專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過(guò)在襯底上形成EL(場(chǎng)致發(fā)光)元件而制成的電子顯示裝置。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及利用半導(dǎo)體元件(一種使用半導(dǎo)體薄膜的元件)的EL顯示裝置。此外，本發(fā)明涉及一種在其顯示部分利用EL顯示裝置的顯示裝置。
近年來(lái)，用于在襯底上形成TFT的技術(shù)有了大的改進(jìn)，并且其在有源陣列電子顯示裝置中的應(yīng)用不斷發(fā)展。特別是，利用多硅膜的TFT比利用常規(guī)的無(wú)定形硅膜的TFT具有較高的場(chǎng)效應(yīng)遷移率(也叫做遷移率)，因而它們可以在較高的操作速度下使用，這使得能夠利用被形成在形成有像素的襯底上的驅(qū)動(dòng)電路控制像素，而按照慣例，這種像素控制由被提供在襯底外部的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行。
因?yàn)樵谶@種有源陣列電子顯示裝置中各種電路和元件被形成在同一襯底上，所以具有各種優(yōu)點(diǎn)，例如降低制造成本，減少電子顯示裝置的尺寸，提高產(chǎn)量，以及改善通過(guò)量。
此外，實(shí)際上研究出了具有EL元件作為發(fā)光元件的有源陣列EL顯示裝置。EL顯示裝置也被稱為有機(jī)EL顯示裝置(0ELD)或者有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
和液晶顯示裝置不同，EL顯示裝置是發(fā)光型的。EL元件被這樣構(gòu)成，使得含有有機(jī)化合物的借助于對(duì)其施加電場(chǎng)而發(fā)光的層(以后被稱為EL層)被夾在一對(duì)電極(陽(yáng)極和陰極)之間。一般地說(shuō)，EL層具有一種層疊結(jié)構(gòu)。一種典型的結(jié)構(gòu)是由Eastman Kodak Co.公司的Tang等人提出“正空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層”的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)具有極高的發(fā)光效率，因而，目前研究和研制的幾乎所有的EL顯示裝置都使用這種結(jié)構(gòu)。
所述的結(jié)構(gòu)也可以是這樣的，即，其中“正空穴注入層/正空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層”或“正空穴注入層/正空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層”按照這種順序在陽(yáng)極上被層疊在一起。此外，熒光色素或其類似物可以被摻雜在發(fā)光層中。
在本說(shuō)明中，所有被提供在陰極和陽(yáng)極之間的層被統(tǒng)稱為EL層。因而，上述的正空穴注入層，正空穴輸送層，發(fā)光層，電子輸送層，電子注入層或其類似物都被包括在EL層中。
當(dāng)一對(duì)電極把預(yù)定電壓施加到按照上述構(gòu)成的EL層上時(shí)，在光發(fā)射層中的載流子重新組合，因而發(fā)光。在本說(shuō)明中，EL元件發(fā)光被稱為“EL元件被驅(qū)動(dòng)”。還應(yīng)當(dāng)注意，由陽(yáng)極、EL層和陰極構(gòu)成的發(fā)光元件被稱為EL元件。
由EL層發(fā)出的光可以被分解成當(dāng)粒子從單受激狀態(tài)(singletexcited state)返回基態(tài)時(shí)發(fā)出的光(熒光)和當(dāng)粒子從三受激狀態(tài)(triplet excited state)返回基態(tài)時(shí)發(fā)出的光(磷光)。在本發(fā)明中，可以使用上述的任何一種發(fā)光，或者使用上述的兩種發(fā)光。
用于驅(qū)動(dòng)EL顯示裝置的方法包括模擬驅(qū)動(dòng)方法(模擬驅(qū)動(dòng))。下面參照?qǐng)D26和27說(shuō)明模擬驅(qū)動(dòng)的EL顯示裝置。
圖26說(shuō)明模擬驅(qū)動(dòng)的EL顯示裝置的像素部分1800的結(jié)構(gòu)。被輸入來(lái)自柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的控制信號(hào)的柵極信號(hào)線G1-Gy和用作開(kāi)關(guān)的各個(gè)像素的TFT 1801的柵極相連。用作開(kāi)關(guān)的各個(gè)像素的每個(gè)TFT 1801的源極區(qū)和漏極區(qū)之一和用于接收模擬視頻信號(hào)的源極信號(hào)線(也被稱為數(shù)據(jù)信號(hào)線)S1，…Sx相連，而另一個(gè)和用于對(duì)每個(gè)像素進(jìn)行EL驅(qū)動(dòng)的TFT 1804的柵極相連，并和每個(gè)像素的電容器1808相連。
用于對(duì)每個(gè)像素進(jìn)行EL驅(qū)動(dòng)的TFT 1804的源極區(qū)和電源線V1，...，Vx相連，而用于對(duì)每個(gè)像素進(jìn)行EL驅(qū)動(dòng)的TFT 1804的漏極區(qū)和EL元件1806相連。電源線V1，...，Vx的電位被稱為電源電位。此外，電源線V1，...，Vx和每個(gè)像素的電容器1808相連。
EL元件具有陽(yáng)極、陰極和被提供在陰極和陽(yáng)極之間的EL層。在EL元件1806的陽(yáng)極和用于進(jìn)行EL驅(qū)動(dòng)的TFT 1804的的漏極區(qū)相連的情況下，EL元件1806的陽(yáng)極是像素電極，而其陰極是相對(duì)電極。與此相反，在EL元件1806的陰極和用于進(jìn)行EL驅(qū)動(dòng)的TFT 1804的的漏極區(qū)相連的情況下，EL元件1806的陰極是像素電極，而其陽(yáng)極是相對(duì)電極。
應(yīng)當(dāng)注意，此處把相對(duì)電極的電位稱為相對(duì)電位，對(duì)相對(duì)電極施加相對(duì)電位的電源此處稱為相對(duì)電源。在像素電極的電位和相對(duì)電極的電位之間的差是用于進(jìn)行EL驅(qū)動(dòng)的電壓，其被施加于EL層上。
圖27是在用模擬方法驅(qū)動(dòng)圖26所示的EL顯示裝置的情況下的定時(shí)圖。從一個(gè)柵極信號(hào)線被選擇的時(shí)刻到下一個(gè)柵極信號(hào)線被選擇的時(shí)刻的時(shí)間間隔被稱為一個(gè)行周期(L)。從一個(gè)圖像被顯示的時(shí)刻到下一個(gè)圖像被顯示的時(shí)刻的時(shí)間間隔是一個(gè)幀周期(F)。對(duì)于圖26所示的EL顯示裝置，因?yàn)闁艠O信號(hào)線的數(shù)量是y，所以在一個(gè)幀周期內(nèi)具有y個(gè)行周期(L1-Ly)。
在本說(shuō)明中，柵極信號(hào)線被選擇意味著其柵極和柵極信號(hào)線相連的所有的薄膜晶體管都處于導(dǎo)通狀態(tài)。
當(dāng)清晰度較高時(shí)，在一個(gè)幀周期內(nèi)的行周期的數(shù)量增加，因而，驅(qū)動(dòng)電路必須以較高的頻率被驅(qū)動(dòng)。
首先，電源線V1-Vx被保持為某個(gè)電源電位。作為相對(duì)電極的電位的相對(duì)電位也被保持在某個(gè)電位，該電位具有不同的電源電位，因而EL元件發(fā)光。
在第一個(gè)行周期(L1)，按照由柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路對(duì)柵極信號(hào)線G1輸入的控制信號(hào)，柵極信號(hào)線G1被選擇。
然后，按照順序?qū)υ礃O信號(hào)線S1-Sx輸入模擬視頻信號(hào)。因?yàn)樗械挠米鏖_(kāi)關(guān)的和柵極信號(hào)線G1相連的TFT 1801都處于導(dǎo)通狀態(tài)，所以被輸入到源極信號(hào)線S1-Sx的模擬視頻信號(hào)通過(guò)TFT 1801被輸入到用于進(jìn)行EL驅(qū)動(dòng)的TFT 1804的柵極。
通過(guò)用于進(jìn)行EL驅(qū)動(dòng)的TFT 1804的溝道形成區(qū)的電流的數(shù)量由施加于用于進(jìn)行EL驅(qū)動(dòng)的TFT 1804的柵極的信號(hào)的電位(電壓)的大小控制。因而，施加于EL元件1806的像素電極的電位由被輸入給用于進(jìn)行EL驅(qū)動(dòng)的TFT 1804的柵極的模擬信號(hào)的電位的大小確定。在模擬信號(hào)的電位的控制下，EL元件1806發(fā)光。
重復(fù)上述的操作，當(dāng)對(duì)所有的源極信號(hào)線S1-Sx都輸入模擬視頻信號(hào)時(shí)，第一行周期(L1)結(jié)束。注意對(duì)源極信號(hào)線S1-Sx輸入模擬視頻信號(hào)的周期和水平回掃行周期可以是一個(gè)行周期。
然后，在第二行周期(L2)，由控制信號(hào)選擇柵極信號(hào)線G2。如同在第一個(gè)行周期(L1)中的情況一樣，模擬視頻信號(hào)被按照順序輸入到源極信號(hào)線S1-Sx。
當(dāng)控制信號(hào)被輸入給所有柵極信號(hào)線G1-Gy之后，所有的行周期L1-Ly結(jié)束。當(dāng)所有的行周期L1-Ly結(jié)束時(shí)，一個(gè)幀周期結(jié)束。在一個(gè)幀周期期間，所有的像素進(jìn)行顯示，因而形成一個(gè)圖像。應(yīng)當(dāng)注意，所有的行周期L1-Ly加上垂直回掃行周期可以是一個(gè)幀周期。
如上所述，由EL元件發(fā)出的高光的數(shù)量按照模擬視頻信號(hào)被控制。通過(guò)控制發(fā)出的光的數(shù)量，進(jìn)行灰度顯示。這種方法是所謂的模擬驅(qū)動(dòng)方法，其中通過(guò)改變被輸入到源極信號(hào)線的模擬視頻信號(hào)的電位進(jìn)行灰度顯示。
下面參照?qǐng)D28詳細(xì)說(shuō)明通過(guò)在上述的模擬驅(qū)動(dòng)方法中用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極電壓控制被提供給EL元件的電流的數(shù)量。
圖28A是說(shuō)明用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的晶體管的特性曲線。標(biāo)號(hào)2801被稱為IDS-VGS特性(或IDS-VGS曲線)，其中IDS是漏極電流，VGS是柵極和源極區(qū)之間的電壓(柵極電壓)。由圖可見(jiàn)，可以求得任意柵極電壓線的電流。
當(dāng)利用模擬驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行灰度顯示時(shí)，上述的IDS-VGS特性的由虛線2802表示的區(qū)域用于驅(qū)動(dòng)EL元件。圖28B是由虛線2802圍成的區(qū)域的的放大圖。
在圖28B中，由斜線表示的區(qū)域被稱為飽和區(qū)。更具體地說(shuō)，在這個(gè)區(qū)域，柵極電壓滿足|VGS－VTH|＜|VDS|，其中VTH是門(mén)限電壓。在這個(gè)區(qū)域，漏極電流隨柵極電壓的變化呈指數(shù)的變化。這個(gè)區(qū)域用于利用柵極電壓進(jìn)行電流控制。
當(dāng)用作開(kāi)關(guān)的TFT導(dǎo)通時(shí)，被輸入給像素的模擬視頻信號(hào)便成為用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極電壓。其中按照?qǐng)D28A所示的IDS-VGS特性，對(duì)于某個(gè)柵極電壓的漏極電流按照1比1的比例被決定。更具體地說(shuō)，相應(yīng)于被輸入到用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極的模擬視頻信號(hào)的電壓，漏極區(qū)域的電位被確定。預(yù)定的漏極電流通過(guò)EL元件，并且EL元件發(fā)出和所述電流的數(shù)量相應(yīng)的光。
如上所述，從EL元件發(fā)出的光的數(shù)量由視頻信號(hào)控制，并且通過(guò)控制所發(fā)光的數(shù)量，可以進(jìn)行灰度顯示。
然而，上述的模擬驅(qū)動(dòng)方法具有這樣的缺點(diǎn)，即其容易受到TFT的特性改變的影響。即使在相等的柵極電壓被施加到各個(gè)像素的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的情況下，如果用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的IDS-VGS特性改變，則不能輸出相同的漏極電流。此外，由圖28A可以清楚地看出，因?yàn)槭褂闷渲新O電流隨柵極電壓呈指數(shù)變化的飽和區(qū)，即使施加相等的柵極電壓，在IDS-VGS特性中的微小的偏移就可以引起輸出電流的相當(dāng)大的改變。在這種情況下，即使輸入相等的電壓，IDS－VGS特性的微小變化就將引起相鄰像素之間的EL元件所發(fā)光的數(shù)量的相當(dāng)大的不同。
因此，模擬驅(qū)動(dòng)對(duì)于用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的特性變化十分敏感，這是常規(guī)的有源陣列EL顯示裝置的灰度顯示的一個(gè)障礙。
本發(fā)明就是根據(jù)上述問(wèn)題作出的，因而本發(fā)明的目的在于提供一種能夠進(jìn)行具有許多色調(diào)的真實(shí)的彩色顯示的有源陣列EL顯示裝置。本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種利用這種有源陣列EL顯示裝置作為顯示裝置的高性能的顯示裝置(電子設(shè)備)。
本發(fā)明人認(rèn)為，導(dǎo)致所述的模擬驅(qū)動(dòng)的問(wèn)題的原因是由于使用飽和區(qū)進(jìn)行灰度顯示的緣故，所述的飽和區(qū)容易受IDS-VGS特性變化的影響，這是因?yàn)樵谒鲲柡蛥^(qū)內(nèi)漏極電流隨柵極電壓呈指數(shù)形式改變。
更具體地說(shuō)，在IDS-VGS特性改變的情況下，因?yàn)槭窃诼O電流最柵極電壓呈指數(shù)變化的飽和區(qū)內(nèi)，所以即使施加相同的電壓，也輸出不同的電流(漏極電流)。結(jié)果，便出現(xiàn)了不能獲得理想的灰度問(wèn)題。
因而，本發(fā)明人提出了一種方法，其中不使用飽和區(qū)通過(guò)控制電流來(lái)控制由EL元件發(fā)出的光的數(shù)量，而主要通過(guò)控制由EL元件發(fā)光的時(shí)間間隔來(lái)控制EL元件發(fā)光的數(shù)量。按照本發(fā)明，由EL元件發(fā)出的光的數(shù)量利用時(shí)間進(jìn)行控制，從而進(jìn)行灰度顯示。這種驅(qū)動(dòng)方法便成為時(shí)分驅(qū)動(dòng)方法(下文被稱為數(shù)字驅(qū)動(dòng))，其中通過(guò)控制EL元件的發(fā)光時(shí)間來(lái)進(jìn)行灰度顯示。應(yīng)當(dāng)注意的是，用這種時(shí)分驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行的灰度顯示被稱為時(shí)分灰度顯示。
利用上述的結(jié)構(gòu)，按照本發(fā)明，即使IDS-VGS特性發(fā)生某個(gè)程度的改變，也可以避免即使施加相等的電壓信號(hào)，在相鄰像素之間的EL元件發(fā)出的光的數(shù)量也具有相當(dāng)大的不同的情況。


圖1是按照本發(fā)明的EL顯示裝置的電路結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖2是按照本發(fā)明的EL顯示裝置的像素部分的電路圖；圖3是按照本發(fā)明的EL顯示裝置的像素部分的電路圖；圖4用于說(shuō)明按照本發(fā)明的EL顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法；圖5是在按照本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)方法中選擇信號(hào)的定時(shí)圖；圖6用于說(shuō)明按照本發(fā)明的EL顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法；圖7用于說(shuō)明按照本發(fā)明的EL顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法；
圖8用于說(shuō)明按照本發(fā)明的EL顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法；圖9是按照本發(fā)明的EL顯示裝置的像素的平面圖；圖10是用于說(shuō)明按照本發(fā)明的EL顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖11說(shuō)明按照本發(fā)明的EL顯示裝置的制造過(guò)程；圖12說(shuō)明按照本發(fā)明的EL顯示裝置的制造過(guò)程；圖13說(shuō)明按照本發(fā)明的EL顯示裝置的制造過(guò)程；圖14是按照本發(fā)明的EL顯示裝置的詳細(xì)截面圖；圖15是按照本發(fā)明的EL顯示裝置的平面圖和截面圖；圖16是按照本發(fā)明的EL顯示裝置的源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖17是按照本發(fā)明的EL顯示裝置的源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的鎖存器的平面圖；圖18是按照本發(fā)明的EL顯示裝置的柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖19說(shuō)明在EL元件和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT之間的連接結(jié)構(gòu)和EL元件以及用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的電壓電流特性；圖20說(shuō)明EL元件和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的電壓電流特性；圖21說(shuō)明用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極電壓和漏極電流之間的關(guān)系；圖22是按照本發(fā)明的顯示裝置的方塊圖；圖23是作為按照本發(fā)明的顯示裝置的具有驅(qū)動(dòng)電路的顯示裝置的平面圖；圖24說(shuō)明使用按照本發(fā)明的EL顯示裝置的電子設(shè)備；圖25說(shuō)明使用按照本發(fā)明的EL顯示裝置的電子設(shè)備；圖26是常規(guī)的EL顯示裝置的像素部分的電路圖；圖27是常規(guī)的EL顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法的定時(shí)圖；圖28說(shuō)明TFT的IDS-VGS特性。
下面說(shuō)明按照本發(fā)明的EL顯示裝置的結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)方法。其中說(shuō)明按照n位數(shù)字視頻信號(hào)顯示2n個(gè)色調(diào)的情況。
圖1說(shuō)明按照本發(fā)明的EL顯示裝置的一個(gè)示例的方塊圖。圖1中所示的EL顯示裝置具有由在襯底上形成的TFT構(gòu)成的像素部分101，被設(shè)置在像素部分101周?chē)脑礃O信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路102，以及柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103。應(yīng)當(dāng)注意，雖然本實(shí)施例的EL顯示裝置具有一個(gè)源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和一個(gè)柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，但本發(fā)明不限于此，可以具有兩個(gè)或多個(gè)源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和兩個(gè)或多個(gè)柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。
用于源極的時(shí)鐘信號(hào)(S-CLK)和用于源極的啟動(dòng)脈沖信號(hào)(S-SP)被輸入到源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路102。源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路102被用于源極的時(shí)鐘信號(hào)(S-CLK)和用于源極的啟動(dòng)脈沖信號(hào)(S-SP)驅(qū)動(dòng)。
用于柵極的時(shí)鐘信號(hào)(G-CLK)和用于柵極的啟動(dòng)脈沖信號(hào)(G-SP)被輸入到柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103。柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103被用于柵極的時(shí)鐘信號(hào)(G-CLK)和用于柵極的啟動(dòng)脈沖信號(hào)(G-SP)驅(qū)動(dòng)。
在本發(fā)明中，源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路102和柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103可以被提供在其上形成有像素部分101的襯底上，或者被提供在IC芯片上，并通過(guò)FPC或TAB和像素部分101相連。
圖2是圖1的像素部分101的放大圖。在像素部分101中提供有源極信號(hào)線S1-Sx，電源線V1-Vx，和柵極信號(hào)線G0，G1-Gy和G(y＋1)。
像素104是具有源極信號(hào)線S1-Sx中的一個(gè)，電源線V1-Vx中的一個(gè)，和柵極信號(hào)線G1-Gy中的一個(gè)的區(qū)域。在像素部分101中以陣列的形式設(shè)置有多個(gè)像素104。
應(yīng)當(dāng)注意，雖然在圖2中在柵極信號(hào)線G0和G1之間沒(méi)有像素被形成，但本發(fā)明不限于此，在柵極信號(hào)線G0和G1之間可以形成假(dummy)像素。
圖3是像素104的電路圖。標(biāo)號(hào)105，106，107，108，109和110分別表示第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，第二用作開(kāi)關(guān)的TFT，用于清除的TFT，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT，電容器和EL元件。圖3所示的像素(j，i)具有源極信號(hào)線Sj(j是從1到x的任意數(shù))，電源線Vj，和柵極信號(hào)線Gi(i是從1到y(tǒng)的任意數(shù))。
第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105的柵極和柵極信號(hào)線Gi相連。第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106的柵極和與像素(j，i)相鄰的像素(j，i＋1)的柵極信號(hào)線G(i＋1)相連。應(yīng)當(dāng)注意，雖然本發(fā)明具有上述的結(jié)構(gòu)，但是也可以是這樣的結(jié)構(gòu)，其中第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106的柵極和柵極信號(hào)線Gi相連，第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和與像素(j，i)相鄰的像素(j，i＋1)的柵極信號(hào)線G(i＋1)相連。
第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105的源極區(qū)或漏極區(qū)和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106的源極區(qū)或漏極區(qū)是串聯(lián)連接的。不和第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105的源極區(qū)或漏極區(qū)相連的第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106的源極區(qū)或漏極區(qū)和源極信號(hào)線Sj相連。此外，不和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106的源極區(qū)或漏極區(qū)相連的第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105的源極區(qū)或漏極區(qū)和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極相連。
用于清除的TFT107的柵極和與圖3所示的像素(j，i)相鄰的像素(j，i－1)的柵極信號(hào)線G(i-1)相連。用于清除的TFT107的源極區(qū)或漏極區(qū)中的一個(gè)和電源線Vj相連，另一個(gè)和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極相連。
電容器109被這樣設(shè)置，使得其和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極以及電源線Vj相連。電容器109用于在用作開(kāi)關(guān)的TFT107處于未選擇狀態(tài)(即截止?fàn)顟B(tài))時(shí)保持用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極電壓。應(yīng)當(dāng)注意，雖然電容器109以本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)被提供，但本發(fā)明不限于此，也可以不提供電容器109。
用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的源極區(qū)和電源線Vj相連，而用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的漏極區(qū)和EL元件110相連。
應(yīng)當(dāng)理解，電源線可以由在一行中的兩個(gè)相鄰的像素共用。換句話說(shuō)，可以使兩個(gè)像素的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的源極區(qū)和一個(gè)公共的電源線相連。
EL元件110由陽(yáng)極、陰極和被提供在陰極和陽(yáng)極之間的EL層構(gòu)成。在陽(yáng)極和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的漏極區(qū)相連的情況下，陽(yáng)極是像素電極，而其陰極是相對(duì)電極。與此相反，在陰極和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的漏極區(qū)相連的情況下，陰極是像素電極，而其陽(yáng)極是相對(duì)電極。
EL元件110的相對(duì)電極和被提供在其上形成有像素部分101的襯底外部的相對(duì)電源(未示出)相連，恒定的相對(duì)電位一直被加于EL元件110的相對(duì)電極上。電源線V1-Vx和被提供在其上形成有像素部分101的襯底外部的電源(未示出)相連，恒定的電源電位一直被加到電源線V1-Vx上。相對(duì)電位和電源電位之間的差一直被保持為這樣的值，使得當(dāng)電源電位加于像素電極時(shí)EL元件110發(fā)光。
關(guān)于現(xiàn)有的一般EL顯示裝置，在每單位像素部分面積發(fā)出的光的數(shù)量是200cd/m2的情況下，每單位像素部分面積所需的電流是幾個(gè)mA/cm2。因此，隨著像素部分的尺寸的增加，利用開(kāi)關(guān)控制由被提供在IC之類的電源施加于電源線的電位就更加困難。按照本發(fā)明，因?yàn)殡娫措娢缓拖鄬?duì)電位一直被保持恒定，不需要使用開(kāi)關(guān)控制由在IC中提供的電源施加的電位，所以本發(fā)明在實(shí)現(xiàn)大屏幕的顯示屏方面是有用的。
可以使用N溝道型TFT和P溝道型TFT作為第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105，第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106，用于清除的TFT107，和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108。不過(guò)，需要第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105，第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106和用于清除的TFT107是相同極性的。此外，在EL元件110的陽(yáng)極是像素電極而陰極是相對(duì)電極的情況下，最好是用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108是P溝道型TFT。與此相反，在EL元件110的陰極是像素電極而陽(yáng)極是相對(duì)電極的情況下，最好是用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108是N溝道型TFT。
此外，第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105，第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106，用于清除的TFT107，和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108可以不僅具有單柵極結(jié)構(gòu)，而且也可以具有雙柵極結(jié)構(gòu)，或者具有三柵極結(jié)構(gòu)。
