增加光量的掃描發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種增加光量的掃描發(fā)光裝置，包含移位電路及發(fā)光電路。移位電路包含多個移位閘流體、多個二極管及多個移位信號線。多個移位閘流體間隔地區(qū)分為多個群組。各二極管分別電連接于兩相鄰的移位閘流體之間。每一移位信號線分別電性連接屬于群組其中之一的移位閘流體。發(fā)光電路包含多個發(fā)光閘流體及多個發(fā)光控制線。各發(fā)光閘流體對應(yīng)電連接移位閘流體的其中之一。每一發(fā)光控制線分別電性連接與群組其中之一的移位閘流體所電性連接的發(fā)光閘流體。藉由相鄰群組的發(fā)光閘流體的發(fā)光期間部分重疊而可增加總發(fā)光量。本實(shí)用新型的增加光量的掃描發(fā)光裝置可延長每一發(fā)光閘流體的發(fā)光期間，進(jìn)而在有限的打印期間內(nèi)延長每一發(fā)光閘流體的總發(fā)光量。
【專利說明】增加光量的掃描發(fā)光裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型是關(guān)于一種掃描發(fā)光裝置，特別是一種增加光量的掃描發(fā)光裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 影印機(jī)、打印機(jī)、傳真機(jī)及多功能事務(wù)機(jī)是利用電子寫真技術(shù) (Electro-photography)作為打印文件的核心技術(shù)，意即藉由特定波長的光改變靜電荷 (electrostatic charge)的分布而產(chǎn)生寫真（photographic)影像。
[0003] 參照圖1，為彩色打印的發(fā)光二極管（LED)打印機(jī)100的構(gòu)造示意圖。發(fā)光二極管 打印機(jī)100具有分別對應(yīng)于黑色、洋紅色、青色及黃色的感光鼓（Photoconductive drum) (110K、110M、110C、110Y，總稱 110)、打印頭（Printing head) (120K、120M、120C、120Y，總稱 120)及碳粉匣（Toner cartridge) (130K、130M、130C、130Y，總稱 130)。經(jīng)過布電機(jī)構(gòu)，感光 鼓110表面會產(chǎn)生一層均勻的電荷。打印前的掃描程序需經(jīng)過曝光程序，使得欲打印的文 件中的圖案像素轉(zhuǎn)換成可見光明暗資料。打印頭120中具有多個一維排列的發(fā)光二極管， 其發(fā)出的光照射到感光鼓110上時(shí)，未曝光區(qū)會維持原有電位，但曝光區(qū)的電荷則因曝光 而產(chǎn)生差異。曝光區(qū)的電位變化差異可吸附碳粉匣130提供的帶有正/負(fù)電荷的碳粉，藉 以達(dá)到打印目的。
[0004] 圖2為打印機(jī)100的感光示意圖。如圖2所示，打印裝置包含感光鼓110、打印頭 120及透鏡150。透鏡150位于感光鼓110與打印頭120之間，用以將打印頭120發(fā)出的光 聚焦在感光鼓110上，以實(shí)現(xiàn)前述的曝光程序。
[0005] 圖3為打印頭120的上視示意圖。如圖3所示，打印頭120包含沿軸線140排列 的多個發(fā)光晶片122。一般而言，每一發(fā)光晶片122包含數(shù)千個直線排列的發(fā)光單元（如發(fā) 光二極管）。當(dāng)發(fā)光晶片122沿軸線140排列時(shí)，發(fā)光單元亦同樣沿軸線140排列，藉此可 達(dá)到高DPI的打印解析度。例如，如欲達(dá)到600DPI的解析度，則需要在每英吋排列有600 個發(fā)光單元。
[0006] 由上述的說明可以理解，當(dāng)愈加速打印速度時(shí)，每一發(fā)光單元的發(fā)光時(shí)間將受到 壓縮，因此如何加速打印速度同時(shí)保持良好的打印品質(zhì)，為本領(lǐng)域的研究人員致力希望解 決的問題。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0007] 鑒于以上的問題，本實(shí)用新型提供一種增加光量的掃描發(fā)光裝置，藉以解決先前 技術(shù)所存在如何加速打印速度同時(shí)保持良好的打印品質(zhì)的問題。
