專利名稱：用于噴墨打印頭的共基極橫向雙極結(jié)型晶體管電路的制作方法
用于噴墨打印頭的共基極橫向雙極結(jié)型晶體管電路
背景技術(shù)：
典型的噴墨打印頭包含墨儲存器，其中墨完全地包圍形成打印頭電路的內(nèi)部加熱 器陣列。該加熱器陣列典型地包含多個(gè)加熱元件，諸如薄膜或厚膜電阻器、二極管和/或晶 體管。加熱元件以規(guī)則的圖案被布置以用于把墨加熱到沸點(diǎn)。加熱器陣列中的每個(gè)加熱 元件可以被單獨(dú)地或多重地選擇并且與其它加熱元件結(jié)合被激勵(lì)從而以各種期望的圖案 (諸如字母數(shù)字字符)加熱墨。在選擇的加熱元件上方的沸騰墨通過加熱器陣列正上方的 噴墨打印頭中的對應(yīng)孔徑射出。噴墨微滴被推到打印紙或其它打印介質(zhì)上，在那里它們以 期望的圖案被記錄。圖1示出噴墨打印機(jī)中的典型的加熱器陣列或者打印頭電路100。該打印頭電路 包括多個(gè)行選擇線A1到AM，其中示出選擇線A1到A3 ；以及多個(gè)列選擇線B1到BN，其中示 出選擇線B1到B3?？缭叫泻土羞x擇線的是表示為與開關(guān)元件串聯(lián)的電阻器R11到Rmn的加 熱元件，其中示出電阻器R11到R33，所述開關(guān)元件典型地是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)M11到Mmn，其中示出MOSFET M11到M33。列選擇線B1到Bn耦合到MOSFET的柵極并 且選擇性地激勵(lì)或激發(fā)(fire up)M0SFET的柵極。實(shí)際上沒有加熱電流流過列選擇線。行 選擇線A1到Am耦合到電阻器R11到R1N、R21到R2N、R31到R3n等等的行并且選擇性地提供加 熱電流到所述電阻器的行。因此，可以通過激勵(lì)對應(yīng)的行和列選擇線來選擇單獨(dú)的電阻器 以進(jìn)行高分辨率打印。例如通過用對應(yīng)的行選擇線激勵(lì)或激發(fā)電阻器行并且激勵(lì)或激發(fā)列 選擇線以激勵(lì)特定電阻器的柵極(以及特定電阻器的列中的其它MOSFET的柵極)，來選擇 和激勵(lì)該特定電阻器。打印頭電路100的一個(gè)問題是常規(guī)用來制造要求單獨(dú)控制電阻器的這種電路的 昂貴的集成電路工藝及設(shè)計(jì)技術(shù)。例如，利用當(dāng)前的MOS技術(shù)，必須使用最少七個(gè)半導(dǎo)體掩 模來制造MOSFET M11到Mmn，這延長了打印頭電路100的制造工藝并提高了打印頭電路100 的制造工藝的成本。因而，存在對這樣的打印頭電路的低成本設(shè)計(jì)的期望，所述打印頭電路可以使用 較短且較簡單的半導(dǎo)體制造工藝來制作以用于期望打印質(zhì)量較低、打印速度快的應(yīng)用(諸 如交易打印等等)。


實(shí)施例通過示例的方式被示出并且不限于(一個(gè)或多個(gè))以下附圖，在以下附圖 中相同的數(shù)字指示相同的元件，其中圖1示出在噴墨打印機(jī)的打印頭中使用的典型加熱器陣列。圖2示出依據(jù)一個(gè)實(shí)施例的噴墨打印機(jī)的打印頭電路的示意圖。圖3A-3B示出通過同時(shí)激發(fā)噴墨打印機(jī)中的多個(gè)加熱元件來打印各種圖案。圖4A-I示出依據(jù)實(shí)施例的用于制造BJT電路的工藝步驟。圖5示出依據(jù)一個(gè)實(shí)施例的溫度測量電路。
