專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適合實(shí)現(xiàn)作為液晶顯示器及電致發(fā)光或場(chǎng)致發(fā)光(ELElectroLuminescence)顯示器等的薄型顯示裝置，特別涉及使像素具有存儲(chǔ)功能的顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，正積極進(jìn)行前述液晶顯示器，EL顯示器、場(chǎng)致發(fā)射器件(FEDFieddEmission Device)顯示器等薄型顯示裝置的開發(fā)。其中，液晶顯示器及薄膜EL顯示器充分發(fā)揮其重量輕、低功耗的性能，作為移動(dòng)電話及便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)等的顯示裝置而倍受注目。另外，在這些便攜式裝置中，當(dāng)然要求所具有的功能越來(lái)越增加，電源用的電池實(shí)現(xiàn)高容量化，同時(shí)對(duì)于顯示裝置，則強(qiáng)烈要求低功能，從而延長(zhǎng)使用時(shí)間。
作為顯示裝置低功耗的方法，有典型的以往技術(shù)即日本專利特開平8～194205號(hào)公報(bào)(日本國(guó)公開專利公報(bào)(
公開日1996年07月30日)所示的方法，即為了以低功耗進(jìn)行灰度顯示，通過(guò)使每個(gè)像素具有存儲(chǔ)功能，對(duì)存儲(chǔ)內(nèi)容對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行開關(guān)控制，使得在顯示同一圖像時(shí)，停止周期性的再寫入，以減少驅(qū)動(dòng)電路的功耗。
即如圖17所示，在第1玻璃基板上矩陣狀配置像素電極1，在該像素電極1之間，在橫向配置掃描線2，縱向配置信號(hào)線3。另外，與掃描線2平行配置參照線4。在掃描線2與信號(hào)線3的交叉處設(shè)置后述的存儲(chǔ)元件5，開關(guān)元件6介于該存儲(chǔ)元件5與像素電極1之間。
每一個(gè)垂直周期利用掃描線驅(qū)動(dòng)器7有選擇地控制前述掃描線2，每一水平周期利用信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器8統(tǒng)一控制前述信號(hào)線，而前述參照線4利用參照線驅(qū)動(dòng)器統(tǒng)一控制。在前述第1玻璃基板上隔開規(guī)定距離相對(duì)配置第2玻璃基板，在該第2玻璃基板的相對(duì)面形成相對(duì)電極。然后，在兩個(gè)玻璃基板之間封入光電元件即液晶作為顯示材料。
圖18所示為圖17中各像素單元構(gòu)成的詳細(xì)電路圖。在相互垂直形成的掃描線2與信號(hào)線3的交叉處，形成保持2值數(shù)據(jù)的前述存儲(chǔ)元件5，該存儲(chǔ)元件5保持的信息通過(guò)由TFT構(gòu)成的三端前述開關(guān)元件6輸出。開關(guān)元件6的控制輸入端加上前述存儲(chǔ)元件5的輸出，開關(guān)元件6的一端加上前述參照線4的基準(zhǔn)電壓Vref，而另一端從前述像素電極1通過(guò)液晶層10加上前述相對(duì)電極11的公共電壓Vcom。因而，根據(jù)存儲(chǔ)元件5的輸出，控制從開關(guān)元件6的一端至另一端的電阻值，調(diào)整液晶層10的偏置狀態(tài)。
在該圖18的構(gòu)成中，存儲(chǔ)元件5采用由多晶硅(Poly～Si)TFT構(gòu)成的兩極反相器12及13，采用正反饋型存儲(chǔ)電路即靜態(tài)存儲(chǔ)元件。若前述掃描線2的掃描電壓Vg為高電平，選擇該掃描線2，則TFT14為導(dǎo)通狀態(tài)，由信號(hào)線3給予的信號(hào)電壓Vsig通過(guò)該TFT14輸入至反相器12的柵極端。該反相器12的輸出利用反相器13進(jìn)行反相，再輸入至該反相器12的柵極端，這樣TFT14為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)寫入反相器12的數(shù)據(jù)，以同極性反饋至該反相器12加以保持，直到再一次該TFT14處于導(dǎo)通狀態(tài)為止。
另外，還有其它的構(gòu)成與這種每一個(gè)像素是利用多晶硅(Poly～Si)TFT構(gòu)成靜態(tài)存儲(chǔ)元件不同，例如有其它的以往技術(shù)即日本專利特開平2～148687(日本國(guó)公開專利公報(bào)(
公開日1990年6月07日)專利號(hào)2729089)號(hào)公報(bào)所揭示的內(nèi)容。圖19所示為該以往技術(shù)中各像素單元構(gòu)成的電路圖。在該以往技術(shù)中，各像素具有多個(gè)存儲(chǔ)單元m1、m2、……、mn(圖19中n＝4)，還具有恒流電路21、利用前述存儲(chǔ)單元m1～mn的數(shù)據(jù)控制的生成前述恒流電流21的基準(zhǔn)電流的FETq1～qn，以及利用前述恒流電路21輸出的電流驅(qū)動(dòng)的有機(jī)EL元件22。對(duì)于同一像素對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元m1～mn，加上公共的行電極控制信號(hào)V1，另外，分別加上n位(bit)的列電極控制信號(hào)b1～bn。
恒流電路21由于是采用FET23及24的電流鏡電路，因此流過(guò)有機(jī)EL元件22的電流由流過(guò)相互并聯(lián)的FETQ1～qn的電流總和即前述基準(zhǔn)電流決定。另外流過(guò)該FETq1～qn的電流由存儲(chǔ)單元m1～mn保存的數(shù)據(jù)決定。
各存儲(chǔ)單元m1～mn例如如圖20所示構(gòu)成。它具有利用前述行電極控制信號(hào)V1控制的輸入用反相器25、保持用反相器26、反饋用反相器27、以及MOS傳輸門28及29，MOS傳輸門28及29根據(jù)前述行電極控制信號(hào)V1及輸入用反相器25的輸出，對(duì)于是將前述列電極控制信號(hào)b1～bn輸入至前述保持用反相器26的柵極，還是將反饋用反相器27的輸出反饋至前述保持用反相器26的柵極，進(jìn)行控制。因而構(gòu)成保持用反相器26的輸出通過(guò)反饋用反相器27及MOS傳輸門29反饋至該保持用反相器26的柵極的靜態(tài)型存儲(chǔ)元件。
另外，作為其它的以往技術(shù)還有日本專利特開2000～227608號(hào)公報(bào)(日本國(guó)公開專利公報(bào)(
公開日2000年8月15日))所揭示的將圖像存儲(chǔ)器配置在顯示單元外的液晶顯示裝置的電路構(gòu)成。圖21為該以往技術(shù)的顯示基板方框圖。在該以往技術(shù)中，顯示單元31通過(guò)行緩沖器32與圖像存儲(chǔ)器33連接。前述圖像存儲(chǔ)器33的存儲(chǔ)單元為呈矩陣狀排列的隨機(jī)存儲(chǔ)器構(gòu)成，具有與顯示單元引的像素相同地址空間的位圖結(jié)構(gòu)。
地址信號(hào)34能過(guò)存儲(chǔ)器控制電路35輸入至存儲(chǔ)器行選擇電路36及列選擇電路27。利用前述地址信號(hào)34指定的存儲(chǔ)單元，由未圖示的列線及行線進(jìn)行選擇，將顯示數(shù)據(jù)38寫入該存儲(chǔ)單元。這樣寫入的顯示數(shù)據(jù)38，利用輸入至存儲(chǔ)器行選擇電路36的地址信號(hào)，輸出給行緩沖器32作為包含選擇像素在內(nèi)的一行的數(shù)據(jù)。行緩沖器32由于與顯示單元31的信號(hào)布線連接，因此該讀出的顯示數(shù)據(jù)38輸出給未圖示的信號(hào)布線。
另外，前述地址信號(hào)34還輸入至地址行變換電路29，顯示單元31的未圖示的行選擇布線內(nèi)，其中將前述地址信號(hào)34變換得到的行選擇布線由顯示行選擇電路40選擇，加上選擇電壓。通過(guò)這樣的動(dòng)作，圖像存儲(chǔ)器33內(nèi)的顯示數(shù)據(jù)38寫入顯示單元31。
圖22所示為前述顯示單元31中的各像素電路構(gòu)成之一例的電路圖。行選擇布線41利用前述顯示行選擇電路40進(jìn)行選擇，通過(guò)這樣對(duì)與該行選擇布線41連接的控制TFT42進(jìn)行控制，通過(guò)信號(hào)布線43從前述行緩沖器32給予的顯示數(shù)據(jù)38，保持在公共布線44與前述控制TFT42之間設(shè)置的電容器45中，利用該電容器45的端電壓，對(duì)驅(qū)動(dòng)TFT46的導(dǎo)通及非導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn)行控制。根據(jù)前述驅(qū)動(dòng)TFT46是導(dǎo)通狀態(tài)還是非導(dǎo)通狀態(tài)，決定液晶基準(zhǔn)布線48給予的電壓是直接加在像素電極47上，還是通過(guò)前述驅(qū)動(dòng)TFT46的端子之間設(shè)置的電容器49間接加在像素電極47上。
另外，圖23所示為前述顯示單元31中的各像素電路構(gòu)成其它例子的電路圖。在該構(gòu)成中，采用模擬開關(guān)51作為驅(qū)動(dòng)液晶的TFT。該模擬開關(guān)51由P溝道的TFT52及N溝道的TFT53構(gòu)成，為了驅(qū)動(dòng)該模擬開關(guān)51，分別對(duì)應(yīng)于前述各TFT52及53，設(shè)置兩套由取樣電容器54及55和取樣TFT56及57構(gòu)成的存儲(chǔ)電路。
前述取樣TFT56及57分別與相互極性不同的兩條數(shù)據(jù)布線58及59連接，共同與前述行選擇布線41連接，利用行選擇布線41對(duì)該取樣TFT56及57的導(dǎo)通及非導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn)行控制，分別將前述數(shù)據(jù)布線58及59的電壓DD存儲(chǔ)在取樣電容器54及55中。另外，在該公報(bào)中還記載，對(duì)于驅(qū)動(dòng)模擬開關(guān)51用的極性不同的電壓DD，也可以不像上述那樣設(shè)置兩套存儲(chǔ)電路加以存儲(chǔ)，而是用像素內(nèi)部設(shè)置的反相器電路形成的結(jié)要，作為存儲(chǔ)電路的構(gòu)成，也可以用TFT在顯示單元31上實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體用的存儲(chǔ)電路的構(gòu)成。
這樣，在日本專利特開2000～227608號(hào)公報(bào)中揭示了在液晶顯示器用的顯示單元31外具有圖像存儲(chǔ)器33的多晶硅TFT基板的構(gòu)成。
但是，在日本專利特開平8～194205號(hào)公報(bào)所述的以往技術(shù)中存在的問(wèn)題是，如圖18所示，一個(gè)像素由液晶層10、液晶驅(qū)動(dòng)用開關(guān)元件6，以及1位的存儲(chǔ)元件5構(gòu)成，每一個(gè)液晶元件能夠顯示黑白2值信號(hào)，而不能進(jìn)行3級(jí)灰度以上的多灰度顯示。
同樣，在日本專利特開2000～227608號(hào)公報(bào)所述的以往技術(shù)中，如圖22所示，由于一個(gè)像素只由液晶元件，以及電容器45形成的1位存儲(chǔ)元件構(gòu)成，因此存在的問(wèn)題也是，上述每一個(gè)液晶元件只能顯示黑白2值信號(hào)，關(guān)于這一點(diǎn)，在日本專利特開平2～148687號(hào)公報(bào)的以往技術(shù)中，如圖19所示，一個(gè)像素由有機(jī)EL元件22，電流鏡電路21，以及多個(gè)存儲(chǔ)單元m1～mn構(gòu)成，通過(guò)重寫前述存儲(chǔ)單元m1～mn的狀態(tài)，能夠?qū)崿F(xiàn)與存儲(chǔ)單元數(shù)n相應(yīng)的多灰度顯示。
然而，在圖19的構(gòu)成中，由于需要多灰度顯示必須的存儲(chǔ)單元數(shù)n這樣多數(shù)量的數(shù)據(jù)側(cè)布線即列電極控制信號(hào)b1～bn，因此產(chǎn)生的新問(wèn)題是，想要進(jìn)行多灰度顯示的情況下，像素全被布線覆蓋，生成存儲(chǔ)單元等用的區(qū)域變小。