下面參照?qǐng)D4所示的定時(shí)圖說(shuō)明圖1-圖3所示的按照本發(fā)明的EL顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法。在圖4中，橫軸表示時(shí)間，而豎軸選擇的柵極信號(hào)線的位置。
首先，在寫(xiě)周期Ta1期間，柵極信號(hào)線G0按照由柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103向柵極信號(hào)線G0輸入的寫(xiě)選擇信號(hào)被選擇。然后，其柵極和柵極信號(hào)線G0相連的第一行中的像素的用于清除的TFT107導(dǎo)通。當(dāng)用于清除的TFT107導(dǎo)通時(shí)，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極和源極區(qū)彼此電氣相連。因此，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極電壓(在柵極和源極區(qū)之間的電位差)為0，這使得第一行像素中的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于截止?fàn)顟B(tài)。
然后，在按照寫(xiě)選擇信號(hào)使柵極信號(hào)線G0處于選擇的狀態(tài)下，按照被輸入到柵極信號(hào)線G1的寫(xiě)選擇信號(hào)選擇柵極信號(hào)線G1。然后，其柵極和柵極信號(hào)線G1相連的在第一行像素中的第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105和其柵極和柵極信號(hào)線G1相連的在第一行像素中的用于清除的TFT107導(dǎo)通。
然后，在柵極信號(hào)線G1按照寫(xiě)選擇信號(hào)處于被選中的狀態(tài)下，柵極信號(hào)線G0成為未被選中的，并且同時(shí)，柵極信號(hào)線G2被選中。然后，其柵極和柵極信號(hào)線G2相連的在第一行的像素中的第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106，其柵極也和柵極信號(hào)線G2相連的在第二行的像素中的第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105，以及其柵極也和柵極信號(hào)線G2相連的在第三行的像素中的用于清除的TFT107導(dǎo)通。
因此，通過(guò)按照寫(xiě)選擇信號(hào)同時(shí)選擇柵極信號(hào)線G0和G1，在第一行中的像素的第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106同時(shí)導(dǎo)通。
當(dāng)?shù)谝挥米鏖_(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106同時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，從源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路102向源極信號(hào)線S1-Sx輸入數(shù)字視頻信號(hào)的第一位。第一位數(shù)字視頻信號(hào)通過(guò)第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106被輸入到在第一行中的像素的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極。在本說(shuō)明中把向用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極輸入數(shù)字視頻信號(hào)稱為“數(shù)字視頻信號(hào)被輸入到像素”。
數(shù)字視頻信號(hào)具有或者是“0”或者是“1”的信息?！?”數(shù)字視頻信號(hào)和“1”數(shù)字視頻信號(hào)中的一個(gè)是具有電壓Hi的信號(hào)，而另一個(gè)是具有電壓L0的信號(hào)。
在本實(shí)施例中，在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“0”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于截止?fàn)顟B(tài)，因而，電源電位不被施加到EL元件110的像素電極上。結(jié)果，對(duì)其輸入“0”數(shù)字視頻信號(hào)的像素的EL元件110不發(fā)光。
與此相反，在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“1”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于導(dǎo)通狀態(tài)，因而，電源電位被施加到EL元件110的像素電極上。結(jié)果，對(duì)其輸入“1”數(shù)字視頻信號(hào)的像素的EL元件110發(fā)光。
在本實(shí)施例中，在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“0”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于截止?fàn)顟B(tài)，并且在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“1”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于導(dǎo)通狀態(tài)。不過(guò)，本發(fā)明不限于此，也可以是這樣的情況，即，在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“0”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于導(dǎo)通狀態(tài)，并且在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“1”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于截止?fàn)顟B(tài)。
用這種方式，和對(duì)第一行中的像素輸入數(shù)字視頻信號(hào)的同時(shí)，EL元件110發(fā)光或不發(fā)光，使得在第一行中的像素進(jìn)行顯示。像素進(jìn)行顯示的時(shí)間間隔被稱為顯示周期Tr。具體地說(shuō)，從對(duì)像素輸入第一位數(shù)字視頻信號(hào)開(kāi)始的顯示周期被稱為T(mén)r1。當(dāng)各個(gè)行的顯示周期開(kāi)始時(shí)的時(shí)刻彼此之間具有時(shí)間差。
然后，在柵極信號(hào)線G2按照寫(xiě)選擇信號(hào)處于被選中的狀態(tài)下，柵極信號(hào)線G1成為未被選中的，并且同時(shí)，柵極信號(hào)線G3被選中。然后，其柵極和柵極信號(hào)線G3相連的在第二行的像素中的第二用作開(kāi)關(guān)的TFT105，其柵極也和柵極信號(hào)線G3相連的在第三行的像素中的第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106，以及其柵極也和柵極信號(hào)線G3相連的在第四行的像素中的用于清除的TFT107導(dǎo)通。
因此，在第二行中的像素的第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106同時(shí)導(dǎo)通。當(dāng)?shù)谝挥米鏖_(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106同時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，從源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路102向源極信號(hào)線S1-Sx輸入數(shù)字視頻信號(hào)的第一位。第一位數(shù)字視頻信號(hào)通過(guò)第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106被輸入到在第二行中的像素的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極。
然后，所有的柵極信號(hào)線按照寫(xiě)選擇信號(hào)被按照順序被選中，從而對(duì)所有的像素輸入數(shù)字視頻信號(hào)的第一位。直到對(duì)所有像素都輸入第一位數(shù)字視頻信號(hào)的時(shí)間間隔是寫(xiě)周期Ta1。
用這種方式，在寫(xiě)周期期間，按照寫(xiě)選擇信號(hào)，兩個(gè)柵極信號(hào)被同時(shí)選中。
在另一方面，在對(duì)所有的像素輸入第一位數(shù)字視頻信號(hào)之前，即在寫(xiě)周期Ta1結(jié)束之前，在對(duì)像素輸入第一位數(shù)字視頻信號(hào)的同時(shí)，按照從柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103對(duì)柵極信號(hào)線G0輸入的清除選擇信號(hào)(第二選擇信號(hào))，柵極信號(hào)線G0被選中。
當(dāng)柵極信號(hào)線G0按照清除選擇信號(hào)被選中時(shí)，其柵極和柵極信號(hào)線G0相連的在第一行中的像素的用于清除的TFT107處于導(dǎo)通狀態(tài)。因此，電源線V1-Vx的電源電位通過(guò)用于清除的TFT107被加到用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極。通過(guò)對(duì)用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108施加電源電位，因?yàn)闁艠O信號(hào)線G1和G2按照寫(xiě)選擇信號(hào)被選中而由用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極保持的第一位數(shù)字視頻信號(hào)被清除。這樣，電源電位不被施加到EL元件110的像素電極，在第一行中的像素的所有EL元件110不再發(fā)光，因而在第一行中的像素不進(jìn)行顯示。
像素不進(jìn)行顯示的時(shí)間間隔被稱為非顯示周期Td。對(duì)于第一行中的像素，在按照清除選擇信號(hào)選擇柵極信號(hào)線G0的同時(shí)，顯示周期Tr1結(jié)束，而非顯示周期Td1開(kāi)始。和顯示周期的情況類似，在各個(gè)行的非顯示周期開(kāi)始是的時(shí)刻之間具有時(shí)間差。
此時(shí)，由于清除選擇信號(hào)，柵極信號(hào)線G0成為未被選中的，而柵極信號(hào)線G1成為被選中的。當(dāng)柵極信號(hào)線G1被選中時(shí)，其柵極和柵極信號(hào)線G1相連的在第二行中的用于清除的TFT107導(dǎo)通。這樣，關(guān)于在第二行中的像素的非顯示周期Td開(kāi)始，因而在第二行中的像素不再進(jìn)行顯示。
然后，所有的柵極信號(hào)線按照清除選擇信號(hào)被按照順序被選中。直到按照清除選擇信號(hào)所有所柵極信號(hào)線被選中，從而從所有的像素中清除第一位數(shù)字視頻信號(hào)的時(shí)間間隔是清除周期Te1。
這樣，在清除周期期間，只有一個(gè)柵極信號(hào)線按照清除選擇信號(hào)被選中，以便進(jìn)行清除，并且決沒(méi)有兩個(gè)或多個(gè)柵極信號(hào)線按照清除選擇信號(hào)被同時(shí)選中進(jìn)行清除。
在另一方面，在由所有的像素保持的第一位數(shù)字視頻信號(hào)被清除之前，即，在清除周期Te1結(jié)束之前，在清除由像素保持的第一位數(shù)字視頻信號(hào)的同時(shí)，柵極信號(hào)線G0按照寫(xiě)選擇信號(hào)再次被選擇。然后，對(duì)第一行中的像素輸入第二位數(shù)字視頻信號(hào)。結(jié)果，在第一行中的像素再次進(jìn)行顯示，因而，對(duì)于第一行中的像素，非顯示周期Td1結(jié)束，顯示周期Tr2開(kāi)始。
類似地，所有柵極信號(hào)線按照順序按照寫(xiě)選擇信號(hào)被選中，從而對(duì)所有的像素輸入第二位數(shù)字視頻信號(hào)。直到對(duì)所有像素都輸入第二位數(shù)字視頻信號(hào)的時(shí)間間隔被稱為寫(xiě)周期Ta2。
在另一方面，在對(duì)所有像素都輸入第二位數(shù)字視頻信號(hào)之前，即在寫(xiě)周期Ta2結(jié)束之前，在對(duì)像素輸入第二位數(shù)字視頻信號(hào)的同時(shí)，柵極信號(hào)線G0按照清除選擇信號(hào)被選中。這樣，在第一行中的像素的所有EL元件110不再發(fā)光，因而在第一行中的像素不再進(jìn)行顯示。因此，對(duì)于第一行中的像素，顯示周期Tr2結(jié)束，非顯示周期Td2開(kāi)始。
然后，所有的柵極信號(hào)線按照清除選擇信號(hào)按照順序被選中，從而清除所有像素的第二位數(shù)字視頻信號(hào)。直到所有像素的第二位數(shù)字視頻信號(hào)被清除的時(shí)間間隔被稱為清除周期Te2。
重復(fù)上述的操作，直到對(duì)像素輸入第m位數(shù)字視頻信號(hào)。在這個(gè)期間，顯示周期Tr和非顯示周期Td重復(fù)地出現(xiàn)。顯示周期Tr1是從寫(xiě)周期Ta1開(kāi)始的時(shí)刻到清除周期Te1開(kāi)始的時(shí)刻的時(shí)間間隔。非顯示周期Td1是從清除周期Te1開(kāi)始的時(shí)刻到下一個(gè)寫(xiě)周期(在這種情況下是Ta2)開(kāi)始的時(shí)刻的時(shí)間間隔。和顯示周期Tr1以及非顯示周期Td1類似，顯示周期Tr2，Tr3，...，Tr(m－1)和非顯示周期Td2，Td3，...，Td(m－1)分別由寫(xiě)周期Ta1，Ta2，…，Tam和清除周期Te2，Te3，...，Te(m－1)確定。
為簡(jiǎn)明起見(jiàn)，作為例子，圖4中示出了m＝n－2的情況。不過(guò)，本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明中，m可以是從1到n任意選擇的數(shù)。
然后，寫(xiě)周期Tam[n－2]開(kāi)始(以后m＝n－2的情況用方括號(hào)表示)。對(duì)第一行中的像素輸入第m[n－2]位數(shù)字視頻信號(hào)，關(guān)于第一行中2的像素的顯示周期Trm[n－2]開(kāi)始，因而在第一行中的像素進(jìn)行顯示。直到下一個(gè)寫(xiě)周期開(kāi)始，在像素中保持著第m[n－2]位數(shù)字視頻信號(hào)。
然后，寫(xiě)周期Ta(m＋1)[n－1]開(kāi)始，并且在像素中保持的第m[n－2]位數(shù)字視頻信號(hào)被清除。作為代替，對(duì)第一行中的像素輸入第(m＋1)[n－1]位數(shù)字視頻信號(hào)，關(guān)于在第一行中的像素的顯示周期Tr(m＋1)[n－1]開(kāi)始，因而在第一行中的像素進(jìn)行顯示。直到下一位數(shù)字視頻信號(hào)被輸入，在像素中保持第(m＋1)[n－1]位數(shù)字視頻信號(hào)。
重復(fù)上述的操作，直到對(duì)像素輸入第n位數(shù)字視頻信號(hào)。顯示周期Trm[n－2]，...，Trn分別是從寫(xiě)周期Tam[n－2]，...，Tan開(kāi)始的時(shí)刻到下一個(gè)寫(xiě)周期開(kāi)始的時(shí)刻的時(shí)間間隔。
當(dāng)所有的顯示周期Tr1-Trn結(jié)束時(shí)，可以顯示一個(gè)圖像。在本發(fā)明中，用于顯示一個(gè)圖像的時(shí)間間隔被稱為一個(gè)幀周期(F)。
在一個(gè)幀周期結(jié)束之后，柵極信號(hào)線G0再次按照寫(xiě)選擇信號(hào)被選中，當(dāng)柵極信號(hào)線G1、G2被同時(shí)選中時(shí)，對(duì)像素輸入第一位數(shù)字視頻信號(hào)，并且，關(guān)于第一行中的像素，顯示周期Tr1再次開(kāi)始。然后，再次重復(fù)上述的操作。
圖5表示在具有圖1-3所示的結(jié)構(gòu)的EL顯示裝置中要被輸入到柵極信號(hào)線的寫(xiě)選擇信號(hào)和要被輸入到柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103的用于柵極的時(shí)鐘信號(hào)(G-CLK)的定時(shí)圖。
圖5A是在寫(xiě)周期期間的定時(shí)圖。Sa(i-1)到Sa(i＋1)分別表示要被輸入到柵極信號(hào)線G(i－1)到G(i＋1)的寫(xiě)選擇信號(hào)。圖5B是在清除周期期間的定時(shí)圖。Se(i－1)到Se(i＋1)分別表示要被輸入到柵極信號(hào)線G(i－1)到G(i＋1)的寫(xiě)選擇信號(hào)。
應(yīng)當(dāng)注意，圖5所示的定時(shí)圖是關(guān)于第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105，第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106和用于清除的TFT107都是N溝道型TFT時(shí)的情況。在第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105，第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106和用于清除的TFT107都是P溝道型TFT時(shí)的情況下，寫(xiě)選擇信號(hào)和清除選擇信號(hào)的電位和圖5所示的定時(shí)圖中的各個(gè)信號(hào)的電位的相位相反，其中以地電位作為參考電位。
在寫(xiě)周期內(nèi)，按照寫(xiě)選擇信號(hào)選擇一個(gè)柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔被稱為寫(xiě)選擇周期(La)。在圖5A所示的情況下，在寫(xiě)選擇周期期間寫(xiě)選擇信號(hào)的電位是Hi。在清除周期內(nèi)，按照清除選擇信號(hào)選擇一個(gè)柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔被稱為清除選擇周期(Le)。在圖5B所示的情況下，在清除選擇周期期間清除選擇信號(hào)的電位是Hi。
寫(xiě)選擇周期(La)的長(zhǎng)度是清除選擇周期(Le)的長(zhǎng)度的兩倍。相鄰的柵極信號(hào)線的寫(xiě)選擇周期(La)的一半相互重疊。此外，相鄰的柵極信號(hào)線的清除選擇周期(Le)不相互重疊，并且當(dāng)關(guān)于一個(gè)柵極信號(hào)線的清除選擇周期(Le)結(jié)束時(shí)，關(guān)于下一個(gè)柵極信號(hào)線的一個(gè)清除選擇周期(Le)開(kāi)始。
應(yīng)當(dāng)注意，寫(xiě)選擇周期(La)的長(zhǎng)度和清除選擇周期(Le)的長(zhǎng)度由用于柵極的起始脈沖信號(hào)(G-SP)控制。
應(yīng)當(dāng)注意到，在圖5所示的定時(shí)圖中，寫(xiě)選擇周期(La)的長(zhǎng)度相應(yīng)于用于柵極的時(shí)鐘信號(hào)(G-CLK)的兩個(gè)周期，清除選擇周期(Le)的長(zhǎng)度相應(yīng)于用于柵極的時(shí)鐘信號(hào)(G-CLK)的一個(gè)周期。不過(guò)，本發(fā)明不限于此。所需要的是寫(xiě)選擇周期(La)的長(zhǎng)度是清除選擇周期(Le)的長(zhǎng)度的兩倍。
在本發(fā)明中，最好是EL顯示裝置每秒具有60或更多的幀周期。如果每秒顯示的圖像的數(shù)量小于60，則在視覺(jué)上感到嚴(yán)重的圖像閃爍。
此外，在本發(fā)明中，需要使所有的寫(xiě)周期的長(zhǎng)度之和小于一個(gè)幀周期。此外，需要使顯示周期的長(zhǎng)度滿足Tr1∶Tr2∶Tr3∶...∶Tr(n－1)∶Trn＝20∶21∶22∶......2(n－2)∶2(n－1)。通過(guò)組合這些顯示周期，可以顯示2n當(dāng)中的所需的色調(diào)。
在一個(gè)幀周期內(nèi)EL元件發(fā)光的顯示周期的長(zhǎng)度之和確定作了所述幀周期內(nèi)由像素顯示的色調(diào)。例如，n＝8時(shí)，如果在所有的顯示周期期間像素都發(fā)光時(shí)的亮度被表示為100％，則通過(guò)使像素在Tr1和Tr2內(nèi)發(fā)光，可以實(shí)現(xiàn)1％的亮度，而通過(guò)使像素在Tr3，Tr5和Tr8內(nèi)發(fā)光，可以實(shí)現(xiàn)60％的亮度。
重要的是，在其間第m位數(shù)字視頻信號(hào)被寫(xiě)入像素的寫(xiě)周期Tam小于顯示周期Trm。因此，需要從1到n中這樣選擇位數(shù)m的值，使得寫(xiě)周期Tam小于顯示周期Trm。
顯示周期Tr1到Trn可以按照任意順序出現(xiàn)。例如，在一個(gè)幀周期中，顯示周期可以按照順序Tr1，Tr3，Tr5，Tr2，…出現(xiàn)。不過(guò)，最好是按照顯示周期Tr1到Trn不相互重疊的順序出現(xiàn)。此外，更好是按照這樣的順序出現(xiàn)，使得清除周期Te1到Ten不相互重疊。
按照本發(fā)明，利用上述結(jié)構(gòu)，即使在TFT之間的IDS-VGS特性有某種程度的改變，當(dāng)對(duì)TFT加上相等的柵極電壓進(jìn)行EL驅(qū)動(dòng)時(shí)，也能抑制輸出電流的數(shù)量的改變。因此，可以避免這樣的情況，其中由于IDS-VGS特性的改變，即使輸入相等電壓的信號(hào)，相鄰像素的EL元件發(fā)出的光的數(shù)量也有相當(dāng)大的不同。
此外，按照本發(fā)明，作為用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT，兩個(gè)用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT可以并聯(lián)地被提供。這使得能夠有效地輻射由通過(guò)用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的有源層的電流產(chǎn)生的熱量，這可以抑制由于用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的特性例如門(mén)限和遷移率的改變而引起的漏極電流的改變。
此外，按照本發(fā)明，可以提供在其間不進(jìn)行顯示的非發(fā)光周期。在常規(guī)的模擬驅(qū)動(dòng)方法的情況下，如果在EL顯示裝置上顯示其中所有像素都顯示白色的圖像，則EL元件一直發(fā)光，這是加速EL層劣化的一個(gè)原因。按照本發(fā)明，因?yàn)榭梢蕴峁┓前l(fā)光周期，所以可以在某種程度上抑制EL層的劣化。
應(yīng)當(dāng)注意，按照本發(fā)明，顯示周期和寫(xiě)周期彼此部分重疊。換句話說(shuō)，即使在寫(xiě)周期期間，像素也可以進(jìn)行顯示。因此，在一個(gè)幀周期內(nèi)所有的顯示周期的長(zhǎng)度之和的比(占空比)并只由寫(xiě)周期的長(zhǎng)度確定。
應(yīng)當(dāng)注意，在本發(fā)明中，雖然提供有用于保持施加于用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極的電壓的電容器，但是該電容器可以被省略。當(dāng)用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT具有如此提供的LDD區(qū)，使得通過(guò)柵極絕緣膜和柵極重疊時(shí)，在重疊區(qū)內(nèi)形成以便被稱為柵極電容的寄生電容。所述柵極電容可以可靠地被用作用于保持被施加于用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極的電壓的電容器。
因?yàn)闁艠O電容的值取決于柵極和LDD區(qū)相互重疊的面積，所以其值由被包括在重疊區(qū)內(nèi)的LDD區(qū)的長(zhǎng)度確定。
應(yīng)當(dāng)注意，按照上述的本發(fā)明的結(jié)構(gòu)不限于應(yīng)用于EL顯示裝置，這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于使用光電元件的其它的設(shè)備中。此外，當(dāng)研制出可以以幾十微秒的高的速度響應(yīng)的液晶時(shí)，所述結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于液晶顯示。
下面說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
實(shí)施例1在本實(shí)施例中，參照?qǐng)D6說(shuō)明按照本發(fā)明的EL顯示裝置中按照6位數(shù)字視頻信號(hào)顯示26個(gè)色調(diào)的情況。應(yīng)當(dāng)注意，本實(shí)施例的EL顯示裝置具有圖1-圖3所示的結(jié)構(gòu)。
首先，在寫(xiě)周期Ta1期間，按照從柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103對(duì)柵極信號(hào)線G0輸入的寫(xiě)選擇信號(hào)，柵極信號(hào)線G0被選中。然后，其柵極和柵極信號(hào)線G0相連的第一行中的像素的用于清除的TFT107導(dǎo)通。當(dāng)用于清除的TFT107導(dǎo)通時(shí)，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極和源極區(qū)彼此電氣相連。因此，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極電壓(在柵極和源極區(qū)之間的電位差)是0，這使得第一行的像素的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于截止?fàn)顟B(tài)。
然后，在按照寫(xiě)選擇信號(hào)選中柵極信號(hào)線G0的狀態(tài)下，按照對(duì)柵極信號(hào)線G1輸入的寫(xiě)選擇信號(hào)，柵極信號(hào)線G1被選中。此時(shí)，其柵極和柵極信號(hào)線G1相連的在第一行中的像素的第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105以及其柵極也和柵極信號(hào)線G1相連的在第二行中的像素的用于清除的TFT107導(dǎo)通。
然后，在按照寫(xiě)選擇信號(hào)選中柵極信號(hào)線G1的狀態(tài)下，柵極信號(hào)線G0成為未被選中的，與此同時(shí)，柵極信號(hào)線G2被選中。此時(shí)，其柵極和柵極信號(hào)線G2相連的在第二行中的像素的第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105和其柵極也和柵極信號(hào)線G2相連的在第三行中的像素的用于清除的TFT107導(dǎo)通。
因此，通過(guò)按照寫(xiě)選擇信號(hào)同時(shí)選擇柵極信號(hào)線G0和G1，第一行中的像素的第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106同時(shí)導(dǎo)通。
當(dāng)?shù)谝恍兄械南袼氐牡谝挥米鏖_(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106同時(shí)導(dǎo)通時(shí)，第一位數(shù)字視頻信號(hào)從源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路102被輸入到源極信號(hào)線S1-Sx。第一位數(shù)字視頻信號(hào)通過(guò)第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106被輸入到第一行中的像素的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極。所述數(shù)字視頻信號(hào)被輸入到用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極這個(gè)事實(shí)被稱為“對(duì)像素輸入數(shù)字視頻信號(hào)”。
數(shù)字視頻信號(hào)具有或者是“0”或者是“1”的信息?！?”數(shù)字視頻信號(hào)和“1”數(shù)字視頻信號(hào)中的一個(gè)是具有電壓Hi的信號(hào)，而另一個(gè)是具有電壓L0的信號(hào)。
在本實(shí)施例中，在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“0”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于截止?fàn)顟B(tài)，因而，電源電位不被施加到EL元件110的像素電極上。結(jié)果，對(duì)其輸入“0”數(shù)字視頻信號(hào)的像素的EL元件110不發(fā)光。
與此相反，在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“1”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于導(dǎo)通狀態(tài)，因而，電源電位被施加到EL元件110的像素電極上。結(jié)果，對(duì)其輸入“1”數(shù)字視頻信號(hào)的像素的EL元件110發(fā)光。
在本實(shí)施例中，在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“0”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于截止?fàn)顟B(tài)，并且在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“1”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于導(dǎo)通狀態(tài)。不過(guò)，本發(fā)明不限于此，也可以是這樣的情況，即，在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“0”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于導(dǎo)通狀態(tài)，并且在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“1”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于截止?fàn)顟B(tài)。
