。
如圖10所示，以黃光微影技術(shù)通過光罩2對(duì)材料層4進(jìn)行曝光后，
去除透光區(qū)21底下材料層4的曝光區(qū)域，而保留阻光區(qū)22底下材料層4 的未曝光區(qū)域，使留存的材料層4形成突出于基材1的數(shù)組。
如圖11所示，于基材11及材料層4表面形成一沉積金屬層12。如圖 12所示，去除材料層4且同時(shí)去除形成于材料層4表面的沉積金屬層12， 而保留形成于基材11上的沉積金屬層12，以于基材11表面形成具有復(fù)數(shù) 個(gè)孔洞13的沉積金屬層12，且各孔洞13具有一預(yù)定寬度w。其余步驟則 同圖4至圖6。
請(qǐng)參閱圖13至圖21所示，其揭示本發(fā)明第一實(shí)施例的第三具體制作 方法。
如圖13所示，首先提供一導(dǎo)電基材1(步驟201)。導(dǎo)電基材1可為厚 度厚達(dá)數(shù)公分的板狀結(jié)構(gòu)或厚度薄達(dá)數(shù)納米的薄膜結(jié)構(gòu)。
如圖14所示，于導(dǎo)電基材1表面采以網(wǎng)版印刷技術(shù)或黃光微影蝕刻 技術(shù)而形成一具有預(yù)定圖型的光阻層4a(步驟202)，亦即光阻層4a具有透 光區(qū)21a與阻光區(qū)22a。再者，在導(dǎo)電基材1另一表面(底面)亦形成有一光 阻層4b。前述光阻層4a、 4b可以是干膜光阻或液型光阻或耐蝕刻藥水的 化學(xué)材料，如油墨或有機(jī)或無機(jī)蝕刻藥水阻蝕劑。
如圖15所示，接著以PCB產(chǎn)業(yè)采網(wǎng)版印刷蝕刻技術(shù)或半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的 黃光微影蝕刻技術(shù)通過光阻層4a對(duì)導(dǎo)電基材1進(jìn)行蝕刻工藝(步驟203)后， 使光阻層4a的透光區(qū)2la底下的導(dǎo)電基材1受到蝕刻，而形成了一具有 預(yù)定圖型的導(dǎo)龜基材la(如圖16所示)(步驟204)。之后即可將光阻層4a 與光阻層4b予以去除(步驟205)。在導(dǎo)電基材la的結(jié)構(gòu)中形成復(fù)數(shù)個(gè)微 孔區(qū)lla。
如圖17所示，將具有預(yù)定圖型的導(dǎo)電基材la固定于一不導(dǎo)電的絕緣 基材10上(步驟206)，再如圖18所示，于導(dǎo)電基材la表面形成一鈍化膜14(步驟207)，再如圖19所示，以導(dǎo)電基材la為電鑄模板進(jìn)行電鑄工藝， 使導(dǎo)電基材la(即指鈍化膜14)表面與側(cè)壁形成一電鑄金屬層15(步驟20S)。 亦即，電鑄金屬層15是呈一具有復(fù)數(shù)個(gè)微孔的微結(jié)構(gòu)。
如圖20所示，接著即可進(jìn)行脫膜程序，使電鑄金屬層15與導(dǎo)電基材 1分離(步驟209)，而得到一具有微孔數(shù)組的電鑄金屬結(jié)構(gòu)3(步驟210)。
參閱圖22至圖23，是本發(fā)明第一實(shí)施例的第四具體制作方法的主要 步驟的結(jié)構(gòu)示意圖，因其大致上與前述第三具體制作方法相同，故相同構(gòu) 件乃標(biāo)示以相同的組件編號(hào)，以資對(duì)應(yīng)。
如圖22所示，在提供一導(dǎo)電基材1后，在導(dǎo)電基材1選定欲執(zhí)行激 光鉆孔或切割的區(qū)域，以激光鉆孔或切割技術(shù)對(duì)導(dǎo)電基材1的選定區(qū)域進(jìn) 行激光鉆孔或切割，以在導(dǎo)電基材1形成一具有預(yù)定圖型及復(fù)數(shù)個(gè)微孔區(qū) lla的導(dǎo)電基材lb(如圖23所示)。后續(xù)步驟即與圖17至圖20所示的結(jié)構(gòu) 示意圖相同。