另外，在日本專利特開2000～227608號(hào)公報(bào)所述的構(gòu)成中，是從圖像存儲(chǔ)器33并行讀出一個(gè)掃描行部分的數(shù)據(jù)，送出給行緩沖器32。這樣從圖像存儲(chǔ)器33將數(shù)據(jù)并行送出給緩沖器電路(或信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器)的優(yōu)點(diǎn)在于，沒(méi)有必要將一行部分的數(shù)據(jù)先進(jìn)行并行/串行變換，然后作為串行數(shù)據(jù)，使其在圖17所示的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器8的未圖示的移位寄存器內(nèi)傳送，再進(jìn)行串行/并行變換，能夠降低這一部分的功耗。
但是，在那樣的構(gòu)成中存在的問(wèn)題是，當(dāng)每個(gè)像素進(jìn)行3級(jí)灰度以上的多灰度顯示時(shí)，要將從圖像存儲(chǔ)器33讀出的數(shù)據(jù)用信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器8內(nèi)的D/A變換電路變換為模擬電壓，這樣的構(gòu)成因D/A變換而導(dǎo)致功耗增加。
另外，在日本專利特開平2～148687號(hào)公報(bào)那樣的構(gòu)成中，由于利用FETq1～qn生成的流過(guò)電流鏡電路21的FET23一側(cè)的前述基準(zhǔn)電流將浪費(fèi)能量，因此若將該電流鏡電路21看成一種D/A變換電路，則同樣也存在因D/A變換而導(dǎo)致功耗增加的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供在實(shí)現(xiàn)多灰度顯示時(shí)能夠削減顯示區(qū)域中的布線數(shù)并能夠削減功耗的顯示裝置。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的顯示裝置包括設(shè)置在呈矩陣狀劃分的各區(qū)域中的光電元件，設(shè)置在前這各區(qū)域中的有源元件(A)、以及通過(guò)前述有源元件(A)取入信號(hào)線的數(shù)據(jù)并用其輸出驅(qū)動(dòng)前述光電元件進(jìn)行顯示的存儲(chǔ)元件，對(duì)于同一信號(hào)線，設(shè)置多個(gè)對(duì)應(yīng)于各光電元件的前述存儲(chǔ)元件，同時(shí)利用對(duì)應(yīng)于該光電元件設(shè)置的多個(gè)前述存儲(chǔ)元件的一部分或全部輸出，驅(qū)動(dòng)前述各光電元件進(jìn)行顯示。
根據(jù)上述構(gòu)成，在利用選擇線進(jìn)行選擇期間，利用有源元件(A)將信號(hào)線的數(shù)據(jù)取入存儲(chǔ)元件，相應(yīng)于該存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容，將參照線的電壓加在光電元件上，這樣對(duì)每個(gè)光電元件進(jìn)行存儲(chǔ)保持動(dòng)作，對(duì)同一數(shù)據(jù)不要進(jìn)行再寫入，以實(shí)現(xiàn)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的低功耗，在上述這樣的顯示裝置中，在實(shí)現(xiàn)多灰度顯示或多圖像顯示時(shí)，與各光電元件對(duì)應(yīng)形成的存儲(chǔ)元件，對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度或圖像種類對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)，例如在8級(jí)灰度時(shí)，設(shè)置3個(gè)，然后，利用其一部分或全部輸出，驅(qū)動(dòng)前述光電元件進(jìn)行顯示。
因而在使用一部分輸出時(shí)，可以通過(guò)對(duì)應(yīng)于位權(quán)重依次切換輸出，進(jìn)行利用分時(shí)的數(shù)字灰度控制，另外用一部分的輸出及剩余的輸出還可以顯示不同的圖像，例如，用n位數(shù)據(jù)當(dāng)然可以顯示2n級(jí)灰度的一個(gè)圖像，或者切換顯示2級(jí)灰度(1位灰度)的n個(gè)圖像，還可以切換2n-1級(jí)灰度的圖像與2級(jí)灰度(1位灰度)的圖像。另外，同時(shí)使用全部輸出時(shí)，可以利用各位的輸出相加電壓或電流進(jìn)行模擬灰度控制。
這樣，由于使用公共信號(hào)線將各位的數(shù)據(jù)取入對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件，或選擇這些位的選擇線在相互相等的位順序之間形成公共走線，因此能夠削減布線數(shù)。再有，通過(guò)利用多位數(shù)據(jù)采用分時(shí)占空比驅(qū)動(dòng)光電元件，還能夠削減因D/A變換而導(dǎo)致的功耗。
另外，為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的其它顯示裝置包括與選擇線及信號(hào)線連接的有源元件(A)，通過(guò)前述有源元件(A)取入信號(hào)線數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)元件，對(duì)應(yīng)于前述存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容進(jìn)行顯示的光電元件，分別對(duì)應(yīng)于各存儲(chǔ)元件設(shè)置的有源元件(B)，對(duì)應(yīng)于各光電元件形成的前述存儲(chǔ)元件對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度和/或圖像種類的于少一部分對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)，同時(shí)還包含驅(qū)動(dòng)前述有源元件(B)的位選擇線，前述位選擇線是在相互相等的位順序的有源元件(B)的控制輸入端之間的公共走線中，在各位順序其間選擇其中一條，在前述選擇線被選擇期間，將通過(guò)前述有源元件(A)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件中，在前述選擇線未被選擇的期間，將對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件的數(shù)據(jù)輸出給光電元件。
根據(jù)上述構(gòu)成，在利用選擇線進(jìn)行選擇期間，利用有源元件(A)將信號(hào)線數(shù)據(jù)取入存儲(chǔ)元件，對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容，將參照線的電壓加在光電元件上，這樣對(duì)每個(gè)光電元件進(jìn)行存儲(chǔ)保持動(dòng)作，對(duì)同一數(shù)據(jù)不進(jìn)行再寫入，以降低信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路的功耗，在這樣的顯示裝置中，實(shí)現(xiàn)多灰度顯示及多圖像顯示。為此，與各光電元件對(duì)應(yīng)形成的存儲(chǔ)元件對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度和/或圖像種類的至少一部分對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)。例如需要8級(jí)灰度時(shí)，對(duì)應(yīng)于各光電元件設(shè)置2個(gè)，在外部的RAM設(shè)置1個(gè)，或者對(duì)應(yīng)于各光電元件，一共設(shè)置3個(gè)。
另外，分別與各存儲(chǔ)元件對(duì)應(yīng)，在前述有源元件(A)和光電元件與對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件之間，存在有源元件(B)，在前述選擇線被選擇期間，通過(guò)前述有源元件(A)的各位數(shù)據(jù)，利用由位選擇線選擇的該有源元件(B)中的一個(gè)，存儲(chǔ)在對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件中。而與上相反，在前述選擇線未被選擇期間，利用由位選擇線選擇的前述有源元件(B)中的一個(gè)，將對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件的數(shù)據(jù)輸出給光電元件。
即在例如實(shí)現(xiàn)前述多灰度顯示時(shí)，對(duì)于3位的數(shù)據(jù)，若設(shè)第1～第3的各位數(shù)據(jù)為1，則首先在單位期間T通過(guò)有源元件(B)將來(lái)自與第1位對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件的數(shù)據(jù)1供給光電元件，接著在期間2T通過(guò)有源元件(B)將來(lái)自與第2位對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件的數(shù)據(jù)1供給光電元件，再接著在期間4T通過(guò)有源元件(B)將來(lái)自與第3位對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件的數(shù)據(jù)1供給光電元件。這種情況下，前述參照線的電壓以0～7的前述8級(jí)灰度內(nèi)的7的灰度加在光電元件上，這樣能夠?qū)崿F(xiàn)利用分時(shí)的數(shù)字多灰度顯示。
另外，在如下所述有源元件(B)切換使用一部分存儲(chǔ)元件的輸出時(shí)，也可以利用其一部分輸出及剩余的輸出顯示不同的圖像。即用n位數(shù)據(jù)，不僅如上所述能夠顯示2n級(jí)灰度的一個(gè)圖像，還可以切換2級(jí)灰度(1位灰度)的n個(gè)圖像顯示簡(jiǎn)單的動(dòng)畫，或者也可以進(jìn)行2n～1級(jí)灰度的圖像與2級(jí)灰度(1位灰度)的圖像的切換顯示等。
這樣，由于多位數(shù)據(jù)分時(shí)使用公共信號(hào)線依次取入各存儲(chǔ)元件，另外位選擇線是在相互相等的位順序之間形成的公共走線，因此能夠削減布線數(shù)，另外，在利用該多位數(shù)據(jù)以分時(shí)占空比驅(qū)動(dòng)光電元件，通過(guò)這樣進(jìn)行D/A變換時(shí)，也能夠削減因變換而導(dǎo)致的功耗。再有，在多個(gè)圖像切換顯示時(shí)，若一旦將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)元件，則外部CPU等不需要工作，能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的另外的其它顯示裝置，包括與選擇線及信號(hào)線連接的有源元件(A)，在利用選擇線選擇前述有源元件(A)的期間通過(guò)該有源元件(A)取入信號(hào)線數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)元件，對(duì)應(yīng)于前述存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容進(jìn)行顯示的光電元件、以及在前述存儲(chǔ)元件與光電元件之間分別應(yīng)于前述各存儲(chǔ)元件設(shè)置的有源元件(C)，與各光電元件對(duì)應(yīng)形成的前述存儲(chǔ)元件對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度和/或圖像種類的至少一部分對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)，同時(shí)通過(guò)不同的前述有源元件(A)對(duì)應(yīng)于各自的選擇線設(shè)置，這些存儲(chǔ)元件，另外還包括驅(qū)動(dòng)前述有源元件(C)的位選擇線，前述位選擇線是在相互相等的位順序的有源元件(C)的控制輸入端之間形成的公共走線中，在各位順序期間選擇其中一條，將對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件的數(shù)據(jù)輸出給光電元件。
根據(jù)上述構(gòu)成，在利用選擇線進(jìn)行選擇期間，利用有源元件(A)將信號(hào)線數(shù)據(jù)取入存儲(chǔ)元件，對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容，將參照線的電壓加在光電元件上，這樣對(duì)每個(gè)光電元件進(jìn)行存儲(chǔ)保持動(dòng)作，對(duì)同一數(shù)據(jù)不進(jìn)行再寫入，以降低信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的功耗，在這樣的顯示裝置中，在實(shí)現(xiàn)多灰度顯示及多圖像顯示時(shí)，與各光電元件對(duì)應(yīng)形成的存儲(chǔ)元件對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度或圖像種類對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)，例如若是8級(jí)灰度，則設(shè)置3個(gè)。
