專利名稱：：接觸結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及包括在具有絕緣表面的基片上形成的由薄膜晶體管(下文稱做TFT)構(gòu)成的電路加工的半導(dǎo)體器件，還涉及一種將由TFT構(gòu)成的電路連接到另一基片的電路上的端子結(jié)構(gòu)。具體地，本發(fā)明提供一種適合于具有像素部分并且驅(qū)動(dòng)電路提供在相同基片上像素部分周邊中的液晶顯示器件、電致發(fā)光顯示器件、以及安裝有與以上顯示器件成一體的電光器件的電子設(shè)備的技術(shù)。注意在本說明書中，半導(dǎo)體器件是指利用半導(dǎo)體特性工作的一般器件，不僅以上的液晶顯示器件，而且以上與顯示器件成一體的電子設(shè)備也歸為半導(dǎo)體器件。在通常為有源矩陣型液晶顯示器件的電光器件中，現(xiàn)已開發(fā)了利用TFT構(gòu)成開關(guān)元件和有源電路的技術(shù)。TFT由通過汽相生長(zhǎng)在如玻璃基片等的基片上形成作為有源層的半導(dǎo)體膜形成。如硅或硅鍺等由硅作為基本組成部分的材料適合于用做上述半導(dǎo)體膜。此外，根據(jù)硅半導(dǎo)體膜的制造方法可以得到非晶硅膜或通常如多晶硅膜等的晶體硅膜。使用非晶硅膜作為有源層的TFT由于非晶結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的電性能等基本上不能得到幾cm2／Vsec以上的電場(chǎng)效應(yīng)遷移率。因此，盡管能夠利用TFT作為開關(guān)元件(像素TFT)驅(qū)動(dòng)在像素部分的每個(gè)像素中形成的液晶，但不可能形成TFT到作為進(jìn)行圖像顯示的驅(qū)動(dòng)電路的程度。為了提供進(jìn)行圖像顯示的驅(qū)動(dòng)電路，現(xiàn)在已使用了通過TAB(自動(dòng)載帶鍵合)法或COG(玻板上芯片)法安裝驅(qū)動(dòng)器IC。另一方面，對(duì)于使用晶體硅作為有源層的TFT，可以得到高電場(chǎng)效應(yīng)遷移率，以在相同的玻璃基片上形成各種功能電路。在驅(qū)動(dòng)器電路中，除了像素TFT，電路基本上由n溝道TFT和p溝道TFT組成的CMOS電路形成，例如移位電阻器電路、電平轉(zhuǎn)移電路、緩沖電路以及采樣電路，可以制造在相同的基片上。為了降低成本和提高質(zhì)量的目的，在有源矩陣型液晶顯示器件中使用具有像素和形成在相同的基片上用于驅(qū)動(dòng)像素的驅(qū)動(dòng)電路的有源矩陣基片。在如上的有源矩陣基片中，為了向驅(qū)動(dòng)電路提供電源和輸入信號(hào)，在有源矩陣基片上形成連接到驅(qū)動(dòng)電路的連接布線。采用安裝有連接布線和FPC(柔性印刷電路)的結(jié)構(gòu)。各向異性導(dǎo)電膜用于連接基片上的連接布線和FPC。圖30示出了通過各向異性導(dǎo)電膜連接到FPC的連接布線的剖面結(jié)構(gòu)。如圖30所示，在有源矩陣基片中，在位于玻璃基片1表面上的絕緣膜2上形成連接布線3。FPC4包括由如聚酰亞胺等柔性材料制成的基片5，由銅等構(gòu)成的多個(gè)布線6形成其上。在各向異性導(dǎo)電膜7中，導(dǎo)電隔離物8分散到由熱或光固化的粘合劑9(樹脂)內(nèi)。連接布線3通過導(dǎo)電隔離物8電連接到FPC4上的布線6。連接布線3是由如鋁和鈦等的金屬膜3a以及如ITO膜等的透明導(dǎo)電膜3b組成的兩個(gè)多層結(jié)構(gòu)。由于透明導(dǎo)電膜3b使用了如鋁等的金屬膜，因而可以降低它的布線電阻。因此，擔(dān)心受導(dǎo)電隔離物(spacer)8按壓造成金屬膜3a變形。透明導(dǎo)電膜3b由如銦和錫等的金屬氧化物制成，由此它的硬度高于金屬膜3a。因此，透明導(dǎo)電膜3b形成在金屬膜的表面上，防止導(dǎo)電膜3a受到損傷或變形。但是，金屬膜3a的側(cè)面處于未覆蓋狀態(tài)，暴露在空氣中直到形成各向異性導(dǎo)電膜7。金屬膜3a的側(cè)面處于容易受到腐蝕和氧化的狀態(tài)，造成連接布線3和FPC4的連接可靠性降低。此外，在安裝FPC4的狀態(tài)中，金屬膜3a的側(cè)面接觸樹脂，產(chǎn)生防潮的問題。本發(fā)明是為解決以上提到的問題的，因此本發(fā)明的一個(gè)目的是在FPC和連接布線之間實(shí)現(xiàn)高可靠性連接，以提供適合于大規(guī)模生產(chǎn)的連接布線。為了解決以上問題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方案，提供一種接觸結(jié)構(gòu)，通過各向異性導(dǎo)電膜將基片上的連接布線連接到其它基片上的布線，特征在于引線為由金屬膜和透明導(dǎo)電膜形成的疊層膜，在各向異性導(dǎo)電膜的連接部分中，金屬膜的側(cè)面由保護(hù)膜覆蓋。此外，根據(jù)本發(fā)明的另一方案，提供一種在基片上的半導(dǎo)體器件，具有由薄膜晶體管構(gòu)成的電路，以及將由薄膜晶體管構(gòu)成的電路連接到其它電路的連接布線，特征在于連接布線為金屬膜和透明導(dǎo)電膜的疊層膜，在與其它電路的連接部分中，金屬膜的側(cè)面由保護(hù)膜覆蓋。此外，根據(jù)本發(fā)明的再一方案，提供一種半導(dǎo)體器件，包括具有由薄膜晶體管構(gòu)成的電路的第一基片，以及與第一基片相對(duì)的第二基片，特征在于由金屬膜和接觸金屬膜表面的透明導(dǎo)電膜形成的連接布線和接觸金屬膜側(cè)面的保護(hù)膜形成在第一基片上，所述連接布線將由薄膜晶體管構(gòu)成的電路連接到另一電路。此外，根據(jù)本發(fā)明的又一方案，提供一種半導(dǎo)體器件，包括具有由薄膜晶體管構(gòu)成的電路的第一基片，以及與第一基片相對(duì)的第二基片，特征在于由金屬膜和接觸金屬膜表面的透明導(dǎo)電膜形成的連接布線，形成在薄膜晶體管上的保持第一基片和第二基片之間間距的柱形隔離物，由與柱形隔離物相同材料構(gòu)成的接觸金屬膜側(cè)面的保護(hù)膜形成在第一基片上，所述連接布線將由薄膜晶體管構(gòu)成的電路連接到另一電路。在附圖中圖1A和1B示出了介紹有源矩陣基片結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖2為介紹液晶顯示器件的電路結(jié)構(gòu)的方框圖；圖3A到3D示出了有源矩陣基片的制造工藝的剖面圖；圖4A到4D示出了有源矩陣基片的制造工藝的剖面圖；圖5A到5C示出了有源矩陣基片的制造工藝的剖面圖；圖6A到6C示出了有源矩陣基片的制造工藝的剖面圖；圖7示出了有源矩陣基片的制造工藝的剖面圖；圖8示出了液晶板的剖面圖；圖9A到9C示出了連接布線的端子部分的制造工藝的剖面圖；圖10A到10C示出了連接布線的端子部分的制造工藝的剖面圖；圖11A到11C示出了連接布線的端子部分的制造工藝的剖面圖；圖12A和12B示出了連接布線的端子部分和各向異性導(dǎo)電膜的接觸結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖13示出了像素部分的一個(gè)像素的俯視圖；圖14介紹了柱形隔離物的形狀；圖15A到15F示出了連接布線的端子部分的制造工藝的剖面圖；圖16示出了連接布線的端子部分和各向異性導(dǎo)電膜的接觸結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖17A到17C示出了有源矩陣基片的制造工藝的剖面圖；圖18A到18C示出了有源矩陣基片的制造工藝的剖面圖；圖19A到19C示出了有源矩陣基片的制造工藝的剖面圖；圖20示出了液晶板的剖面圖21A到21F示出了連接布線的端子部分的制造工藝的剖面圖；圖22示出了半導(dǎo)體器件的一個(gè)例子；圖23A到23F示出了半導(dǎo)體器件的多個(gè)例子；圖24A到24D示出了投影型液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)；圖25示出了ICP腐蝕裝置的等離子體產(chǎn)生機(jī)構(gòu)；圖26示出了使用多螺旋線圈法的ICP腐蝕裝置；圖27示出了錐角θ與偏置功率的關(guān)系圖；圖28示出了錐角θ與CF4流速的比值的關(guān)系圖；圖29示出了錐角θ與鎢對(duì)抗蝕劑(W／抗蝕劑)的選擇率的關(guān)系圖；以及圖30示出了常規(guī)的有源矩陣基片的端部和各向異性導(dǎo)電膜的接觸結(jié)構(gòu)。下面介紹本發(fā)明的各種實(shí)施方式。實(shí)施方式1根據(jù)本發(fā)明的接觸結(jié)構(gòu)適合于使用通過各向異性導(dǎo)電膜連接電路的安裝法的半導(dǎo)體器件，例如有源矩陣型液晶顯示器件或EL顯示器件。參考圖12A和12B，在實(shí)施方式1中介紹應(yīng)用到有源矩陣型液晶顯示器件時(shí)本發(fā)明的接觸結(jié)構(gòu)。有源矩陣基片上的連接布線183通過端子部分182中的各向異性導(dǎo)電膜195電連接到FPC191。在形成有源矩陣基片上的TFT的源／漏布線的相同工藝中形成連接布線183。換句話說，連接布線183由與源／漏布線相同的材料形成并形成在與源／漏布線相同的層中。連接布線183為金屬膜140和透明導(dǎo)電膜141的疊層膜。在各向異性導(dǎo)電膜195的連接部分中，連接布線183的側(cè)面由保護(hù)膜174覆蓋。在該結(jié)構(gòu)中，金屬膜140的側(cè)面由保護(hù)膜174覆蓋。因此，在連接部分中，金屬膜140由透明導(dǎo)電膜141、絕緣膜109、以及保護(hù)膜174環(huán)繞并接觸，沒有暴露在空氣中的機(jī)會(huì)。因此，可以防止金屬膜140的腐蝕?？梢允褂眯纬稍谠矗┎季€上層上的絕緣膜形成保護(hù)膜174。在實(shí)施方式1中，在形成柱形隔離物172的相同工藝中形成保護(hù)膜174，形成柱形隔離物172是為了保持第一基片和相對(duì)基片之間的間距。此外，在與圖16中所示的TFT的柵極布線的相同工藝中形成連接布線303。此時(shí)，連接布線303由與柵極布線的相同的材料形成并形成在與柵極布線相同的層中。此外，保護(hù)膜304由在柵極布線和源／漏布線之間形成的絕緣膜138和139形成。根據(jù)本發(fā)明，連接布線由覆蓋金屬膜表面形成的透明導(dǎo)電膜的疊層膜形成。金屬膜不限于單層膜。金屬膜的厚度在100nm和1μm之間。金屬膜可以是由選自鋁(Al)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)以及鎢(W)組成的組中的一種元素作為它的基本成分的金屬層，或者至少含有一種金屬元素的合金層。給出以下合金Mo-W合金、Mo-Ta合金、或以上列出元素的氮化物，例如氮化鉭(TaN)、氮化鎢(WN)、氮化鈦(TiN)、以及氮化鉬(MoN)。