轉(zhuǎn)印裝置以及基板處理裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種轉(zhuǎn)印裝置。轉(zhuǎn)印裝置具備：版保持部，其對轉(zhuǎn)印版進(jìn)行保持，該轉(zhuǎn)印版具有由規(guī)定厚度的多孔質(zhì)材料形成的多孔質(zhì)板、以及形成于該多孔質(zhì)板的一方的面?zhèn)鹊霓D(zhuǎn)印用的圖案層；對象物保持部，其對能夠供上述轉(zhuǎn)印版的圖案層轉(zhuǎn)附的對象物以使得該對象物與轉(zhuǎn)印版的一方的面密接或接近的方式進(jìn)行保持；以及流體供給部，其從多孔質(zhì)板的另一方的面?zhèn)认蛞环降拿鎮(zhèn)裙┙o規(guī)定壓力的流體。
【專利說明】轉(zhuǎn)印裝置以及基板處理裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及轉(zhuǎn)印裝置以及基板處理裝置。
[0002]本申請基于2012年8月6日申請的日本特愿2012 — 173983號而主張優(yōu)先權(quán)，并在此引用其內(nèi)容。

【背景技術(shù)】
[0003]作為構(gòu)成顯示器裝置等顯示裝置的顯示元件，公知有例如液晶顯示元件、有機(jī)電致發(fā)光(有機(jī)EL)元件、在電子紙中使用的電泳元件等。作為制作上述元件的手法之一，公知有例如被稱為輥對輥(roll to roll)方式(以下，僅記為“輥式”)的手法(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0004]輥式手法是將卷繞于基板供給側(cè)的輥的一張片狀的基板送出，并且一邊利用基板回收側(cè)的輥對送出的基板進(jìn)行卷取一邊輸送基板，在基板被送出到被卷取的期間，在基板上依次形成顯示電路、驅(qū)動電路等的圖案(pattern)。近年來，例如大型的顯示器裝置等的需求很多，從而要求在基板上的廣闊范圍高效地形成圖案的技術(shù)。作為這樣的技術(shù)之一，公知有例如將預(yù)先形成于轉(zhuǎn)印版的圖案層轉(zhuǎn)印到基板的轉(zhuǎn)印法(轉(zhuǎn)附法)。
[0005]專利文獻(xiàn)1:國際公開第2006/100868號
[0006]然而，在轉(zhuǎn)印法中，當(dāng)將圖案層向基板轉(zhuǎn)印時，圖案的一部分有可能殘留于轉(zhuǎn)印版。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所涉及的實(shí)施方式的目的在于，提供一種在轉(zhuǎn)印時能夠抑制圖案層殘留于轉(zhuǎn)印版的轉(zhuǎn)印裝置以及基板處理裝置。
[0008]本發(fā)明所涉及的一個實(shí)施方式的轉(zhuǎn)印裝置具備:版保持部，其對轉(zhuǎn)印版進(jìn)行保持，該轉(zhuǎn)印版具有由規(guī)定厚度的多孔質(zhì)材料形成的多孔質(zhì)板、以及形成于該多孔質(zhì)板的一方的面?zhèn)鹊霓D(zhuǎn)印用的圖案層；對象物保持部，其對能夠供轉(zhuǎn)印版的圖案層轉(zhuǎn)附的對象物以使得該對象物與轉(zhuǎn)印版的一方的面密接或接近的方式進(jìn)行保持；以及流體供給部，其從多孔質(zhì)板的另一方的面?zhèn)认蛞环降拿鎮(zhèn)裙┙o規(guī)定壓力的流體。
[0009]本發(fā)明所涉及的一個實(shí)施方式的基板處理裝置具備:基板輸送部，其對形成為帶狀的基板進(jìn)行輸送；以及多個基板處理部，它們對由上述基板輸送部輸送的基板進(jìn)行處理，使用上述轉(zhuǎn)印裝置作為基板處理部。
[0010]本發(fā)明所涉及的一個實(shí)施方式的設(shè)備制造方法是在柔性的基板上制造包含薄膜晶體管的電子設(shè)備的方法，所述設(shè)備制造方法包括:第一工序，在該第一工序中，在由規(guī)定厚度的多孔質(zhì)材料形成的多孔質(zhì)板的一方的面?zhèn)?，形成?gòu)成上述薄膜晶體管的電極層、半導(dǎo)體層、絕緣層中的任意兩層的層疊構(gòu)造體；第二工序，在該第二工序中，在使形成有上述層疊構(gòu)造體的上述多孔質(zhì)板的一方的面?zhèn)?、與上述基板的表面密接或者接近的狀態(tài)下，從上述多孔質(zhì)板的另一方的面?zhèn)认蛏鲜鲆环降拿鎮(zhèn)裙┙o規(guī)定壓力的流體，將上述多孔質(zhì)板上的上述層疊構(gòu)造體轉(zhuǎn)印于上述基板的表面；以及第三工序，在該第三工序中，在被轉(zhuǎn)印到上述基板的表面的上述層疊構(gòu)造體的表面或者上述基板的表面，形成構(gòu)成上述薄膜晶體管的剩余的層、或者與上述電極連接的配線層。
[0011]根據(jù)本發(fā)明所涉及的實(shí)施方式，能夠提供在轉(zhuǎn)印時抑制圖案層殘留于轉(zhuǎn)印版的轉(zhuǎn)印裝置以及基板處理裝置。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是示出本發(fā)明所涉及的第一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)印裝置的整體結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0013]圖2是示出本實(shí)施方式的多孔質(zhì)片材的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0014]圖3是示出本實(shí)施方式的噴氣輥的結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0015]圖4是示出本實(shí)施方式的噴氣輥的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0016]圖5是示出本實(shí)施方式的轉(zhuǎn)印動作的一個例子的局部剖視圖。
