本發(fā)明涉及顯示器領域，特別涉及一種轉(zhuǎn)印基板及其制作方法、oled器件制作方法。

背景技術：

目前，常用的顯示器主要包括有機電致發(fā)光顯示器(英文organiclight-emittingdisplay，簡稱oled)和液晶顯示器(英文liquidcrystaldisplay，簡稱lcd)兩大類。其中，oled的顯示面板主要包括基板和蓋板，基板上設置有oled發(fā)光單元，蓋板蓋合在基板上的oled發(fā)光單元上方。oled發(fā)光單元包括依次形成于基板上的陽極、有機薄膜層和陰極，有機薄膜層主要包括空穴層、電子層以及二者之間的發(fā)光層。

oled按照出光方向可以分為三種類型：底發(fā)射oled、頂發(fā)射oled與雙面發(fā)射oled。底發(fā)射oled是指光從基板一側(cè)射出的oled，頂發(fā)射oled是指光從蓋板一側(cè)射出的oled，雙面發(fā)射oled是指光同時從基板一側(cè)和蓋板一側(cè)射出的oled。其中，頂發(fā)射oled(或雙面發(fā)射oled)為了能保證光從器件頂部射出，要求陰極是透明的，通常采用ito、izo等材料制成。

透明陰極在制備過程中，通常采用濺射(sputter)工藝將ito或izo沉積到有機薄膜層上，為了獲得厚度較小的透明陰極(透明度性能好)，制作時濺出的粒子動能較高，具有較高動能的粒子會對有機薄膜層造成嚴重損傷，降低oled的性能，減少oled的壽命。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有濺射工藝生成透明陰極時，會對有機薄膜層造成嚴重損傷，降低oled性能，減少oled的壽命的問題，本發(fā)明實施例提供了一種轉(zhuǎn)印基板及其制作方法、oled器件制作方法。所述技術方案如下：

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種轉(zhuǎn)印基板，所述轉(zhuǎn)印基板用于oled器件的電極熱轉(zhuǎn)印，所述轉(zhuǎn)印基板包括透光基板和光熱轉(zhuǎn)化層；所述光熱轉(zhuǎn)化層包括陣列排布的多個凸起，所述凸起包括平行設置的底面和頂面，所述底面設置在所述透光基板上，每個所述凸起的頂面用于設置一個待轉(zhuǎn)印的電極塊。

在本發(fā)明實施例的一種實現(xiàn)方式中，所述底面位于所述頂面在所述透光基板上的正投影內(nèi)，或者所述底面與所述頂面在所述透光基板上的正投影重合。

在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述光熱轉(zhuǎn)化層采用吸熱樹脂、染料、碳、金屬或者上述材料中至少兩種形成的復合材料制成。

在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述轉(zhuǎn)印基板還包括位于所述光熱轉(zhuǎn)化層和所述透光基板之間的隔熱透光層。

在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述轉(zhuǎn)印基板還包括設置在所述凸起的頂面與所述待轉(zhuǎn)印的電極塊之間的過渡層，所述過渡層與所述光熱轉(zhuǎn)化層之間的粘合力小于所述待轉(zhuǎn)印的電極塊與所述光熱轉(zhuǎn)化層之間的粘合力。

第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種轉(zhuǎn)印基板制作方法，所述轉(zhuǎn)印基板用于oled器件的電極熱轉(zhuǎn)印，所述方法包括：

提供一透光基板；

在所述透光基板上制作光熱轉(zhuǎn)化層，所述光熱轉(zhuǎn)化層包括陣列排布的多個凸起，所述凸起包括平行設置的底面和頂面，所述底面設置在所述透光基板上，每個所述凸起的頂面分別用于設置一個待轉(zhuǎn)印的電極塊。

在本發(fā)明實施例的一種實現(xiàn)方式中，所述底面位于所述頂面在所述透光基板上的正投影內(nèi)，或者所述底面與所述頂面在所述透光基板上的正投影重合。

