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在流體噴射器上的非潤(rùn)濕涂層的制作方法

文檔序號(hào):2483507閱讀:103來源:國(guó)知局
專利名稱:在流體噴射器上的非潤(rùn)濕涂層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及在流體噴射器上的涂層。
背景技術(shù)
流體噴射器(如墨噴打印頭)通常具有內(nèi)表面、噴射流體的孔和外表 面。當(dāng)流體從孔噴出時(shí),流體可能聚積在流體噴射器的外表面上。當(dāng)流體 聚積在鄰近孔的外表面上時(shí),從孔噴出的另外的流體可能偏離所需的前進(jìn) 路徑,或者通過與聚積的流體的相互作用(如,由于表面張力)而被完全遮斷。
諸如特氟龍(Teflon )和氟碳聚合物(fluorocarbonpolymer)等非潤(rùn)濕 涂料可用于涂覆表面。然而,特氟龍和氟碳聚合物通常是柔性的,并且不 是耐用涂料。這些涂料還可能昂貴,并且難以形成圖案(pattern )。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種流體噴射器,其具有第一表面、第二表面和允許與所 述第二表面接觸的流體噴出的孔。在一方面,所述流體噴射器具有覆蓋至 少所述第一表面的部分的非潤(rùn)濕層、以及覆蓋所述第二表面的部分但不覆 蓋所述第一表面的實(shí)質(zhì)部分(substantial portion )的覆層(overcoat layer ), 所述覆層與所述非潤(rùn)濕層相比潤(rùn)濕性大。
該裝置的實(shí)施方式可包括一個(gè)或多個(gè)下列特征。非潤(rùn)濕層可包括含有 碳和氟各自的至少一個(gè)原子的分子。非潤(rùn)濕層可為單層(monolayer)。非潤(rùn)濕層可為憎水性的。非潤(rùn)濕層可直接形成在無機(jī)種子層上。覆層可包括無 機(jī)氧化物,例如二氧化硅。覆層可為親水性的。在一個(gè)實(shí)施方式中,覆層 可直接形成在非潤(rùn)濕層上。在一個(gè)替代實(shí)施方式中,覆層可直接形成在無 機(jī)氧化物層上。在實(shí)施方式中,第一表面可為流體噴射器的外表面。
本發(fā)明還公開在流體噴射器的所選部分上形成非潤(rùn)濕單層的方法。在 流體噴射器的第一表面和第二表面上沉積非潤(rùn)濕層,遮蔽第一表面,視情 況從第二表面去除非潤(rùn)濕層,以及在第二表面上沉積覆層。
這些方法的實(shí)施方式可包括一個(gè)或多個(gè)下列特征??赏ㄟ^氣相沉積來 沉積非潤(rùn)濕層。遮蔽可包括施加帶、光阻材料或蠟中的至少一種。沉積覆 層可包括沉積無機(jī)氧化物。無機(jī)氧化物可為二氧化硅。在某些實(shí)施方式中, 可在沉積覆層后從第一表面去除遮蔽物,并且去除遮蔽物還可去除沉積在 遮蔽物上的覆層。在其它實(shí)施方式中,可在沉積覆層前,但在將流體噴射 器暴露于氧等離子體后,去除遮蔽物??稍诔练e非潤(rùn)濕層前,在第一表面 和第二表面上沉積無機(jī)層。第 一表面可包括圍繞流體噴射器中的孔的區(qū)域, 而第二表面可包括與流體噴射器噴射的流體接觸的區(qū)域。第 一表面可為外 表面,而第二表面可為內(nèi)表面。