參閱圖24至圖27，此一實(shí)施例是以金屬沉積技術(shù)以及以印刷電路板 產(chǎn)業(yè)，采網(wǎng)版印刷蝕刻技術(shù)或半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的黃光微影蝕刻技術(shù)，在基材形 成一具有預(yù)定圖型及復(fù)數(shù)個(gè)微孔區(qū)。如圖24所示，亦首先提供一基材11， 接著在基材11上以金屬沉積技術(shù)在基材11上沉積一層金屬薄膜12a。然 后如圖25所示，在金屬薄膜12a表面形成一具有預(yù)定圖型的光阻層4a， 亦即光阻層4a具有透光區(qū)21a與阻光區(qū)22a。
如圖26所示，以網(wǎng)版印刷蝕刻技術(shù)或黃光微影蝕刻技術(shù)通過光阻層 4a對(duì)金屬薄膜12a進(jìn)行網(wǎng)版印刷蝕刻技術(shù)或黃光微影蝕刻工藝，使光阻層 4a的透光區(qū)21a底下的金屬薄膜12a受到蝕刻，而形成一具有預(yù)定圖型的 金屬薄膜12b。如圖27所示，將光阻層4a予以去除，后續(xù)步驟與圖17至 圖20相同。
參閱圖28，是本發(fā)明第一實(shí)施例的第六具體制作方法的主要步驟的結(jié) 構(gòu)示意圖，因其大致上與前述第五具體制作方法相同，故相同構(gòu)件乃標(biāo)示
21以相同的組件編號(hào)，以資對(duì)應(yīng)。同樣提供一基材ll并在基材ll上沉積一 層金屬薄膜12a。接著在基材11選定欲執(zhí)行激光鉆孔或切割的區(qū)域，然后 以激光鉆孔或切割技術(shù)對(duì)基材11的選定區(qū)域進(jìn)行激光鉆孔或切割，而形
成了一具有預(yù)定圖型的金屬薄膜，其結(jié)構(gòu)如圖16，接下來的步驟即與圖 17至圖20相同。
參閱圖29至圖36所示，其揭示本發(fā)明第一實(shí)施例的第七具體制作方法。
如圖29所示，首先提供一基材11(步驟301)，然后，于基材ll表面 形成一犧牲層5(步驟302)。如圖30所示，于犧牲層5表面形成一沉積金 屬層12(步驟303)。
如圖31所示，于沉積金屬層12表面定義至少一待移除區(qū)s(步驟304)， 并以激光產(chǎn)生器(未示)發(fā)射一激光束L，并且以一光罩2對(duì)激光束L進(jìn)行 調(diào)制，而光罩2具有至少一透光區(qū)21與至少一阻光區(qū)22，穿通過透光區(qū) 21的激光束L即形成剝除激光束L'。本法即以剝除激光束L'投射向沉積 金屬層12的待移除區(qū)s，以去除沉積金屬層12的待移除區(qū)s(步驟305)。
如圖32所示，即形成一具有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞13的沉積金屬層12(步驟
306) ，且各孔洞13具有一預(yù)定寬度。在圖31中，沉積金屬層12亦可使用 公知的半導(dǎo)體或印刷電路板產(chǎn)業(yè)的黃光微影工藝以及蝕刻工藝，加以制造 出一具有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞13的沉積金屬層12。
如圖33所示，由沉積金屬層12進(jìn)行電鑄工藝，以在沉積金屬層12 表面及沉積金屬層12的各個(gè)孔洞13的側(cè)壁形成一電鑄金屬層15(步驟
307) 。
如圖34所示，由一選定的第一蝕刻劑去除犧牲層5(步驟30S)，而保 留電鑄金屬層15與沉積金屬層12。如圖35所示，由一選定的第二蝕刻劑 去除沉積金屬層12(步驟309)，即可使電鑄金屬層15與基材11完全分離， 而形成具有微穿孔的電鑄金屬結(jié)構(gòu)(步驟310)。參閱圖37至圖39，是本發(fā)明第二實(shí)施例的具體制作方法的主要步驟 的結(jié)構(gòu)示意圖，因其大致上與前述第一實(shí)施例的第七具體制作方法相同，
故相同構(gòu)件乃標(biāo)示以相同的組件編號(hào)，以資對(duì)應(yīng)。如圖37所示，亦首先 提供一基材11，然后于基材11表面形成一犧牲層5，以及于犧牲層5表 面形成一沉積金屬層12。