用這種方式，和對(duì)第一行中的像素輸入數(shù)字視頻信號(hào)的同時(shí)，EL元件110發(fā)光或不發(fā)光，使得顯示周期Tr開(kāi)始。當(dāng)各個(gè)行的顯示周期開(kāi)始時(shí)的時(shí)刻彼此之間具有時(shí)間差。
然后，在柵極信號(hào)線G2按照寫(xiě)選擇信號(hào)處于被選中的狀態(tài)下，柵極信號(hào)線G1成為未被選中的，并且同時(shí)，柵極信號(hào)線G3被選中。然后，其柵極和柵極信號(hào)線G3相連的在第二行的像素中的第二用作開(kāi)關(guān)的TFT105，其柵極也和柵極信號(hào)線G3相連的在第三行的像素中的第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106，以及其柵極也和柵極信號(hào)線G3相連的在第四行的像素中的用于清除的TFT107導(dǎo)通。
因此，在第二行中的像素的第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106同時(shí)導(dǎo)通。當(dāng)?shù)谝挥米鏖_(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106同時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，從源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路102向源極信號(hào)線S1-Sx輸入數(shù)字視頻信號(hào)的第一位。第一位數(shù)字視頻信號(hào)通過(guò)第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106被輸入到在第二行中的像素的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極。
然后，所有的柵極信號(hào)線按照寫(xiě)選擇信號(hào)被按照順序被選中，從而對(duì)所有的像素輸入數(shù)字視頻信號(hào)的第一位。直到對(duì)所有像素都輸入第一位數(shù)字視頻信號(hào)的時(shí)間間隔是寫(xiě)周期Ta1。
用這種方式，在寫(xiě)周期期間，按照寫(xiě)選擇信號(hào)，兩個(gè)柵極信號(hào)被同時(shí)選中。
在另一方面，在對(duì)所有的像素輸入第一位數(shù)字視頻信號(hào)之前，即在寫(xiě)周期Ta1結(jié)束之前，在對(duì)像素輸入第一位數(shù)字視頻信號(hào)的同時(shí)，按照從柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103對(duì)柵極信號(hào)線G0輸入的清除選擇信號(hào)，柵極信號(hào)線G0被選中。
當(dāng)柵極信號(hào)線G0按照清除選擇信號(hào)被選中時(shí)，其柵極和柵極信號(hào)線G0相連的在第一行中的像素的用于清除的TFT107處于導(dǎo)通狀態(tài)。因此，電源線V1-Vx的電源電位通過(guò)用于清除的TFT107被加到用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極。通過(guò)對(duì)用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108施加電源電位，因?yàn)闁艠O信號(hào)線G1和G2按照寫(xiě)選擇信號(hào)被選中而由用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極保持的第一位數(shù)字視頻信號(hào)被清除。這樣，電源電位不被施加到EL元件110的像素電極，在第一行中的像素的所有EL元件110不再發(fā)光，因而在第一行中的像素不進(jìn)行顯示。
像素不進(jìn)行顯示的時(shí)間間隔被稱為非顯示周期Td。對(duì)于第一行中的像素，在按照清除選擇信號(hào)選擇柵極信號(hào)線G0的同時(shí)，顯示周期Tr1結(jié)束，而非顯示周期Td1開(kāi)始。和顯示周期的情況類似，在各個(gè)行的非顯示周期開(kāi)始是的時(shí)刻之間具有時(shí)間差。
此時(shí)，由于清除選擇信號(hào)，柵極信號(hào)線G0成為未被選中的，而柵極信號(hào)線G1成為被選中的。當(dāng)柵極信號(hào)線G1被選中時(shí)，其柵極和柵極信號(hào)線G1相連的在第二行中的用于清除的TFT107導(dǎo)通。這樣，關(guān)于在第二行中的像素的非顯示周期Td開(kāi)始，因而在第二行中的像素不再進(jìn)行顯示。
然后，所有的柵極信號(hào)線按照清除選擇信號(hào)被按照順序被選中。直到按照清除選擇信號(hào)所有所柵極信號(hào)線被選中，從而從所有的像素中清除第一位數(shù)字視頻信號(hào)的時(shí)間間隔是清除周期Te1。
這樣，在清除周期期間，只有一個(gè)柵極信號(hào)線按照清除選擇信號(hào)被選中，以便進(jìn)行清除，并且決沒(méi)有兩個(gè)或多個(gè)柵極信號(hào)線按照清除選擇信號(hào)被同時(shí)選中進(jìn)行清除。
在另一方面，在由所有的像素保持的第一位數(shù)字視頻信號(hào)被清除之前，即，在清除周期Te1結(jié)束之前，在清除由像素保持的第一位數(shù)字視頻信號(hào)的同時(shí)，柵極信號(hào)線G0按照寫(xiě)選擇信號(hào)再次被選擇。然后，對(duì)第一行中的像素輸入第二位數(shù)字視頻信號(hào)。結(jié)果，在第一行中的像素再次進(jìn)行顯示，因而，對(duì)于第一行中的像素，非顯示周期Td1結(jié)束，顯示周期Tr2開(kāi)始。
類似地，所有柵極信號(hào)線按照順序按照寫(xiě)選擇信號(hào)被選中，從而對(duì)所有的像素輸入第二位數(shù)字視頻信號(hào)。直到對(duì)所有像素都輸入第二位數(shù)字視頻信號(hào)的時(shí)間間隔被稱為寫(xiě)周期Ta2。
在另一方面，在對(duì)所有像素都輸入第二位數(shù)字視頻信號(hào)之前，即在寫(xiě)周期Ta2結(jié)束之前，在對(duì)像素輸入第二位數(shù)字視頻信號(hào)的同時(shí)，柵極信號(hào)線G0按照清除選擇信號(hào)被選中。這樣，在第一行中的像素的所有EL元件110不再發(fā)光，因而在第一行中的像素不再進(jìn)行顯示。因此，對(duì)于第一行中的像素，顯示周期Tr2結(jié)束，非顯示周期Td2開(kāi)始。
然后，所有的柵極信號(hào)線按照清除選擇信號(hào)按照順序被選中，從而清除所有像素的第二位數(shù)字視頻信號(hào)。直到所有像素的第二位數(shù)字視頻信號(hào)被清除的時(shí)間間隔被稱為清除周期Te2。
重復(fù)上述的操作，直到對(duì)像素輸入第5位數(shù)字視頻信號(hào)。在這個(gè)期間，顯示周期Tr和非顯示周期Td重復(fù)地出現(xiàn)。顯示周期Tr1是從寫(xiě)周期Ta1開(kāi)始的時(shí)刻到清除周期Te1開(kāi)始的時(shí)刻的時(shí)間間隔。非顯示周期Td1是從清除周期Te1開(kāi)始的時(shí)刻到下一個(gè)寫(xiě)周期(在這種情況下是Ta2)開(kāi)始的時(shí)刻的時(shí)間間隔。和顯示周期Tr1以及非顯示周期Td1類似，顯示周期Tr2，Tr3以及Tr4和非顯示周期Td2，Td3以及Td4分別由寫(xiě)周期Ta1，Ta2，…，Ta5和清除周期Te1，Te2，…，Te4確定。
然后，寫(xiě)周期Ta5開(kāi)始。第五位數(shù)字視頻信號(hào)被輸入到第一行的像素，第一行的像素的顯示周期Tr5開(kāi)始，因而第一行中的像素進(jìn)行顯示。直到下一個(gè)寫(xiě)周期開(kāi)始，在像素中一直保持著第五位數(shù)字視頻信號(hào)。
然后，寫(xiě)周期Ta6開(kāi)始，在像素中保持的第五位數(shù)字視頻信號(hào)被清除。作為代替，第六位數(shù)字視頻信號(hào)被輸入到第一行中的像素，第一行的像素的顯示周期Tr6開(kāi)始，因而第一行中的像素進(jìn)行顯示。直到下一位數(shù)字視頻信號(hào)被輸入，在像素中一直保持著第六位數(shù)字視頻信號(hào)。
當(dāng)下一個(gè)幀周期的第一個(gè)寫(xiě)周期Ta1開(kāi)始時(shí)，周期Tr6結(jié)束，與此同時(shí)，前一個(gè)幀周期結(jié)束。當(dāng)所有的顯示周期Tr1-Tr6結(jié)束時(shí)，可以顯示一個(gè)圖像。然后，重復(fù)上述的操作。
顯示周期Tr5是從寫(xiě)周期Ta5開(kāi)始的時(shí)刻到寫(xiě)周期Ta6開(kāi)始的時(shí)刻的時(shí)間間隔。顯示周期Tr6是從寫(xiě)周期Ta6開(kāi)始的時(shí)刻到下一個(gè)幀周期的寫(xiě)周期Ta1開(kāi)始的時(shí)刻的時(shí)間間隔。
設(shè)置顯示周期Tr的長(zhǎng)度使其滿足Tr1∶Tr2∶...∶Tr5＝20∶21∶......24∶25。通過(guò)組合這些顯示周期，可以顯示26當(dāng)中的所需的色調(diào)。
在一個(gè)幀周期內(nèi)EL元件發(fā)光的顯示周期的長(zhǎng)度之和確定作了所述幀周期內(nèi)由像素顯示的色調(diào)。如果在所有的顯示周期期間像素都發(fā)光時(shí)的亮度被表示為100％，則通過(guò)使像素在Tr1和Tr2內(nèi)發(fā)光，可以實(shí)現(xiàn)5％的亮度，而通過(guò)使像素在Tr3，和Tr5內(nèi)發(fā)光，可以實(shí)現(xiàn)32％的亮度。
在本發(fā)明中，重要的是，在其間第5位數(shù)字視頻信號(hào)被寫(xiě)入像素的寫(xiě)周期Ta5小于顯示周期Tr5。
此外，通過(guò)改變寫(xiě)周期出現(xiàn)的順序和顯示周期出現(xiàn)的順序，可以改變顯示周期Tr1到Tr5出現(xiàn)的順序。例如，在一個(gè)幀周期中，顯示周期可以按照順序Tr1，Tr3，Tr5，Tr2，...出現(xiàn)。不過(guò)，更好是按照這樣的順序出現(xiàn)，使得清除周期Te1到Te6不相互重疊，此外，最好是按照顯示周期Tr1到Tr6不相互重疊的順序出現(xiàn)。
按照本發(fā)明，利用上述結(jié)構(gòu)，即使在TFT之間的IDS-VGS特性有某種程度的改變，當(dāng)對(duì)TFT加上相等的柵極電壓進(jìn)行EL驅(qū)動(dòng)時(shí)，也能抑制輸出電流的數(shù)量的改變。因此，可以避免這樣的情況，其中由于IDS-VGS特性的改變，即使輸入相等電壓的信號(hào)，相鄰像素的EL元件發(fā)出的光的數(shù)量也有相當(dāng)大的不同。
此外，按照本發(fā)明，可以提供在其間不進(jìn)行顯示的非發(fā)光周期。在常規(guī)的模擬驅(qū)動(dòng)方法的情況下，如果在EL顯示裝置上顯示其中所有像素都顯示白色的圖像，則EL元件一直發(fā)光，這是加速EL層劣化的一個(gè)原因。按照本發(fā)明，因?yàn)榭梢蕴峁┓前l(fā)光周期，所以可以在某種程度上抑制EL層的劣化。
實(shí)施例2在本實(shí)施例中，說(shuō)明按照本發(fā)明的適用于6位數(shù)字視頻信號(hào)的驅(qū)動(dòng)方法中顯示周期Tr1-Tr6出現(xiàn)的順序。
圖7說(shuō)明本實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法的定時(shí)圖。這種特定的驅(qū)動(dòng)方法在實(shí)施例1中說(shuō)明了，因而，此處省略其說(shuō)明。在本實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中，在一個(gè)幀周期的最后提供一個(gè)最長(zhǎng)的非顯示周期(在本實(shí)施例中為T(mén)d1)。利用這種結(jié)構(gòu)，人的眼睛在視覺(jué)上會(huì)感到在非顯示周期Td1和下一幀的第一個(gè)顯示周期(在本實(shí)施例中是Tr4)之間有一個(gè)停頓。這使得能夠減小人的眼睛可以覺(jué)察的由于在進(jìn)行半色調(diào)顯示時(shí)相鄰的幀周期的相鄰的顯示周期的發(fā)光而引起的顯示的不均勻性。
應(yīng)當(dāng)注意，在本實(shí)施例中，雖然說(shuō)明了6位數(shù)字視頻信號(hào)的情況，但是本發(fā)明不限于此。本發(fā)明的實(shí)施不受數(shù)字視頻信號(hào)的位數(shù)的限制。
實(shí)施例3在本實(shí)施例中，參照?qǐng)D8說(shuō)明按照本發(fā)明的EL顯示裝置中按照4位數(shù)字視頻信號(hào)顯示24個(gè)色調(diào)的情況。應(yīng)當(dāng)注意，本實(shí)施例的EL顯示裝置具有圖1-圖3所示的結(jié)構(gòu)。
首先，在寫(xiě)周期Ta1期間，按照從柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103對(duì)柵極信號(hào)線G0輸入的寫(xiě)選擇信號(hào)，柵極信號(hào)線G0被選中。然后，其柵極和柵極信號(hào)線G0相連的第一行中的像素的用于清除的TFT107導(dǎo)通。當(dāng)用于清除的TFT107導(dǎo)通時(shí)，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極和源極區(qū)彼此電氣相連。因此，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極電壓(在柵極和源極區(qū)之間的電位差)是0，這使得第一行的像素的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于截止?fàn)顟B(tài)。
然后，在按照寫(xiě)選擇信號(hào)選中柵極信號(hào)線G0的狀態(tài)下，按照對(duì)柵極信號(hào)線G1輸入的寫(xiě)選擇信號(hào)，柵極信號(hào)線G1被選中。此時(shí)，其柵極和柵極信號(hào)線G1相連的在第一行中的像素的第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105以及其柵極也和柵極信號(hào)線G1相連的在第二行中的像素的用于清除的TFT107導(dǎo)通。
然后，在按照寫(xiě)選擇信號(hào)選中柵極信號(hào)線G1的狀態(tài)下，柵極信號(hào)線G0成為未被選中的，與此同時(shí)，柵極信號(hào)線G2被選中。此時(shí)，其柵極和柵極信號(hào)線G2相連的在第二行中的像素的第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105以及其柵極也和柵極信號(hào)線G2相連的在第三行中的像素的用于清除的TFT107導(dǎo)通。
因此，通過(guò)按照寫(xiě)選擇信號(hào)同時(shí)選擇柵極信號(hào)線G0和G1，第一行中的像素的第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106同時(shí)導(dǎo)通。
當(dāng)?shù)谝恍兄械南袼氐牡谝挥米鏖_(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFTi06同時(shí)導(dǎo)通時(shí)，第一位數(shù)字視頻信號(hào)從源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路102被輸入到源極信號(hào)線S1-Sx。第一位數(shù)字視頻信號(hào)通過(guò)第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106被輸入到第一行中的像素的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極。所述數(shù)字視頻信號(hào)被輸入到用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極這個(gè)事實(shí)被稱為“對(duì)像素輸入數(shù)字視頻信號(hào)”。
數(shù)字視頻信號(hào)具有或者是“0”或者是“1”的信息?！?”數(shù)字視頻信號(hào)和“1”數(shù)字視頻信號(hào)中的一個(gè)是具有電壓Hi的信號(hào)，而另一個(gè)是具有電壓L0的信號(hào)。
在本實(shí)施例中，在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“0”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于截止?fàn)顟B(tài)，因而，電源電位不被施加到EL元件110的像素電極上。結(jié)果，對(duì)其輸入“0”數(shù)字視頻信號(hào)的像素的EL元件110不發(fā)光。
與此相反，在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“1”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于導(dǎo)通狀態(tài)，因而，電源電位被施加到EL元件110的像素電極上。結(jié)果，對(duì)其輸入“1”數(shù)字視頻信號(hào)的像素的EL元件110發(fā)光。
在本實(shí)施例中，在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“0”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于截止?fàn)顟B(tài)，并且在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“1”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于導(dǎo)通狀態(tài)。不過(guò)，本發(fā)明不限于此，也可以是這樣的情況，即，在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“0”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于導(dǎo)通狀態(tài)，并且在數(shù)字視頻信號(hào)具有信息“1”的情況下，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108處于截止?fàn)顟B(tài)。
用這種方式，和對(duì)第一行中的像素輸入數(shù)字視頻信號(hào)的同時(shí)，EL元件110發(fā)光或不發(fā)光，使得顯示周期Tr開(kāi)始。當(dāng)各個(gè)行的顯示周期開(kāi)始時(shí)的時(shí)刻彼此之間具有時(shí)間差。
然后，在柵極信號(hào)線G2按照寫(xiě)選擇信號(hào)處于被選中的狀態(tài)下，柵極信號(hào)線G1成為未被選中的，并且同時(shí)，柵極信號(hào)線G3被選中。然后，其柵極和柵極信號(hào)線G3相連的在第二行的像素中的第二用作開(kāi)關(guān)的TFT105，其柵極也和柵極信號(hào)線G3相連的在第三行的像素中的第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106以及其柵極也和柵極信號(hào)線G3相連的在第四行的像素中的用于清除的TFT107導(dǎo)通。
因此，在第二行中的像素的第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106同時(shí)導(dǎo)通。當(dāng)?shù)谝挥米鏖_(kāi)關(guān)的TFT105和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106同時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，從源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路102向源極信號(hào)線S1-Sx輸入數(shù)字視頻信號(hào)的第一位。第一位數(shù)字視頻信號(hào)通過(guò)第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105以及第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106被輸入到在第二行中的像素的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極。
然后，所有的柵極信號(hào)線按照寫(xiě)選擇信號(hào)被按照順序被選中，從而對(duì)所有的像素輸入數(shù)字視頻信號(hào)的第一位。直到對(duì)所有像素都輸入第一位數(shù)字視頻信號(hào)的時(shí)間間隔是寫(xiě)周期Ta1。
用這種方式，在寫(xiě)周期期間，按照寫(xiě)選擇信號(hào)，兩個(gè)柵極信號(hào)被同時(shí)選中。
在另一方面，在對(duì)所有的像素輸入第一位數(shù)字視頻信號(hào)之前，即在寫(xiě)周期Ta1結(jié)束之前，在對(duì)像素輸入第一位數(shù)字視頻信號(hào)的同時(shí)，按照從柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103對(duì)柵極信號(hào)線G0輸入的清除選擇信號(hào)，柵極信號(hào)線G0被選中。
當(dāng)柵極信號(hào)線G0按照清除選擇信號(hào)被選中時(shí)，其柵極和柵極信號(hào)線G0相連的在第一行中的像素的用于清除的TFT107處于導(dǎo)通狀態(tài)。因此，電源線V1-Vx的電源電位通過(guò)用于清除的TFT107被加到用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極。通過(guò)對(duì)用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108施加電源電位，因?yàn)闁艠O信號(hào)線G1和G2按照寫(xiě)選擇信號(hào)被選中而由用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極保持的第一位數(shù)字視頻信號(hào)被清除。這樣，電源電位不被施加到EL元件110的像素電極，在第一行中的像素的所有EL元件110不再發(fā)光，因而在第一行中的像素不進(jìn)行顯示。
像素不進(jìn)行顯示的時(shí)間間隔被稱為非顯示周期Td。對(duì)于第一行中的像素，在按照清除選擇信號(hào)選擇柵極信號(hào)線G0的同時(shí)，顯示周期Tr1結(jié)束，而非顯示周期Td1開(kāi)始。和顯示周期的情況類似，在各個(gè)行的非顯示周期開(kāi)始是的時(shí)刻之間具有時(shí)間差。
此時(shí)，由于清除選擇信號(hào)，柵極信號(hào)線G0成為未被選中的，而柵極信號(hào)線G1成為被選中的。當(dāng)柵極信號(hào)線G1被選中時(shí)，其柵極和柵極信號(hào)線G1相連的在第二行中的用于清除的TFT107導(dǎo)通。這樣，關(guān)于在第二行中的像素的非顯示周期Td開(kāi)始，因而在第二行中的像素不再進(jìn)行顯示。
然后，所有的柵極信號(hào)線按照清除選擇信號(hào)被按照順序被選中。直到按照清除選擇信號(hào)所有所柵極信號(hào)線被選中，從而從所有的像素中清除第一位數(shù)字視頻信號(hào)的時(shí)間間隔是清除周期Te1。
這樣，在清除周期期間，只有一個(gè)柵極信號(hào)線按照清除選擇信號(hào)被選中，以便進(jìn)行清除，并且決沒(méi)有兩個(gè)或多個(gè)柵極信號(hào)線按照清除選擇信號(hào)被同時(shí)選中進(jìn)行清除。
在另一方面，在由所有的像素保持的第一位數(shù)字視頻信號(hào)被清除之前，即，在清除周期Te1結(jié)束之前，在清除由像素保持的第一位數(shù)字視頻信號(hào)的同時(shí)，柵極信號(hào)線G0按照寫(xiě)選擇信號(hào)再次被選擇。然后，對(duì)第一行中的像素輸入第二位數(shù)字視頻信號(hào)。結(jié)果，在第一行中的像素再次進(jìn)行顯示，因而，對(duì)于第一行中的像素，非顯示周期Td1結(jié)束，顯示周期Tr2開(kāi)始。
類似地，所有柵極信號(hào)線按照順序按照寫(xiě)選擇信號(hào)被選中，從而對(duì)所有的像素輸入第二位數(shù)字視頻信號(hào)。直到對(duì)所有像素都輸入第二位數(shù)字視頻信號(hào)的時(shí)間間隔被稱為寫(xiě)周期Ta2。
在另一方面，在對(duì)所有像素都輸入第二位數(shù)字視頻信號(hào)之前，即在寫(xiě)周期Ta2結(jié)束之前，在對(duì)像素輸入第二位數(shù)字視頻信號(hào)的同時(shí)，柵極信號(hào)線G0按照清除選擇信號(hào)被選中。這樣，在第一行中的像素的所有EL元件110不再發(fā)光，因而在第一行中的像素不再進(jìn)行顯示。因此，對(duì)于第一行中的像素，顯示周期Tr2結(jié)束，非顯示周期Td2開(kāi)始。
然后，所有的柵極信號(hào)線按照清除選擇信號(hào)按照順序被選中，從而清除所有像素的第二位數(shù)字視頻信號(hào)。直到所有像素的第二位數(shù)字視頻信號(hào)被清除的時(shí)間間隔被稱為清除周期Te2。
然后，寫(xiě)周期Ta3開(kāi)始。第3位數(shù)字視頻信號(hào)被輸入到第一行的像素，第一行的像素的顯示周期Tr3開(kāi)始，因而第一行中的像素進(jìn)行顯示。直到下一個(gè)寫(xiě)周期開(kāi)始，在像素中一直保持著第3位數(shù)字視頻信號(hào)。
然后，寫(xiě)周期Ta4開(kāi)始，在像素中保持的第3位數(shù)字視頻信號(hào)被清除。作為代替，第4位數(shù)字視頻信號(hào)被輸入到第一行中的像素，第一行的像素的顯示周期Tr4開(kāi)始，因而第一行中的像素進(jìn)行顯示。直到下一位數(shù)字視頻信號(hào)被輸入，在像素中一直保持著第4位數(shù)字視頻信號(hào)。
當(dāng)下一個(gè)幀周期的第一個(gè)寫(xiě)周期Ta1開(kāi)始時(shí)，周期Tr4結(jié)束，與此同時(shí)，前一個(gè)幀周期結(jié)束。當(dāng)所有的顯示周期Tr1-Tr4結(jié)束時(shí)，可以顯示一個(gè)圖像。然后，重復(fù)上述的操作。
顯示周期Tr3是開(kāi)始寫(xiě)周期Ta3這一時(shí)刻起到開(kāi)始寫(xiě)周期Ta4止的時(shí)間間隔。顯示周期Tr4是開(kāi)始寫(xiě)周期Ta4起到開(kāi)始下一幀周期的寫(xiě)周期Ta1止的時(shí)間段。
設(shè)置顯示周期Tr的長(zhǎng)度使其滿足Tr1∶Tr2∶Tr3∶Tr4＝20∶21∶22∶23。通過(guò)組合這些顯示周期，可以顯示24當(dāng)中的所需的色調(diào)。
在一個(gè)幀周期內(nèi)EL元件發(fā)光的顯示周期的長(zhǎng)度之和確定作了所述幀周期內(nèi)由像素顯示的色調(diào)。如果在所有的顯示周期期間像素都發(fā)光時(shí)的亮度被表示為100％，則通過(guò)使像素在Tr1和Tr2內(nèi)發(fā)光，可以實(shí)現(xiàn)20％的亮度，而通過(guò)使像素只在Tr3內(nèi)發(fā)光，可以實(shí)現(xiàn)27％的亮度。
在本發(fā)明中，重要的是，在其間第3位數(shù)字視頻信號(hào)被寫(xiě)入像素的寫(xiě)周期Ta3小于顯示周期Tr3。
此外，從顯示周期Tr1到Tr4出現(xiàn)的順序可以改變。例如，在一個(gè)幀周期中，顯示周期可以按照順序Tr1，Tr3，Tr4和Tr2出現(xiàn)。不過(guò)，更好是按照這樣的順序出現(xiàn)，使得清除周期Te1到Te4不相互重疊，此外，最好是按照顯示周期Tr1到Tr4不相互重疊的順序出現(xiàn)。
按照本發(fā)明，利用上述結(jié)構(gòu)，即使在TFT之間的IDS-VGS特性有某種程度的改變，當(dāng)對(duì)TFT加上相等的柵極電壓進(jìn)行EL驅(qū)動(dòng)時(shí)，也能抑制輸出電流的數(shù)量的改變。因此，可以避免這樣的情況，其中由于IDS-VGS特性的改變，即使輸入相等電壓的信號(hào)，相鄰像素的EL元件發(fā)出的光的數(shù)量也有相當(dāng)大的不同。
此外，按照本發(fā)明，可以提供在其間不進(jìn)行顯示的非發(fā)光周期。在常規(guī)的模擬驅(qū)動(dòng)方法的情況下，如果在EL顯示裝置上顯示其中所有像素都顯示白色的圖像，則EL元件一直發(fā)光，這是加速EL層劣化的一個(gè)原因。按照本發(fā)明，因?yàn)榭梢蕴峁┓前l(fā)光周期，所以可以在某種程度上抑制EL層的劣化。
應(yīng)當(dāng)注意，本實(shí)施例可以和實(shí)施例2相結(jié)合被實(shí)施。
實(shí)施例4在本實(shí)施例中，說(shuō)明圖3所示的按照本發(fā)明的EL顯示裝置的平面圖(圖9)。在圖3和圖9中，相同的標(biāo)號(hào)表示相同的部件。
在圖9中，像素104是具有一個(gè)源極信號(hào)線Sj(j是從1到x的任意數(shù))，一個(gè)電源線Vj(j是從1到x的任意數(shù))，以及一個(gè)柵極信號(hào)線Gi(i是從1到y(tǒng)的任意數(shù))的區(qū)域。像素104具有第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105，第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106，用于清除的TFT107，和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108。
