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顯示板驅(qū)動(dòng)電路及等離子體顯示器的制作方法

文檔序號(hào):2578131閱讀:186來源:國(guó)知局
專利名稱:顯示板驅(qū)動(dòng)電路及等離子體顯示器的制作方法
相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考本申請(qǐng)基于并要求2002年1月31日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)No.2002-024493的優(yōu)先權(quán),其內(nèi)容在這里作為參考引入。
背景技術(shù)
[發(fā)明領(lǐng)域]本發(fā)明涉及驅(qū)動(dòng)顯示板的電路,特別涉及能夠減少等離子體顯示器、場(chǎng)致發(fā)光顯示器、液晶顯示器(LCD)等的作為電容性負(fù)載的顯示板的驅(qū)動(dòng)功耗的電路結(jié)構(gòu),并涉及應(yīng)用該驅(qū)動(dòng)電路的顯示裝置。

圖15的方框圖示意性地示出了AC驅(qū)動(dòng)型的三電極表面放電等離子體顯示板,圖16為說明圖15中所示等離子體顯示板的電極結(jié)構(gòu)的剖面圖。在圖15和圖16中,附圖標(biāo)記207表示放電單元(顯示單元),210為后玻璃基板,211和221為介電層,212為熒光體,213為阻擋肋,214為地址電極(A1到Ad),220為前玻璃基板,222分別為X電極(X1到XL)或Y電極(Y1到Y(jié)L)。注意附圖標(biāo)記Ca表示地址電極中相鄰電極之間的電容,Cg表示地址電極214中相對(duì)電極(X電極和Y電極)之間的電容。
等離子體顯示板201由兩個(gè)玻璃基板組成,即后玻璃基板210和前玻璃基板220。在前玻璃基板220中,設(shè)置X電極(X1,X2,到XL)和Y電極(掃描電極Y1、Y2到Y(jié)L)構(gòu)成保持電極(包括BUS(總線)電極和透明電極)。
在后玻璃基板210中,垂直于保持電極(X電極和Y電極)222設(shè)置地址電極(A1,A2到Ad)214。由這些電極產(chǎn)生放電發(fā)光的每個(gè)顯示單元207形成在編號(hào)(Y1-X1,Y2-X2)相同的X電極和Y電極即保持電極之間與地址電極交叉的區(qū)域中。
圖17為使用圖15中的等離子體顯示板的等離子體顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的方框圖。示出了顯示板驅(qū)動(dòng)電路的主要部分。
如圖17所示,AC驅(qū)動(dòng)型的三電極表面放電等離子體顯示板由顯示板201和控制電路205組成,控制電路205用由外部輸入的接口信號(hào)產(chǎn)生控制信號(hào),用于控制顯示板的驅(qū)動(dòng)電路。AC驅(qū)動(dòng)型的三電極表面放電等離子體顯示裝置也由X公共驅(qū)動(dòng)器(X電極驅(qū)動(dòng)電路)206、掃描電極驅(qū)動(dòng)電路(掃描驅(qū)動(dòng)器)203、Y公共驅(qū)動(dòng)器204、以及地址電極驅(qū)動(dòng)電路(地址驅(qū)動(dòng)器)202組成,這些驅(qū)動(dòng)電路用來自控制電路205的控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)顯示板電極。
X公共驅(qū)動(dòng)器206產(chǎn)生保持電壓脈沖。Y公共驅(qū)動(dòng)器204也產(chǎn)生保持電壓脈沖。掃描驅(qū)動(dòng)器203獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)并掃描每個(gè)掃描電極(Y1到Y(jié)L)。地址驅(qū)動(dòng)器202將對(duì)應(yīng)于顯示數(shù)據(jù)的地址電壓脈沖施加到每個(gè)地址電極(A1到Ad)。
控制電路205包括接收時(shí)鐘脈沖CLK和顯示數(shù)據(jù)DATA并將地址控制信號(hào)提供到地址驅(qū)動(dòng)器202的顯示數(shù)據(jù)控制部分251、接收垂直同步信號(hào)Vsync和水平同步信號(hào)Hsync并控制掃描驅(qū)動(dòng)器203的掃描驅(qū)動(dòng)控制部分253、控制公共驅(qū)動(dòng)器(X公共驅(qū)動(dòng)器206和Y公共驅(qū)動(dòng)器204)的公共驅(qū)動(dòng)器控制部分254。順便提及,顯示數(shù)據(jù)控制部分251包括幀存儲(chǔ)器252。
圖18的圖表示出了圖17所示等離子體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)波形的例子。它示意性地示出了主要在一個(gè)全寫入期(total write period)(AW)、一個(gè)全擦除期(total erase period)(AE)、一個(gè)尋址期(ADD)以及一個(gè)保持期(保持放電期間SUS)施加到各電極的電壓波形。
在圖18中,圖像顯示直接涉及的驅(qū)動(dòng)期間為尋址期ADD和保持期SUS。在尋址期ADD中選擇要顯示的像素,使被選中的像素在接下來的保持期保持光發(fā)射,從而以預(yù)定亮度顯示圖像。注意圖18示出了當(dāng)一個(gè)幀由多個(gè)子幀(子半幀)組成時(shí)每個(gè)子幀的驅(qū)動(dòng)波形。
首先,在尋址期ADD,中間電位-Vmy同步地施加到所有的為掃描電極的Y電極(Y1到Y(jié)L)。此后,中間電位-Vmy改變成-Vy電平的掃描電壓脈沖,該脈沖依次施加到Y(jié)電極(Y1到Y(jié)L)。此時(shí),與將掃描脈沖施加到每個(gè)Y電極同步,將+Va電平的地址電壓脈沖施加到每個(gè)地址電極(電極A1到Ad),由此在每個(gè)掃描線上進(jìn)行像素選擇。
在隨后的保持期SUS中,+Vs電平的公共保持電壓脈沖交替施加到所有的掃描電極(Y1到Y(jié)L)和X電極(X1到XL),由此使此前選中的像素保持發(fā)光。通過這種連續(xù)施加,實(shí)現(xiàn)具有預(yù)定亮度的顯示。此外,通過對(duì)如上所述的一系列驅(qū)動(dòng)波形基本操作進(jìn)行組合而控制發(fā)光次數(shù)時(shí),也可以顯示明暗色調(diào)。
這里,全寫入期AW為寫電壓脈沖施加到顯示板的所有顯示單元以激活每個(gè)顯示單元并使它們的顯示特性保持均勻的期間。全寫入期AW按規(guī)則周期插入。全擦除期AE為在新開始一個(gè)顯示圖像的尋址操作和保持操作之前向顯示板的所有顯示單元施加一個(gè)擦除電壓脈沖,以擦除此前顯示的內(nèi)容的期間。
圖19的方框圖為圖17所示等離子體顯示裝置使用的集成電路(IC)的一個(gè)例子。
例如,當(dāng)顯示板具有512個(gè)Y電極(Y1到Y(jié)L)并且連接到Y(jié)電極的驅(qū)動(dòng)IC具有64位輸出時(shí),總共使用八個(gè)驅(qū)動(dòng)IC。通常,八個(gè)驅(qū)動(dòng)IC分開并安裝在多個(gè)組件上,在每個(gè)組件上安裝有多個(gè)IC。
圖19示出了具有64位輸出電路(234OUT1到OUT64)的驅(qū)動(dòng)IC芯片230的電路結(jié)構(gòu)。以高壓電源線VH和地線GND與兩者之間的最終輸出級(jí)的推挽式FET2341和2342相連接的方式構(gòu)成每個(gè)輸出電路234。該驅(qū)動(dòng)IC230還具有控制所述兩個(gè)FET的邏輯電路233、選擇64位輸出電路的移位寄存器電路231以及鎖存電路232。
它們的控制信號(hào)由用于移位寄存器電路231的時(shí)鐘信號(hào)CLOCK和數(shù)據(jù)信號(hào)DATA、用于鎖存電路232的鎖存信號(hào)LATCH、以及用于控制柵極電路的選通信號(hào)STB組成。最終輸出級(jí)具有圖19中的CMOS結(jié)構(gòu)(2341和2342),但也可以采用具有相同極性的MOSFET組成的圖騰柱結(jié)構(gòu)。
接下來,介紹以上介紹的驅(qū)動(dòng)IC芯片的安裝方法。例如,驅(qū)動(dòng)IC芯片安裝在剛性印刷基板上,通過引線接合連接用于驅(qū)動(dòng)IC芯片的電源、信號(hào)和輸出的焊盤端子以及印刷基板上的對(duì)應(yīng)端子。
IC芯片的輸出線引出到印刷基板的端面一側(cè)形成輸出端。輸出端通過熱壓接合連接到提供有相同端子的柔性基板上,形成一個(gè)組件。在該柔性基板的端部,提供有用于與顯示板顯示電極相連的端子。使用例如熱壓法將端子連接到供使用的顯示板顯示電極。
就直流而言,除了顯示板端部的虛電極之外,以上介紹的各電極的所有驅(qū)動(dòng)端與電路的地電位絕緣,電容性阻抗為驅(qū)動(dòng)電路負(fù)載的主要部分。利用諧振現(xiàn)象使能量在負(fù)載電容和電感之間傳遞的功率回收電路公知為一種降低電容性負(fù)載脈沖驅(qū)動(dòng)電路功耗的技術(shù)。顯示在圖20中的日本特許公開No.5-249916中介紹的低功率驅(qū)動(dòng)電路為適合于驅(qū)動(dòng)電路例如地址電極驅(qū)動(dòng)電路的功率回收電路的一個(gè)例子,其中,負(fù)載電容變化很大,以便根據(jù)顯示圖象由相互獨(dú)立的電壓驅(qū)動(dòng)各負(fù)載電極。
在圖20所示的常規(guī)例子中,地址驅(qū)動(dòng)IC120的電源端121通過使用具有諧振電感112P和112N的功率回收電路110驅(qū)動(dòng)來降低功耗。當(dāng)在等離子體顯示板的地址電極中引起地址放電時(shí),功率回收電路110輸出正常的恒定地址驅(qū)動(dòng)電壓。然后,在地址驅(qū)動(dòng)IC的輸出電路122的切換狀態(tài)轉(zhuǎn)換之前,電源端子121的電壓下降到地電平。這時(shí),在功率回收電路110的諧振電感112P和112N與被驅(qū)動(dòng)到高電平的任何數(shù)量(例如,最大為n)的地址電極的組合負(fù)載電容(例如,最大為CL×n)之間產(chǎn)生諧振,從而極大地降低了地址驅(qū)動(dòng)IC的輸出電路122的輸出元件中的功耗。