此外，金屬膜可以包括如硅化鎢、硅化鈦以及硅化鉬等的硅化層。透明導(dǎo)電膜的厚度在50nm和5mm之間。使用濺射法和真空蒸發(fā)法形成的如氧化銦(In2O3)或氧化銦／氧化錫合金(In2O3-SnO2∶ITO)可以用做透明導(dǎo)電膜的材料。用鹽酸溶液進(jìn)行這種類型材料的腐蝕處理。然而，特別是ITO的腐蝕容易產(chǎn)生殘留物。因此，可以使用氧化銦／氧化鋅合金(In2O3-ZnO)以便適合于腐蝕工藝。與ITO相比，氧化銦／氧化鋅合金具有優(yōu)良的平滑表面特性，還具有優(yōu)良的熱穩(wěn)定性。因此，在接觸Al的漏極布線169的邊緣表面，可以防止與Al的腐蝕反應(yīng)。類似地，氧化鋅(ZnO)也是合適的材料。為了進(jìn)一步提高可見光的透射度和傳導(dǎo)率，可以使用摻有鎵的氧化鋅(ZnO∶G)等。實(shí)施方式2此外，當(dāng)在與柵極布線相同的工藝中形成連接布線時(shí)，柵極布線和連接布線的剖面形狀可以為錐形。由于將柵極布線形成錐形，膜厚度由中心朝側(cè)面減小。由于所述膜厚度的變化，如以后將介紹的實(shí)施例中所示，在用柵極布線作為掩模摻雜半導(dǎo)體膜的工藝中，通過利用膜厚度的變化得到摻雜到半導(dǎo)體膜內(nèi)的雜質(zhì)濃度的變化。應(yīng)用利用高密度等離子體的干法腐蝕形成錐形柵極布線。作為獲得高密度等離子體的一種方法，利用微波或ICP(感應(yīng)耦合等離子體)的腐蝕裝置很合適。特別是，ICP腐蝕裝置可以容易地控制等離子體以及處理大表面積基片的操作。作為高精度地進(jìn)行等離子體處理的一種方法，利用ICP的等離子體處理裝置使用了通過將高頻電能施加到由通過阻抗匹配裝置串聯(lián)連接的由四個(gè)渦流形線圈部分形成的多螺旋線圈而形成等離子體的方法。每個(gè)渦流形線圈部分的長(zhǎng)度設(shè)置為比高頻的波長(zhǎng)長(zhǎng)1／4倍。此外，構(gòu)成等離子體處理裝置，使不同高頻的電能也施加到保持要處理物體的基座電極，由此增加了偏置電壓。利用ICP和等離子體處理裝置的等離子體處理法公開在日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開No．平9-293600中。圖25示意性地示出了利用所述類型的ICP(例如，腐蝕裝置)的等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)。在室頂部的石英基片11上，設(shè)置天線線圈12，并通過匹配器13連接到RF電源14。此外，要進(jìn)行等離子體處理的基片放置在面向天線線圈的基座電極15上?；姌O15也通過匹配器16連接到RF電源17上。當(dāng)RF電流施加到基片上的天線線圈12時(shí)，RF電流J在天線線圈12中α方向中流動(dòng)，由此根據(jù)公式1在Z方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)B。(公式1)μoJ=rotB(μo為磁導(dǎo)率)然后，按照法拉第的電磁感應(yīng)定律，在θ方向中發(fā)生感應(yīng)電場(chǎng)E。(公式2)-&PartialD;B/&PartialD;t=rotE]]>當(dāng)電子在α方向中加速由此與感應(yīng)電場(chǎng)E中的氣體分子碰撞時(shí)產(chǎn)生等離子體。由于感應(yīng)電場(chǎng)E的方向?yàn)棣练较?，因此由帶電顆粒與腐蝕室或基片的壁碰撞造成失去電荷的可能性降低。因次，即使在約1Pa的低壓下也會(huì)產(chǎn)生高密度等離子體。此外，在向下的流中基本上沒有任何磁場(chǎng)B，造成已展寬為片形的高密度等離子體區(qū)。為了用ICP得到高密度等離子體，需要使高頻電流J低損耗地流動(dòng)到天線線圈12，對(duì)于大面積，必須降低它的阻抗。因此，采用其中天線線圈分叉的方法很有效。調(diào)節(jié)要施加到天線線圈12(施加ICP電源)的各RF電源和基片一側(cè)的下電極15(施加偏置功率)可以獨(dú)立地控制等離子體密度和自偏置電壓。此外，可以根據(jù)要腐蝕的膜采用不同頻率的RF電源。要用ICP腐蝕裝置得到高密度的等離子體，需要RF電流J低損耗地流動(dòng)到天線線圈12。必須減少天線線圈12的電感以便形成大表面積的基片。如圖26所示，現(xiàn)在已開發(fā)了具有分叉天線的多螺旋線圈22的ICP腐蝕裝置以達(dá)到以上所述的條件。在圖26中，參考數(shù)字21代表石英基片，參考數(shù)字23和26代表匹配器，參考數(shù)字24和27代表RF電源。此外，在室的底部，通過絕緣體29提供支撐基片28的基座電極25。如果采用使用ICP并提供有多螺旋線圈的腐蝕裝置，那么耐熱導(dǎo)電材料的腐蝕可以進(jìn)行得很好，此外，可以形成具有期望的錐角θ的布線。調(diào)節(jié)ICP腐蝕裝置的偏置功率密度由此得到需要的錐角θ。圖27示出了偏置功率與錐角θ的關(guān)系圖。如圖27所示，可以根據(jù)偏置功率密度控制錐角θ。圖27中示出的是已形成為玻璃基片上的固定圖形的W膜構(gòu)圖的邊緣部分的錐形(錐角)的檢驗(yàn)結(jié)果。圖28示出了偏置功率(13．56MHz)與錐角的關(guān)系，偏置功率施加到基片一側(cè)。在通常的條件下，放電功率(要施加到線圈的高頻功率，13．56MHz)設(shè)置為3．2W／cm2，壓力設(shè)置為1．0Pa，使用CF4和Cl2作為腐蝕氣體。腐蝕氣體CF4和Cl，的流量都設(shè)置為30SCCM。如圖27所示，顯然當(dāng)偏置功率在128到384mW／cm2范圍內(nèi)時(shí)，錐角在70°和20°之間改變。注意CF4和Cl2的流量都設(shè)置為30SCCM。從圖28顯示的實(shí)驗(yàn)中可以看出，錐角也可以由60°變到80°。圖28的實(shí)驗(yàn)條件示出了檢驗(yàn)錐角與腐蝕氣體流量比例的關(guān)系的結(jié)果。注意在CF4和Cl2的總流量設(shè)置為60SCCM的條件下，CF4的流量在20到40SCCM的范圍內(nèi)改變．此時(shí)的偏置功率設(shè)置為128mW／cm2。此外，認(rèn)為錐角θ與腐蝕鎢和抗蝕劑的腐蝕選擇性有關(guān)。圖29示出了錐角θ與腐蝕鎢和抗蝕劑的腐蝕選擇性的關(guān)系圖。以此方式使用ICP腐蝕裝置，當(dāng)適當(dāng)?shù)卮_定偏置功率密度和腐蝕氣體流量的比例時(shí)，可以很容易地形成具有3°和60°之間所需要的錐角的布線。此外，要考慮ICP腐蝕裝置的耐熱導(dǎo)電材料的處理特性。除了W膜和Ta膜外，經(jīng)常使用鉬-鎢(Mo-W)合金(成分比例為Mo∶W=48∶50wt％)作為柵電極材料，這里顯示了腐蝕速度的典型值、可采用的腐蝕氣體、以及對(duì)變?yōu)闁烹姌O基底的柵絕緣膜的選擇率。柵絕緣膜為由等離子體CVD形成的氧化硅膜或氮氧化硅膜。這里的選擇率定義為柵絕緣膜的腐蝕速率與每個(gè)材料的腐蝕速度的比值。表1<tablesid="table1"num="001"><table>材料腐蝕速度(nm／min)對(duì)柵絕緣膜的選擇率比CF4+Cl2Ta140-1606-8Cl2Mo-W40-600．1-2CF4+Cl2</table></tables>Ta膜的腐蝕速度在140和160nm／min之間，對(duì)柵絕緣膜的選擇率在6和8之間。該值超過了當(dāng)W膜的腐蝕速度在70到90nm／min的范圍內(nèi)時(shí)W膜對(duì)柵絕緣膜在2和4之間選擇率的值。因此，從可加工性的角度上來看，也可以采用Ta膜。雖然未在表中示出，Ta膜的電阻率在20和30μΩcm之間，與電阻率在10和16μΩcm之間的W膜相比，Ta膜的電阻率較高，成為難點(diǎn)。另一方面，Mo-W合金的腐蝕速度較低，在40和60nm／min之間，對(duì)柵絕緣膜的腐蝕率在0．1和2之間。從可加工性的角度可以看出，不能采用該材料。從表1中可以看出，Ta膜顯示了最好的結(jié)果。然而，如上所述，當(dāng)考慮電阻率時(shí)，考慮了所有的因素之后認(rèn)為W膜很合適。此外，對(duì)于干法腐蝕的腐蝕氣體，可以使用含有氟氣體和含有氯氣體的混合氣體?？梢允褂眠x自CF4、C2F6和C4F8的氣體作為含有氟的氣體，使用選自Cl2Cl2、SiCl4和BCl4的氣體作為含有氯的氣體。實(shí)施例1本實(shí)施例涉及有源矩陣型液晶板。圖1A示出了本實(shí)施例的有源矩陣基片的俯視圖，其中像素部分和驅(qū)動(dòng)像素部分的薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電路形成其上，還示出了形成在有源矩陣基片上的柱形隔離物和密封劑之間的位置關(guān)系。如圖1A所示，在玻璃基片101上，提供有設(shè)置有薄膜晶體管的像素部分188、掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路185以及作為驅(qū)動(dòng)設(shè)置在像素部分中的薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電路的圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路186。此外，提供如CPU或存儲(chǔ)電路等的信號(hào)處理電路187。在像素部分188中，由掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路185延伸出的柵極布線189以及從圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路186延伸出的源極布線190相交成矩陣形成像素。每個(gè)像素提供有像素TFT204和存儲(chǔ)電容器205。柱形隔離物172為由樹脂制成的圓柱形結(jié)構(gòu)的物體，用于保持有源矩陣基片和相對(duì)基片之間的間距。提供在像素部分188中的柱形隔離物172不僅可以提供到每個(gè)像素，也可以提供到以矩陣形排列的幾個(gè)像素或幾十個(gè)像素。換句話說，構(gòu)成像素部分的像素總數(shù)與隔離物數(shù)量的比例在20％和100％之間比較好。此外，代替柱形隔離物172，驅(qū)動(dòng)電路185到187提供有覆蓋電路的整個(gè)表面的樹脂。根據(jù)本實(shí)施例中源極布線和漏極布線的位置提供柱形隔離物。在基片101上，密封劑186形成在像素部分188、掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路185、圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路186、以及其它電路的信號(hào)處理電路187外部，外部輸入／輸出端子182的內(nèi)部。