專(zhuān)利名稱(chēng)：具有在三元結(jié)構(gòu)電極之間的共面持續(xù)放電的等離子面板的驅(qū)動(dòng)方法
參照文獻(xiàn)FR 2790 583(SAMSUNG)，特別是該文獻(xiàn)的圖4，其在下文中示意地復(fù)制在

圖1中，發(fā)明涉及驅(qū)動(dòng)具有共面持續(xù)放電和記憶效應(yīng)的AC圖像顯示等離子面板的方法，所述等離子面板包括-前板(tile)和后板，它們彼此平行并在它們之間提供充滿放電氣體的空間；-所述板中的一個(gè)板12包括電極5的至少第一陣列，另一個(gè)板11包括三元組(triads)電極13、20、14的至少第二陣列，它們的總方向與第一陣列的電極5的方向接近垂直；-位于第一陣列的電極5與第二電極陣列的三元組電極13，20，14相交處的空間形成發(fā)光區(qū)9以及將被顯示的圖像點(diǎn)的矩陣；-三元組的電極13、20、14覆蓋有介電層17，以便獲得常規(guī)的記憶效應(yīng)，從而通過(guò)施加低于激發(fā)電壓(ignition voltage)的電壓，可以在這些電極之間產(chǎn)生放電。
一般來(lái)說(shuō)，相鄰發(fā)光區(qū)的壁部分地裝配有磷光體，當(dāng)磷光體被發(fā)光產(chǎn)生的紫外線激發(fā)時(shí)發(fā)出不同的顏色；因此，對(duì)應(yīng)于這些具有不同顏色的區(qū)域的相鄰點(diǎn)被組合成將被顯示的圖像的像素或圖像元素。
一般來(lái)說(shuō)，發(fā)光區(qū)，至少那些具有不同顏色的發(fā)光區(qū)被隔離物分開(kāi)。
一旦電荷沉積在放電區(qū)9中的電介質(zhì)17表面上，特別是通過(guò)在電極5與在該區(qū)中交叉的相對(duì)三元組電極14，20，13的至少一個(gè)電極之間施加被稱(chēng)作尋址脈沖的脈沖，會(huì)在放電區(qū)9中獲得上述的記憶效應(yīng)；介電層一般涂有保護(hù)層，所述保護(hù)層也發(fā)射次極電子，例如基于MgO的層。
為了在這樣“確定地址”的區(qū)域中獲得一連串的持續(xù)放電，在所述文獻(xiàn)中描述的驅(qū)動(dòng)方法包括-通常，至少一個(gè)系列的持續(xù)電壓脈沖施加在每個(gè)三元組電極中的相對(duì)電極13，14之間，以便在每個(gè)“確定地址”的交叉區(qū)域9，即希望持續(xù)放電的區(qū)域中產(chǎn)生持續(xù)放電。
-進(jìn)一步，在該系列持續(xù)脈沖施加之前(權(quán)項(xiàng)3)或同時(shí)(權(quán)項(xiàng)6)，施加脈沖到所述三元組電極的中心電極20，以便o或者(權(quán)項(xiàng)4)，在所述持續(xù)脈沖產(chǎn)生持續(xù)發(fā)光時(shí)，將中心電極20的電勢(shì)提高到在兩個(gè)相對(duì)電極13，14具有的電勢(shì)中相對(duì)較高的那個(gè)電勢(shì)水平(中心＝陽(yáng)極)，接著，當(dāng)所述放電減少時(shí)，將該中心電極20的電勢(shì)降低到在兩個(gè)相對(duì)電極13，14具有的電勢(shì)中相對(duì)較低的那個(gè)電勢(shì)水平(中心＝陰極)，o或者(權(quán)項(xiàng)5)，在所述持續(xù)脈沖產(chǎn)生持續(xù)發(fā)光時(shí)，將中心電極20的電勢(shì)降低到在兩個(gè)相對(duì)電極13，14具有的電勢(shì)中相對(duì)較低的那個(gè)電勢(shì)水平(中心＝陰極)，接著，當(dāng)所述放電減少時(shí)，將該中心電極20的電勢(shì)提高到在兩個(gè)相對(duì)電極13，14具有的電勢(shì)中相對(duì)較高的那個(gè)電勢(shì)水平(中心＝陽(yáng)極)。
與脈沖和放電的交錯(cuò)相對(duì)應(yīng)的時(shí)序圖一方面在圖5和6中示出，另一方面在上述文獻(xiàn)的圖8和圖9中示出。