另外，還分別對(duì)應(yīng)于各存儲(chǔ)元件設(shè)置前述有源元件(A)及其選擇線，同時(shí)在各存儲(chǔ)元件與光電元件之間分別接入有源元件(C)，利用位選擇線選擇一個(gè)前述有源元件(C)，因而，能夠?qū)崿F(xiàn)分時(shí)數(shù)字多灰度顯示，和/或還能夠顯示不同的圖像。
這樣，由于多位數(shù)據(jù)分時(shí)使用公共信號(hào)線依次取入各存儲(chǔ)元件，另外位選擇線是在相互相等的位順序之間形成的公共走線，因此能夠削減布線數(shù)。另外，在利用該多位數(shù)據(jù)以分時(shí)占空比驅(qū)動(dòng)光電元件，通過(guò)這樣進(jìn)行D/A變換時(shí)，也能夠削減因變換而導(dǎo)致的功耗。
另外，為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的另外的其它顯示裝置，包括與選擇線及信號(hào)線連接的有源元件(A)，在前述有源元件(A)利用選擇線被選擇期間通過(guò)該有源元件(A)取入信號(hào)線數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)元件，以及對(duì)應(yīng)于前述存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容進(jìn)行顯示的光電元件，與前述各光電元件對(duì)應(yīng)形成的前述存儲(chǔ)元件對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度的至少一部分對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)，同時(shí)通過(guò)不同的前述有源元件(A)對(duì)應(yīng)于各自的選擇線設(shè)置，這些存儲(chǔ)元件另外利用與此相對(duì)應(yīng)形成的多個(gè)前述存儲(chǔ)元件輸出的和驅(qū)動(dòng)前述各光電元件進(jìn)行顯示。
根據(jù)上述構(gòu)成，在利用選擇線進(jìn)行選擇期間，利用有源元件(A)將信號(hào)線數(shù)據(jù)取入存儲(chǔ)元件，對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容，將參照線的電壓加在光電元件上，這樣對(duì)每個(gè)光電元件進(jìn)行存儲(chǔ)保持動(dòng)作，對(duì)同一數(shù)據(jù)不進(jìn)行再寫入，以降低信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的功耗，在這樣的顯示裝置中，在實(shí)現(xiàn)多灰度顯示及多圖像顯示時(shí)，與各光電元件對(duì)應(yīng)形成的存儲(chǔ)元件對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度數(shù)對(duì)應(yīng)的個(gè)數(shù)，同時(shí)還分別對(duì)應(yīng)于各存儲(chǔ)元件設(shè)置有源元件(A)及其選擇線。
因而，能夠利用各存儲(chǔ)元件輸出電壓或電流之和進(jìn)行模擬灰度控制。這樣，由于多位數(shù)據(jù)分時(shí)使用公共信號(hào)線依次取入各存儲(chǔ)元件，另外位選擇線是在相互相等的位順序之間形成的公共走線，因此能夠削減布線數(shù)。
另外，為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的另外的其它顯示裝置，包括與選擇線及信號(hào)線連接的有源元件(A)，通過(guò)前述有源元件(A)取入信號(hào)線數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)元件，對(duì)應(yīng)于前述存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容進(jìn)行顯示的光電元件，以及分別對(duì)應(yīng)于各存儲(chǔ)元件設(shè)置的有源元件(B)，與各光電元件對(duì)應(yīng)的前述存儲(chǔ)元件對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度的至少一部分對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)，同時(shí)還包含驅(qū)動(dòng)前述有源元件(B)的位選擇線，前述位選擇線是在相互相等的位順序的有源元件(B)控制輸入端之間的公共走線中，在各位順序期間選擇其中一條，在前述選擇線被選擇期間，將通過(guò)前述有源元件(A)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件中，利用與此相應(yīng)形成的多個(gè)前述存儲(chǔ)元件輸出的和，驅(qū)動(dòng)前述各光電元件進(jìn)行顯示。
根據(jù)上述構(gòu)成，在利用選擇線進(jìn)行選擇期間，利用有源元件(A)將信號(hào)數(shù)據(jù)取入存儲(chǔ)元件，對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容，將參照線的電壓加在光電元件上，這樣對(duì)每個(gè)光電元件進(jìn)行存儲(chǔ)保持動(dòng)作，對(duì)同一數(shù)據(jù)不進(jìn)行再寫入，以降低信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的功耗，在這樣的顯示裝置中，在實(shí)現(xiàn)多灰度顯示及多圖像顯示時(shí)，與各光電元件對(duì)應(yīng)形成的存儲(chǔ)元件對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度或圖像種類對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)，同時(shí)分別對(duì)應(yīng)于各存儲(chǔ)元件，在前述有源元件(A)及光電元件和對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件之間接入有源元件(B)中的一個(gè)元件，將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件中。
因而，能夠利用各存儲(chǔ)元件輸出電壓或電流之和進(jìn)行模擬灰度控制。這樣，由于多位數(shù)據(jù)分時(shí)使用公共信號(hào)線依次取入各存儲(chǔ)元件，另外位選擇線是在相互相等的位順序之間形成的公共走線，因此能夠削減布線數(shù)。
本發(fā)明還有的其它目的，特征及優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)下面的敘述將非常清楚。另外，本發(fā)明的利益，通過(guò)參照附圖的下述說(shuō)明將很明確。


圖1所示為本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)的顯示裝置簡(jiǎn)要構(gòu)成圖。
圖2所示為圖1所示的顯示裝置中SRAM一構(gòu)成例的方框圖。
圖3所示為說(shuō)明圖1所示的顯示裝置中存儲(chǔ)元件構(gòu)成用的一個(gè)像素區(qū)域的電路圖。
圖4所示為圖1所示顯示裝置中的位選擇線及選擇線所加信號(hào)的波形圖。
圖5所示為本發(fā)明第2實(shí)施形態(tài)的顯示裝置中一個(gè)像素區(qū)域的電路圖。
圖6所示為圖5所示顯示裝置中的位選擇線，選擇線及信號(hào)線所加信號(hào)的波形圖。
圖7所示為本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)的顯示裝置中一個(gè)像素區(qū)域的電路圖。
圖8所示為前述本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)的顯示裝置能夠?qū)嵤┑凸牡腄/A變換電路的電路構(gòu)成圖。
圖9所示為本發(fā)明第4實(shí)施形態(tài)的顯示裝置中一個(gè)像素區(qū)域的電路圖。
圖10所示為圖9所示顯示裝置中的位選擇線，選擇線及信號(hào)線所加信號(hào)的波形圖。
圖11所示為采用圖9的構(gòu)成，對(duì)電流驅(qū)動(dòng)型電光學(xué)元件不用分時(shí)灰度對(duì)電流值進(jìn)行控制時(shí)的最簡(jiǎn)明的電路構(gòu)成圖。
圖12所示為本發(fā)明第5實(shí)施形態(tài)的顯示裝置中一個(gè)像素區(qū)域的電路圖。
圖13所示為本發(fā)明第6實(shí)施形態(tài)的顯示裝置中四個(gè)像素區(qū)域的電路圖。
圖14所示為圖13所示顯示裝置中的位選擇線及選擇線所加信號(hào)的波形圖。
圖15所示為本發(fā)明第7實(shí)施形態(tài)的顯示裝置中四個(gè)像素區(qū)域的電路圖。
圖16所示為本發(fā)明第8實(shí)施形態(tài)的顯示裝置中兩個(gè)像素區(qū)域的電路圖。
圖17所示為典型的以往技術(shù)的顯示裝置簡(jiǎn)要構(gòu)成方框圖。
圖18所示為圖17的顯示裝置中各像素部分的電路詳細(xì)構(gòu)成圖。
圖19所示為其它的以往技術(shù)的顯示裝置各像素部分構(gòu)成圖。
圖20所示為圖19的顯示裝置中存儲(chǔ)單元的電路詳細(xì)構(gòu)成圖。
圖21所示為其它的以往技術(shù)的另一顯示裝置的構(gòu)成方框圖。
圖22所示為圖21所示的顯示裝置中各像素的電路構(gòu)成之一例。
圖23所示為圖21所示的顯示裝置中各像素的電路構(gòu)成的其它例子。
具體實(shí)施形態(tài)(實(shí)施形態(tài)1)下面根據(jù)圖1～圖4說(shuō)明本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)。
圖1所示為本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)的顯示裝置61的簡(jiǎn)要構(gòu)成圖。該顯示裝置61雖然是光電元件為有機(jī)EL元件62的EL顯示器，當(dāng)然也可以采用前述液晶元件或FED元件。另外，在本構(gòu)成中基板63上形成的TFT(薄膜晶體管)元件，可以采用例如日本專利特開平10～301536號(hào)公報(bào)(日本國(guó)公開專利公報(bào)(
公開日1998年11月13日)等說(shuō)明的連續(xù)晶體硅(CGSContinuons GrainSilicon)TFT制造工藝或一般采用的多晶硅(Poly～SI)TFT工藝等制成。
在該顯示裝置61中，大體來(lái)說(shuō)是CPU64在與快司擦寫存儲(chǔ)器靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAMStatic Random Access Memory)即存儲(chǔ)器65之間交換數(shù)據(jù)，使要顯示的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在前述基板63上的SRAM66中，SRAM66內(nèi)的前述數(shù)據(jù)根據(jù)由CPU64控制的控制器驅(qū)動(dòng)器67的指令寫入或定期讀出，存儲(chǔ)在各像素區(qū)域A內(nèi)形成的存儲(chǔ)元件M中。然后，根據(jù)該存儲(chǔ)元件M存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，將參照線(電源線)R的電壓VDD供給前述有機(jī)EL元件62，通過(guò)這樣每個(gè)像素得到存儲(chǔ)保持動(dòng)作必須的電源，同時(shí)對(duì)同一數(shù)據(jù)不進(jìn)行再寫入，這樣實(shí)現(xiàn)信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路即前述SRAM66的低功耗。