具體實(shí)施例方式為了簡單性和說明性的目的，實(shí)施例的原理是通過主要參考其示例來描述的。在 以下描述中，闡述眾多具體細(xì)節(jié)以便提高對實(shí)施例的徹底理解。然而本領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員要明白，這些實(shí)施例可以在不限于這些具體細(xì)節(jié)的情況下被實(shí)踐。在其它情況下，不詳細(xì) 描述眾所周知的方法和結(jié)構(gòu)以便不會不必要地使實(shí)施例晦澀難懂。本文描述用于低成本噴墨打印頭電路的系統(tǒng)和方法，該噴墨打印頭電路使用雙極 結(jié)型晶體管(BJT)來實(shí)現(xiàn)典型地不要求高打印分辨率或質(zhì)量或單獨(dú)激發(fā)電阻器控制的打 印作業(yè)的高速打印。如本文中提及的，噴墨打印機(jī)是采用諸如熱噴墨、壓電噴墨、連續(xù)噴墨 等等之類的噴墨技術(shù)的打印機(jī)。典型地不要求高打印分辨率的打印作業(yè)包括用于商業(yè)交 易的打印作業(yè)，諸如條形碼打印、賬單與收據(jù)打印、傳真機(jī)、現(xiàn)金出納機(jī)打印、自動(dòng)柜員機(jī) (ATM)打印、或者打印質(zhì)量不重要只要被打印介質(zhì)可辨認(rèn)即可的任何其它打印作業(yè)。圖2示出依據(jù)一個(gè)實(shí)施例的噴墨打印機(jī)的打印頭電路200的示意圖。打印頭電路 200包括多個(gè)行選擇線A1到AM，其中示出選擇線A1和A2 ；以及多個(gè)列選擇線B1到BN，其中 示出選擇線B1和化。跨越行選擇線的是表示為與BJT T11到Tmn串聯(lián)的電阻器Rri到Rril的 加熱元件，其中示出電阻器Rri (跨行1)和電阻器R,2 (跨行2)，其中示出T11到T22?？缭搅?選擇線的是表示為電阻器Rca到R。N的加熱元件，其中示出多個(gè)電阻器Rca (沿列1)和多個(gè)電 阻器R。2 (沿列2)。圖2示出具有共基極(即每組橫向布置BJT(例如每行或列BJT)的共基極)的橫 向BJT的示例。此外，在這個(gè)示例中共基極連接到地。然而，應(yīng)當(dāng)理解每列(或行)BJT的 共基極在整個(gè)電路上是相同的。此外，共基極可以處于任何電位以致當(dāng)列選擇線B1到Bm被 激勵(lì)時(shí)BJT充當(dāng)一個(gè)方向上的正向偏置的二極管而當(dāng)行選擇線A1到An被激勵(lì)時(shí)BJT充當(dāng) 相反方向上的正向偏置的二極管?？缑啃?例如行1)的電阻器Rri可以被一起成組為多個(gè) 組以致每組電阻器可以被一起激勵(lì)或激發(fā)。同樣，沿每列(例如列1)的電阻器Rca可以被 一起成組為多個(gè)組以致每組電阻器可以被一起激勵(lì)或激發(fā)以用于更快的打印。例如，如圖 2所示，兩個(gè)行電阻器Rri可以被成組在一起，兩個(gè)行電阻器Rrt可以被成組在一起，兩個(gè)列 電阻器Rca可以被成組在一起，并且兩個(gè)列電阻器R。2可以被成組在一起。接下來描述如圖2所示的2X2矩陣電路200中的行和列選擇線的激發(fā)序列以用 特定半色調(diào)處理來打印字母“I”，如圖3A所例示的。如本領(lǐng)域中理解的，因?yàn)榘▏娔蛴?