電容器的絲網印刷設備及電容器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及電容器制造過程的領域，特別是涉及一種電容器的絲網印刷設備及電容器的制造方法。
【背景技術】
[0002]隨著各種電子終端設備都朝著高性能、集成化發(fā)展，對電子元器件的電性能要求也越來越高，其中片式陶瓷電容器的容量也逐年增長。
[0003]高容量電容器的制造工藝和精度都比常規(guī)容量電容器高，從流延、絲印、疊層、切割到后面的各個工序，對員工操作和設備部件都有更高的要求。由于目前的高容電容器在制作過程中，使用的是傳統(tǒng)的圖形絲網，印制出來的陶瓷膜片，經過機器若干次重復疊層后形成巴塊。當層數(shù)逐漸增加時，內電極的垂直平整度會逐漸降低，會導致切割后的切割后的電容芯片出現(xiàn)移位、變形、電極坍塌、扭曲或單層飛出等質量問題，影響電容的電性能，導致合格率降低，產量下降，浪費原材料。
[0004]一般的解決方案有采購更高精度的疊層機，提高疊層精度；或者，多次調節(jié)卷入卷出膜帶軸向位置。這些方案經過長期生產應用，仍然不能避免電極移位，切割切偏的問題，并且成本過高，員工操作過于復雜、繁瑣，不適宜大批量生產。

【發(fā)明內容】

[0005]基于此，有必要提供一種能夠提高合格率的電容器的絲網印刷設備及電容器的制造方法。
[0006]一種電容器的絲網印刷設備，包括印刷絲網，所述印刷絲網具有用于透漿形成目標產品的內電極的內電極圖形單元；
[0007]所述內電極圖形單元包括長電極圖形和短電極圖形；
[0008]所述長電極圖形包括主體部和至少兩個延伸部，所述延伸部由所述主體部的一端反向延伸，兩個所述延伸部之間形成空缺；
[0009]所述短電極圖形靠近所述主體部的另一端，所述短電極圖形的位置與所述空缺的位置對應，所述短電極圖形兩側的空位與所述延伸部的位置對應。
[0010]在其中一個實施例中，所述主體部、所述延伸部和所述短電極圖形均呈矩形；
[0011]所述延伸部的數(shù)量為兩個，且其中一個所述延伸部遠離所述空缺的邊與所述主體部的一長邊共線，另一個所述延伸部遠離所述空缺的邊與所述主體部的另一長邊共線。
[0012]在其中一個實施例中，所述短電極圖形的寬度為所述主體部寬度的1/4至1/3。
[0013]在其中一個實施例中，所述主體部的寬度小于所述目標產品的內電極的寬度。
[0014]在其中一個實施例中，所述主體部和所述目標產品的內電極的寬度差小于所述目標產品的內電極的寬度的5 %。
[0015]在其中一個實施例中，所述內電極圖形單元的數(shù)量為多個，多個所述內電極圖形單元排列成多列；
[0016]所述內電極圖形單元的所述短電極圖形與同一列相鄰的所述內電極圖形單元的所述短電極圖形連接，所述內電極圖形單元的所述延伸部與同一列相鄰的所述內電極圖形單元的所述延伸部連接。
[0017]在其中一個實施例中，相鄰兩列的所述內電極圖形單元交錯排列。
[0018]一種電容器的制造方法，包括如下步驟:
[0019]通過所述的電容器的絲網印刷設備對膜片進行金屬電極漿料印刷；所述膜片上所述內電極圖形單元對應的位置透漿形成目標產品的內電極；
[0020]將印刷后的膜片進行剝離；
[0021]對剝離后的膜片錯位層疊，其中一張所述膜片上的所述短電極圖形對應的部分所述內電極設置于相鄰的所述膜片上所述空缺對應的位置，且所述膜片上的所述延伸部對應的部分所述內電極設置于相鄰的所述膜片上所述短電極圖形兩側的空位對應的位置；及
[0022]對層疊后的膜片進行切割。
[0023]上述電容器的絲網印刷設備及電容器的制造方法，利用該絲網圖形制作出的絲網，在流延機流出的超薄陶瓷膜片上進行內電極印刷，印好后的膜片裝載到疊層機，通過機臺剝離多張膜片，再進行固定錯位數(shù)疊層。此過程中，由于同向電極上下相鄰兩層的膜片之間，兩個延伸部之間的空缺和短電極圖形的印刷部分的高度差剛好將上下兩層膜片鑲嵌穩(wěn)定，以此防止膜片在疊好后再次移動造成偏差和移位，多層膜片疊層達到連續(xù)多層鑲嵌的效果，并確保膜片和巴塊在之后的層壓和切割工序中的整齊度和穩(wěn)定性。特別是對于
1.5 μπι及更薄的膜片有更好的適應性，能提高疊層、層壓和切割的合格率。
【附圖說明】
[0024]圖1為一實施例中電容器的絲網印刷設備的絲網圖形的示意圖；
[0025]圖2為圖1所示電容器的絲網印刷設備的絲網圖形的局部放大圖；
[0026]圖3為圖1、圖2所示的電容器的絲網印刷設備用于制造的片式陶瓷電容器的示意圖；
