控制基板和載體之間的粘合劑的制作方法
【專利摘要】控制基板和載體之間的粘合劑包括：在打印頭的基板的后表面的結合區(qū)域中形成凹陷，其中，結合區(qū)域靠近從后表面到前表面穿過基板的厚度形成的進墨狹槽而形成；在結合區(qū)域和基板載體之間放置粘合劑；以及將基板和基板載體一起移動，使得粘合劑流入凹陷中。
【專利說明】控制基板和載體之間的粘合劑

【背景技術】
[0001 ] 在噴墨打印中，小墨滴被從打印頭中的噴嘴陣列釋放到諸如紙的打印介質(zhì)上。墨結合到打印介質(zhì)的表面并且形成圖形、文本或其它圖像。小墨滴被精確地釋放以確保圖像被準確地形成。通常，在小滴被選擇性地釋放的同時，介質(zhì)在打印頭下面?zhèn)鬏?。介質(zhì)的傳輸速度被作為因素考慮到小滴釋放定時中。
[0002]打印頭通常包括多個墨室，也稱為噴發(fā)(firing)室。每個墨室與陣列中的噴嘴之一流體連通，并且由該相應的打印頭噴嘴提供待沉積的墨。在小滴釋放之前，墨室中的墨由于作用在噴嘴通道內(nèi)的墨上的毛細作用力和/或背壓而被阻止離開噴嘴。
[0003]在小滴釋放期間，通過主動地增加墨室內(nèi)的壓力而將墨室內(nèi)的墨擠出噴嘴。一些打印頭使用定位在室內(nèi)的電阻加熱器來蒸發(fā)少量的液體墨的至少一種組分。在許多情況下，液體墨的主要組分是水，并且電阻加熱器蒸發(fā)水。蒸發(fā)的一種或多種墨組分膨脹以在墨室內(nèi)形成氣態(tài)的驅(qū)動氣泡。這種膨脹超出約束力足夠多以將單個小滴排出噴嘴。其它墨室使用壓電材料膜來射出小墨滴。壓電材料在電壓被施加到該材料時膨脹，這增加了墨室的內(nèi)部壓力并且足夠多地克服了約束力以排出小滴。
[0004]墨貯存器可將墨提供至墨室。墨貯存器可利用至少一個進墨狹槽與室流體連通，該至少一個進墨狹槽將墨室連接到墨貯存器。通常，進墨狹槽形成于結合到墨貯存器的主體的硅基板中。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0005]附圖示出了本文所述原理的各種示例并且是說明書的一部分。圖示示例僅僅是示例而不限制權利要求的范圍。
[0006]圖1是根據(jù)本文所述原理的示例性打印系統(tǒng)的圖。
[0007]圖2是根據(jù)本文所述原理的示例性盒的圖。
[0008]圖3是根據(jù)本文所述原理的示例性打印頭的剖視圖。
[0009]圖4是根據(jù)本文所述原理的基板的示例性后表面的圖。
[0010]圖5是根據(jù)本文所述原理的示例性打印頭的剖視圖。
[0011]圖6是根據(jù)本文所述原理的基板的示例性后表面的圖。
[0012]圖7是根據(jù)本文所述原理的示例性打印頭的剖視圖。
[0013]圖8是根據(jù)本文所述原理的基板的示例性后表面的圖。
[0014]圖9是根據(jù)本文所述原理的打印頭的示例性部段的剖視圖。
[0015]圖10是根據(jù)本文所述原理的示例性制造階段的圖。
[0016]圖11是根據(jù)本文所述原理的用于控制在基板和基板載體之間的粘合劑的示例性方法的圖。
[0017]圖12是根據(jù)本文所述原理的描繪間隙高度與距進墨狹槽的凹陷距離的關系的示例性坐標圖的圖。

【具體實施方式】
[0018]進墨狹槽的寬度可以為微米級。因此，小的阻塞物可以不利地影響從墨貯存器到墨室的墨流。另外，阻塞物可以將空氣或其它氣體截留在墨室內(nèi)。這樣的氣體截留可導致到噴嘴的供墨量不足。如果將基板結合到墨貯存器主體的粘合劑足夠遠地凸出到進墨狹槽的寬度內(nèi)，那么粘合劑可能阻塞墨流和打印頭的空氣管理。