第一和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT105、106具有公共的有源層906。第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105使用柵極信號(hào)線Gi的一部分作為其柵極，而第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106使用柵極信號(hào)線G(i＋1)的一部分作為其柵極。
第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106的源極和漏極之一和源極信號(hào)線Sj相連。第一用作開(kāi)關(guān)的TFT105的源極或漏極之一通過(guò)連線901和柵極引線905相連。
柵極引線905通過(guò)連線902和用于清除的TFT107的源極或漏極之一相連。用于清除的TFT107具有有源層908。用于清除的TFT107的不和柵極引線905相連的源極或漏極之一和電源線Vj相連。
用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108具有有源層907。用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108使用柵極引線905的一部分作為其柵極。用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的源極區(qū)和電源線Vj相連，而用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的漏極區(qū)和EL元件的像素電極903相連。
應(yīng)當(dāng)注意，連線901根據(jù)被輸入到源極信號(hào)線Sj的信號(hào)的電位被稱為源極引線或漏極引線。連線902根據(jù)電源線Vj的電源電位被稱為源極引線或漏極引線。
電容引線904由半導(dǎo)體膜構(gòu)成。電容器109被形成在和電源線Vj電氣相連的電容引線904、和柵極絕緣膜是同一層膜的絕緣膜(未示出)以及柵極引線905當(dāng)中。此外，由柵極引線905、和第一中間層絕緣膜相同的一層膜(未示出)以及電源線Vj構(gòu)成的電容器也可以用作一個(gè)電容器。
應(yīng)當(dāng)注意，雖然圖中沒(méi)有示出，但是在像素電極903上形成有岸，其具有通過(guò)刻蝕有機(jī)樹(shù)脂膜而在其中形成的開(kāi)口。此外，雖然在圖中也沒(méi)有示出，EL層和相對(duì)電極按照這種順序被層疊在像素電極903上。像素電極903和EL層在岸中的開(kāi)口相互接觸。EL層只在被夾在相對(duì)電極和像素電極903并且和它們接觸的部分發(fā)光。
應(yīng)當(dāng)注意，按照本發(fā)明的EL顯示裝置的像素部分的平面圖不限于圖9所示的結(jié)構(gòu)。
應(yīng)當(dāng)注意，本實(shí)施例可以和圖1-圖3的實(shí)施例組合來(lái)實(shí)施。
實(shí)施例5在本實(shí)施例中，將參照?qǐng)D10說(shuō)明按照本發(fā)明的EL顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路102基本上具有移位寄存器102a，鎖存器(A)(第一鎖存器)102b，和鎖存器(B)(第二鎖存器)102c。
在源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路102中，用于源極的時(shí)鐘信號(hào)(S-CLK)和用于源極的啟動(dòng)脈沖(S-SP)被輸入到移位寄存器102a。根據(jù)用于源極的時(shí)鐘信號(hào)(S-CLK)和用于源極的啟動(dòng)脈沖(S-SP)，移位寄存器102a串行地產(chǎn)生定時(shí)信號(hào)，并將它們輸入到鎖存器(A)102b。
應(yīng)當(dāng)注意，雖然圖10沒(méi)有示出，從移位寄存器輸出的在定時(shí)信號(hào)被緩沖器之類(未示出)緩沖之后，所述定時(shí)信號(hào)可以被輸入到作為后一級(jí)電路的鎖存器(A)102b。因?yàn)樵S多電路或元件和被提供有定時(shí)信號(hào)的引線相連，所以這些引線具有大的負(fù)載電容(寄生電容)。提供緩沖器等用于阻止由所述大的負(fù)載電容引起的定時(shí)信號(hào)的“鈍的”前沿和后沿。
鎖存器(A)102b具有許多級(jí)，用于處理n位數(shù)字視頻信號(hào)。當(dāng)定時(shí)信號(hào)被輸入給鎖存器(A)102b時(shí)，鎖存器(A)102b串行地接收并保持從源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路102的外部輸入的n位數(shù)字視頻信號(hào)。
應(yīng)當(dāng)注意，當(dāng)鎖存器(A)102b接收數(shù)字視頻信號(hào)時(shí)，數(shù)字視頻信號(hào)的位可以被串行地輸入給鎖存器(A)102b的鎖存器的多個(gè)級(jí)。不過(guò)，本發(fā)明不限于這種結(jié)構(gòu)。鎖存器(A)102b的多個(gè)級(jí)可以被分成若干組，此時(shí)，數(shù)字視頻信號(hào)被同時(shí)輸入這些組，這是所謂的分組驅(qū)動(dòng)。應(yīng)當(dāng)注意，此處的組數(shù)被稱為除數(shù)。例如，當(dāng)鎖存器的多個(gè)級(jí)被分為4組時(shí)，分組驅(qū)動(dòng)按照4部分進(jìn)行。
用于把數(shù)字視頻信號(hào)寫(xiě)入鎖存器(A)102b的所有級(jí)的鎖存器的時(shí)間間隔被稱為行周期。換句話說(shuō)，從在最左邊的一級(jí)鎖存器中開(kāi)始寫(xiě)入數(shù)字視頻信號(hào)的時(shí)刻到在最右邊的一級(jí)鎖存器中寫(xiě)入數(shù)字視頻信號(hào)結(jié)束的時(shí)刻是一個(gè)行周期。實(shí)際上存在這樣的情況，其中從在最左邊的一級(jí)鎖存器中開(kāi)始寫(xiě)入數(shù)字視頻信號(hào)的時(shí)刻到在最右邊的一級(jí)鎖存器中寫(xiě)入數(shù)字視頻信號(hào)結(jié)束的時(shí)刻加上水平回掃行周期是一個(gè)行周期。
當(dāng)一個(gè)行周期結(jié)束時(shí)，鎖存信號(hào)被提供給鎖存器(B)102c。此時(shí)，在鎖存器(A)102b中寫(xiě)入的并由其保持的數(shù)字視頻信號(hào)的所有位被同時(shí)輸入到鎖存器(B)102c，并被寫(xiě)入和保持在鎖存器(B)102c的所有級(jí)的鎖存器中。
在鎖存器(A)102b向鎖存器(B)102c發(fā)出數(shù)字視頻信號(hào)之后，根據(jù)來(lái)自移位寄存器102a的定時(shí)信號(hào)，從源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路102的外部輸入的數(shù)字視頻信號(hào)被串行地寫(xiě)入鎖存器(A)102b中。
在行周期的這個(gè)第二個(gè)周期期間，被寫(xiě)入鎖存器(B)102c并被其保持的數(shù)字視頻信號(hào)被輸入到源極信號(hào)線。
在另一方面，柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103具有移位寄存器103a和緩沖器103b。根據(jù)情況，柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103除去具有移位寄存器103a和緩沖器103b之外，還具有電平移動(dòng)。
在柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103中，來(lái)自移位寄存器103a的定時(shí)信號(hào)被輸入到緩沖器103b，并被輸入到相應(yīng)的柵極信號(hào)線。例如，柵極信號(hào)線Gi(i是從1到y(tǒng)的任意數(shù))和在第(i－1)行中的像素的第二用作開(kāi)關(guān)的TFT106的柵極、在第i行中的像素的第-用作開(kāi)關(guān)的TFT105的柵極以及第(i＋1)行中的像素的用于清除的TFT107的柵極相連。因此，所有和一個(gè)柵極信號(hào)線相連的TFT都需要同時(shí)導(dǎo)通。因而，作為緩沖器，使用其中能夠通過(guò)大電流的緩沖器。
應(yīng)當(dāng)注意，本實(shí)施例可以和實(shí)施例1-4組合實(shí)施。
實(shí)施例6在實(shí)施例6中，將說(shuō)明用于制造在本發(fā)明的EL顯示裝置的像素部分具有的TFT的方法。
首先，如圖11A所示，在襯底5001上形成由絕緣膜制成的底膜5002，所述底膜例如可以是氧化硅膜、氮化硅膜或者氧化氮化硅膜，所述襯底由玻璃制成，例如鋇硼硅酸鹽玻璃或鋁硼硅酸鹽玻璃，一般是Corning Corp。#7059玻璃，或#1737玻璃。例如，由SiH4，NH3和NO2通過(guò)等離子CVD制成的厚度為10-200nm(最好為50-100nm)氧化氮化硅膜5002a，和由SiH4和N2O制成的厚度為50-200nm(最好為100-150nm)的氫化的氮化氧化硅膜以類似方式被制成并被層疊。在實(shí)施例6中示出了具有兩層結(jié)構(gòu)的底膜5002，但是底膜5002也可以由一層上述的任何一種絕緣膜構(gòu)成，并且也可以利用層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成，其中兩層或多層膜層疊在一起。
通過(guò)使用激光晶體化方法或者使用公知的熱晶體化方法利用具有無(wú)定形結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜制成晶體半導(dǎo)體膜，利用所述晶體半導(dǎo)體膜制成島狀的半導(dǎo)體層5004-5006。島狀半導(dǎo)體層5004到5006被設(shè)置為從25到80nm(最好在30和60nm之間)。對(duì)于晶體的半導(dǎo)體膜材料沒(méi)有限制，不過(guò)最好使用半導(dǎo)體材料例如硅或者硅鍺合金(SiGe)制成所述的膜。
在利用激光晶體化方法制造晶體半導(dǎo)體膜時(shí)，使用脈沖振蕩型或連續(xù)發(fā)射型準(zhǔn)分子激光、YAG激光或YVO4激光作為激光光源。當(dāng)使用這些類型的激光時(shí)，可以使用利用光學(xué)系統(tǒng)把激光振蕩器發(fā)出的激光會(huì)聚成直線，然后把激光照射到半導(dǎo)體膜上的方法。晶體化的條件可以由操作者合適地選擇。不過(guò)，當(dāng)使用準(zhǔn)分子激光時(shí)，脈沖振蕩頻率被設(shè)置為300Hz，激光能量密度被設(shè)置為100-400mJ/cm2(一般在200和300mJ/cm2之間)。此外，當(dāng)使用YAG激光時(shí)，利用二次諧波，脈沖振蕩頻率被設(shè)置為30-300KHz，并且激光能量密度可以被設(shè)置為300-600mJ/cm2(一般在350和500mJ/cm2之間)。被會(huì)聚成直線的激光光束具有100-1000微米的寬度，例如400微米，該光束被照射到襯底的整個(gè)表面上。這利用具有50-90％的重疊率的直線激光來(lái)實(shí)現(xiàn)。
形成柵極絕緣膜5007，使之蓋住島狀半導(dǎo)體層5004-5006。柵極絕緣膜5007利用等離子CVD或者濺射方法由含有硅的絕緣膜構(gòu)成，其厚度為40-150納米。在實(shí)施例6中形成120納米厚的氧化氮化硅膜。當(dāng)然，柵極絕緣膜不限于這類氧化氮化硅膜，也可以使用其它的含有硅的絕緣膜，其結(jié)構(gòu)可以是單層或者多層的形式。例如，當(dāng)使用氧化硅膜時(shí)，其可以被這樣形成利用等離子CVD方法，利用TEOS(四乙基原硅酸酯)和O2的混合物，反應(yīng)壓力為40Pa，襯底溫度是300-400℃，并通過(guò)在高頻(13.56MHz)下放電，功率密度為0.5-0.8W/cm2。對(duì)這樣形成的氧化硅膜，然后在400和500℃之間的溫度下進(jìn)行退火，可以獲得具有好的特性的柵極絕緣膜。
為了形成柵極，在柵極絕緣膜5007上形成第一導(dǎo)電膜5008和第二導(dǎo)電膜5009。在實(shí)施例6中，第一導(dǎo)電膜5008由Ta制成厚度為50-100納米，第二導(dǎo)電膜5009由W形成，厚度為100-300納米。
通過(guò)濺射形成Ta膜，并通過(guò)使用Ar利用Ta靶進(jìn)行濺射。如果在濺射期間對(duì)Ar加入適量的Xe和Kr，則可以減輕Ta膜的內(nèi)部應(yīng)力，防止膜的剝離。α相Ta膜的電阻率是20μΩ/cm的數(shù)量級(jí)，其可被用于柵極中，但是β相Ta膜的電阻率是180μΩ/cm的數(shù)量級(jí)，其用于柵極是不合適的。如果形成厚度為10-50納米的具有和α相Ta類似的晶體結(jié)構(gòu)的氮化鉭膜，作為用于形成α相Ta膜的Ta的基底，則α相Ta膜可以容易地被獲得。
通過(guò)利用W靶進(jìn)行濺射而形成W膜。W膜也可以利用熱CVD使用WF6制成。不論使用哪一種方法，需要使膜具有低的電阻，以便用其作為柵極，最好是W膜的電阻率等于或小于20μΩ/cm。通過(guò)擴(kuò)大W膜的晶體，可以降低電阻率，但是對(duì)于在W膜內(nèi)具有許多雜質(zhì)元素例如氧的情況，則禁止結(jié)晶，因而膜具有高的電阻率。因而在濺射中使用純度為99.9999％的W靶。此外，在形成W膜時(shí)要足夠小心，以便在形成膜時(shí)不會(huì)從引入來(lái)自氣相內(nèi)的雜質(zhì)。這樣，可以獲得9-20μΩ/cm的電阻率。
應(yīng)當(dāng)注意，雖然在實(shí)施例6中第一導(dǎo)電膜是Ta，第二導(dǎo)電膜是W，但是導(dǎo)電膜不限于此。第一導(dǎo)電膜5008和第二導(dǎo)電膜5009也可以從由以下元素構(gòu)成的組中選擇的元素，或者以其中一種元素作為主要充分的合金，或者由這些元素的化學(xué)化合物構(gòu)成，這些元素是Ta，W，Ti，Mo，Al，和Cu。此外，也可以使用半導(dǎo)體膜，一般為其中摻雜有雜質(zhì)元素例如磷的多晶硅膜。除去實(shí)施例6使用的之外的一些優(yōu)選的組合包括由TaN形成的第一導(dǎo)電膜5008和由W制成的第二導(dǎo)電膜5009的組合；由TaN形成的第一導(dǎo)電膜5008和由Al制成的第二導(dǎo)電膜5009的組合；以及由TaN形成的第一導(dǎo)電膜5008和由Cu制成的第二導(dǎo)電膜5009的組合。(見(jiàn)圖11A)。
接著由抗蝕劑制成掩模5010，并進(jìn)行第一刻蝕處理，以便形成電極和引線。在實(shí)施例6中使用ICP(感應(yīng)耦合的等離子體)刻蝕方法。使用CF4和Cl2的氣體混合物作為刻蝕氣體，并通過(guò)在1Pa下對(duì)線圈狀的電極施加500W RF電功率產(chǎn)生等離子體。100W RF的電功率(13.56MHz)也被施加于襯底側(cè)(試驗(yàn)件階段)，用于有效地提供負(fù)的自偏置。當(dāng)CF4和Cl2被組合時(shí)，W膜和Ta膜按照所述的順序被刻蝕。
通過(guò)使用合適形狀的抗蝕劑掩模，按照在上述刻蝕條件下對(duì)襯底側(cè)施加的偏壓的作用，把第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的邊沿部分制成錐形錐形部分的角度是15-45度。為了進(jìn)行刻蝕而不在柵極絕緣膜上留下任何剩余物，可以使刻蝕時(shí)間增加10到20％。氧化氮化硅膜相對(duì)于W膜的選擇性是2-4(一般為3)，因此通過(guò)這個(gè)過(guò)刻蝕處理，氧化氮化硅膜的暴露的表面的20-50納米被刻蝕掉。這樣，通過(guò)第一刻蝕處理，形成由第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層構(gòu)成的第一形狀的導(dǎo)電層5012-5016(第一導(dǎo)電層5012a-5016a，和第二導(dǎo)電層5012b-5016b)。未被第一形狀的導(dǎo)電層5012-5016覆蓋的柵極絕緣膜5007的部分被刻蝕20-50納米的數(shù)量級(jí)，從而形成較薄的區(qū)域。
然后進(jìn)行第一摻雜處理，加入形成n型半導(dǎo)體的雜質(zhì)元素。可以使用離子摻雜或離子注入作為摻雜方法。可以在這樣的條件下進(jìn)行離子摻雜劑量被設(shè)置為1×1013-5×1014原子/cm2，加速電壓被設(shè)置為60-100keV。使用周期表第15族中的元素，一般為磷(P)或砷(As)作為n型導(dǎo)電性賦予雜質(zhì)元素。此處使用磷(P)。導(dǎo)電層5012-5015相對(duì)于n型導(dǎo)電性賦予雜質(zhì)元素成為掩模，以自調(diào)節(jié)方式形成第一雜質(zhì)區(qū)域5019-5025。賦予n型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素被加入第一雜質(zhì)區(qū)5019-5025，濃度范圍為1×1020和1×1021原子/cm2(圖11B)。
如圖11C所示，在不除去抗蝕劑掩模的條件下進(jìn)行第二刻蝕處理。通過(guò)使用CF4，CI2，和O2作為刻蝕氣體，W膜被選擇地刻蝕。這樣，通過(guò)第二刻蝕處理，形成第二形狀的導(dǎo)電層5027-5031(第一導(dǎo)電層5027a-5031a，和第二導(dǎo)電層5027b-5031b)。未被第二形狀的導(dǎo)電層5027-5031覆蓋的柵極絕緣膜5007的部分被刻蝕20-50納米的數(shù)量級(jí)，從而形成較薄的區(qū)域。
由產(chǎn)生的原子團(tuán)，或者由離子的種類和反應(yīng)產(chǎn)物的蒸汽壓力，可以評(píng)價(jià)W膜或Ta膜按照混合氣體CF4和CI2的刻蝕反應(yīng)。和W、Ta的氟化物以及氯化物的蒸汽壓力相比，WF6的蒸汽壓力極高，而WCI5，TaF5和TaCI5的蒸汽壓力具有相同的數(shù)量級(jí)。因此，W膜和Ta膜兩者都被CF4和CI5氣體混合物刻蝕。不過(guò)，如果對(duì)所述氣體混合物加入合適數(shù)量的O5，則CF4和O2起反應(yīng)，形成CO和F，并產(chǎn)生大量的F基或F離子。結(jié)果，使得具有高的氟化物蒸汽壓力的W膜的刻蝕速度變高。在另一方面，即使F增加，Ta的刻蝕速度也不會(huì)有大的增加。此外，和W相比，Ta容易被氧化，因此，Ta的表面通過(guò)加入O2而被氧化。Ta膜的刻蝕速度被進(jìn)一步減小，因?yàn)門(mén)a的氧化物不和F以及CI2起反應(yīng)。因此，可以使W膜和Ta膜具有不同的刻蝕速度，并且可以使得W膜的刻蝕速度大于Ta膜的刻蝕速度。
然后進(jìn)行如圖12A所示的第二摻雜處理。在這種情況下，在比第一摻雜處理的劑量小、加速電壓較高的條件下?lián)诫s給予n型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素。例如，摻雜可以在加速電壓為70-120keV，劑量為1×1013原子/cm2的條件下進(jìn)行，從而在圖11B的島形半導(dǎo)體層中形成的第一雜質(zhì)區(qū)內(nèi)部形成新的雜質(zhì)區(qū)。利用第二形狀的半導(dǎo)體層5027-5030相對(duì)于雜質(zhì)元素作為掩模進(jìn)行摻雜，并且摻雜被這樣進(jìn)行，使得雜質(zhì)元素也被加于第一導(dǎo)電層5027a-5030a下方的區(qū)域。這樣形成第三摻雜區(qū)5033-5036。被加于第三雜質(zhì)區(qū)5033-5036的磷的濃度按照第一導(dǎo)電層5027a-5033a的錐形部分的膜的厚度具有漸進(jìn)的濃度梯度。此外，在覆蓋第一導(dǎo)電層5027a-5033a的錐形部分的半導(dǎo)體層中，從第一導(dǎo)電層5027a-5033a的錐形部分的端部向著內(nèi)側(cè)，雜質(zhì)濃度或多或少地被減少，不過(guò)，所述濃度基本上保持相同。
如圖12B所示，通過(guò)利用刻蝕氣體CHF6使用反應(yīng)離子刻蝕處理(RIE處理)進(jìn)行第三刻蝕處理。第一導(dǎo)電層5027a-5033a的錐形部分被部分地刻蝕。通過(guò)第三刻蝕處理，其中第一導(dǎo)電層和半導(dǎo)體層重疊的區(qū)域被減少。形成第三形狀的導(dǎo)電層5038-5042(第一導(dǎo)電層5038a-5042a，和第二導(dǎo)電層5038b-5042b)。此時(shí)，通過(guò)刻蝕處理，未被第三形狀的導(dǎo)電層5038-5042覆蓋的柵極絕緣膜5007的區(qū)域的厚度大約被減少20-50納米。
通過(guò)第三刻蝕處理，在第三雜質(zhì)區(qū)5033-5036，和第一導(dǎo)電層5038a-5041a重疊的第三雜質(zhì)區(qū)5033a-5036a，以及在第一雜質(zhì)區(qū)和第三雜質(zhì)區(qū)之間的第二雜質(zhì)區(qū)5033b-5036b被形成。
然后，如圖12C所示，在形成P溝道型TFT的島狀的導(dǎo)電層5041b中形成具有和第一導(dǎo)電型相反的導(dǎo)電型的第四雜質(zhì)區(qū)5049-5054。第三形狀導(dǎo)電層5041b被用作一種雜質(zhì)元素的掩模，并且以自調(diào)節(jié)方式形成雜質(zhì)區(qū)。此時(shí)，形成N溝道型TFT的島狀半導(dǎo)體層5004和5005的整個(gè)表面以及引線部分5042被抗蝕劑掩模5200覆蓋。分別在雜質(zhì)區(qū)5049-5054以不同的濃度加入磷。這些區(qū)域通過(guò)離子摻雜方法使用B2H6被形成，在任何一個(gè)區(qū)域中，使雜質(zhì)濃度為2×1020-2×1021原子/cm3。
通過(guò)至此的上述步驟，在各個(gè)島狀半導(dǎo)體層中形成了雜質(zhì)區(qū)。覆蓋島狀半導(dǎo)體層的第三形狀導(dǎo)電層5038作為柵極。導(dǎo)電層5042作為島狀的源極信號(hào)引線。
在除去抗蝕劑掩模5200之后，進(jìn)行活化被加入到各個(gè)島狀半導(dǎo)體層的雜質(zhì)元素的步驟，以便控制其導(dǎo)電類型。這個(gè)步驟通過(guò)使用退火爐利用退火方法進(jìn)行。此外，可以使用激光退火方法或快速熱退火方法(RTA方法)。熱退火方法在400-700℃，一般為500-600℃的溫度下，在具有1ppm或更少，最好為0.1ppm或更少的氧的濃度的氮?dú)庵羞M(jìn)行。在第6實(shí)施例中，熱處理在500℃下進(jìn)行了4小時(shí)。不過(guò)，在用作第三形狀導(dǎo)電層5038-5042的引線材料的耐熱性差的情況下，最好在中間層絕緣膜(含有硅作為其主要成分)被形成之后進(jìn)行活化，以便保護(hù)引線等。
此外，在含有3-100％的氫的大氣中進(jìn)行300-450℃的熱處理，并進(jìn)行氫化處理島狀半導(dǎo)體層的步驟。進(jìn)行這個(gè)步驟是為了通過(guò)熱激發(fā)的氫終止半導(dǎo)體層中的懸掛鍵。作為氫化的另一種方法，可以進(jìn)行等離子體氫化(使用等離子體激發(fā)的氫)。
接著，如圖13A所示，形成由氮化氧化硅膜制成的厚度為100-200納米的第一中間層絕緣膜5055。在其上形成由有機(jī)絕緣材料制成的第二中間層絕緣膜5056。然后，相對(duì)于第一中間層絕緣膜5055、第二中間層絕緣膜5056和柵極絕緣膜5007形成接觸孔，通過(guò)成形形成各個(gè)引線(包括連接引線和信號(hào)線)5059-5062以及5064，然后，通過(guò)成形形成和連線5062接觸導(dǎo)電像素電極5063。
接著，使用由有機(jī)樹(shù)脂制成的膜作為第二中間層絕緣膜5056。作為有機(jī)樹(shù)脂，可以使用聚酰亞胺，聚酰胺，丙烯，BCB或其類似物。具體地說(shuō)，因?yàn)榈诙虚g層絕緣膜5056不易弄平，所以使用平整性好的丙烯是理想的。在實(shí)施例6中，丙烯膜被制成具有這樣的厚度，使得由TFT形成的臺(tái)階部分可以被充分地補(bǔ)平。丙烯膜的厚度最好是1-5微米(更好是2-4微米)。
在接觸孔的形成中，使用干刻和濕刻，并分別形成到達(dá)n型雜質(zhì)區(qū)5019，5020，5021和5023的接觸孔、到達(dá)引線5042的接觸孔、到達(dá)電源線(未示出)的接觸孔、和到達(dá)柵極(未示出)的接觸孔。
此外，一種三層結(jié)構(gòu)的層疊膜被成形成所需的形狀，在所述層疊膜中，利用濺射按照順序形成100鈉米厚的Ti膜，300鈉米厚的含有Ti的鋁膜和150鈉米厚的Ti膜，并把最終的層疊膜用作引線(包括連線和信號(hào)線)5059-5062和5064。當(dāng)然，可以使用其它結(jié)構(gòu)的膜。
此外，在實(shí)施例6中，形成厚度為110鈉米的ITO膜，并進(jìn)行成形而形成像素電極5063。像素電極5063被這樣設(shè)置，使得和連線5062接觸并重疊，從而獲得接觸。此外，可以使用其中2-20％的氧化鋅和氧化銦混合的透明的導(dǎo)電膜。所述像素電極5063相應(yīng)于EL元件的陽(yáng)極。(圖13A)。
接著，如圖13B所示，形成厚度為500鈉米的含有硅的絕緣膜(在實(shí)施例6中是氧化硅膜)，在相應(yīng)于像素電極5063的位置形成開(kāi)孔部分，然后，形成作為岸的第三中間層絕緣膜5065。在形成開(kāi)孔部分時(shí)，利用濕刻可以容易地形成呈錐形的側(cè)壁。如果開(kāi)孔部分的側(cè)壁足夠平，則由于有臺(tái)階的部分而使EL層變劣成為一個(gè)顯著的問(wèn)題。
接著使用真空蒸發(fā)方法，不暴露于大氣中按照順序形成EL層5066和陰極(MgAg電極)。注意EL層5066的膜厚可以設(shè)置為80-200鈉米(一般在100-120鈉米之間)，陰極5067的的膜厚可以被設(shè)置為180-300鈉米(一般為200-250鈉米)。
相對(duì)于相應(yīng)于紅色的像素、相應(yīng)于綠色的像素和相應(yīng)于藍(lán)色的像素的EL層和陰極被一個(gè)接一個(gè)地形成。不過(guò)，EL層相對(duì)于溶液較弱，因此，必須不使用光刻技術(shù)形成關(guān)于每種顏色的EL層和陰極。最好使用金屬掩模覆蓋所需像素的外部的區(qū)域，并且只在所需位置，選擇地形成EL層和陰極。
換句話說(shuō)，首先這樣設(shè)置掩模，使得蓋住除去相應(yīng)于紅色的像素之外的所有的像素，并且使用所述掩模選擇地形成用于發(fā)紅光的EL層。接著，這樣設(shè)置掩模，使得蓋住除去相應(yīng)于綠色的像素之外的所有的像素，并且使用所述掩模選擇地形成用于發(fā)綠光的EL層。類似地，這樣設(shè)置掩模，使得蓋住除去相應(yīng)于藍(lán)色的像素之外的所有的像素，并且使用所述掩模選擇地形成用于發(fā)藍(lán)光的EL層。注意此處所述的是使用不同的掩模，但是也可以多次使用同一個(gè)掩模。
此處使用用于形成相對(duì)于顏色RGB的3種EL元件的方法，但是也可以使用這些方法組合發(fā)白光的EL元件和彩色濾光器的方法，組發(fā)藍(lán)綠色光的EL元件和熒光體(熒光色轉(zhuǎn)換層CCM)的方法，使用透明電極作為陰極(相對(duì)電極)并使其和相應(yīng)于RGB顏色中的一種顏色的EL元件重疊的方法。
可以使用已知的材料作為EL層5066?？紤]到驅(qū)動(dòng)電壓，最好使用有機(jī)材料作為已知材料。例如，可以采用由空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層和電子注入層的4層結(jié)構(gòu)作為EL層。
接著，使用金屬掩模在具有其柵極和同一個(gè)柵極信號(hào)線相連的用作開(kāi)關(guān)的TFT的像素(在同一行上的像素)上形成陰極5067。注意，在實(shí)施例6中，雖然使用MgAg作為陰極5067，但本發(fā)明不限于此。其它已知的材料可以用作陰極5067。
最后，形成厚度為300鈉米的由氮化硅膜制成的鈍化膜5068。形成鈍化膜5068使得EL層5066能夠得到可靠的防止?jié)駳獾鹊谋Ｗo(hù)，因而可以進(jìn)一步提高EL元件的可靠性。
這樣，便制成了具有如圖13B所示的結(jié)構(gòu)的EL顯示裝置。注意，在實(shí)施例6的EL顯示裝置的制造過(guò)程中，源極信號(hào)線由Ta和W制成，它們是用于形成柵極的材料，柵極信號(hào)線由AI制成，這是用于形成引線的材料，但是，也可以使用不同的材料。
N溝道型TFT5101是用于清除的TFT，5102是第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，5103是第二用作開(kāi)關(guān)的TFT。此外，P溝道型TFT5104是用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT。在第二用作開(kāi)關(guān)的TFT5103中形成的n型雜質(zhì)區(qū)5023通過(guò)連線5061和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT5104的柵極5041相連。
附帶說(shuō)明，通過(guò)不僅在像素部分而且也在驅(qū)動(dòng)電路部分提供具有最合適的結(jié)構(gòu)的TFT，在實(shí)施例6中的EL元件具有非常高的可靠性，并具有改善的操作特性。此外，在晶體化處理中，也可以添加金屬催化劑例如Ni，借以增加結(jié)晶度。因此，可以把源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)頻率設(shè)置為10MHz或更高。
首先，使用具有這樣結(jié)構(gòu)的TFT作為用于形成驅(qū)動(dòng)電路部分的CMOS電路的N溝道型TFT，在所述結(jié)構(gòu)中，減少熱載流子的注入而盡量不降低操作速度。注意，此處所稱的驅(qū)動(dòng)電路包括例如移位寄存器，緩沖器，電平移動(dòng)器，用于按行的順序進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的的鎖存器，以及用于按點(diǎn)的順序驅(qū)動(dòng)的傳輸門(mén)。
在實(shí)施例6中，N溝道型TFT的有源層包含源極區(qū)、漏極區(qū)、和具有被夾在其間的柵極絕緣膜的柵極重疊的LDD區(qū)(Lov區(qū))、不和具有被夾在其間的柵極絕緣膜的柵極重疊的LDD區(qū)(Loff區(qū))以及溝道形成區(qū)。
此外，不需要過(guò)多地?fù)?dān)心由于P溝道型TFT中熱載流子的注入而引起劣化，并因此可以不形成LDD區(qū)。作為一種反抗熱載流子的措施，當(dāng)然可以形成類似于N溝道型TFT的LDD區(qū)。
應(yīng)當(dāng)注意，實(shí)際上，在經(jīng)過(guò)圖13B的狀態(tài)制成之后，最好在不暴露于大氣中的情況下，利用具有好的氣密性能和很少產(chǎn)氣的保護(hù)膜(例如層疊膜或紫外線固化膜)或者透明的密封材料進(jìn)行封裝(密封)。此時(shí)，通過(guò)使密封材料的內(nèi)側(cè)接觸惰性氣體，并通過(guò)在密封材料內(nèi)設(shè)置干燥劑(例如氧化鋇)，可以增加EL元件的可靠性。