之后，在沉積金屬層12表面定義至少一待移除區(qū)，并以激光光技術(shù) 配合光罩或以半導(dǎo)體或印刷電路板產(chǎn)業(yè)的黃光微影工藝以及蝕刻工藝，在 沉積金屬層12表面形成復(fù)數(shù)個(gè)盲孔洞6，各盲孔洞6具有一預(yù)定寬度及深 度。
如圖38所示，由沉積金屬層12上所形成的微凹部進(jìn)行電鑄工藝，以 在沉積金屬層12表面及盲孔洞6表面形成一電鑄金屬層15a。然后，即可 由選定的第一蝕刻劑去除犧牲層5以及由選定的第二蝕刻劑去除沉積金屬 層12，使電鑄金屬層15a與基材11完全分離，而形成具有微凸起結(jié)構(gòu)的 電鑄金屬結(jié)構(gòu)，如圖39所示。
請(qǐng)參閱圖40至圖44所示，是本發(fā)明第三實(shí)施例的第一具體制作方法。
首先提供一基材11(步驟401)。于基材11表面形成一沉積金屬層12(步 驟402)?；?1加上沉積金屬層12具有一預(yù)定高度h。
通過一光罩(圖中未示)(步驟403)，并且以一激光產(chǎn)生器(圖中未示)發(fā) 射一激光束L(步驟404)，激光束L通過光罩投射向定義于沉積金屬層12 的選定蝕刻區(qū)域(步驟405)，并且蝕刻選定蝕刻區(qū)域底下的沉積金屬層12 及基材ll(步驟406)，形成如圖40所示的具有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)16a的蝕刻 結(jié)構(gòu)16(步驟407)。并且，孔洞結(jié)構(gòu)16a具有一預(yù)定寬度w，其中預(yù)定寬 度w的二分之一不大于基材11加上沉積金屬層12的預(yù)定高度h。
如圖41所示，進(jìn)行鈍化工藝于沉積金屬層12的各表面(除與基材11 的接觸面外)形成一鈍化披覆層14a(步驟408)，再如圖42所示，以沉積金 屬層12為電鑄起始區(qū)段，于沉積金屬層12(即鈍化披覆層14a的各表面)形成一電鑄金屬層15b(步驟409)。由于基材11為不導(dǎo)電材料所制成，故 電鑄金屬層15b僅由導(dǎo)電的鈍化披覆層14a沉積。
并且，控制電鑄金屬層15b的成長量，使電鑄金屬層15b形成于孔洞 結(jié)構(gòu)16a的側(cè)壁161處的沉積厚度t，小于預(yù)定寬度w的二分之一(步驟 410)。由于沉積厚度t小于預(yù)定寬度w的二分之一，故于電鑄金屬層15b 形成具有復(fù)數(shù)個(gè)微穿孔33a的電鑄金屬結(jié)構(gòu)3a(步驟411)。
如圖43所示，迸行脫模工藝將電鑄金屬結(jié)構(gòu)3a與鈍化披覆層14a及 基材11脫離(步驟412)，形成本發(fā)明電鑄金屬結(jié)構(gòu)3a(步驟413)，電鑄金 屬結(jié)構(gòu)3a可作為微穿孔噴嘴結(jié)構(gòu)。
電鑄金屬結(jié)構(gòu)3a具有一第一表面31a與一第二表面32a，電鑄金屬結(jié) 構(gòu)3a并具有復(fù)數(shù)個(gè)微穿孔33a，其中微穿孔33a位于第一表面31a各具有 一第一開孔311，各第一開孔311具有一第一開孔孔徑，而微穿孔33a位 于第二表面32a各具有一第二開孔312,各第二開孔312具有一第二開孔 孔徑。另外，微穿孔33a各具有一中間區(qū)段313，其大略位于第一表面31a 與第二表面32a的中段部位，且具有一微穿孔孔徑。并且，第二表面32a 具有復(fù)數(shù)個(gè)凹部7。
微穿孔33a還各具有一漸縮區(qū)段314與一漸闊區(qū)段315，各漸縮區(qū)段 314是自第一開孔311延伸至中間區(qū)段313，而各漸闊區(qū)段315是自中間 區(qū)段313延伸至第二開孔312。且各漸縮區(qū)段314的孔徑變化是自第一開 孔311漸縮至微穿孔33a的中間區(qū)段313(即自第一開孔孔徑漸縮小至微穿 孔孔徑)，而各漸闊區(qū)段315的孔徑變化是自微穿孔33a的中間區(qū)段313 漸闊至第二開孔312(即自微穿孔孔徑漸闊大至第二開孔孔徑)，亦即微穿 孔33a為平滑的結(jié)構(gòu)。