在地址驅(qū)動(dòng)IC的電源電壓保持恒定的常規(guī)驅(qū)動(dòng)方法中,切換前后在負(fù)載電容CL中存儲(chǔ)的能量的總變化量在充放電電路中的電阻性阻抗部分中消耗掉。當(dāng)使用功率回收電路110時(shí),存儲(chǔ)在負(fù)載電容中的、以作為輸出電壓諧振中心的地址驅(qū)動(dòng)電壓中間電位為參考的勢(shì)能總量由功率回收電路110中的諧振電感112P和112N保持。在輸出電路122的切換狀態(tài)轉(zhuǎn)換之后,而電源電壓為地電平時(shí),地址驅(qū)動(dòng)IC的電源電壓通過諧振重新上升到正常的恒定的驅(qū)動(dòng)電壓,從而降低了功耗。
此外,用于降低電容性負(fù)載的脈沖驅(qū)動(dòng)電路的功耗的另一種技術(shù)為在圖21中所示的未公開的日本專利申請(qǐng)No.2000-301015中的電容性負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路。在該電路中,電源通過由電阻和恒流電路組成的電源分配器30分配,以降低在驅(qū)動(dòng)電路3中的驅(qū)動(dòng)元件6的功耗。其原理是,流過驅(qū)動(dòng)元件6的驅(qū)動(dòng)電流也流過串聯(lián)的電源分配器30,所以它們之間的功耗按照對(duì)應(yīng)于其間的分壓比的分配比來分配。此外,通過提高和降低n級(jí)驅(qū)動(dòng)電源1,驅(qū)動(dòng)電源1向驅(qū)動(dòng)電路3提供的功率以及驅(qū)動(dòng)電路3中每一部分所消耗的功率也可以降低到1/n。與上述的功率回收技術(shù)相比,不需要產(chǎn)生表現(xiàn)為高Q的諧振現(xiàn)象,因此,可以高速驅(qū)動(dòng)大的負(fù)載電容5,同時(shí)以相同的程度降低驅(qū)動(dòng)電路3中的驅(qū)動(dòng)元件6的功耗,這可以帶來顯著降低電路成本的優(yōu)點(diǎn)。
上述的圖20所示的常規(guī)驅(qū)動(dòng)電路意圖利用諧振現(xiàn)象降低功耗,但是,在最近的具有高分辨率和大尺寸的等離子體顯示板中,出現(xiàn)了降低功耗的效果明顯下降的問題。如果隨著更高分辨率相應(yīng)地增加驅(qū)動(dòng)電路的輸出頻率,前述的諧振時(shí)間必須縮短,以便保持等離子體顯示板的控制特性。這時(shí),功率回收電路中僅僅諧振電感值需要變小,由于諧振的Q值降低,降低功耗的效果下降。此外,即使隨著屏幕變大,地址電極的寄生電容增加,前述的降低功耗的效果仍會(huì)下降,這是由于前述的諧振電感的值減小,以防止上述諧振時(shí)間的增加。此外,隨著驅(qū)動(dòng)電路輸出頻率的增加,等離子體顯示板被高壓脈沖驅(qū)動(dòng)的次數(shù)也會(huì)增加,這增加了功耗,并引起了驅(qū)動(dòng)電路(驅(qū)動(dòng)IC)發(fā)熱的大問題。
仍在圖21所示的采用電源分配方法的電容性負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路中,如果從驅(qū)動(dòng)電源1向驅(qū)動(dòng)電路3提供的功率能夠進(jìn)一步降低,在包括電源電路的整個(gè)系統(tǒng)中可以減少發(fā)熱,這能夠進(jìn)一步降低成本。
如果不能有效地降低驅(qū)動(dòng)電路3的功耗,顯示器中的每一部分的散熱器成本和部件成本將增加。此外,可能會(huì)出現(xiàn)顯示器件本身的散熱限制限制了發(fā)光亮度的情況,或者會(huì)使平板顯示器小型化的優(yōu)點(diǎn)沒有充分實(shí)現(xiàn)。
發(fā)明概要考慮到現(xiàn)有技術(shù)的上述問題,本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種能夠降低驅(qū)動(dòng)電路的功耗(發(fā)熱)并防止顯示器的各部件的成本增加的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,并提供采用這種顯示板驅(qū)動(dòng)電路的顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,所提供的顯示板驅(qū)動(dòng)電路包括連接到顯示板上的多個(gè)第一電極和第二電極;用于驅(qū)動(dòng)第一電極的第一驅(qū)動(dòng)電路以及用于驅(qū)動(dòng)第二電極的第二驅(qū)動(dòng)電路。第二驅(qū)動(dòng)電路被連接以驅(qū)動(dòng)多個(gè)第二電極的全部或部分,或者被斷開以增加輸出阻抗。
可以控制第二電極的全部或部分進(jìn)入中斷狀態(tài),從而從第一驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)載電容中去掉顯示板中的寄生電容。通過如此降低負(fù)載電容,降低了第一電路的功耗。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,所提供的顯示板驅(qū)動(dòng)電路包括能夠提供電壓的電源;輸出由電源提供的電壓的輸出端;以及連接在電源和輸出端之間、能夠雙向?qū)ú⒃谥辽僖粋€(gè)方向?qū)﹄娏骶哂虚_關(guān)功能的第一開關(guān)元件。
因?yàn)榈谝婚_關(guān)元件在至少一個(gè)方向?qū)﹄娏骶哂虚_關(guān)功能并具有雙向?qū)üδ埽钥梢詼p少開關(guān)元件的數(shù)量,從而降低電路成本。
根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)方面,所提供的顯示板驅(qū)動(dòng)電路包括連接到電源的公共開關(guān)元件;在電源和參考電位之間通過公共開關(guān)元件串聯(lián)連接的第一和第二開關(guān)元件;連接在第一和第二開關(guān)元件之間的第一輸出端;與第一和第二開關(guān)元件并聯(lián)連接并在電源和參考電位之間通過公共開關(guān)元件串聯(lián)連接的第三和第四開關(guān)元件;連接在第三和第四開關(guān)元件之間的第二輸出端以及控制電路??刂齐娐反蜷_公共開關(guān)元件,從第一輸出端通過第一和第三開關(guān)元件輸出第二輸出端的電壓,隨后從第一輸出端通過公共開關(guān)元件和第一開關(guān)元件輸出電源電壓。
通過控制電路的控制,當(dāng)輸出從第二輸出端子轉(zhuǎn)換到第一輸出端時(shí),充入到連接到第二輸出端的負(fù)載電容中的電荷可重新利用。當(dāng)轉(zhuǎn)換輸出時(shí),減少了電源的能量供應(yīng),從而降低了功耗。
根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面,所提供的顯示板驅(qū)動(dòng)電路包括能夠提供電壓的電源;連接到電源的第一開關(guān)元件;能夠通過第一開關(guān)元件輸出電源電壓的多個(gè)輸出端;分別連接在電源和多個(gè)輸出端之間的多個(gè)第二開關(guān)元件以及諧振電路。為所述多個(gè)第二開關(guān)元件中的每一個(gè)或多個(gè)第二開關(guān)元件提供;諧振電路,該電路包括諧振電感和能連接在參考電位上的電容,并且諧振電路的數(shù)量大于所提供的第一開關(guān)元件的數(shù)量。
為第二開關(guān)元件的每一個(gè)或多個(gè)提供諧振電路,從而縮短諧振電路的布線長(zhǎng)度,并減小諧振電流路徑上的寄生電感。這實(shí)現(xiàn)了小諧振周期的高速驅(qū)動(dòng),并且由于增加了Q值,改進(jìn)了功率回收效率,結(jié)果降低了功耗。此外,通過減少對(duì)諧振影響較小的第一開關(guān)元件的數(shù)量,降低了電路的成本。
附圖簡(jiǎn)更說明圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示器的方框圖;圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)IC的電路結(jié)構(gòu)的電路圖;圖3示出了另一個(gè)驅(qū)動(dòng)IC的電路結(jié)構(gòu)的電路圖;圖4示出了包括掃描驅(qū)動(dòng)模塊和Y公共驅(qū)動(dòng)器的Y電極驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)例子的電路圖;圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的地址驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)圖;圖6示出了圖5中的地址驅(qū)動(dòng)器的更詳細(xì)的電路圖;圖7示出了開關(guān)控制的例子和相應(yīng)的電壓波形圖;圖8A到8C示出了圖6中的驅(qū)動(dòng)電路、MOSFET和二極管的更具體的結(jié)構(gòu)圖;圖9示出了圖6中的地址驅(qū)動(dòng)器的另一個(gè)電路例子;圖10示出了圖6中的地址驅(qū)動(dòng)器的又一個(gè)電路例子;
圖11示出了采用功率回收電路的驅(qū)動(dòng)電源的結(jié)構(gòu)的例子;圖12A和12B示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的地址驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)的例子及其波形圖;圖13示出了由MOSFET構(gòu)成的圖12A中的開關(guān)的例子;圖14示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的地址驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)的例子;圖15為AC驅(qū)動(dòng)型表面放電等離子體顯示板的平面示意圖;圖16為AC驅(qū)動(dòng)型表面放電等離子體顯示板的剖面示意圖;圖17示出了用于AC驅(qū)動(dòng)型表面放電等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)電路的方框圖;圖18示出了AC驅(qū)動(dòng)型表面放電等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)電壓的波形圖;圖19示出了驅(qū)動(dòng)IC的電路結(jié)構(gòu)的電路圖;圖20示出了采用功率回收方法的常規(guī)等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)例子的方框圖;以及圖21示出了采用電源分配方法的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)例子的方框圖。
