專利名稱：流體噴射裝置的制作方法
流體噴射裝置本申請是2005年2月25日提交的、名稱為“流體噴射裝置的金屬層布局”、申請?zhí)?為200510051688. 7的中國專利申請的分案申請。
背景技術(shù)：
某些流體噴射裝置(例如噴墨打印頭等)具有一垂直列噴嘴，它們安置在管芯的 一列內(nèi)并界定一行幅區(qū)域(swath area) 0處于噴嘴下面激發(fā)室內(nèi)的激發(fā)電阻器通電后，對 室內(nèi)的液體加熱并使之膨脹而從噴嘴噴出。采用標準薄膜技術(shù)制造于襯底結(jié)構(gòu)上的電路包 含一個導(dǎo)電路徑，用來輸送電功率以啟動激發(fā)電阻器，尋址信號路徑，邏輯元件和激發(fā)晶體 管。此電路用來使激發(fā)電阻器正確地通電和運行。在尋址總線和激發(fā)線或電源總線之間的 電容耦合可能產(chǎn)生噪聲并使性能下降。減小流體噴射裝置管芯的尺寸可以降低其成本。然而這種減小可能對動力管道的 尺寸有不利的影響，造成能量變動增加并降低印刷質(zhì)量。電源導(dǎo)線管可包含易于剝離的金。


本專業(yè)技術(shù)人員從下面對各附圖展示的實施例的詳細描述中，可以很容易了解本 發(fā)明的特征和優(yōu)點。這些附圖中圖1展示一個流體噴射裝置實施例的金屬部分的相對位置框圖。圖2展示一個流體噴射裝置第一金屬層的實施例。圖3展示圖2的流體噴射裝置金屬層的實施例。圖4為一個實施例各部分相對位置框圖。圖5A和5B為一個流體噴射裝置另一實施例的金屬部分相對位置框圖。圖6為一個流體噴射裝置第一金屬層的一個實施例。圖7為圖6流體噴射裝置第二金屬層的一個實施例。圖8為一個流體噴射裝置第二金屬層布局的一個實施例。圖9為一個流體噴射裝置實施例各部分相對位置框圖。圖10為一個流體噴射裝置的實施例的頂視圖。
具體實施例方式在下面的詳細描述和幾個附圖中，采用相似的標號表示相似的元件。圖1為一示例的流體噴射裝置一種金屬層布局實施例中各金屬層部分相對位置 的簡化剖視圖。薄膜體10包含一個第一金屬層1和一個第二金屬層11。第一金屬層1包 括一個尋址路徑部分6和一些非尋址路徑部分。第一金屬層1的非尋址路徑部分可包含至 少一電阻器部分2，一第一金屬層接地部分4，和一邏輯部分5。在一個實施例中，第一金屬 層1至少包含電阻器部分2，接地部分4和邏輯部分5各兩個，分別處于尋址路徑部分的相 反兩邊。電阻器部分2及相關(guān)的噴嘴(圖10)確定一個行幅高度26。電阻器部分2包含一 些電阻器21 (圖2)。尋址路徑部分6包含一個尋址總線，尋址線，或?qū)Ь€，數(shù)據(jù)路徑，選擇或允許路徑，它們被用來操作組成電阻器部分2的電阻器。這些業(yè)內(nèi)人士都清楚。尋址路徑 部分6將信號輸送到邏輯元件，后者使特定的激發(fā)晶體管讓相應(yīng)的特定激發(fā)電阻器按信號 啟動。邏輯元件包括諸如晶體管等元件，它們提供產(chǎn)生尋址信號，激發(fā)信號耦合，產(chǎn)生選擇 信號和同步信號等功能。圖1的薄膜體10還包含一個處于第一金屬層1上的第二金屬層11。第二金屬層 11包括至少一個電源輸送部分7和一個第二金屬層接地部分8。電源輸送部分7包含導(dǎo)電 路徑，激發(fā)線或電源總線，用來提供至電源的電聯(lián)接，以啟動電阻器21。在所示實施例中，第 二金屬層包含至少兩個電源輸送部分7，它們安置在接地部分8的相反兩邊。