有源矩陣基片101上的驅(qū)動(dòng)電路185到187通過連接布線183電連接到外部電源或外部電路。連接布線183和驅(qū)動(dòng)電路185到187的TFT的源極(漏極)布線同時(shí)形成。端子部分182和連接布線183一體地形成，并成為與其它基片上布線的連接部分。圖1B示出了端子部分182的局部放大圖。如圖1B所示，端子部分182的側(cè)面覆蓋有保護(hù)膜173。端子部分182中的連接布線183通過各向異性導(dǎo)電膜電連接到FPC191的布線191b。參考數(shù)字191a代表提供有FPC191的基片。圖2示出了有源矩陣基片101的電路。圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路186由移位電阻器電路501a、電平轉(zhuǎn)移電路502a、緩沖電路503a、以及采樣電路504組成。此外，掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路185由移位電阻器電路501b、電平轉(zhuǎn)移電路502b、以及緩沖電路503b組成。移位電阻器電路501a和501b的驅(qū)動(dòng)電壓在5和16V之間(通常為10V)。形成該電路的CMOS電路由如圖6所示的第一p溝道TFT200和第一n溝道TFT201形成。雖然電平轉(zhuǎn)移電路502a和502b以及緩沖電路503a和503b的驅(qū)動(dòng)電壓較高，在14和16V之間，但可以使用與移位電阻器中的TFT等同的TFT。此外，在這些電路中將柵極形成為多柵極結(jié)構(gòu)很有效，由此提高了耐壓性并改善了可靠性。采樣電路504由模擬開關(guān)形成，它的驅(qū)動(dòng)電壓在14到16V之間。由于極性交替地反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)并且需要減小關(guān)斷電流值，因此需要采樣電路504由如圖6所示的第二p溝道TFT202和第二n溝道TFT203形成。當(dāng)p溝道TFT202的關(guān)斷電流值成問題時(shí)，由將在實(shí)施例2中介紹的工藝形成提供有偏置區(qū)的單漏極構(gòu)成的TFT用于形成該電路。此外，像素部分的驅(qū)動(dòng)電壓在14和16V之間。從減少功率消耗的角度來看，需要將像素部分的關(guān)斷電流值減小到比采樣電路的關(guān)斷電流值小。因此，需要像素部分為圖6中所示像素TFT204的多柵極結(jié)構(gòu)，此外，可以是提供有LDD區(qū)的結(jié)構(gòu)。注意僅示出了像素部分188和驅(qū)動(dòng)電路185和186的方框結(jié)構(gòu)。根據(jù)以后將介紹的TFT的工藝，如信號(hào)分配電路、分頻電路、D／A轉(zhuǎn)換器、γ校正電路、運(yùn)算放大器電路以及更進(jìn)一步的信號(hào)處理電路187，如存儲(chǔ)電路和算術(shù)運(yùn)算電路，以及更進(jìn)一步的邏輯電路都可以形成在相同的基片上。根據(jù)本發(fā)明，可以實(shí)現(xiàn)具有形成在相同的基片上的像素部分和驅(qū)動(dòng)電路部分的半導(dǎo)體器件，例如可以實(shí)現(xiàn)提供有信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路和像素部分的液晶顯示器件。下面，介紹有源矩陣基片的制造工藝。圖3A到7示出了像素部分188和驅(qū)動(dòng)電路的制造工藝。圖9A到11C示出了連接布線183的端子部分182的制造工藝。在這些圖中，相同的參考數(shù)字代表相同的組成部分?？梢允褂糜煽祵幉Ａ?7059和#1737為代表的鋇硼硅玻璃或鋁硼硅玻璃作為基片101。除了這些玻璃基片之外，也可以使用不具有光學(xué)各向異性的塑料基片，例如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醚砜(PES)等。使用玻璃基片時(shí)，可以在比玻璃應(yīng)變點(diǎn)低約10到20℃的溫度下預(yù)先熱處理基片。包括如氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜等的底膜102形成在其上形成有TFT的基片101的表面上，以防止雜質(zhì)從基片101擴(kuò)散。例如，形成由SiH4、NH3和N2O通過等離子體CVD形成厚度為10到200nm(優(yōu)選50到100nm)的氮氧化硅膜102a和類似地由SiH4和N2O形成厚度為50到200nm(優(yōu)選100到150nm)氫化的氮氧化硅膜102b的疊層(圖3A)。通過使用常規(guī)的平行板型等離子體增強(qiáng)CVD形成氮氧化硅膜。在325℃的基片溫度、40Pa的反應(yīng)壓力、0．41W／cm2的放電功率密度、以及60MHz的放電頻率的條件下，通過將10sccm的SiH4、100sccm的NH3和20sccm的N2O引入到反應(yīng)室內(nèi)，形成氮氧化硅膜102a。通過僅改變基片溫度和改變反應(yīng)氣體形成這些膜。由此形成的氮氧化硅膜102a具有9．28×1022／cm3的密度，在含7．13％的氟化氫銨(NH4HF2)和15．4％的氟化銨(NH4F)的混合溶液中(“LAL500”，StellaChemifa公司的產(chǎn)品)20℃下具有約63nm／min的慢腐蝕速率，為致密堅(jiān)硬的膜。當(dāng)所述膜用做底膜時(shí)，可以有效地防止堿金屬元素從玻璃基片擴(kuò)散到形成其上的半導(dǎo)體層內(nèi)。接下來，通過例如等離子體CVD或?yàn)R射等已知的方法形成具有25到80nm(優(yōu)選30到60nm)厚度和非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜103a。例如，通過等離子體CVD形成厚度為55nm的非晶硅膜。具有所述非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜包括非晶半導(dǎo)體膜和微晶半導(dǎo)體膜，也可以使用具有如非晶硅-鍺膜等非晶結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體膜?？梢赃B續(xù)地形成底膜102和非晶半導(dǎo)體層103a。例如，通過以上介紹的等離子體CVD工藝連續(xù)地形成氮氧化硅膜102a和氫化的氮氧化硅膜102b之后，通過將反應(yīng)氣體由SiH4、N2O和H2轉(zhuǎn)換為SiH4和H2，或僅為SiH4進(jìn)行連續(xù)地淀積，同時(shí)不暴露到空氣氣氛。由此，可以防止氫化的氮氧化硅膜102b的表面沾污，并且可以減小要制造的TFT的特性變化和閾值電壓的波動(dòng)。然后進(jìn)行晶化步驟由非晶半導(dǎo)體膜103a形成晶體半導(dǎo)體膜103b。激光退火法、熱退火法(固相生長(zhǎng)法)或快速熱退火法(RTA)可以用做該方法。使用具有低耐熱的玻璃基片或塑料基片時(shí)，優(yōu)選使用激光退火法。RTA法使用IR燈、鹵素?zé)?、金屬鹵化物燈或氙燈作為光源。此外，可以根據(jù)日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開No．平7-130652中公開的技術(shù)使用催化元素的晶化方法形成晶體半導(dǎo)體膜103b。在晶化步驟中，首先優(yōu)選排出含在非晶半導(dǎo)體膜中的氫。在400到500℃下進(jìn)行約1小時(shí)的熱處理以將氫的含量降低到5原子％以下，然后進(jìn)行晶化步驟。以此方式，可以有利地防止膜表面粗糙。當(dāng)通過激光退火法進(jìn)行晶化步驟時(shí)，使用脈沖振蕩型或連續(xù)發(fā)光型準(zhǔn)分子激光器，或氬激光器作為光源。使用脈沖振蕩型準(zhǔn)分子激光器時(shí)，激光束處理成線形，然后進(jìn)行激光退火。操作員可以適當(dāng)?shù)剡x擇激光退火條件，例如，激光脈沖振蕩設(shè)置在30Hz，激光能量密度設(shè)置為100到500mJ／cm2(通常為300到400mJ／cm2)。線形激光束照射到基片的整個(gè)表面上，此時(shí)線形束的重疊度為80到98％。以此方式，可以得到晶體半導(dǎo)體膜103b，如圖3B所示。通過光刻使用光掩模PM1在晶體半導(dǎo)體膜103b上形成抗蝕劑圖形。通過干法腐蝕將晶體半導(dǎo)體膜分為島，由此形成半導(dǎo)體膜島104到108。干法腐蝕使用CF4和O2的混合氣體。以約1×1016到5×1017原子／cm3的濃度將產(chǎn)生p型的雜質(zhì)添加到半導(dǎo)體膜島的整個(gè)表面以控制TFT的閾值電壓Vth。周期表中ⅩⅢ族元素例如硼(B)、鋁(Al)或鎵(Ga)現(xiàn)已公知為產(chǎn)生半導(dǎo)體p型的雜質(zhì)元素?？梢圆捎秒x子注入或離子摻雜作為摻雜這些元素的方法，但離子摻雜適合于處理大面積的基片。所述離子摻雜法使用乙硼烷(B2H6)作為氣體源并添加硼(B)。不總是需要添加所述雜質(zhì)元素，可以省略。然而，這是用于適當(dāng)?shù)乇３謓溝道TFT的閾值電壓在特別是預(yù)定范圍內(nèi)的方法。通過等離子體CVD或?yàn)R射由含有硅的絕緣膜形成厚度為40到150nm的柵絕緣膜109。例如，可以由厚度為120nm的氮氧化硅膜形成。通過將O2添加到SiH4和N2O形成的氮氧化硅膜中的固定電荷密度減小，為該應(yīng)用的優(yōu)選材料。不必說，柵絕緣膜不特別地限定為所述氮氧化硅膜，也可以為含有硅的其它絕緣膜的單層結(jié)構(gòu)或它們的疊層結(jié)構(gòu)。(圖3C)形成如圖3D所示的導(dǎo)電膜，以在柵絕緣膜109上形成柵極布線。導(dǎo)電膜可以包括單層，如果需要也可以為多層的疊層結(jié)構(gòu)，例如雙層或三層。例如，當(dāng)為雙層結(jié)構(gòu)時(shí)，上層膜由包括選自鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)和鎢(W)等元素作為基本成分的金屬膜或包括這些元素(通常為Mo-W合金膜，Mo-Ta合金膜)的合金膜形成，下層膜由氮化鉭(TaN)、氮化鎢(WN)、氮化鈦(TiN)、氮化鉬(MoN)等形成。例如，當(dāng)為雙層時(shí)，上層膜可以由導(dǎo)電的下層膜的氮化物形成，當(dāng)它用上／下表示時(shí)，可以為WN膜／W膜或TaN膜／Ta膜等。當(dāng)為三層時(shí)，它可以為TaN膜／Ta膜／TaN膜。優(yōu)選將第二(上)導(dǎo)電膜的電阻率設(shè)置在10到50mWcm的范圍內(nèi)。