在前述控制器驅(qū)動(dòng)器67輸出的選擇線(柵極信號(hào)線)Gi(i＝1、2、…m，統(tǒng)稱時(shí)下面用參照符G表示)與前述SRAM66輸出的信號(hào)線(數(shù)據(jù)信號(hào)線)Sj(j＝1、2、…n，統(tǒng)稱時(shí)下面用參照符S表示)的交點(diǎn)，形成第1有源元件(有源元件A)即N型TFTQ1。然后，選擇線G由控制器驅(qū)動(dòng)器67加上選擇電壓，利用柵極與前述選擇線G連接的TFTQ1將SRAM66輸出給信號(hào)線S的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)元件M中。另外，存儲(chǔ)元件M的輸出供給形成前述有機(jī)EL元件62即光電元件的P型TFTQ2的柵極，利用該TFTQ2將前述參照線R的電壓VDD加在前述有機(jī)EL元件62上。
另外，存儲(chǔ)元件M如后所述，利用靜態(tài)存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)。這種情況下，若將前述SRAM66看作調(diào)整CPU64輸出的數(shù)據(jù)傳輸速率及向像素區(qū)域A配置的存儲(chǔ)元件M的數(shù)據(jù)傳輸速率的緩沖器，則該SRAM66只要能夠暫時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)即可。因而，也可以采用DRAM結(jié)構(gòu)，來(lái)代替SRAM66。這種情況下，將使存儲(chǔ)元件M存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)及表示與某一個(gè)像素對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)已經(jīng)更新的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在DRAM結(jié)構(gòu)中，通過(guò)這樣能夠僅對(duì)與更新的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件M進(jìn)行重寫。
即顯示裝置61的像素區(qū)域A配置的存儲(chǔ)元件M必須通過(guò)信號(hào)線S等進(jìn)行重寫。但是，由于一般信號(hào)線S等的寄生電容大于通常的RAM，因此其重寫速度比通常的RAM要慢。所以，為了暫時(shí)保持CPU64輸出的數(shù)據(jù)，在顯示區(qū)域外具有與通常的RAM相同的RAM，這種情況下，像素區(qū)域A以外的RAM也可以是DRAM結(jié)構(gòu)。
另外，該像素區(qū)域A以外的配置的RAM，如后所述。還具有將來(lái)寫入像素區(qū)域A內(nèi)的存儲(chǔ)元件M的數(shù)據(jù)加以保存的功能。例如，在想要顯示的灰度數(shù)為6位灰度時(shí)，若像素中只能配置4位灰度，則將其余的2位灰度的數(shù)據(jù)配置在像素區(qū)域A以外的RAM。
再有，如后所述，在切換多個(gè)圖像進(jìn)行顯示時(shí)，也需要更多的存儲(chǔ)元件，這種情況下也只要將像素區(qū)域A內(nèi)不能配置的存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)配置在像素區(qū)域A內(nèi)不能配置的存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)配置在像素區(qū)域A以外的RAM即可。即在像素區(qū)域A內(nèi)的存儲(chǔ)元件M與像素區(qū)域A以外的RAM之間交換顯示數(shù)據(jù)，通常顯示像素區(qū)域A內(nèi)的存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)，在切換為其它畫面時(shí)，將像素區(qū)A以外的RAM數(shù)據(jù)移至像素區(qū)域A內(nèi)的存儲(chǔ)器元件M，(另外，反過(guò)來(lái)將像素區(qū)域A內(nèi)的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)返回像素外的RAM)也能夠得到顯示。
另外，前述SRAM66及控制器驅(qū)動(dòng)器67甚至加上CPU64也可以在基板63上實(shí)現(xiàn)一體化。這種情況下，可以用前述CGSTFT制造工藝做在基板上，或者將利用單晶半導(dǎo)體工藝制成的集成電路后裝在基本反63上，另外，在將前述利用單晶半導(dǎo)體工藝制成電路進(jìn)行后裝時(shí)，可以直接安裝在基板63上，或者也可以利用TAB(Tape Automated Bonding)技術(shù)暫時(shí)先安裝在以銅箔圖形進(jìn)行布線的安裝帶上，再將該TCP(Tape Carrier Package)與基板63鍵合。
應(yīng)該要注意的是，在本發(fā)明中，關(guān)于各像素區(qū)域A內(nèi)形成的存儲(chǔ)元件M，要設(shè)置在實(shí)現(xiàn)多灰度顯示時(shí)與要顯示的灰度對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)、或者想要顯示的多個(gè)圖像所需要的位數(shù)個(gè)、或者與它們組合對(duì)應(yīng)的倍數(shù)個(gè)以下的個(gè)數(shù)(在圖1中，不簡(jiǎn)化附圖的電路，設(shè)置參照符M1及M2這兩個(gè)存儲(chǔ)元件)。在各像素區(qū)域A內(nèi)形成的存儲(chǔ)元件M的個(gè)數(shù)不到所需要的個(gè)數(shù)時(shí)，只要不足的存儲(chǔ)元件設(shè)置在前述SRAM66內(nèi)，根據(jù)需要在像素區(qū)域A一側(cè)與SRAM66一側(cè)進(jìn)行數(shù)據(jù)交換即可，下面的說(shuō)明是假設(shè)進(jìn)行多灰度顯示的情況，關(guān)于多圖像顯示在后面敘述。
在圖1的構(gòu)成中，在前述TFTQ1與Q2之間的連接線與對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件M1及M2之間，分別與前述存儲(chǔ)元件M1及M2對(duì)應(yīng)加入第2有源元件(有源元件B)即TFTQ31及Q32。為了選擇前述TFTQ31及Q32中的某一個(gè)，設(shè)置位選擇線B1及B2，以及使該位選擇線B1及B2產(chǎn)生選擇電壓的位控制器68。位控制器68也可以和前述SRAM66等一樣，在基板63上實(shí)現(xiàn)一體化。
圖2所示為前述SRAM66一構(gòu)成例的方框圖。該SRAM66具有利用串行輸入控制器電路71及串行輸出控制器電路72構(gòu)成的對(duì)CPU64的串行I/O口，另外還具有將前述各信號(hào)線S對(duì)應(yīng)的基板63的部分一側(cè)1列(1、2、……、m)像素部分的數(shù)據(jù)并行輸出的口即并行輸出控制器電路73。該并行輸出控制器電路73對(duì)每個(gè)像素還具有R、G、B三個(gè)口。其它與通常的SRAM一樣，具有地址緩沖器74及75、行譯碼器76、列譯碼器77、選擇器78、存儲(chǔ)器陣列79及與片選或各種使能信號(hào)對(duì)應(yīng)的門電路80及81、以及緩沖器82。
圖3為前述存儲(chǔ)元件M的構(gòu)成說(shuō)明圖，表示任意的第i行第j列的一個(gè)像素區(qū)域A的電路。在該圖3中也與前述圖1相同，為簡(jiǎn)化附圖電路，存儲(chǔ)元件M采用兩個(gè)參照符M1及M2。下面表示前述第i行第j列的下標(biāo)i及j，僅在特別需要時(shí)加上，在不需要時(shí)，為簡(jiǎn)化說(shuō)明將其省略。
這些存儲(chǔ)元件M1及M2是P型TFTP1及N型TFTN1構(gòu)成的CMOS反相器INV1和同樣是P型TFTP2及N型TFTN2構(gòu)成的COMS反相器INV2組合而成的兩級(jí)反相器結(jié)構(gòu)，前述TFTQ31及Q32與反相器INV1的輸入端連接，反相器INV1的輸出端與反相器INV2的輸入端連接，反相器INV2的輸出端與反相器INV1的輸入端和TFTQ31及Q32連接，這樣構(gòu)成SRAM。
因而，來(lái)自前述SRAM66的數(shù)據(jù)，通過(guò)TFTQ1和TFTQ31及Q32，輸入至反相器INV1的輸入端，用該反相器INV1反相，再用反相器INV2反相，對(duì)該反相器INV1的輸入端形成正反饋，進(jìn)行自鎖動(dòng)作，同時(shí)該輸出從TFTQ31及Q32供給構(gòu)成光電元件的前述TFTQ2。
另外，構(gòu)成存儲(chǔ)元件M1及M2的反相器INV2的輸出阻抗設(shè)定得高于通過(guò)信號(hào)線S、TFTQ1、TFTQ31及Q32人SRAM66輸出的信號(hào)阻抗。
另外，在反相器INV2的輸出端與反相器INV1的輸入端之間插入別的有源元件(未圖示)，在通過(guò)信號(hào)線S、TFTQ1、TFTQ31及Q32從SRAM66寫入數(shù)據(jù)(信號(hào))時(shí)，使得反相器INV2的輸出不返回反相器INV1的輸入端。
采用這樣的構(gòu)成，可以與反相器INV2的輸出無(wú)關(guān)，由SRAM66設(shè)定反相器INV1的輸入電壓。
圖4所示為前述位選擇線B1及B2和選擇線G所加信號(hào)的波形圖。在該圖4的例子中，1幀期間Tf分割為127份，在數(shù)據(jù)寫入期間即1的時(shí)間內(nèi)，選擇線G為高電平(前述選擇電壓)，而且位選擇線B1及B2兩者選1為高電平，來(lái)自SRAM66的數(shù)據(jù)通過(guò)同一信號(hào)線S取入各存儲(chǔ)元件M1及M2中，在顯示期間即剩下的2～127的時(shí)間內(nèi)，選擇線G的低電平(非選擇電壓)，而且位選擇線B1及B2對(duì)應(yīng)于該位權(quán)重的比例。兩者選1為高電平，各存儲(chǔ)元件M1及M2的數(shù)據(jù)輸出給TFTQ2。
詳細(xì)來(lái)說(shuō)，對(duì)應(yīng)于該位的權(quán)重，位選擇線B僅在單位時(shí)間T被選擇，與此相反，位選擇線B2僅在單位時(shí)間2T被選擇。另外，在圖4的例子中，設(shè)前述單位時(shí)間T為1幀期間Tf的7/127，即在1幀期間Tf內(nèi)，交替選擇的次數(shù)僅為(127～1)/[(1+2)×7]＝6次。
因而，如前所述，在1的時(shí)間內(nèi)數(shù)據(jù)取入存儲(chǔ)元件M1及M2，在2～8的時(shí)間內(nèi)，位選擇線B1被選擇，存儲(chǔ)元件M1的數(shù)據(jù)輸出給TFTQ2，在9～22的時(shí)間內(nèi)，位選擇線B2被選擇，存儲(chǔ)元件M2的數(shù)據(jù)輸出給TFTQ2，以后同樣，在23～29的時(shí)間內(nèi)，位選擇線B1被選擇，在30～43的時(shí)間內(nèi)，位選擇線B2被選擇，……，在107～113的時(shí)間內(nèi)，位選擇線B1被選擇，在114～127的時(shí)間內(nèi)，位選擇線B2被選擇。
另外，選擇線G在每一個(gè)前述1幀期間內(nèi)，僅在其1/127的時(shí)間內(nèi)依次被選擇，但控制器驅(qū)動(dòng)器67對(duì)從CPU64傳送至SRAM66的數(shù)據(jù)進(jìn)行監(jiān)視，在不需要改變顯示圖像時(shí)，按照控制器驅(qū)動(dòng)器67的控制輸出，前述SRAM66不輸出數(shù)據(jù)，如前所述實(shí)現(xiàn)低功耗。
另外，在前述1的時(shí)間內(nèi)，存儲(chǔ)元件M1及M2的數(shù)據(jù)也輸出給TFTQ2。因而，若僅將前述2～127的時(shí)間內(nèi)作為顯示期間，則產(chǎn)生灰度誤差，另外，若將前述1的時(shí)間內(nèi)也作為顯示期間，則以來(lái)自SRAM66的數(shù)據(jù)直接驅(qū)動(dòng)TFTQ2，但由于對(duì)存儲(chǔ)元件M1及M2寫入數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致電壓變動(dòng)，將產(chǎn)生影響，因而，考慮到選擇線G為高電平，而且位選擇線B1及B2為高電平期間期間的影響，只要在前述選擇線G為低電平的期間的影響，只要在前述選擇線G為低電平的期間調(diào)整位選擇線B1及B2為高電平的期間即可。前述參照線R的電壓VDD及信號(hào)線S選擇時(shí)的電壓例如都為5～6V。