優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說明-第一實(shí)施例-圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示裝置的總體結(jié)構(gòu)的方框圖。該等離子體顯示裝置可以降低顯示板驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)載電容。該等離子體顯示裝置由等離子體顯示板201、用從外部輸入的接口信號(hào)形成用于控制顯示板的驅(qū)動(dòng)電路的控制信號(hào)的控制電路205、X公共驅(qū)動(dòng)器(X電極驅(qū)動(dòng)電路)206odd和206even、掃描電極驅(qū)動(dòng)電路(掃描驅(qū)動(dòng)器)203odd和203even、用于通過控制電路205的控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)顯示板電極的Y公共驅(qū)動(dòng)器204odd和204even以及地址電極驅(qū)動(dòng)電路(地址驅(qū)動(dòng)器)202。
X公共驅(qū)動(dòng)器206odd和206even產(chǎn)生保持電壓脈沖。Y公共驅(qū)動(dòng)器204odd和204even也產(chǎn)生保持電壓脈沖。掃描驅(qū)動(dòng)器203odd和203even獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)和掃描各掃描電極(Y1到Y(jié)L)。地址驅(qū)動(dòng)器202向個(gè)地址電極施加對(duì)應(yīng)于顯示數(shù)據(jù)的地址電壓脈沖(A1到Ad)。
控制電路205包括顯示數(shù)據(jù)控制部分251、掃描驅(qū)動(dòng)器控制部分253以及公共驅(qū)動(dòng)器控制部分254。顯示數(shù)據(jù)控制部分251接收時(shí)鐘脈沖CLK和顯示數(shù)據(jù)DATA,并且為地址驅(qū)動(dòng)器202提供地址控制信號(hào)。掃描驅(qū)動(dòng)器控制部分253接收垂直同步信號(hào)Vsync和水平同步信號(hào)Hsync,并控制掃描驅(qū)動(dòng)器203odd和203even。公共驅(qū)動(dòng)器控制部分254接收垂直同步信號(hào)Vsync和水平同步信號(hào)Hsync,并控制公共驅(qū)動(dòng)器(X公共驅(qū)動(dòng)器206odd和206even以及Y公共驅(qū)動(dòng)器204odd和204even)。順便提及,顯示數(shù)據(jù)控制部分251包括幀存儲(chǔ)器。
等離子體顯示板201包括放電單元(顯示單元)207并具有圖15和圖16所示的結(jié)構(gòu)。等離子體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)波形與圖18中所示的相同。
掃描驅(qū)動(dòng)器包括用于等離子體顯示板201的奇數(shù)行的驅(qū)動(dòng)的掃描驅(qū)動(dòng)模塊203odd和用于偶數(shù)行的掃描驅(qū)動(dòng)模塊203even。這些掃描驅(qū)動(dòng)器在驅(qū)動(dòng)序列的尋址期ADD(圖18)中將掃描脈沖分別施加到奇數(shù)行和偶數(shù)行,以防止由于相鄰行之間的干擾導(dǎo)致地址的控制失誤。例如,在掃描奇數(shù)行之后,掃描脈沖立即在偶數(shù)行之間傳輸,并且地址驅(qū)動(dòng)器202的輸出與該操作同步。此外,在圖1的情況下,四個(gè)掃描驅(qū)動(dòng)IC(IC1到IC4以及IC5到IC8)安裝在分別用于奇數(shù)行和偶數(shù)行的掃描驅(qū)動(dòng)模塊203odd和203even上。在八個(gè)掃描驅(qū)動(dòng)IC之間,其中的移位寄存器串聯(lián)連接,以根據(jù)掃描脈沖傳送數(shù)據(jù)信號(hào)。由于該操作,需要兩種類型的Y公共驅(qū)動(dòng)器,即用于奇數(shù)行的驅(qū)動(dòng)器204odd和用于偶數(shù)行的驅(qū)動(dòng)器204even。同樣地,需要兩種類型的X公共驅(qū)動(dòng)器,即用于奇數(shù)行的驅(qū)動(dòng)器206odd和用于偶數(shù)行的驅(qū)動(dòng)器206even。
在用于X電極和Y電極的驅(qū)動(dòng)電路中,通過中斷其中的驅(qū)動(dòng)元件,使阻抗變高,地址驅(qū)動(dòng)器202的負(fù)載電容減小,從而降低功耗。例如,在Y公共驅(qū)動(dòng)器204odd和204even和X公共驅(qū)動(dòng)器206odd和206even中,通過控制驅(qū)動(dòng)元件的中斷,當(dāng)尋址奇數(shù)行時(shí),偶數(shù)行驅(qū)動(dòng)器變?yōu)楦咻敵鲎杩範(fàn)顟B(tài),當(dāng)尋址偶數(shù)行時(shí),奇數(shù)行驅(qū)動(dòng)器變?yōu)楦咻敵鲎杩範(fàn)顟B(tài)。不用說,在驅(qū)動(dòng)元件變?yōu)樯鲜龅母咻敵鲎杩範(fàn)顟B(tài)以便控制前后需要正確地控制驅(qū)動(dòng)元件目標(biāo)X電極和目標(biāo)Y電極的驅(qū)動(dòng)電位。
但是,當(dāng)轉(zhuǎn)換地址驅(qū)動(dòng)器202的輸出時(shí),最好X電極和Y電極能夠進(jìn)入上述的高輸出阻抗?fàn)顟B(tài)。因此,即使在用于包括要施加掃描脈沖的行的奇數(shù)或偶數(shù)行的驅(qū)動(dòng)器中,對(duì)于未施加掃描脈沖的各行、或包括該行的各模塊或柔性基片,它們的驅(qū)動(dòng)電路變?yōu)楦咻敵鲎杩範(fàn)顟B(tài)。細(xì)節(jié)將在后面參考圖2進(jìn)行說明。
這里,控制信號(hào)Yodd1到Y(jié)odd4以及Yeven1到Y(jié)even4輸入到安裝在圖1所示的掃描驅(qū)動(dòng)器203odd和203even上的八個(gè)驅(qū)動(dòng)IC,從而對(duì)于每個(gè)IC,可以控制IC進(jìn)入上述的高輸出阻抗?fàn)顟B(tài)。
圖2示出了掃描驅(qū)動(dòng)器203odd和203even的驅(qū)動(dòng)IC 230的內(nèi)部電路的電路圖的一個(gè)例子。在X公共驅(qū)動(dòng)器206odd和206even中的驅(qū)動(dòng)IC的電路結(jié)構(gòu)與此相同。驅(qū)動(dòng)IC 230具有64位輸出電路234(OUT 1到OUT 64)。輸出電路234連接到高壓電源VH和地GND,最終輸出級(jí)的推挽型FET 2341和2342位于兩者之間。該驅(qū)動(dòng)IC 230還具有用于控制兩個(gè)FET的邏輯電路233、用于選擇64位輸出電路的移位寄存器231以及鎖存電路232。
它們的控制信號(hào)由用于移位寄存器231的時(shí)鐘信號(hào)CLOCK和數(shù)據(jù)信號(hào)DATA、鎖存電路232的鎖存信號(hào)LATCH、邏輯電路的電源Vcc以及用于控制門電路的選通信號(hào)STB和三態(tài)控制信號(hào)TSC。
移位寄存器231接收數(shù)據(jù)信號(hào)DATA并將其移位為64位數(shù)據(jù)。鎖存器232鎖存移位寄存器231的輸出,并輸出64位的輸出數(shù)據(jù)OT1等。
與非(NAND)電路2345接收輸出數(shù)據(jù)OT1和選通信號(hào)STB,并輸出與非邏輯。邏輯反(NOT)電路2346輸出NAND電路2345的輸出的邏輯反數(shù)據(jù)?;蚍?NOR)電路2347接收NOT電路2346的輸出和三態(tài)控制信號(hào)TSC,并輸出或非邏輯。NOR電路2349接收三態(tài)控制信號(hào)TSC和NAND電路2345的輸出并輸出或非邏輯。
n溝道MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)2348的柵極連接到NOR電路2347的輸出,源極連接到地GND。電阻2350連接在n溝道MOSFET 2348的漏極和p溝道MOSFET 2341的柵極之間。電阻2351連接在p溝道MOSFET 2341的柵極和高壓電源VH之間。p溝道MOSFET 2341的源極連接到高壓電源VH,漏極連接到輸出線OUT 1。n溝道MOSFET 2342的柵極連接在NOR電路2349的輸出,源極連接到地GND,漏極連接到輸出線OUT 1。二極管2343的陽極連接到輸出線OUT 1,陰極連接到高壓電源VH。二極管2344的陽極連接到地GND,陰極連接到輸出線OUT 1。雖然上面只說明了64位中的一位輸出,但是其它位具有相同的電路結(jié)構(gòu)。
當(dāng)圖18所示的驅(qū)動(dòng)波形加到等離子體顯示板上時(shí),掃描驅(qū)動(dòng)器在尋址期ADD中具有高輸出阻抗。X公共驅(qū)動(dòng)器也具有高輸出阻抗。但是,被施加掃描脈沖的行的掃描驅(qū)動(dòng)器和X公共驅(qū)動(dòng)器被驅(qū)動(dòng)為低輸出阻抗。