機(jī)在內(nèi)的打印機(jī)不能打印連續(xù)的色調(diào)，所以在打印機(jī)中典型地使用半色調(diào)處理來把一系列 打印點(diǎn)布置成特定圖案從而模仿要打印的期望信息的連續(xù)色調(diào)圖像的外觀。這里可以使用 任何半色調(diào)處理。如圖3A所示，由矩形盒標(biāo)記的四個(gè)點(diǎn)可以通過在相應(yīng)的行和列選擇線處順序地 施加電壓脈沖而由圖2所示的2 X 2矩陣電路200的4個(gè)行電阻器(2個(gè)電阻器Rri和2個(gè)電 阻器RJ或4個(gè)列電阻器(2個(gè)電阻器Rca和2個(gè)電阻器R。2)打印。因此，通過以預(yù)定次序 或布置激發(fā)每組電阻器以實(shí)現(xiàn)同時(shí)打印多個(gè)墨滴來提供快速打印，因?yàn)樵诓灰蟾叽蛴≠|(zhì) 量的打印應(yīng)用中不需要單獨(dú)電阻器激發(fā)。例如，列選擇線B1首先用電壓脈沖進(jìn)行激勵(lì)(如 由鉤號指示的)而其它行和列選擇線處于絕對地(GND)，電流流過列1中的兩個(gè)電阻器Rca 以實(shí)現(xiàn)由噴墨打印機(jī)頭打印圖3A所示的第一列液滴中的兩個(gè)墨滴。沒有電流流過其它列 電阻器，因?yàn)樗鼈兊牧羞x擇線沒有被激勵(lì)。沒有電流流過行電阻器Rri到Rril中的任一個(gè)，因?yàn)槠湫羞x擇線未被激勵(lì)。特別地，對于其中列選擇線B1被激勵(lì)的列1處的電阻器、和艮” 晶體管T11和T21表現(xiàn)為正向偏置的二極管以允許電流流過列電阻器Rcl到達(dá)共基極而不到 達(dá)列1處的電阻器Rri和艮2，因?yàn)獒槍ri和Rrf的T11和T21的相應(yīng)基極到η+結(jié)二極管未被 正向偏置。接著，列選擇線B2用電壓脈沖進(jìn)行激勵(lì)而其它行和列選擇線處于GND，并且電流將 流過列2中的兩個(gè)電阻器R。2以實(shí)現(xiàn)由噴墨打印機(jī)頭打印第二列液滴中的兩個(gè)墨滴從而完 成由圖3中的矩形盒所標(biāo)識的四個(gè)點(diǎn)。再次，沒有電流流過其它列電阻器，因?yàn)樗鼈兊牧羞x 擇線未被激勵(lì)。此外，沒有電流流過行電阻器Rri到Rril中的任一個(gè)，因?yàn)槠湫羞x擇線未被激 勵(lì)。特別地，對于其中列選擇線B2被激勵(lì)的列2處的電阻器Rrl和Rr2，晶體管T12和T22表 現(xiàn)為正向偏置的二極管以允許電流流過列電阻器R。2到達(dá)共基極而不到達(dá)列2處的電阻器 Rrl和Rr2，因?yàn)獒槍rl和Rr2的T12和T22的二極管未被正向偏置。以類似的方式，因?yàn)椴恍枰獑为?dú)液滴控制，可以通過激發(fā)每組電阻器以實(shí)現(xiàn)同時(shí) 打印多個(gè)墨滴來提供其中打印質(zhì)量不重要的其它交易打印作業(yè)的快速打印。例如，如圖3B 所示的，條形碼打印可以通過同時(shí)激發(fā)若干組的一個(gè)或多個(gè)列電阻器以實(shí)現(xiàn)(在箭頭右側(cè) 的)多個(gè)墨滴的打印來完成，其中期望的半色調(diào)處理算法用以提供(在箭頭左側(cè)的)條形 碼的光學(xué)外觀。圖4A-I示出依據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于制造BJT電路(諸如BJT打印頭電路，其中以 橫截面圖示出BJT)的工藝步驟。