參閱圖45，是本發(fā)明第三實(shí)施例的第二具體制作方法的主要步驟的結(jié) 構(gòu)示意圖，因其大致上與前述第三實(shí)施例的第一具體制作方法相同，故相 同構(gòu)件乃標(biāo)示以相同的組件編號(hào)，以資對(duì)應(yīng)。同樣如圖40所示的步驟406
24中以激光束L蝕刻沉積金屬層12及基材11 ，而形成如圖45所示的具有復(fù)
數(shù)個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)16b的蝕刻結(jié)構(gòu)16'。如圖45所示，孔洞結(jié)構(gòu)16b不為貫穿 基材11的孔洞，且具有一蝕刻深度d(可知蝕刻深度d必小于基材11加上 沉積金屬層12的預(yù)定高度h)，并且，蝕刻深度d不小于孔洞結(jié)構(gòu)16b的 預(yù)定寬度w，的二分之一。其余步驟則同圖41至圖43。
參閱圖46，是本發(fā)明第三實(shí)施例的第三具體制作方法的主要步驟的結(jié) 構(gòu)示意圖。
首先提供一基材l'，其具有一預(yù)定高度h'。基材l'并具有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞 結(jié)構(gòu)16c，其具有一預(yù)定深度h"與一預(yù)定寬度w"，且預(yù)定寬度w"的二分 之一不大于預(yù)定深度h"。孔洞結(jié)構(gòu)16c可貫穿基材l'(即預(yù)定深度h"等于 基材l'的預(yù)定高度h')，如圖46所示。另外，孔洞結(jié)構(gòu)16c亦可不貫穿基
材r(即預(yù)定深度h"小于基材r的預(yù)定高度h，，而未示于圖中)。本法以如
圖46所示的孔洞結(jié)構(gòu)16c貫穿基材l'為例揭示后續(xù)工藝。
另外，本法于實(shí)際應(yīng)用時(shí)，基材r可為硅基板、玻璃基板，亦可為高 分子材基板。而制作具有孔洞結(jié)構(gòu)i6c的基材r的方法，是可以激光蝕刻 工藝進(jìn)行基材r的孔洞蝕刻、或者利用曝光顯影技術(shù)定義孔洞蝕刻區(qū)域， 輔以干式蝕刻或濕式蝕刻工藝進(jìn)行基材r的孔洞蝕刻。另外，亦可以微結(jié) 構(gòu)模仁射出成型、熱壓成型及鑄造等不同的模造工藝，直接制作具有孔洞 結(jié)構(gòu)i6c的基材r。
接著于基材r表面形成一沉積金屬層，而成為如圖40所示的結(jié)構(gòu)，
其余步驟則同圖41至圖43。
權(quán)利要求
1、一種電鑄金屬結(jié)構(gòu)，其具有一第一表面、一第二表面與復(fù)數(shù)個(gè)微穿孔，各微穿孔于該第一表面具有一第一開孔孔徑，且于該第二表面具有一第二開孔孔徑，其中，該第一開孔孔徑大于該第二開孔孔徑，并且各微穿孔的孔徑是由該第一開孔孔徑漸縮變化至該第二開孔孔徑。
2、 如權(quán)利要求1所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)，其中，該第二表面還具有復(fù)數(shù)個(gè)凹部。
3、 一種電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，包括下列步驟(a) 提供一基材；(b) 于該基材的表面形成具有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞的沉積金屬層，且各孔洞具有 一預(yù)定寬度；(c) 以該沉積金屬層為電鑄起始區(qū)域，于該沉積金屬層的表面與該些孔 洞分界的側(cè)壁處形成一電鑄金屬層，且該電鑄金屬層形成于該些孔洞的孔 洞側(cè)壁處的沉積厚度小于該預(yù)定寬度的一半；(d) 使該電鑄金屬層與該沉積金屬層及該基材分離，形成一具有微穿孔 數(shù)組的電鑄金屬結(jié)構(gòu)。
