專利名稱：晶圓打標(biāo)方法
晶圓打標(biāo)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶圓打標(biāo)方法，尤其是涉及一種更為安全的晶圓打標(biāo)方法。背景技術(shù)：
現(xiàn)有的，晶圓下線后的第一步是給晶圓打標(biāo)，也就是采用laser (激光)的方法在晶圓的正上方打出晶圓的批號(hào)(如A1234)，而這一批號(hào)是由許多小孔排列而成的。打標(biāo)處是凹陷的，而打標(biāo)的副產(chǎn)物則會(huì)堆積在凹坑的四周，形成突起，副產(chǎn)堆積物高度為1000 8000nm，其問題在于打標(biāo)孔旁邊的副產(chǎn)堆積物高度是不穩(wěn)定，在后續(xù)STI-CMP研磨過程中，由于而STI-CMP對(duì)表面的副產(chǎn)堆積物比較敏感，一旦副產(chǎn)堆積物的高度和硬度異常時(shí)， STI-CMP就會(huì)將副產(chǎn)堆積物折斷，由于折斷的副產(chǎn)堆積物較硬，故容易劃傷晶圓表面，造成晶圓報(bào)廢。

發(fā)明內(nèi)容針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種晶圓打標(biāo)方法，可以避免因?yàn)榇驑?biāo)不穩(wěn)定或打標(biāo)堆積物異常而造成的晶圓劃傷。本發(fā)明的目的通過提供以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種晶圓打標(biāo)方法，包括以下步驟第一步、在所述晶圓上沉積一層SION ；第二步、打標(biāo)；第三步、采用磷酸酸洗晶圓，去除SION及堆積在SION表面的副產(chǎn)堆積物。可選地，所述打標(biāo)是激光打標(biāo)?？蛇x地，在所述“第一步”之前，還包括以下步驟氮化硅生長；淺溝槽蝕刻以及氧化硅生長；氧化硅蝕刻以及氧化硅化學(xué)機(jī)械拋光?？蛇x地，所述氧化硅為HDP氧化硅?？蛇x地，所述氮化硅是通過化學(xué)氣相沉積方法制備。可選地，所述氮化硅是通過電漿輔助化學(xué)氣相沉積方法制備。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是避免了打標(biāo)對(duì)后續(xù)步驟的影響，不會(huì)發(fā)生晶圓的劃傷，提高晶圓合格率。

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明圖1為本發(fā)明晶圓打標(biāo)方法的流程圖。
具體實(shí)施方式