僅為了說明性目的而不對其限制，在打印頭電路200的背 景下描述工藝步驟。現(xiàn)在參考圖4A，打印頭電路200包括半導(dǎo)體襯底401，其可以是硅(諸如硅晶片) 層或者任何合適的材料層。材料的選擇取決于噴墨打印頭用于的確切應(yīng)用。一般而言，襯 底材料可以從典型地用于制造共基極橫向npn晶體管的材料中進(jìn)行選擇，其中襯底401是 P型層，其中附加考慮熱穩(wěn)定性、易于制造、成本以及耐久性。接著參考圖4B，厚絕緣層402 (諸如二氧化硅(SiO2)層)被生長或沉積在襯底401 的頂部上。絕緣層402的材料和厚度被選擇成使其高得足以防止反轉(zhuǎn)底下的ρ摻雜Si襯 底 401。接著參考圖4C，使用第一掩模來按期望的圖案蝕刻(例如干法蝕刻)絕緣層402， 以便打開絕緣層402從而暴露底下襯底401上的摻雜區(qū)。接著參考圖4D，基于通過第一掩模進(jìn)行的圖案化，襯底401的所暴露區(qū)被摻雜有 摻雜層403(諸如磷層)以形成BJT T11到Tmn的發(fā)射極和集電極區(qū)。一般而言，選擇摻雜材 料以便在所暴露的發(fā)射極和集電極區(qū)處把Si襯底401的導(dǎo)電性從ρ型改變?yōu)棣切汀＝又鴧⒖紙D4Ε，在絕緣層402上沉積第一金屬層404以形成電阻器(噴墨加熱 元件)Rri到Rril和、到R。n、BJT T11到Tmn的發(fā)射極和集電極區(qū)的金屬接觸、以及功率載體 (power carrier)金屬線(即行和列選擇線)。在所示的示例中，沉積鉭鋁(TaAl)/鋁銅 (AlCu)材料以形成功率載體金屬線、到發(fā)射極/集電極的接觸、以及噴墨電阻器。接著參考圖4F，使用第二掩模來蝕刻(例如干法蝕刻)404處的第一導(dǎo)體層(其包 括例如TaAl和AlCu兩者)以為BJT限定404處的功率載體金屬線和406處的噴墨電阻器 的寬度。因?yàn)榈谝粚?dǎo)體層404相對于SiO2絕緣層402的良好蝕刻選擇性，進(jìn)行干法過蝕刻 以去除(如由第二掩模所暴露的)基極開口處的再一些Si02。
接著參考圖4G，使用第三掩模來進(jìn)一步蝕刻(例如干法或濕法蝕刻)第一導(dǎo)體層 404以限定406處的噴墨電阻器的長度。并且因此完整地制造噴墨電阻器。一旦完成這種蝕 刻，鈍化層405(另一個(gè)介電膜)被沉積在基極開口和第一導(dǎo)體層404的蝕刻區(qū)的頂部上。 選擇鈍化材料以便保護(hù)第一導(dǎo)體層404以免與要沉積在其頂部上的任何附加材料反應(yīng)。接著參考圖4H，使用第四掩模來在鈍化層405中蝕刻開口或通孔(例如通過干法 通孔蝕刻)以在其中創(chuàng)建用于連接到下面的導(dǎo)體層404的開口或通道。第四掩模也用于進(jìn) 一步蝕刻以清除基極開口處的材料從而形成BJT的基極接觸。在一個(gè)實(shí)施例中，選擇絕緣 層402、第一導(dǎo)體層404和鈍化層405的材料以提供良好的蝕刻選擇性以便在蝕刻期間清除 那些層從而根據(jù)需要達(dá)到底下的襯底401。接著參考圖41，第二導(dǎo)體層407沉積在鈍化層405上。然后使用第五掩模來蝕刻 過多的第二導(dǎo)體材料407并且這完成了 BJT T11到Tmn的基極接觸和到第一導(dǎo)體層404的連 接并且這完成了橫向BJT與噴墨電阻器的制造。