專利名稱：電鑄掩模板定位點的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電鑄掩模板定位點的制作方法，屬于掩膜板制作領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
表面貼裝技術(shù)(Surface Mounting Technology,簡稱SMT)誕生于上世紀(jì)60年代。SMT就是使用一定的工具將無引腳的表面貼裝元器件準(zhǔn)確地放置到經(jīng)過印刷焊膏或經(jīng)過點膠的PCB焊盤上，然后經(jīng)過波峰焊或回流焊，使元器件與電路板建立良好的機械和電氣連接。表面貼裝技術(shù)無需對印刷板鉆插裝孔，直接將表面組裝元件貼、焊到印刷板表面規(guī)定位置上的裝聯(lián)技術(shù)。為了能讓印刷掩模板和所需印刷的PCB能高精度的對準(zhǔn)，在掩模板上需要制作與PCB相對應(yīng)的定位點Mark。印刷機通過CXD (電荷耦合器件圖像傳感器)自動識別定位點(Mark)時，先對模板進行5_范圍內(nèi)的掃描，計算色差，以確定此處是否為定位點；因此Mark的內(nèi)心區(qū)域也需要又一定的灰度。在捕捉Mark的時候是靠捕捉到Mark的邊緣來確定Mark的中心坐標(biāo)，因此Mark邊緣的黑度、平滑度對可識別性是至關(guān)重要的。
當(dāng)前電鑄普通的SMT模板，貼片機對位用的定位點的制作一直存在問題。用激光的形式制作的定位點對比度不夠，激光要想在電鑄板表面留下對比度高的痕跡，僅僅是深度夠深對比度仍然是不夠的，還需要激光留下的刻痕截面是呈階梯狀的，階梯狀的刻痕相互映射，從外看就會呈現(xiàn)較深黑度對比度高的定位點?，F(xiàn)有技術(shù)僅僅是在電鑄板表面刻一個圓，圓的內(nèi)部填滿一些縱橫交錯的直線，這種深度基本相同的刻痕，不能形成階梯，定位點對比度不能達到理想要求，影響定位點的識別；激光刻的定位點不容易抓?。患す饪痰亩ㄎ稽c容易在清洗中脫落，這是由于電鑄掩模板都是很薄的，其厚度在70-150 μ m范圍內(nèi)，激光在不銹鋼鋼板上刻出縱橫相交的直線，刻痕和刻痕之間相交，若激光的功率較小，則整個定位點上，刻痕部相交的部分深度比較淺，很不耐磨。又，現(xiàn)有技術(shù)中的定位點制作過程中，一般是通過在原有的圖形制作基礎(chǔ)上進行二次對位，精度控制十分重要；
也有通過一次對位的方法，分兩個電鑄階段或兩個蝕刻階段，進行定位點的制作，較二次對位精度高，但工藝繁瑣。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種電鑄掩模板定位點的制作方法，其在定位點中填充黑膠，從外看就會呈現(xiàn)較深黑度和較高對比度定位點，提高定位點的識別度和耐磨性；能夠解決定位點黑度不夠的問題。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下:
一種電鑄掩模板定位點的制作方法，包括電鑄工藝階段和蝕刻工藝階段，其特征在于，所述電鑄工藝階段包括:芯模前處理、貼膜、曝光、顯影和電鑄；所述蝕刻工藝階段包括:貼膜、曝光、蝕亥Ij、脫膜、水洗、烘干、涂黑膠、剝離。所述膜前處理包括對芯模的貼膜面進行噴砂處理。所述電鑄工藝階段的曝光在曝光機中進行，按原始文件曝黑開口圖形區(qū)域，并在圖形區(qū)域的四角處曝黑對角位置的至少2個對位點；所述顯影包括顯影曝光好的芯模并清除未曝光干膜。所述電鑄的參數(shù)如下:
氯化鎳10-20 g/L ；
硼酸40 g/L ；
鎳添加劑8-10ml/L ；
光亮劑lml/L ；
鎳濕潤劑1-2 ml/L ；
溫度T50 0C ；
電流2 A ；
時間240min ；
pH4.2 ；
得到電鑄層的厚度為0.04-0.12mm。所述貼膜包括對電鑄后的芯模烘干后，直接在正反面貼膜。所述蝕刻工藝階段的曝光在曝光機中進行，通過CXD (電荷耦合器件圖像傳感器)定位電鑄前曝黑的對位點，在鑄層干膜面曝黑兩個對角位置上的定位點及深度標(biāo)識塊外的全部區(qū)域；所述深度標(biāo)識塊在電鑄層的邊緣。在所述蝕刻包括通過千分尺控制定位點和深度識別塊的蝕刻深度在
