1.一種充放電電路，包括總輸入端、總輸出端、單向?qū)▎卧?、以及充放電單元，所述第一單向?qū)▎卧妮斎攵诉B接所述總輸入端，所述第一單向?qū)▎卧妮敵龆诉B接所述總輸出端，所述充放電單元的第一端口連接所述總輸出端，所述充放電單元的第二端口接地，其特征在于：所述充放電單元包括設(shè)于其第一端口和第二端口之間的第一儲(chǔ)能單元和第二儲(chǔ)能單元、以及與所述第一儲(chǔ)能單元和第二儲(chǔ)能單元連接的控制單元，所述第一儲(chǔ)能單元的電容值小于所述第二儲(chǔ)能單元的電容值；充電時(shí)，所述控制單元在所述第一儲(chǔ)能單元的電壓高于預(yù)設(shè)值以后，接入所述第二儲(chǔ)能單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種充放電電路，其特征在于：所述第一儲(chǔ)能單元設(shè)置在所述充放電單元的第一端口和第二端口之間，所述控制單元與所述第二儲(chǔ)能單元串聯(lián)于所述充放電單元的第一端口和第二端口之間；所述控制單元包括第一控制單元和第二控制單元，所述第二儲(chǔ)能單元與所述第一控制單元組成所述總輸出端與地之間的第一充放電回路，所述第二儲(chǔ)能單元與所述第二控制單元組成所述總輸出端與地之間的第二充放電回路，所述第一充放電回路中所述第二儲(chǔ)能單元的充放電電流小于所述第二充放電回路中所述第二儲(chǔ)能單元的充放電電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種充放電電路，其特征在于：放電時(shí)，所述控制單元控制所述第二儲(chǔ)能單元通過(guò)所述第二充放電回路放電。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種充放電電路，其特征在于：所述第一控制單元包括串聯(lián)在其第一端口和第二端口之間的第一受控開(kāi)關(guān)和第一電阻；充電時(shí)，所述第一儲(chǔ)能單元的電壓高于預(yù)設(shè)值以后，所述第一受控開(kāi)關(guān)閉合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種充放電電路，其特征在于：所述第二控制單元包括第二單向?qū)▎卧龅诙蜗驅(qū)▎卧妮斎攵诉B接所述第二儲(chǔ)能單元，所述第二單向?qū)▎卧妮敵龆诉B接所述總輸出端。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種充放電電路，其特征在于：所述第二控制單元包括第二受控開(kāi)關(guān)；放電時(shí)，所述第二受控開(kāi)關(guān)閉合。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種充放電電路，其特征在于：充電時(shí)，所述第二儲(chǔ)能單元的電源高于預(yù)設(shè)值以后，所述第二受控開(kāi)關(guān)閉合。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種充放電電路，其特征在于：所述第一受控開(kāi)關(guān)包括第一晶體管、第二晶體管、反相器，所述第一受控開(kāi)關(guān)的控制端連接至所述第一晶體管的柵極和所述反相器的輸入端，所述第一受控開(kāi)關(guān)的第一端口連接所述第一晶體管的源極和所述第二晶體管的源極，所述第一受控開(kāi)關(guān)的第二端口連接所述第一晶體管的漏極和所述第二晶體管的漏極。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種充放電電路，其特征在于：所述第二受控開(kāi)關(guān)包括第一晶體管、第二晶體管、反相器，所述第二受控開(kāi)關(guān)的控制端連接至所述第一晶體管的柵極和所述反相器的輸入端，所述第二受控開(kāi)關(guān)的第一端口連接所述第一晶體管的源極和所述第二晶體管的源極，所述第二受控開(kāi)關(guān)的第二端口連接所述第一晶體管的漏極和所述第二晶體管的漏極。
10.一種墨盒芯片，其特征在于：包括如權(quán)利要求1或2或3或4或5或6或7或8或9所述的一種充放電電路，所述充放電電路的總輸出端連接芯片的電源輸入端，所述預(yù)設(shè)值大于或者等于所述芯片的工作電壓值。