作為這個(gè)過程的副產(chǎn)品，金屬絕緣體金屬 (MIM)電容器可以由第一和第二導(dǎo)體層404、407以及充當(dāng)其間的電介質(zhì)的鈍化層405形成。 MIM電容器可以用來存儲用以控制打印頭的具體功能的數(shù)據(jù)。因而，共基極(T11到Tnm上是 共同的)橫向BJT打印頭電路通過5掩模制造工藝來制造，這實(shí)現(xiàn)了這種電路的更廉價(jià)且 更快的制作?？紤]可選的實(shí)施例，其中5掩模制造工藝可以用來制造具有共基極的任何橫向 BJT電路。例如，可以基于簡單溫度相關(guān)電路通過前述的5掩模制造工藝來制造溫度測量或 感測電路，其是與由電阻器或阻抗R1和R2表示的負(fù)載串聯(lián)的p-η+結(jié)二極管，如圖5所示。 恒流源I1將引起二極管D1兩端的電位降，該電位降將隨溫度而變化。隨著溫度的提高，二 極管D1變得更加導(dǎo)電。因此，可以測量二極管D1兩端的電壓降以用于溫度預(yù)測以便控制電 阻器的激發(fā)能量。本文已說明和描述的是實(shí)施例及其一些變型。本文使用的術(shù)語、描述和數(shù)字僅通 過說明的方式被闡述而并非打算作為限制。本領(lǐng)域的技術(shù)人員會意識到許多變型在本主題 的精神和范圍內(nèi)是可能的，所述主題的精神和范圍旨在由所附權(quán)利要求及其等價(jià)物限定， 在權(quán)利要求中所有術(shù)語以其最廣泛的合理意義被解釋，除非另外指出。
權(quán)利要求
一種噴墨打印機(jī)的打印頭電路，包括被布置成多個(gè)行的多個(gè)行加熱元件；被布置成多個(gè)列的多個(gè)列加熱元件；以及多個(gè)橫向雙極結(jié)型晶體管(BJT)，每個(gè)橫向BJT連接在所述多個(gè)行加熱元件中的對應(yīng)一個(gè)行加熱元件和所述多個(gè)列加熱元件中的對應(yīng)一個(gè)列加熱元件之間并且與所述對應(yīng)一個(gè)行加熱元件和所述對應(yīng)一個(gè)列加熱元件串聯(lián)連接，所述多個(gè)橫向BJT具有共基極；其中所述多個(gè)行加熱元件和所述多個(gè)列加熱元件被選擇性地激勵(lì)從而以期望的圖案加熱噴墨打印機(jī)中的墨以用于打印介質(zhì)，且其中所述多個(gè)橫向BJT的每個(gè)操作以允許激勵(lì)與該BJT串聯(lián)連接的對應(yīng)行或列加熱元件。
2.權(quán)利要求1的打印頭電路，其中共基極連接到共同電位。
3.權(quán)利要求1的打印頭電路，還包括多個(gè)行選擇線，每個(gè)行選擇線操作以同時(shí)激勵(lì)所述多個(gè)加熱元件的對應(yīng)行；以及 多個(gè)列選擇線，每個(gè)列選擇線操作以同時(shí)激勵(lì)所述多個(gè)加熱元件的對應(yīng)列。
4.權(quán)利要求3的打印頭電路，其中當(dāng)所述多個(gè)列選擇線中的至少一個(gè)用來同時(shí)激勵(lì)所 述多個(gè)加熱元件的對應(yīng)列時(shí)，所述多個(gè)行選擇線被設(shè)定成絕對地電位。
5.權(quán)利要求4的打印頭電路，其中所述多個(gè)列選擇線的其余列選擇線被設(shè)定成絕對地 電位。
6.權(quán)利要求3的打印頭電路，其中當(dāng)所述多個(gè)行選擇線中的至少一個(gè)用來同時(shí)激勵(lì)所 述多個(gè)加熱元件的對應(yīng)行時(shí)，所述多個(gè)列選擇線被設(shè)定成絕對地。