這樣，在采用存儲(chǔ)元件M實(shí)現(xiàn)低功耗的顯示裝置61中，在實(shí)現(xiàn)多灰度顯示時(shí)，設(shè)置前述存儲(chǔ)元件M為與要顯示的灰度相對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)的M1及M2，同時(shí)在前述TFTQ1與Q2之間分別設(shè)置TFTQ31及Q32，在選擇線G被選擇期間，通過(guò)TFTQ1將各位的數(shù)據(jù)分時(shí)依次存儲(chǔ)在存儲(chǔ)元件M1及M2中，在選擇線G不被選擇期間，將該存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)與位權(quán)重的比例對(duì)應(yīng)供給TFTQ2的柵極，通過(guò)這樣能夠分時(shí)驅(qū)動(dòng)參照線R的電壓VDD，實(shí)現(xiàn)電光學(xué)元件6的數(shù)字灰度顯示。
因而，為了實(shí)現(xiàn)多灰度顯示，若與采用同樣多個(gè)存儲(chǔ)單元m1～mn的前述圖19的構(gòu)成相比，在本發(fā)明中，R、G、B的每種顏色需要1條信號(hào)線S，和R、G、B各種顏色公共的選擇線G以及位選擇線B1和B2，若設(shè)位數(shù)為X(特別是X＞2)，則需要1條×3(R、G、B)+1條+x條＝4條+x條，而與上不同的是，在圖19的構(gòu)成中，需要x條×3(R、G、B)+1條(行電極控制信號(hào)線)＝3x條+1條，因而本發(fā)明能夠大幅度削減布線數(shù)，這樣，能夠縮小各像素區(qū)域A中的布線面積，即使增加灰度數(shù)，也能夠足以確保生成存儲(chǔ)元件M1及M2等用的區(qū)域。
另外，通過(guò)從CPU將數(shù)據(jù)寫入顯示區(qū)域外設(shè)置的SRAM66，對(duì)從CPU64的數(shù)據(jù)寫入速度及向存儲(chǔ)元件M1及M2的數(shù)據(jù)寫入速度進(jìn)調(diào)整，再?gòu)腟RAM66直接向存儲(chǔ)元件M1及M2將多位數(shù)據(jù)并行寫入，就不需要像以往的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路那樣，將來(lái)自SRAM66的數(shù)據(jù)變換為串行數(shù)據(jù)進(jìn)行傳送，另外由于各像素實(shí)現(xiàn)采用數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的灰度顯示，因此在SRAM66與像素之間不需要功耗大的D/A變換電路，這樣能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗。
特別是在顯示靜止圖像機(jī)會(huì)很多的移動(dòng)電話等情況下，由于將數(shù)據(jù)進(jìn)行D/A變換相應(yīng)的功耗大于數(shù)據(jù)傳送相應(yīng)的功耗，因此將灰度數(shù)據(jù)串行傳送所需要的功率小于根據(jù)灰度數(shù)據(jù)產(chǎn)生模擬電壓所需要的功率，能夠期待具有以彌補(bǔ)上述缺點(diǎn)的效果。
特別是由于存儲(chǔ)元件M1及M2與通常的SRAM相同，由兩級(jí)CMOS反相器INV1及INV2構(gòu)成，因此各反相器INV1及INV2的P型TFTP1及P2和N型TFTN1及N2中，處于導(dǎo)通狀態(tài)的TFT只有某一種，在維持存儲(chǔ)狀態(tài)期間，流過(guò)各反相器INV1及INV2的電流小，因而功耗低。
另外，在上述構(gòu)成中，由于信號(hào)線S是許多位公用，因此與前述圖19所示那樣要確保存儲(chǔ)元件數(shù)據(jù)的信號(hào)線S的情況相比，具有數(shù)據(jù)傳送頻率為位數(shù)倍的缺點(diǎn)。但是，在顯示裝置的像素?cái)?shù)為m×n時(shí)，若從SRAM66向以往的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路串行傳送數(shù)據(jù)，則需要的傳判斷頻率為信號(hào)線S的并行數(shù)×n倍。由于通常n雖為80以上，而位數(shù)x為8左右，因此即使在上述構(gòu)成中，也還有由于將數(shù)據(jù)并行傳送而導(dǎo)致對(duì)存儲(chǔ)元件M1及M2的數(shù)據(jù)傳送速率下降的效果。
下面說(shuō)明前述多圖像顯示的情況，例如若設(shè)存儲(chǔ)元件M的個(gè)數(shù)為k，則在靜止圖顯示時(shí)，通過(guò)切換讀出來(lái)自該存儲(chǔ)元件M的數(shù)據(jù)，若是1位灰度(2級(jí)灰度)的圖像，則能夠切換顯示k個(gè)圖像。即若是2級(jí)灰度圖像，則能夠顯示k個(gè)圖像，若是4級(jí)灰度圖像，則能夠顯示k/2個(gè)圖像……，另外，各圖像不一定必須是相同灰度數(shù)，例如也可以將j(j＜k)位灰度的圖像與剩下的k～j位灰度的圖像切換顯示，這樣也可以用靜止圖像相同程度的功耗來(lái)顯示簡(jiǎn)單的動(dòng)畫。
另外，在顯示這樣的靜止圖像時(shí)，例如若想顯示6位灰度，但像素只配置4位部分的存儲(chǔ)元件，則如前所述，也可以從像素外的SRAM66讀出剩下的2位部分的數(shù)據(jù)。這種情況下，最好像素外的SRAM66以SRAM結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)2位部分(最好是3位部分)的數(shù)據(jù)(其余也可以是DRAM結(jié)構(gòu))。
特別是在顯示多個(gè)圖像時(shí)，必須采用更多的存儲(chǔ)元件，這時(shí)也與上述相同，只要從像素外的RAM將必要的位數(shù)據(jù)向像素存儲(chǔ)元件讀出顯示即可。另外，在多圖像顯示需要的數(shù)據(jù)中，也可以僅將一部分圖像顯示所需要數(shù)據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)元件中，在顯示其它圖像時(shí)，從像素外的RAM重新接受數(shù)據(jù)(與此同時(shí)，將存儲(chǔ)元件的數(shù)據(jù)返回像素外的RAM)，在保持不接通CPU電源的狀態(tài)下，能夠得到多圖像顯示及簡(jiǎn)單動(dòng)畫顯示。
(實(shí)施形態(tài)2)下面根據(jù)圖5及圖6說(shuō)明本發(fā)明第2實(shí)施形態(tài)。
圖5所示為本發(fā)明第2實(shí)施形態(tài)的顯示裝置中一個(gè)像素區(qū)域A的電路圖。該圖5的構(gòu)成與前述圖3的構(gòu)成類似，對(duì)相應(yīng)的部分附加相同的參照標(biāo)號(hào)表示，并省略共說(shuō)明，在本構(gòu)成中，也與前述圖3的構(gòu)成相同，為簡(jiǎn)化附圖的電路，存儲(chǔ)元件M設(shè)置參照符M1及M2共兩個(gè)存儲(chǔ)元件，但也可以適合三個(gè)以上的存儲(chǔ)元件。
應(yīng)該要注意的是，在本構(gòu)成中，分別與存儲(chǔ)元件M1及M2相對(duì)應(yīng)設(shè)置從同一信號(hào)線S取入數(shù)據(jù)用的第1有源元件(有源元件A)即TFTQ11及Q12，同時(shí)設(shè)置將存儲(chǔ)元件M1及M2的輸出供給前述光電元件TFTQ2的第3有源元件(有源元件C)即TFTQ51及Q52。前述TFTQ11在選擇線Ga加上選擇電壓時(shí)，將來(lái)自信號(hào)線S的數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)元件M1，前述TFTQ12在選擇線Gb加上選擇電壓時(shí)，將來(lái)自信號(hào)線S的數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)元件M2。
另外，前述位選擇線如參照符B所示，兩個(gè)存儲(chǔ)元件M1及M2公用，因此為了將各存儲(chǔ)元件M1及M2的輸出選擇其一供給前述TFTQ2，存儲(chǔ)元件M1一側(cè)的TFTQ51為P型，而在存儲(chǔ)元件M2一側(cè)的TFTQ52為N型，前述位選擇線B的選擇電壓供給這些TFTQ51及Q52的柵極，通過(guò)這樣僅將存儲(chǔ)元件M1及存儲(chǔ)元件M2的某一方的輸出供給TFTQ2，僅在相應(yīng)的期間電流流過(guò)有機(jī)EL元件62。
圖6為前述位選擇線B、選擇線Ga及Gb和信號(hào)線S的波形圖。在該圖6的例子中，1幀期間Tf也分割為127份，在數(shù)據(jù)寫入期間即1的時(shí)間內(nèi)，選擇一Ga及Gb根據(jù)信號(hào)線S送出的位數(shù)據(jù)，依次為高電平(前述選擇電壓)，將來(lái)自SRAM的數(shù)據(jù)寫入各存儲(chǔ)元件M1及M2。在顯示期間即剩下的2～127的時(shí)間內(nèi)，選擇線Ga及Gb為低電平(非選擇電壓)，而且位選擇線B對(duì)應(yīng)于該位權(quán)重的比例，切換為存儲(chǔ)元件M1的選擇電壓V1及存儲(chǔ)單元M2的選擇電壓V2，將各存儲(chǔ)元件M1及M2的數(shù)據(jù)兩者選一輸出給TFTQ2。
這樣，通過(guò)使位選擇線B送出的選擇電壓為V1的期間和為V2的期間之比取為1∶2，就能夠進(jìn)行多灰度顯示。另外，使存儲(chǔ)元件M1及M2存儲(chǔ)不同的2值圖像(文字或圖像)數(shù)據(jù)，通過(guò)以1幀或多幀為單位周期性地將位選擇線B切換為電壓V1及V2，就能夠周期性地顯示兩個(gè)圖像，能夠顯示簡(jiǎn)單的重復(fù)動(dòng)態(tài)圖像。這樣的功能作為移動(dòng)電話等的等待畫面越不定期越來(lái)越受歡迎。
(實(shí)施形態(tài)3)下面根據(jù)圖7及圖8說(shuō)明本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)，圖7所示為本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)的顯示裝置中一個(gè)像素區(qū)域A的電路圖。該圖7的構(gòu)成與前述圖5的構(gòu)成類似，對(duì)相應(yīng)的部分附加相同的參照標(biāo)號(hào)表示，并省略其說(shuō)明，在本構(gòu)成中，也與前述圖3的構(gòu)成相同，為簡(jiǎn)化附圖的電路，存儲(chǔ)元件M設(shè)置參照符M1及M2共兩個(gè)存儲(chǔ)無(wú)件，但也中以適合三個(gè)以上的存儲(chǔ)元件。
在前述圖1及圖5的構(gòu)成中，作為實(shí)現(xiàn)灰度顯示的方法是采用分時(shí)灰度顯示的方法。但是，本發(fā)明不限于此，另外光電元件也不限于此，另外光電元件也不限于有機(jī)EL元件62。因此，應(yīng)該要注意的是，本實(shí)施形態(tài)是以采用液晶91作為光電元件，對(duì)該液晶91加上模擬電壓實(shí)現(xiàn)灰度顯示的情況為例進(jìn)行說(shuō)明的。
前述液晶91與電阻R11及R12構(gòu)成的并聯(lián)電路，以及電阻R2相互串聯(lián)，連接在電源電壓VDD的參照線(電源線)R與GND之間，在本構(gòu)成不設(shè)置前述位選擇線B1及B2，不設(shè)置B，存儲(chǔ)元件M1及M2的輸出分別供給P型TFTQ61及Q62?？刂破鋵?dǎo)通或不導(dǎo)通。TFTQ61與前述電阻R11及R12并聯(lián)設(shè)置，TFTQ62與前述電阻R2并聯(lián)設(shè)置。另外，電阻R3與液晶91并聯(lián)設(shè)置。
前述電阻R11與R12相互并聯(lián)形成是為了制成1/2電阻值的電阻，由于光刻條件等工藝的影響，比較容易制成大致相等電阻值的電阻，而難以用單體制成符合前述1/2電阻值的電阻。因而，希望各電阻R11、R12、R2及R2的電阻值相互相等。
下面若忽略TFTQ61及Q62的導(dǎo)通電阻，則在該TFTQ61及Q62都為非導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，液晶91所加的電壓為VDD×(R3/((R1//R12)+R2+R3))在TFTQ61為導(dǎo)通狀態(tài)而TFTQ62為非導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，液晶91所加的電壓為VDD×(R3/(R2+R3))在TFTQ61為非導(dǎo)通狀態(tài)而TFTQ62為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，液晶91所加的電壓為VDD×(R3/((R1//R12)+R3))在TFTQ61及Q62都為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，VDD的電壓直接加在液晶91上。另上在上式中，所謂(R11//R12)是電阻R11與電阻R12的關(guān)聯(lián)電阻值，可以用(R11×R12)/(R11+R12)表示。