三態(tài)控制信號(hào)TSC變?yōu)楦唠娖?,從而關(guān)斷每個(gè)電路模塊中的高側(cè)驅(qū)動(dòng)元件2341和低側(cè)驅(qū)動(dòng)元件2342。因此,如果對(duì)于每個(gè)掃描驅(qū)動(dòng)模塊203odd和203even控制驅(qū)動(dòng)電路的輸出阻抗,安裝在各模塊203odd和203even上的所有的驅(qū)動(dòng)IC應(yīng)當(dāng)共用三態(tài)控制信號(hào)TSC。在只有不驅(qū)動(dòng)掃描驅(qū)動(dòng)器203odd和203even施加掃描脈沖的行及其相鄰行的驅(qū)動(dòng)IC為上述的高輸出阻抗?fàn)顟B(tài)的情況下,對(duì)每個(gè)驅(qū)動(dòng)IC輸入具有不同時(shí)序(timing)的三態(tài)控制信號(hào)TSC。
圖3示出了驅(qū)動(dòng)IC 230的另一個(gè)電路的例子。在該驅(qū)動(dòng)IC 230中,只有掃描驅(qū)動(dòng)器203odd和203even施加掃描脈沖的行及其相鄰行可以被驅(qū)動(dòng)為低輸出阻抗,從而最大限度地降低地址驅(qū)動(dòng)器202(圖1)的負(fù)載電容。下面說明與圖2中的電路的不同點(diǎn)。
移位寄存器231為66位的移位寄存器。鎖存器232 66位鎖存器。NAND電路2352接收輸出數(shù)據(jù)OT2和OT3,并輸出與非邏輯。NOR電路2353接收NAND電路2352的輸出和NAND電路2345的輸出,并輸出或非邏輯。NOR電路2347接收NOR電路2353的輸出和三態(tài)控制信號(hào)TSC,并輸出或非邏輯到MOSFET 2348的柵極。
由三態(tài)控制信號(hào)TSC控制所有的輸出為高輸出阻抗,并且除掃描脈沖的輸出端及其相鄰的輸出端以外的輸出端被強(qiáng)制控制為高輸出阻抗。在圖3中示出了驅(qū)動(dòng)IC的一個(gè)電路的例子,其中只有掃描脈沖的輸出端以及至少一個(gè)與其相鄰的輸出端為低輸出阻抗。但是,不用說,除了在圖3中所示的電路的例子之外,本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易找到實(shí)現(xiàn)該功能的方法,例如在用于驅(qū)動(dòng)元件的控制電路中采用時(shí)序電路或增加對(duì)應(yīng)于輸出阻抗?fàn)顟B(tài)的移位寄存器。
圖4示出了圖1中所示的包括掃描驅(qū)動(dòng)模塊203odd和203even以及Y公共驅(qū)動(dòng)器204odd和204even的Y電極驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)例子。當(dāng)圖18中所示的驅(qū)動(dòng)波形實(shí)際加到等離子體顯示板上時(shí),在尋址期ADD中Y電極驅(qū)動(dòng)電路具有高輸出阻抗。但是,被施加掃描脈沖的行的Y電極驅(qū)動(dòng)電路和X電極驅(qū)動(dòng)電路(X公共驅(qū)動(dòng)器)被驅(qū)動(dòng)為低輸出阻抗。
在下文中,所有的或各掃描驅(qū)動(dòng)模塊203odd和203even被稱作掃描模塊203。所有的或各Y公共驅(qū)動(dòng)器204odd和204even被稱作Y公共驅(qū)動(dòng)器204。所有的或各X公共驅(qū)動(dòng)器206odd和206even被稱作X公共驅(qū)動(dòng)器206。
首先,說明掃描驅(qū)動(dòng)模塊203的結(jié)構(gòu)。n溝道MOSFET 2341具有寄生二極管203H,柵極連接到驅(qū)動(dòng)電路2012的輸出,源極連接到輸出端OUT,漏極連接到電源端VH。寄生二極管203H的陽極連接到MOSFET 2341的源極,陰極連接到MOSFET 2341的漏極。n溝道MOSFET 2342具有寄生二極管203L,柵極連接到驅(qū)動(dòng)電路2013的輸出,源極連接到參考端VGND,漏極連接到輸出端OUT。寄生二極管203L的陽極連接到MOSFET 2342的源極,陰極連接到MOSFET 2342的漏極。雖然上面只說明了用于一位的輸出端OUT的電路,但是其它位的輸出端的電路具有相同的結(jié)構(gòu)。
然后,說明Y公共驅(qū)動(dòng)器204。n溝道MOSFET 2001的源極連接到電源端VH,漏極連接到節(jié)點(diǎn)N1。n溝道MOSFET 2011的源極連接到節(jié)點(diǎn)N3,漏極連接到參考端VGND。n溝道MOSFET 2002的源極連接到參考端VGND,漏極連接到節(jié)點(diǎn)N1。電源Vs的正極連接到節(jié)點(diǎn)N1,負(fù)極連接到地GND。電源Vmy的正極連接到地GND,負(fù)極連接到節(jié)點(diǎn)N2。電源Vy-Vmy的正極連接到節(jié)點(diǎn)N2,負(fù)極連接到節(jié)點(diǎn)N3。
n溝道MOSFET 2003的漏極連接到地GND,源極連接到二極管2004的陽極。二極管2004的陰極連接到電源端VH。二極管2005的陽極連接到電源端VH,陰極連接到n溝道MOSFET 2006的漏極。MOSFET 2006的源極連接到地GND。
n溝道MOSFET 2043的漏極連接到地GND,源極連接到二極管2044的陽極。二極管2004的陰極連接到參考端VGND。二極管2007的陽極連接到參考端VGND,陰極連接到n溝道MOSFET 2008的漏極。MOSFET 2008的源極連接到地GND。
n溝道MOSFET 2009的漏極連接到節(jié)點(diǎn)N2,源極連接到二極管2010的陽極。二極管2010的陰極連接到二極管2042的陽極。n溝道MOSFET 2041的漏極連接到二極管2042的陰極,源極連接到節(jié)點(diǎn)N2。
在尋址期ADD(圖18)中,除了一個(gè)正將掃描脈沖加到一條Y電極線的輸出(輸出電平-Vy)之外,Y電極驅(qū)動(dòng)電路的所有輸出端為-Vmy電平。當(dāng)面對(duì)等離子體顯示板中的Y電極的地址電極的電壓下降時(shí),Y電極驅(qū)動(dòng)IC 230如圖2和圖3所示為高輸出阻抗,從而降低地址驅(qū)動(dòng)器202的功耗。但是,當(dāng)?shù)刂冯姌O的電壓上升時(shí),因?yàn)檩敵鲭娏髁鬟^與安裝在掃描驅(qū)動(dòng)模塊203上的Y電極驅(qū)動(dòng)IC中的高側(cè)輸出元件2341并聯(lián)的二極管203H,不能保持高輸出阻抗,這可增加地址驅(qū)動(dòng)電路的功耗。
如果高側(cè)輸出元件2341為MOSFET,則并聯(lián)的二極管203H對(duì)應(yīng)于MOSFET源極和漏極之間的寄生二極管。即使高側(cè)輸出元件2341為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)或MOSFET之外的雙極型晶體管,上述問題依然存在,因?yàn)橥ǔ<釉诙O管203H處的并聯(lián)二極管對(duì)于掃描工作方式之外的其它時(shí)間是必須的。因此,在這種情況下,在Y公共驅(qū)動(dòng)器204的驅(qū)動(dòng)元件中,至少當(dāng)?shù)刂份敵鲈趯ぶ菲贏DD中上升時(shí),控制與跟掃描驅(qū)動(dòng)模塊203中的輸出元件2341并聯(lián)的二極管203H同方向的導(dǎo)通二極管(conductive diode)2042串聯(lián)連接的驅(qū)動(dòng)元件2041,使之為關(guān)斷狀態(tài)。因此,Y電極驅(qū)動(dòng)電路的輸出阻抗在尋址期ADD中完全為高阻抗,從而可以最大限度地降低地址驅(qū)動(dòng)器202的功耗。
仍然在用圖18所示的驅(qū)動(dòng)波形驅(qū)動(dòng)電極的情況下,由于流過與低側(cè)輸出元件2342并聯(lián)連接的二極管203L的輸出電流的流出,可能難以保持高輸出阻抗。并且,在此時(shí),不用說,將連接到與在Y公共驅(qū)動(dòng)器204中同方向的導(dǎo)通二極管2044的驅(qū)動(dòng)元件2043控制為關(guān)斷狀態(tài)是有效的。
如上所述,地址驅(qū)動(dòng)器202驅(qū)動(dòng)地址電極,Y公共驅(qū)動(dòng)器204和掃描驅(qū)動(dòng)器203驅(qū)動(dòng)Y電極,X公共驅(qū)動(dòng)器206驅(qū)動(dòng)X電極。X電極和Y電極為顯示放電電極。顯示放電電極驅(qū)動(dòng)器包括Y公共驅(qū)動(dòng)器204、掃描驅(qū)動(dòng)器203和X公共驅(qū)動(dòng)器206。Y電極為掃描放電電極,Y公共驅(qū)動(dòng)器204和掃描驅(qū)動(dòng)器203為掃描放電電極驅(qū)動(dòng)器。
當(dāng)?shù)刂夫?qū)動(dòng)器202驅(qū)動(dòng)地址電極時(shí),如圖2所示,連接顯示放電電極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)所有的顯示放電電極,或關(guān)斷從而使輸出阻抗上升。此外,如圖3所示,連接顯示放電電極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)多個(gè)顯示放電電極中的一部分,或關(guān)斷從而使輸出阻抗增加。這時(shí),Y電極驅(qū)動(dòng)器203和204使被施加掃描脈沖的Y電極處于導(dǎo)通狀態(tài),并使未被施加掃描脈沖的Y電極處于導(dǎo)通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)。X公共驅(qū)動(dòng)器206控制各線,使之處于對(duì)應(yīng)于Y電極驅(qū)動(dòng)器203和204的相同的狀態(tài)。
控制所有或部分顯示放電電極進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài),從而從地址驅(qū)動(dòng)器的負(fù)載電容中去掉在顯示板中存在的顯示放電電極和地址電極之間的寄生電容。通過該減小負(fù)載電容的效果,降低了地址驅(qū)動(dòng)器的功耗。
-第二實(shí)施例-圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的地址驅(qū)動(dòng)器202的結(jié)構(gòu)。雖然在圖21中采用了兩個(gè)驅(qū)動(dòng)元件6和7,但是在圖5中采用了單個(gè)驅(qū)動(dòng)元件6,從而降低功耗(溫升)并降低電路成本。