[0027]圖4為圖1、圖2所示的電容器的絲網印刷設備印刷后的膜片經過疊層后的剖視圖；
[0028]圖5為圖1、圖2所示的電容器的絲網印刷設備印刷后的膜片經過疊層后的示意圖；
[0029]圖6為圖5所示的電容器的絲網印刷設備印刷后的膜片經過疊層后的局部放大圖；
[0030]圖7為一實施例中電容器的制造方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0031]為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關附圖對電容器的絲網印刷設備及電容器的制造方法進行更全面的描述。附圖中給出了電容器的絲網印刷設備及電容器的制造方法的首選實施例。但是，電容器的絲網印刷設備及電容器的制造方法可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對電容器的絲網印刷設備及電容器的制造方法的公開內容更加透徹全面。
[0032]除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發(fā)明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在電容器的絲網印刷設備及電容器的制造方法的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術語“及/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。
[0033]如圖1、圖2所示，一實施方式的電容器的絲網印刷設備包括印刷絲網10，印刷絲網10具有用于透漿形成目標產品的內電極的內電極圖形單元100。內電極圖形單元100包括長電極圖形120和短電極圖形140。長電極圖形120包括主體部122和至少兩個延伸部124，延伸部124由主體部122的一端反向延伸，兩個延伸部124之間形成空缺126。短電極圖形140靠近主體部122的另一端，短電極圖形140的位置與空缺126的位置對應，短電極圖形140兩側的空位142與延伸部124的位置對應。
[0034]本實施例的絲網印刷設備可以用于在制造圖3所示的片式陶瓷電容器200的過程中對膜片220進行內電極240印刷的步驟。片式陶瓷電容器200是包括多層陶瓷的膜片220、內電極240和外電極260，內電極240是將金屬漿料通過絲網印刷的方式印在陶瓷膜片220上形成的，將印好的膜片220剝離下來，按照一定距離的錯位疊在一起，之后加上底保護層和面保護層，通過層壓將所有膜片220壓實，最后通過一定的切割方式，切出若干電容芯片。芯片經過高溫燒結形成陶瓷電容的主體部122分，再將電容兩端封上外電極260，與內電極240連接上，即可生產出片式陶瓷電容。
[0035]在疊層工序中，膜片220在機器剝離和多層堆疊時產生輕微的初期位移、變形，影響巴塊合格率。在層壓工序中，疊好的多層膜片220在壓力的作用下產生嚴重移位、坍塌，影響后面切割工序的操作。在切割工序中，由于之前的工序導致內電極240和切割線的變形和移位，使得切割的難度增大，切割出來的電容芯片質量較低，廢品較多，合格率難以保證。無論是上述的疊層、層壓或切割工序，導致產品合格率降低的因素與絲網圖形的設計不適合現(xiàn)有材料和機械有關，詳細原因說明如下:
[0036]一般的高容量陶瓷電容的生產方式，是在固定的標準空間高度內盡可能多的增加膜片220層數(shù)，則每一層膜片220的厚度必須降低，因此超薄膜片220的開發(fā)和應用越來越廣泛。膜片220厚度的降低使得另一個問題:單張膜片220的主體區(qū)域變化越來越突出。傳統(tǒng)陶瓷膜片220的厚度范圍在5?20 μ m，印刷在膜片220上的金屬電極漿料厚度0.5?
Iμ m，漿料厚度遠遠低于膜片220厚度，膜片220的機械性能(彈性、延展性、應力、連貫性)幾乎完全由陶瓷膜片220本身決定，與印刷上去的金屬電極漿料無關。但是當發(fā)展到超薄陶瓷膜片220的時候，膜片220的厚度范圍在0.5?1.5 μ m，而金屬電極漿料的印刷厚度
0.2?0.8 μ m，金屬電極層的厚度已經接近陶瓷膜片220的厚度。印刷后的膜片220的機械性能，實際上是由印有電極圖形的膜片220部分和未印刷的空白膜片220部分共同決定的。
[0037]由于印有電極圖形的膜片220部分和未印刷的空白膜片220厚度差較大，機械性能存在一個較大偏差，單個電容