因而，如前所述，在各電阻R11、R12、R2及R3的電阻值互相相等的情況下，當(dāng)TFTQ61及Q62都為非導(dǎo)通過(guò)狀態(tài)時(shí)，加上2VDD/5的電壓，當(dāng)TFTQ61為導(dǎo)通狀態(tài)而TFTQ62為非導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，加上VDD/2的電壓，當(dāng)TFTQ61為非導(dǎo)通狀態(tài)而TFTQ62為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，加上2VDD/3的電壓，這樣，也能夠在像素區(qū)域A內(nèi)形成簡(jiǎn)單的D/A變換電路。
這樣通過(guò)將各存儲(chǔ)元件M1及M2對(duì)應(yīng)的TFTQ61及Q62切換為導(dǎo)通或非導(dǎo)通狀態(tài)，將參照線(電源線)R供給的電源電壓VDD進(jìn)行分壓，能過(guò)電壓變換后加在光電元件上，上述這種方法對(duì)于光電元件是液晶91的情況特別有效。另外，也可以不用前述電阻R11、R12、R2及R3進(jìn)行分壓，而用電容進(jìn)行分壓。
另外，在上述圖7的構(gòu)成中，雖不能切換顯示多個(gè)圖像，但在存儲(chǔ)元件M1及M2與TFTQ61及Q62之間設(shè)置第3有源元件(有源元件C)，也可以在該第3有源元件與存儲(chǔ)元件M1及M2的組合之間切換圖像。另外，本構(gòu)成的控制時(shí)序除沒(méi)有位選擇線B以外，其它與前述圖6的控制相同，因此這里省略其時(shí)序說(shuō)明。
這里，上述圖7的構(gòu)成雖具有削減顯示區(qū)域A的布線數(shù)的效果，但低功耗的效果差。因此，更理想的例子如圖8所示，是能實(shí)現(xiàn)低功耗的D/A變換電路的構(gòu)成。在該圖8的構(gòu)成中，與圖7的構(gòu)成對(duì)應(yīng)的部分附加同一參照標(biāo)號(hào)表示。應(yīng)該要注意的是，存儲(chǔ)元件M1及M2的輸出分別通地電容C11及C21供給液晶91。因而，在本構(gòu)成中，由于不用電阻，因此功耗的增加少，能夠達(dá)到前述的低功耗。
在本構(gòu)成中，設(shè)液晶91的電容量為CLC，電容C11及C21的電容量分別用相同的參照符表示，則當(dāng)存儲(chǔ)元件M1及M2的輸出都為GND電位時(shí)，液晶91加上零電壓，當(dāng)存儲(chǔ)元件M1的輸出為VDD電位而存儲(chǔ)元件M2的輸出為GND電位時(shí)，淮晶91所加的電壓為VDD×C11/(CLC+C11+C21)當(dāng)存儲(chǔ)元件M1的輸出為GND電位而存儲(chǔ)元件M2的輸出為VDD電位時(shí)，液晶91所加的電壓為VDD×C21/(CLC+C11+C21)當(dāng)存儲(chǔ)元件M1及M2的輸出都為VDD電位時(shí)，液晶91所加的電壓為VDD×(C11+C21)/(CLC+C11+C21)
因此，例如設(shè)C21＝2×C11，C11與CLC近似相等，盡可能取得大一些，若再適當(dāng)設(shè)定電源電壓VDD，則能夠用液晶91進(jìn)行多灰度顯示。
(實(shí)施形態(tài)4)下面根據(jù)圖9～圖11說(shuō)明本發(fā)明第4實(shí)施形態(tài)。
圖9所示為本發(fā)明第4實(shí)施形態(tài)的顯示裝置中一個(gè)像素區(qū)域A的電路圖。該圖9的構(gòu)成與前述圖1、圖5及圖8的構(gòu)成類似。本構(gòu)成采用前述圖8的電容構(gòu)成的D/A變換功能，產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件62的TFTQ2的柵極電壓。為此，電容C21及C22的一端與電壓輸出級(jí)的前述TFTQ2的柵極連接。電容C21的另一端與存儲(chǔ)元件M2的輸出連接，電容C22的另一端與電容C11及C12的一端連接。電容C11的另一端與存儲(chǔ)元件M1的輸出連接，電容C12的另一端與電源電壓VDD的參照線R連接。
然后，設(shè)C21＝C11＝C12的電容量，C22＝2×C21的電容量。即成為所謂C～2C的DAC構(gòu)成。關(guān)于該C～2C的DAC構(gòu)成，由于在ASIA DISPLAY’98(1998年9月28日～10月1日召開)的報(bào)告書P285等中已記載，因此省略其原理必說(shuō)明。采用這樣的電容構(gòu)成D/A變換電路，也可以將其輸出供給有機(jī)EL元件62的驅(qū)動(dòng)用TFTQ2。
另外，在本構(gòu)成中，第1有源元件(有源元件A)即TFTQ1與存儲(chǔ)元件M1之間設(shè)置第2有源元件(有源元件B)即P型TFTQ71，在TFTQ1與存儲(chǔ)元件M2之間設(shè)置第2有源元件(有源元件B)即N型TFTQ72，前述位選擇線B的選擇電壓供給這些TFTQ71及Q72的柵極，通過(guò)前TFTQ1，將信號(hào)線S的數(shù)據(jù)選擇寫入存儲(chǔ)元件M1及M2的某一個(gè)存儲(chǔ)元件。
圖10所示為前述位選擇B，選擇線G及信號(hào)線S所加信號(hào)的波形圖。在該圖10的例子中，1幀期間Tf也分割為127份，在數(shù)據(jù)寫入期間即1的時(shí)間內(nèi)，選擇線G為高電平(選擇電壓)，同時(shí)位選擇線B根據(jù)信號(hào)線S送出的位數(shù)據(jù)，依次切換為存儲(chǔ)元件M的選擇電壓V1及存儲(chǔ)元件M2的選擇電壓V2，將來(lái)自SRAM66的數(shù)據(jù)寫入各存儲(chǔ)元件M1及M2。在顯示期間即剩下的2～127的時(shí)間內(nèi)，由于選擇線G為低電平(非選擇電壓)，禁止數(shù)據(jù)寫入，因此位選擇線B為任意電壓(在圖10中為選擇電壓V1)。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，即使是電流驅(qū)動(dòng)型光電元件，也可以不用分時(shí)灰度控制，通過(guò)控制TFTQ2的柵極電壓，能夠得到對(duì)應(yīng)的電流值，進(jìn)行灰度顯示。
另外，對(duì)于電流驅(qū)動(dòng)型光電元件，存儲(chǔ)元件M1及M2的輸出電流變換方法，除這樣控制TFTQ2的柵極電壓得到對(duì)應(yīng)電流的方法以外，最直接的方法有通過(guò)切換各存儲(chǔ)元件M1及M2對(duì)應(yīng)的開關(guān)元件為導(dǎo)通或非導(dǎo)通狀態(tài)，使電源布線與光電元件之間的電導(dǎo)率變化，從而對(duì)光電元件供給電流的方法。這在光電元件是有機(jī)EL元件時(shí)特別有效。圖11所示為其構(gòu)成。在該構(gòu)成中，利用前述TFTQ11及Q12從前述信號(hào)線S分別將數(shù)寫入存儲(chǔ)元件M1及M2，其輸出控制TFTQ61、Q62及Q63。TFTQ61～Q63都是由相同尺寸構(gòu)成，在各TFTQ61～Q63處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，相互流過(guò)相等的電流。
因而，根據(jù)位權(quán)重，存儲(chǔ)元件M2相對(duì)于存儲(chǔ)元件M1，能夠?qū)τ袡C(jī)EL文件62供給2倍的電流，這樣只要將來(lái)自SRAM66的數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)地件M1及M2，就能夠不用分時(shí)控制，用電流驅(qū)動(dòng)型光電元件進(jìn)行灰度顯示。
(實(shí)施形態(tài)5)圖12所示為本發(fā)明第5實(shí)施形態(tài)的顯示裝置中一個(gè)像素區(qū)域A的電路圖。該圖12的構(gòu)成與前述圖3的構(gòu)成類似，對(duì)應(yīng)的部分附加相同的參照標(biāo)號(hào)表示，并省略其說(shuō)明，應(yīng)該要注意的是，在本構(gòu)成中，采用強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容C1及C2作為存儲(chǔ)元件，該存儲(chǔ)元件與第1有源元件(有源元件A)即TFTQ1直接連接，而在存儲(chǔ)元件與GND之間配置第2有源元件(有源元件B)即TFTQ31及Q32。該圖12的強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容C1及C2的使用方法是在稱為FRAM(強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)元件)處的IT(晶體管)IC(電容)構(gòu)成，因此，與圖3的使用四個(gè)TFTP1、P2、N1及N2的DRAM電路相比，能夠減少需要的電路面積。
另外，強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容的制造方法，由于已在例如日本專利特開2000～169297號(hào)公報(bào)(日本國(guó)公開專利公報(bào)(
公開日2000年6月20日))等中記載，因此這里省略詳細(xì)說(shuō)明。
另外，在本構(gòu)成中，前述強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容C1及C2的一端與TFTQ1及Q2a連接，另一端通過(guò)前述TFTQ31及Q32接地。再有，在前述圖1及圖3的基板63中，有機(jī)EL元件62的層疊順序是按照基板、陽(yáng)極、空穴注入層，空穴輸運(yùn)層，發(fā)光層，電子輸運(yùn)層及陰極的順序，TFTQ2為P型，將有機(jī)EL元件62插入TFTQ2與GND之間。而在該圖12的構(gòu)成中，采用在基板63a按基板，陰極、電子輸運(yùn)層，發(fā)光層、空穴輸運(yùn)層、空穴注入層及陽(yáng)極的順序?qū)盈B構(gòu)成的有機(jī)EL元件62a，將該有機(jī)EL元件62a插入N型TFTQ2a與電源電壓VDD的參照線R之間。這樣能夠減小TFTQ2a、Q31及Q32的柵極電壓振幅。
(實(shí)施形態(tài)6)下面根據(jù)圖13及圖14說(shuō)明本發(fā)明第6實(shí)施形態(tài)。
圖13所示為本發(fā)明第6實(shí)施形態(tài)的顯示裝置中四個(gè)像素區(qū)域的電路圖。該圖13的構(gòu)成與前述圖12的構(gòu)成類似，對(duì)相應(yīng)的部分附加相同的參照標(biāo)號(hào)表示，并省略其說(shuō)明。應(yīng)該要注意的是，在本構(gòu)成中，每個(gè)像素采用六個(gè)強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容C1～C6作為存儲(chǔ)元件。另外，對(duì)與前述強(qiáng)電介質(zhì)薄膜是容C1～C6分別對(duì)應(yīng)的TFTQ31～Q36進(jìn)行驅(qū)動(dòng)用的位選擇線B1～B6，在列方向的第奇數(shù)個(gè)的像素(在圖13中為A11及A12)和第偶數(shù)個(gè)的像素(在圖13中為A21及A22)即相鄰行間公用，可以減少在顯示區(qū)域內(nèi)所占的布線區(qū)域的比例。參照線R的電壓為-VDD，采用N型TFTQ2a，與此相應(yīng)采用有機(jī)EL元件62a。
圖14所示為前述位選擇線B1～B6和選擇線Gi及Gi+1所加信號(hào)的波形圖。在該圖14的例子中，1幀期間分割為128份，大體上在1的時(shí)間內(nèi)，選擇線Gi為高電平，而且位選擇線B1～B6選擇一條為高電平，將來(lái)自SRAM66的數(shù)據(jù)取入第i行的各強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容C1～C6，在2的時(shí)間內(nèi)，選擇線Gi+1為高電平，而且位選擇線B1～B6選擇一條為高電平，將來(lái)自SRAM66的數(shù)據(jù)取入第i+1行的各強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容C1～C6，在剩下的3～128的時(shí)間內(nèi)，選擇線Gi及Gi+1為低電平，而且位選擇線B1～B6選擇一條在其位權(quán)重期間為高電平，各強(qiáng)電介薄膜電容C1～C6的數(shù)據(jù)輸出給TFTQ2a。