7.權(quán)利要求6的打印頭電路，其中所述多個(gè)行選擇線的其余行選擇線被設(shè)定成絕對地 電位。
8.權(quán)利要求3的打印頭電路，其中當(dāng)列選擇線中的對應(yīng)一個(gè)用來激勵(lì)所述多個(gè)列加熱 元件的對應(yīng)一個(gè)時(shí)，至少一個(gè)BJT操作為正向偏置的二極管以允許電流流過連接到其的所 述多個(gè)列加熱元件的該對應(yīng)一個(gè)。
9.權(quán)利要求3的打印頭電路，其中當(dāng)行選擇線中的對應(yīng)一個(gè)用來激勵(lì)所述多個(gè)行加熱 元件的對應(yīng)一個(gè)時(shí)，至少一個(gè)BJT操作為正向偏置的二極管以允許電流流過連接到其的所 述多個(gè)行加熱元件的該對應(yīng)一個(gè)。
10.權(quán)利要求1的打印頭電路，其中噴墨打印機(jī)操作以執(zhí)行商業(yè)交易的打印作業(yè)，其包 括條形碼打印、賬單與收據(jù)打印、傳真機(jī)打印和自動(dòng)柜員機(jī)(ATM)打印中的一個(gè)。
11.一種制造噴墨打印機(jī)的打印頭電路的方法，包括 提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成絕緣層； 用第一掩模按期望的圖案來圖案化所述絕緣層；基于第一期望的圖案用摻雜層來摻雜所述半導(dǎo)體襯底的第一和第二區(qū)，所述半導(dǎo)體襯 底的第一和第二區(qū)提供所述打印頭電路中的多個(gè)橫向雙極結(jié)型晶體管(BJT)的發(fā)射極和 集電極區(qū)；在所述絕緣層之上形成第一導(dǎo)體層；用第二掩模圖案化所述半導(dǎo)體襯底的第一和第二區(qū)之上的所述第一導(dǎo)體層； 用第三接觸掩模進(jìn)行圖案化以蝕刻所述第一導(dǎo)體層；在所述第一導(dǎo)體層和絕緣層之上形成鈍化層；用第四掩模進(jìn)行圖案化以蝕刻所述鈍化層從而在其中提供到所述半導(dǎo)體襯底的第一 和第二區(qū)處的第一導(dǎo)體層的開口以及到第三區(qū)處的半導(dǎo)體襯底的另一個(gè)開口； 在所述鈍化層之上沉積第二導(dǎo)體層；以及用第五掩模進(jìn)行圖案化以蝕刻所述第二導(dǎo)體層從而在所述另一個(gè)開口處為所述多個(gè) 橫向BJT中的一個(gè)以上橫向BJT的每組形成共基極并且以便完成在所述打印頭電路中制造 所述多個(gè)橫向BJT。
12.權(quán)利要求11的方法，還包括形成第二導(dǎo)體層以在由第四掩模創(chuàng)建的鈍化層中的開口處電連接到第一導(dǎo)體層。
13.權(quán)利要求11的方法，其中用所述第二掩模進(jìn)行圖案化以限定加熱元件的寬度；以及 用所述第三掩模進(jìn)行圖案化以進(jìn)一步限定所述加熱元件的長度。
14.權(quán)利要求13的方法，其中用第四掩模進(jìn)行圖案化以開通到第三區(qū)處的半導(dǎo)體襯底 的路徑從而在第三區(qū)處形成橫向BJT的基極。
15.權(quán)利要求14的方法，還包括在通過用第四掩模進(jìn)行圖案化而打開的半導(dǎo)體襯底的第三區(qū)的頂部上形成第二導(dǎo)體層。
16.權(quán)利要求11的方法，還包括由第一和第二導(dǎo)體層以及鈍化層形成電容器。