[0019]一種用于控制基板和基板載體(例如，墨貯存器的主體)之間的粘合劑的方法可包括形成進入打印頭的基板的后表面的結合區(qū)域的凹陷。結合區(qū)域可形成靠近進墨通路，其諸如狹槽，且從后表面穿過基板的厚度到前表面形成。此外，該方法也可包括將粘合劑放置在結合區(qū)域和基板載體之間以及將基板和基板載體一起移動使得粘合劑流入凹陷中。
[0020]在以下描述中，為了說明起見，闡述許多具體細節(jié)以便提供對本發(fā)明的系統(tǒng)和方法的充分理解。然而，對于本領域的技術人員將顯而易見的是，本發(fā)明的設備、系統(tǒng)和方法可以在沒有這些具體細節(jié)的情況下實踐。說明書中對“一個示例”或類似的語言的引用意味著所描述的特定特征、結構或特性被包括在至少該一個示例中，但未必在其它示例中。
[0021]圖1是根據(jù)本文所述原理的示例性打印系統(tǒng)(100)的圖。在該示例中，打印系統(tǒng)(100)可以是用于家庭、商業(yè)或工業(yè)用途的打印機。打印系統(tǒng)的控制器(101)可接收來自本地或遠程來源的打印指令以在打印介質(zhì)(102)上打印圖像。打印介質(zhì)可包括任何類型的合適的片材或卷材，例如紙張、卡片紙、透明膠片、聚酯薄膜、聚酯、膠合板、泡沫板、織物、帆布、其它介質(zhì)、或它們的組合?？刂破?101)可控制輸送機構(103)，該機構使打印介質(zhì)在打印頭(104)下方移動。控制器(101)可造成打印頭利用形成于打印頭中的噴嘴陣列將小墨滴釋放到打印介質(zhì)上。控制器(101)可根據(jù)命令通過壓電材料膜或熱電阻器控制小滴釋放以將墨室的內(nèi)部壓力增加至足以排出小墨滴。
[0022]墨貯存器(105)可與打印頭(104)的墨室流體連通。墨貯存器(105)可通過至少 Iv進墨通路將墨供應至墨室，該進墨通路形成于墨存器(105)和墨室之間的屏障中。
在一些示例中，進墨通路可以是狹槽、孔、其它通路、多個它們、或它們的組合。在圖1的示例中，基板將墨室和墨貯存器(105)分開，并且基板在其后表面的結合區(qū)域上帶凹槽。
[0023]圖2是根據(jù)本文所述原理的示例性盒(200)的圖。在該示例中，盒(200)是并入打印頭(201)的可置換的一體化墨盒。墨貯存器(202)可占據(jù)盒的體積的大部分，并且可以專用于向打印頭(201)供應墨。電觸點(203)可與墨室電連通并可接收來自打印系統(tǒng)的控制器的指令。響應于從墨室噴發(fā)的命令，打印頭(201)的小滴釋放機構可足夠多地增加墨室的內(nèi)部壓力以釋放小墨滴。
[0024]在圖2的示例中，線(204)表明圖3是打印頭(201)的剖視圖。打印頭(201)具有形成于噴嘴層(206)中的多個噴嘴(205)。
[0025]圖3是從在圖2中示出的示例中的線(204)觀察示例性打印頭(300)的剖視圖。在該示例中，墨室(301)形成于噴嘴層(302)和基板(303)之間。多個噴嘴(304)形成于噴嘴層(302)中。小滴釋放機構(305)可定位在每個噴嘴(304)的下方以根據(jù)命令引起小滴釋放。在一些示例中，小滴釋放機構(305)為電阻加熱器、壓電材料膜、另一種小墨滴釋放機構、或它們的組合。小墨滴釋放機構可通過或者使其自身膨脹或者形成用于膨脹的氣泡來增加墨室(301)的內(nèi)部壓力。這種膨脹可將小滴通過噴嘴移置到墨室之外。
[0026]來自墨貯存器(306)的墨可流過形成于基板(303)中的進墨狹槽(307)以補充從小滴釋放損失的墨體積。雖然圖3的示例包括三個進墨狹槽(307，325，326)，但可在基板(303)中形成任意數(shù)量的進墨狹槽。進墨狹槽(307，325，326)可從基板(303)的后表面(308)延伸基板(303)的整個厚度至基板(303)的前表面(309)。在一些示例中，墨室(301)可利用形成于基板中的至少一個進墨孔或其它通路連接到墨貯存器(306)。