在驅(qū)動(dòng)電源1中,參考端9連接到參考電位(地)4。驅(qū)動(dòng)電路3具有驅(qū)動(dòng)元件6,連接到驅(qū)動(dòng)電源1電源端11的電源端8,連接到等離子體顯示板201(圖1)地址電極的輸出端10。電阻2和電容5為地址電極的電阻和電容,并分別具有電阻值RL和電容值CL。
確切地說,用于平面顯示板比如等離子體顯示板的象驅(qū)動(dòng)電極這樣的負(fù)載的結(jié)構(gòu)中,寄生電容和寄生電阻不是集中的而是分布的。這里,當(dāng)分布電阻2的兩端之間的電阻值為RL時(shí),假設(shè)電流從輸出端10一側(cè)均勻地泄露到寄生電容5并在電極的端部變?yōu)榱?,那么有效的電極阻值Ra變?yōu)閮啥酥g電阻值RL的三分之一。不使用在普通的推挽電路結(jié)構(gòu)中使用的兩個(gè)元件6和7(圖21),而在驅(qū)動(dòng)電路3中僅使用驅(qū)動(dòng)元件6作為驅(qū)動(dòng)元件。這里,通過使用單個(gè)驅(qū)動(dòng)元件或由驅(qū)動(dòng)元件和附加元件組成的組合電路作為驅(qū)動(dòng)元件6,可以實(shí)現(xiàn)至少一個(gè)方向的電流開關(guān)功能和雙向?qū)üδ堋?br> 這樣,當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路3在升高電容值CL的負(fù)載電容5的電壓的方向驅(qū)動(dòng)電路時(shí)流動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流,從驅(qū)動(dòng)電源穿過驅(qū)動(dòng)電路3中的驅(qū)動(dòng)元件6流到表現(xiàn)為電阻值Ra的分布電阻2。此外,當(dāng)通過降低驅(qū)動(dòng)電源1的輸出電位來降低驅(qū)動(dòng)電路3的電源端8的電位從而降低負(fù)載電容5的電壓時(shí)流動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流,流過具有雙向?qū)ㄌ匦缘尿?qū)動(dòng)元件6和驅(qū)動(dòng)電源1進(jìn)入?yún)⒖茧娢?。這時(shí),通過降低驅(qū)動(dòng)元件6的導(dǎo)通阻抗到低于驅(qū)動(dòng)電源1的輸出阻抗和上述的有效電極電阻值RL,可以降低驅(qū)動(dòng)元件6中的功耗。通過在驅(qū)動(dòng)電源1中采用如上所述的功率回收電路或多級(jí)升/降電路可以進(jìn)一步降低驅(qū)動(dòng)元件6中的功耗。
圖6示出了圖5中的地址驅(qū)動(dòng)器的更詳細(xì)的電路。驅(qū)動(dòng)IC 37對(duì)應(yīng)于圖5中的驅(qū)動(dòng)電路3。電源分配器30,例如,為電阻,并連接在驅(qū)動(dòng)IC 37的電源端8和驅(qū)動(dòng)電源1的電源端11之間。因?yàn)殡娫捶峙淦?0形成在驅(qū)動(dòng)IC 37的外部,所以可以降低驅(qū)動(dòng)IC 37的發(fā)熱量,并去掉用于驅(qū)動(dòng)IC 37的散熱器的成本。
然后,說明驅(qū)動(dòng)電源1的結(jié)構(gòu)。電源41的正極連接到電源40的負(fù)極,負(fù)極連接到地。開關(guān)42連接在電源40的正極和電源端11之間。開關(guān)43連接在電源40的負(fù)極和電源端11之間。開關(guān)44連接在地和電源端11之間。
下面,說明驅(qū)動(dòng)IC 37的結(jié)構(gòu)。p溝道MOSFET 601具有寄生二極管602,其柵極連接到驅(qū)動(dòng)電路600,源極連接到電源端8,漏極連接到輸出端10。寄生二極管602的陽極連接到MOSFET 601的漏極,陰極連接到MOSFET 601的源極。準(zhǔn)備與地址電極數(shù)量相同的輸出端10,并在外部與地址電極相連。每個(gè)地址電極具有電阻2和電容5。每個(gè)輸出端10連接到與上述相同的電路。
圖7示出了控制開關(guān)42到44和開關(guān)(MOSFET)601的例子以及電壓V8的波形。電壓V8是電源端8的電壓波形。
在時(shí)間t1之前,開關(guān)42導(dǎo)通,開關(guān)43和44關(guān)斷。電壓V8為Va。
然后,在時(shí)間t1,開關(guān)42和44關(guān)斷,開關(guān)43導(dǎo)通。電壓V8降到Va/2。
隨后,在時(shí)間t2,開關(guān)42和43關(guān)斷,開關(guān)44導(dǎo)通。電壓V8降到0V。
接下來,在時(shí)間t3,開關(guān)42和44關(guān)斷,開關(guān)43導(dǎo)通。電壓V8升到Va/2。
然后,在時(shí)間t4,開關(guān)42導(dǎo)通,開關(guān)43和44關(guān)斷。電壓V8升到Va。
下面說明開關(guān)(MOSFET)601與輸出端10的電壓之間的關(guān)系。在時(shí)間t2之前,開關(guān)601既可以導(dǎo)通又可以關(guān)斷。在時(shí)間t2及其以后,當(dāng)開關(guān)601導(dǎo)通時(shí),從輸出端10輸出電壓Hi。電壓Hi與電壓V8相同。另一方面,當(dāng)開關(guān)601關(guān)斷時(shí),從輸出端10輸出電壓Lo。電壓Lo為0V。輸出端10的電壓對(duì)應(yīng)于圖18中的地址電極的電壓波形。
在圖6中,由于存在寄生二極管602,驅(qū)動(dòng)IC 37中的單個(gè)驅(qū)動(dòng)元件601對(duì)從電源端8到輸出端10的方向上的電流具有開關(guān)功能,對(duì)相反的方向上的電流具有導(dǎo)通功能。雖然在圖6中用p溝道MOSFET 601作為驅(qū)動(dòng)元件,但是也可以采用具有以相同方式寄生的二極管602的n溝道MOSFET 603,如圖9所示。此外,也可以采用,如圖8C所示,新增加一個(gè)并聯(lián)二極管609的IGBT608、雙極型晶體管等。
在圖6中,驅(qū)動(dòng)IC 37通過電源分配器30由具有兩級(jí)電壓升/降功能的驅(qū)動(dòng)電源1驅(qū)動(dòng),并且電源端8的電位在地到電極驅(qū)動(dòng)電壓之間變化。圖10示出了驅(qū)動(dòng)電源1中的兩級(jí)電壓升/降電路的電路結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。
在圖10中,說明了驅(qū)動(dòng)電源1的結(jié)構(gòu)。n溝道MOSFET45對(duì)應(yīng)于開關(guān)42(圖6),其源極連接到電源端11,漏極連接到電源40的正極。n溝道MOSFET 48對(duì)應(yīng)于開關(guān)44(圖6),源極連接到地,漏極連接到電源端11。
然后,說明對(duì)應(yīng)于開關(guān)43(圖6)的結(jié)構(gòu)。n溝道MOSFET46的源極連接到電源40的負(fù)極,漏極連接到二極管49的陰極。二極管49的陽極連接到電源端11。n溝道MOSFET 47的源極連接到電源端11,漏極連接到二極管50的陰極。二極管50的陽極連接到電源40的負(fù)極。
因?yàn)轵?qū)動(dòng)電源1中的上述MOSFET具有接通電阻,它們具有圖6中的電源分配器30的功能。
圖11示出了采用功率回收電路的驅(qū)動(dòng)電源110的結(jié)構(gòu)的例子。功率回收電路可以降低功耗。p溝道MOSFET 113P的源極連接到正電位Va,漏極連接到電源端111。n溝道MOSFET 113N的源極連接到地,漏極連接到電源端111。電感112P連接在二極管115P的陰極和電源端111之間。p溝道MOSFET 114P的漏極連接到二極管115P的陽極,源極連接到電容器116的第一電極上。電容116的第二電極連接到地。電感112N連接在二極管115N的陽極和電源端111之間。n溝道MOSFET 114N的漏極連接到二極管115N的陰極,源極連接到電容116的第一電極上。
下面,說明驅(qū)動(dòng)電源(功率回收電路)110的工作。該驅(qū)動(dòng)電源110可以產(chǎn)生與圖7中的電壓V8相同的電壓。在時(shí)間t1之前,F(xiàn)ET 113P導(dǎo)通,F(xiàn)ET 113N、114N和114P關(guān)斷。此時(shí),電壓V8為Va。然后,在時(shí)間t1,F(xiàn)ET 114N導(dǎo)通,F(xiàn)ET 113P、113N和114P關(guān)斷。此時(shí),由于電感112N和電容116的LC諧振,電容116被充電,功率被回收,從而電壓V8降低。隨后,在時(shí)間t2,F(xiàn)ET 113N導(dǎo)通,F(xiàn)ET 113P、114P和114N關(guān)斷。此時(shí),電壓V8變?yōu)?V(地)。接下來,在時(shí)間t3,F(xiàn)ET 114P導(dǎo)通,F(xiàn)ET 113P、113N和114N關(guān)斷。此時(shí),電壓V8上升。然后,在時(shí)間t4,F(xiàn)ET 113P導(dǎo)通,F(xiàn)ET 113N、114N和114P關(guān)斷。此時(shí),電壓V8變?yōu)閂a。
圖8A到8C示出了圖6中的驅(qū)動(dòng)電路600、FET 601和二極管602的具體結(jié)構(gòu)。在圖6中,連接到電源端8的高壓電路在許多情況下用作驅(qū)動(dòng)電路600,以便在寬電位范圍內(nèi)保持FET(驅(qū)動(dòng)元件)601處于導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)。因此,在圖8A到8C示出了例子,其中驅(qū)動(dòng)電路600由低壓電路構(gòu)成,以降低驅(qū)動(dòng)電路600的電路成本。