另外，在上述的情況下，由于選擇線Gi為高電平時(shí)，選擇線Gi+1為低電平，因此將數(shù)據(jù)寫入第i行的各強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容器C1～C6時(shí)，數(shù)據(jù)不寫入第i+1行的各強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容C1～C6。
詳細(xì)來(lái)說(shuō)，對(duì)應(yīng)于該位權(quán)重，位選擇線B1僅在單位期間T被選擇，位選擇線B2僅在期間2T被選擇，位選擇線B3僅在期間4T被選擇，位選擇線B4僅在期間8T被選擇，位選擇線B5僅在期間16T被選擇，位選擇線B6僅在期間16T被選擇，位選擇線B6僅在期間32T被選擇。另外，在圖14的例子中，取前述單位期間T為1幀期間的1/128，即在1幀期間內(nèi)交替選擇(128～2)/[(1+2+4+8+18+32)×1]＝2次。
因而，在1及2的時(shí)間內(nèi)，如前所述，對(duì)各強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容C1～C6進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入，在3的時(shí)間內(nèi)位選擇線B1被選擇，4～5的時(shí)間內(nèi)位選擇線B2被選擇，6～9的時(shí)間內(nèi)位選擇線B3被選擇，10～17的時(shí)間內(nèi)位選擇線B4被選擇，18～33的時(shí)間內(nèi)位選擇線B5被選擇，34～65的時(shí)間內(nèi)位選擇線B6被選擇，在66的時(shí)間內(nèi)位選擇線B1再次被選擇，……，在97～128的時(shí)間內(nèi)位選擇線B6再次被選擇。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，能夠?qū)崿F(xiàn)更進(jìn)一步的多灰度顯示。
另外，在圖14的例子中，在1幀期間同一位選擇線選擇兩次。這是因?yàn)樵?幀期間僅僅一次得到與各位對(duì)應(yīng)發(fā)光的方法，產(chǎn)生與PDP出現(xiàn)的問(wèn)題同樣的動(dòng)畫虛輪廓的問(wèn)題，但是，如前述圖4所示，為了得到多次發(fā)光，更加強(qiáng)改善前述動(dòng)畫虛輪廓，只要越接近于MSB的位(例如位選擇線B6及B5)，將選擇期間細(xì)分，在1幀期間內(nèi)加以分散即可。
另外，與將1幀期間全部作為發(fā)光期間相比，還是將1幀期間的一部分作為發(fā)光期間比較好，這是因?yàn)榫哂薪鉀Q前述動(dòng)畫虛輪廓的效果及解決運(yùn)動(dòng)圖像模糊的效果。為了形成該非發(fā)光狀態(tài)，只要對(duì)圖13的六個(gè)強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容C1～C6中的一個(gè)使其保持使有機(jī)EL文件62a不發(fā)光的電壓，或者備有與使有機(jī)EL元件62a不發(fā)光的電壓連接的布線，來(lái)代替那一個(gè)強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容，然后再進(jìn)行選擇該強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容或布線即可。
(實(shí)施形態(tài)7)下面根據(jù)圖15說(shuō)明本發(fā)明第7實(shí)施形態(tài)。
圖15所示為本發(fā)明第7實(shí)施形態(tài)的顯示裝置中四個(gè)像素區(qū)域的電路圖。該圖15的構(gòu)成與前述的圖13及圖3的構(gòu)成類似，對(duì)相應(yīng)的部分附加相同的參照標(biāo)號(hào)表示，并省略其說(shuō)明。應(yīng)該要注意的是，在本構(gòu)成中，位選擇線B1～B6分為B1～B3與B4～B6兩組，在各行間均勻配置，即位選擇線B1～B6在相鄰行間公用這一點(diǎn)雖然與前述圖13的構(gòu)成相同，但在圖13的構(gòu)成中，是將該位選擇線B1～B6一起集中配置在公用的行間，而在本構(gòu)成中與上述不同，是分為兩組分散配置。
因而，能夠使布線數(shù)均衡，提高顯示均勻性。
另外，前述圖14所示的動(dòng)作中，對(duì)強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容C1～C6的寫入期間，從2個(gè)單位時(shí)間變?yōu)?個(gè)單位時(shí)間，其它均相同，故省略其詳細(xì)說(shuō)明。
實(shí)施形態(tài)8
下面根據(jù)圖16說(shuō)明本發(fā)明第8實(shí)施形態(tài)。
圖16所示為本發(fā)明第8實(shí)施形態(tài)的顯示裝置中兩個(gè)像素區(qū)域的電路圖。該圖16的構(gòu)成與前述圖14的構(gòu)成類似，對(duì)相應(yīng)的部分附加相同的參照標(biāo)號(hào)表示，并省略其說(shuō)明，應(yīng)該要注意的是，在本構(gòu)成中，采用3條位選擇B1～B3，該選擇輸出在各像素A11及A21內(nèi)進(jìn)行譯碼，選擇強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容C1～C8中的對(duì)應(yīng)元件。因此，由于23＝8，所以如前所述，設(shè)置八個(gè)強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容C1～C8，另外與第奇數(shù)個(gè)的強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容C1、C3、C5及C7對(duì)應(yīng)分別設(shè)置N型TFTQ31、Q33、Q35及Q37，與第偶數(shù)個(gè)的強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容C2、C4、C6及C8對(duì)應(yīng)分別設(shè)置P型TFTQ32a、Q34a、Q36a及Q38a，同時(shí)設(shè)置對(duì)前述選擇信號(hào)進(jìn)行譯碼用的TFTQ81＝Q86(譯碼裝置)。
另外，能夠更進(jìn)一步縮小布線區(qū)域的比例。
如上述實(shí)施形態(tài)1～8所述，本發(fā)明顯示裝置之一例，是在呈矩陣狀劃分的各區(qū)域中設(shè)置光電元件，通過(guò)前述各區(qū)域設(shè)置的第1有源元件(有源元件A)，從信號(hào)線將數(shù)據(jù)取入存儲(chǔ)元件，以該存儲(chǔ)元件的輸出驅(qū)動(dòng)前述光電元件進(jìn)行顯示，在這樣的顯示裝置中，對(duì)同一信號(hào)線設(shè)置幾個(gè)與各光電元件對(duì)應(yīng)的前述存儲(chǔ)元件，利用前述存儲(chǔ)元件的一部分或全部輸出驅(qū)動(dòng)前述光電元件進(jìn)行顯示。
另外，本發(fā)明顯示裝置的其它例子，是在利用選擇線選擇期間，利用第1有源元件(有源元件A)將信號(hào)線的數(shù)據(jù)取入存儲(chǔ)元件，光電元件對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容進(jìn)行顯示，在這樣的顯示裝置中，對(duì)應(yīng)于各光電元件形成的前述存儲(chǔ)元件對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度和/或圖像種類的至少一部分對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)，還包括分別與前述各存儲(chǔ)元件對(duì)應(yīng)設(shè)置的第2有源元件(有源元件B)及位選擇線，前述位選擇線是相互相等的位順序的第2有源元件控制輸入端之間形成的公共走線，在各位順序期間選擇其中一條，在前述選擇線被選擇期間，將通過(guò)前述第1有源元件的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件中，在前述選擇線未被選擇的期間，將對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件的數(shù)據(jù)輸出給光電元件。
本發(fā)明顯示裝置的另外的其它例子，是在利用選擇線選擇期間，利用第1有源元件(有源元件A)將信號(hào)線的數(shù)據(jù)取入存儲(chǔ)元件，光電元件對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容進(jìn)行顯示，在這樣的顯示裝置中，對(duì)應(yīng)于各光電元件形成的前述存儲(chǔ)元件對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度和/或圖像種類的至少一部分對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)，同時(shí)分別對(duì)應(yīng)于各存儲(chǔ)元件還設(shè)置前述第1有源元件及選擇線，還包含分別對(duì)應(yīng)于前述各存儲(chǔ)元件設(shè)置的第3有源元件(有源元件C)及位選擇線，前述位選擇線是在相互相等的位順序的第3有源元件控制輸入端之間形成的公共走線，在各位順序期間選擇其中一條，將對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件的數(shù)據(jù)輸出給光電元件。
本發(fā)明顯示裝置的另外的其它例子，是在利用選擇線選擇期間，利用第1有源元件(有源元件A)將信號(hào)線的數(shù)據(jù)取入存儲(chǔ)元件，光電元件對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容進(jìn)行顯示，在這樣的顯示裝置中，對(duì)應(yīng)于各光電元件形成的前述存儲(chǔ)元件對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度的至少一部分對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)，同時(shí)分別對(duì)應(yīng)于各存儲(chǔ)元件還設(shè)置前述第1有源元件及選擇線，利用前述多個(gè)存儲(chǔ)元件的輸出之和驅(qū)動(dòng)前述光電元件進(jìn)行顯示。
本發(fā)明顯示裝置的另外的其它例子，是在利用選擇線選擇期間，利用第1有源元件(有源元件A)將信號(hào)線的數(shù)據(jù)取入存儲(chǔ)元件，光電元件對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容進(jìn)行顯示，在這樣的顯示裝置中，對(duì)應(yīng)于各光電元件形成的前述存儲(chǔ)元件對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度的至少一部分對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)，同時(shí)分別對(duì)應(yīng)于各存儲(chǔ)元件還設(shè)置前述第1有源元件及選擇線，利用前述多個(gè)存儲(chǔ)元件的輸出之和驅(qū)動(dòng)前述光電元件進(jìn)行顯示。
本發(fā)明顯示裝置的另外的其它例子，是在利用選擇線選擇期間，利用第1有源元件(有源元件A)將信號(hào)線的數(shù)據(jù)取入存儲(chǔ)元件，光電元件對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容進(jìn)行顯示，在這樣的顯示裝置中，對(duì)應(yīng)于各光電元件形成的前述存儲(chǔ)元件對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度的至少一部分對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)，還包括分別對(duì)應(yīng)于前述各存儲(chǔ)元件設(shè)置的第2有源元件(有源元件B)及位選擇線，前述位選擇線是在相互相等的位順序的第2有源元件控制輸入端之間形成的公共走線，在各位順序期間選擇其中一條，在前述選擇線被選擇期間，將通過(guò)前述第1有源元件的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件中，利用前述多個(gè)存儲(chǔ)元件的輸出之和驅(qū)動(dòng)前述光電元件進(jìn)行顯示。
另外，本發(fā)明的顯示裝置，在前述任一種構(gòu)成中，最好的構(gòu)成是前述各光電元件呈矩陣狀排列，在相鄰行間公用前述位選擇線，根據(jù)該構(gòu)成，能夠縮小布線面積，實(shí)現(xiàn)更進(jìn)一步的多灰度顯示。