仍然根據(jù)文獻(xiàn)FR 2 790 583，中心電極20必須要薄，以便不增加每個(gè)三元組電極的持續(xù)電極的靜電電容。
在共面持續(xù)放電等離子面板中，經(jīng)過(guò)區(qū)域9到支承共面電極的板11的介電層17的內(nèi)表面上的電荷轉(zhuǎn)移產(chǎn)生放電，在本例中所述共面電極為三元組電極13，20，14；以下將描述各種電荷轉(zhuǎn)移步驟，所述步驟在驅(qū)動(dòng)類(lèi)似文獻(xiàn)FR 2 790 583中描述的面板時(shí)可選地產(chǎn)生持續(xù)發(fā)光，并將參照?qǐng)D附圖2A至2H1，其中填有“-”符號(hào)的區(qū)域代表電介質(zhì)17表面上的負(fù)電荷或者電子，并且其中方格形的區(qū)域?qū)?yīng)于電介質(zhì)17表面上的正電荷或離子-在常規(guī)的尋址脈沖施加到第一陣列的電極5與第二電極陣列的三元組電極13，20，14的交叉點(diǎn)上之后，在該尋址電極5和該三元組電極中的至少一個(gè)電極之間，可獲得如圖2A所示的電荷分布，電極14相對(duì)于其他電極20(0V)和13(0V)提高到+300V；從而電子聚集到三元組電極的側(cè)電極上，而離子主要聚集到三元組電極中的中心電極上。
-像常規(guī)的持續(xù)序列中那樣，兩個(gè)側(cè)電極的電勢(shì)變換，電極13相對(duì)于相對(duì)的側(cè)電極14(0V)被提高到+200V；在施加該第一持續(xù)脈沖時(shí)，中心電極20的電勢(shì)接著被提高到在兩個(gè)相對(duì)電極13，14具有的電勢(shì)中相對(duì)較高的那個(gè)電勢(shì)水平，即本例中為200V，這樣中心電極作為陽(yáng)極；這形成如圖2B1中所示的結(jié)構(gòu)，第一主持續(xù)發(fā)光發(fā)生(見(jiàn)箭頭)，并引起電荷反轉(zhuǎn)，如圖2C1所示；在該電荷反轉(zhuǎn)期間，電子在中心電極20和側(cè)電極13的寬度上擴(kuò)散，從而產(chǎn)生等離子體的正虛擬柱(positivepseudocolumn)的大幅度延伸，進(jìn)而產(chǎn)生高發(fā)光效率的放電；-接著，當(dāng)該放電減弱時(shí)，中心電極20的電勢(shì)被降低到在兩個(gè)相對(duì)電極13，14具有的電勢(shì)中相對(duì)較低的那個(gè)電勢(shì)水平(本例中為0V)，這樣中心電極作為陰極，如圖2B2中所示；接著被啟動(dòng)的電荷運(yùn)動(dòng)(箭頭)產(chǎn)生第一次級(jí)持續(xù)發(fā)光，并形成如圖2C2所示的電荷分布；由于不產(chǎn)生電子的大量而廣泛電子擴(kuò)散，因此這種釋放具有較低的發(fā)光效率；-現(xiàn)在通過(guò)再次變換兩個(gè)側(cè)電極的電勢(shì)施加第二持續(xù)脈沖；電極14現(xiàn)在相對(duì)于相對(duì)側(cè)電極13(0V)提高到+200V；當(dāng)施加該第二持續(xù)脈沖時(shí)，中心電極20的電勢(shì)再次被提高到在兩個(gè)相對(duì)電極13，14具有的電勢(shì)中相對(duì)較高的那個(gè)電勢(shì)水平，即在本例中為200V，這樣中心電極作為陽(yáng)極；這形成如圖2D1所示的結(jié)構(gòu)；由于電介質(zhì)表面的中心區(qū)域已被極大地放電，并且記憶效應(yīng)已部分喪失，因此等候的第二主持續(xù)發(fā)光(見(jiàn)箭頭)幾乎不發(fā)生；由此前述序列產(chǎn)生自清除；產(chǎn)生的電荷結(jié)構(gòu)只有很小的改變(圖2F1)。