[0008] 本實(shí)用新型的一實(shí)施例提供一種增加光量的掃描發(fā)光裝置，包含移位電路及發(fā)光 電路。
[0009] 移位電路包含多個移位閘流體、多個二極管及多個移位信號線。多個移位閘流體 間隔地區(qū)分為多個群組。各二極管分別電連接于兩相鄰的移位閘流體之間。每一移位信號 線分別電性連接屬于群組其中之一的移位閘流體，其中移位信號線的數(shù)量與群組的數(shù)量相 同。
[0010] 發(fā)光電路包含多個發(fā)光閘流體及多個發(fā)光控制線。各發(fā)光閘流體對應(yīng)電連接移位 閘流體的其中之一。每一發(fā)光控制線分別電性連接與群組其中之一的移位閘流體所電性連 接的發(fā)光閘流體，其中發(fā)光控制線的數(shù)量與群組的數(shù)量相同。
[0011] 上述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其中，該些群組的數(shù)量為二。
[0012] 上述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其中，每一該移位閘流體包含一第一陽極端、一 第一陰極端及一第一閘極端，每一該發(fā)光閘流體包含一第二陽極端、一第二陰極端及一第 二閘極端，其中彼此電性連接的該移位閘流體與該發(fā)光閘流體分別以該第一閘極端與該第 二閘極端電性連接。
[0013] 上述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其中，每一該二極管的二端分別電性連接于兩 相鄰的該些移位閘流體的該第一閘極端。
[0014] 上述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其中，每一該移位閘流體的該第一陰極端電性 連接至對應(yīng)的該移位信號線，且每一該移位閘流體的該第一陽極端接地。
[0015] 上述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其中，每一該移位閘流體的該第一閘極端電性 連接一負(fù)載電阻。
[0016] 上述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其中，該移位電路更包含一下拉信號線，電性連 接至該些負(fù)載電阻，以對該些負(fù)載電阻提供一下拉電位。
[0017] 上述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其中，每一該發(fā)光閘流體的該第二陰極端電性 連接至對應(yīng)的該發(fā)光控制線，且每一該發(fā)光閘流體的該第二陽極端接地。
[0018] 上述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其中，每一該發(fā)光控制線饋送具有多個低電壓 位準(zhǔn)區(qū)間的一發(fā)光信號，且相鄰的該些群組所對應(yīng)的該二發(fā)光控制線所饋送的該發(fā)光信號 的該低電壓位準(zhǔn)區(qū)間部分重疊。
[0019] 上述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其中，各該發(fā)光信號的相鄰的該二低電壓位準(zhǔn) 區(qū)間之間的一間歇區(qū)間對應(yīng)于相鄰的該發(fā)光信號的該低電壓位準(zhǔn)區(qū)間內(nèi)。根據(jù)本實(shí)用新型 的增加光量的掃描發(fā)光裝置，可延長每一發(fā)光閘流體的發(fā)光期間，進(jìn)而可在有限的打印期 間內(nèi)延長每一發(fā)光閘流體的總發(fā)光量。相對地，打印速度可獲得提升并可保持原有的發(fā)光 量與打印品質(zhì)。
[0020] 以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本實(shí)用新型 的限定。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021] 圖1為彩色打印的發(fā)光二極管打印機(jī)的構(gòu)造示意圖。
[0022] 圖2為打印機(jī)的感光示意圖。
[0023] 圖3為打印頭的上視示意圖。
[0024] 圖4為本實(shí)用新型一實(shí)施例的掃描發(fā)光裝置的電路圖。