某些實(shí)施方式可具有一個(gè)或多個(gè)下列優(yōu)勢(shì)。圍繞孔的外表面可為非潤(rùn) 濕性的,而與待噴射流體接觸的內(nèi)表面可為潤(rùn)濕性的。非潤(rùn)濕層能降低流 體在流體噴射器的外表面上的聚積,從而能改善流體噴射器的可靠性。非 潤(rùn)濕層可具有耐用性并且不能溶于多數(shù)溶劑中,從而允許多種墨用于流體 噴射器。覆層能覆蓋在預(yù)先清洗步驟中未從內(nèi)表面去除的非潤(rùn)濕涂層的任 意部分,從而能確保內(nèi)表面被高潤(rùn)濕性的層覆蓋。位于與待噴射流體接觸 的表面上的高潤(rùn)濕性覆層能實(shí)現(xiàn)改善對(duì)小滴尺寸、噴射率以及其它流體噴 射性質(zhì)的控制。


圖1A是未經(jīng)涂覆的流體噴射器的實(shí)施方式的截面圖。 圖1B是圖1A的流體噴射器的所有暴露表面均沉積有無機(jī)層的實(shí)施方 式的截面圖。
圖1C是圖1B的流體噴射器的所有暴露表面均具有非潤(rùn)濕涂層的實(shí)施 方式的截面圖。圖1D是圖1C的流體噴射器的外表面覆蓋有遮蔽物的實(shí)施方式的截面圖。
圖1E是圖1D的流體噴射器的內(nèi)表面部分地去除了非潤(rùn)濕涂層的實(shí)施 方式的截面圖。
圖1F是圖1E的流體噴射器去除了遮蔽物的實(shí)施方式的截面圖。
圖1G是圖1F的流體噴射器的內(nèi)表面涂覆有覆層的實(shí)施方式的截面圖。
圖2A是圖1D的流體噴射器的內(nèi)表面涂覆有覆層的實(shí)施方式的截面圖。
圖2B是圖2A的流體噴射器去除了遮蔽物的實(shí)施方式的截面圖。
圖3A圖1D的流體噴射器的內(nèi)表面去除了非潤(rùn)濕涂層的實(shí)施方式的截面圖。
圖3B是圖3A的流體噴射器的內(nèi)表面涂覆有覆層的實(shí)施方式的截面圖。
圖3C是圖3B的流體噴射器去除了遮蔽物的實(shí)施方式的截面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1A是未經(jīng)涂覆的流體噴射器IOO(如,墨噴打印頭噴嘴)的截面圖, 該流體噴射器100可構(gòu)造為如2005年10月21日提交的美國(guó)專利申請(qǐng)序列 號(hào)11/256669中所述那樣,該美國(guó)專利申請(qǐng)序列號(hào)11/256669的內(nèi)容通過引 用并入本文。未經(jīng)涂覆的流體噴射器100包括流道模塊110和噴嘴層120, 兩者均可由硅(如單晶硅)制成。在一實(shí)施方式中,未經(jīng)涂覆的流體噴射 器100是單一單元,流道模塊110和噴嘴層120不是分開的部件。隔膜層 182位于泵送室135上方。致動(dòng)器172使泵送室135中的流體(如墨,例如 水基墨)增壓。流體流經(jīng)下行通道130,并經(jīng)由噴嘴層120中的孔140噴出。 致動(dòng)器172可包括壓電層176、下電極178(如接地電極)和上電極174 (如 驅(qū)動(dòng)電極)。以下圖中未示出隔膜層182和致動(dòng)器172,但它們是可以存在 的。
如圖1B所示,未經(jīng)涂覆的流體噴射器IOO視情況可包括無機(jī)層165, 該無機(jī)層165形成在流體噴射器(如噴嘴層120和流道模塊110 )的包括內(nèi) 表面和外表面的暴露表面上。在這種情況下,未經(jīng)涂覆的噴射器表面可被 看作無機(jī)層165的表面。無機(jī)層165可由例如促進(jìn)硅烷涂層(silane coating )或硅氧烷涂層(siloxane coating)的粘附性的Si02等無機(jī)氧化物材料形成。 在一實(shí)施方式中,無機(jī)種子(seed)層l65是自然(native)氧化物層(這 種自然氧化物通常具有l(wèi)-3nm的厚度)。在另一實(shí)施方式中,無機(jī)層165是 沉積的種子層,例如SiCb。