0.03-0.07mm ;蝕刻參數(shù)為蝕刻壓力45 ± Ipsi，蝕刻速度35-15HZ，氯化鐵蝕刻液比重
1.38-1.46，所述定位點的深度小于電鑄層的厚度。所述脫膜、水洗和烘干包括完成蝕刻工藝后，進行脫膜處理，清除鑄層表面的干膜，水洗烘干。所述涂黑膠和剝離包括用黑膠對半蝕刻的定位點盲孔進行封堵，最后將加工完成的電鑄掩膜板與芯膜剝離。所述黑膠高度不超過鑄層表面；所述黑膠為高分子材料，主要成分為環(huán)氧樹脂，并含有適量的硅微粉作為填充劑。優(yōu)選的定位點的深度小于鑄層的厚度，為不鏤空的盲孔。本發(fā)明提供的一種電鑄掩模板定位點的制作方法，能夠制作高位置精度的定位，能夠制作高對比度的定位，提高定位的識別度，制作的定位耐磨，不易被清洗掉，能夠解決定位黑度不夠的問題，節(jié)省制作生產(chǎn)時間，降低成本，具有廣闊的市場前景。


下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式

作進一步詳細的說明。圖1為電鑄工藝貼I旲曝光不意 圖2為蝕刻工藝貼膜曝光示意 圖3為未脫模的半蝕刻定位點剖面圖； 圖4為填充黑膠后已脫模的半蝕刻定位點剖面 圖中I為芯模，2為貼膜，3為開口圖形區(qū)域，4為對位點，5為定位點，6為識別塊，7為芯模背面干膜，8為鑄層層干膜，9為鑄層，10為黑膠。
具體實施例方式實施例:
一種電鑄掩模板定位點的制作方法，包括電鑄工藝和蝕刻工藝。1、電鑄工藝段:芯模前處理一貼膜一曝光一顯影一電鑄，
如圖1所示，對0.18mm的芯模I進行貼膜面噴砂處理，去除表面雜質(zhì)，提高其干膜結(jié)合為力；貼膜2后放入曝光機，按原始文件曝黑開口圖形區(qū)域3，并在圖形區(qū)域?qū)蔷€的延長線上曝黑至少2個對位點4，用于CXD (電荷耦合器件圖像傳感器)二次對位；將曝光好的芯模顯影，清除未曝光干膜。進入電鑄槽開始沉積材料，參數(shù)如下:
氯化鎳10 20 g/L
硼酸40 g/L
鎳添加劑8-10ml/L
光亮劑lml/L
鎳濕潤劑1-2 ml/L
溫度T50 0C
電流2 A
時間240min
pH4.2
得到電鑄層的厚度為0.04-0.12mm。2、蝕刻工藝段:貼膜一曝光一蝕刻一脫膜一水洗一烘干一涂黑膠一剝離；
如圖2-3所示，電鑄后的芯模烘干后，無需脫膜，進入蝕刻工藝段，直接正反面貼膜； 通過CCD定位電鑄前曝黑的對位點4，在鑄層干膜面曝黑兩個對角位置上的定位點5及
深度標(biāo)識塊6外的全部區(qū)域，芯模背面干膜上的一層透明高分子保護膜7不剝離，防止其在蝕刻是受到腐蝕，起到保護芯模的作用；
深度標(biāo)識塊的形狀、尺寸無限制，位置處于鋼板邊界，通過千分尺測量蝕刻后厚度，控制蝕刻深度在0.03-0.07mm ;蝕刻參數(shù)為蝕刻壓力為45±lpsi ;蝕刻速度為35-15HZ ;氯化鐵蝕刻液比重為1.38-1.46 ；
蝕刻完成后，進行脫膜處理，清除鑄層9表面的干膜，再水洗烘干，最后用黑膠10對半蝕刻的定位點5進行封堵，提高其黑度，黑膠10高度不超過鑄層9表面；
這樣就完成了在電鑄網(wǎng)板上半蝕刻制作定位點的工藝。這種方式制作的定位位置為一次成型，不會存在定位位置偏差；蝕刻后用黑膠添堵盲孔，黑膠是一種功能性高分子材料，主要成分為環(huán)氧樹脂，并含有適量的硅微粉作為填充劑，具有良好的硬度、強度和成型性，熱膨脹系數(shù)較低，熱穩(wěn)定性高，使用安全，存儲時間長等特性，能夠解決激光刻定位黑度不夠，清洗易脫落的問題。