[0027]基板(303)的后表面(308)可在形成于后表面(308)中的結合區(qū)域(312)處結合到墨貯存器主體(311)的基板載體(310)。至少一個凹陷(313)可形成于結合區(qū)域(312)中以便當基板(303)和基板載體(310) —起移動時適應粘合劑(314)的流動。在圖3的示例中，凹陷(313)是靠近進墨狹槽(326)形成的凹槽并且沿著進墨狹槽(326)的長度。
[0028]當基板載體(310)和基板(303) —起移動時，凹陷(313)可防止粘合劑凸出到進墨狹槽(326)中。粘合劑(314)可將基板載體(310)和基板(303)結合在一起并且防止從一個進墨狹槽泄漏到另一個。基板(303)可由硅形成。在一些示例中，基板為晶體基板，例如，摻雜的晶體基板、未摻雜的晶體基板、單晶硅基板、多晶硅基板、或它們的組合。合適的基板的其它示例包括砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、玻璃、二氧化硅、陶瓷、半導體材料、其它材料、或它們的組合?；?303)可以在100和2000微米之間厚。在一些示例中，基板為大約675微米厚。
[0029]在基板(303)和基板載體(310)之間的間隙高度(315)可以在10微米和250微米之間。在一些示例中，間隙高度在125和175微米之間。在一些示例中，凹陷具有基本上等于間隙高度(315)的凹陷深度(316)。在一些示例中，凹陷深度(316)在10微米和250微米之間。在一些示例中，凹陷深度(316)在80和160微米之間。
[0030]在一些示例中，凹陷(313)與進墨狹槽(326)間隔開一定距離。在一些示例中，該距離小于250微米、小于150微米、小于75微米、小于40微米、小于15微米、另一個距離、或它們的組合。在一些示例中，凹陷具有凹陷寬度(317)，其小于250微米、小于150微米、小于75微米、小于40微米、小于15微米、為另一個距離、或它們的組合。
[0031]在圖3的示例中，外部接頭(318，319)具有無凹陷的結合區(qū)域，而內(nèi)部接頭(320，321)具有帶凹槽的結合區(qū)域。在圖3中，外部接頭(318，319)的粘合劑(314)描繪為凸出超過進墨狹槽的壁(323)并且進入進墨狹槽(307)的空間內(nèi)。另一方面，內(nèi)部接頭(320，321)的粘合劑(314)被捕獲在凹陷(313)內(nèi)，使得粘合劑(314)保持在進墨狹槽的空間外部。在圖示示例中，粘合劑凸起(322)可能妨礙從墨貯存器(306)到墨室(301)的墨流，和/或凸起(322)可將空氣或其它碎屑截留在進墨狹槽(307)中。
[0032]隨著進墨狹槽(307，325，326)的壁從前表面(309)靠近后表面(308)，進墨狹槽(307，325，326)可具有越來越大的橫截面積。當小滴被釋放時、通過打印頭中的泄漏或由于其它原因，空氣或氣泡可進入墨室(301)中。墨室中的氣泡可能妨礙小滴釋放，并且進墨狹槽的逐漸更大的直徑可提供容易允許氣泡移動離開墨室(301)的路徑。然而，碎屑或粘合劑凸起可能將氣泡截留在進墨狹槽(307，325，326)內(nèi)。因此，結合區(qū)域(312)中的凹陷(313)可防止進墨狹槽(307，325，326)中的空氣截留。