為獲得低電阻，優(yōu)選降低所含有的雜質(zhì)濃度，特別是氧濃度可以降低到30ppm或以下。例如，通過將氧濃度設(shè)置為30ppm或以下，相對(duì)于鎢(W)可以實(shí)現(xiàn)20mWcm或以下的電阻率。此外，優(yōu)選使用鋁作為基本成分的膜以獲得布線的低電阻率。此時(shí)，通過將微量的Si或Sc等添加到鋁內(nèi)可以增強(qiáng)耐熱性。例如，對(duì)于形成柵極布線的導(dǎo)電膜，可以形成添加Sc的Ti膜／Al膜或添加Sc的Ti膜／TiN膜／Al膜。當(dāng)使用W作為柵電極時(shí)，通過濺射使用W作靶并通過引入氬(Ar)氣和氮(N2)氣形成厚度50nm的氮化鎢(WN)作為導(dǎo)電層111，形成250nm厚的W作為導(dǎo)電膜110。對(duì)于其它方法，可以使用六氟化鎢(WF6)通過熱CVD形成W膜?？傊仨毥档蜄烹姌O的電阻，W膜的電阻率優(yōu)選為不高于20mWcm。通過增加晶粒尺寸可以獲得低電阻率的W膜，但當(dāng)W中如O等的雜質(zhì)元素的含量很大時(shí)，由于阻礙了晶化，電阻率變高。因此，當(dāng)使用濺射時(shí)，使用的W靶有99．9999％的純度，在膜的形成期間，要充分注意以免由氣相引入雜質(zhì)。以此方式，可以獲得9到20mWcm的電阻率。可以通過濺射類似地形成TaN膜和Ta膜。要形成TaN膜，使用Ta作靶，Ar氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w作為濺射氣體。氬(Ar)氣作用濺射氣體形成Ta膜。當(dāng)適量的Xe或Kr添加到濺射氣體時(shí)，可以減輕所得膜的內(nèi)應(yīng)力，并且可以防止膜的剝離。α相Ta膜的電阻率約20mWcm，該膜可以用做柵電極。然而，β相Ta膜的電阻率約180mWcm，該膜不適合做柵電極。TaN膜的晶體結(jié)構(gòu)接近α相的Ta膜。因此，當(dāng)Ta膜形成在TaN膜上時(shí)，可以容易地得到α相Ta膜。在本實(shí)施例中，淀積TaN膜作為下層導(dǎo)電膜110，而Ta作為上層導(dǎo)電膜111，形成柵極布線。順便提及，可以在形成柵極布線的導(dǎo)電膜和柵絕緣膜109之間有效地形成厚度約2到約20nm的摻磷(P)硅膜。由此，可以提高粘附性和防止其上形成的導(dǎo)電膜氧化，同時(shí)可以防止含在導(dǎo)電膜中微量的堿金屬元素?cái)U(kuò)散到柵絕緣膜109內(nèi)。接下來，通過使用光掩模PM2光刻形成抗蝕劑掩模RM1到RM6。共同腐蝕導(dǎo)電層110和導(dǎo)電層111形成柵電極118到122以及電容布線123。這些柵電極118到122和電容布線123包括由導(dǎo)電膜形成的118a到122a和由導(dǎo)電膜形成的118b到123b的整體結(jié)構(gòu)。(圖4A)要在n溝道TFT中形成LDD區(qū)，進(jìn)行產(chǎn)生n型的雜質(zhì)元素的摻雜步驟(n摻雜步驟)。這里，通過作為掩模的柵電極118到122自對(duì)準(zhǔn)的離子摻雜產(chǎn)生n型的雜質(zhì)元素。在1×1016到5×1019原子／cm3的范圍內(nèi)摻雜磷(P)作為產(chǎn)生n型的雜質(zhì)元素。以此方式，在島形半導(dǎo)體膜中形成低濃度n型雜質(zhì)區(qū)域124到129，如圖4B所示。接下來，在n溝道TFT中形成高濃度的n型雜質(zhì)區(qū)作為源或漏區(qū)(n+摻雜步驟)。首先，使用光掩模PM3形成抗蝕劑掩模RM8到RM12，摻雜產(chǎn)生n型的雜質(zhì)元素形成高濃度n型雜質(zhì)區(qū)130到135。磷(P)用做產(chǎn)生n型的雜質(zhì)元素。使用磷化氫(PH3)的離子摻雜以便濃度在1×1020到1×1021原子／cm3的范圍內(nèi)(圖4C)。形成高濃度p型雜質(zhì)區(qū)136和137作為形成p溝道TFT的島形半導(dǎo)體膜104和106中的源和漏區(qū)。這里，用柵電極118和120作為掩模摻雜產(chǎn)生p型的雜質(zhì)元素，通過自對(duì)準(zhǔn)形成高濃度的p型雜質(zhì)區(qū)。此時(shí)，通過光掩模PM4覆蓋整個(gè)表面在形成n溝道TFT的島形半導(dǎo)體膜105，107以及108上形成抗蝕劑掩模RM13到RM15。使用乙硼烷(B2H6)通過離子摻雜形成高濃度p型雜質(zhì)區(qū)136和137。區(qū)域中的硼(B)濃度為3×1020到3×1021原子／cm3(圖4D)。在下一步驟中，將磷(P)添加到高濃度p型雜質(zhì)區(qū)136和137，相對(duì)于高濃度p型雜質(zhì)區(qū)136a和137a，濃度為1×1020到1×1021原子／cm3，相對(duì)于高濃度的p型雜質(zhì)區(qū)136b和137b，濃度為1×1016到5×1019原子／cm3。然而，在該步驟中將添加的硼(B)濃度設(shè)置變?yōu)?．5到3倍以上，在作為p溝道TFT的源和漏區(qū)中不會(huì)發(fā)生任何問題。此后，如圖5A所示，在柵極布線和柵絕緣膜上形成保護(hù)性絕緣膜138。保護(hù)性絕緣膜138包括氧化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜或包括這些膜組合的疊層膜。總之，保護(hù)性絕緣膜138由無機(jī)絕緣材料形成。保護(hù)性絕緣膜138的膜厚度為100到200nm。當(dāng)使用氧化硅膜時(shí)，混合原硅酸四乙酯(TEOS)和O2，可以在40Pa的反應(yīng)壓力、300到400℃的基片溫度下通過等離子體CVD形成膜，在0．5到0．8W／cm2的高頻(13．56MHz)功率密度下等離子體放電。當(dāng)使用氮氧化硅膜時(shí)，膜包括通過等離子體CVD由SiH4、N2O以及NH3形成的氮氧化硅膜，或由SiH4和N2O形成的氮氧化硅膜。此時(shí)的膜淀積條件是20到200Pa的反應(yīng)壓力，300到400℃的基片溫度，0．1到1．0W／cm2的高頻(60MHz)功率密度。也可以使用由SiH4、N2O以及H2形成的氫化氮氧化硅膜。可以通過等離子體CVD類似地由SiH4和NH3形成氮化硅膜。此后，進(jìn)行激活以各濃度添加的產(chǎn)生n型或p型的雜質(zhì)元素的步驟。通過使用退火爐的熱退火法進(jìn)行該步驟。除了熱退火方法之外，可以使用激光退火法和快速熱退火法(RTA法)。在含有1ppm或以下，優(yōu)選0．1ppm或以下濃度的氧，400到700℃，通常為500到600℃的氮?dú)夥罩羞M(jìn)行熱退火法。在本實(shí)施例中，在550℃下進(jìn)行4小時(shí)的熱處理。當(dāng)使用具有低耐熱溫度的塑料基片作為基片101時(shí)，優(yōu)選使用激光退火法(圖5B)。激活步驟之后，進(jìn)一步在含3到100％氫氣的氣氛中在300到450°C進(jìn)行熱處理1到12小時(shí)以氫化島形半導(dǎo)體膜。該處理步驟通過熱激發(fā)的氫終止島形半導(dǎo)體膜中1016到1018／cm3的懸掛鍵?？梢允褂玫入x子體氫化(使用由等離子體激發(fā)的氫)作為氫化的另一方法。完成激活和氫化步驟之后，形成由有機(jī)絕緣材料制成的層間絕緣膜139，平均厚度為1．0到2．0mm。有機(jī)樹脂材料的例子為聚酰亞胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、BCB(苯并環(huán)丁烯)等。當(dāng)使用聚酰亞胺類型時(shí)，涂敷到基片之后熱聚合，材料在300℃的干凈烘箱中烘焙。當(dāng)使用丙烯酸時(shí)，使用兩種組分類型?；旌现髦苿┖凸袒瘎旌衔锿ㄟ^旋轉(zhuǎn)器涂敷到基片的整個(gè)表面。然后使用80℃的熱板預(yù)熱60秒，并在干凈烘箱中250℃下烘焙60分鐘。(圖5C)通過由有機(jī)絕緣材料形成層間絕緣膜139，可以滿意地平面化它的表面。有機(jī)樹脂材料通常有低介電常數(shù)，并且可以減小寄生電容。然而，由于它們吸濕，因此不適合做保護(hù)膜。因此，在本實(shí)施例中，有機(jī)絕緣膜必須與作為保護(hù)絕緣膜138形成的氧化硅膜、氮氧化硅膜或氮化硅膜結(jié)合使用。此后，通過使用光掩模PM5形成具有預(yù)定圖形的抗蝕劑掩模。到達(dá)各島形半導(dǎo)體膜源或漏區(qū)的接觸孔形成在絕緣膜138和139中。此外，從端子部分182除去絕緣膜138和139。通過干法腐蝕形成接觸孔。此時(shí)，使用CF4、O2和He的混合氣體作腐蝕氣體。首先腐蝕由有機(jī)樹脂材料形成的層間絕緣膜139。然后，將腐蝕氣體改變?yōu)镃F4和O2，腐蝕保護(hù)絕緣膜138。要提高島形半導(dǎo)體膜的選擇率，腐蝕氣體進(jìn)一步改變?yōu)镃HF3，腐蝕柵絕緣膜。以此方式，可以滿意地形成接觸孔。形成由形成源／漏布線和連接布線183的金屬膜140以及透明導(dǎo)電膜141組成的疊層膜。這里形成厚度為50到150nm的Ti膜作為金屬膜140，形成與形成源區(qū)或漏區(qū)的半導(dǎo)體膜的接觸，通過濺射形成厚度為300到400nm的鋁(Al)疊加在Ti膜上。此外，可以形成包括Ti膜／TiN膜／Al膜的疊層膜作為金屬膜140。通過濺射或真空蒸發(fā)，由氧化銦(In2O3)或氧化銦與氧化錫的合金(In2O3-SnO2；ITO)形成透明導(dǎo)電膜的材料。通過包括鹽酸的溶液進(jìn)行這些材料的腐蝕處理。然而，由于在ITO的腐蝕中特別容易產(chǎn)生殘留物，因此可以使用氧化銦與氧化鋅的合金(In2O3-ZnO2)以提高腐蝕的可行性。與ITO相比，氧化銦與氧化鋅的合金在表面平整度和熱穩(wěn)定性方面很優(yōu)越，它可以防止與在漏極布線169的邊緣表面接觸的Al的腐蝕反應(yīng)。類似地，氧化鋅(ZnO)也是合適的材料，也可以使用為了增加可見光的透射率和導(dǎo)電性等添加鎵的氧化鋅(ZnO∶Ga)。在本實(shí)施例中，形成氧化銦與氧化鋅的合金作為透明導(dǎo)電膜141。圖9A到9C示出了對(duì)應(yīng)于圖6A的連接布線183的端子部分182的結(jié)構(gòu)。圖9A對(duì)應(yīng)垂直于布線縱向的截面方向，圖9B對(duì)應(yīng)沿縱向的橫向，它們清楚地示出了TFT和疊層區(qū)關(guān)系的結(jié)構(gòu)。圖9C為俯視圖。圖10A到11C與它們類似。然后使用光掩模PM6形成抗蝕劑掩模圖形。通過腐蝕形成源極布線148到152以及漏極布線153到158，形成圖10所示的連接布線183。這里，漏極布線157作為像素電極。(圖6B和10A到10C)當(dāng)在該狀態(tài)下進(jìn)行氫化處理時(shí)，可以得到對(duì)提高TFT的性能有利的結(jié)果。