可通過將SiCU和水蒸氣引入容納未經(jīng)涂覆的流體噴射器100的化學(xué)氣 相沉積(CVD)反應(yīng)器中,而在噴嘴層120和流道才莫塊110的暴露表面上 形成Si02的無機(jī)種子層165?;瘜W(xué)氣相沉積室和真空泵之間的閥在沿該室 泵送后閉合,SiCU和H20的蒸氣被引入了該室。SiCU的分壓可在0.05-40 托之間(如,0.1-5托),而H20的分壓可在0.05-20托之間(如,0.2-10托)。 種子層165可沉積在被加熱到處于約室溫到約100攝氏度之間的溫度的基 底上。例如,基底可不加熱,而化學(xué)氣相沉積室可在35攝氏度?;蛘?,可 噴濺(sputter)無機(jī)種子層165??稍谕扛睬巴ㄟ^例如施加氧等離子體來清 洗待無機(jī)種子層165涂覆的表面。在該過程中,感應(yīng)耦合等離子體(ICP) 源用于生成蝕刻有機(jī)材料的活性氧自由基(active oxygen radical),從而得 到清潔的氧化物表面。制造工藝的一個(gè)實(shí)施方式在單次連續(xù)步驟中沉積整 個(gè)種子層,以提供單一的、整體的種子層。
種子層165的厚度可在約5nm-約200nm之間。對(duì)于部分待噴射的流體, 性能可能受無機(jī)層厚度的影響。例如,對(duì)于某些"困難"流體,較厚的層, 如30nm或更大,例如40nm或更大,如50nm或更大,將提供改善的性能。 這種"困難"流體可包括例如各種傳導(dǎo)性聚合物和發(fā)光聚合物,如聚-3,4-乙烯二氧p塞吩(poly-3,4-ethylenedioxythiophene ) ( PEDOT ),或例如來自 Dow Chemical公司的DOW Green K2等發(fā)光聚合物。其它發(fā)光聚合物(又 稱為聚合物發(fā)光二極管)可從包括Cambridge Display Technologies公司、 Sumitomo Chemical公司和Covion公司(Merck KGaA的一個(gè)子公司)的來 源獲得。
制造流體噴射器的某些材料(如硅或二氧化硅)具有親水性,這通常 使流體噴出時(shí)在外表面上的流體聚積問題加劇。參考圖1C,非潤(rùn)濕涂層170, 如疏水材料層,沉積在未經(jīng)涂覆的流體噴射器(或,視情況,涂覆有無機(jī) 層的流體噴射器)100的暴露表面上,以形成涂覆的流體噴射器105。在一 實(shí)施方式中,非潤(rùn)濕涂層170形成自組合(self-assembled)的單層,即單分 子層??墒褂脷庀喑练e而不是刷涂、輥涂(rolled on)或旋涂(spun on )來沉積非潤(rùn)濕涂層170。可在施加非潤(rùn)濕涂層no前清洗(如,通過施加氧等
離子體)流體噴射器的外表面。
可通過例如將前體(precursor)和水蒸氣在低壓下? I入化學(xué)氣相沉積反 應(yīng)器中,來沉積非潤(rùn)濕涂層170。前體的分壓可在0.05-1托之間(如,0.1-0.5 托),而H20的分壓可在0.05-20托之間(如,0.1-2托)。沉積溫度可在室 溫到約100攝氏度之間。舉例來說,可使用Applied MicroStructures公司的 分子氣相沉積(Molecular Vapor Deposition, MVDTM )機(jī),來進(jìn)行涂覆過程 以及形成無才幾種子層165。