電源輸送部分 7至少部分地布設(shè)于第一金屬層內(nèi)的第一金屬層接地部分4上面。第二金屬層接地部分8 通過行幅高度(基本平行于電阻器21的列22)并在第一金屬層1的邏輯部分5和尋址路 徑部分6上面布設(shè)。第二金屬層接地部分8的外側(cè)邊緣與第一金屬層接地部分4的內(nèi)側(cè)邊 緣重疊。導(dǎo)電通路41 (圖2-4)提供第一金屬層接地部分4和第二金屬層11內(nèi)的第二金屬 層接地部分8之間的電連接42。通過將第一和第二金屬層1，11的布局或形貌安排成使電源輸送部分7不經(jīng)過 (即不疊置或重疊)尋址路徑部分6，可減少由電源輸送部分和尋址路徑部分之間的電容耦 合所引起的產(chǎn)生噪聲和降低性能的機會。讓第二金屬層接地部分8在覆蓋第一金屬層1的邏輯部分5和尋址路徑部分6的 第二金屬層11的區(qū)域布設(shè)，可以減少由于接地面積較大使接地電阻較小而引起的能量變 化。在第二金屬層內(nèi)提供第二金屬層接地部分8避免了與增大管芯尺寸有關(guān)的費用，因為 隨著管芯尺寸增加，需要加寬第一金屬層內(nèi)的接地通路來降低接地電阻。讓第二金屬層接 地部分8經(jīng)過行幅高度布設(shè)還能使能量變化進一步減少，這可通過增加第二金屬層11的厚 度來實現(xiàn)。圖2表示一個示例的流體噴射裝置實施例的第一金屬層1的布局或形貌的頂視 圖。此第一金屬層1接地部分淀積在一個襯底接地部分上。用掩?？涛g第一金屬層1，以確 定并加工流體噴射裝置一部分電路的第一金屬層1所希望的布局和形貌。第一金屬層界定并包括電阻器部分2，晶體管部分3，第一金屬層接地部分4，邏輯 部分5和尋址路徑部分6。每個電阻器部分2包含許多單個電阻器21。在一個實施例中， 電阻器部分還包括加熱器腿27，它們伸到下面的晶體管邊緣之外，以提供至單個電阻器21 的電連接。在一個實施例中，電阻器部分2可能是約168 μ m寬，電阻器約75 μ m寬，且加熱器 腿27從下面的驅(qū)動晶體管邊緣向外伸出93 μ m左右。在一個實施例中，晶體管部分3可以 是約156 μ m寬，邏輯部分5約126 μ m寬，而尋址路徑部分寬約206 μ m。在圖2的實施例 中，第一金屬層接地部分4布設(shè)在驅(qū)動晶體管上方。在一個實施例中，接地部分約為96 μ m 寬。這些尺寸是針對一個實施例的；其它的實施例可能采用別的尺寸。在一個實施例中，電阻器21部分是通過從第一金屬層的電阻器部分中至少刻蝕 掉導(dǎo)電層部分而形成的。電阻器21被安排成許多列22，雖然也可以安排成許多行。圖2表 示在一列22內(nèi)的8個代表性電阻器21。一列電阻器可包含任意數(shù)量的電阻器。在所示各 實施例中，一列電阻器可包含100個電阻器或168個電阻器等。晶體管部分3包括與相應(yīng)電阻器2相關(guān)的單個驅(qū)動晶體管的驅(qū)動晶體管金屬部分31。所示的驅(qū)動晶體管金屬部分31為有代表性的典型形狀。應(yīng)該指出，此形狀的細節(jié)與驅(qū) 動晶體管的具體布局和結(jié)構(gòu)有關(guān)。導(dǎo)電通路32將驅(qū)動晶體管金屬部分31與下面的電源輸 送部分7相連(圖3)。驅(qū)動晶體管金屬部分31將電阻器21與電功率源相連，同時將驅(qū)動 晶體管的源極和漏極部分連至電阻器21，并經(jīng)通路連至接地部分4或經(jīng)過下面各層(如經(jīng) 過PSG，多聚和/或柵極氧化物層等，圖中未示)連至各PSG觸點。