此外，在通過(guò)密封處理增加氣密性能之后，連接一個(gè)連接器(柔性印刷電路FPC)，用于使從襯底上形成的元件和電路引出的端子和外部信號(hào)端子相連。此時(shí)，最終產(chǎn)品便告完成。在本說(shuō)明中，處于準(zhǔn)備交貨的狀態(tài)的產(chǎn)品被稱為EL模塊。
此外，按照實(shí)施例6所示的處理，可以減少用于制造EL模塊所需的光掩模的數(shù)量。結(jié)果，可以縮短處理過(guò)程，因而減少制造成本，并且提高產(chǎn)量。
應(yīng)當(dāng)注意，實(shí)施例6可以和實(shí)施例1到5組合來(lái)實(shí)施。
實(shí)施例7在實(shí)施例7中，使用和圖3不同的圖14所示的例子說(shuō)明本發(fā)明的EL顯示裝置的截面結(jié)構(gòu)的概況。在圖13所示的例子中，第一和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT、用于清除的TFT、和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT是頂柵極TFT，在實(shí)施例7中，說(shuō)明使用底柵極薄膜晶體管作為這些TFT的例子。
在圖14中，標(biāo)號(hào)811表示襯底，標(biāo)號(hào)812表示作為底膜的絕緣膜(以后稱為底膜)。可以使用透光的襯底，一般為玻璃襯底、石英襯底、玻璃陶瓷襯底或者晶體玻璃襯底作為襯底811。不過(guò)，所使用的襯底必須能夠承受在制造期間的最高處理溫度。
此外，當(dāng)使用含有移動(dòng)離子的襯底或具有導(dǎo)電性的襯底時(shí)，底膜812是尤其有效的，不過(guò)底膜812不必被形成在石英襯底上?？梢允褂煤泄璧慕^緣膜作為底膜812。注意在本說(shuō)明中術(shù)語(yǔ)“含有硅的絕緣膜”特別指這樣的絕緣膜，例如氧化硅膜，氮化硅膜，和相對(duì)于硅含有預(yù)定比例的氧或氮的氧化氮化硅膜(表示為SiOxNy，其中x，y是任意整數(shù))。
標(biāo)號(hào)8201代表第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，標(biāo)號(hào)8202代表第二用作開(kāi)關(guān)的TFT，8203代表用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT，8204代表用于清除的TFT，并且各個(gè)TFT由N溝道型TFT和P溝道型TFT兩種TFT構(gòu)成。
當(dāng)EL元件8206的發(fā)光的方向朝向襯底811的下側(cè)(沒(méi)有形成EL層和TFT的表面)時(shí)，最好是用作開(kāi)關(guān)的TFT和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT具有上述的結(jié)構(gòu)。不過(guò)，本發(fā)明不限于這種結(jié)構(gòu)。第一和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT8202和8201，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT8203，以及用于清除的TFT8204可以是N溝道型TFT或P溝道型TFT。
第一用作開(kāi)關(guān)的TFT8201具有雜質(zhì)區(qū)813和816，LDD區(qū)815a，815b，溝道形成區(qū)817a，柵極819a，柵極絕緣膜818和第一中間層絕緣膜820。雜質(zhì)區(qū)813通過(guò)連線821和源極信號(hào)線(圖中未示出)相連。
第二用作開(kāi)關(guān)的TFT8202具有雜質(zhì)區(qū)816和814，LDD區(qū)815c，815d，溝道形成區(qū)817b，柵極819b，柵極絕緣膜818和第一中間層絕緣膜820。第一用作開(kāi)關(guān)的TFT8201和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT8202具有公共的雜質(zhì)區(qū)816。此外，雜質(zhì)區(qū)814通過(guò)連線822和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT8203的柵極830相連。
注意根據(jù)電路或元件，在襯底上的所有的TFT當(dāng)中，柵極絕緣膜818或第一中間層絕緣膜820可以是公共的或者是不同的。
此外，圖13所示的第一和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT8201、8202具有共同的有源層，不過(guò)，本發(fā)明不限于此。第一和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT8201、8202可以分別具有單獨(dú)的有源層。
此外，LDD區(qū)815a-815d被這樣形成，使得不通過(guò)柵極絕緣膜818和柵極819a，819b重疊。這種結(jié)構(gòu)對(duì)于減少截止電流是非常有效的。此外，LDD區(qū)815a-815d的長(zhǎng)度(寬度)可以被設(shè)置為0.5-3.5微米，一般在2.0和2.5微米之間。
接著，形成用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT8203，其具有含有源極區(qū)826、漏極區(qū)827和溝道形成區(qū)805的有源層；柵極絕緣膜818；柵極830；第一中間層絕緣膜820；源極引線831；以及漏極引線832。源極區(qū)826通過(guò)元件引線831和電源線(未示出)相連。此外，漏極區(qū)827通過(guò)漏極引線832和像素電極849相連。
用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT8203是用于控制被注入到EL元件8206的電流的數(shù)量的元件，并且流過(guò)相當(dāng)大的電流。因此最好設(shè)計(jì)用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT8203的溝道寬度W大于第一和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT8201和8202的溝道寬度。此外，最好設(shè)計(jì)溝道長(zhǎng)度L較大，使得在用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT8203中不會(huì)流過(guò)過(guò)量的電流。每個(gè)像素最好具有0.5-2微埃(更好是在1和1.5微埃之間)。
此外，通過(guò)使用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT8203的有源層(特別是溝道形成區(qū))的膜厚較厚(最好50-100納米，更好在60和80納米之間)，可以抑制由于大的電流而使TFT變劣。相反，對(duì)于用作開(kāi)關(guān)的TFT8201的情況，從減少截止電流的觀點(diǎn)看來(lái)，使有源層(特別是溝道形成區(qū))的膜厚較薄(最好20-50納米，更好在25和40納米之間)也是有效的。
形成具有有源層的用于清除的TFT8204，所述有源層含有雜質(zhì)區(qū)835和836、LDD區(qū)837a和837b，溝道形成區(qū)838；柵極絕緣膜818；柵極839；第一中間層絕緣膜820；連線846和844。LDD區(qū)837a和837b通過(guò)柵極絕緣膜818和柵極839重疊。
雜質(zhì)區(qū)835和836中的一個(gè)通過(guò)連線846或844和電源線(未示出)相連。另一個(gè)通過(guò)連線846或844和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT8203的柵極830相連。
注意標(biāo)號(hào)862-865是用于形成溝道形成區(qū)817a，817b，805，和838的掩模。
注意最好在溝道形成區(qū)和LDD區(qū)之間形成抵銷區(qū)(一種由具有和溝道形成區(qū)相同成分的半導(dǎo)體層構(gòu)成的區(qū)域，在其上不施加控制電壓)，用于獲得減少截止電流的優(yōu)點(diǎn)。在實(shí)施例7中，所示的是使用一個(gè)柵極的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明也可以使用多個(gè)柵極的結(jié)構(gòu)。多柵極結(jié)構(gòu)對(duì)于減少截止電流是非常有效的。如果第一和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT8201，8202以及用于清除的TFT8204的截止電流被足夠地降低，則被連接到用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT8203的柵極的電容器所需的最小電容可以被足夠地減少。換句話說(shuō)，可以減少由電容器占據(jù)的面積。因此，使用作開(kāi)關(guān)的TFT具有多柵極結(jié)構(gòu)，對(duì)于增加EL元件的有效發(fā)光面積是有效的。
注意第一和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT8201，8202以及用于清除的TFT8204和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT8203可以是P溝道型TFT或N溝道型TFT。需要第一和第二用作開(kāi)關(guān)的TFT8201，8202以及用于清除的TFT8204具有相同的極性。
標(biāo)號(hào)847代表第一鈍化膜，其膜厚可以被設(shè)置為10納米-1微米(最好在200和500納米之間)。可以使用含有硅的絕緣膜(特別是，最好使用氧化的氮化硅膜或者氮化硅膜)作為鈍化膜材料。鈍化膜847具有保護(hù)TFT免受堿金屬和濕氣的損害的作用。堿金屬例如鈉被含在最后在TFT(特別是用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT)上方被形成的EL層中。換句話說(shuō)，第一鈍化膜847起保護(hù)層的作用，使得這些堿金屬(可移動(dòng)的離子)不會(huì)滲透到TFT中。
此外，標(biāo)號(hào)848代表第二中間層絕緣膜，其具有校平膜的功能，用于校平由于TFT而形成的臺(tái)階。最好使用有機(jī)樹(shù)脂膜作為第二中間層絕緣膜848，例如聚酰亞胺，聚酰胺，丙烯，BCB或其類似物可被使用。這些有機(jī)樹(shù)脂膜具有容易形成好的平的表面的優(yōu)點(diǎn)，具有低的介電常數(shù)。EL層對(duì)于不平特別敏感，因此最好利用第二中間層絕緣膜幾乎完全吸收TFT臺(tái)階。此外，最好較厚地形成低介電常數(shù)的材料，以便減少在柵極信號(hào)線或源極信號(hào)線與EL元件的陰極之間形成的寄生電容。因此所述厚度最好是0.5-5微米(更好是1.5和2.5微米之間)。
此外，標(biāo)號(hào)849代表由透明的導(dǎo)電膜制成的像素電極(EL元件的陽(yáng)極)。在第二中間層絕緣膜848和第一鈍化膜847中形成接觸孔(開(kāi)口)之后，如此形成像素電極849，使其和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT8203的漏極引線832相連。
在像素電極849上，氧化硅膜、氧化氮化硅膜或有機(jī)樹(shù)脂膜形成厚度為0.3-1微米的第三中間層絕緣膜850。第三中間層絕緣膜850起岸的作用。利用刻蝕在像素電極849的上方的第三中間層絕緣膜中形成開(kāi)口部分，并把開(kāi)口部分的邊沿刻蝕成為錐形。錐形的角度可以設(shè)置為10-60度(最好在30和50度之間)。具體地說(shuō)，通過(guò)在像素電極849和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT8203的漏極引線832彼此相連的部分上形成第三中間層絕緣膜850，可以阻止在接觸孔部分產(chǎn)生的像素電極849中的臺(tái)階引起的EL層851發(fā)光的不規(guī)則性。
在第三中間層絕緣膜850上形成EL層851。可以使用單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)作為EL層851，不過(guò)層疊結(jié)構(gòu)具有較好的發(fā)光效率。一般地說(shuō)，按順序在像素電極上形成空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、和電子輸送層，但是也可以使用具有空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、和電子輸送層和電子注入層的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可以使用任何已知的結(jié)構(gòu)，并且在EL層中也可以摻雜熒光色素。
圖14的結(jié)構(gòu)是用于形成響應(yīng)于R、G和B的三種EL元件的例子。注意，雖然在圖14中只示出了一個(gè)像素，但是分別形成有相應(yīng)于紅綠藍(lán)的具有相同結(jié)構(gòu)的像素，因而可以進(jìn)行彩色顯示。本發(fā)明的實(shí)施不涉及發(fā)光方法。
在EL層上形成EL元件的陰極852。使用含有低功系數(shù)材料作為陰極852，例如鎂、鋰、或鈣。最好是，使用由MgAg(一種由Mg和Ag以10∶1的比例混合而成的材料)制成的電極。此外，MgAgAl電極，LiAl電極和LiFAI電極可以作為其它的例子。
最好在形成EL層851之后，在不暴露于大氣中的條件下連續(xù)地形成陰極852。這是因?yàn)?，陰極852和EL層851之間的界面狀態(tài)極大地影響EL元件的發(fā)光效率。注意，在本說(shuō)明中，由像素電極(陽(yáng)極)、EL層、和陰極構(gòu)成的發(fā)光元件被稱為EL元件8206。
對(duì)于每個(gè)像素，必須單獨(dú)地形成包括EL層851和陰極852的層疊體，但是EL層851的抗?jié)裥院懿?，因而不能使用常?guī)的光刻技術(shù)。因此最好使用物理掩模材料，例如金屬掩模，并通過(guò)氣相方法例如真空蒸發(fā)、濺射、或等離子CVD選擇地形成EL層。
注意也可以使用例如噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷、或旋轉(zhuǎn)噴涂作為用于選擇地形成EL層的方法。不過(guò)，目前利用這些方法不能連續(xù)地形成陰極，因此，最好使用上述的其它方法。
此外，標(biāo)號(hào)853代表保護(hù)電極，其保護(hù)陰極852免受外部濕氣的損害。并同時(shí)用作連接每個(gè)像素的陰極的電極。最好使用含有Al，Cu，Ag的低電阻材料作為保護(hù)電極853。保護(hù)電極853也可以期望具有熱輻射效果，用于釋放EL層851產(chǎn)生的熱量。此外，在形成EL層851和陰極852之后，在不暴露于大氣中的條件下連續(xù)地形成保護(hù)電極853是有效的。
標(biāo)號(hào)854代表第二鈍化膜，其膜厚可以是10納米到1微米(最好在200和500納米之間)。形成第二鈍化膜854的目的主要是用于保護(hù)EL層851免受濕氣影響，但是也具有散熱的效果。注意EL層851的耐熱性能差，如上所述，因此最好在盡可能低的溫度下(最好在室溫到120℃)形成所述的膜。因此，等離子體CVD、濺射、真空蒸發(fā)、離子涂鍍和溶液涂敷(旋轉(zhuǎn)涂敷)可以認(rèn)為是優(yōu)選的膜形成方法。
注意，顯然，本發(fā)明不限于圖14所示的EL顯示裝置的結(jié)構(gòu)，圖14所示的結(jié)構(gòu)只是用于實(shí)施本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例。
注意實(shí)施例7可以和實(shí)施例1-5組合實(shí)施。
實(shí)施例8下面說(shuō)明使用本發(fā)明制造EL顯示裝置的一個(gè)例子。注意圖15A是本發(fā)明的EL顯示裝置的頂面圖，圖15B是截面圖。
在圖15A，15B中，標(biāo)號(hào)4001代表襯底，標(biāo)號(hào)4002代表像素部分，標(biāo)號(hào)4003代表源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，4004代表柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)和FPC(柔性印刷電路)4006相連的引線4005和外部設(shè)備相連。
在這一點(diǎn)上，形成第一密封材料4101，覆蓋材料4102，填充材料4103和第二密封材料4104，使得包圍像素部分4002，源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003和柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4004。
圖15B是相應(yīng)于圖15A沿線A-A’剖開(kāi)的截面圖。形成有被包含在襯底4001上的源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003中的驅(qū)動(dòng)器TFT 4201(注意此處形成的是N溝道型TFT和P溝道型TFT)，和被包含在像素部分4002中的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT4202(用于控制流過(guò)EL元件的電流的TFT)。
利用已知方法制造的P溝道型TFT或N溝道型TFT被用于實(shí)施例8的驅(qū)動(dòng)器TFT4201中，利用已知方法制造的P溝道型TFT被用于用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT4202中。此外，在像素部分4002形成和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT4202的柵極相連的電容器。
在驅(qū)動(dòng)器TFT4201和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT4202上由樹(shù)脂材料形成中間層絕緣膜(校平膜)4301，在中間層絕緣膜上形成和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT4202的漏極電氣相連的像素電極(陽(yáng)極)。具有大的功系數(shù)(work cefficient)的透明導(dǎo)電膜被用作像素電極4302。氧化銦和氧化錫的化學(xué)化合物，氧化銦和氧化鋅的化學(xué)化合物，氧化鋅，氧化錫和氧化銦可被用作透明導(dǎo)電膜。此外，在上述的透明導(dǎo)電膜中，可以摻雜鍺。
然后，在像素電極4302上形成絕緣膜4303，并在像素電極4302上方在絕緣膜4303中形成開(kāi)孔部分。EL(電致發(fā)光)層4304被形成在開(kāi)孔部分中的像素電極上。已知的有機(jī)EL材料和已知無(wú)機(jī)材料可用于EL層4304。此外，作為有機(jī)EL材料存在的低分子重量(單體)材料和高分子重量(聚合物)材料都可以使用。
已知的蒸發(fā)技術(shù)或已知的涂覆技術(shù)可以用作用于形成EL層4304的方法。此外，EL層的結(jié)構(gòu)可以是層疊結(jié)構(gòu)，或者是單層結(jié)構(gòu)，其中空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層和電子注入層自由組合。
在EL層4304上形成由具有光屏蔽性能的導(dǎo)電膜(一般是具有鋁、銅或銀作為主要成分的導(dǎo)電膜，或者這些導(dǎo)電膜與其它的導(dǎo)電膜的層疊膜)構(gòu)成的陰極4305。此外，最好盡可能地除去在陰極4305和EL元件4304之間的界面上存在的濕氣和氧氣。因此，需要使用例如在真空內(nèi)連續(xù)形成兩種膜的方法，或者先在氮?dú)饣蚨栊詺怏w的環(huán)境中形成EL層，4304，然后，在不暴露于氧氣或濕氣的條件下形成陰極4305。在實(shí)施例8中通過(guò)使用多室方法(組合工具法)膜形成設(shè)備進(jìn)行上述的膜的形成。
然后，陰極4305和由標(biāo)號(hào)4306表示的區(qū)域中的引線4005電氣相連。引線4005用于對(duì)陰極4305施加預(yù)定的電壓，并且引線4005通過(guò)各向異性導(dǎo)電膜4307和FPC4006電氣相連。
這樣，便制成由像素電極(陽(yáng)極)4302，EL層4304和陰極4305構(gòu)成的EL元件。所述EL元件被第一密封材料4101包圍，并被通過(guò)第一密封材料4101和襯底相連的覆蓋材料4102包圍，并被填充材料4103包封。此外，玻璃材料、金屬材料(一般是不銹鋼材料)、陶瓷材料和塑料材料(包括塑料膜)可用作覆蓋材料4102。可以使用FRP(玻璃纖維增強(qiáng)塑料)板，PVF(聚氟乙烯)膜，聚酯薄膜，聚酯膜和丙烯酸樹(shù)脂膜作為塑料材料。此外，也可以使用由PVF膜或者聚酯薄膜夾著鋁膜的結(jié)構(gòu)。
注意，在從EL元件發(fā)出的光的方向朝向覆蓋材料一側(cè)的情況下，需要覆蓋材料是透明的。在這種情況下，可以使用透明材料例如玻璃板，聚酯膜或者丙烯酸膜。
此外，可以使用紫外線硬化樹(shù)脂或熱硬化樹(shù)脂作為填充材料4103?？梢允褂肞VC(聚氯乙烯)，丙烯酸，聚酰亞胺，環(huán)氧樹(shù)脂，硅樹(shù)脂，PVB(聚乙烯醇縮丁醛)和EVA(乙烯醋酸乙烯酯)。如果在填充材料4103內(nèi)側(cè)上形成干燥劑(最好是氧化鋇)或者具有氧氣捕捉效果的氧化防止劑，則可以抑制EL元件的的劣化。
此外，在填充材料4103內(nèi)，可以包括隔離物，通過(guò)用氧化鋇形成隔離物，可以使隔離物本身具有吸濕性。此外，當(dāng)形成隔離物時(shí)，在陰極4305上形成樹(shù)脂膜作為緩沖層，用于釋放來(lái)自隔離物惰性壓力是有效的。
引線4005通過(guò)各向異性的導(dǎo)電膜4307和FPC4006電氣相連。引線4005把來(lái)自像素部分4002、源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003、和柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4006的信號(hào)傳遞給FPC4006，并且該引線通過(guò)FPC4006和外部設(shè)備電氣相連。
此外，第二密封材料4104被如此形成，使得其蓋住第一密封材料4101的暴露的部分和FPC4006的一部分，從而形成一種使EL元件和大氣完全隔開(kāi)的結(jié)構(gòu)。這使得EL元件具有圖15B所示的截面。注意實(shí)施例8可以和實(shí)施例1-7組合實(shí)施。
實(shí)施例9在實(shí)施例9中，將說(shuō)明圖10所示的源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路102的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
移位寄存器102a，鎖存器(A)102b和鎖存器(B)102c按照?qǐng)D16所示設(shè)置。在實(shí)施例9中，串行的鎖存器(A)102b和串行的鎖存器(B)102c相應(yīng)于4個(gè)源極信號(hào)線St-S(t＋3)。雖然在本實(shí)施例中沒(méi)有提供電平移動(dòng)，但是設(shè)計(jì)者可以合適地提供電平移動(dòng)，以便改變信號(hào)電壓的放大寬度。用于源極的時(shí)鐘信號(hào)(S-CLK)、具有和(S-GLK)的極性相反的極性的反相源極時(shí)鐘信號(hào)(S-CLKb)、用于源極的起始脈沖信號(hào)(S-SP)，用于源極的驅(qū)動(dòng)方向轉(zhuǎn)換信號(hào)(S-SL/R)通過(guò)圖中所示的引線被分別輸入到移位寄存器102a。從外部輸入的數(shù)字射頻信號(hào)通過(guò)圖中所示的引線被輸入到鎖存器(A)102b。鎖存信號(hào)S-LAT和極性和鎖存信號(hào)S-LAT相反的信號(hào)S-LATb通過(guò)圖中所示的引線分別被輸入到鎖存器(B)102c。關(guān)于鎖存器(A)102b的詳細(xì)結(jié)構(gòu)，以舉例方式說(shuō)明相應(yīng)于源極信號(hào)線St的(其中t是從1到(x－3)的任意數(shù))鎖存器(A)102b的部分801。鎖存器(A)102b的部分801包括兩個(gè)利用時(shí)鐘控制的反相器和兩個(gè)反相器。
圖17表示鎖存器(A)102b的頂視圖。標(biāo)號(hào)931a和931b分別是構(gòu)成被包括在鎖存器(A)102b的部分801中的一個(gè)反相器的TFT的有源層，936是為構(gòu)成一個(gè)反相器的TFT共用的柵極。標(biāo)號(hào)932a，932b分別是構(gòu)成被包括在鎖存器(A)102b的部分801中的另一個(gè)反相器的TFT的有源層。937a，937b是分別被提供在有源層932a，932b上的柵極。此外，柵極937a，937b彼此電氣相連。
標(biāo)號(hào)933a和933b分別是構(gòu)成被包括在鎖存器(A)102b的部分801中的一個(gè)時(shí)鐘控制的反相器的TFT的有源層。柵極938a，938b被提供在有源層933a上，用于提供雙柵極結(jié)構(gòu)。用同樣方式，柵極938b，939被提供在有源層933b上，用于提供雙柵極結(jié)構(gòu)。
標(biāo)號(hào)934a和934b分別是構(gòu)成被包括在鎖存器(A)102b的部分801中的另一個(gè)時(shí)鐘控制的反相器的TFT的有源層。柵極939和940被提供在有源層934a上，用于提供雙柵極結(jié)構(gòu)。用同樣方式，柵極940，941被提供在有源層934b上，用于提供雙柵極結(jié)構(gòu)。
注意實(shí)施例9可以和實(shí)施例1-8組合實(shí)施。
實(shí)施例10在本實(shí)施例中說(shuō)明圖10所示的柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
按照?qǐng)D18設(shè)置移位寄存器103a和緩沖器103b。應(yīng)當(dāng)注意，在本實(shí)施例中，緩沖器103b被構(gòu)成具有用于一個(gè)柵極信號(hào)線的3的反相器。不過(guò)反相器的數(shù)量不限于此。此外，雖然在本實(shí)施例中沒(méi)有提供用于改變信號(hào)電壓的電平移動(dòng)，但是設(shè)計(jì)者可以合適地提供這種電平移動(dòng)電路。
用于柵極的時(shí)鐘信號(hào)G-CLK，和G-CLK的極性相反的用于反相柵極的時(shí)鐘信號(hào)G-CLKb，用于柵極的起始脈沖G-SP，和用于柵極的驅(qū)動(dòng)方向轉(zhuǎn)換信號(hào)G-SL/R通過(guò)圖中所示的相應(yīng)的引線被輸入到移位寄存器103a。
注意本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)可以和實(shí)施例1-9組合實(shí)施。
實(shí)施例11在按照本發(fā)明的EL顯示裝置中，用作EL元件的材料不限于有機(jī)EL材料，也可以使用無(wú)機(jī)EL材料。不過(guò)，因?yàn)槟壳翱傻玫降臒o(wú)機(jī)EL材料具有非常高的驅(qū)動(dòng)電壓，所以必須使用具有能夠承受這種驅(qū)動(dòng)電壓的電阻特性的TFT。
或者，在將來(lái)研制出具有較低的驅(qū)動(dòng)電壓的無(wú)機(jī)EL材料時(shí)，則其可以用于本發(fā)明。
本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)可以和實(shí)施例1-10組合實(shí)施。
實(shí)施例12在本發(fā)明中，用作EL層的有機(jī)材料可以是低分子重量有機(jī)材料或聚合物(高分子)有機(jī)材料。作為低分子重量有機(jī)材料，已知的材料較多使用的有Alq3(3-(8-羥基喹啉脂)鋁)(tris-8-quinonolite-aluminum)，TPD(三苯胺的衍生物)(triphenylaminederivative)。聚合物有機(jī)材料可以給出π-共聚物材料。一般地，可以舉出PPV(polyphenylenevynilene)，PVK(polyvinilcarbazole)或聚碳酸酯或其類似物。
利用簡(jiǎn)單的薄膜形成方法，例如旋轉(zhuǎn)涂敷方法(也叫做溶液涂敷方法)，浸漬方法，分散方法，印刷方法，噴墨方法等可以形成聚合物(高分子)有機(jī)材料的EL層。和低分子重量有機(jī)材料相比，聚合物有機(jī)材料具有高的熱阻。
此外，在按照本發(fā)明的EL顯示裝置的EL元件中包含的EL層具有電子輸送層和正空穴輸送層的情況下，電子輸送層和正空穴輸送層可以由無(wú)機(jī)材料制成，例如由無(wú)定形Si或無(wú)定形Si1－xCx或其類似物構(gòu)成的無(wú)定形半導(dǎo)體。
在無(wú)定形半導(dǎo)體中，具有大量的俘獲電平，同時(shí)，無(wú)定形半導(dǎo)體在無(wú)定形半導(dǎo)體和其它層接觸的界面上形成大量的界面電平。結(jié)果，EL元件可以在低電壓下發(fā)光，并且同時(shí)，可以試圖提供高的亮度。
此外，在有機(jī)EL層中加入添加劑(雜質(zhì))，并且可以改變有機(jī)EL層發(fā)出的光的顏色。這些添加劑包括DCMI，尼羅紅，rubren，豆香素6，TPB和quinaquelidon。
本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)可以和實(shí)施例1-11組合實(shí)施。
實(shí)施例13在本實(shí)施例中，參照?qǐng)D19-20說(shuō)明當(dāng)使用按照本發(fā)明的EL顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法時(shí)用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT被驅(qū)動(dòng)的區(qū)域的電壓電流特性。
