本實用新型涉及一種密柵高效單晶電池正電極網(wǎng)版，屬于太陽能電池生產(chǎn)制造技術領域。

背景技術：

太陽能作為一種綠色能源，以其取之不竭、無污染、不受地域資源限制等優(yōu)點越來越受到人們的重視。隨著太陽電池技術的不斷發(fā)展，太陽電池的轉(zhuǎn)換效率在不斷的提高，對工藝技術也有了更高的要求。在制作太陽電池過程中，絲網(wǎng)印刷是一道及其重要的工序，通過絲網(wǎng)印刷在電池正面及背面分別印刷正電極、背電極及鋁背場。

而正電極的印刷對電池的轉(zhuǎn)換效率起到很重要的影響，提高電池片的轉(zhuǎn)換效率是整個行業(yè)共同的目標。在行業(yè)內(nèi)，提高轉(zhuǎn)換效率最主要的方法就是提高擴散的方塊電阻，而提高擴散方塊電阻則是通過降低擴散表面濃度，減少光生載流子的復合，達到提高短路電流的效果。以156.75單晶為例，方塊電阻70-80Ω，如圖1所示，正電極網(wǎng)版副柵線數(shù)為96根，線寬45um，而當方塊電阻提升至80-90Ω，配合96根線寬45um的網(wǎng)板，效率提升不超過0.1％，究其原因是提高了方塊電阻后電池體電阻同樣升高，固然短路電流有所上升，但是體電阻的提高導致串聯(lián)電阻的提高以至于填充因子下降明顯，最終效率沒有提升。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的是提供一種密柵高效單晶電池正電極網(wǎng)版，以解決擴散方塊電阻提高后串聯(lián)電阻升高的問題。

為了達到上述目的，本實用新型提供了一種密柵高效單晶電池正電極網(wǎng)版，其特征在于，包括正電極網(wǎng)版副柵線，正電極網(wǎng)版副柵線的數(shù)量為110根，柵線間距為1.42mm，柵線寬度為40um。

進一步地，所述的密柵高效單晶電池的方塊電阻為80-90Ω。

與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果是：

本實用新型將正電極網(wǎng)版副柵線數(shù)量由96根更改為110根，柵線間距由1.63mm更改為1.42mm，柵線寬度由45um更改為40um。本實用新型在擴散方塊電阻提高、電池短路電流提升的前提下，降低電池串聯(lián)電阻，提升填充因子，從而達到提高轉(zhuǎn)換效率的目的。

本實用新型的密柵高效單晶電池的擴散方塊電阻由70-80Ω提高至80-90Ω，正電極網(wǎng)版副柵線數(shù)量由96根更改為110根，柵線寬度由45um更改為40um；方塊電阻的提高有利于短路電流的提升，副柵線數(shù)量的增加有利于串聯(lián)電阻的降低，柵線寬度的降低有利于受光面積的增加。

附圖說明

圖1為常規(guī)正電極網(wǎng)版結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為密柵高效單晶電池正電極網(wǎng)版結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施例，進一步闡述本實用新型。應理解，這些實施例僅用于說明本實用新型而不用于限制本實用新型的范圍。此外應理解，在閱讀了本實用新型講授的內(nèi)容之后，本領域技術人員可以對本實用新型作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定的范圍。

實施例

如圖2所示，為密柵高效單晶電池正電極網(wǎng)版結(jié)構(gòu)示意圖，所述的密柵高效單晶電池正電極網(wǎng)版，包括網(wǎng)版本體以及設于網(wǎng)版本體上的正電極網(wǎng)版副柵線1，正電極網(wǎng)版副柵線1的數(shù)量為110根，正電極網(wǎng)版副柵線1的平行設置，間距為1.42mm，正電極網(wǎng)版副柵線1的寬度為40um。所述的密柵高效單晶電池的方塊電阻為80-90Ω。

利用本實用新型的密柵高效單晶電池正電極網(wǎng)版制作密柵高效單晶電池的具體步驟如下：

步驟一、取邊長156.75mm，對角線長210mm的硅片若干，進行堿制絨；

步驟二、對制絨后的硅片進行擴散，方塊電阻控制在80-90Ω；

步驟三、依次進行刻蝕清洗和管式PECVD鍍減反膜；

步驟四、使用圖1所示的常規(guī)正電極網(wǎng)版或圖2所示的密柵高效單晶電池正電極網(wǎng)版進行印刷并燒結(jié)測試；

步驟五、對比圖1、圖2兩組網(wǎng)版的測試數(shù)據(jù)：

如表中所示，常規(guī)網(wǎng)版為副柵線數(shù)量96根，線寬45um，新型網(wǎng)版為副柵線數(shù)量110根，線寬40um，Isc為電池短路電流，Rs為串聯(lián)電阻，從表中可以看出，當方塊電阻從70-80Ω升高到80-90Ω時，Isc升高了0.016A，Rs高了0.0002Ω，使用本實用新型中所述網(wǎng)版，Rs降低，Isc提升不變，從而效率提升了0.1％以上。