接地部分4包含一個公共地連線或通路，通至接在驅(qū)動晶體管31和邏輯部分5之 間的地線。接地通路41將第一金屬層接地部分4電連接至蓋在上面的第二金屬層內(nèi)的第 二金屬層接地部分8(圖3)。邏輯部分5包括單個邏輯元件53的邏輯元件金屬部分51，這些邏輯元件與相應(yīng)的 驅(qū)動晶體管33(圖4)和電阻器21相關(guān)聯(lián)。在一個實施例中，尋址路徑部分6包含許多尋 址路徑部分61，它們將信號帶到邏輯元件53，由后者確定單個激發(fā)電阻器21中哪一些要通 電。對每個電阻器21，相應(yīng)的驅(qū)動晶體管33和邏輯元件53 —起動作以從尋址路徑部分接 收和解讀信號，并將電源切換至電阻器，以根據(jù)尋址信號在適當(dāng)時間給電阻器激發(fā)。圖3為相當(dāng)于圖2實施例的第二金屬層11形貌示例的頂視圖。第二金屬層11處 在第一金屬層1之上(圖2)，并采用薄膜技術(shù)淀積和加工。此第二金屬層11包含電源輸送 部分7和第二金屬層接地部分8。此電源輸送部分7和第二金屬層接地部分8由第二金屬 層的導(dǎo)電層部分(例如金)組成和界定。第二金屬層11還可能包含一個第二導(dǎo)電層部分 112，它處于第一導(dǎo)電層部分下面(如圖4所示)。在圖3的實施例中，第二金屬層接地部分 8和電源輸送部分7包括形貌基本相同的導(dǎo)電層部分和第二導(dǎo)電層部分。在一個實施例中， 第二導(dǎo)電層部分可以伸到導(dǎo)電層部分外邊緣之外，例如導(dǎo)電層部分邊緣外面約4 μ m左右。電源輸送部分7至少部分地布設(shè)在非尋址路徑部分上面。例如在圖3的實施例中， 電源輸送部分7在驅(qū)動晶體管部的至少一部分上面布設(shè)，比如在驅(qū)動晶體管金屬部分31的 至少一部分和接地部分4的一部分(圖2)上面。第二金屬層接地部分8在第一金屬層內(nèi) 電阻器21各列22之間并與之排地在第一金屬層1的邏輯部分和尋址部分(圖2)上面布 設(shè)。在此實施例中，電源輸送部分7不覆蓋尋址路徑部分6的任何部分(圖2)。在一個實 施例中，電源輸送部分7約為196 μ m寬，第二金屬層接地部分8約為475 μ m寬。圖4表示圖1-3所示各實施例的流體噴射裝置中薄膜體10的第一金屬層部分和 第二金屬層部分相對位置示意圖。該第一金屬層包括激發(fā)電阻器部分2，晶體管部分3(包 括驅(qū)動晶體管金屬部分31和接地部分4)，邏輯部分5和尋址路徑部分6。第一金屬層1包含一個電阻層部分13和一個導(dǎo)電層部分14。在一個實施例中，電 阻層部分包括TaAl，導(dǎo)電層部分包括AlCu。鈍化層12將第一金屬層1和第二金屬層11隔 開。在一個實施例中，鈍化層12包括SiC和/或SiN。第一金屬層1淀積在襯底結(jié)構(gòu)15上。在一個實施例中，此襯底結(jié)構(gòu)包括一個硅襯 底，柵極氧化物層，摻雜區(qū)，PSG和多聚層(未示)。驅(qū)動晶體管33和邏輯元件53被限定在 襯底結(jié)構(gòu)15中，晶體管部分覆蓋在至少一部分驅(qū)動晶體管33上面，邏輯部分5覆蓋在邏輯 元件53上面。第二金屬層11包括電源輸送部分7和第二金屬層接地部分8。第二金屬層接地部 分8覆蓋在尋址路徑部分6，邏輯元件金屬部分5和接地部分4內(nèi)側(cè)邊緣之上。