在EL元件中，即使施加于EL元件的電壓有輕微的改變，通過(guò)EL元件的電流也按指數(shù)改變。從不同的觀點(diǎn)看來(lái)，可以說(shuō)，即使流過(guò)EL元件的電流改變，施加于EL元件的電壓也不發(fā)生大的變化。這樣，EL元件的亮度幾乎和流過(guò)EL元件的電流成正比地增加。因此，和通過(guò)控制施加于EL元件上的電壓控制EL元件的亮度的方法相比，通過(guò)控制EL元件的電流控制其亮度的方法不容易受TFT特性的影響，因此，利用這種方法，可以更容易地控制EL元件的亮度。
參看圖19。圖19A只示出了在圖3所示的本發(fā)明的EL顯示裝置的像素中的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的元件和EL元件的元件。
圖19B說(shuō)明圖19A所示的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108和EL元件的電壓電流特性。應(yīng)當(dāng)注意，圖19B所示的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的電壓電流曲線表示源極區(qū)和漏極區(qū)之間的電壓VDS對(duì)流過(guò)用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的電流的關(guān)系。圖19B示出了多個(gè)曲線，它們具有在用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的源極區(qū)和漏極區(qū)之間的不同的電壓VGS的曲線。
如圖19A所示，EL元件110的像素電極和相對(duì)電極111之間的電壓用VEL表示，和電源線相連的端子3601和EL元件110的相對(duì)電極111之間的電壓表示為VT。應(yīng)當(dāng)注意，VT的值由電源線的電位確定。此外，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的源極區(qū)和漏極區(qū)之間的電壓用VDS表示，和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極相連的引線3602和用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極的源極區(qū)之間的電壓，即用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的柵極和源極區(qū)之間的電壓用VGS表示。
用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108可以是N溝道型TFT或P溝道型TFT。
此外，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108和EL元件110串聯(lián)連接。因此，流過(guò)用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的電流和流過(guò)EL元件110的電流數(shù)量相等。因而，圖19A所示的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108和EL元件110在表示用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的電壓電流特性的曲線和表示EL元件110的電壓電流特性的曲線的交點(diǎn)(工作點(diǎn))被驅(qū)動(dòng)。在圖19B中，VEL是相對(duì)電極111的電位和工作點(diǎn)的電位之間的電壓。VDS是在用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的端子3601的電位和工作點(diǎn)的電位之間的電壓。因此，VT等于VEL和VDS之和。
此處，以改變VGS為例進(jìn)行說(shuō)明。由圖19B可見(jiàn)，隨著|VGS-VTH|的增加，換句話說(shuō)，當(dāng)|VGS|變大時(shí)，流過(guò)用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的電流變大。應(yīng)當(dāng)注意，VTH是用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的門(mén)限電壓。因此，如圖19B所示，隨著|VGS|增大，在工作點(diǎn)流過(guò)EL元件110的電流必然增大。EL元件110的亮度和流過(guò)EL元件110的電流成正比地增大。
當(dāng)流過(guò)EL元件110的電流隨著|VGS|所增大而增大時(shí)，VEL的值也隨電流的數(shù)量而變大。因?yàn)閂T被電源線的電位確定，當(dāng)VEL變大時(shí)，VDS相應(yīng)地變小。
此外，如圖19B所示，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的電壓電流特性可被VGS和VDS分成兩個(gè)區(qū)域。|VGS－VTH|＜VDS的區(qū)域是飽和區(qū)，而|VGS-VTH|＞VDS的區(qū)域是線性區(qū)。
在飽和區(qū)，IDS＝β(VGS－VTH)2/2 …(1)其中IDS是流過(guò)用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的溝道形成區(qū)的電流的數(shù)量，β＝μC0W/L，μ是用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的遷移率，C0是每單位面積的柵極電容，W/L是溝道形成區(qū)的溝道寬度W對(duì)溝道長(zhǎng)度L的比。
在線性區(qū)，IDS＝β{(VGS-VTH)VDS-VDS2/2} …(2)由式(1)可見(jiàn)，在飽和區(qū)，電流的數(shù)量幾乎不根據(jù)VDS而變，并且只由VGS確定。
在另一方面，由式(2)可見(jiàn)，在線性區(qū)，電流的數(shù)量由VDS和VGS確定。隨著|VGS|的增大，用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108開(kāi)始工作在線性區(qū)。此外，VEL逐漸相應(yīng)地變大，因而VDS相應(yīng)地變小。在線性區(qū)，當(dāng)VDS變小時(shí)，電流的數(shù)量相應(yīng)地變小。因此，即使|VGS|變大，也難于使電流的數(shù)量增加。當(dāng)|VGS|＝∞，電流的數(shù)量變?yōu)镮MAX。換句話說(shuō)，不管|VGS|多大，通過(guò)的電流不會(huì)超過(guò)IMAX。其中，IMAX是當(dāng)VEL＝VT時(shí)通過(guò)EL元件110的電流的數(shù)量。
用這種方式，通過(guò)控制|VGS|，可以使工作點(diǎn)移動(dòng)到飽和區(qū)或線性區(qū)。
這樣，希望所有像素的所有用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT1208具有相同的特性。不過(guò)，實(shí)際上，經(jīng)常有這樣的情況，其中在各個(gè)用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108中的門(mén)限VTH和遷移率不同。由式(1)、(2)可見(jiàn)，即使VGS相同，在用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108當(dāng)中流過(guò)溝道形成區(qū)的電流的數(shù)量也不相同。
圖20說(shuō)明當(dāng)門(mén)限VTH和遷移率μ漂移時(shí)用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT108的電流電壓特性。實(shí)線3701說(shuō)明理想的電流電壓特性，實(shí)線3702和3703說(shuō)明當(dāng)門(mén)限VTH和遷移率μ和理想值不同時(shí)的用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的電流電壓特性。假定在飽和區(qū)內(nèi)，電流電壓特性曲線3702和3703的每一個(gè)和理想的電流電壓特性曲線3701相差一個(gè)相同的電流ΔI1，并且電流電壓特性曲線3702的工作點(diǎn)3705處于飽和區(qū)，而電流電壓特性曲線3703的工作點(diǎn)3706處于線性區(qū)。在這種情況下，當(dāng)在工作點(diǎn)3705、3706的電流和理想電流電壓特性曲線3701的工作點(diǎn)3704的電流偏差用ΔI2、ΔI3表示時(shí)，則ΔI3小于ΔI2。
因而，在使用按照本發(fā)明的數(shù)字驅(qū)動(dòng)方法時(shí)，通過(guò)這樣確定用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT和EL元件，使得其工作點(diǎn)處于線性區(qū)，則可以進(jìn)行能夠抑制由用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的特性偏差引起的EL元件的亮度的不均勻的灰度顯示。
關(guān)于常規(guī)的模擬驅(qū)動(dòng)，最好這樣驅(qū)動(dòng)用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT和EL元件，使得工作點(diǎn)處于飽和區(qū)，其中電流的數(shù)量可以只由|VGS|控制。
作為對(duì)上述的工作分析的總結(jié)，圖21表示用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極電壓|VGS|對(duì)電流數(shù)量的曲線。當(dāng)|VGS|變大并且最后大于用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的門(mén)限電壓|VTH|時(shí)，則用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT成為導(dǎo)通狀態(tài)從而通過(guò)電流。此時(shí)的|VGS|被稱為“發(fā)光開(kāi)始電壓”。當(dāng)|VGS|仍然變大時(shí)，|VGS|達(dá)到|VGS－VTH|＝|VDS|的值(設(shè)A代表該值)，并且曲線從飽和區(qū)3801進(jìn)入線性區(qū)3802。當(dāng)|VGS|繼續(xù)變大因而電流的數(shù)量相應(yīng)地變大時(shí)，最后電流的數(shù)量達(dá)到飽和，此時(shí)|VGS|＝∞。
由圖21可見(jiàn)，在|VGS|≤|VTH|的區(qū)域，幾乎沒(méi)有電流通過(guò)。|VTH|≤|VSG|≤A的區(qū)域是飽和區(qū)，其中電流的數(shù)量按照|VGS|而改變。A≤|VGS|的區(qū)域是線性區(qū)，其中通過(guò)EL元件的電流的數(shù)量按照|VGS|和|VDS|而改變。
在按照本發(fā)明的數(shù)字驅(qū)動(dòng)方法中，最好使用|VGS|≤|VTH|的區(qū)域和A≤|VGS|的線性區(qū)。
本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)可以和實(shí)施例1-12組合實(shí)施。
實(shí)施例14在本發(fā)明中，通過(guò)使用可以使用三重激子(triplet exciton)產(chǎn)生的磷光進(jìn)行外部發(fā)光的EL材料，可以被顯著地改善外部發(fā)光量子效率。結(jié)果，可以減少EL元件的功率消耗，延長(zhǎng)EL元件的壽命，并減輕EL元件的重量。
下面是通過(guò)使用三重激子來(lái)改善外部發(fā)光的量子效率的報(bào)告(T.Tsutsui，C.Adachi，S.Saito，Photochemical Processes inOrganized Molecular Systems，(有組織的模塊化系統(tǒng)中的光化學(xué)處理)ed.K.Honda，(Elsevier Sci.Pub.，Tokyo，1991)o，437)。
上述的文章報(bào)告的EL材料(香豆素色素(coumarin pigment))的分子式如下。
(化學(xué)式1) (M.A.Baldo，D.F.O’Brien，Y.You，A.Shoustikiv，S.Sibley，M.E.Thom-pson，S.R.Forrest，Nature 395(1998)p.151)上述的文章報(bào)告的EL材料(Pt complex)的分子式如下。
(化學(xué)式2) (M.A.Baldo，S.Lamansky，P.E.Burrows，M.E.Thompson，S.R.Forrest，Appl.Phys.Lett.，75(1999)p，4，)(T.Tautsui，M.-J.Yang，M.Yahiro，K.Nakamura，T.Watanabe，T.tsuji，Y.Fukuda，T.Wakimto.S.Mayaguchi，Jpn，Appl.Phys.，38(12B)(1999)L1502)。
上述的文章報(bào)告的EL材料(Ir complex)的分子式如下。
(化學(xué)式3) 如上所述，如果實(shí)際上可以使用來(lái)自三重激子的磷光，在原理上則可以獲得3到4倍的使用來(lái)自單一激子的磷光時(shí)的極好的發(fā)光量子效率。
按照本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)可以和實(shí)施例1-13的任何結(jié)構(gòu)自由組合實(shí)施。
實(shí)施例15
在本實(shí)施例中，說(shuō)明了連接器例如FPC或TAB被連接到按照本發(fā)明的顯示屏上從而完成可交貨的產(chǎn)品的情況。
在圖22中，在像素部分1801中提供有多個(gè)像素。具有像素部分1801和用于把像素部分1801的引線連接到外部的連接器的模決此處被稱為顯示屏1806。
標(biāo)號(hào)1802和1803分別代表源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1802和柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1803的數(shù)量可以是任意的。
具有由源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1802和柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1803，像素電極1801，以及用于把像素部分的引線和驅(qū)動(dòng)電路的引線連接到外部設(shè)備的連接器的模塊此處叫做具有驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏1807。具有驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏1807是被配備有驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏1806。
關(guān)于具有驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏1807，具有兩種情況一種情況是驅(qū)動(dòng)電路和像素部分1801被提供在不同的襯底上并通過(guò)連接器例如FPC或TAB彼此相連；另一種情況是驅(qū)動(dòng)電路和像素部分1801被提供在一個(gè)襯底上。前者被稱為具有外部型驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏，而后者被稱為具有集成型驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏。
圖23A是具有外部型驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏的平面圖。像素部分1801被提供在襯底1810上。像素部分1801的引線通過(guò)FPC1811和源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1802以及柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1803相連，所述兩種驅(qū)動(dòng)電路被提供在外部提供的襯底1814上。源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1802以及柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1803，以及像素部分1801的引線通過(guò)用于和外部相連的FPC1811和外部相連。
應(yīng)當(dāng)注意，雖然在圖23A中，說(shuō)明了其上提供有像素部分1801的襯底1810被提供在外部提供的襯底1814上，但本發(fā)明不限于此，不必把襯底1801提供在外部提供的襯底1814上。
圖23B是本發(fā)明的具有集成型驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏的平面圖。像素部分1801，源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1802和柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1803都被提供在襯底1810上。像素部分1801、源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1802和柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1803的引線通過(guò)用于和外部相連的FPC1812和外部相連。
應(yīng)當(dāng)注意，在圖23中，源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1802和柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1803的數(shù)量不限于此，所述數(shù)量可以由設(shè)計(jì)者合理地選擇。
在圖22中，控制器1804具有用于驅(qū)動(dòng)所述驅(qū)動(dòng)電路的功能，因而能夠使像素部分1801顯示圖像。例如，其具有向源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1802輸入從外部輸入的具有圖像信息的功能，用于產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)所述驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)(例如時(shí)鐘信號(hào)(CLK)或啟動(dòng)脈沖信號(hào)(SP))的功能，以及作為電源用于向驅(qū)動(dòng)電路或像素部分1801提供電壓或電流的功能。
具有驅(qū)動(dòng)電路(源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1802和柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1803)、像素部分1801、控制器1804以及用于使像素部分1801的引線，驅(qū)動(dòng)電路的引線和控制器1804的引線和外部相連的連接器的模塊此處叫做具有控制器和驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏1808。具有控制器和驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏1808是配備有控制器1804和驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏1806。
微型計(jì)算機(jī)1805控制控制器1804的驅(qū)動(dòng)。具有微型計(jì)算機(jī)1805、驅(qū)動(dòng)電路、像素部分1801、控制器1804和用于使像素部分1801的引線，驅(qū)動(dòng)電路的引線和控制器1804的引線和外部相連的連接器的模塊此處叫做具有微型計(jì)算機(jī)，控制器和驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏1809。具有微型計(jì)算機(jī)、控制器和驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏1809是配備有微型計(jì)算機(jī)1805、控制器1804和驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏1806。
應(yīng)當(dāng)注意，實(shí)際上，產(chǎn)品以顯示屏1806、具有驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏1807、具有控制器和驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏1808或具有微型計(jì)算機(jī)、控制器和驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏1809的形式交付。顯示屏1806、具有驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏1807、具有控制器和驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏1808或具有微型計(jì)算機(jī)、控制器和驅(qū)動(dòng)電路的顯示屏1809的任何一種形式此處叫做模塊(顯示器)。按照本發(fā)明的EL顯示裝置就是所述顯示器中的一種。
實(shí)施例16應(yīng)用本發(fā)明的顯示器的EL顯示裝置在亮的位置具有極好的能見(jiàn)度，這是因?yàn)樗亲园l(fā)光型的，這種EL顯示裝置還具有寬的視角。因而，其可以用作各種電子設(shè)備的顯示部分。例如，使用本發(fā)明的顯示器作為利用大屏幕觀看電視的對(duì)角線等于30英寸(一般等于40英寸或更大)或更大的EL顯示裝置的顯示部分是合適的。
注意EL顯示裝置包括所有用于顯示信息的顯示器，例如個(gè)人計(jì)算機(jī)顯示器，電視廣播接收顯示器或廣告顯示器。此外，本發(fā)明的顯示器可以用作其它各種電子設(shè)備的顯示部分。
下面可以給出這種電子設(shè)備的例子視頻攝像機(jī)；數(shù)字照相機(jī)；護(hù)目鏡型顯示器(頭戴顯示器)；汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)；音頻播放裝置(例如汽車(chē)音頻系統(tǒng)，音頻合成系統(tǒng))；筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)；游戲機(jī)；便攜信息終端(例如易動(dòng)計(jì)算機(jī)，便攜電話，便攜游戲機(jī)或電子書(shū))；以及裝有記錄介質(zhì)的圖像播放裝置(具體地說(shuō)，進(jìn)行記錄介質(zhì)播放的裝置，例如數(shù)字視頻盤(pán)(DVD)，這些裝置具有可以顯示這些圖像的顯示部分)。特別是，因?yàn)楸銛y信息終端經(jīng)常從對(duì)角線方向觀看，視野的寬度是至關(guān)重要的。因而，最好使用OLED顯示裝置。這些電子設(shè)備的例子如圖24和25所示。
圖24A說(shuō)明一種EL監(jiān)視器，包括框架3301，支撐臺(tái)3302，顯示部分3303等。本發(fā)明可用作顯示部分3303。可以使用按照本發(fā)明的顯示器作為顯示部分3303。
圖24B是一種視頻攝像機(jī)，其具有主體3311，顯示部分3312，聲音輸入部分3313，操作開(kāi)關(guān)3314，電池3315，和圖像接收部分3316。按照本發(fā)明的顯示器可以用作顯示部分3312。
圖24C表示頭戴EL顯示裝置的一部分，其包括主體3321，信號(hào)電纜3322，頭部固定帶3323，顯示屏3324，光學(xué)系統(tǒng)3325，顯示部分3326等。按照本發(fā)明的顯示器可以用作顯示部分3326。
圖24D是裝有記錄介質(zhì)的圖像播放裝置(特別是DVD播放裝置)，其具有主體3331，記錄介質(zhì)(DVD等)3332，操作開(kāi)關(guān)3333，顯示部分(a)3334和另一個(gè)顯示部分(b)3335等。顯示部分(a)3334主要顯示圖像信息，而顯示部分(b)3335主要顯示字符信息，按照本發(fā)明的發(fā)光模塊可以用作顯示部分(a)3334和顯示部分(b)3335。包括記錄介質(zhì)的圖像播放裝置還包括家庭游戲設(shè)備等。
圖24E表示一種護(hù)目鏡型顯示器(頭戴顯示器)，其包括主體3341，顯示部分3342，臂部3343。本發(fā)明的顯示器可以用作其它各種電子設(shè)備的顯示部分3342。
圖24F是一種個(gè)人計(jì)算機(jī)，其具有主體3351，殼體3352，顯示部分3353和鍵盤(pán)3354等。按照本發(fā)明的發(fā)光模塊可以用作顯示部分3353。
注意如果在將來(lái)EL材料能夠具有較高的亮度，則其可以應(yīng)用于前型或后型投影器，其中包括輸出圖像信息的光借助于透鏡等被放大，并被投射。
上述的電子設(shè)備經(jīng)常用于顯示通過(guò)電信通路例如互聯(lián)網(wǎng)、CATV(有線電視系統(tǒng))傳輸?shù)男畔ⅲ绕涫怯糜陲@示運(yùn)動(dòng)圖像信息。EL顯示裝置適用于顯示運(yùn)動(dòng)圖像信息，這是因?yàn)镋L材料具有高的響應(yīng)速度。
此外，因?yàn)镋L顯示裝置的發(fā)光部分消耗功率，所以最好用這種方式顯示信息，使得其中的發(fā)光的部分盡可能地小。因而，當(dāng)EL顯示裝置應(yīng)用于主要用于顯示字符信息的顯示部分時(shí)，例如應(yīng)用于便攜信息終端的顯示部分，特別是便攜電話或音頻播放裝置的顯示部分時(shí)，最好這樣驅(qū)動(dòng)EL顯示裝置，使得由發(fā)光的部分形成字符信息，而不發(fā)光的部分作為背景。
圖25A表示一種便攜電話，其具有主體3401，音頻輸出部分3402，音頻輸入部分3403，顯示部分3404，操作開(kāi)關(guān)3405和天線3406。按照本發(fā)明的發(fā)光模塊可以用作顯示部分3404。注意通過(guò)在黑色背景上顯示白色字符，顯示部分3404可以減少便攜電話的功率消耗。
圖25B表示聲音播放裝置，尤其是被安裝在機(jī)動(dòng)車(chē)輛上的音頻裝置，其包括主體3411，顯示部分3412，操作開(kāi)關(guān)3413、3414。按照本發(fā)明的發(fā)光模塊可以用作顯示部分3412。雖然作為本實(shí)施例中的音頻裝置的一個(gè)例子示出了安裝在機(jī)動(dòng)車(chē)輛上的音頻裝置，但是本發(fā)明也可以用于家庭中的音頻裝置。通過(guò)在黑色背景上顯示白色字符，顯示部分3412可以減少功率消耗，這對(duì)于便攜式聲音播放裝置是尤其有利的。
圖25C是一種數(shù)字照相機(jī)(camera)，其包括主體3501，顯示部分(A)3502，取景部分3503，操作開(kāi)關(guān)3504，顯示部分(B)3505和電池3506。本發(fā)明可以用作顯示部分(A)3502和顯示部分(B)3505。此外，在顯示部分(B)3505被用作控制面板的情況下，通過(guò)在黑色背景上顯示白色字符，可以減少功率消耗。
在本實(shí)施例中所示的便攜式電子設(shè)備的情況下，提供寄檢測(cè)器部分用于檢測(cè)外部光，當(dāng)在暗處使用時(shí)，其可以降低顯示器的亮度，因而可以降低功率消耗。
如上所述，本發(fā)明具有廣闊的應(yīng)用范圍，其可以用于各種電氣設(shè)備。在本實(shí)施例中的電子設(shè)備可以使用實(shí)施例1-15所示的任何一種結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例16應(yīng)用本發(fā)明的顯示器的EL顯示裝置在亮的位置具有極好的能見(jiàn)度，這是因?yàn)樗亲园l(fā)光型的，這種EL顯示裝置還具有寬的視角。因而，其可以用作各種電子設(shè)備的顯示部分。例如，使用本發(fā)明的顯示器作為利用大屏幕觀看電視的對(duì)角線等于30英寸(一般等于40英寸或更大)或更大的EL顯示裝置的顯示部分是合適的。
注意EL顯示裝置包括所有用于顯示信息的顯示器，例如個(gè)人計(jì)算機(jī)顯示器，電視廣播接收顯示器或廣告顯示器。此外，本發(fā)明的顯示器可以用作其它各種電子設(shè)備的顯示部分。
下面可以給出這種電子設(shè)備的例子視頻攝像機(jī)；數(shù)字照相機(jī)；護(hù)目鏡型顯示器(頭戴顯示器)；汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)；音頻播放裝置(例如汽車(chē)音頻系統(tǒng)，音頻合成系統(tǒng))；筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)；游戲機(jī)；便攜信息終端(例如易動(dòng)計(jì)算機(jī)，便攜電話，便攜游戲機(jī)或電子書(shū))；以及裝有記錄介質(zhì)的圖像播放裝置(具體地說(shuō)，進(jìn)行記錄介質(zhì)播放的裝置，例如數(shù)字視頻盤(pán)(DVD)，這些裝置具有可以顯示這些圖像的顯示部分)。特別是，因?yàn)楸銛y信息終端經(jīng)常從對(duì)角線方向觀看，視野的寬度是至關(guān)重要的。因而，最好使用OLED顯示裝置。這些電子設(shè)備的例子如圖24和25所示。
圖24A說(shuō)明一種EL監(jiān)視器，包括框架3301，支撐臺(tái)3302，顯示部分3303等。本發(fā)明可用作顯示部分3303?？梢允褂冒凑毡景l(fā)明的顯示器作為顯示部分3303。
圖24B是一種視頻攝像機(jī)，其具有主體3311，顯示部分3312，聲音輸入部分3313，操作開(kāi)關(guān)3314，電池3315，和圖像接收部分3316。按照本發(fā)明的顯示器可以用作顯示部分3312。
圖24C表示頭戴EL顯示裝置的一部分，其包括主體3321，信號(hào)電纜3322，頭部固定帶3323，顯示屏3324，光學(xué)系統(tǒng)3325，顯示部分3326等。按照本發(fā)明的顯示器可以用作顯示部分3326。
圖24D是裝有記錄介質(zhì)的圖像播放裝置(特別是DVD播放裝置)，其具有主體3331，記錄介質(zhì)(DVD等)3332，操作開(kāi)關(guān)3333，顯示部分(a)3334和另一個(gè)顯示部分(b)3335等。顯示部分(a)3334主要顯示圖像信息，而顯示部分(b)3335主要顯示字符信息，按照本發(fā)明的發(fā)光模塊可以用作顯示部分(a)3334和顯示部分(b)3335。包括記錄介質(zhì)的圖像播放裝置還包括家庭游戲設(shè)備等。