[0033]圖4是根據(jù)本文所述原理的基板(401)的示例性后表面(400)的圖。在該示例中，第一結合區(qū)域(402)位于第一進墨狹槽(403)和第二進墨狹槽(404)之間。第一進墨狹槽(403)可具有第一長度(414)，并且第二進墨狹槽(404)可具有第二長度(415)。第二結合區(qū)域(405)可位于第二進墨狹槽(404)和第三進墨狹槽(407)之間。在結合區(qū)域(402，405)中，凹陷可以呈沿進墨狹槽(403，404，407)的長度延伸的多個凹槽(408，411，412，413)的形式。在圖4的示例中，凹槽(408，411，412，413)與進墨狹槽(403，404，407)基本上平行。然而，在備選示例中，凹槽(408，411，412，413)中的至少一個可以不平行于進墨狹槽(403，404, 407)中的至少一個。凹槽(408，411，412，413)可與進墨狹槽(403，404，407)間隔開距離(409)，并且凹槽(408，411，412，413)可延伸超過進墨狹槽(403，404，407)的長度。在一些示例中，諸如凹槽的凹陷沿著進墨狹槽(403，404，407)中的至少一個的寬度(410)形成。
[0034]圖5是根據(jù)本文所述原理的示例性打印頭(500)的剖視圖。在該示例中，內(nèi)部接頭(501，502)具有帶有單個凹槽(503，504)的凹陷，該凹槽橫越(span)相應的結合區(qū)域(505，506)的寬度的50%以上。在一些示例中，凹槽橫越結合區(qū)域的寬度的95%或以下。在一些示例中，凹槽橫越小于結合區(qū)域的寬度的90%、小于結合區(qū)域的寬度的75%、小于結合區(qū)域的寬度的60%、小于另一個百分比、或它們的組合。
[0035]凹槽壁(507)可有助于保持粘合劑(508)中的一些不凸出到進墨狹槽(508)中。在一些示例中，當基板(509)和基板載體(510)移動到一起時，凹槽壁(507)的強度足以經(jīng)受粘合劑的膨脹力。在一些不例中，凹槽壁(507)相對于基板載體(510)的表面(511)成角度。在一些示例中，由基板載體的表面和凹槽壁形成的角度為90度。在其它示例中，該角度在130度至20度之間。在一些示例中，可以使用任何合適的角度，只要該角度充分地防止粘合劑凸出到進墨狹槽(508)中即可。
[0036]圖6是根據(jù)本文所述原理的基板￠01)的示例性后表面(600)的圖。在該示例中，凹陷是位于進墨狹槽出04，608, 609)之間的單個凹槽￠02, 603)。凹槽￠02, 603)可橫越位于進墨狹槽(604，608, 609)之間的結合區(qū)域(606，607)的寬度(605)的50%以上。
[0037]圖7是根據(jù)本文所述原理的示例性打印頭(700)的剖視圖。在該示例中，內(nèi)部接頭(703，704)的結合區(qū)域(701，702)具有凹陷(705)，其與進墨狹槽(706)流體連通。例如，凹陷(705)中的至少一個可將結合區(qū)域(701)接合到進墨狹槽(706)的內(nèi)壁(707)。由于粘合劑在基板(709)和基板載體(710)移動到一起時被移置，粘合劑(708)可流入凹陷(705)中。在一些示例中，粘合劑(708)略微凸出到進墨狹槽(706)的空間內(nèi)，但少于在沒有凹陷(705)的情況下粘合劑本來將凸出的量。在其它示例中，粘合劑(708)略微凸出到進墨狹槽(706)的空間內(nèi)，但沒有遠到足以顯著影響墨流或?qū)⒖諝饨亓粼谶M墨狹槽(705)中。在其它示例中，與進墨狹槽(706)流體連通的凹陷(705)保持粘合劑(708)，使得粘合劑(708)不會進入進墨狹槽(706)的空間內(nèi)。
[0038]凹陷(705)可具有任何合適的形狀。例如，與進墨狹槽(706)流體連通的凹陷(705)可具有平坦表面、凸形表面、凹形表面、彎曲表面、帶坑的表面、連續(xù)表面、不連續(xù)表面、帶淺凹的表面、傾斜表面、另一種表面、或它們的組合。