[0017]圖6是示出本實(shí)施方式的轉(zhuǎn)印動作的一個例子的局部剖視圖。
[0018]圖7是示出本實(shí)施方式的轉(zhuǎn)印動作的一個例子的局部剖視圖。
[0019]圖8A是示出本實(shí)施方式中的噴氣輥的變形例的剖視圖。
[0020]圖8B是示出本實(shí)施方式中的噴氣輥的變形例的剖視圖。
[0021]圖9是示出本發(fā)明所涉及的第二實(shí)施方式的設(shè)備制造系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)的圖。
[0022]圖10是示出本發(fā)明所涉及的多孔質(zhì)片材的其它結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0023]圖11是對利用本發(fā)明所涉及的多孔質(zhì)片材進(jìn)行的多層圖案層的轉(zhuǎn)印進(jìn)行說明的剖視圖。
[0024]圖12A是示出利用本發(fā)明所涉及的第三實(shí)施方式的設(shè)備制造方法形成的電路的一個例子的圖。
[0025]圖12B是示出利用本發(fā)明所涉及的第三實(shí)施方式的設(shè)備制造方法形成的電路的一個例子的圖。
[0026]圖12C是示出利用本發(fā)明所涉及的第三實(shí)施方式的設(shè)備制造方法形成的電路的一個例子的圖。
[0027]圖13A是示出本發(fā)明所涉及的第三實(shí)施方式的設(shè)備制造方法的電路形成工序的一個例子的圖。
[0028]圖13B是示出本發(fā)明所涉及的第三實(shí)施方式的設(shè)備制造方法的電路形成工序的一個例子的圖。
[0029]圖13C是示出本發(fā)明所涉及的第三實(shí)施方式的設(shè)備制造方法的電路形成工序的一個例子的圖。
[0030]圖14A是示出本發(fā)明所涉及的第三實(shí)施方式的設(shè)備制造方法的電路形成工序的一個例子的圖。
[0031]圖14B是示出本發(fā)明所涉及的第三實(shí)施方式的設(shè)備制造方法的電路形成工序的一個例子的圖。
[0032]圖14C是示出本發(fā)明所涉及的第三實(shí)施方式的設(shè)備制造方法的電路形成工序的一個例子的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0033][第一實(shí)施方式]
[0034]對本發(fā)明所涉及的第一實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0035]圖1是示出本實(shí)施方式的轉(zhuǎn)印裝置100的結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0036]如圖1所示，轉(zhuǎn)印裝置100是使用具有撓性、且由多孔質(zhì)材料形成為環(huán)形帶狀的作為轉(zhuǎn)印版的多孔質(zhì)片材Ts，將形成于該多孔質(zhì)片材Ts的外周面Ta的圖案層轉(zhuǎn)印于作為轉(zhuǎn)印對象物的薄膜狀的基板P的裝置。轉(zhuǎn)印裝置100具有保持多孔質(zhì)片材Ts的片材保持部(版保持部)10、保持基板P的基板保持部(對象物保持部)20、以及從多孔質(zhì)片材Ts的內(nèi)周面Tb側(cè)向外周面Ta側(cè)供給氣體的氣體供給部(流體供給部)30。此外，基板P能夠采用PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)等樹脂制薄膜、塑料片材、極薄的能夠彎曲的玻璃板、將不銹鋼壓延為箔狀的薄膜片材、或加工成抑制液體的吸收的紙、布等具有撓性的基板、所謂的柔性基板。
[0037]在本實(shí)施方式中，尤其著眼于材料費(fèi)廉價這一點(diǎn)，而采用樹脂制薄膜、塑料片材作為基板P。
[0038]這里，在說明轉(zhuǎn)印裝置100的各結(jié)構(gòu)之前，先對本實(shí)施方式中所使用的多孔質(zhì)片材Ts的結(jié)構(gòu)予以說明。圖2是示出多孔質(zhì)片材Ts的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0039]如圖2所示，多孔質(zhì)片材Ts具有多孔質(zhì)層11、基底金屬層12 (覆蓋部)以及電鍍層13(覆蓋部)。
[0040]多孔質(zhì)層11采用例如聚酰亞胺等多孔質(zhì)材料而形成為例如20 μπι?50 μπι左右的膜厚。多孔質(zhì)層11能夠使氣體從其內(nèi)部通過。多孔質(zhì)層11的第二面Ilb相當(dāng)于多孔質(zhì)片材Ts的內(nèi)周面Tb。
[0041]這種多孔質(zhì)聚酰亞胺膜例如在國際
【發(fā)明者】鈴木智也 申請人:株式會社尼康