[0025] 圖5為本實(shí)用新型一實(shí)施例的掃描發(fā)光裝置的信號示意圖。
[0026] 圖6為本實(shí)用新型一實(shí)施例的掃描發(fā)光裝置的積體電路上視示意圖。
[0027] 圖7為本實(shí)用新型一實(shí)施例的掃描發(fā)光裝置的積體電路側(cè)視示意圖。
[0028] 其中，附圖標(biāo)記
[0029] 100 發(fā)光二極管打印機(jī)
[0030] 110K、110M、110C、110Y、110 感光鼓
[0031] 120K、120M、120C、120Y、120 打印頭
[0032] 122 發(fā)光晶片
[0033] 130K、130M、130C、130Y 碳粉匣
[0034] 140 軸線
[0035] 150 透鏡
[0036] 200 掃描發(fā)光裝置
[0037] 230 移位電路
[0038] 250 發(fā)光電路
[0039] 31 第一陽極端
[0040] 32 第一陰極端
[0041] 33 第一閘極端
[0042] 34 第二陽極端
[0043] 35 第二陰極端
[0044] 36 第二閘極端
[0045] 40 第一導(dǎo)電型基板
[0046] 41 第一導(dǎo)電型磊晶層
[0047] 42 第二導(dǎo)電型磊晶層
[0048] 43 第一導(dǎo)電型磊晶層
[0049] 44 第二導(dǎo)電型磊晶層
[0050] 51,52,53,54,55 歐姆電極
[0051] tl、t2、t3、t4 發(fā)光期間
[0052] T1、T2、T3、T4 移位閘流體
[0053] D1、D2、D3、D4 二極管
[0054] L1、L2、L3、L4 發(fā)光閘流體
[0055] R1、R2、R3、R4 負(fù)載電阻
[0056] Vga 下拉信號線
[0057] Φ1、Φ2 移位信號線
[0058] φ.Ι1、φ. 12 發(fā)光控制線
[0059] Φ S 起始信號線

【具體實(shí)施方式】
[0060] 下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述，以更進(jìn)一步 了解本實(shí)用新型的目的、方案及功效，但并非作為本實(shí)用新型所附權(quán)利要求保護(hù)范圍的限 制。
[0061] 圖4為本實(shí)用新型一實(shí)施例的掃描發(fā)光裝置200的電路圖。本實(shí)用新型實(shí)施例的 增加光量的掃描發(fā)光裝置200 (于后簡稱掃描發(fā)光裝置）可為前述的發(fā)光晶片122。
[0062] 如圖4所示，掃描發(fā)光裝置200包含移位電路230及發(fā)光電路250。移位電路230 包含多個移位閘流體（τι、T2、T3及T4等，總稱T)、多個二極管（Dl、D2、D3及D4等，總稱 D)及多個移位信號線（于此以二個移位信號線Φ1、Φ 2為例）。發(fā)光電路250包含多個發(fā) 光閘流體（LI、L2、L3及L4等，總稱L)及多個發(fā)光控制線（于此以二個發(fā)光控制線Φ II、 Φ 12為例）。
[0063] 移位閘流體T間隔地區(qū)分為多個群組。因此，本實(shí)施例中以奇數(shù)的移位閘流體 (Τ1、Τ3等）為一組（后稱"奇數(shù)組"），偶數(shù)的移位閘流體（Τ2、Τ4等）為一組（后稱"偶數(shù) 組")。各二極管D分別電連接于兩相鄰的移位閘流體T之間。每一移位信號線分別電性連 接屬于群組中之一的移位閘流體Τ。例如，移位信號線Φ 1電連接至奇數(shù)組的每一移位閘流 體（Τ1、Τ3等）；移位信號線Φ2電連接至偶數(shù)組的每一移位閘流體（Τ1、Τ3等）。因此，移 位信號線的數(shù)量與前述群組的數(shù)量相同。
[0064] 各發(fā)光閘流體L對應(yīng)電連接移位閘流體T的其中之一。亦即，發(fā)光閘流體Ln電連 接移位閘流體Τη，η為正整數(shù)。例如：發(fā)光閘流體Ll電連接移位閘流體Τ1，發(fā)光閘流體L2 電連接移位閘流體Τ2)。每一發(fā)光控制線分別電性連接與群組其中之一的移位閘流體T電 性連接的發(fā)光閘流體L。例如，發(fā)光控制線Φ Il電性連接與奇數(shù)組的移位閘流體T相連接 的發(fā)光閘流體L(于后簡稱奇數(shù)組的發(fā)光閘流體）；發(fā)光控制線Φ 12電性連接與偶數(shù)組的 移位閘流體T相連接的發(fā)光閘流體L (于后簡稱偶數(shù)組的發(fā)光閘流體）。在此，發(fā)光控制線 的數(shù)量與前述群組的數(shù)量亦相同。