第二金屬層 接地部分8通過導(dǎo)電通道41連至接地部分4。電源輸送部分7不覆蓋尋址路徑部分6。電源輸送部分7通過導(dǎo)電通道32連至驅(qū)動晶體管金屬部分3。第二金屬層至少包含第一導(dǎo)電層部分113，而且可能還包含第二導(dǎo)電層部分112。 第二導(dǎo)電層部分112的電阻率大于第一導(dǎo)電層部分113的電阻率。在一個實施例中，第一 導(dǎo)電層部分113包括金，其電阻率約為0.08歐姆/單位面積(sq)。在一個實施例中，第一 導(dǎo)電層部分113可能包含一層厚約0. 36μ m的金。在其它一些實施例中，第一導(dǎo)電層部分 113可能包含一層厚度范圍在0. 3μπι至1.5μπι的金。第一導(dǎo)電層部分113可包括AlCu。在一個實施例中，第二導(dǎo)電層部分112包含鉭，其電阻率約為60歐姆/單位面積 (sq)，第二導(dǎo)電層部分112可能包含一層厚約0. 3μ m的鉭。在另一些實施例中，鉭層厚度 可能在0. 0至0. 5 μ m的范圍，第二導(dǎo)電層部分可包括鉭。在淀積金層部分113之前淀積一 個鉭層部分112可改善金屬的粘接度。圖5A表示一種流體噴射裝置薄膜體10的另一個實施例中，各金屬部分相對布局 的簡化示意圖。此薄膜體10包括第一金屬層1和第二金屬層11。第一金屬層1包含至少 一個電阻器部分2，一個第一金屬層接地部分4，一個邏輯部分5和一個尋址路徑部分6。在 一個實施例中，第一金屬層包含電阻器部分2，接地部分4和邏輯部分5各至少兩個，并安置 在尋址路徑部6的相反兩邊。每個電阻器部分2包括一列(22)單個電阻器21 (圖6)。第二金屬層11包含至少一個電源輸送部分9和一個第二導(dǎo)電部分8’。此第二導(dǎo) 電部分8’與電源輸送部分9是電絕緣的。第二導(dǎo)電部分8，在尋址路徑部分6和邏輯部分 5上方布設(shè)。在一個實施例中，第二金屬層11包括至少兩個電源輸送部分9，它們安置在第 二導(dǎo)電部分8’的相反兩邊。圖5B表示一個流體噴射裝置的薄膜體10的一個實施例中，各金屬層部分相對布 局的簡化示意圖。第二金屬層11包括電源輸送部分7和9。在一個實施例中，圖5A和5B 的裝置相應(yīng)于一個流體噴射裝置電路的兩個不同部分的安置。例如，圖5A中第二金屬層11 的布局相當(dāng)于圖8第二金屬層11那些部分的安置，此時圖8中的電源輸送部分7和9是彼 此并排布設(shè)的。圖5B中第二金屬層11的布局可相應(yīng)于圖8中第二金屬層11部分的布局， 此時圖8中電源輸送部分9在電源輸送部分7的端部之外布設(shè)。由于第一和第二金屬層1，11的布局和形貌安排得使電源輸送部分7和/或9不 在尋址路徑部分6上面布設(shè)，且第二導(dǎo)電部分8’與電源輸送部分7和9電絕緣，圖5A和5B 的裝置降低了由電源輸送部分和尋址路徑部分之間的電容耦合引起的產(chǎn)生噪聲的幾率。給 第二金屬層11提供含鉭的第二導(dǎo)電部分8’，可以減少第二金屬層11與上面的阻擋層剝離 的可能性。圖6為一個流體噴射裝置的第一金屬層1另一個實施例的簡化頂視圖。此第一金 屬層包含一個尋址路徑部分6和一些非尋址路徑部分。這些非尋址路徑部分包括電阻器部 分2，晶體管部分3，第一金屬層接地部分4和邏輯部分5。電阻器部分2包含一些排成列 (22)的單個電阻器21。