以上實施例目的在于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明的保護范圍，所有由本發(fā)明簡單變化而來的應(yīng)用均落在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電鑄掩模板定位點的制作方法，包括電鑄工藝階段和蝕刻工藝階段，其特征在于，所述電鑄工藝階段包括:芯模前處理、貼膜、曝光、顯影和電鑄；所述蝕刻工藝階段包括:貼膜、曝光、蝕刻、脫膜、水洗、烘干、涂黑膠、剝離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電鑄掩模板定位點的制作方法，其特征在于，所述膜前處理包括對芯模的貼膜面進行噴砂處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電鑄掩模板定位點的制作方法，其特征在于，所述電鑄工藝階段的曝光在曝光機中進行，按原始文件曝黑開口圖形區(qū)域，并在圖形區(qū)域的四角處曝黑對角位置的至少2個對位點；所述顯影包括顯影曝光好的芯模并清除未曝光干膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電鑄掩模板定位點的制作方法，其特征在于，所述電鑄的參數(shù)如下: 氯化鎳10-20 g/L ； 硼酸40 g/L ； 鎳添加劑8-10ml/L ； 光亮劑lml/L ； 鎳濕潤劑1-2 ml/L ； 溫度T50 0C ； 電流2 A ； 時間240min ； pH4.2 ； 得到電鑄層的厚度為0.04-0.12mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電鑄掩模板定位點的制作方法，其特征在于，所述貼膜包括對電鑄后的芯模烘干后，直接在正反面貼膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電鑄掩模板定位點的制作方法，其特征在于，所述蝕刻工藝階段的曝光在曝光機中進行，通過CCD定位電鑄前曝黑的對位點，在鑄層干膜面曝黑兩個對角位置上的定位點及深度標(biāo)識塊外的全部區(qū)域；所述深度標(biāo)識塊在電鑄層的邊緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電鑄掩模板定位點的制作方法，其特征在于，在所述蝕刻包括通過千分尺控制定位點和深度識別塊的蝕刻深度在0.03-0.07mm ;蝕刻參數(shù)為蝕刻壓力45±lpsi，蝕刻速度35-15HZ，氯化鐵蝕刻液比重1.38-1.46，所述定位點的深度小于電鑄層的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電鑄掩模板定位點的制作方法，其特征在于，所述脫膜、水洗和烘干包括完成蝕刻工藝后，進行脫膜處理，清除鑄層表面的干膜，水洗烘干。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電鑄掩模板定位點的制作方法，其特征在于，所述涂黑膠和剝離包括用黑膠對半蝕刻的定位點盲孔進行封堵，最后將加工完成的電鑄掩膜板與芯膜剝離。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電鑄掩模板定位點的制作方法，其特征在于，所述黑膠高度不超過鑄層表面；所述黑膠為高分子材料，主要成分為環(huán)氧樹脂，并含有適量的硅微粉作為填充劑。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電鑄掩模板定位點的制作方法，包括蝕刻工藝階段和電鑄工藝階段，其特征在于，所述電鑄工藝階段包括芯模前處理、貼膜、曝光、顯影和電鑄；所述蝕刻工藝階段包括貼膜、曝光、蝕刻、脫膜、水洗、烘干、涂黑膠、剝離。本發(fā)明提供的一種電鑄掩模板定位點的制作方法，能夠制作高位置精度的定位，能夠制作高對比度的定位，提高定位的識別度，制作的定位耐磨，不易被清洗掉，能夠解決定位黑度不夠的問題，節(jié)省制作生產(chǎn)時間，降低成本，具有廣闊的市場前景。
文檔編號B41C1/14GK103203975SQ2012100107
公開日2013年7月17日 申請日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月16日
發(fā)明者魏志凌, 高小平, 趙錄軍 申請人:昆山允升吉光電科技有限公司