[0065] 每一移位閘流體T包含第一陽極端31、第一陰極端32及第一閘極端33 ;每一發(fā)光 閘流體L包含第二陽極端34、第二陰極端35及第二閘極端36。彼此電性連接的移位閘流 體T與發(fā)光閘流體L分別以第一閘極端33與第二閘極端36電性連接。每一二極管D的二 端分別電性連接于兩相鄰的移位閘流體T的第一閘極端33。例如，二極管Dl的陽極端電性 連接移位閘流體Tl的第一閘極端33,其陰極端電性連接另一移位閘流體Τ2的第一閘極端 33。每一移位閘流體T以其第一陰極端32電性連接至對應(yīng)的移位信號線，且每一移位閘流 體T的第一陽極端31接地。相似地，每一發(fā)光閘流體L的第二陰極端35電性連接至對應(yīng) 的發(fā)光控制線，且每一發(fā)光閘流體L的第二陽極端34接地。
[0066] 移位電路230更包含一下拉信號線Vm、一起始信號線（J)S及多個負(fù)載電阻（R1、 R2、R3及R4等，總稱R)。每一移位閘流體T的第一閘極端33電性連接負(fù)載電阻R(例如： 移位閘流體Tl的第一閘極端33電性連接負(fù)載電阻Rl)。負(fù)載電阻R的一端與第一閘極端 33電性連接，另一端電性連接一下拉信號線V m。下拉信號線Vm對負(fù)載電阻R提供一下拉 低電壓位準(zhǔn)（于此為負(fù)電位），而可供正在做動的移位閘流體T的第一閘極端33與第一陽 極端31之間具有順向偏壓。起始信號線CtS電性連接至第一個移位閘流體Tl的第一閘極 端33,以饋送一觸發(fā)移位電路230循序移位做動的單一脈沖（如圖5所示）。
[0067] 圖5為本實(shí)用新型一實(shí)施例的掃描發(fā)光裝置200的信號示意圖，示意上述信號線 或控制線所饋送的信號時(shí)序關(guān)系。
[0068] 如圖5所示，當(dāng)起始信號線CtS饋送單一脈沖之后，二移位信號線Φ1、Φ2分別 饋送脈寬實(shí)質(zhì)相同而相位相差約為90度至180度之間的脈波信號。藉此，配合前述如圖4 所示的移位電路230,可使移位閘流體T的第一陽極端32沿著二極管D的順向?qū)ǚ较蛞?序變?yōu)榈碗妷何粶?zhǔn)。由于發(fā)光閘流體L的第二閘極端36與移位閘流體T的第一閘極端33 相連接，故發(fā)光閘流體L的第二閘極端36也可跟隨移位閘流體T依序做動。而當(dāng)下一個移 位閘流體T的第一陽極端32 (或發(fā)光閘流體L的第二陽極端35)變?yōu)榈碗妷何粶?zhǔn)后一段時(shí) 間，其前一個移位閘流體T的第一陽極端32 (或發(fā)光閘流體L的第二陽極端35)恢復(fù)為高 電壓位準(zhǔn)。在此，文中所述的高電壓位準(zhǔn)為接地準(zhǔn)位（即O伏特），低電壓位準(zhǔn)為負(fù)電壓準(zhǔn) 位（如-5伏特）。
[0069] 如前述移位閘流體T與發(fā)光閘流體L的閘流體的特性是，當(dāng)施加順向偏壓于陽極 與陰極之間且閘極與陰極之間施予超過PN接面的崩潰電壓時(shí)，閘流體將會導(dǎo)通，并且當(dāng)移 除閘極與陰極之間的偏壓之后，閘流體仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)，直至陽極與陰極間的順向偏壓 消失才恢復(fù)為未導(dǎo)通狀態(tài)。因此，當(dāng)移位閘流體Tl的第一閘極端33接收到移位信號線Φ1 的第一個低準(zhǔn)位脈波而啟動時(shí)，對應(yīng)的發(fā)光閘流體Ll也因接收到發(fā)光控制線Φ Il饋送的 第一個低準(zhǔn)位脈波而啟動、發(fā)光，且當(dāng)移位信號線Φ1的第一個低準(zhǔn)位脈波結(jié)束后仍可持 續(xù)發(fā)光，直至發(fā)光控制線Φ Il饋送的第一個低準(zhǔn)位脈波結(jié)束，而可于發(fā)光期間tl持續(xù)發(fā) 光。相似地，發(fā)光閘流體L2、L3、L4分別于發(fā)光期間t2、t3、t4發(fā)光。