[0039]圖8是根據(jù)本文所述原理的基板(801)的示例性后表面(800)的圖。在該示例中，凹陷(802)部分地形成于基板(801)的后表面(800)的結合區(qū)域(803，804)中。凹陷(802)可將結合區(qū)域(803，804)連接到進墨狹槽(805)的壁。當基板(801)和基板載體移動到一起時，它們之間的粘合劑可能被擠出到由凹陷(802)形成的開放空間內(nèi)。
[0040]圖9是根據(jù)本文所述原理的打印頭(900)的示例性部段的剖視圖。在該示例中，結合到基板載體(903)的基板(902)的外部接頭(901)具有帶有凹陷的結合區(qū)域(904)。在該示例中，凹陷為凹槽(905)，其形成保持唇緣(906)，以保持粘合劑(907)不凸出到進墨狹槽(908)的空間內(nèi)。在其它示例中，凹槽橫越結合區(qū)域(904)的寬度的50%以上。在另一些示例中，凹陷與進墨狹槽(908)連通，使得凹陷將結合區(qū)域(904)連接到進墨狹槽(908)的壁(909)。
[0041]圖10是根據(jù)本文所述原理的示例性制造階段的圖。在該示例中，在第一階段
(1000)期間，抗蝕刻劑層(1001)被沉積在基板(1003)的后表面(1002)上?？刮g刻劑層(1001)可以是掩膜層，其由抵抗蝕刻環(huán)境的任何合適的材料制成。例如，抗蝕刻劑層
(1001)可以是生長的熱氧化物、生長的或沉積的電介質(zhì)材料，例如，化學氣相沉積(CVD)氧化物、用四乙氧基硅烷(TEOS)前體形成氧化硅、碳化硅、氮化硅、鋁、鉭、銅、鋁銅合金、鋁鈦合金、金、其它材料、或它們的組合。
[0042]在第二階段(1004)期間，抗蝕刻劑層(1001)可被圖案化以形成基板(1003)的后表面(1002)的暴露區(qū)域(1005)。在一些示例中，抗蝕刻劑層(1001)利用激光加工工藝移除。然而，也可以使用其它合適的圖案化工藝，例如，光刻工藝結合氣體或液體化學蝕刻劑。暴露區(qū)域(1005)中的一些可比另一些更寬。例如，暴露區(qū)域中的一些可以旨在變成進墨狹槽，而其它暴露區(qū)域可旨在變成凹陷以在基板結合到基板載體時控制粘合劑流動。在這樣的示例中，旨在為進墨狹槽的區(qū)域和旨在為凹陷的區(qū)域可具有不同的寬度。
[0043]在第三階段(1006)期間，基板材料中的一些被從旨在變成進墨狹槽的暴露區(qū)域移除。在一些示例中，使用激光加工工藝來移除材料。用于移除材料的其它合適的技術可包括:硅干蝕刻，其利用等離子增強的反應離子蝕刻(RIE)和交替的六氟化硫(SF6)蝕刻與八氟丁烯(C4F8)沉積；噴砂鉆孔；將基板材料與鋸或磨料機械接觸；其它技術；或它們的組合。材料移除可導致溝槽(1007)，其穿過少于基板(1003)的整個厚度形成。在其中薄膜層沉積在基板的前表面(1008)上的示例中，薄基板膜(1009)可保留以保護薄膜層不受到激光束或其它材料移除技術的任何潛在地破壞的影響。
[0044]在第四階段(1010)期間，可利用濕蝕刻工藝從基板(1003)移除額外的材料。在一些示例中，濕蝕刻通過將基板(1003)浸入各向異性的蝕刻劑中足以完成進墨狹槽(1011)的形成和形成凹陷(1012)的時間來實現(xiàn)。在一些示例中，基板(1003)被浸入諸如四甲基氫氧化銨(TMAH)或氫氧化鉀(KOH)的蝕刻劑中I至3小時的時間。蝕刻劑可以是任何各向異性的濕蝕刻劑，其對抗蝕刻劑層、任何其它薄膜、以及意圖在濕蝕刻之后保留的其它層具有選擇性。
[0045]在一些示例中，單個濕蝕刻過程足以形成進墨狹槽(1011)和凹陷(1012)，而在其它示例中則使用多個濕蝕刻過程。例如，不同的蝕刻劑可使用不同的時間段，以使進墨狹槽(1011)或凹陷(1012)形成預定的形狀。特別地，不同的蝕刻劑可具有不同的蝕刻速率。在其它示例中，蝕刻劑為各向異性的，從而僅在具體的方向上蝕刻基板。各向異性的蝕刻劑可用來在進墨狹槽內(nèi)形成直部段，而快速蝕刻的蝕刻劑可用來移除比暴露區(qū)域更寬的材料。在一些示例中，慢蝕刻的蝕刻劑用來蝕刻進墨狹槽和凹陷的較窄部段。