舉例來說,用于非潤(rùn)濕涂層170的適當(dāng)?shù)那绑w包括含有如下所述這種 分子的前體,這種分子包括非潤(rùn)濕的末端(terminus)和可附著到流體噴射 器的表面的末端。例如,可使用包括一端終止于-CF3基團(tuán)而第二端終止于 -SiC13基團(tuán)的碳鏈的前體分子。附著于硅表面的適當(dāng)?shù)那绑w的具體例子包括 十三氟-1,1,2,2-四氫辛基三氯硅烷 (tridecafluoro-l,l,2,2-tetrahydrooctyltrichlorosilane ) (FOTS)和1H,lH,2H,2H-全氟癸基-三氯A圭烷 (1H,lH,2H,2H-perfluorodecyl-trichlorosilane ) (FDTS )。如果沒有任何特定理 論的限制,則人們認(rèn)為,當(dāng)分子包括-SiC13末端的前體(例如FOTS或FDTS ) 與水蒸氣一起被引入化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器時(shí),來自-SiC13基團(tuán)的硅原子在流 體噴射器的暴露表面上的自然氧化物或無機(jī)層165上與來自-OH基的氧原 子結(jié)合,從而得到另一端即非潤(rùn)濕末端被暴露的分子的涂層,例如單層。
制造過程可在形成無機(jī)種子材料層與形成非潤(rùn)濕涂層之間交變。在這 些情況下,單個(gè)種子層的厚度可在約5nm到約200nm之間??稍谛纬煞N子 材料層前清洗(如,通過施加氧等離子體)裝置的暴露表面。假設(shè)地,該 制造過程可得到由種子材料層和非潤(rùn)濕涂層交疊而成的疊層。然而,如果 不被任何特定理論限制,則在某些條件下,清洗過程可去除先前剛剛沉積 的非潤(rùn)濕涂層,使得所得裝置具有單一連續(xù)厚度的種子層(而不是氧化層 和非潤(rùn)濕涂層的交替層)。為了澄清,請(qǐng)注意,在該過程中,最后的過程形 成非潤(rùn)濕涂層,因此最外層表面是非潤(rùn)濕的。
在另一實(shí)施方式中,涂覆過的流體噴射器105不包括無機(jī)種子層165, 非潤(rùn)濕涂層170直接施加到流體噴射器的自然表面。
參考圖1D,遮蔽物180施加到流體噴射器的外表面,即圍繞孔140的 區(qū)域。遮蔽層可由多種材料形成。例如,帶、蠟或光阻材料(photoresist)可用作遮蔽物。遮蔽物180防止施加有它的表面在清洗步驟(如暴露于氧 等離子體)期間被去除或損壞,并且/或者防止后續(xù)的沉積(如,覆層的沉
積)。遮蔽物180可具有充分低的粘附性,使得它可被去除,而不去除或損 壞其下方的非潤(rùn)濕涂層170,或相反,不從物質(zhì)上改變其下方的非潤(rùn)濕涂層 170。
參考圖1E,流體噴射器可受到清洗步驟,例如氧等離子體等清洗氣體 的處理,而去除未被遮蔽物180覆蓋的非潤(rùn)濕涂層的一部分??蓪⒀醯入x 子體施加到室內(nèi)的基底,或可將氧等離子體源連接到流道的入口。在前一 種情況下,遮蔽物180防止在流體噴射器外側(cè)的室中的氧等離子體去除外 表面上的非潤(rùn)濕涂層。在后一種情況下,遮蔽物180防止氧等離子體經(jīng)由 孔而逃逸(在該情況下,遮蔽物只需覆蓋孔本身),并防止去除外表面上的 非潤(rùn)濕涂層。
清洗步驟可能無法完全有效地從內(nèi)表面去除非潤(rùn)濕涂層,特別是噴嘴 區(qū)域。然而,清洗步驟充分有效,使得隨后沉積的覆層粘附并覆蓋殘留在 流體噴射器的內(nèi)表面上的非潤(rùn)濕物。如果沒有任何特定理論限制,則內(nèi)表 面可留下非潤(rùn)濕涂層的碎片(patch)或區(qū)域以及暴露的種子層的碎片或區(qū) 域,所述種子層的碎片或區(qū)域充分大,以允許覆層的粘附,或者內(nèi)表面上 的非潤(rùn)濕性可被損壞,以允許覆層的粘附。