例如，優(yōu)選在含3到100％氫氣的氣氛中在300到450℃下進(jìn)行1到12小時(shí)的熱處理。使用等離子體氫化法可以得到類似的效果。所述熱處理可以使存在于保護(hù)絕緣膜138和底膜102中的氫擴(kuò)散到島形半導(dǎo)體膜104到108內(nèi)，并且可以氫化這些膜?？傊?，島形半導(dǎo)體膜104到108內(nèi)的缺陷密度優(yōu)選降低到1016／cm3或以下，為此，可以添加約0．01到約0．1原子％的氫。當(dāng)使用以上介紹的六個(gè)光掩模時(shí)，可以在相同基片上完成具有驅(qū)動(dòng)電路TFT和像素部分的像素TFT的基片。在驅(qū)動(dòng)電路中形成第一p溝道TFT200、第一n溝道TFT201、第二p溝道TFT202以及第二n溝道TFT203。在像素部分中形成像素TFT204和存儲(chǔ)電容205。在本說明書中，為方便起見，所述基片稱做“有源矩陣基片”。驅(qū)動(dòng)電路中的第一p溝道TFT200具有單漏極結(jié)構(gòu)，在島形半導(dǎo)體膜104中包括溝道形成區(qū)206；和源極區(qū)207a和207b以及漏極區(qū)208a和208b，每個(gè)包括高濃度的p型雜質(zhì)區(qū)。在第一n溝道TFT201的島形半導(dǎo)體膜105中，形成溝道形成區(qū)209；不與柵電極119重疊的LDD區(qū)210；源極區(qū)212；以及漏極區(qū)211。溝道長(zhǎng)度方向中的所述LDD區(qū)的長(zhǎng)度為1．0到4．0nm，優(yōu)選2．0到3．0mm。以此方式確定n溝道TFT中的LDD區(qū)的長(zhǎng)度，可以減小漏區(qū)附近發(fā)生的高電場(chǎng)強(qiáng)度，并且可以防止發(fā)生熱載流子以及防止TFT退化。采樣電路的第二p溝道TFT202具有單漏極結(jié)構(gòu)，其中在島形半導(dǎo)體膜106中形成溝道形成區(qū)213、包括高濃度p型雜質(zhì)區(qū)的源極區(qū)214a和214b以及漏極區(qū)215a和215b。在第二n溝道TFT203的島形半導(dǎo)體膜107中形成溝道形成區(qū)216、LDD區(qū)217和218、源極區(qū)220以及漏極區(qū)219。LDD區(qū)217和218的長(zhǎng)度設(shè)置在1．0和4．0mm之間。溝道形成區(qū)221和222、LDD區(qū)223到225、源極或漏極區(qū)226到228形成在像素TFT204的島形半導(dǎo)體膜108中。溝道長(zhǎng)度方向的LDD區(qū)的長(zhǎng)度為0．5到4．0mm，優(yōu)選1．5到2．5mm。此外，存儲(chǔ)電容器連接到TFT204。存儲(chǔ)電容205是以柵絕緣膜209為介質(zhì)，以電容布線123和連接到像素TFT204的漏極區(qū)228的半導(dǎo)體膜229作為電極的電容。在圖6B中，像素TFT204為雙柵極結(jié)構(gòu)。然而，它可以有單柵極結(jié)構(gòu)或具有多個(gè)柵電極的多柵極結(jié)構(gòu)。圖13為像素部分的幾乎一個(gè)像素的俯視圖。圖中A-A’的剖面對(duì)應(yīng)于圖6B中像素部分的剖面圖。也作為柵極布線的像素TFT204的柵電極122在島形半導(dǎo)體膜108的下面與其交叉穿過柵絕緣膜，在圖中未示出。雖然未在圖中示出，在島形半導(dǎo)體膜108中形成源極區(qū)、漏極區(qū)以及LDD區(qū)。參考數(shù)字256表示源極布線152和源極區(qū)226之間的接觸部分。參考數(shù)字257表示漏極布線157和漏極區(qū)228之間的接觸部分。通過從像素TFT204的漏極區(qū)228延伸出的半導(dǎo)體層229與穿過柵絕緣膜的電容布線123的重疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容205。在該結(jié)構(gòu)中，用于化合價(jià)控制的雜質(zhì)元素不添加到半導(dǎo)體層229。以上介紹的結(jié)構(gòu)可以根據(jù)像素TFT和驅(qū)動(dòng)電路的具體要求優(yōu)化構(gòu)成每個(gè)電路的TFT的結(jié)構(gòu)，以提高半導(dǎo)體器件的操作性能和可靠性。此外，通過用耐熱的導(dǎo)電材料形成柵電極，該結(jié)構(gòu)易于激活LDD區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)。此外在本實(shí)施例中，在經(jīng)過以上介紹工藝的有源矩陣基片上形成柱形隔離物172，如圖7所示。同時(shí)，在形成柱形隔離物172時(shí)形成保護(hù)連接布線183的端子部分182側(cè)面的保護(hù)膜173。不限定柱形隔離物172的材料，特別是，它們可以通過例如JSR公司的“NN700”形成，用旋轉(zhuǎn)器涂敷材料之后，通過曝光和顯影形成預(yù)定的圖形。然后在干凈的烘箱等內(nèi)150到200℃加熱和固化圖形?？梢愿鶕?jù)曝光和顯影的條件改變所形成的隔離物的形狀。然而，優(yōu)選柱形隔離物172具有圖14所示的平坦頂部的柱形，由此當(dāng)放置對(duì)面的基片時(shí)，可以確保液晶顯示板的機(jī)械強(qiáng)度。形狀沒有特別限定，可以為圓錐形或錐體。當(dāng)為圓錐形時(shí)，例如高度H為1．2到5mm，平均半徑L1為5到7mm，平均半徑L1與底部的半徑L2的比例為1∶1．5。此時(shí)側(cè)面的錐角不大于±15°?？梢匀我獾貨Q定柱形隔離物的布局。然而，優(yōu)選以疊置并覆蓋圖7中像素部分188中漏極布線157(像素電極)的接觸部分251的方式設(shè)置柱形隔離物172。由于失去接觸部分251的平面性并且在該部分液晶的取向不好，通過以隔離物樹脂填充到接觸部分的形式形成柱形隔離物172可以防止旋轉(zhuǎn)移位等。在形成柱形隔離物172的制造工藝中形成保護(hù)連接布線183側(cè)面的保護(hù)膜174，如圖11所示。形成保護(hù)膜174以僅露出端子部分182中透明導(dǎo)電膜141的表面。通過曝光和顯影處理的條件可以確定保護(hù)膜174的形狀。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于金屬膜由保護(hù)膜174、柵絕緣膜109以及透明導(dǎo)電膜141接觸和覆蓋，因此不會(huì)暴露在空氣中。此后，在基片101的表面上形成對(duì)準(zhǔn)膜173。在端子部分182不形成對(duì)準(zhǔn)膜173。聚酰亞胺樹脂通常用做液晶顯示元件的對(duì)準(zhǔn)膜。形成對(duì)準(zhǔn)膜之后，進(jìn)行研磨處理，以便液晶分子以某種預(yù)傾斜角定向。在研磨方向上，從設(shè)置在像素部分中的柱形隔離物172的端部的區(qū)域到?jīng)]有研磨的區(qū)域，不大于2mm。在研磨處理期間產(chǎn)生的靜電經(jīng)常變成問題。當(dāng)在驅(qū)動(dòng)電路上形成隔離物172時(shí)，可以獲得隔離和防止TFT受到靜電作用的兩個(gè)基本作用。由此完成了其中集成有保持基片和基片101之間距離的柱形隔離物172的有源矩陣基片。注意形成對(duì)準(zhǔn)膜173之后，形成柱形隔離物172結(jié)構(gòu)(圖7和11A到11C)。在圖8所示的基片251上形成屏蔽膜252、未在圖中示出的濾色片、透明導(dǎo)電膜253以及對(duì)準(zhǔn)膜254，用于與有源矩陣基片成對(duì)的基片。由Ti、Cr、Al等形成厚度150到300nm的屏蔽膜252。然后由像素部分和圖8所示的驅(qū)動(dòng)電路形成的有源矩陣基片和相對(duì)的基片通過密封劑179粘在一起。填料混合到密封劑179內(nèi)，通過所述填料和柱形隔離物172保持均勻的距離將兩個(gè)基片粘在一起。然后液晶材料260注入到基片的間隙中，由密封劑(未示出)完全密封，完成液晶板。此外，為了將有源矩陣基片上的電路連接到輸入圖像信號(hào)和提供電能的電源等的電路，通過端子部分182中的各向異性導(dǎo)電膜195電連接連接布線183和FPC191，如圖12所示。圖12A示出了垂直于端子部分182的布線的縱向平面的剖面圖，圖12B示出了沿縱向的剖面圖。如圖12A和12B所示，各向異性導(dǎo)電膜195包括在粘接劑195a中鍍有金、鉻等幾十到幾百mm的晶粒195b。當(dāng)晶粒195b接觸連接布線183和FPC191b的布線時(shí)，有源矩陣基片100和FPC191電連接。為了增加FPC191和基片109之間的粘接強(qiáng)度，F(xiàn)PC191放置在外部端子部分182的外部，樹脂層192設(shè)置在邊緣部分，增加了機(jī)械強(qiáng)度。實(shí)施例2與實(shí)施例1中制造TFT的源極／漏極布線相同的工藝形成連接布線183。在實(shí)施例2中，在與柵極布線相同的工藝中形成連接布線183。參考圖15介紹實(shí)施例2。使用實(shí)施例1中TFT的制造工藝。圖15中與圖3A到8中相同的參考數(shù)字代表相同的組成部分。首先根據(jù)實(shí)施例1進(jìn)行制造工藝直到圖9C。接下來，形成構(gòu)成柵極布線的導(dǎo)電膜301和透明導(dǎo)電膜302的疊層膜。在實(shí)施例1中構(gòu)成柵極布線形成導(dǎo)電膜110和111的材料用做導(dǎo)電膜301。對(duì)于透明導(dǎo)電膜302，可以使用在TFT的源極／漏極布線的表面上形成透明導(dǎo)電膜141所使用的材料。對(duì)于導(dǎo)電膜301，通過濺射形成由WN膜／W膜制成的疊層膜，對(duì)于透明導(dǎo)電膜302，形成ITO膜。(參見圖15A)然后如圖4A所示形成抗蝕劑掩模。在導(dǎo)電膜301和透明導(dǎo)電膜302上進(jìn)行腐蝕，然后形成圖15B所示的TFT的柵極布線和連接布線303。由包括W作基本成分的材料形成膜時(shí)，需要進(jìn)行使用高密度等離子體的干法腐蝕以進(jìn)行快速和準(zhǔn)確的腐蝕。對(duì)于獲得高密度等離子體的一種方式，合適的是使用ICP(感應(yīng)耦合等離子體)腐蝕裝置。在使用ICP腐蝕裝置的W的腐蝕方法中，將兩種氣體CF4和Cl2引入到反應(yīng)室內(nèi)作為腐蝕氣體，壓力在0．5和1．5Pa(優(yōu)選1Pa)之間，200W到1000W的高頻(13．56MHz)電能施加到感應(yīng)耦合部分。此時(shí)，20W的高頻電能施加到放置基片的臺(tái)上，通過自偏置給負(fù)電位充電，負(fù)離子加速由此進(jìn)行各向異性腐蝕。通過使用ICP腐蝕裝置，也可以在如W等的硬金屬膜上得到在2和5nm／秒之間的腐蝕速度。