[0070] 如圖5所示，每一發(fā)光控制線ΦΙ1、ΦΙ2饋送具有多個低電壓位準(zhǔn)區(qū)間的一發(fā)光 信號，且相鄰的群組所對應(yīng)的二發(fā)光控制線ΦΙ1、ΦΙ2所饋送的發(fā)光信號的低電壓位準(zhǔn)區(qū) 間部分重疊。各發(fā)光信號的相鄰的二低電壓位準(zhǔn)區(qū)間之間的一間歇區(qū)間（即高電壓位準(zhǔn)區(qū) 間）對應(yīng)于相鄰該發(fā)光信號的低電壓位準(zhǔn)區(qū)間內(nèi)。也就是說，二個發(fā)光控制線ΦΙ1、ΦΙ2 可分別控制奇數(shù)組及偶數(shù)組的發(fā)光閘流體L的發(fā)光期間，因此奇數(shù)組及偶數(shù)組的發(fā)光閘流 體L的發(fā)光期間可彼此重疊。藉此，可延長每一發(fā)光閘流體L的發(fā)光期間，進(jìn)而可在有限的 打印期間內(nèi)延長每一發(fā)光閘流體L的總發(fā)光量。相對地，打印速度可獲得提升并可保持原 有的發(fā)光量與打印品質(zhì)。
[0071] 在此，雖然文中所述的高電壓位準(zhǔn)為接地準(zhǔn)位（即0伏特），低電壓位準(zhǔn)為負(fù)電壓 準(zhǔn)位（如-5伏特）。然而，本實(shí)用新型所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的人員可對前述元件的極性調(diào)換并而 可將前述的高電壓位準(zhǔn)改變?yōu)檎妷簻?zhǔn)位（如5伏特），低電壓準(zhǔn)位改變?yōu)榻拥販?zhǔn)位。
[0072] 圖6為本實(shí)用新型一實(shí)施例的掃描發(fā)光裝置200的積體電路上視示意圖。圖7為 本實(shí)用新型一實(shí)施例的掃描發(fā)光裝置200的積體電路側(cè)視示意圖。
[0073] 合并參照圖6及圖7。前述的移位閘流體T與發(fā)光閘流體L可為在第一導(dǎo)電型基 板40上，依序?qū)臃e第一導(dǎo)電型磊晶層41、第二導(dǎo)電型磊晶層42、第一導(dǎo)電型磊晶層43、第二 導(dǎo)電型磊晶層44,而形成的PNPN構(gòu)造。
[0074] 于此，第一導(dǎo)電型基板可為砷化鎵（GaAs)材質(zhì)，第一導(dǎo)電型嘉晶層與第二導(dǎo)電型 嘉晶層可為神化錯嫁（AlGaAs)材質(zhì)。
[0075] 合并參照第4、6及7圖，移位閘流體T的第一閘極端33、發(fā)光閘流體L的第二閘極 端36及二極管D的陽極端彼此連接，因此移位閘流體T、發(fā)光閘流體L及二極管D共用同一 歐姆電極51。歐姆電極51形成于第一導(dǎo)電型磊晶層43上。二極管D由依序?qū)盈B于第二 導(dǎo)電型磊晶層42上的第一導(dǎo)電型磊晶層43與第二導(dǎo)電型磊晶層44所構(gòu)成。并且，二極管 D的陰極端具有一歐姆電極52,其形成于第二導(dǎo)電型磊晶層44上。移位閘流體T的第一陰 極端32上具有歐姆電極53,其形成于第二導(dǎo)電型磊晶層44上。發(fā)光閘流體L的第二陰極 端具有歐姆電極54,其形成于第二導(dǎo)電型磊晶層44上。在此，二極管D、移位閘流體T及發(fā) 光閘流體L的第二導(dǎo)電型磊晶層44彼此不相連接。
[0076] 電阻R可由依序?qū)盈B于第一導(dǎo)電型基板40上的另一第一導(dǎo)電型磊晶層41、另一第 二導(dǎo)電型磊晶層42及另一第一導(dǎo)電型磊晶層43形成。且第一導(dǎo)電型磊晶層43上形成二 歐姆電極55,可作為電阻R的二端，以與其他元件或信號線連接。
[0077] 在一實(shí)施例中，亦可透過配線直接肖特基接觸于第一導(dǎo)電型磊晶層43,而構(gòu)成肖 特基阻障二極管D。
[0078] 在上述構(gòu)造中，第一導(dǎo)電型為P型，第二導(dǎo)電型為N型，然本實(shí)用新型的實(shí)施例非 以此為限。在一些實(shí)施例中，第一導(dǎo)電型可為N型，第二導(dǎo)電型則為P型，且前述的陰極與 陽極的極性即相反。
[0079] 根據(jù)本實(shí)用新型的增加光量的掃描發(fā)光裝置，可延長每一發(fā)光閘流體L的發(fā)光期 間，進(jìn)而可在有限的打印期間內(nèi)延長每一發(fā)光閘流體L的總發(fā)光量。相對地，打印速度可獲 得提升并可保持原有的發(fā)光量與打印品質(zhì)。