[0046]在一些示例中，使用不同的階段和過程。此外，各階段可以不同的次序執(zhí)行。例如，暴露區(qū)域可以僅為旨在變成進墨狹槽(1011)的那些區(qū)域制作，并且因此僅那些區(qū)域可被蝕刻。在形成進墨狹槽(1011)之后，接著可將蝕刻劑掩模沉積在進墨狹槽(1011)的表面上。然后，旨在變成凹陷(1012)的區(qū)域可被機加工以移除抗蝕刻劑層，然后蝕刻這些區(qū)域以形成凹陷(1012)。
[0047]圖11是根據(jù)本文所述原理的用于控制在基板和基板載體之間的粘合劑的示例性方法(1100)的圖。在該示例中，方法(1100)包括:在打印頭的基板的后表面的結合區(qū)域中形成(1101)凹陷，其中，結合區(qū)域靠近從后表面到前表面穿過基板的厚度形成的進墨狹槽而形成；在結合區(qū)域和基板載體之間放置(1102)粘合劑；以及將基板和基板載體一起移動(1103)，使得粘合劑流入凹陷中。
[0048]在一些示例中，在結合區(qū)域中形成凹陷包括利用激光加工移除形成于后表面上的抗蝕刻劑層?？衫脻裎g刻由于移除抗蝕刻劑層而暴露的后表面的區(qū)域來形成凹陷。
[0049]在一些示例中，結合區(qū)域位于進墨狹槽和形成于基板的后表面中的另一個進墨狹槽之間。形成凹陷可包括形成第一凹槽和第二凹槽，其中，第一凹槽沿第一進墨狹槽的第一長度延伸，并且第二凹槽沿第二進墨狹槽的第二長度延伸。在其它示例中，形成凹陷包括形成沿進墨狹槽之一的長度延伸的凹槽，并且其中，凹槽的寬度橫越從第一進墨狹槽到第二進墨狹槽的距離的至少50%。
[0050]在一些示例中，輪廓化基板的后表面以形成進墨狹槽和凹陷包括:激光加工形成于后表面中的抗蝕刻劑層以形成用于進墨狹槽的開口 ；激光加工抗蝕刻劑層以形成用于凹陷的開口 ；深激光切割以在基板中形成溝槽；以及硅濕蝕刻以完成進墨狹槽和凹陷的形成。在一些示例中，溝槽為大約600微米，并且基板的總厚度為大約675微米。在該示例中，濕蝕刻可持續(xù)90分鐘。
[0051]在其它示例中，輪廓化基板的后表面以形成進墨狹槽和凹陷包括:激光加工形成于基板的后表面上的抗蝕刻劑層以形成用于進墨狹槽和凹陷的開口 ；從基板的后表面清理掉由激光加工產(chǎn)生的任何碎屑；將金屬干蝕刻掩模沉積到基板的后表面上；將深激光溝槽激光加工至大約500微米的深度；利用干蝕刻工藝(例如，交替的SF6蝕刻和C4F8沉積)移除由激光溝槽化加工產(chǎn)生的薄基板膜；以及硅濕蝕刻以完成進墨狹槽和凹陷的形成。在該示例中，濕蝕刻可持續(xù)50分鐘。
[0052]在又一個示例中，輪廓化基板的后表面以形成進墨狹槽和凹陷包括:利用抗蝕刻劑層涂布和圖案化基板的后表面；干蝕刻以移除抗蝕刻劑層，以便暴露旨在變成進墨狹槽和凹陷的區(qū)域；移除任何抗蝕劑(旨在臨時遮蓋基板的所選部分以免被蝕刻的材料)；沉積金屬干蝕刻掩模；圖案化帶溝槽的區(qū)域以用于干蝕刻；干蝕刻深溝槽以初始地穿透基板的前表面；以及硅濕蝕刻以完成進墨狹槽和凹陷的形成。在這樣的示例中，濕蝕刻可持續(xù)大約50分鐘。
[0053]在一些示例中，凹陷的深度由在激光加工過程期間形成的初始深度來控制。在一些示例中，初始深度為大約6微米。凹陷的其余尺寸可通過蝕刻劑的類型和蝕刻時間來控制。在一些示例中，最終凹陷深度為大約90至150微米。