再有，本發(fā)明的顯示裝置，在前述任一種構(gòu)成中，最好的構(gòu)成是將前述位選擇線分為兩組，分散配置在各行之間，根據(jù)該構(gòu)成，能夠取得布線數(shù)均衡，提高顯示均勻性。
另外，本發(fā)明的顯示裝置，在前述任一種構(gòu)成中，最好的構(gòu)成是還具有對(duì)前述位選擇線的選擇數(shù)據(jù)進(jìn)行譯碼的譯碼裝置。根據(jù)該構(gòu)成，能夠進(jìn)一步減小布線區(qū)域的比例。
特別是本發(fā)明比較理想的是在與顯示區(qū)的各光電元件對(duì)應(yīng)的構(gòu)成中具有存儲(chǔ)元件，適合于將從CPU等外部裝置將要顯示的圖像(或文字)數(shù)據(jù)寫入顯示裝置的RAM(隨機(jī)存儲(chǔ)器)在顯示區(qū)外與顯示裝置形成一體的情況。
在上述構(gòu)成中，通過(guò)從RAM并行讀出數(shù)據(jù)，在各光電元件顯示，以實(shí)現(xiàn)低功耗，但若在RAM與光電元件之間有D/A變換器，則因此使上述并行處理的低功耗效果就沒(méi)有了。
所以，如本發(fā)明那樣，在RAM與光電元件之間不設(shè)置D/A變換器，代之以設(shè)置數(shù)字式存儲(chǔ)器，構(gòu)成多灰度顯示，這樣通過(guò)上述構(gòu)成，能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗的目標(biāo)，因此是比較理想的。
另外，在上述構(gòu)成中，將顯示區(qū)外設(shè)置的圖像存儲(chǔ)器表示為RAM，是因?yàn)樵诿總€(gè)上述光電元件設(shè)置靜態(tài)存儲(chǔ)器的構(gòu)成中，圖像存儲(chǔ)器僅僅是只要暫時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)即可，因此斷定為不一定取SRAM結(jié)構(gòu)，也可以是DRAM結(jié)構(gòu)。
另外，本發(fā)明的顯示示裝置，在前述任一種構(gòu)成中，最好用強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容形成前述存儲(chǔ)元件。
根據(jù)上述構(gòu)成，與使用TFT等晶體管的SRAM電路來(lái)實(shí)現(xiàn)的情況相比，能夠減小存儲(chǔ)元件需要的電路面積。
在發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明中敘述的具體實(shí)施形態(tài)或?qū)嵤├?，只是闡明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，不應(yīng)該是只限定那樣的具體例而狹義地進(jìn)行解釋，在本明的精神及下述的權(quán)利要求項(xiàng)范圍內(nèi)，可以實(shí)施各種變更。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括設(shè)置在呈矩陣狀劃分的各區(qū)域中的光電元件(62、Q29162a、Q2a)，設(shè)置在所述各區(qū)域中的有源元件A(Q1、Q11、Q12)，和通過(guò)所述有源元件A取入信號(hào)線(S)的數(shù)據(jù)并用其輸出驅(qū)動(dòng)所述光電元件進(jìn)行顯示的存儲(chǔ)元件(M1、M2)，其特征在于，對(duì)于同一信號(hào)線，設(shè)置多個(gè)對(duì)應(yīng)于各光電元件的所述存儲(chǔ)元件，同時(shí)利用對(duì)應(yīng)于該光電元件設(shè)置的多個(gè)所述存儲(chǔ)元件的一部分或全部輸出，驅(qū)動(dòng)所述各光電元件進(jìn)行顯示。
2.一種顯示裝置，包括與選擇線(G)及信號(hào)線(S)連接的有源元件A(Q1)，通過(guò)所述有源元件A取入信號(hào)線數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)元件(M1、M2C1、C2C1～C6C1～C8)，和對(duì)應(yīng)于所述存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容進(jìn)行顯示的光電元件(62、Q262aQ2a)，其特征在于，對(duì)應(yīng)于各光電元件形成的所述存儲(chǔ)元件，對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度和/或圖像種類的至少一部分對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)，同時(shí)還包含分別對(duì)應(yīng)于各存儲(chǔ)元件設(shè)置的有源元件B(Q31、Q32Q31～Q36Q31～Q38a)，和驅(qū)動(dòng)所述有源元件B的位選擇線(B)，所述位選擇線是在相互相等的位順序的有源元件B(Q31、Q31Q32、Q32 Q31、Q31～Q36、Q36Q31～Q38a、Q31～Q38a)的控制輸入端之間的公共走線中，在各位順序期間選擇其中一條，在所述選擇線被選擇期間，將通過(guò)所述有源元件A的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件中，在所述選擇線未被選擇的期間，將對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件的數(shù)據(jù)輸出給光電元件。
3.一種顯示裝置，包括與選擇線(G)及信號(hào)線(S)連接的有源元件A(Q11、Q12)，在利用選擇線選擇所述有源元件的期間，通過(guò)該有源元件A取入信號(hào)線數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)元件(M1、M2)，和對(duì)應(yīng)于所述存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容進(jìn)行顯示的光電元件(62Q2)，其特征在于，對(duì)應(yīng)于各光電元件形成的所述存儲(chǔ)元件對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度和/或圖像種類的至少一部分對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)，同時(shí)通過(guò)不同的所述有源元件A(Q11、Q12)對(duì)應(yīng)于各自的選擇線(Gai、Gbi)，設(shè)置這些存儲(chǔ)元件(M1、M2)，還包括分別對(duì)應(yīng)于所述各存儲(chǔ)元件(M1、M2)設(shè)置在各存儲(chǔ)元件與光電元件之間的有源元件C(Q51、Q52)，和驅(qū)動(dòng)所述有源元件C的位選擇線(Bi)，所述位選擇線是在相互相等的位順序的有源元件C(Q51、Q52)的控制輸入端之間的公共走線中，在各位順序期間選擇其中一條，將對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件(M1、M2)的數(shù)據(jù)輸出給光電元件。
4.一種顯示裝置，包括與選擇線(G)及信號(hào)線(S)連接的有源元件A(Q11、Q12)，在所述有源元件A利用選擇線被選擇期間通過(guò)該有源元件A取入信號(hào)線數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)元件(M1、M2)，和對(duì)應(yīng)于所述存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容進(jìn)行顯示的光電元件(9162)，其特征在于，對(duì)應(yīng)于所述各光電元件形成的所述存儲(chǔ)元件(M1、M2)，對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示的灰度的至少一部分對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)，同時(shí)通過(guò)不同的所述有源元件A(Q11、Q12)對(duì)應(yīng)于各自的選擇線(Gai、Gbi)設(shè)置這些存儲(chǔ)元件(M1、M2)，利用與此相對(duì)應(yīng)形成的多個(gè)所述存儲(chǔ)元件輸出的和；驅(qū)動(dòng)所述各光電元件進(jìn)行顯示。
5.一種顯示裝置，包括與選擇線(G)及信號(hào)線(S)連接的有源元件A(Q1)；通過(guò)所述有源元件A取入信號(hào)線數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)元件(M1、M2C1、C2C1～C6C1～C8)，和對(duì)應(yīng)于所述存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容進(jìn)行顯示的光電元件(Q2、b2Q2a、b2a)，其特征在于，對(duì)應(yīng)于各光電元件的所述存儲(chǔ)元件，對(duì)于同一信號(hào)線設(shè)置的個(gè)數(shù)，是與要顯示示的灰度的至少一部分對(duì)應(yīng)的位數(shù)個(gè)，還包括分別對(duì)應(yīng)于各存儲(chǔ)元件設(shè)置的有源元件B(Q31、Q32Q71、Q72Q31～Q36Q31～Q38a)，和驅(qū)動(dòng)所述有源元件B的位選擇線(B)，所述位選擇線是在相互相等的位順序的有源元件B(Q31、Q31Q32、Q32Q71、Q71Q72、Q72Q31、Q31～Q36、Q26Q31、Q31～Q38a、Q38a)的控制輸入端之間的公共走線中，在各位順序期間選擇其中一條，在所述選擇線被選擇期間，將通過(guò)所述有源元件A的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件中，利用與此相對(duì)應(yīng)形成的多個(gè)所述存儲(chǔ)元件輸出的和，驅(qū)動(dòng)所述各光電元件進(jìn)行顯示。
6.如權(quán)利要求2至5任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于，所述各光電元件呈矩陣狀排列，在相鄰行之間公用所述位選擇線。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，將所述位選擇線分為兩組，分散配置在各行之間。
8.如權(quán)利要求2至7任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于，還包括將所述位選擇線的選擇數(shù)據(jù)進(jìn)行譯碼的譯碼裝置(Q81～Q86)。
9.如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)元件由強(qiáng)電介質(zhì)薄膜電容(C1～C6C1～C8)構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種顯示裝置,是在利用選擇線被選擇期間,由有源元件(A)將信號(hào)線取入存儲(chǔ)元件,對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)內(nèi)容,構(gòu)成光電元件的有源元件將參照線的電壓加在有機(jī)EL元件上,通過(guò)這樣對(duì)每個(gè)像素進(jìn)行存儲(chǔ)保持動(dòng)作,對(duì)同一數(shù)據(jù)不進(jìn)行再寫入,從而實(shí)現(xiàn)低功耗。在實(shí)現(xiàn)多灰度顯示時(shí),削減布線數(shù)及功耗,為達(dá)到此目的,更具體來(lái)說(shuō),根據(jù)要顯示的灰度,設(shè)置多個(gè)前述存儲(chǔ)元件,還設(shè)置分別與這些存儲(chǔ)元件對(duì)應(yīng)的有源元件(B)及擇一選擇的位選擇線,該位選擇線是在相互相等的位順序的有源元件(B)的控制輸入端之間的公共走線中,在選擇線的非選擇期間寫入數(shù)據(jù),在選擇期間僅在位權(quán)重期間對(duì)位選擇線進(jìn)行選擇。
文檔編號(hào)G09G3/30GK1365093SQ02101838
公開日2002年8月21日 申請(qǐng)日期2002年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2001年1月10日
發(fā)明者沼尾孝次 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社