晶體管部分3包括與相應(yīng)電阻器21有關(guān)的單個驅(qū)動晶體管金屬部 分31，后者覆蓋在下面的驅(qū)動晶體管33上面(圖9)。導(dǎo)電通導(dǎo)32將驅(qū)動晶體管部分31 電連接至上面的電源輸送部分7，9(圖7)。邏輯部分5覆蓋處于襯底結(jié)構(gòu)15內(nèi)的下面的邏輯元件53(圖9)。邏輯部分并非 處在離晶體管部分3盡可能近的地方。此邏輯部分可與晶體管部分3隔開5 μ m以上的距 離。在一個實施例中，此邏輯部分5寬約65μπι，且與相應(yīng)的晶體管部3分開約134μπι。在另一些實施例中，此邏輯部分5可以與相應(yīng)的晶體管部分隔開30 μ m以上或100 μ m以上。 在圖6的實施例中，第一金屬層接地部分4在下面的晶體管33上面延伸，且部分包含晶體 管部分3。在一個實施例中，第一金屬層接地部分4約為281 μ m寬。在一個實施例中，尋址 路徑部分6的寬度約為139 μ m。圖7為相應(yīng)于圖6所示第一金屬層實施例的另一第二金屬層實施例的簡化頂視 圖。此第二金屬層包括電源輸送部分7和9，這些部分由第二金屬層11的導(dǎo)電層部分71， 91界定，并包括這些導(dǎo)電層部分。第二金屬層還包括第二導(dǎo)電部分72，92和第二導(dǎo)電層部 分8’，后者覆蓋下面第一金屬層的尋址路徑部分和邏輯元件部分5。在一個實施例中，第二 導(dǎo)電部分72，92可能比相應(yīng)的上面導(dǎo)電層部分71，91寬些，并可能伸出上面導(dǎo)電層部分71， 91邊緣之外4μπι左右。第二導(dǎo)電層部分23覆蓋下面第一金屬層的電阻層部分2 (圖6)。 此第二導(dǎo)電層部分23可保護下面的電阻器21不因空穴作用而損壞。第二導(dǎo)電部分23，72，92和8’由第二金屬層內(nèi)的連續(xù)間隙111分開。間隙111將 電源輸送部分7，9和它們相應(yīng)的第二導(dǎo)電部分71，91彼此在電氣上隔開。電源輸送部分7 通過電源輸送通路32與下面的第一金屬層的晶體管部分3電連接(圖6)。電源輸送部分 7為相應(yīng)于下面驅(qū)動晶體管的電阻器提供功率。電源輸送部分9在接地部分4上面布設(shè)以 將功率提供給驅(qū)動晶體管并進而沿著各列至電阻器(圖8)。圖8表示對圖5Α-7所示各實施例的一個第二金屬層11布局例。在此實施例中， 第二金屬層11包括6個電源輸送部分---4個電源輸送部分7和兩個電源輸送部分9，各電 源輸送部分由第二金屬層11的導(dǎo)電層部分71，91界定。此第二金屬層還包括相應(yīng)的第二 導(dǎo)電部分72，92 (它們伸出導(dǎo)電部分71，91的邊緣之外)，第二導(dǎo)電部分23 (它們覆蓋第一 金屬層的電阻部分(圖6))，和第二導(dǎo)電部分8’(它們覆蓋尋址路徑部分6)。第二導(dǎo)電部 分72，92在電源輸送部分7，9內(nèi)的導(dǎo)電部分71，91下面延伸。第二導(dǎo)電部分72，92和8’ 由第二金屬層內(nèi)的連續(xù)間隙111分開。在所示實施例中，連續(xù)間隙111可能是8至20 μ m。給第二金屬層11提供包括鉭的第二導(dǎo)電部分8’，可減少第二金屬層11從上面覆 蓋的阻擋層剝離開來。