在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述在透光基板上制作光熱轉(zhuǎn)化層，包括：

在所述透光基板上制備一膜層；

對所述膜層進行圖形化處理，得到所述光熱轉(zhuǎn)化層；或者，

所述在透光基板上制作光熱轉(zhuǎn)化層，包括：

在所述透光基板上制備金屬層，金屬層設有鏤空結(jié)構(gòu)；

在具有所述金屬層的所述透光基板上制備一膜層；

對所述膜層進行圖形化處理，以去除所述金屬層上的所述膜層；

去除所述金屬層，得到所述光熱轉(zhuǎn)化層。

第三方面，本發(fā)明實施例還提供了一種oled器件制作方法，所述方法包括：

提供一待生長電極的oled基板；

在第一方面任一所述的轉(zhuǎn)印基板上制作電極塊；

將所述轉(zhuǎn)印基板上的電極塊采用熱轉(zhuǎn)印工藝轉(zhuǎn)移到所述oled基板上，以在所述oled基板上形成電極。

在本發(fā)明實施例的一種實現(xiàn)方式中，所述待生長電極為頂發(fā)射oled器件或者雙面發(fā)射oled器件的陰極。

本發(fā)明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：

本發(fā)明提供的轉(zhuǎn)印基板在使用時，光通過透光基板照射在光熱轉(zhuǎn)化層上，產(chǎn)生熱量，實現(xiàn)電極塊的轉(zhuǎn)??；具體地，光熱轉(zhuǎn)化層包括按陣列分布的多個凸起，凸起的頂面用于設置需要轉(zhuǎn)印的電極塊，從而能夠在轉(zhuǎn)印時將分布在多個凸起上的電極塊轉(zhuǎn)印到oled器件上；使用該轉(zhuǎn)印基板實現(xiàn)oled的陰極制作，可以避免對oled有機薄膜層造成嚴重損傷，從而可以提高器件的性能和壽命。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種轉(zhuǎn)印基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的另一種轉(zhuǎn)印基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例提供的另一種轉(zhuǎn)印基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例提供的另一種轉(zhuǎn)印基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例提供的一種轉(zhuǎn)印基板制作方法的流程圖；

圖6是本發(fā)明實施例提供的轉(zhuǎn)印基板使用過程示意圖；

圖7-14是本發(fā)明實施例提供的轉(zhuǎn)印基板制作過程中轉(zhuǎn)印基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15是本發(fā)明實施例提供的一種oled器件制作方法的流程圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種轉(zhuǎn)印基板的結(jié)構(gòu)示意圖，轉(zhuǎn)印基板用于oled器件的電極熱轉(zhuǎn)印，轉(zhuǎn)印基板包括透光基板10和光熱轉(zhuǎn)化層11；光熱轉(zhuǎn)化層11包括陣列排布的多個凸起101，凸起101包括平行設置的底面和頂面，底面設置在透光基板10上，每個凸起101的頂面用于設置一個待轉(zhuǎn)印的電極塊。

本發(fā)明提供的轉(zhuǎn)印基板在使用時，光通過透光基板10照射在光熱轉(zhuǎn)化層11上，產(chǎn)生熱量，實現(xiàn)電極塊的轉(zhuǎn)?。痪唧w地，光熱轉(zhuǎn)化層11包括按陣列分布的多個凸起101，凸起101的頂面用于設置需要轉(zhuǎn)印的電極塊，從而能夠在轉(zhuǎn)印時將分布在多個凸起101上的電極塊轉(zhuǎn)印到oled器件上；使用該轉(zhuǎn)印基板實現(xiàn)oled的陰極制作，可以避免對oled有機薄膜層造成嚴重損傷，從而可以提高器件的性能和壽命。