在圖8A中,從由低成本和低擊穿電壓元件組成的驅(qū)動(dòng)電路605輸出的控制電壓通過開關(guān)電路606加到驅(qū)動(dòng)元件601的柵極。當(dāng)通過使開關(guān)電路606進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)控制驅(qū)動(dòng)元件601的狀態(tài)并隨后關(guān)斷開關(guān)電路606時(shí),控制電壓保持在柵極和源極即一對(duì)輸入端之間的寄生電容604中,從而保持對(duì)驅(qū)動(dòng)元件601的控制。在用輸入端絕緣的電壓驅(qū)動(dòng)元件作為如上所述的驅(qū)動(dòng)元件601的情況下,在一對(duì)輸入端之間的寄生電容604可用作保持電容。這是基于以下的事實(shí)在驅(qū)動(dòng)元件601中,在一對(duì)輸入端之間的寄生電容604一般設(shè)計(jì)得明顯比其它輸入端對(duì)之間的寄生電容要大,以便使工作穩(wěn)定,并降低功耗。
下面說明圖8B中的結(jié)構(gòu)。n溝道MOSFET(驅(qū)動(dòng)元件)603具有寄生二極管602。寄生二極管602的陽極連接到FET 603的源極,陰極連接到FET 603的漏極。取代圖8A中的開關(guān)電路606,使用二極管6061和n溝道MOSFET 607。
在驅(qū)動(dòng)IC 37的輸出端10的電位(與驅(qū)動(dòng)元件603的源極端的電位相同)下降到地電位時(shí),驅(qū)動(dòng)電路605的輸出為高電平(例如,5V),從而驅(qū)動(dòng)元件603變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此后,當(dāng)輸出端10變?yōu)楦唠娢粫r(shí),二極管6061關(guān)斷,而驅(qū)動(dòng)元件603保持導(dǎo)通狀態(tài)。在關(guān)斷驅(qū)動(dòng)元件603時(shí),驅(qū)動(dòng)元件607導(dǎo)通。在一對(duì)輸入端之間的寄生電容604起保持電容的功能。
在圖8C中,加有并聯(lián)二極管609的IGBT 608用作驅(qū)動(dòng)元件,只有一個(gè)n溝道MOSFET 6062用作上述的開關(guān)電路。FET 6062具有寄生二極管610。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路605的輸出為高電平時(shí),F(xiàn)ET(開關(guān)電路)6062的操作是通過n溝道MOSFET6062的寄生二極管610使驅(qū)動(dòng)元件608進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。此外,使驅(qū)動(dòng)電路605的輸出處于低電平,而使n溝道MOSFET 6062的柵極電位為高電平,從而使驅(qū)動(dòng)元件608關(guān)斷。在一對(duì)輸入端之間的寄生電容604起保持電容的功能。
不用說,圖8A到8C中的各電路結(jié)構(gòu)的任何組合都是可能的,并且根據(jù)驅(qū)動(dòng)波形可以采用反極性的驅(qū)動(dòng)元件。
如上所述,在圖6中,驅(qū)動(dòng)電源1可以提供循環(huán)升/降的電壓。FET 601和寄生二極管602構(gòu)成了第一開關(guān)元件。第一開關(guān)元件連接在驅(qū)動(dòng)電源1和輸出端10之間,能夠雙向?qū)?,并?duì)至少一個(gè)方向上的電流具有開關(guān)功能。
通過采用上述對(duì)至少一個(gè)方向上電流具有開關(guān)功能并能雙向?qū)ǖ碾娐罚瑸闃?gòu)成推挽式電路的每個(gè)輸出端10a提供的多個(gè)驅(qū)動(dòng)元件減少為一個(gè),從而降低了電路成本。
此外,如圖8A所示,第一開關(guān)元件為高壓開關(guān)元件,并且第一開關(guān)元件的控制端通過第二開關(guān)元件606等連接到低壓驅(qū)動(dòng)電路605。此外,如圖8B和8C所示,第二開關(guān)元件可由二極管6061或MOSFET 6062構(gòu)成。
-第三實(shí)施例-圖12A示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的地址驅(qū)動(dòng)器202(圖1)的結(jié)構(gòu)的例子。當(dāng)輸出轉(zhuǎn)換時(shí),該地址驅(qū)動(dòng)器202可通過重新利用充在負(fù)載電容中的電荷來降低功耗。
驅(qū)動(dòng)電路3的電源端8通過開關(guān)電路80連接到驅(qū)動(dòng)電源1。p溝道MOSFET601a、601b和601c分別具有寄生二極管602a、602b和602c,源極連接到電源端8,漏極分別連接到輸出端10a、10b和10c。寄生二極管602a到602c的陽極和陰極分別連接到FET 601a到601c的漏極和源極。FET601a到601c的柵極連接到驅(qū)動(dòng)電路600的輸出。
n溝道MOSFET 701a、701b和701c分別具有寄生二極管702a、702b和702c,源極連接到地端4,漏極分別連接到輸出端10a、10b和10c。寄生二極管702a到702c的陽極和陰極分別連接到FET 701a到701c的源極和漏極。FET 701a到701c的柵接到驅(qū)動(dòng)電路700的輸出。輸出端10a到10c與地址電極的電阻2和電容5相連。
驅(qū)動(dòng)電路3可以是單個(gè)驅(qū)動(dòng)IC或安裝有多個(gè)驅(qū)動(dòng)IC的驅(qū)動(dòng)模塊,或只在電路具有多個(gè)輸出端10a到10c的情況下包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊的驅(qū)動(dòng)電路。
圖12B的波形圖示出了開關(guān)80的狀態(tài)以及輸出端10a的電壓Vo1和輸出端10b的電壓Vo2的波形。作為例子,說明電壓Vo1從0V上升到Va和電壓Vo2從Va下降到0V的情況。
在時(shí)間t1之前,開關(guān)80導(dǎo)通,F(xiàn)ET 601b和701a導(dǎo)通,F(xiàn)ET 701b和601a關(guān)斷。電壓Vo1為0V,電壓Vo2為Va。
然后,在時(shí)間t1,開關(guān)80關(guān)斷。
隨后,在時(shí)間t2,作為低側(cè)輸出端的FET 701a關(guān)斷。隨后,作為高側(cè)輸出元件的FET 601a導(dǎo)通,并且FET 601b關(guān)斷。此時(shí),輸出端10b的電壓Vo2通過寄生二極管602b和FET 601a加到輸出端10a。電壓Vo2降低,電壓Vo1上升,并且兩者在很短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到相同的電壓。在這種情況下,通過將存儲(chǔ)在輸出端10b的負(fù)載電容5中的電荷分配到輸出端10a的負(fù)載電容中,減少了隨后從驅(qū)動(dòng)電源1提供的電荷量,從而降低了功耗。
接著,在時(shí)間t3,開關(guān)80導(dǎo)通,作為低側(cè)輸出元件的FET 701b導(dǎo)通。此時(shí),電壓Vo1上升到Va,電壓Vo2下降到0V。
在這種情況下,控制驅(qū)動(dòng)電路600和700,在時(shí)間t2將作為高側(cè)輸出元件的FET 601a和601b以及作為低側(cè)輸出元件的FET 701a變?yōu)殛P(guān)斷,隨后,在時(shí)間t3將作為低側(cè)輸出元件的FET701b變?yōu)閷?dǎo)通。例如,在FET 701b的驅(qū)動(dòng)電路700中,在控制信號(hào)通路中提供由電阻和電容組成的CR延遲電路,或限制有源元件的驅(qū)動(dòng)能力,從而可以保證比FET 601a、601b和701a的驅(qū)動(dòng)電路600和700更長(zhǎng)的傳播延遲時(shí)間。
此外,設(shè)計(jì)開關(guān)80,使之從時(shí)間t1到t3期間關(guān)斷。利用輸入到圖1所示的控制電路205中的各時(shí)序信號(hào),很容易進(jìn)行該項(xiàng)設(shè)計(jì)。由此,開關(guān)80保持關(guān)斷,從而可以收集充到各負(fù)載電容中的電荷,并分配到要變?yōu)楦唠娖降妮敵龆?。隨后,當(dāng)開關(guān)80導(dǎo)通時(shí),從驅(qū)動(dòng)電源1輸送的電荷量可減少,減少量為上述已分配的電荷的量,這能減少?gòu)尿?qū)動(dòng)電源1輸出的能量,從而降低驅(qū)動(dòng)電路3的功耗。
順便提及,在驅(qū)動(dòng)電源1和驅(qū)動(dòng)電路3之間提供的開關(guān)電路80可以放在地端4的地電位和驅(qū)動(dòng)電路3之間。
圖13示出了由MOSFET 81構(gòu)成的圖12A中的開關(guān)80的例子。不用說,MOSFET81可以是n溝道或p溝道型,或者其它開關(guān)元件。通過適當(dāng)調(diào)節(jié)MOSFET 81的柵極和源極之間的驅(qū)動(dòng)電壓等,可以在恒電流方式下或高輸出阻抗?fàn)顟B(tài)下使用MOSFET 81。在這種驅(qū)動(dòng)下,電源分配對(duì)MOSFET 81的影響變大,并且使進(jìn)一步降低驅(qū)動(dòng)電路3的功耗成為可能。
如上所述,在圖12A中,公共開關(guān)元件80連接到電源1。第一開關(guān)元件601a和602a以及第二開關(guān)元件701a和702a在電源1與參考電位4之間通過公共開關(guān)元件80串聯(lián)連接。第一輸出端10a連接在第一開關(guān)元件601a和602a以及第二開關(guān)元件701a和702a之間。
與第一開關(guān)元件601a和602a以及第二開關(guān)元件701a和702a并聯(lián)連接的第三開關(guān)元件601b和602b以及第四開關(guān)元件701b和702b在電源1與參考電位4之間通過公共開關(guān)元件80串聯(lián)連接。第二輸出端10b連接在第三開關(guān)元件601b和602b以及第四開關(guān)元件701b和702b之間。
在圖12B中,在時(shí)間t1之前,參考電位4的電壓通過第二開關(guān)元件701a和702a從第一輸出端10a輸出。然后,在時(shí)間t1,公共開關(guān)元件80斷開,在時(shí)間t2,第二輸出端10b的電壓通過第一開關(guān)元件601a和602a以及第三開關(guān)元件601b和602b從第一輸出端10a輸出。隨后,在時(shí)間t3,電源1的電壓通過公共開關(guān)元件80和第一開關(guān)元件601a和602a從第一輸出端10a輸出。