此外，為了進(jìn)行腐蝕不留下任何殘留物，可以適當(dāng)將腐蝕時(shí)間增加約10％到20％以進(jìn)行過腐蝕。然而，必須注意對(duì)底膜的腐蝕選擇率比。例如，W膜對(duì)氮氧化硅膜(柵絕緣膜109)的選擇率比在2．5到3之間。由于這種過腐蝕工藝，氮氧化硅膜的露出表面被腐蝕20和50nm之間的深度，使氮氧化硅膜變得較薄。如實(shí)施例1所述，然后用磷和硼摻雜TFT的半導(dǎo)體膜，由此形成圖5A所示的保護(hù)絕緣膜138。然后激活摻入半導(dǎo)體膜內(nèi)的磷和硼。(參見圖15C)此后，形成層間絕緣膜139，如圖5C所示。形成層間絕緣膜139的材料選自實(shí)施例1中介紹的材料，或者層間絕緣膜139為硅基無機(jī)絕緣膜，或如丙烯酸等的有機(jī)樹脂膜。(參見圖15D)如圖6所示，形成在島形半導(dǎo)體膜上到達(dá)源區(qū)或漏區(qū)的接觸孔形成在保護(hù)絕緣膜138和層間絕緣膜139中。同時(shí)，在連接布線303的端子部分中，形成覆蓋端子部分側(cè)面的保護(hù)膜304。(參見圖15E)以和實(shí)施例1相同的方式進(jìn)行其余的工藝，由此完成了有源矩陣基片100。然后用密封劑179將有源矩陣基片100和相對(duì)基片250密封在一起，液晶物質(zhì)260封閉其中。通過各向異性導(dǎo)電膜195電連接連接布線303和FPC191。(參見圖15F)在實(shí)施例2中，由于連接布線303的導(dǎo)電膜301的側(cè)面由保護(hù)膜304覆蓋，導(dǎo)電膜301變成由保護(hù)膜304、柵絕緣膜109、以及透明導(dǎo)電膜302環(huán)繞的結(jié)構(gòu)，不會(huì)暴露在空氣中。實(shí)施例3實(shí)施例3為實(shí)施例1的修改例，其中柵極布線的剖面形狀為錐形。此外，也是在柵極布線的相同制造工藝中形成連接布線的例子。下面參考圖17A到19C介紹實(shí)施例3的有源矩陣基片的制造工藝。在本實(shí)施例中，根據(jù)工藝詳細(xì)地介紹像素TFT和像素部分的存儲(chǔ)電容器與提供在像素部分周邊中的驅(qū)動(dòng)電路的TFT同時(shí)制造的工藝。圖21A到21F示出了連接布線的制造方法。在圖17A中，由氧化硅膜、氮化硅膜、或氮氧化硅膜制成的絕緣膜形成的底膜602形成在玻璃基片601的表面上。在本實(shí)施例中，通過等離子體CVD層疊地形成由SiH4、NH3和N2O形成、厚度在10和200nm之間的氮氧化硅膜，氮化硅膜表面上由SiH4和NH3形成厚度在50和200nm之間(優(yōu)選在100和150nm之間)的氫化氮化硅膜602。接下來通過等離子體CVD形成厚度55nm的非晶硅膜，與實(shí)施例1類似，晶化從而形成晶體硅膜。使用光掩模PM11，通過光刻技術(shù)在晶體硅膜上形成抗蝕劑圖形。通過干法腐蝕將晶體半導(dǎo)體膜分為島形，形成島形半導(dǎo)體膜604到608。CF4和O2的氣體混合物用在晶體硅膜的干法腐蝕中。然后通過等離子體CVD由氮氧化硅膜形成膜厚度為120nm的柵絕緣膜609。隨后，為了在柵絕緣膜609上形成柵極布線，由金屬膜611和612以及透明導(dǎo)電膜613的疊層膜形成耐熱導(dǎo)電膜。金屬膜611由WN膜形成，金屬膜612由W膜形成，透明導(dǎo)電膜613由氧化銦氧化鋅合金(In2O3-ZnO2)形成。(見圖17A和21A)利用第二光掩模PM12，通過光刻技術(shù)形成抗蝕劑掩模RM21到RM27。腐蝕透明導(dǎo)電膜613形成柵極布線618到622和存儲(chǔ)電容器623，以及連接布線683的最上層618a到623a和683a。(見圖17B和21B)如圖18B和21B所示，比抗蝕劑掩模RM21到RM27更深腐蝕由透明導(dǎo)電膜形成的最上層618a到623a和683a的側(cè)面。接下來，一起腐蝕金屬膜611和613，由此完成具有錐形截面的柵極布線618到622、電容器布線623以及連接布線683。(見圖17C和21C)布線618到623和683變?yōu)橛赏该鲗?dǎo)電膜613形成的最上層618a到623a和683a、由金屬膜612形成的層618b到623b和683b以及由金屬膜611形成的層618c到623c和683c組成的疊層結(jié)構(gòu)。此時(shí)，進(jìn)行腐蝕以便至少在柵極布線618到622的邊緣部分中形成錐形部分。用ICP腐蝕裝置進(jìn)行所述腐蝕工藝。在下面的條件下進(jìn)行腐蝕CF4和Cl2的氣體混合物作為腐蝕氣體，流量分別設(shè)置為30SCCM；放電功率設(shè)置為3．2W／cm2(13．56MHz)；偏置功率設(shè)置為244mW／cm2(13．56MHz)；壓力設(shè)置為1．0Pa。由于所述腐蝕條件，在柵極布線618到622的邊緣部分中，從邊緣部分向內(nèi)厚度逐漸增加的錐形部分形成的角度在25°和35°之間，優(yōu)選30°。錐形部分的角度對(duì)之后將形成LDD區(qū)的低濃度n型雜質(zhì)區(qū)的濃度曲線影響很大。注意使用錐形部分的長(zhǎng)度(WG)和厚度(HG)，錐形部分的角度θ1表示為Tan(θ1)=HG／WG。此外，為了進(jìn)行腐蝕不留任何殘留物，對(duì)絕緣膜609的厚度進(jìn)行在約10％和20％之間的過腐蝕。然而，需要注意的是此時(shí)對(duì)底膜的選擇率比。例如，如表1中所示，W膜對(duì)氮氧化硅膜(柵絕緣膜609)的選擇率比在2和4之間(通常為3)。由于這種過腐蝕處理，氮氧化硅膜的露出表面被腐蝕了20和50nm之間，變得較薄，由此形成新形狀的柵絕緣膜610。為了形成驅(qū)動(dòng)電路和像素TFT的n溝道TFT的LDD區(qū)，進(jìn)行產(chǎn)生n型(n摻雜工藝)的雜質(zhì)元素的摻雜工藝。用于形成柵電極的抗蝕劑掩模RM112到RM117保持完整，使用在邊緣部分有錐形部分的柵極布線618到622作為掩模，以自對(duì)準(zhǔn)方式通過離子摻雜摻雜磷作為產(chǎn)生n型的雜質(zhì)元素(圖18A)。在本工藝中，為了摻雜產(chǎn)生n型的雜質(zhì)元素使它穿過布線618到623的錐形部分和[穿過]柵絕緣膜610到達(dá)設(shè)置其下的半導(dǎo)體膜，將加速電壓設(shè)高，在80和160KeV之間，劑量設(shè)低，在1×1013和5×1014原子／cm3之間，用于形成LDD區(qū)。摻雜到半導(dǎo)體膜內(nèi)的雜質(zhì)元素的濃度的摻雜濃度范圍在1×1016和1×1019原子／cm3之間。由此在島形半導(dǎo)體膜中形成低濃度的n型雜質(zhì)區(qū)624到629，如圖18A所示。在本工藝中，在低濃度的n型雜質(zhì)區(qū)624到628中，包括在與柵極布線618到622重疊部分中的磷的濃度曲線反映了柵極布線618到622的錐形部分的膜厚度的變化。換句話說，在與柵極布線重疊的區(qū)域中，低濃度的n型雜質(zhì)區(qū)624到628朝柵極布線的側(cè)面濃度逐漸變高。這是由于錐形部分膜厚度的差異造成到達(dá)半導(dǎo)體膜的磷濃度變化。注意圖18A示出了低濃度的n型雜質(zhì)區(qū)624到628的透視圖。然而，該圖未精確顯示摻磷區(qū)域的圖，而是示出了根據(jù)柵極布線618到622的錐形部分的形狀磷濃度的上述變化的圖。接下來形成高濃度n型雜質(zhì)區(qū)作為n溝道TFT中的源區(qū)或漏區(qū)(n+摻雜工藝)?？刮g劑掩模RM21到RM26保持完整，在10和30KeV之間的低加速電壓的條件下通過離子摻雜摻雜磷，以便此時(shí)柵極布線618到622作為掩蔽磷的掩模。由此形成高濃度n型雜質(zhì)區(qū)630到635。由于在形成柵極布線的工藝中過腐蝕處理了覆蓋這些區(qū)域630到635的柵絕緣膜610，與初始的120nm的厚度相比，柵絕緣膜的膜厚度變薄，在70和100nm之間。因此，即使在低加速電壓的條件下也可以適當(dāng)?shù)負(fù)诫s磷。這些區(qū)域630到635的磷濃度設(shè)置在1×1020和1×1021原子／cm3的濃度范圍內(nèi)。(見圖18B)在形成p溝道TFT的島形半導(dǎo)體膜604和606中形成高濃度p型雜質(zhì)區(qū)636和637作為源區(qū)和漏區(qū)。這里使用柵極布線618和120作為掩模，摻雜產(chǎn)生p型的雜質(zhì)元素，由此以自對(duì)準(zhǔn)方式形成高濃度p型雜質(zhì)區(qū)636和637。此時(shí)，形成n溝道TFT的島形半導(dǎo)體膜605、107和108整個(gè)由使用第三光掩模PM23形成的抗蝕劑掩模RM29到RM31覆蓋。(見圖18C)使用乙硼烷(B2H6)通過離子摻雜形成這里將形成的雜質(zhì)區(qū)636和637。不與柵極布線重疊的高濃度p型雜質(zhì)區(qū)中的硼(B)濃度設(shè)置在3×1020和3×1021原子／cm3之間。此外，由于雜質(zhì)元素通過柵絕緣膜和柵電極的錐形部分也摻雜到與柵極布線重疊的雜質(zhì)區(qū)域內(nèi)，因此形成基本上低濃度的p型雜質(zhì)區(qū)，濃度設(shè)置為至少1．5×1019原子／cm3或以上。硼(B)的濃度設(shè)置為圖18A工藝中摻雜的磷濃度的1．5到3倍。因此，p型雜質(zhì)區(qū)作為p溝道TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)不會(huì)發(fā)生任何問題。此后，形成由氧化的氮化硅制成的保護(hù)絕緣膜638，如圖19A和21D所示。通過等離子體CVD由SiH4、N2O以及NH3形成氮氧化硅膜。使用退火爐借助熱退火進(jìn)行以各濃度摻雜產(chǎn)生n型或p型雜質(zhì)元素的激活工藝。激活工藝之后，在氣氛氣體已改變?yōu)楹?％到100％氫氣的氣氛中在300和450℃之間的溫度下進(jìn)行熱處理1到12小時(shí)，然后進(jìn)行島形半導(dǎo)體膜的氫化工藝。該工藝通過熱受激的氫結(jié)束了島形半導(dǎo)體膜中1016和1018／cm3的懸掛鍵。完成激活和氫化工藝之后，形成層間絕緣膜639，由此它的平均膜厚度在1．0和2．0mm之間。(參見圖19B和21E)此后，使用第四光掩模PM24形成預(yù)定圖形的抗蝕劑掩模RM24，在各島形半導(dǎo)體膜中形成到達(dá)源極區(qū)或漏極區(qū)的接觸孔，形成覆蓋連接布線683側(cè)面的保護(hù)膜673，如圖21E所示。通過干法腐蝕進(jìn)行所述工藝。此時(shí)，首先使用CF4、O2和He的混合氣體作腐蝕氣體腐蝕由有機(jī)樹脂材料制成的層間絕緣膜639，然后用CF4和O2作腐蝕氣體腐蝕保護(hù)絕緣膜638。此外，為了提高島形半導(dǎo)體膜的選擇率比，腐蝕氣體改變?yōu)镃HF3以腐蝕柵絕緣膜610，由此精細(xì)地形成接觸孔。