在本發(fā)明實施例中，多個凸起101的排布方式與oled器件的像素排布一致，每個凸起101的頂面大小與oled器件的像素大小一致。

在本發(fā)明實施例中，透光基板10可以為透明基板，該透明基板整面均透光，透明基板可以為玻璃基板、石英基板、金屬基板、樹脂基板等。透光基板10還可以為部分透光的基板，例如該基板對應凸起101的部分透光，使得光照時能夠使光熱轉(zhuǎn)化層11進行光熱轉(zhuǎn)換，具體可以在透明基板上設置擋光膜層來擋住不設置凸起的部分。

在本發(fā)明實施例的一種實現(xiàn)方式中，底面位于頂面在透光基板10上的正投影內(nèi)；在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，底面與頂面在透光基板10上的正投影重合。凸起101的底面位于頂面在透光基板10上的投影內(nèi)，或者底面與頂面在透光基板10上的投影重合，使得該凸起101在透光基板10上呈倒置的棱臺(其截面為倒梯形，如圖1所示)或者長方體(附圖未示出)，這樣在形成電極時，由于凸起101的邊緣與透光基板10之間存在段差，并且凸起101的邊緣與透光基板10之間不會形成斜坡，使得電極在凸起101的邊緣斷開，形成各個分離的電極塊，而不會連成一體，即可以有效避免形成整面電極，無法形成多個電極塊的情況。

在本發(fā)明實施例中，光熱轉(zhuǎn)化層11采用吸熱樹脂、染料、碳、金屬或者上述材料中至少兩種形成的復合材料制成，其中復合材料是由上述兩種或兩種以上材料通過物理或化學的方法組成的具有新性能的材料。采用上述材料制成的光熱轉(zhuǎn)化層11能夠保證光熱轉(zhuǎn)化層11能夠在被光照時，產(chǎn)生熱量。

圖2是本發(fā)明實施例提供的另一種轉(zhuǎn)印基板的結(jié)構(gòu)示意圖，該轉(zhuǎn)印基板與圖1所示出的轉(zhuǎn)印基板的區(qū)別在于，該轉(zhuǎn)印基板還包括位于光熱轉(zhuǎn)化層11和透光基板10之間的隔熱透光層12。在光熱轉(zhuǎn)化層11和透光基板10之間設置隔熱透光層12，避免熱轉(zhuǎn)印時熱量從透光基板10一側(cè)流失。

在本發(fā)明實施例中，隔熱透光層12可以為吸熱玻璃、隔熱膜等。隔熱透光層12可以整面布置或者陣列布置，其中整面布置是指透光基板10是全部覆蓋隔熱透光層12，陣列布置是指透光基板10上僅設置凸起101的位置設置有隔熱透光層12，本發(fā)明提供的附圖均采用整面布置的方式，整面布置能夠更好地防止熱量流失。

圖3是本發(fā)明實施例提供的另一種轉(zhuǎn)印基板的結(jié)構(gòu)示意圖，該轉(zhuǎn)印基板與圖1所示出的轉(zhuǎn)印基板的區(qū)別在于，該轉(zhuǎn)印基板還包括設置在凸起101的頂面與待轉(zhuǎn)印的電極塊之間的過渡層13，過渡層13與光熱轉(zhuǎn)化層11之間的粘合力小于待轉(zhuǎn)印的電極塊與光熱轉(zhuǎn)化層11之間的粘合力。過渡層13與光熱轉(zhuǎn)化層11之間的粘合力小于待轉(zhuǎn)印的電極塊與光熱轉(zhuǎn)化層11之間的粘合力，保證熱轉(zhuǎn)印時電極塊能被順利轉(zhuǎn)印到oled器件上，避免電極塊直接設置在光熱轉(zhuǎn)化層11上難以分離的問題。

在本發(fā)明實施例中，過渡層13可以采用制作oled發(fā)光器件的材料制成，例如空穴傳輸層材料、空穴注入層材料、發(fā)光層材料、電子傳輸層材料或電子注入層材料，或者，過渡層13還可以采用金屬材料(如mg、ag)制成，或者，過渡層13還可以采用有機材料(如有機高分子材料、或有機小分子材料)制成。優(yōu)選采用制作oled發(fā)光器件的材料制成，該轉(zhuǎn)印基板可以在oled器件制備過程中進行制作，采用制作oled發(fā)光器件的材料便于材料獲取。