4、 如權(quán)利要求3所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(b)中，于該基材的表面形成具有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞的沉積金屬層的方式包括下列步驟 (bl)于該基材的表面形成一沉積金屬層；(b2)以一激光產(chǎn)生器發(fā)射激光束投射向該沉積金屬層的選定蝕刻區(qū)域；(b3)以該激光束在該沉積金屬層的選定蝕刻區(qū)域進(jìn)行蝕刻以形成復(fù)數(shù) 個(gè)具有一預(yù)定寬度的孔洞。
5、 如權(quán)利要求3所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(b)中， 于該基材的表面形成具有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞的沉積金屬層的方式包括下列步驟(bl)于該基材的表面形成一光阻層； (b2)于該材料層的表面定義至少一待移除區(qū)；(b3)去除該材料層的待移除區(qū)，使留存的材料層形成突出于該基材的 數(shù)組；(b4)于該基材及該材料層的表面形成一沉積金屬層；(b5)去除該材料層以及該材料層表面的沉積金屬層。
6、 如權(quán)利要求3所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(b)之后還包括一于該沉積金屬層的表面形成一鈍化膜的步驟。
7、 一種電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，包括下列步驟(a) 提供一具有預(yù)定圖型及復(fù)數(shù)個(gè)微孔區(qū)的導(dǎo)電基材；(b) 以該導(dǎo)電基材為電鑄模板進(jìn)行電鑄工藝，以在該導(dǎo)電基材的表面形成一電鑄金屬層；(c) 進(jìn)行脫膜程序，使該電鑄金屬層與該導(dǎo)電基材分離，而得到一具有微穿孔數(shù)組的電鑄金屬結(jié)構(gòu)。
8、 如權(quán)利要求7所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(a)中， 該具有預(yù)定圖型及復(fù)數(shù)個(gè)微孔區(qū)的導(dǎo)電基材的制作方式包括下列步驟(al)提供一導(dǎo)電基材；(a2)于該導(dǎo)電基材的表面形成一具有預(yù)定圖型的光阻層，該光阻層的 預(yù)定圖型具有至少一透光區(qū)與至少一阻光區(qū)；(a3)以網(wǎng)版印刷蝕刻技術(shù)或黃光微影蝕刻技術(shù)通過該光阻層對(duì)該導(dǎo)電 基材進(jìn)行網(wǎng)版印刷蝕刻技術(shù)或黃光微影蝕刻工藝，以形成具有預(yù)定圖型及 復(fù)數(shù)個(gè)微孔區(qū)的導(dǎo)電基材；(a4)將該光阻層予以去除。
9、 如權(quán)利要求7所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(a)中， 該具有預(yù)定圖型及復(fù)數(shù)個(gè)微孔區(qū)的導(dǎo)電基材的制作方式包括下列步驟(al)提供一導(dǎo)電基材；(a2)在該導(dǎo)電基材選定欲執(zhí)行激光鉆孔的區(qū)域； (a3)以激光鉆孔的技術(shù)對(duì)該導(dǎo)電基材的選定區(qū)域進(jìn)行激光鉆孔。
10、 如權(quán)利要求7所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(a) 之后還包括一將該具有預(yù)定圖型的導(dǎo)電基材固定于一不導(dǎo)電的絕緣基材 上的步驟。
11、 如權(quán)利要求7所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(a) 之后還包括一于該導(dǎo)電基材的頂面形成一鈍化膜的步驟。