參考圖1F,在清洗步驟后,去除遮蔽物180。或者,可在沉積覆層后 去除遮蔽物。
參考圖1G,覆層l卯施加到涂覆過的流體噴射器105的暴露的(如果 仍存在遮蔽物,則未遮蔽的)表面,以形成選擇性地涂覆的流體噴射器107。 非潤(rùn)濕涂層的材料可為這樣,以使沉積期間覆層不粘附到非潤(rùn)濕涂層170 (因此,可在沉積覆層前去除遮蔽物,而覆層不會(huì)粘附到并且不會(huì)形成在 非潤(rùn)濕涂層no上)。然而,如上所指出那樣,清洗步驟充分有效,使得使 覆層粘附并覆蓋殘留于已經(jīng)受到清洗的流體噴射器的例如內(nèi)表面等表面上 的任意非潤(rùn)濕材料。
覆層190在例如成品裝置的內(nèi)部提供具有高濕潤(rùn)性的暴露表面。在某 些實(shí)施方式中,覆層190由無機(jī)氧化物形成。例如,無機(jī)氧化物可包括硅, 例如無機(jī)氧化物可為Si02。覆層190可通過例如如上所述的化學(xué)氣相沉積 等常規(guī)方法來沉積,并可使用例如氧等離子體等初始清洗步驟,以使非潤(rùn)濕物粘附到所需表面。此外,可使用相同設(shè)備來清洗待沉積的表面以及沉
積覆層。覆層190可比非潤(rùn)濕涂層170更具濕潤(rùn)性。
在某些實(shí)施方式中,覆層190可在相同條件下沉積,并具有與種子層 165基本上相同的材料性質(zhì),如相同的可濕性。覆層190可比種子層165薄。
在其它實(shí)施方式中,覆層190可在不同條件下沉積,并具有與種子層 165不同的材料性質(zhì)。例如,覆層190與種子層165相比可以密度更低、孔 洞更多。例如,以X射線反射率來測(cè)量,覆層190的密度可低于約2.4g/cm3, 例如低于約2.2g/cm3,例如約2.0g/cm3。相反,通過上述方法沉積(即,沉 積期間將基底加熱至約室溫到約IOO攝氏度之間)的種子層165的密度可 大于約2.4g/cm3,例如約2.6g/cm3。在這些實(shí)施方式中,覆層190的可濕性 可比種子層165大。例如,覆層190與水的接觸角可小于約30度,例如小 于約20度,例如小于10度。相反,種子層165與水的接觸角可大于約30 度,例如約40度。
總之,在最終產(chǎn)品中,圍繞孔140的表面(例如外表面)是非潤(rùn)濕的, 而接觸待噴射的流體的表面(例如內(nèi)表面)與涂覆有非潤(rùn)濕涂層的表面相 比潤(rùn)濕性大。
參考圖2A-2B,在一些實(shí)施方式中,覆層190是這樣一種材料,它即 使在沒有預(yù)先清洗步驟的情況下,也能粘附到非潤(rùn)濕涂層上。在該情況下, 覆層190能在沒有預(yù)先清洗步驟的情況下施加到內(nèi)表面上。
參考圖2A,在沉積非潤(rùn)濕涂層170后施加遮蔽物180。可將遮蔽物180 可逆地附著上,并在遮蔽表面不再需要保護(hù)時(shí),例如在沉積覆層l卯后, 將其去除。
仍參考圖2A,覆層190于是可被沉積。覆層190可覆蓋流體噴射器的 暴露的分界面。覆層還可覆蓋遮蔽物180的暴露表面,例如暴露的內(nèi)表面 和外表面。例如,附著有遮蔽物的流體噴射器105可放置在化學(xué)氣相沉積 反應(yīng)器中,并向該化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器中引入覆層190的前體,例如SiCU 和水蒸氣。在這種實(shí)施方式中,覆層形成在遮蔽物的外表面以及整個(gè)噴嘴 的內(nèi)表面上。