進一步地，在本發(fā)明實施例中，還可以在轉(zhuǎn)印基板中同時設置隔熱透光層12和過渡層13，其結(jié)構(gòu)如圖4所示。

圖5是本發(fā)明實施例提供的轉(zhuǎn)印基板使用示意圖，該示意圖中的轉(zhuǎn)印基板采用的是圖4所示的轉(zhuǎn)印基板，圖1-3提供的轉(zhuǎn)印基板使用示意圖與此類似。參見圖4，使用時，凸起101(上的過渡層13)上制作有待轉(zhuǎn)印的電極塊14，通過光(圖4中的箭頭所示)照射在透光基板10的底面，使得光熱轉(zhuǎn)化層11產(chǎn)生熱量，進而能夠?qū)⒋D(zhuǎn)印的電極塊14轉(zhuǎn)印到oled器件上。其中，圖5所示的oled器件包括基板20、oled器件結(jié)構(gòu)21和像素界定層22，其中oled器件結(jié)構(gòu)21是指制作待轉(zhuǎn)印前形成在基板20上的結(jié)構(gòu)，以頂發(fā)射oled器件為例，若上述電極塊14用于制作陰極，則上述oled器件結(jié)構(gòu)21可以包括oled發(fā)光器件和陽極。容易知道圖5所示的oled器件結(jié)構(gòu)僅為示例，實際應用中oled器件可以具有比圖5更多的結(jié)構(gòu)。

圖6是本發(fā)明實施例提供的一種轉(zhuǎn)印基板制作方法的流程圖，轉(zhuǎn)印基板用于oled器件的電極熱轉(zhuǎn)印，參見圖6，該方法包括：

步驟201：提供一透光基板。

在本發(fā)明實施例中，透光基板可以為透明基板，該透明基板整面均透光，透明基板可以為玻璃基板、石英基板、金屬基板、樹脂基板等。透光基板還可以為部分透光的基板，例如該基板對應凸起的部分透光，使得光照時能夠使光熱轉(zhuǎn)化層進行光熱轉(zhuǎn)換。

步驟202：在透光基板上制作光熱轉(zhuǎn)化層，光熱轉(zhuǎn)化層包括陣列排布的多個凸起，凸起包括平行設置的底面和頂面，底面設置在透光基板上，每個凸起的頂面分別用于設置一個待轉(zhuǎn)印的電極塊。

采用上述方法制成的轉(zhuǎn)印基板在使用時，光通過透光基板照射在光熱轉(zhuǎn)化層上，產(chǎn)生熱量，實現(xiàn)電極塊的轉(zhuǎn)??；具體地，光熱轉(zhuǎn)化層包括按陣列分布的多個凸起，凸起的頂面用于設置需要轉(zhuǎn)印的電極塊，從而能夠在轉(zhuǎn)印時將分布在多個凸起上的電極塊轉(zhuǎn)印到oled器件上；使用該轉(zhuǎn)印基板實現(xiàn)oled的陰極制作，可以避免對oled有機薄膜層造成嚴重損傷，從而可以提高器件的性能和壽命。

在本發(fā)明實施例中，多個凸起的排布方式與oled器件的像素排布一致，每個凸起的頂面大小與oled器件的像素大小一致。

在本發(fā)明實施例的一種實現(xiàn)方式中，底面位于頂面在透光基板上的正投影內(nèi)，或者底面與頂面在透光基板上的正投影重合。凸起的底面位于頂面在透光基板上的投影內(nèi)，或者底面與頂面在透光基板上的投影重合，使得該凸起在透光基板上呈倒置的棱臺(其截面為倒梯形)或者長方體，這樣在形成電極時，由于凸起的邊緣與透光基板之間存在段差，并且凸起的邊緣與透光基板之間不會形成斜坡，使得電極在凸起的邊緣斷開，形成各個分離的電極塊，而不會連成一體，即可以有效避免形成整面電極，無法形成多個電極塊的情況。