12、 一種電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，包括下列步驟(a) 提供一基材；(b) 以金屬沉積技術(shù)在該基材上沉積一層金屬薄膜；(c) 在該金屬薄膜的表面形成一具有預(yù)定圖型的光阻層，該光阻層的預(yù) 定圖型具有至少一透光區(qū)與阻光區(qū)；(d) 以網(wǎng)版印刷蝕刻技術(shù)或黃光微影蝕刻技術(shù)通過該光阻層對(duì)該金屬 薄膜進(jìn)行網(wǎng)版印刷蝕刻技術(shù)或黃光微影蝕刻工藝，以形成具有預(yù)定圖型及 復(fù)數(shù)個(gè)微孔區(qū)的金屬薄膜；(e) 將光阻層予以去除；(f) 以該金屬薄膜為電鑄模板進(jìn)行電鑄工藝，以在該金屬薄膜的表面形 成一電鑄金屬層；(g) 進(jìn)行脫膜程序，使該電鑄金屬層與該金屬薄膜分離，而得到一具有 微穿孔數(shù)組的電鑄金屬結(jié)構(gòu)。
13、 如權(quán)利要求12所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(e) 之后還包括一于該金屬薄膜的表面形成一鈍化膜的步驟。
14、 一種電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，包括下列步驟(a) 提供一基材；(b) 于該基材的表面形成一犧牲層；(c) 于該犧牲層的表面形成一沉積金屬層；(d) 于該沉積金屬層的表面定義至少一待移除區(qū)；(e) 去除該沉積金屬層的待移除區(qū)，以于該犧牲層的表面形成具有復(fù)數(shù) 個(gè)孔洞的沉積金屬層，且各孔洞具有一預(yù)定寬度；(f) 以該沉積金屬層為電鑄起始區(qū)域，于該沉積金屬層的表面及該沉積金屬層的該些孔洞分界的側(cè)壁處形成一電鑄金屬層；(g) 利用一選定的第一蝕刻劑去除該犧牲層；(h) 利用一選定的第二蝕刻劑去除該沉積金屬層；(i) 將該電鑄金屬層與該基材分離，形成一具有微穿孔數(shù)組的電鑄金屬 結(jié)構(gòu)。
15、 一種電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，包括下列步驟(a) 提供一基材；(b) 于該基材的表面形成一犧牲層；(c) 于該犧牲層的表面形成一沉積金屬層；(d) 于該沉積金屬層的表面定義至少一待移除區(qū)；(e) 在該沉積金屬層的表面形成復(fù)數(shù)個(gè)盲孔洞，各盲孔洞具有一預(yù)定寬 度及深度；(f) 以該沉積金屬層為電鑄起始區(qū)域，于該沉積金屬層的表面及該盲孔 洞的表面形成一電鑄金屬層；(g) 利用一選定的第一蝕刻劑去除該犧牲層；(h) 利用一選定的第二蝕刻劑去除該沉積金屬層；(i) 將該電鑄金屬層與該基材分離，形成具有微凸起結(jié)構(gòu)的電鑄金屬結(jié)構(gòu)。
16、 一種電鑄金屬結(jié)構(gòu)，包括-一第一表面；一第二表面；復(fù)數(shù)個(gè)微穿孔，各微穿孔自該第一表面貫穿至該第二表面，各微穿孔包括一第一開孔，其開設(shè)于該第一表面，具有一第一開孔孔徑； 一第二開孔，其開設(shè)于該第二表面，具有一第二幵孔孔徑； 一中間區(qū)段，其位于該第一開孔與該第二開孔間，并具有一微穿孔孔徑，且該微穿孔孔徑小于該第一開孔孔徑與該第二開孔孔徑；一漸縮區(qū)段，其自該第一開孔延伸至該中間區(qū)段，且其孔徑大小是自該第一開孔孔徑漸小至該微穿孔孔徑；一漸闊區(qū)段，其自該中間區(qū)段延伸至該第二開孔，且其孔徑大小是自該微穿孔孔徑漸大至該第二開孔孔徑。
17、 如權(quán)利要求16所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)，其中，該第二表面還具有 復(fù)數(shù)個(gè)凹部。