此外,在時(shí)間t1之前,電源1的電壓通過公共開關(guān)元件80和第三開關(guān)元件601b和602b從第二輸出端10b輸出。然后,在時(shí)間t1,公共開關(guān)元件80斷開,在時(shí)間t2,第一輸出端10a的電壓通過第一開關(guān)元件601a和602a以及第三開關(guān)元件601b和602b從第二輸出端10b輸出。隨后,在時(shí)間t3,參考電位4的電壓通過第四開關(guān)元件701b和702b從第二輸出端10b輸出。
通過上述的控制,當(dāng)輸出發(fā)生轉(zhuǎn)換時(shí),充在負(fù)載電容中的電荷可以重新利用。當(dāng)輸出轉(zhuǎn)換時(shí),這可以減少電源的能量供應(yīng),并降低驅(qū)動(dòng)電路的功耗。
-第四實(shí)施例-圖14示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的地址驅(qū)動(dòng)器202的結(jié)構(gòu)的例子。該地址驅(qū)動(dòng)器202包括功率回收電路,即使在顯示板使用高分辨率或大尺寸屏幕的情況下,功率回收電路也不會(huì)顯著損失降低功耗的效果。
地址驅(qū)動(dòng)器202具有各包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)IC 37的地址驅(qū)動(dòng)模塊370、371和372。對(duì)于每個(gè)地址驅(qū)動(dòng)模塊370、371和372,提供包括諧振電感122P和122N、諧振開關(guān)123P和123N以及交流接地電容124的諧振電路部件。多個(gè)地址驅(qū)動(dòng)模塊370到372只共享一個(gè)用于連接到輸出電壓的驅(qū)動(dòng)電源121的開關(guān)電路125。
電感122P(圖11中的電感112P)連接在地址驅(qū)動(dòng)模塊370等的電源端和二極管127P(圖11中的二極管115P)的陰極之間。開關(guān)123P(圖11中的FET114P)連接在二極管127P的陽極和電容124的第一電極之間。電容124的第二電極接地。
電感122N(圖11中的電感112N)連接在地址驅(qū)動(dòng)模塊370等的電源端和二般管127N(圖11中的二極管115N)的陽極之間。開關(guān)123N(圖11中的FET114N)連接在二極管127N的陰極和電容124的第一電極之間。
開關(guān)125(圖11中的FET 113P)連接在驅(qū)動(dòng)電源121的電源端和地址驅(qū)動(dòng)模塊370等的電源端之間。驅(qū)動(dòng)電源121的參考端接地。開關(guān)126(圖11中的FET 113N)連接在驅(qū)動(dòng)電源121的參考端和地址驅(qū)動(dòng)模塊370等的電源端之間。
如附圖所示,因?yàn)橹C振電路部分形成在靠近地址驅(qū)動(dòng)模塊370到372的位置,諧振電流通路的布線長(zhǎng)度減少到最短,由此減小寄生電感和寄生電容。這使得進(jìn)行小諧振周期的高速驅(qū)動(dòng)成為可能并且,由于Q值增加而提高了功率回收效率,從而降低了功耗。
此外,在希望縮短諧振周期或減少電路部件的情況下,也可以去掉上述的諧振電感122P和122N,通過采用分布在前述諧振電流通路的線路中的寄生電感產(chǎn)生諧振此時(shí),作為諧振電流通路的線路可由使用扁平導(dǎo)體分布比如印刷電路板的分布式恒定電路(constant circuit)構(gòu)成。
此外,采用上述單對(duì)開關(guān)電路125和126來固定電位,對(duì)諧振特性影響很小,可以最大限度地降低成本。為每一個(gè)驅(qū)動(dòng)IC提供諧振電路部分,從而達(dá)到最大驅(qū)動(dòng)速度并最大限度地降低功耗。另外,在只需要降低最大功耗以減小散熱成本而不需要實(shí)際降低平均功耗的情況下,通過取消用于將電位固定到地電位的開關(guān)電路126可以進(jìn)一步降低電路的成本。
如上所述,第一開關(guān)元件125和126連接到電源121。在圖11中,驅(qū)動(dòng)IC37具有多個(gè)分別連接在電源110和多個(gè)輸出端10之間的第二開關(guān)元件601和602。在圖14中,為每個(gè)或多個(gè)第二開關(guān)元件提供諧振電路,包括可連接到參考電位上的諧振電感122P和122N以及電容124。所提供的諧振電路的數(shù)量多于第一開關(guān)元件125和126的數(shù)量。
在從輸出端10到諧振電感122P和122N的連接線路上的寄生電感的值最好小于諧振電感122P和122N的值。諧振電感122P和122N可由從輸出端10到諧振電路中的諧振電流通路的布線上的寄生電感構(gòu)成。
為每個(gè)驅(qū)動(dòng)元件或驅(qū)動(dòng)電路(一個(gè)或多個(gè)第二開關(guān)元件)提供多個(gè)諧振電路,從而諧振電路的布線長(zhǎng)度減小到最短,并且可降低諧振電流通路的寄生電感。這實(shí)現(xiàn)了小諧振周期的高速驅(qū)動(dòng),并且,由于Q值而提高了功率回收效率,從而降低了功耗。此外,通過減少上述用于固定電源電位的對(duì)諧振特性影響很小的開關(guān)電路125和126的數(shù)量,可以降低成本。
根據(jù)上述的第一到第四實(shí)施例,可以降低顯示板驅(qū)動(dòng)電路中的功耗(溫升),同時(shí)防止電路成本的增加。此外,可以進(jìn)一步降低40號(hào)(英寸)或具有大的負(fù)載電容的更大級(jí)別的等離子體顯示器、具有高地址電極驅(qū)動(dòng)脈沖速率的高分辨率等離子體顯示器例如SVGA(800×600點(diǎn))、XGA(1024×768點(diǎn))或SXGA(1280×1024點(diǎn))以及高亮度和高灰度級(jí)(high gradation)的等離子體TV如TV、HDTV等的尺寸、功耗和成本。此外,還可以防止由于為了防止運(yùn)動(dòng)圖象顯示中的輪廓失真所采取的對(duì)策導(dǎo)致的地址電極驅(qū)動(dòng)脈沖速率的增加所引起的功耗的增加。
上述的顯示板驅(qū)動(dòng)電路可用于等離子體顯示器的平面顯示板、場(chǎng)致發(fā)光顯示器、液晶顯示器(LCD)等和其它顯示器中。
如上所述,因?yàn)榭刂迫炕虿糠值诙姌O進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài),可以從第一驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)載電容中去掉在顯示板中存在的寄生電容。通過減小負(fù)載電容,可以降低第一驅(qū)動(dòng)電路的功耗。
此外,第一開關(guān)元件對(duì)至少一個(gè)方向上的電流具有開關(guān)功能,并具有雙向?qū)ǖ墓δ?,從而減少了開關(guān)元件的數(shù)量并降低了電路成本。
此外,在控制電路的控制之下,當(dāng)輸出從第二輸出端轉(zhuǎn)換到第一輸出端時(shí),連接在第二輸出端的負(fù)載電容中所充的電荷可得到重新利用。這減少了當(dāng)輸出轉(zhuǎn)換時(shí)電源所提供的能量,從而降低了功耗。
另外,為每個(gè)或多個(gè)第二開關(guān)元件提供諧振電路,從而縮短諧振電路的布線長(zhǎng)度,降低諧振電流通路的寄生電感。這實(shí)現(xiàn)了小諧振周期的高速驅(qū)動(dòng),并且,由于Q值增加而提高了功率回收效率,從而降低了功耗。
順便提及,現(xiàn)有實(shí)施例在所有方面都應(yīng)視為說明性的而非限定性的,因此在權(quán)利要求書的含義和等同范圍內(nèi)的所有改變都包含在其中??梢栽诓幻撾x本發(fā)明的精神或基本特點(diǎn)的前提下以其它特定形式實(shí)施本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種顯示板驅(qū)動(dòng)電路包括連接到顯示板的多個(gè)第一電極和第二電極;用于驅(qū)動(dòng)所述第一電極的第一驅(qū)動(dòng)電路;以及第二驅(qū)動(dòng)電路,其被連接以驅(qū)動(dòng)多個(gè)所述第二電極的全部或部分,或者斷開以增加輸出阻抗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中所述第一驅(qū)動(dòng)電路是等離子體顯示板的地址電極驅(qū)動(dòng)電路,所述第二驅(qū)動(dòng)電路為等離子體顯示板的顯示放電電極的驅(qū)動(dòng)電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中所述第二驅(qū)動(dòng)電路為等離子體顯示板的奇數(shù)行或偶數(shù)行的顯示放電電極的驅(qū)動(dòng)電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中顯示放電電極包括用于進(jìn)行放電的多對(duì)第一和第二顯示放電電極,并且,其中所述第二驅(qū)動(dòng)電路為驅(qū)動(dòng)第一和第二顯示放電電極的電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中所述第一驅(qū)動(dòng)電路是等離子體顯示板的地址電極驅(qū)動(dòng)電路,所述第二驅(qū)動(dòng)電路是等離子體顯示板的掃描放電電極的驅(qū)動(dòng)電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中所述第二驅(qū)動(dòng)電路是等離子體顯示板的奇數(shù)行或偶數(shù)行的掃描放電電極的驅(qū)動(dòng)電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中所述第二驅(qū)動(dòng)電路包括一個(gè)或多個(gè)驅(qū)動(dòng)集成電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中所述第二驅(qū)動(dòng)電路使被施加掃描脈沖的掃描放電電極成為導(dǎo)通狀態(tài),使沒有被施加掃描脈沖的掃描放電電極成為導(dǎo)通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)。