在本發(fā)明實施例中，光熱轉(zhuǎn)化層可以有兩種制作方式：

第一種，在透光基板上制作光熱轉(zhuǎn)化層，包括：在透光基板上制備一膜層；

對膜層進行圖形化處理，得到光熱轉(zhuǎn)化層。

第二種，在透光基板上制作光熱轉(zhuǎn)化層，包括：在透光基板上制備金屬層，金屬層設有鏤空結(jié)構(gòu)，金屬層中的鏤空結(jié)構(gòu)用于形成光熱轉(zhuǎn)化層的凸起，鏤空結(jié)構(gòu)的形狀與光熱轉(zhuǎn)化層的凸起的形狀對應；在具有金屬層的透光基板上制備一膜層；對膜層進行圖形化處理，以去除位于金屬層上的膜層；去除金屬層，得到光熱轉(zhuǎn)化層。

其中，上述對膜層進行圖形化處理具體可以采用刻蝕工藝實現(xiàn)?？涛g工藝包括利用光刻膠進行遮擋實現(xiàn)干法刻蝕或者濕法刻蝕，或者對具有光刻膠性能的材料進行曝光顯影實現(xiàn)光刻蝕。

下面以圖4所示的轉(zhuǎn)印基板的制作方法為例對步驟202進行說明，該步驟202可以包括：

第一步，在透光基板上制作隔熱透光層。

參見圖7，在透光基板10上制作隔熱透光層12。

在本發(fā)明實施例中，隔熱透光層12可以為吸熱玻璃、隔熱膜等。隔熱透光層12可以整面布置或者陣列布置，其中整面布置是指透光基板10是全部覆蓋隔熱透光層12，陣列布置是指透光基板10上僅設置凸起101的位置設置有隔熱透光層12，本發(fā)明提供的附圖均采用整面布置的方式，整面布置能夠更好地防止熱量流失。

第二步，在隔熱透光層上制作光熱轉(zhuǎn)化層。

如前所述，制作光熱轉(zhuǎn)化層包括兩種方式：

第一種方式，如圖8-9所示，先在隔熱透光層12上形成一膜層110；然后對膜層110進行圖像化處理，得到光熱轉(zhuǎn)化層11。

在本發(fā)明實施例中，光熱轉(zhuǎn)化層11可以采用吸熱樹脂、染料、碳、金屬或者上述材料中至少兩種形成的復合材料制成，其中復合材料是由上述兩種或兩種以上材料通過物理或化學的方法組成的具有新性能的材料。采用上述材料制成的光熱轉(zhuǎn)化層能夠保證光熱轉(zhuǎn)化層能夠在被光照時，產(chǎn)生熱量。

當制作光熱轉(zhuǎn)化層的材料具有負性光刻膠性能時(如吸熱樹脂)，形成一膜層110可以通過旋涂、狹縫涂布等方式實現(xiàn)。對膜層110進行圖像化處理可以通過曝光、顯影的方式實現(xiàn)。由于曝光時，光的衍射和光強隨著厚度的變化減弱，使得顯影后呈現(xiàn)圖9所示的倒置的棱臺結(jié)構(gòu)(其截面為倒梯形)。

第二種方式，如圖10-13所示，先在隔熱透光層12上形成金屬層111；在具有金屬層111的透光基板10上制備一膜層110，膜層110部分位于隔熱透光層12上(也即金屬層111的鏤空結(jié)構(gòu)中)，另一部分位于金屬層111上；對膜層110進行圖形化處理，以去除膜層110位于金屬層111上的部分；去除金屬層111，剩下金屬層之間的膜層110，得到光熱轉(zhuǎn)化層11。