[0080] 當(dāng)然，本實(shí)用新型還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本實(shí)用新型精神及其實(shí)質(zhì)的 情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本實(shí)用新型作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些 相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種增加光量的掃描發(fā)光裝置，其特征在于，包含： 一移位電路，包含： 多個移位閘流體，間隔地區(qū)分為多個群組； 多個二極管，各該二極管分別電連接于兩相鄰的該些移位閘流體之間；及 多個移位信號線，每一該移位信號線分別電性連接屬于該些群組其中之一的該些移位 閘流體，其中該些移位信號線的數(shù)量與該些群組的數(shù)量相同；及 一發(fā)光電路，包含： 多個發(fā)光閘流體，各該發(fā)光閘流體對應(yīng)電連接該些移位閘流體的其中之一；及 多個發(fā)光控制線，每一該發(fā)光控制線分別電性連接與該些群組其中之一的該些移位閘 流體所電性連接的該些發(fā)光閘流體，其中該些發(fā)光控制線的數(shù)量與該些群組的數(shù)量相同。
2. 如權(quán)利要求1所述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其特征在于，該些群組的數(shù)量為二。
3. 如權(quán)利要求1所述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其特征在于，每一該移位閘流體包 含一第一陽極端、一第一陰極端及一第一閘極端，每一該發(fā)光閘流體包含一第二陽極端、一 第二陰極端及一第二閘極端，其中彼此電性連接的該移位閘流體與該發(fā)光閘流體分別以該 第一閘極端與該第二閘極端電性連接。
4. 如權(quán)利要求3所述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其特征在于，每一該二極管的二端 分別電性連接于兩相鄰的該些移位閘流體的該第一閘極端。
5. 如權(quán)利要求3所述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其特征在于，每一該移位閘流體的 該第一陰極端電性連接至對應(yīng)的該移位信號線，且每一該移位閘流體的該第一陽極端接 地。
6. 如權(quán)利要求3所述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其特征在于，每一該移位閘流體的 該第一閘極端電性連接一負(fù)載電阻。
7. 如權(quán)利要求6所述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其特征在于，該移位電路更包含一 下拉信號線，電性連接至該些負(fù)載電阻，以對該些負(fù)載電阻提供一下拉電位。
8. 如權(quán)利要求3所述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其特征在于，每一該發(fā)光閘流體的 該第二陰極端電性連接至對應(yīng)的該發(fā)光控制線，且每一該發(fā)光閘流體的該第二陽極端接 地。
9. 如權(quán)利要求3所述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其特征在于，每一該發(fā)光控制線饋 送具有多個低電壓位準(zhǔn)區(qū)間的一發(fā)光信號，且相鄰的該些群組所對應(yīng)的該二發(fā)光控制線所 饋送的該發(fā)光信號的該低電壓位準(zhǔn)區(qū)間部分重疊。
10. 如權(quán)利要求9所述的增加光量的掃描發(fā)光裝置，其特征在于，各該發(fā)光信號的相鄰 的該二低電壓位準(zhǔn)區(qū)間之間的一間歇區(qū)間對應(yīng)于相鄰的該發(fā)光信號的該低電壓位準(zhǔn)區(qū)間 內(nèi)。
【文檔編號】B41J3/44GK204149679SQ201420511623
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年9月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月6日
【發(fā)明者】吉田治信 申請人:日昌電子股份有限公司