圖24E表示一種護(hù)目鏡型顯示器(頭戴顯示器)，其包括主體3341，顯示部分3342，臂部3343。本發(fā)明的顯示器可以用作其它各種電子設(shè)備的顯示部分3342。
圖24F是一種個(gè)人計(jì)算機(jī)，其具有主體3351，殼體3352，顯示部分3353和鍵盤(pán)3354等。按照本發(fā)明的發(fā)光模塊可以用作顯示部分3353。
注意如果在將來(lái)EL材料能夠具有較高的亮度，則其可以應(yīng)用于前型或后型投影器，其中包括輸出圖像信息的光借助于透鏡等被放大，并被投射。
上述的電子設(shè)備經(jīng)常用于顯示通過(guò)電信通路例如互聯(lián)網(wǎng)、CATV(有線電視系統(tǒng))傳輸?shù)男畔?，尤其是用于顯示運(yùn)動(dòng)圖像信息。EL顯示裝置適用于顯示運(yùn)動(dòng)圖像信息，這是因?yàn)镋L材料具有高的響應(yīng)速度。
此外，因?yàn)镋L顯示裝置的發(fā)光部分消耗功率，所以最好用這種方式顯示信息，使得其中的發(fā)光的部分盡可能地小。因而，當(dāng)EL顯示裝置應(yīng)用于主要用于顯示字符信息的顯示部分時(shí)，例如應(yīng)用于便攜信息終端的顯示部分，特別是便攜電話或音頻播放裝置的顯示部分時(shí)，最好這樣驅(qū)動(dòng)EL顯示裝置，使得由發(fā)光的部分形成字符信息，而不發(fā)光的部分作為背景。
圖25A表示一種便攜電話，其具有主體3401，音頻輸出部分3402，音頻輸入部分3403，顯示部分3404，操作開(kāi)關(guān)3405和天線3406。按照本發(fā)明的發(fā)光模塊可以用作顯示部分3404。注意通過(guò)在黑色背景上顯示白色字符，顯示部分3404可以減少便攜電話的功率消耗。
此外，圖25B表示聲音播放裝置，尤其是被安裝在機(jī)動(dòng)車(chē)輛上的音頻裝置，其包括主體3411，顯示部分3412，操作開(kāi)關(guān)3413、3414。按照本發(fā)明的發(fā)光模塊可以用作顯示部分3412。雖然作為本實(shí)施例中的音頻裝置的一個(gè)例子示出了安裝在機(jī)動(dòng)車(chē)輛上的音頻裝置，但是本發(fā)明也可以用于家庭中的音頻裝置。通過(guò)在黑色背景上顯示白色字符，顯示部分3412可以減少功率消耗，這對(duì)于便攜式聲音播放裝置是尤其有利的。
圖25C是一種數(shù)字照相機(jī)，其包括主體3501，顯示部分(A)3502，取景部分3503，操作開(kāi)關(guān)3504，顯示部分(B)3505和電池3506。本發(fā)明可以用作顯示部分(A)3502和顯示部分(B)3505。此外，在顯示部分(B)3505被用作控制面板的情況下，通過(guò)在黑色背景上顯示白色字符，可以減少功率消耗。
在本實(shí)施例中所示的便攜式電子設(shè)備的情況下，提供寄檢測(cè)器部分用于檢測(cè)外部光，當(dāng)在暗處使用時(shí)，其可以降低顯示器的亮度，因而可以降低功率消耗。
如上所述，本發(fā)明具有廣闊的應(yīng)用范圍，其可以用于各種電氣設(shè)備。在本實(shí)施例中的電子設(shè)備可以使用實(shí)施例1-15所示的任何一種結(jié)構(gòu)。
此外，按照本發(fā)明，可以提供不發(fā)光的周期，在這個(gè)周期期間不進(jìn)行顯示。在常規(guī)的模擬驅(qū)動(dòng)方法的情況下，如果在EL顯示裝置上顯示所有像素都是白色的圖像，則EL元件總是發(fā)光，這是加速EL元件劣化的原因。按照本發(fā)明，因?yàn)榭梢蕴峁┎话l(fā)光周期，所以在某種程度上可以抑制EL層的劣化。
權(quán)利要求
1.一種顯示置，包括多個(gè)柵極信號(hào)線和多個(gè)像素，所述多個(gè)像素的每一個(gè)被至少一個(gè)所述的多個(gè)柵極信號(hào)線控制，其中所述多個(gè)像素的每一個(gè)包括第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，第二用作開(kāi)關(guān)的TFT，用于清除的TFT，用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT，以及電致發(fā)光元件；所述用于清除的TFT的導(dǎo)通和截止的轉(zhuǎn)換由施加于所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第k個(gè)柵極信號(hào)線上的電壓控制，其中k是自然數(shù)；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的導(dǎo)通和截止的轉(zhuǎn)換由施加于所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋1)個(gè)柵極信號(hào)線上的電壓控制；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的導(dǎo)通和截止的轉(zhuǎn)換由施加于所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋2)個(gè)柵極信號(hào)線上的電壓控制；當(dāng)所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT導(dǎo)通時(shí)，數(shù)字視頻信號(hào)被輸入到所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極；所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的導(dǎo)通和截止的轉(zhuǎn)換由所述數(shù)字信號(hào)控制；當(dāng)所述用于清除的TFT導(dǎo)通時(shí)，所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT截止；以及當(dāng)所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT導(dǎo)通時(shí)，所述電致發(fā)光元件發(fā)光，當(dāng)所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT截止時(shí)，所述電致發(fā)光元件不發(fā)光。
2.一種顯示裝置，包括；多個(gè)源極信號(hào)線；和所述多個(gè)柵極信號(hào)線交叉的多個(gè)柵極信號(hào)線；沿著所述多個(gè)源極信號(hào)線的所述多個(gè)柵極信號(hào)線的多個(gè)電源線；以及被設(shè)置成陣列形式的多個(gè)像素，其中所述多個(gè)像素的每一個(gè)包括第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，第二用作開(kāi)關(guān)的TFT，用于清除的TFT，用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT，以及電致發(fā)光元件；所述用于清除的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第k個(gè)柵極信號(hào)線相連，其中k是自然數(shù)；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋1)個(gè)柵極信號(hào)線相連；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋2)個(gè)柵極信號(hào)線相連；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)之一和所述多個(gè)源極信號(hào)線的一個(gè)相連，而另一個(gè)和所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的源極區(qū)或漏極區(qū)相連；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的不和所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的所述源極區(qū)或漏極區(qū)相連的所述源極區(qū)或漏極區(qū)和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連；所述用于清除的TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)的一個(gè)和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連，而另一個(gè)和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連；以及所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的源極區(qū)和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連，所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的漏極區(qū)和所述電致發(fā)光元件相連。
3.一種顯示裝置，包括；多個(gè)源極信號(hào)線；和所述多個(gè)柵極信號(hào)線交叉的多個(gè)柵極信號(hào)線；沿著所述多個(gè)源極信號(hào)線的所述多個(gè)柵極信號(hào)線的多個(gè)電源線；以及被設(shè)置成陣列形式的多個(gè)像素，其中所述多個(gè)像素的每一個(gè)包括第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，第二用作開(kāi)關(guān)的TFT，用于清除的TFT，用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT，以及電致發(fā)光元件；所述用于清除的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第k個(gè)柵極信號(hào)線相連，其中k是自然數(shù)；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋2)個(gè)柵極信號(hào)線相連；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋1)個(gè)柵極信號(hào)線相連；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)之一和所述多個(gè)源極信號(hào)線的一個(gè)相連，而另一個(gè)和所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的源極區(qū)或漏極區(qū)相連；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的不和所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的所述源極區(qū)或漏極區(qū)相連的所述源極區(qū)或漏極區(qū)和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連；所述用于清除的TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)的一個(gè)和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連，而另一個(gè)和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連；以及所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的源極區(qū)和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連，所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的漏極區(qū)和所述電致發(fā)光元件相連。
4.一種顯示裝置，包括；多個(gè)源極信號(hào)線；和所述多個(gè)柵極信號(hào)線交叉的多個(gè)柵極信號(hào)線；沿著所述多個(gè)源極信號(hào)線的所述多個(gè)柵極信號(hào)線的多個(gè)電源線；以及被設(shè)置成陣列形式的多個(gè)像素，其中所述多個(gè)像素的每一個(gè)包括第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，第二用作開(kāi)關(guān)的TFT，用于清除的TFT，用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT，以及電致發(fā)光元件；所述電致發(fā)光元件包括陽(yáng)極、陰極和被提供在所述陽(yáng)極和所述陰極之間的電致發(fā)光層；所述用于清除的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第k個(gè)柵極信號(hào)線相連，其中k是自然數(shù)；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋1)個(gè)柵極信號(hào)線相連；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋2)個(gè)柵極信號(hào)線相連；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)之一和所述多個(gè)源極信號(hào)線的一個(gè)相連，而另一個(gè)和所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的源極區(qū)或漏極區(qū)相連；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的不和所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的所述源極區(qū)或漏極區(qū)相連的所述源極區(qū)或漏極區(qū)和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連；所述用于清除的TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)的一個(gè)和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連，而另一個(gè)和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連；以及所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的源極區(qū)和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連，所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的漏極區(qū)和所述陽(yáng)極相連；并且所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT是P溝道型TFT。
5.一種顯示裝置，包括；多個(gè)源極信號(hào)線；和所述多個(gè)柵極信號(hào)線交叉的多個(gè)柵極信號(hào)線；沿著所述多個(gè)源極信號(hào)線的所述多個(gè)柵極信號(hào)線的多個(gè)電源線；以及被設(shè)置成陣列形式的多個(gè)像素，其中所述多個(gè)像素的每一個(gè)包括第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，第二用作開(kāi)關(guān)的TFT，用于清除的TFT，用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT，以及電致發(fā)光元件；所述電致發(fā)光元件包括陽(yáng)極、陰極和被提供在所述陽(yáng)極和所述陰極之間的電致發(fā)光層；所述用于清除的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第k個(gè)柵極信號(hào)線相連，其中k是自然數(shù)；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋1)個(gè)柵極信號(hào)線相連；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋2)個(gè)柵極信號(hào)線相連；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)之一和所述多個(gè)源極信號(hào)線的一個(gè)相連，而另一個(gè)和所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的源極區(qū)或漏極區(qū)相連；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的不和所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的所述源極區(qū)或漏極區(qū)相連的所述源極區(qū)或漏極區(qū)和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連；所述用于清除的TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)的一個(gè)和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連，而另一個(gè)和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連；以及所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的源極區(qū)和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連，所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的漏極區(qū)和所述陰極相連；并且所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT是N溝道型TFT。
6.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中所述電致發(fā)光層由小分子的有機(jī)物質(zhì)或者聚合有機(jī)材料制成。
7.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中所述電致發(fā)光層由小分子的有機(jī)物質(zhì)或者聚合有機(jī)材料制成。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中所述小分子有機(jī)材料由Alq3(3-(8-羥基喹啉脂)鋁)(tris-8-quinonolate-aluminum)，或TPD(三苯胺的衍生物)(triphenylamine derivative)制成。
9.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中所述小分子有機(jī)材料由Alq3(3-(8-羥基喹啉脂)鋁)(tris-8-quinonolate-aluminum)，或TPD(三苯胺的衍生物)(triphenylamine derivative)制成。
10.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中所述聚合物有機(jī)材料由PPV(polyphenylenevynilene)，PVK(polyvinilcarbazole)或聚碳酸酯制成。
11.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中所述聚合物有機(jī)材料由PPV(polyphenylenevynilene)，PVK(polyvinilcarbazole)或聚碳酸酯制成。
12.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中所述陽(yáng)極或陰極直接地或通過(guò)至少一個(gè)引線和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的所述漏極區(qū)相連；以及在所述陽(yáng)極或陰極和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的所述漏極區(qū)或者和所述至少一個(gè)引線相連的區(qū)域上方形成岸。
13.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中所述陽(yáng)極或陰極直接地或通過(guò)至少一個(gè)引線和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的所述漏極區(qū)相連；以及在所述陽(yáng)極或陰極和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的所述漏極區(qū)或者和所述至少一個(gè)引線相連的區(qū)域上方形成岸。
14.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中所述岸具有光遮斷性能。
15.一種顯示裝置，包括；多個(gè)源極信號(hào)線；和所述多個(gè)柵極信號(hào)線交叉的多個(gè)柵極信號(hào)線；沿著所述多個(gè)源極信號(hào)線的所述多個(gè)柵極信號(hào)線的多個(gè)電源線；以及被設(shè)置成陣列形式的多個(gè)像素，其中所述多個(gè)像素的每一個(gè)包括第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，第二用作開(kāi)關(guān)的TFT，用于清除的TFT，用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT，以及電致發(fā)光元件；所述用于清除的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第k個(gè)柵極信號(hào)線相連，其中k是自然數(shù)；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋1)個(gè)柵極信號(hào)線相連；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋2)個(gè)柵極信號(hào)線相連；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)之一和所述多個(gè)源極信號(hào)線的一個(gè)相連，而另一個(gè)和所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的源極區(qū)或漏極區(qū)相連；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的不和所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的所述源極區(qū)或漏極區(qū)相連的所述源極區(qū)或漏極區(qū)和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連；所述用于清除的TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)的一個(gè)和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連，而另一個(gè)和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連；以及所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的源極區(qū)和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連，所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的漏極區(qū)和所述電致發(fā)光元件相連；在一個(gè)幀周期中提供多個(gè)寫(xiě)周期Ta和多個(gè)清除周期Te；在所述多個(gè)寫(xiě)周期Ta期間，所述多個(gè)柵極信號(hào)線按照按順序?qū)λ龆鄠€(gè)柵極信號(hào)線輸入的第一選擇信號(hào)被按順序選擇；在所述多個(gè)清除周期Te期間，所述多個(gè)柵極信號(hào)線按照被串行地輸入給所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第二選擇信號(hào)被串行地選擇；按照所述第一選擇信號(hào)從所述多個(gè)柵極信號(hào)線選擇柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔和選擇相鄰的柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔相互重疊；按照所述第二選擇信號(hào)從所述多個(gè)柵極信號(hào)線選擇柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔和選擇相鄰的柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔相互不重疊；以及按照所述第一選擇信號(hào)從所述多個(gè)柵極信號(hào)線選擇任何一個(gè)柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔是按照所述第二選擇信號(hào)選擇所述柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔的兩倍。
16.一種顯示裝置，包括；多個(gè)源極信號(hào)線；和所述多個(gè)柵極信號(hào)線交叉的多個(gè)柵極信號(hào)線；沿著所述多個(gè)源極信號(hào)線的所述多個(gè)柵極信號(hào)線的多個(gè)電源線；以及被設(shè)置成陣列形式的多個(gè)像素，其中所述多個(gè)像素的每一個(gè)包括第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，第二用作開(kāi)關(guān)的TFT，用于清除的TFT，用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT，以及電致發(fā)光元件；所述用于清除的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第k個(gè)柵極信號(hào)線相連，其中k是自然數(shù)；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋1)個(gè)柵極信號(hào)線相連；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋2)個(gè)柵極信號(hào)線相連；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)之一和所述多個(gè)源極信號(hào)線的一個(gè)相連，而另一個(gè)和所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的源極區(qū)或漏極區(qū)相連；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的不和所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的所述源極區(qū)或漏極區(qū)相連的所述源極區(qū)或漏極區(qū)和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連；所述用于清除的TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)的一個(gè)和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連，而另一個(gè)和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連；以及所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的源極區(qū)和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連，所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的漏極區(qū)和所述電致發(fā)光元件相連；在一個(gè)幀周期中提供多個(gè)寫(xiě)周期Ta和多個(gè)清除周期Te；在所述多個(gè)寫(xiě)周期Ta期間，所述多個(gè)柵極信號(hào)線按照按順序?qū)λ龆鄠€(gè)柵極信號(hào)線輸入的第一選擇信號(hào)被按順序選擇；在所述多個(gè)清除周期Te期間，所述多個(gè)柵極信號(hào)線按照被串行地輸入給所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第二選擇信號(hào)被串行地選擇；按照所述第一選擇信號(hào)從所述多個(gè)柵極信號(hào)線選擇柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔和選擇相鄰的柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔相互重疊；按照所述第二選擇信號(hào)從所述多個(gè)柵極信號(hào)線選擇柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔和選擇相鄰的柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔相互不重疊；在按照所述第一選擇信號(hào)選擇所述多個(gè)柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔期間，對(duì)所述多個(gè)源極信號(hào)線輸入數(shù)字視頻信號(hào)；以及按照所述第一選擇信號(hào)從所述多個(gè)柵極信號(hào)線選擇任何一個(gè)柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔是按照所述第二選擇信號(hào)選擇所述柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔的兩倍。