[0054]圖12是根據(jù)本文所述原理的描繪間隙高度與距進墨狹槽的凹陷距離的關系的示例性坐標圖(1200)的圖。在該示例中，坐標圖(1200)具有:y軸線(1201)，其示意性地表示在基板和基板載體之間的間隙高度；以及X軸線(1202)，其示意性地表示當基板載體和基板一起移動時粘合劑將移動的距離。移動從粘合劑的邊緣相對于粘合劑的中心軸線移動的距離來測量。坐標圖(1200)中描繪的每種情況都使用相同體積的粘合劑。圖例(1207)示出了哪根線(1203，1204, 1206)對應于哪種情況。
[0055]在該示例中，用實線(1203)示意性地表示的默認情況考慮了當結合區(qū)域為基本上平坦的而沒有凹陷時所發(fā)生的移動。在這種情況下，在間隙高度和粘合劑移動之間的關系是線性的。然而，在如由線(1204)示意性地表示的其中結合區(qū)域具有兩個凹槽的情況中，該關系開始是線性的。然而，在具體的間隙高度(1205)處，移動顯著地減少。在利用線(1206)示意性地表示的其中使用單個寬凹槽的情況中，該關系也是非線性的。
[0056]雖然上文已具體參照形成于基板的后表面上的結合區(qū)域描述了凹陷，但凹陷可形成于基板載體的表面中。在一些不例中，凹陷定位成使得當基板和基板載體一起移動時粘合劑可流入凹陷中。
[0057]雖然上文已描述了具有具體配置和幾何形狀的凹陷，但可以使用防止粘合劑凸出到進墨狹槽中的任何凹陷配置或幾何形狀。例如，凹陷可以是凹槽、淺凹、凹部、凹坑、陷口、其它形式的凹陷、或它們的組合。在一些示例中，凹陷包括多個凹槽、多個淺凹、多個凹部、多個凹坑、多個陷口、多個其它形式的凹陷、或它們的組合。在一些示例中，凹陷沿著進墨狹槽的長度、垂直于進墨狹槽的長度、相對于進墨狹槽成角度、以其它取向、或它們的組合延伸。在其中凹陷為至少一個凹槽的示例中，凹槽可以是基本上直的、曲線的、連續(xù)的、不連續(xù)的、成角度的、彎曲的、波狀的、呈現(xiàn)其它形式、或它們的組合。在其中凹陷為至少兩個凹槽的示例中，凹槽可具有U形橫截面、V形橫截面、正方形橫截面、矩形橫截面、其它形狀的橫截面、或它們的組合。
[0058]雖然以上示例描述為具有具體數(shù)量的進墨狹槽，但可以結合本文所述原理使用任何數(shù)量的進墨狹槽。例如，基板可具有在I個和5個之間的進墨狹槽。
[0059]以上描述僅提供用于示出和描述所描述的原理的示例。這種描述并非意圖進行窮舉或?qū)⑦@些原理限制到所公開的任何準確形式。根據(jù)以上教導，可存在許多修改和變型。
【權利要求】
1.一種用于控制基板和載體之間的粘合劑的方法(1100)，包括: 在打印頭的基板的后表面的結合區(qū)域中形成(1101)凹陷，所述結合區(qū)域靠近進墨通路形成，所述進墨通路從所述后表面到前表面穿過所述基板的厚度形成，所述后表面鄰近墨貯存器，并且所述前表面鄰近墨噴發(fā)室； 在所述結合區(qū)域和基板載體之間放置(1102)粘合劑；以及 將所述基板和所述基板載體一起移動(1103)，使得所述粘合劑流入所述凹陷中。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，在打印頭的基板的后表面的結合區(qū)域中形成凹陷包括利用激光加工移除形成于所述后表面上的抗蝕刻劑層。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，在打印頭的基板的后表面的結合區(qū)域中形成凹陷包括濕蝕刻由于利用激光加工移除形成于所述后表面上的抗蝕刻劑層而暴露的所述后表面的區(qū)域。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述結合區(qū)域位于所述進墨通路與第二進墨通路之間，其形成于所述后表面中。