17.權(quán)利要求12的方法，還包括把以多個(gè)行布置的多個(gè)行加熱元件電連接到第二導(dǎo)體層、經(jīng)過鈍化層中的開口電連接 到在半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)處的第一導(dǎo)體層。
18.權(quán)利要求17的方法，還包括把以多個(gè)列布置的多個(gè)列加熱元件電連接到第二導(dǎo)體層、經(jīng)過鈍化層中的開口電連接 到在半導(dǎo)體襯底的第二區(qū)處的第一導(dǎo)體層。
19.一種制造和使用溫度感測電路的方法，包括 提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成絕緣層； 用第一掩模按第一期望的圖案來圖案化所述絕緣層；基于所述第一期望的圖案來用摻雜層摻雜所述半導(dǎo)體襯底的第一和第二區(qū)，所述半導(dǎo) 體襯底的第一和第二區(qū)用以限定所述溫度感測電路中的p-η+結(jié)二極管； 在所述絕緣層之上沉積第一導(dǎo)體層；用第二掩模圖案化所述溫度感測電路中的半導(dǎo)體襯底的第一和第二區(qū)之上的第一導(dǎo) 體層；在所述第一導(dǎo)體層和所述絕緣層之上沉積鈍化層；用第四掩模進(jìn)行圖案化以蝕刻所述鈍化層從而在其中提供到在所述半導(dǎo)體襯底的第 一和第二區(qū)處的第一導(dǎo)體層的開口以及到第三區(qū)處的所述半導(dǎo)體襯底的另一個(gè)開口；在所述鈍化層之上沉積第二導(dǎo)體層以在所述鈍化層中的開口處電連接到所述第一導(dǎo) 體層從而連接所述半導(dǎo)體襯底的第一和第二區(qū)并且與所述第三區(qū)處的半導(dǎo)體襯底接觸；用第五掩模進(jìn)行圖案化以蝕刻所述第二導(dǎo)體層從而形成BJT的基極并且完成在所述 溫度感測電路中制造BJT;把負(fù)載電連接到所述半導(dǎo)體襯底的第一和第二區(qū)之上的鈍化層中的至少一個(gè)開口；通過測量流過二極管的電流來測量所述負(fù)載的溫度。
20.權(quán)利要求19的方法，還包括正向偏置其兩端的電壓降隨溫度改變的二極管。
全文摘要
一種噴墨打印機(jī)的打印頭電路，包括被布置成多個(gè)行的多個(gè)行加熱元件；被布置成多個(gè)列的多個(gè)列加熱元件；以及多個(gè)橫向雙極結(jié)型晶體管(BJT)，每個(gè)橫向BJT連接在所述多個(gè)行加熱元件中的對應(yīng)一個(gè)行加熱元件和所述多個(gè)列加熱元件中的對應(yīng)一個(gè)列加熱元件之間并且與所述對應(yīng)一個(gè)行加熱元件和所述對應(yīng)一個(gè)列加熱元件串聯(lián)連接，所述多個(gè)橫向BJT具有共基極；其中所述多個(gè)行加熱元件和所述多個(gè)列加熱元件被選擇性地激勵(lì)從而以期望的圖案加熱噴墨打印機(jī)中的墨以用于打印介質(zhì)，且其中所述多個(gè)橫向BJT的每個(gè)操作以允許激勵(lì)與該BJT串聯(lián)連接的對應(yīng)行和列加熱元件。
文檔編號B41J2/14GK101925464SQ200880125764
公開日2010年12月22日 申請日期2008年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月28日
發(fā)明者A·霍蔡爾, B·裴, R·古普塔 申請人:惠普開發(fā)有限公司