參考圖2B,當(dāng)從非潤(rùn)濕涂層170去除遮蔽物時(shí),遮蔽物上的覆層被去 除。因此,圖2B中的成品裝置具有非潤(rùn)濕的某些表面以及潤(rùn)濕性大于涂覆 有非潤(rùn)濕涂層的表面的其它表面。在替代實(shí)施方式中,覆層190不覆蓋遮蔽物180的暴露的外表面,要 么是因?yàn)楦矊?90只沉積在內(nèi)表面(例如內(nèi)表面跨越開口的部分)上,或 者是因?yàn)楦矊硬晃锢淼卣掣降秸诒挝锷?。前一情況可通過例如以下方式達(dá) 成即給流體噴射器105配備適當(dāng)?shù)母街?,以使覆?90的前體(例如 SiCU和水蒸氣)只被引入流體噴射器的內(nèi)部暴露表面(即,將與從流體噴 射器噴出的流體接觸的表面)。在這些實(shí)施方式中,可將遮蔽物180施加到 圍繞孔140的充分局部化的區(qū)域,以防止覆層達(dá)到外表面區(qū)域。
參考圖3A-3C,清洗步驟可充分有效,使得在沉積覆層190前非潤(rùn)濕 涂層170從內(nèi)表面完全被去除。在圖3A中,非潤(rùn)濕涂層170已經(jīng)從內(nèi)表面 被去除(例如,通過將氧等離子體施加到泵送室135和下行通道130),或 者非潤(rùn)濕涂層170未被沉積在內(nèi)表面上,如美國(guó)申請(qǐng)序列號(hào)11/479152所述 那樣,其整個(gè)公開通過引用并入本文。
參考圖3B,已將覆層190沉積(例如通過如上所述的化學(xué)氣相沉積) 在至少暴露的內(nèi)表面上,得到流體噴射器109。覆層l卯在成品裝置中提供 暴露的高潤(rùn)濕性氧化物表面。如上所指出那樣,覆層190可在不同條件下 沉積,并具有與種子層165不同的材料性質(zhì)。
圖3C示出去除遮蔽物180的流體噴射器109??稍诔练e覆層190前或 在沉積覆層190后去除遮蔽物。圖3C中示出的最后的成品裝置是外表面為 非潤(rùn)濕且內(nèi)表面比非潤(rùn)濕表面的潤(rùn)濕性大的流體噴射器。
已描述了本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式。然而,應(yīng)該了解的是在不背離本發(fā) 明的精神和范圍情況下,可進(jìn)行多種修改。例如,可以以不同順序來進(jìn)行 方法步驟,而仍然獲得令人滿意的結(jié)果。因此,其它實(shí)施方式處于權(quán)利要 求的范疇內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種流體噴射器,具有第一表面、第二表面和允許與所述第二表面接觸的流體噴出的孔,并包括覆蓋至少所述第一表面的部分的非潤(rùn)濕層;和覆層,所述覆層覆蓋所述第二表面的一部分但不覆蓋所述第一表面的實(shí)質(zhì)部分,并且與所述非潤(rùn)濕層相比潤(rùn)濕性大。
2. 如權(quán)利要求1所述的流體噴射器,其中,所述非潤(rùn)濕層包括含有碳和 氟各自的至少一個(gè)原子的分子。
3. 如權(quán)利要求2所述的流體噴射器,其中,所述非潤(rùn)濕層是單層。
4. 如權(quán)利要求1所述的流體噴射器,其中,所述非潤(rùn)濕層是憎水性的。
5. 如權(quán)利要求1所述的流體噴射器,其中,所述非潤(rùn)濕層直接形成在無 機(jī)種子層上。
6. 如權(quán)利要求1所述的流體噴射器,其中,所述覆層是無機(jī)氧化物。
7. 如權(quán)利要求6所述的流體噴射器,其中,所述無機(jī)氧化物是二氧化硅。