給第二金屬層11提供伸出導(dǎo)電部分71，91邊緣之外的第二導(dǎo)電部 分72，92，可防止上面的阻擋層在導(dǎo)電部分的邊緣(第二金屬層11的邊緣可能在此外露) 從第二金屬層剝離。在金露出導(dǎo)電部分邊緣處可能更容易產(chǎn)生剝離。4個電源輸送部分7 (至少是部分地)在非尋址路徑部分的上方布設(shè)。例如，在圖 8的實施例中，電源輸送部分7至少在下面第一金屬層(未示)的晶體管部分和第一金屬層 接地部分4的那些與相應(yīng)最上面和最下面電阻器組相關(guān)的部分上面布設(shè)。電源輸送部分9 經(jīng)由第二導(dǎo)電部分71和相應(yīng)的電源輸送部分7之間。電源輸送部分9伸過電源輸送部分 7以向各列中部給各組驅(qū)動晶體管和電阻器提供電源。圖9表示對于圖5A-8的各種布局實施例中，第一金屬層1，第二金屬層11及襯底 結(jié)構(gòu)15內(nèi)的驅(qū)動晶體管33和邏輯元件53各部分的相對位置。第一金屬層包括一個導(dǎo)電 層部分14和一個電阻層部分13。第一金屬層1包括電阻器部分2，驅(qū)動晶體管部分3，第一 金屬層接地部分4，邏輯元件部分5和尋址部分6。第一金屬層1形成于襯底上面，后者包 含一個柵極氧化物層，PSG，多聚和摻雜區(qū)。驅(qū)動晶體管33和邏輯元件53分別被限定在襯底結(jié)構(gòu)內(nèi)位于驅(qū)動晶體管部分3和 邏輯元件部分5的下面。邏輯元件53和驅(qū)動晶體管33彼此相隔不是盡可能近。邏輯元件53和相應(yīng)的晶體管33分開大于5 μ m的距離。在一個實施例中，驅(qū)動晶體管33約為216 μ m 寬，并與相應(yīng)的邏輯元件53分開134 μ m。將晶體管部分5和邏輯部分分開可為較寬的接地 部分4提供額外的空間，這可以減小接地電阻，從而減少能量變化并改善流體噴射裝置的 性能。鈍化層12把第一金屬層1與第二金屬層11分開。第二金屬層包括一個第二導(dǎo)電 層部分112和一個第一導(dǎo)電層部分113。第二導(dǎo)電層部分112包括第二導(dǎo)電部分72，92，8’ 和23。第二導(dǎo)電部分72在驅(qū)動晶體管部分3上面布設(shè)，第二導(dǎo)電部分92在第一接地部分 4上面布設(shè)，第二導(dǎo)電部分8，在尋址路徑部分6上面布設(shè)，第二導(dǎo)電部分23在電阻器部分 2上面布設(shè)。第一導(dǎo)電層部分113包括導(dǎo)電部分71，91，它們界定并包含電源輸送部分7，9。導(dǎo) 電部分71，91分別在第二導(dǎo)電部分72和92上面布設(shè)。在一個實施例中，沒有電源輸送部 分通過尋址路徑部分6上面布設(shè)。圖10為一個流體噴射裝置100的實施例的等角投影圖。此流體噴射裝置包括一 個噴口層101，一個阻擋層102和一個襯底結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，此噴口層101可以包括 一塊噴口板101，它可包括金屬。噴口層101包括至少一列(24)噴嘴25。在圖10的實施例中，顯示了兩列(24)噴 嘴25。應(yīng)指出一個隔板層101可以包含多列(24)噴嘴25。每個噴嘴25相應(yīng)于下面第一 金屬層11內(nèi)的一個電阻器21。各噴嘴25可安排成一些基本組，每組的噴嘴25由一個公用 電源輸送部分7或9供電(圖8)。在圖10的實施例中，噴嘴25安排成6個組a-f?