9.一種等離子體顯示器,包括顯示板驅(qū)動(dòng)電路;以及連接到所述顯示板驅(qū)動(dòng)電路的第一和第二電極的等離子體顯示板,其中所述顯示板驅(qū)動(dòng)電路包括連接到顯示板的多個(gè)第一電極和第二電極、用于驅(qū)動(dòng)所述第一電極的第一驅(qū)動(dòng)電路,以及第二驅(qū)動(dòng)電路,第二驅(qū)動(dòng)電路被連接以驅(qū)動(dòng)多個(gè)所述第二電極的全部或部分,或者被斷開以增加輸出阻抗。
10.一種顯示板驅(qū)動(dòng)電路,包括能夠提供電壓的電源;輸出由所述電源提供的電壓的輸出端;第一開關(guān)元件,連接在所述電源和所述輸出端之間,能夠雙向?qū)?,并?duì)至少一個(gè)方向的電流具有開關(guān)功能。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中所述第一開關(guān)元件由MOSFET構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中通過將二極管并聯(lián)連接到IGBT或雙極晶體管構(gòu)成所述第一開關(guān)元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中所述第一開關(guān)元件為高壓開關(guān)元件,所述第一開關(guān)元件的一個(gè)控制端借助第二開關(guān)元件連接到低壓驅(qū)動(dòng)電路。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中第二開關(guān)元件由二極管或MOSFET構(gòu)成。
15.一種等離子體顯示器,包括顯示板驅(qū)動(dòng)電路;以及連接到所述顯示板驅(qū)動(dòng)電路輸出端的等離子體顯示板,其中所述顯示板驅(qū)動(dòng)電路包括能夠提供電壓的電源,輸出由所述電源提供的電壓的輸出端、以及連接在所述電源和所述輸出端之間、能夠雙向?qū)ú?duì)至少一個(gè)方向的電流具有開關(guān)功能的第一開關(guān)元件。
16.一種顯示板驅(qū)動(dòng)電路,包括連接到電源的公共開關(guān)元件;在電源和參考電位之間通過所述公共開關(guān)元件串聯(lián)連接的第一和第二開關(guān)元件;連接在所述第一和第二開關(guān)元件之間的第一輸出端;與所述第一和第二開關(guān)元件并聯(lián)連接并在電源和參考電位之間通過所述公共開關(guān)元件串聯(lián)連接的第三和第四開關(guān)元件;連接在所述第三和第四開關(guān)元件之間的第二輸出端;以及控制電路,用于斷開所述公共開關(guān)元件,從所述第一輸出端通過所述第一和第三開關(guān)元件輸出所述第二輸出端的電壓,隨后從所述第一輸出端通過所述公共開關(guān)元件和所述第一開關(guān)元件輸出電源電壓。
17.一種顯示板驅(qū)動(dòng)電路,包括連接到電源的公共開關(guān)元件;在電源和參考電位之間通過所述公共開關(guān)元件串聯(lián)連接的第一和第二開關(guān)元件;連接在所述第一和第二開關(guān)元件之間的第一輸出端;與所述第一和第二開關(guān)元件并聯(lián)連接并在電源和參考電位之間通過所述公共開關(guān)元件串聯(lián)連接的第三和第四開關(guān)元件;連接在所述第三和第四開關(guān)元件之間的第二輸出端;以及控制電路,用于斷開所述公共開關(guān)元件,從所述第二輸出端通過所述第一和第三開關(guān)元件輸出所述第一輸出端的電壓,隨后從所述第一輸出端通過所述第二開關(guān)元件輸出參考電位電壓。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中所述控制電路斷開所述公共開關(guān)元件,從所述第二輸出端通過所述第一和第三開關(guān)元件輸出所述第一輸出端的電壓,隨后從所述第二輸出端通過所述第二開關(guān)元件輸出參考電位電壓。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中所述控制電路從所述第一輸出端通過所述第二開關(guān)元件輸出參考電位電壓,然后斷開所述公共開關(guān)元件,從所述第一輸出端通過所述第一和第三開關(guān)元件輸出所述輸出端的電壓,隨后從所述第一輸出端通過所述公共開關(guān)元件和所述第一開關(guān)元件輸出電源電壓。
20.根據(jù)權(quán)利要求17的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中所述控制電路從所述第二輸出端通過所述公共開關(guān)元件和所述第三開關(guān)元件輸出電源電壓,然后斷開所述公共開關(guān)元件,從所述第二輸出端通過所述第一和第三開關(guān)元件輸出所述第一輸出端的電壓,隨后從所述第二輸出端通過所述第四開關(guān)元件輸出參考電位電壓。
21.根據(jù)權(quán)利要求16的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中所述公共開關(guān)元件使用MOSFET構(gòu)成。
22.根據(jù)權(quán)利要求17的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中所述公共開關(guān)元件使用MOSFET構(gòu)成。
23.一種等離子體顯示器,包括顯示板驅(qū)動(dòng)電路;以及連接到所述顯示板驅(qū)動(dòng)電路的第一和第二輸出端的等離子體顯示板,其中所述顯示板驅(qū)動(dòng)電路包括連接到電源的公共開關(guān)元件;通過所述公共開關(guān)元件串聯(lián)連接在電源和參考電位之間的第一和第二開關(guān)元件;連接在所述第一和第二開關(guān)元件之間的第一輸出端;與所述第一和第二開關(guān)元件并聯(lián)連接并在電源和參考電位之間通過所述公共開關(guān)元件串聯(lián)連接的第三和第四開關(guān)元件;連接在所述第三和第四開關(guān)元件之間的第二輸出端;以及控制電路,用于斷開所述公共開關(guān)元件,從所述第一輸出端通過所述第一和第三開關(guān)元件輸出所述第二輸出端的電壓,隨后從所述第一輸出端通過所述公共開關(guān)元件和所述第一開關(guān)元件輸出電源電壓。
24.一種等離子體顯示器,包括顯示板驅(qū)動(dòng)電路;以及連接到所述顯示板驅(qū)動(dòng)電路的所述第一和第二輸出端的等離子體顯示板,其中所述顯示板驅(qū)動(dòng)電路包括連接到電源的公共開關(guān)元件;通過所述公共開關(guān)元件串聯(lián)連接在電源和參考電位之間的第一和第二開關(guān)元件;連接在所述第一和第二開關(guān)元件之間的第一輸出端;與所述第一和第二開關(guān)元件并聯(lián)連接并在電源和參考電位之間通過所述公共開關(guān)元件串聯(lián)連接的第三和第四開關(guān)元件;連接在所述第三和第四開關(guān)元件之間的第二輸出端;以及控制電路,用于斷開所述公共開關(guān)元件,從所述第二輸出端通過所述第一和第三開關(guān)元件輸出所述第一輸出端的電壓,隨后從所述第二輸出端通過所述第四開關(guān)元件輸出參考電位電壓。
25.一種顯示板驅(qū)動(dòng)電路,包括能夠提供電壓的電源;連接到所述電源的第一開關(guān)元件;能夠通過所述第一開關(guān)元件輸出所述電源電壓的多個(gè)輸出端;分別連接在所述電源和多個(gè)所述輸出端之間的多個(gè)第二開關(guān)元件;以及為所述多個(gè)第二開關(guān)元件中的每一個(gè)或多個(gè)第二開關(guān)元件提供的諧振電路,該諧振電路包括諧振電感和電容,所述諧振電路的數(shù)量大于所提供的所述第一開關(guān)元件的數(shù)量。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中從所述輸出端到所述諧振電感的連接線的寄生電感的大小小于所述諧振電感的大小。
27.根據(jù)權(quán)利要求25的顯示板驅(qū)動(dòng)電路,其中諧振電感由所述諧振電路中從所述輸出端到諧振電流路徑的線路的寄生電感構(gòu)成。
28.一種等離子體顯示板,包括顯示板驅(qū)動(dòng)電路;以及連接到所述顯示板驅(qū)動(dòng)電路的多個(gè)輸出的等離子體顯示板,其中所述顯示板驅(qū)動(dòng)電路包括能夠提供電壓的電源;連接到所述電源的第一開關(guān)元件;能夠通過所述第一開關(guān)元件輸出所述電源電壓的多個(gè)輸出端;分別連接在所述電源和多個(gè)所述輸出端之間的多個(gè)第二開關(guān)元件;以及為多個(gè)所述第二開關(guān)元件中的每一個(gè)或多個(gè)第二開關(guān)元件提供的諧振電路,該諧振電路包括諧振電感和可連接到參考電位的電容,所述諧振電路的數(shù)量大于所提供的所述第一開關(guān)元件的數(shù)量。
全文摘要
本申請(qǐng)公開了一種顯示板驅(qū)動(dòng)電路及等離子體顯示器。該驅(qū)動(dòng)電路具有連接到顯示板的多個(gè)第一和第二電極,驅(qū)動(dòng)第一電極的第一驅(qū)動(dòng)電路,以及驅(qū)動(dòng)第二電極的第二驅(qū)動(dòng)電路。第二驅(qū)動(dòng)電路被連接以驅(qū)動(dòng)多個(gè)所述第二電極的全部或部分,或者被斷開以增加輸出阻抗。
文檔編號(hào)G09G3/291GK1435807SQ021518
公開日2003年8月13日 申請(qǐng)日期2002年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月31日
發(fā)明者佐野勇司, 河田外與志 申請(qǐng)人:富士通日立等離子顯示器股份有限公司
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