8. 如權(quán)利要求1所述的流體噴射器,其中,所述覆層是親水性的。
9. 如權(quán)利要求1所述的流體噴射器,其中,所述覆層直接形成在所述非 潤(rùn)濕層上。
10. 如權(quán)利要求1所述的流體噴射器,其中,所述覆層直接形成在無機(jī) 氧化物層上。
11. 如權(quán)利要求1所述的流體噴射器,其中,所述第一表面是所述流體 噴射器的外表面。
12. —種用于在流體噴射器的所選部分上形成非潤(rùn)濕性單層的方法,包括在所述流體噴射器的第一表面和第二表面上沉積非潤(rùn)濕層;以及 在所述第二表面上沉積覆層。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法,其中,通過氣相沉積來沉積所述非潤(rùn)濕層。
14. 如權(quán)利要求12所述的方法,其中,還包括施加遮蔽物到所述第一表 面,其中施加所述遮蔽物包括施加帶、光阻材料或蠟中的至少一種。
15. 如權(quán)利要求12所述的方法,其中,沉積所述覆層包括沉積無機(jī)氧化物。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法,其中,所述無機(jī)氧化物是二氧化硅。
17. 如權(quán)利要求14所述的方法,其中,還包括在沉積所述覆層后從所述第一表面去除所述遮蔽物。
18. 如權(quán)利要求17所述的方法,其中,去除所述遮蔽物也去除沉積在所述遮蔽物上的覆層。
19. 如權(quán)利要求14所述的方法,其中,還包括在沉積所述覆層前,但在 從所述第二表面去除至少一部分所述非潤(rùn)濕層后,從所述第一表面去除所述遮蔽物。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法,其中,所述去除至少一部分所述非潤(rùn)濕 涂層包括將所述流體噴射器暴露于氧等離子體。
21. 如權(quán)利要求19所述的方法,其中,所述去除至少一部分所述非潤(rùn)濕 層包括去除少于全部的所述非潤(rùn)濕層。
22. 如權(quán)利要求19所述的方法,其中,所述去除至少一部分所述非潤(rùn)濕 層包括去除少于全部的所述非潤(rùn)濕層。
23. 如權(quán)利要求12所述的方法,其中,還包括在沉積所述非潤(rùn)濕層前, 在所述第一表面和所述第二表面上沉積無機(jī)層。
24. 如權(quán)利要求12所述的方法,其中,所述第一表面包括圍繞所述流體 噴射器中的孔的區(qū)域,而所述第二表面包括與將被所述流體噴射器噴射的 流體接觸的區(qū)域。
25. 如權(quán)利要求24所述的方法,其中,所述第一表面是外表面,而所述 第二表面是內(nèi)表面。
全文摘要
一種流體噴射器,具有第一表面、第二表面和允許與所述第二表面接觸的流體噴出的孔。所述流體噴射器具有暴露在所述流體噴射器的至少第一表面上的非潤(rùn)濕層以及暴露在第二表面上的覆層,所述覆層的潤(rùn)濕性大于所述非潤(rùn)濕層。該裝置的制造可包括在所述第一和第二表面上沉積非潤(rùn)濕層、遮蔽所述第一表面、視情況從所述第二表面去除所述非潤(rùn)濕層以及在所述第二表面上沉積覆層。
文檔編號(hào)B41J2/14GK101541544SQ200780044031
公開日2009年9月23日 申請(qǐng)日期2007年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月1日
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