；?組a、b、c和d相應(yīng)于與電阻器21對應(yīng)的噴嘴25，這些電阻器由圖8中第二金屬層11的相 應(yīng)電源輸送部分7供電。e組和f組相應(yīng)的噴嘴是由圖8的電源輸送部分9供電。圖10表 示在每一組中代表性的噴嘴數(shù)。應(yīng)該指出，噴嘴的數(shù)目可以變化。例如，在一個實施例中， a, b，c和d各組中每組在每一列24中包含至少28個噴嘴，而e和f組包含至少116和58 個噴嘴。在一個實施例中，噴口板101可包含貫穿其中的開口 16。在一個實施例中，開口 16 處于圖8的第二導(dǎo)電部分8，上方，并用虛線8’表示其輪廓。開口 16可包含一個膨脹柵， 用來調(diào)節(jié)并減少因熱膨脹可能造成的損壞。將膨脹柵16安置成覆蓋第二導(dǎo)電部分8’而不 是覆蓋金，可降低阻擋層和第二金屬層之間產(chǎn)生剝離的可能性。將第二金屬層內(nèi)的第二導(dǎo) 電層部分伸出導(dǎo)電層部分邊緣以外，可以減少由短路和/或剝離所引起的各種問題。應(yīng)該指出，線，總線、或路徑幾個詞適用于任何充分導(dǎo)電的導(dǎo)電路徑，它能為特定 類型信號的傳播提供信號路徑。應(yīng)該指出，上述實施例只是一些能代表本發(fā)明原理的可能的特定實施例的展示。 本專業(yè)技術(shù)人員不難根據(jù)這些原理設(shè)計出其它仍屬于本發(fā)明范疇和思路的裝置。
權(quán)利要求
一種流體噴射裝置，包括包括電阻器部分(2)的第一金屬層(1)，所述電阻器部分確定一個行幅高度(26)；處于第一金屬層(1)上面的第二金屬層(11)，該第二金屬層(11)包含經(jīng)過行幅高度(26)布設(shè)的第二金屬層接地部分(8)。
2.如權(quán)利要求1的流體噴射裝置，其中第一金屬層(1)還包括金屬層接地部分(4)，該 第一金屬層接地部分與第二金屬層接地部分(8)電連接。
3.一種流體噴射裝置，包括第一金屬層(1)，包含晶體管部分(3)，大致平行于晶體管部分(3)布設(shè)的接地部分(4)，和大致平行于晶體管部分(3)布設(shè)且與晶體管部分分開5ym以上距離的邏輯部分(5)，其中接地部分布設(shè)在晶體管部分和邏輯部分之間。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種流體噴射裝置，包括包括電阻器部分(2)的第一金屬層(1)，所述電阻器部分確定一個行幅高度(26)；處于第一金屬層(1)上面的第二金屬層(11)，該第二金屬層(11)包含經(jīng)過行幅高度(26)布設(shè)的第二金屬層接地部分(8)。本發(fā)明還提供了另一種流體噴射裝置，包括第一金屬層(1)，包含晶體管部分(3)，大致平行于晶體管部分(3)布設(shè)的接地部分(4)，和大致平行于晶體管部分(3)布設(shè)且與晶體管部分分開5μm以上距離的邏輯部分(5)，其中接地部分布設(shè)在晶體管部分和邏輯部分之間。
文檔編號B41J2/05GK101885268SQ201010220910
公開日2010年11月17日 申請日期2005年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月25日
發(fā)明者J·M·托爾格森, K·布魯斯, M·D·米勒, T·本杰明 申請人:惠普開發(fā)有限公司