18、 一種電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，包括下列步驟(a) 提供一表面具有一沉積金屬層的基材，其具有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)，各孔洞結(jié)構(gòu)具有一預(yù)定深度與一預(yù)定寬度，且該預(yù)定深度不小于該預(yù)定寬度的二分之一；(b) 以該沉積金屬層為電鑄起始層，于該沉積金屬層的表面及該側(cè)壁處 形成一電鑄金屬層，且其于側(cè)壁處的沉積厚度小于該孔洞結(jié)構(gòu)的預(yù)定寬度 的二分之一；(c) 形成一具有微穿孔數(shù)組的電鑄金屬結(jié)構(gòu)。
19、 如權(quán)利要求18所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(a) 中，該具有一沉積金屬層和復(fù)數(shù)個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的基材的制作方式包括下列步 驟(al)提供一基材；(a2)于該基材的表面形成一沉積金屬層；(a3)以一激光產(chǎn)生器發(fā)射激光束投射向該沉積金屬層的選定蝕刻區(qū)域；(a4)蝕刻該選定蝕刻區(qū)域的沉積金屬層及基材以形成復(fù)數(shù)個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)，各孔洞結(jié)構(gòu)具有一預(yù)定深度與一預(yù)定寬度，且該預(yù)定深度不小于該預(yù) 定寬度的二分之一。
20、 如權(quán)利要求18所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(a) 中，該具有一沉積金屬層和復(fù)數(shù)個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的基材的制作方式包括下列步 驟(al)提供一基材，其系具有復(fù)數(shù)個(gè)開孔結(jié)構(gòu)，各開孔結(jié)構(gòu)具有一預(yù)定 深度與一預(yù)定寬度，且該預(yù)定深度不小于該預(yù)定寬度的二分之一；(a2)于該基材的表面形成一沉積金屬層，該基材的開孔結(jié)構(gòu)的預(yù)定深 度加上該沉積金屬層的厚度等于該孔洞結(jié)構(gòu)的預(yù)定深度。
21、 如權(quán)利要求18所述的電鑄金屬結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，步驟(a) 之后還包括于該沉積金屬層的表面形成一鈍化披覆層的步驟。
全文摘要
一種電鑄金屬結(jié)構(gòu)及其制作方法，是在一基材的表面形成具有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞的沉積金屬層，再于該沉積金屬層的表面與該些孔洞分界的側(cè)壁處形成一電鑄金屬層，最后使該電鑄金屬層與該沉積金屬層及該基材分離，形成一具有微穿孔數(shù)組的電鑄金屬結(jié)構(gòu)，其具有一第一表面、一第二表面與復(fù)數(shù)個(gè)微穿孔，各微穿孔于第一表面具有一第一開孔孔徑，且于第二表面具有一第二開孔孔徑，其特征在于第一開孔孔徑大于第二開孔孔徑，并且各微穿孔的孔徑是由第一開孔孔徑漸縮變化至第二開孔孔徑，而為平滑的結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)B41J2/135GK101435093SQ200710188710
公開日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2007年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月15日
發(fā)明者孟憲鎧, 林春佑 申請(qǐng)人:微邦科技股份有限公司