如圖21E所示，由于連接布線683的側(cè)面覆蓋有保護(hù)膜673，由連接布線683的金屬膜形成的層683b和683c的表面處于由透明導(dǎo)電膜、柵絕緣膜610、以及保護(hù)膜673環(huán)繞并接觸的狀態(tài)。因此，層683a和683b的表面沒有暴露在空氣中。然后，形成由Ti膜(50和150nm之間)／Al膜(300和400之間)和透明導(dǎo)電膜的疊層膜形成的金屬膜，透明導(dǎo)電膜形成在金屬膜的表面上，厚度在80和120nm之間。如圖19C所示，通過濺射或真空蒸發(fā)形成金屬膜，使用第五光掩模PM25形成抗蝕劑掩模圖形，腐蝕金屬膜和透明導(dǎo)電膜，由此形成源極布線648到652和漏極布線653到657。這里的漏極布線657作為像素電極。漏極布線658表示相鄰像素的像素電極。在驅(qū)動(dòng)電路的第一p溝道TFT700中，溝道形成區(qū)706、由高濃度的p型雜質(zhì)區(qū)形成的源極區(qū)707和漏極區(qū)708形成在島形半導(dǎo)體膜604中。在區(qū)域707和708中，與柵電極重疊的區(qū)域變?yōu)榈蜐舛扰鸬腖DD區(qū)。在第一n溝道TFT701中，島形半導(dǎo)體膜605由溝道形成區(qū)709、由低濃度的n型雜質(zhì)區(qū)形成并與柵極布線重疊的LDD區(qū)710和711、以及由高濃度的n型雜質(zhì)區(qū)形成的源極區(qū)713和漏極區(qū)712組成。在所述LDD區(qū)中磷濃度的分布隨著遠(yuǎn)離溝道形成區(qū)709而增加。增加的比例取決于例如加速電壓和離子摻雜的摻雜量、錐角θ和柵極布線619的厚度等條件。由于柵極布線的邊緣部分形成錐形，因此可以通過錐形部分摻雜雜質(zhì)元素。因此，在錐形部分下存在的半導(dǎo)體膜中形成雜質(zhì)元素濃度逐漸變化的雜質(zhì)區(qū)域。本發(fā)明有效地利用了以上介紹的雜質(zhì)區(qū)域。通過在n溝道TFT中形成這種類型的LDD區(qū)，可以松弛漏區(qū)附近中產(chǎn)生的大電場(chǎng)，由此防止熱載流子，并且可以實(shí)現(xiàn)防止TFT退化。與TFT700類似，在島形半導(dǎo)體膜606中，驅(qū)動(dòng)電路的第二p溝道TFT702具有溝道形成區(qū)714、由高濃度的p型雜質(zhì)區(qū)形成的源極區(qū)715和漏極區(qū)716。在區(qū)域715和716中，與柵極布線重疊的區(qū)域變?yōu)榈蜐舛扰鸬膒型LDD區(qū)h。在第二n溝道TFT703中，島形半導(dǎo)體膜607具有溝道形成區(qū)717，與柵電極621重疊的LDD區(qū)718和719、由高濃度的n型雜質(zhì)區(qū)形成的源極區(qū)720和漏極區(qū)721。LDD區(qū)718和719與LDD區(qū)711和712類似地構(gòu)成。在像素704中，島形半導(dǎo)體膜608具有溝道形成區(qū)723和724、由低濃度的n型雜質(zhì)區(qū)形成的LDD區(qū)725到728、由高濃度的n型雜質(zhì)區(qū)形成的源極或漏極區(qū)729到731。LDD區(qū)725到728與LDD區(qū)711和712類似地構(gòu)成。此外，在存儲(chǔ)電容器705中，修改半導(dǎo)體膜608中的溝道形成區(qū)732、LDD區(qū)733和734以及高濃度的n型雜質(zhì)區(qū)735，以便柵絕緣膜610變?yōu)榻橘|(zhì)，存儲(chǔ)電容器623和半導(dǎo)體膜608變成電極。隨后，與實(shí)施例1類似，使用第六光掩模形成保持基片之間間距的柱形隔離物672，形成相對(duì)的膜674，由此進(jìn)行研磨。與實(shí)施例1類似，用密封劑686將相對(duì)的基片250和有源矩陣基片700粘在一起，液晶材料260封閉在基片之間的間隙中。相對(duì)基片的結(jié)構(gòu)與圖8的相同。此外，在連接布線683的端部，通過導(dǎo)電晶粒195b分散到圖21F所示的粘合劑195a的各向異性導(dǎo)電膜195，F(xiàn)PC191與其電連接。在FPC191中，參考數(shù)字191a表示由如聚酰亞胺等材料制成的基片，參考數(shù)字191b表示由銅等制成的布線。雖然在實(shí)施例1到3中示出了頂柵TFT，但本領(lǐng)域中的技術(shù)人員可以容易地用底柵TFT代替。此外，在這些實(shí)施例中介紹了有源矩陣基片，但不必說，這些實(shí)施例的連接布線的結(jié)構(gòu)也適用于其它半導(dǎo)體器件。當(dāng)和實(shí)施例2和3一樣由TFT的層間絕緣膜形成連接布線的保護(hù)膜時(shí)，它適合于例如有源矩陣型EL器件等電路由TFT形成的半導(dǎo)體器件。實(shí)施例4根據(jù)本發(fā)明制造的有源矩陣基片、液晶顯示器件以及EL顯示器件可以用于各種電光器件。本發(fā)明可以適用于包括如電光器件作為顯示媒質(zhì)的所有電子設(shè)備。這些電子設(shè)備的例子包括個(gè)人計(jì)算機(jī)、數(shù)字照相機(jī)、攝影機(jī)、便攜式信息終端(可移動(dòng)的計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、電子記事本等)以及導(dǎo)航系統(tǒng)。圖23A到23F示出了這些例子。圖23A示出了個(gè)人計(jì)算機(jī)，包括包括微處理器和存儲(chǔ)器等的主機(jī)2001；圖像輸入部分2002；顯示裝置2003、以及鍵盤2004。本發(fā)明可形成顯示裝置2003或其它信號(hào)處理電路。圖23B為攝影機(jī)，包括主機(jī)2101；顯示裝置2102；聲音輸入部分2103；操作開關(guān)2104；電池2105；以及圖像接收部分2106。本發(fā)明適用于顯示裝置2102或其它信號(hào)控制電路。圖23C為便攜式信息終端，包括主機(jī)2201；圖像輸入部分2202；圖像接收部分2203；操作開關(guān)2204；以及顯示裝置2205。本發(fā)明適用于顯示裝置2205或其它信號(hào)控制電路。所述便攜式信息終端經(jīng)常用于戶外和室內(nèi)。要長(zhǎng)時(shí)間操作終端，利用外部光線的反射型液晶顯示裝置比使用背光類型的裝置更適合低功耗型。然而，當(dāng)環(huán)境很暗時(shí)，裝備有背光的透射型液晶顯示裝置更合適。在所述情況下，開發(fā)了具有反射型和透射型特性的混合型液晶顯示裝置。本發(fā)明也適合所述混合型液晶顯示裝置。圖22示出了將實(shí)施例1的液晶顯示板應(yīng)用到便攜式信息終端的一個(gè)例子。顯示裝置2205包括觸板3002、液晶顯示器件3003以及LED背光3004。提供觸板3002以容易地操作便攜式信息終端。如LED等的發(fā)光元件3100設(shè)置在觸板3002的一端，如光電二極管等的光接收器件3200設(shè)置在另一端。光通路限定其間。當(dāng)壓觸板3002光通路切斷時(shí)，光接收元件3200的光輸出改變。當(dāng)利用所述原理將這些發(fā)光元件和光接收元件以矩陣形設(shè)置在液晶顯示器件上時(shí)，觸板可以作為輸入媒介。圖23D示出了如電視游戲或電子游戲等的電子游戲機(jī)。它包括如CPU等的電子電路2308和記錄媒質(zhì)2304安裝其上的主機(jī)2301；控制器2305；顯示裝置2303；以及裝配在主機(jī)2301內(nèi)的顯示裝置2302。顯示裝置2303和裝配在主機(jī)2301內(nèi)的顯示裝置2302可以顯示相同的信息。此外，前者主要用做主要顯示裝置，后者作為副顯示裝置顯示記錄媒質(zhì)2304的信息、裝置的操作條件，或者通過添加接觸傳感器的功能作為操作板。主機(jī)2301、控制器2305以及顯示裝置2303有線通信功能，以傳輸其間的信號(hào)，或配備有傳感器單元2306和2307以獲得無線通信或光通信功能。本發(fā)明可應(yīng)用于顯示裝置2302和顯示裝置2303。圖23E示出了采用存儲(chǔ)程序的記錄媒質(zhì)(此后稱為“記錄媒質(zhì)”)的播放器，包括主體2401、顯示部分2402、揚(yáng)聲器單元2403、記錄媒質(zhì)2404和操作開關(guān)2405。順便提及，使用DVD(數(shù)字通用盤)或CD作該裝置的記錄介質(zhì)，能夠再現(xiàn)音樂程序，顯示圖像，并進(jìn)行電子游戲(或電視游戲)，或用于因特網(wǎng)。本發(fā)明可應(yīng)用于顯示器件2402和其它信號(hào)控制電路。圖23F示出了數(shù)字?jǐn)z像機(jī)，包括主體2501、顯示部分2502、目鏡部分2503、操作開關(guān)2504、和圖像接收單元(圖中未示出)。本發(fā)明可應(yīng)用于顯示單元2502或其它信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路。圖24A示出了前置型投影儀，包括光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置2601；以及屏2602。本發(fā)明可應(yīng)用于顯示裝置和其它信號(hào)控制電路。圖24B示出了背置型投影儀，包括主體2701、光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置2702；反射鏡2703；以及屏2704。本發(fā)明可應(yīng)于顯示裝置或其它信號(hào)控制電路。順便提及，圖24C示出了圖24A和24B中的光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置2601和2702的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。光源光系統(tǒng)和顯示裝置2601和2702包括光源光學(xué)系統(tǒng)2801、反射鏡2802，2804到2806、分光鏡2803、束分裂器2807、液晶顯示器件2808、相差板2809、和投影光學(xué)系統(tǒng)2810。投影光學(xué)系統(tǒng)2810包括多個(gè)光學(xué)透鏡。圖24C示出了使用三個(gè)液晶顯示裝置2808的三板系統(tǒng)的例子。然而，本發(fā)明不限于所述系統(tǒng)，也可以適用于單板系統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng)?？梢栽趫D24C中箭頭所示的光學(xué)路徑中適當(dāng)?shù)卦O(shè)置具有偏振功能的膜、調(diào)節(jié)相位的膜、IR膜等。圖24D示出了圖24C的光源光學(xué)系統(tǒng)2801的結(jié)構(gòu)實(shí)例。