以下參照

本發(fā)明的最佳實(shí)施方式。晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓； 在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99. 999999999 %。晶圓制造廠再把此多晶硅融解成熔融態(tài)，再在此熔融態(tài)里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為I電路工廠的基本原料——娃晶圓片，這就是“晶圓”。在晶圓制作步驟中，一般包括以下步驟第一步、氮化硅生長，可作為后續(xù)淺溝槽刻蝕的阻擋層；在微電子領(lǐng)域中，常使用化學(xué)氣相沉積(CVD)或電漿輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)等方法來制備氮化硅。氮化硅通常會(huì)用做阻絕不同結(jié)構(gòu)的絕緣體或微加工中蝕刻制程所需的保護(hù)層。氮化硅也常用在微芯片中的鈍化層，因?yàn)樗绕鸲趸瑁瑢?duì)水分子和鈉離子有更好的阻擋擴(kuò)散的能力。而水分子和鈉離子是微電子領(lǐng)域兩大造成腐蝕和不穩(wěn)定的因素。另外氮化硅也用在模擬芯片中電容的多晶硅間的介電質(zhì)。第二步、為了做器件間的淺溝槽隔離的淺溝槽蝕刻以及HDP氧化硅生長；第三步、氧化硅蝕刻以及HDP氧化硅化學(xué)機(jī)械拋光；第四步、晶圓打標(biāo)。一般地，打標(biāo)均是通過激光進(jìn)行。激光打標(biāo)是利用高能量密度的激光對(duì)工件進(jìn)行局部照射，使表層材料汽化或發(fā)生顏色變化的化學(xué)反應(yīng)，從而留下永久性標(biāo)記的一種打標(biāo)方法。激光打標(biāo)可以打出各種文字、 符號(hào)和圖案等，字符大小可以從毫米到微米量級(jí)，這對(duì)產(chǎn)品的防偽有特殊的意義。激光打標(biāo)的基本原理是，由激光發(fā)生器生成高能量的連續(xù)激光光束，當(dāng)激光作用于承印材料時(shí)，處于基態(tài)的原子躍遷到較高能量狀態(tài)；處于較高能量狀態(tài)的原子是不穩(wěn)定的，會(huì)很快回到基態(tài)，當(dāng)原子返回基態(tài)時(shí)，會(huì)以光子或量子的形式釋放出額外的能量，并由光能轉(zhuǎn)換為熱能，使表面材料瞬間熔融，甚至氣化，從而形成圖文標(biāo)記。激光打標(biāo)技術(shù)作為一種現(xiàn)代精密加工方法，與腐蝕，電火花加工，機(jī)械刻劃，印刷等傳統(tǒng)的加工方法相比，具有無與倫比的優(yōu)勢(shì)1.采用激光做加工手段，與工件之間沒有加工力的作用，具有無接觸，無切削力， 熱影響小的優(yōu)點(diǎn)，保證了工件的原有精度。同時(shí)，對(duì)材料的適應(yīng)性較廣，可以在多種材料的表面制作出非常精細(xì)的標(biāo)記且耐久性非常好；2.激光的空間控制性和時(shí)間控制性很好，對(duì)加工對(duì)象的材質(zhì)，形狀，尺寸和加工環(huán)境的自由度都很大，特別適用于自動(dòng)化加工和特殊面加工。且加工方式靈活，既可以適應(yīng)實(shí)驗(yàn)室式的單項(xiàng)設(shè)計(jì)的需要，也可以滿足工業(yè)化大批量生產(chǎn)的要求；3.激光刻劃精細(xì)，線條可以達(dá)到毫米到微米量級(jí)，采用激光標(biāo)刻技術(shù)制作的標(biāo)記仿造和更改都非常困難，對(duì)產(chǎn)品防偽極為重要；4.激光加工系統(tǒng)與計(jì)算機(jī)數(shù)控技術(shù)相結(jié)合可構(gòu)成高效自動(dòng)化加工設(shè)備，可以打出各種文字，符號(hào)和圖案，易于用軟件設(shè)計(jì)標(biāo)刻圖樣，更改標(biāo)記內(nèi)容，適應(yīng)現(xiàn)代化生產(chǎn)高效率，快節(jié)奏的要求；5.激光加工和傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷相比，沒有污染源，是一種清潔無污染的高環(huán)保加工技術(shù)。在本發(fā)明最佳實(shí)施方式中，晶圓打標(biāo)步驟包括第一步、在晶圓打標(biāo)之前，首先在所述晶圓上沉積一層SION ；第二步、激光打標(biāo)；此時(shí)因SION的存在，打標(biāo)的副產(chǎn)物堆積物會(huì)堆積在SION表面， 而不是襯底表面；第三步、當(dāng)打標(biāo)完成后，采用磷酸酸洗晶圓，將SION去除，同時(shí)將堆積在SION表面的副產(chǎn)堆積物一起帶走，完成打標(biāo)。通過以上步驟，有效避免了在后續(xù)STI-CMP研磨過程中，由于STI-CMP對(duì)表面的副產(chǎn)堆積物比較敏感，一旦副產(chǎn)堆積物的高度和硬度異常時(shí)，STI-CMP就會(huì)將副產(chǎn)堆積物折斷，由于折斷的副產(chǎn)堆積物較硬，故容易劃傷晶圓表面，造成晶圓報(bào)廢。盡管為示例目的，已經(jīng)公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識(shí)到，在不脫離由所附的權(quán)利要求書公開的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，各種改進(jìn)、增加以及取代是可能的。
權(quán)利要求
1.一種晶圓打標(biāo)方法，其特征在于，包括以下步驟 第一步、在所述晶圓上沉積一層SION ；第二步、打標(biāo)；第三步、采用磷酸酸洗晶圓，去除SION及堆積在SION表面的副產(chǎn)堆積物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓打標(biāo)方法，其特征在于，所述打標(biāo)是激光打標(biāo)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓打標(biāo)方法，其特征在于，在所述“第一步”之前，還包括以下步驟氮化硅生長；淺溝槽蝕刻以及氧化硅生長； 氧化硅蝕刻以及氧化硅化學(xué)機(jī)械拋光。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓打標(biāo)方法，其特征在于，所述氧化硅為HDP氧化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓打標(biāo)方法，其特征在于，所述氮化硅是通過化學(xué)氣相沉積方法制備。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓打標(biāo)方法，其特征在于，所述氮化硅是通過電漿輔助化學(xué)氣相沉積方法制備。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種晶圓打標(biāo)方法，其中，包括以下步驟第一步、在所述晶圓上沉積一層SION；第二步、打標(biāo)；第三步、采用磷酸酸洗晶圓，去除SION及堆積在SION表面的副產(chǎn)堆積物。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是避免了打標(biāo)對(duì)后續(xù)步驟的影響，不會(huì)發(fā)生晶圓的劃傷，提高晶圓合格率。
文檔編號(hào)B41J3/407GK102555518SQ201010605200
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月27日
發(fā)明者李健, 胡駿 申請(qǐng)人:無錫華潤上華科技有限公司