5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，在打印頭的基板的后表面的結合區(qū)域中形成凹陷包括形成第一凹槽和第二凹槽，其中，所述第一凹槽沿所述進墨通路的第一長度延伸，并且所述第二凹槽沿所述第二進墨通路的第二長度延伸。
6.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，在打印頭的基板的后表面的結合區(qū)域中形成凹陷包括形成沿所述進墨通路和所述第二進墨通路中的一個的長度延伸的凹槽，其中，所述凹槽所包括的寬度橫越從所述進墨通路與所述第二進墨通路的距離的至少50%。
7.一種具有在基板和載體之間的受控的粘合劑(314)的打印頭(300)，包括: 基板(303)，其具有前表面(309)和后表面(308)； 鄰近所述前表面的至少一個墨噴發(fā)室(301)和鄰近所述后表面的墨貯存器(306)； 進墨狹槽(326)，其從所述后表面到所述前表面穿過所述基板的厚度形成；以及 所述后表面包括靠近所述進墨狹槽的結合區(qū)域(312)和形成于所述結合區(qū)域中的至少一個凹陷(313)。
8.根據(jù)權利要求7所述的打印頭，其中，所述至少一個凹陷是沿所述進墨狹槽的長度延伸的凹槽。
9.根據(jù)權利要求7所述的打印頭，其中，所述結合區(qū)域位于所述進墨狹槽(326)與形成于所述后表面中的第二進墨狹槽(325)之間。
10.根據(jù)權利要求9所述的打印頭，其中，所述至少一個凹陷為第一凹槽(408)和第二凹槽(413)，其中，所述第一凹槽沿所述進墨狹槽的第一長度(414)延伸，并且所述第二凹槽沿所述第二進墨狹槽的第二長度(415)延伸。
11.根據(jù)權利要求9所述的打印頭，其中，所述至少一個凹陷是沿所述進墨狹槽和所述第二進墨狹槽之一的長度延伸的凹槽，其中，所述凹槽所包括的寬度橫越從所述進墨狹槽與所述第二進墨狹槽的距離的至少50%。
12.根據(jù)權利要求7所述的打印頭，其中，所述至少一個凹陷與所述進墨狹槽流體連通。
13.一種具有在基板與載體之間的受控的粘合劑的系統(tǒng)(100)，包括: 基板(303)，其具有前表面(309)和后表面(308)； 鄰近所述前表面的至少一個墨噴發(fā)室(301)和鄰近所述后表面的墨貯存器(306)； 進墨狹槽(326)，其從所述后表面到所述前表面穿過所述基板的厚度形成； 所述后表面在形成于所述后表面中和所述基板載體中的結合區(qū)域(312)處利用粘合劑結合到基板載體(310)，所述結合區(qū)域位于所述進墨狹槽與形成于所述后表面中的第二進墨狹槽之間；以及 形成于所述結合區(qū)域之一中的至少一個凹陷至少部分地填充有所述粘合劑。
14.根據(jù)權利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述至少一個凹陷為第一凹槽和第二凹槽，其中，所述第一凹槽沿所述進墨狹槽的第一長度延伸，并且所述第二凹槽沿所述第二進墨狹槽的第二長度延伸。
15.根據(jù)權利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述至少一個凹陷是沿所述進墨狹槽和所述第二進墨狹槽之一的長度延伸的單個凹槽，其中，所述凹槽所包括的寬度橫越從所述進墨狹槽與所述第二進墨狹槽的距離的至少50%。
【文檔編號】B41J2/175GK104245328SQ201280072865
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2012年6月18日 優(yōu)先權日:2012年6月18日
【發(fā)明者】里瓦斯 R., 弗里伊森 E., 瑟伯 L., E. 克拉克 G., L. 比格福德 R. 申請人:惠普發(fā)展公司，有限責任合伙企業(yè)