17.一種顯示裝置，包括；多個(gè)源極信號(hào)線；和所述多個(gè)柵極信號(hào)線交叉的多個(gè)柵極信號(hào)線；沿著所述多個(gè)源極信號(hào)線的所述多個(gè)柵極信號(hào)線的多個(gè)電源線；以及被設(shè)置成陣列形式的多個(gè)像素，其中所述多個(gè)像素的每一個(gè)包括第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，第二用作開(kāi)關(guān)的TFT，用于清除的TFT，用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT，以及電致發(fā)光元件；所述用于清除的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第k個(gè)柵極信號(hào)線相連，其中k是自然數(shù)；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋1)個(gè)柵極信號(hào)線相連；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋2)個(gè)柵極信號(hào)線相連；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)之一和所述多個(gè)源極信號(hào)線的一個(gè)相連，而另一個(gè)和所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的源極區(qū)或漏極區(qū)相連；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的不和所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的所述源極區(qū)或漏極區(qū)相連的所述源極區(qū)或漏極區(qū)和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連；所述用于清除的TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)的一個(gè)和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連，而另一個(gè)和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連；以及所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的源極區(qū)和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連，所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的漏極區(qū)和所述電致發(fā)光元件相連；在一個(gè)幀周期中提供n個(gè)寫(xiě)周期Ta1，Ta2，...，和Tan和(m－1)個(gè)清除周期Te1，Te2，...，和Te(m－1)，其中m是從2到n的任意數(shù)；在所述多個(gè)寫(xiě)周期Ta1，Ta2，...，和Tan期間，所述數(shù)字視頻信號(hào)被輸入到所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極；在所述多個(gè)清除周期Te1，Te2，...，和Te(m－1)期間，被輸入到所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極的所述數(shù)字視頻信號(hào)被清除；從所述寫(xiě)周期Ta1，Ta2，...，和Tan開(kāi)始到在所述寫(xiě)周期Ta1，Ta2，…，和Tan出現(xiàn)的寫(xiě)周期或清除周期之后的開(kāi)始的間隔，分別是顯示周期Tr1，Tr2，...，和Tr(m－1)；從所述清除周期Te1，Te2，...，和Te(m－1)開(kāi)始到在所述清除周期Te1，Te2，...，和Te(m－1)之后出現(xiàn)的寫(xiě)周期的開(kāi)始的間隔分別是非顯示周期Td1，Td2，...Tdn；按照所述數(shù)字視頻信號(hào)選擇在所述顯示周期Tr1，Tr2，...，和Tr(m－1)期間所述電致發(fā)光元件發(fā)光或不發(fā)光；以及所述顯示周期Tr1，Tr2，...，和Trn的長(zhǎng)度比被表示為20∶21∶...∶2(n－1)。
18.一種顯示裝置，包括；多個(gè)源極信號(hào)線；和所述多個(gè)柵極信號(hào)線交叉的多個(gè)柵極信號(hào)線；沿著所述多個(gè)源極信號(hào)線的所述多個(gè)柵極信號(hào)線的多個(gè)電源線；以及被設(shè)置成陣列形式的多個(gè)像素，其中所述多個(gè)像素的每一個(gè)包括第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，第二用作開(kāi)關(guān)的TFT，用于清除的TFT，用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT，以及電致發(fā)光元件；所述用于清除的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第k個(gè)柵極信號(hào)線相連，其中k是自然數(shù)；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋1)個(gè)柵極信號(hào)線相連；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的柵極和所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第(k＋2)個(gè)柵極信號(hào)線相連；所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)之一和所述多個(gè)源極信號(hào)線的一個(gè)相連，而另一個(gè)和所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的源極區(qū)或漏極區(qū)相連；所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT的不和所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT的所述源極區(qū)或漏極區(qū)相連的所述源極區(qū)或漏極區(qū)和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連；所述用于清除的TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)的一個(gè)和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連，而另一個(gè)和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連；以及所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的源極區(qū)和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連，所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的漏極區(qū)和所述電致發(fā)光元件相連；在一個(gè)幀周期中提供n個(gè)寫(xiě)周期Ta1，Ta2，...，和Tan和(m－1)個(gè)清除周期Te1，Te2，...，和Te(m－1)，其中m是從2到n的任意數(shù)；在所述多個(gè)寫(xiě)周期Ta1，Ta2，...，和Tan期間，所述數(shù)字視頻信號(hào)被輸入到所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極；在所述多個(gè)清除周期Te1，Te2，...，和Te(m－1)期間，被輸入到所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極的所述數(shù)字視頻信號(hào)被清除；從所述寫(xiě)周期Ta1，Ta2，...，和Tan開(kāi)始到在所述寫(xiě)周期Ta1，Ta2，...，和Tan出現(xiàn)之后的寫(xiě)周期或清除周期的開(kāi)始的間隔，分別是顯示周期Tr1，Tr2，...，和Tr(m－1)；從所述清除周期Te1，Te2，...，和Te(m－1)開(kāi)始到在所述清除周期Te1，Te2，...，和Te(m－1)之后出現(xiàn)的寫(xiě)周期的開(kāi)始的間隔分別是非顯示周期Td1，Td2，...Tdn；按照所述數(shù)字視頻信號(hào)選擇在所述顯示周期Tr1，Tr2，...，和Tr(m－1)期間所述電致發(fā)光元件發(fā)光或不發(fā)光；以及所述顯示周期Tr1，Tr2，...，和Trn的長(zhǎng)度比被表示為20∶21∶…∶2(n－1)；在所述多個(gè)寫(xiě)周期Ta1，Ta2，...，和Tan期間，所述多個(gè)柵極信號(hào)線按照串行地對(duì)所述多個(gè)柵極信號(hào)線輸入的第一選擇信號(hào)被串行地選擇；在所述多個(gè)清除周期Te1，Te2，...，和Te(m－1)期間，所述多個(gè)柵極信號(hào)線按照被串行地輸入給所述多個(gè)柵極信號(hào)線的第二選擇信號(hào)被串行地選擇；按照所述第一選擇信號(hào)從所述多個(gè)柵極信號(hào)線選擇柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔和選擇相鄰的柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔相互重疊；按照所述第二選擇信號(hào)從所述多個(gè)柵極信號(hào)線選擇柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔和選擇相鄰的柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔相互不重疊；以及按照所述第一選擇信號(hào)從所述多個(gè)柵極信號(hào)線選擇任何一個(gè)柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔是按照所述第二選擇信號(hào)選擇所述柵極信號(hào)線的時(shí)間間隔的兩倍。
19.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述顯示周期Tr1，Tr2，...，和Trn按照隨機(jī)的順序出現(xiàn)。
20.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中所述顯示周期Tr1，Tr2，...，和Trn按照隨機(jī)的順序出現(xiàn)。
21.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中在所述非顯示周期Td1，Td2，...Tdn當(dāng)中的最長(zhǎng)的非顯示周期出現(xiàn)在一個(gè)幀周期的最后。
22.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中在所述非顯示周期Td1，Td2，...Tdn當(dāng)中的最長(zhǎng)的非顯示周期出現(xiàn)在一個(gè)幀周期的最后。
23.如權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中所述多個(gè)寫(xiě)周期Ta不相互重疊。
24.如權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中所述多個(gè)寫(xiě)周期Ta不相互重疊。
25.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述多個(gè)寫(xiě)周期Ta1，Ta2....Tan不相互重疊。
26.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中所述多個(gè)寫(xiě)周期Ta1，Ta2....Tan不相互重疊。
27.如權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中所述多個(gè)清除周期Te不相互重疊。
28.如權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中所述多個(gè)清除周期Te不相互重疊。
29.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述多個(gè)清除周期Te1，Te2，...，和Te(m－1)不相互重疊。
30.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中所述多個(gè)清除周期Te1，Te2，...，和Te(m－1)不相互重疊。
31.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，還包括和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連的柵極引線；以及和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連的電容引線，其中在所述柵極引線和所述電容引線之間提供有所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT、所述用于清除的TFT和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極絕緣膜。
32.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，還包括和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連的柵極引線；以及和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連的電容引線，其中在所述柵極引線和所述電容引線之間提供有所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT、所述用于清除的TFT和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極絕緣膜。
33.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，還包括和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連的柵極引線；以及和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連的電容引線，其中在所述柵極引線和所述電容引線之間提供有所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT、所述用于清除的TFT和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極絕緣膜。
34.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，還包括和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連的柵極引線；以及和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連的電容引線，其中在所述柵極引線和所述電容引線之間提供有所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT、所述用于清除的TFT和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極絕緣膜。
35.如權(quán)利要求15所述的顯示裝置，還包括和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連的柵極引線；以及和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連的電容引線，其中在所述柵極引線和所述電容引線之間提供有所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT、所述用于清除的TFT和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極絕緣膜。
36.如權(quán)利要求16所述的顯示裝置，還包括和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連的柵極引線；以及和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連的電容引線，其中在所述柵極引線和所述電容引線之間提供有所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT、所述用于清除的TFT和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極絕緣膜。
37.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，還包括和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連的柵極引線；以及和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連的電容引線，其中在所述柵極引線和所述電容引線之間提供有所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT、所述用于清除的TFT和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極絕緣膜。
38.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，還包括和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極相連的柵極引線；以及和所述多個(gè)電源線的一個(gè)相連的電容引線，其中在所述柵極引線和所述電容引線之間提供有所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT、所述用于清除的TFT和所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的柵極絕緣膜。
39.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中沿著所述多個(gè)柵極信號(hào)線的提供方向設(shè)置的所述多個(gè)像素中的兩個(gè)彼此相鄰，其間夾著所述多個(gè)電源線中的任何一個(gè)，并且所述兩個(gè)像素的用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的各個(gè)源極區(qū)和所述多個(gè)電源線的所述一個(gè)相連。
40.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中沿著所述多個(gè)柵極信號(hào)線的提供方向設(shè)置的所述多個(gè)像素中的兩個(gè)彼此相鄰，其間夾著所述多個(gè)電源線中的任何一個(gè)，并且所述兩個(gè)像素的用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的各個(gè)源極區(qū)和所述多個(gè)電源線的所述一個(gè)相連。
41.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中沿著所述多個(gè)柵極信號(hào)線的提供方向設(shè)置的所述多個(gè)像素中的兩個(gè)彼此相鄰，其間夾著所述多個(gè)電源線中的任何一個(gè)，并且所述兩個(gè)像素的用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的各個(gè)源極區(qū)和所述多個(gè)電源線的所述一個(gè)相連。
42.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中沿著所述多個(gè)柵極信號(hào)線的提供方向設(shè)置的所述多個(gè)像素中的兩個(gè)彼此相鄰，其間夾著所述多個(gè)電源線中的任何一個(gè)，并且所述兩個(gè)像素的用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的各個(gè)源極區(qū)和所述多個(gè)電源線的所述一個(gè)相連。
43.如權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中沿著所述多個(gè)柵極信號(hào)線的提供方向設(shè)置的所述多個(gè)像素中的兩個(gè)彼此相鄰，其間夾著所述多個(gè)電源線中的任何一個(gè)，并且所述兩個(gè)像素的用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的各個(gè)源極區(qū)和所述多個(gè)電源線的所述一個(gè)相連。
44.如權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中沿著所述多個(gè)柵極信號(hào)線的提供方向設(shè)置的所述多個(gè)像素中的兩個(gè)彼此相鄰，其間夾著所述多個(gè)電源線中的任何一個(gè)，并且所述兩個(gè)像素的用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的各個(gè)源極區(qū)和所述多個(gè)電源線的所述一個(gè)相連。
45.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中沿著所述多個(gè)柵極信號(hào)線的提供方向設(shè)置的所述多個(gè)像素中的兩個(gè)彼此相鄰，其間夾著所述多個(gè)電源線中的任何一個(gè)，并且所述兩個(gè)像素的用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的各個(gè)源極區(qū)和所述多個(gè)電源線的所述一個(gè)相連。
46.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中沿著所述多個(gè)柵極信號(hào)線的提供方向設(shè)置的所述多個(gè)像素中的兩個(gè)彼此相鄰，其間夾著所述多個(gè)電源線中的任何一個(gè)，并且所述兩個(gè)像素的用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT的各個(gè)源極區(qū)和所述多個(gè)電源線的所述一個(gè)相連。
47.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是N溝道型TFT。
48.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是N溝道型TFT。
49.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是N溝道型TFT。
50.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是N溝道型TFT。
51.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是N溝道型TFT。
52.如權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是N溝道型TFT。
53.如權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是N溝道型TFT。
54.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是N溝道型TFT。
55.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是N溝道型TFT。
56.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是P溝道型TFT。
57.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是P溝道型TFT。
58.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是P溝道型TFT。
59.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是P溝道型TFT。
60.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是P溝道型TFT。
61.如權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是P溝道型TFT。
62.如權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是P溝道型TFT。
63.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是P溝道型TFT。
64.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中所述第一用作開(kāi)關(guān)的TFT，所述第二用作開(kāi)關(guān)的TFT和所述用于清除的TFT是P溝道型TFT。
65.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT被在線性區(qū)驅(qū)動(dòng)。
66.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT被在線性區(qū)驅(qū)動(dòng)。
67.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT被在線性區(qū)驅(qū)動(dòng)。
68.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT被在線性區(qū)驅(qū)動(dòng)。
69.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT被在線性區(qū)驅(qū)動(dòng)。
70.如權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT被在線性區(qū)驅(qū)動(dòng)。
71.如權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT被在線性區(qū)驅(qū)動(dòng)。
72.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT被在線性區(qū)驅(qū)動(dòng)。
73.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中所述用于電致發(fā)光驅(qū)動(dòng)的TFT被在線性區(qū)驅(qū)動(dòng)。
74.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置是從由計(jì)算機(jī)、視頻攝像機(jī)和DVD播放器構(gòu)成的組中選擇的一種裝置。
75.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置是從由計(jì)算機(jī)、視頻攝像機(jī)和DVD播放器構(gòu)成的組中選擇的一種裝置。
76.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置是從由計(jì)算機(jī)、視頻攝像機(jī)和DVD播放器構(gòu)成的組中選擇的一種裝置。
77.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置是從由計(jì)算機(jī)、視頻攝像機(jī)和DVD播放器構(gòu)成的組中選擇的一種裝置。
78.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置是從由計(jì)算機(jī)、視頻攝像機(jī)和DVD播放器構(gòu)成的組中選擇的一種裝置。
79.如權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置是從由計(jì)算機(jī)、視頻攝像機(jī)和DVD播放器構(gòu)成的組中選擇的一種裝置。
80.如權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置是從由計(jì)算機(jī)、視頻攝像機(jī)和DVD播放器構(gòu)成的組中選擇的一種裝置。
81.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置是從由計(jì)算機(jī)、視頻攝像機(jī)和DVD播放器構(gòu)成的組中選擇的一種裝置。
82.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置是從由計(jì)算機(jī)、視頻攝像機(jī)和DVD播放器構(gòu)成的組中選擇的一種裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種能夠顯示具有許多色調(diào)的真實(shí)的彩色顯示的有源陣列顯示裝置。所述顯示裝置的特征在于,多個(gè)像素中的每一個(gè)包括第一用作開(kāi)關(guān)的TFT,第二用作開(kāi)關(guān)的TFT,用于清除的TFT,用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT,EL元件。用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT的驅(qū)動(dòng)由第一用作開(kāi)關(guān)的TFT、第二用作開(kāi)關(guān)的TFT、和用于清除的TFT控制,并且所述EL元件的發(fā)光由用于EL驅(qū)動(dòng)的TFT控制。
文檔編號(hào)G09G3/32GK1330414SQ01122038
公開(kāi)日2002年1月9日 申請(qǐng)日期2001年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2000年6月22日
發(fā)明者犬飼和隆 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所