當制作光熱轉(zhuǎn)化層的材料具有負性光刻膠性能時，膜層制作以及圖形化處理可以與第一種方式相同。在該實現(xiàn)方式中，金屬層11可以先濺射一整層金屬，然后采用光刻工藝形成金屬層；去除金屬層11時可以采用濕刻方式實現(xiàn)。金屬層11可以采用mg、ag等制成，在形成倒置的棱臺結(jié)構(gòu)的凸起101時，金屬層11為棱臺結(jié)構(gòu)(其截面為正梯形)。

第三步，在制作有光熱轉(zhuǎn)化層的透光基板上制作過渡層。

參見圖14，在透光基板10上制作過渡層13。

在本發(fā)明實施例中，過渡層13可以采用制作oled發(fā)光器件的材料制成，例如空穴傳輸層材料、空穴注入層材料、發(fā)光層材料、電子傳輸層材料或電子注入層材料，或者，過渡層13還可以采用金屬材料(如mg、ag)制成，或者，過渡層13還可以采用有機材料(如有機高分子材料、或有機小分子材料)制成。其中，采用制作oled發(fā)光器件或金屬材料制作過渡層13時，可以采用真空蒸鍍或打印的方式實現(xiàn)；采用有機材料制作過渡層13時，可以采用沉積或旋涂的方式實現(xiàn)。

圖15是本發(fā)明實施例提供的一種oled器件制作方法的流程圖，參見圖15，該方法包括：

步驟301：提供一待生長電極的oled基板。

該oled基板可以如圖5所示，參見圖5，該oled基板包括基板20、oled器件結(jié)構(gòu)21和像素界定層22，其中oled器件結(jié)構(gòu)21是指待轉(zhuǎn)印前形成在基板20上的結(jié)構(gòu)，以頂發(fā)射oled器件為例，若上述電極塊用于制作陰極，則上述oled器件結(jié)構(gòu)21可以包括oled發(fā)光器件和陽極。容易知道圖5所示的oled器件結(jié)構(gòu)僅為示例，實際應用中oled器件可以具有比圖5更多的結(jié)構(gòu)。

步驟302：在轉(zhuǎn)印基板上制作電極塊。

其中，該轉(zhuǎn)印基板可以為圖1-4任一幅所示的轉(zhuǎn)印基板。在轉(zhuǎn)印基板上沉積一層電極材料(如ito、izo等)，此時位于光熱轉(zhuǎn)化層的凸起上的部分即為電極塊。

步驟303：將轉(zhuǎn)印基板上的電極塊采用熱轉(zhuǎn)印工藝轉(zhuǎn)移到oled基板上，以在oled基板上形成電極。

進行熱轉(zhuǎn)印工藝時，可以采用激光進行照射，以產(chǎn)生足夠熱量。具體地，激光照射可以只照射轉(zhuǎn)印基板上的凸起，其他部分不用激光照射，節(jié)省能耗。

采用前文的轉(zhuǎn)印基板制作oled器件的電極時，光通過透光基板照射在光熱轉(zhuǎn)化層上，產(chǎn)生熱量，實現(xiàn)電極塊的轉(zhuǎn)??；具體地，光熱轉(zhuǎn)化層包括按陣列分布的多個凸起，凸起的頂面用于設置需要轉(zhuǎn)印的電極塊，從而能夠在轉(zhuǎn)印時將分布在多個凸起上的電極塊轉(zhuǎn)印到oled器件上；使用該轉(zhuǎn)印基板實現(xiàn)oled的陰極制作，可以避免對oled有機薄膜層造成嚴重損傷，從而可以提高器件的性能和壽命。

在本發(fā)明實施例的一種實現(xiàn)方式中，待生長電極為頂發(fā)射oled器件或者雙面發(fā)射oled器件的陰極。該方法能夠解決頂發(fā)射oled器件或者雙面發(fā)射oled器件的陰極采用濺射工藝造成有機薄膜層損傷的問題。

以上僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。