在本實(shí)施例中，光源光學(xué)系統(tǒng)2801包括反射器2811；光源2812；透鏡陣列2813和2814；偏振轉(zhuǎn)換元件2815及會(huì)聚透鏡2816。順便提及，圖24D所示的光源光學(xué)系統(tǒng)僅為一個(gè)實(shí)例，而不是限定性的。本發(fā)明還適用于導(dǎo)航系統(tǒng)或圖象傳感器的讀取電路，雖然未在圖中示出。因此本發(fā)明的應(yīng)用范圍極寬，本發(fā)明可以適用于所有領(lǐng)域的電子設(shè)備。通過實(shí)施本發(fā)明，在通過各向異性導(dǎo)電膜連接到另一電路的連接布線中，連接布線變?yōu)榻饘倌び杀Ｗo(hù)膜和透明導(dǎo)電膜覆蓋的結(jié)構(gòu)。因此，可以防止由制造工藝和與各向異性導(dǎo)電膜的粘合劑接觸造成的金屬膜腐蝕和質(zhì)量變化，由此形成高可靠性的接觸結(jié)構(gòu)。權(quán)利要求1．一種接觸結(jié)構(gòu)，通過各向異性導(dǎo)電膜將基片上的連接布線連接到另一基片上的布線，其中所述連接布線為金屬膜和透明導(dǎo)電膜形成的疊層膜，以及在所述各向異性導(dǎo)電膜的連接部分中，所述金屬膜的側(cè)面由保護(hù)膜覆蓋。2．根據(jù)權(quán)利要求1的接觸結(jié)構(gòu)，其中所述保護(hù)膜為樹脂膜。3．根據(jù)權(quán)利要求1的接觸結(jié)構(gòu)，其中所述金屬膜的厚度在100nm和1μm之間。4．根據(jù)權(quán)利要求1的接觸結(jié)構(gòu)，其中所述金屬膜包括具有Al作為它的基本成分的金屬層，或含有Al的合金層。5．根據(jù)權(quán)利要求1的接觸結(jié)構(gòu)，其中所述金屬膜包括具有W作為它的基本成分的金屬層，或含有W的合金層。6．根據(jù)權(quán)利要求1的接觸結(jié)構(gòu)，其中金屬膜是W層和含有W和N的合金層構(gòu)成的疊層膜。7．根據(jù)權(quán)利要求1的接觸結(jié)構(gòu)，其中透明導(dǎo)電膜的厚度在50nm和0．5μm之間。8．根據(jù)權(quán)利要求1的接觸結(jié)構(gòu)，其中透明導(dǎo)電膜是含氧化鋅的合金膜。9．根據(jù)權(quán)利要求1的接觸結(jié)構(gòu)，其中透明導(dǎo)電膜是含氧化鋅和氧化銦的合金膜。10．一種接觸結(jié)構(gòu)，通過各向異性導(dǎo)電膜將基片上的連接布線連接到另一基片上的布線，其中所述連接布線為金屬膜和透明導(dǎo)電膜形成的疊層膜，以及僅有所述透明導(dǎo)電膜與所述各向異性導(dǎo)電膜接觸。11．根據(jù)權(quán)利要求10的接觸結(jié)構(gòu)，其中保護(hù)膜為樹脂膜。12．根據(jù)權(quán)利要求10的接觸結(jié)構(gòu)，其中金屬膜的厚度在100nm和1μm之間。13．根據(jù)權(quán)利要求10的接觸結(jié)構(gòu)，其中金屬膜包括具有Al作為它的基本成分的金屬層，或含有Al的合金層。14．根據(jù)權(quán)利要求10的接觸結(jié)構(gòu)，其中金屬膜包括具有W作為它的基本成分的金屬層，或含有W的合金層。15．根據(jù)權(quán)利要求10的接觸結(jié)構(gòu)，其中金屬膜是W層和含有W和N的合金層構(gòu)成的疊層膜。16．根據(jù)權(quán)利要求10的接觸結(jié)構(gòu)，其中透明導(dǎo)電膜的厚度在50nm和0．5μm之間。17．根據(jù)權(quán)利要求10的接觸結(jié)構(gòu)，其中透明導(dǎo)電膜是含氧化鋅的合金膜。18．根據(jù)權(quán)利要求10的接觸結(jié)構(gòu)，其中透明導(dǎo)電膜是含氧化鋅和氧化銦的合金膜。19．一種半導(dǎo)體器件，包括基片上由薄膜晶體管構(gòu)成的電路，以及所述基片上將由薄膜晶體管構(gòu)成的電路連接到另一電路的連接布線，其中所述連接布線為金屬膜和透明導(dǎo)電膜的疊層膜，以及在與其它電路的連接部分中，所述金屬膜的側(cè)面由保護(hù)膜覆蓋。20．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中保護(hù)膜由與薄膜晶體管的柵極布線和源極布線之間的柵絕緣膜相同的材料形成。21．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中連接布線通過各向異性導(dǎo)電膜電連接到其它基板的布線。22．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中保護(hù)膜為樹脂膜。23．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中金屬膜的厚度在100nm和1μm之間。24．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中金屬膜包括具有Al作為它的基本成分的金屬層，或含有Al的合金層。25．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中金屬膜包括具有W作為它的基本成分的金屬層，或含有W的合金層。26．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中金屬膜是W層和含有W和N的合金層構(gòu)成的疊層膜。27．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中透明導(dǎo)電膜的厚度在50nm和0．5μm之間。28．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中透明導(dǎo)電膜是含氧化鋅的合金膜。29．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中透明導(dǎo)電膜是含氧化鋅和氧化銦的合金膜。30．根據(jù)權(quán)利要求19的器件，其中所述半導(dǎo)體器件為液晶顯示器件和EL顯示器件中的一種。31．一種半導(dǎo)體器件，包括第一基片，具有由薄膜晶體管構(gòu)成的電路，與第一基片相對(duì)的第二基片，連接布線，由金屬膜和接觸金屬膜表面的透明導(dǎo)電膜形成，將由薄膜晶體管構(gòu)成的所述電路連接到另一電路，和保護(hù)膜，接觸所述金屬膜側(cè)面，其中所述連接布線和所述保護(hù)膜形成在所述第一基板上。32．根據(jù)權(quán)利要求31的半導(dǎo)體器件，其中保護(hù)膜由與薄膜晶體管的柵極布線和源極布線之間的柵絕緣膜相同的材料形成。33．根據(jù)權(quán)利要求31的半導(dǎo)體器件，其中連接布線通過各向異性導(dǎo)電膜電連接到其它基板的布線。34．根據(jù)權(quán)利要求31的半導(dǎo)體器件，其中保護(hù)膜為樹脂膜。35．根據(jù)權(quán)利要求31的半導(dǎo)體器件，其中金屬膜的厚度在100nm和1μm之間。36．根據(jù)權(quán)利要求31的半導(dǎo)體器件，其中金屬膜包括具有Al作為它的基本成分的金屬層，或含有Al的合金層。37．根據(jù)權(quán)利要求31的半導(dǎo)體器件，其中金屬膜包括具有W作為它的基本成分的金屬層，或含有W的合金層。38．根據(jù)權(quán)利要求31的半導(dǎo)體器件，其中金屬膜是W層和含有W和N的合金層構(gòu)成的疊層膜。39．根據(jù)權(quán)利要求31的半導(dǎo)體器件，其中透明導(dǎo)電膜的厚度在50nm和0．5μm之間。40．根據(jù)權(quán)利要求31的半導(dǎo)體器件，其中透明導(dǎo)電膜是含氧化鋅的合金膜。41．根據(jù)權(quán)利要求31的半導(dǎo)體器件，其中透明導(dǎo)電膜是含氧化鋅和氧化銦的合金膜。42．根據(jù)權(quán)利要求31的器件，其中所述半導(dǎo)體器件為液晶顯示器件和EL顯示器件中的一種。43．一種半導(dǎo)體器件，包括具有由薄膜晶體管構(gòu)成的電路的第一基片，與第一基片相對(duì)的第二基片，連接布線，由金屬膜和接觸金屬膜表面的透明導(dǎo)電膜形成，將由薄膜晶體管構(gòu)成的電路連接到另一電路，柱形隔離物，形成在所述薄膜晶體管上，保持所述第一基片和所述第二基片之間間距，保護(hù)膜，接觸所述金屬膜的所述側(cè)面，由與柱形隔離物相同的材料形成，其中所述連接布線、所述柱形隔離物、以及所述保護(hù)膜形成在所述第一基片上。44．根據(jù)權(quán)利要求43的半導(dǎo)體器件，其中連接布線通過各向異性導(dǎo)電膜電連接到其它基板的布線。45．根據(jù)權(quán)利要求43的半導(dǎo)體器件，其中保護(hù)膜為樹脂膜。46．根據(jù)權(quán)利要求43的半導(dǎo)體器件，其中金屬膜的厚度在100nm和1μm之間。47．根據(jù)權(quán)利要求43的半導(dǎo)體器件，其中金屬膜包括具有Al作為它的基本成分的金屬層，或含有Al的合金層。48．根據(jù)權(quán)利要求43的半導(dǎo)體器件，其中金屬膜包括具有W作為它的基本成分的金屬層，或含有W的合金層。49．根據(jù)權(quán)利要求43的半導(dǎo)體器件，其中金屬膜包括具有W作為它的基本成分的金屬層，和含有W和N的合金層。50．根據(jù)權(quán)利要求43的半導(dǎo)體器件，其中透明導(dǎo)電膜的厚度在50nm和0．5μm之間。51．根據(jù)權(quán)利要求43的半導(dǎo)體器件，其中透明導(dǎo)電膜是含氧化鋅的合金膜。52．根據(jù)權(quán)利要求43的半導(dǎo)體器件，其中透明導(dǎo)電膜是含氧化鋅和氧化銦的合金膜。53．根據(jù)權(quán)利要求43的器件，其中所述半導(dǎo)體器件為液晶顯示器件和EL顯示器件中的一種。全文摘要要提高半導(dǎo)體器件中與各向異性導(dǎo)電膜接觸的可靠性,有源矩陣基片上的連接端子(183)的端子部分(182)通過各向異性導(dǎo)電膜(195)電連接到FPC(191)。連接布線(183)在有源矩陣基片上源極/漏極布線的相同工藝中制造,并由金屬膜和透明導(dǎo)電膜的疊層膜制成。在具有各向異性導(dǎo)電膜(195)的連接部分中,連接布線(183)的側(cè)面由絕緣材料制成的保護(hù)膜(173)覆蓋。因此可以避免金屬膜被透明導(dǎo)電膜、絕緣底膜以及與之接觸的保護(hù)膜(173)環(huán)繞的部分暴露到空氣。文檔編號(hào)G09F9/30GK1282106SQ00121公開日2001年1月31日申請(qǐng)日期2000年7月24日優(yōu)先權(quán)日1999年7月22日發(fā)明者山崎舜平申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所