-接著，中心電極20的電勢(shì)再次被降低到在兩個(gè)相對(duì)電極13，14具有的電勢(shì)中相對(duì)較低的那個(gè)電勢(shì)水平，即在本例中為0V，這樣中心電極作為陰極，如圖2D2所示；接著被啟動(dòng)的電荷運(yùn)動(dòng)(箭頭)產(chǎn)生第二次級(jí)持續(xù)發(fā)光，并形成如圖2F2所示的電荷分布；由于這種釋放所引起的擴(kuò)散在這種情況下涉及離子，因此這種釋放具有較低的發(fā)光效率；-在包括兩個(gè)主持續(xù)脈沖的該第一完整持續(xù)周期之后，接著開(kāi)始第二周期；通過(guò)再次變換兩個(gè)側(cè)電極的電勢(shì)施加第二周期的第一持續(xù)脈沖；電極13現(xiàn)在相對(duì)于相對(duì)側(cè)電極14(0V)被提高到+200V；當(dāng)施加該持續(xù)脈沖時(shí)，中心電極20的電勢(shì)再次提高到在兩個(gè)相對(duì)電極13，14具有的電勢(shì)中相對(duì)較高的那個(gè)電勢(shì)水平，即在本例中為200V，中心電極作為陽(yáng)極；這形成如圖2G1所示的結(jié)構(gòu)，新的主持發(fā)光發(fā)生(見(jiàn)箭頭)，引起圖2H1所示的電荷反轉(zhuǎn)，與示出第一持續(xù)放電結(jié)束的圖2C1相同；在該電荷反轉(zhuǎn)期間，電子在中心電極和側(cè)電極13的寬度之上擴(kuò)散，引起等離子正虛擬柱的廣泛延伸，從而產(chǎn)生高發(fā)光效率的放電。
第二持續(xù)周期接著將如同第一周期那樣繼續(xù)，電荷運(yùn)動(dòng)與第一周期中的相同從第二周期的第一主持續(xù)放電結(jié)束(與圖2H1一致的圖2C1)，接著的是導(dǎo)致自清除的低效率的次級(jí)放電(圖2B2和2C2)，繼之以很低的主持續(xù)放電(圖2D1和2F1)，最后是另一低效率的次級(jí)放電(圖2D2和2F2)。
適當(dāng)?shù)臅r(shí)候，進(jìn)一步的相同持續(xù)周期連續(xù)跟隨直到所希望的持續(xù)時(shí)間段用完，施加到電極的電壓脈沖形成一系列持續(xù)脈沖。
因此可以看出，在包括兩個(gè)主持續(xù)脈沖和兩個(gè)次級(jí)持續(xù)脈沖的完整周期期間，只有一次放電具有高的發(fā)光效率；總的來(lái)說(shuō)，當(dāng)文獻(xiàn)FR2 790 583所描述的電極三元組陣列和驅(qū)動(dòng)方法被用于共面顯示時(shí)，等離子面板的發(fā)光效率不是令人滿意的。
因此可以看出，在一系列持續(xù)脈沖中，中心電極交替地作為陽(yáng)極和陰極。
并且，如文獻(xiàn)FR2 790 583所描述和推薦的那樣，這些三元組的中心電極的較小寬度限制了電子擴(kuò)散的可能性和等離子體正虛擬柱延伸的可能性，從而，與常規(guī)的共面結(jié)構(gòu)相比，無(wú)助于改善發(fā)光效率，并且，發(fā)光效率的改善不是所述文獻(xiàn)追求的目標(biāo)。
本發(fā)明的目的是提供一種共面等離子面板結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)用于該面板的持續(xù)脈沖的方法，所述方法可極大地改善發(fā)光效率；本發(fā)明的目的特別用于避免上述的缺點(diǎn)。
為了這一目的，本發(fā)明的主題是一種驅(qū)動(dòng)具有共面持續(xù)放電和記憶效應(yīng)的AC圖像顯示等離子面板的方法，所述面板包括-前板和后板，它們彼此平行并在它們之間提供充滿放電氣體的空間；-所述板中的一個(gè)板包括電極的至少第一陣列，另一個(gè)板包括三元組電極的至少第二陣列，它的總方向與第一陣列的電極的方向接近垂直；
-每個(gè)三元組電極包括兩個(gè)相對(duì)的側(cè)電極和一個(gè)中心電極；-位于第一陣列的電極與第二電極陣列的三元組電極之間的交叉點(diǎn)處的空間形成發(fā)光區(qū)以及將被顯示的圖像的點(diǎn)的矩陣；-三元組電極涂有介電層；所述方法包括至少一個(gè)這樣的持續(xù)操作即通過(guò)在每個(gè)三元組電極的電極之間施加一系列持續(xù)電壓脈沖，以便在每個(gè)期望持續(xù)發(fā)光的交叉區(qū)域中產(chǎn)生持續(xù)放電，其特征在于在所述持續(xù)操作期間，每個(gè)三元組電極的中心電極總是作為陽(yáng)極。
通過(guò)這種布置，面板的發(fā)光效率被極大的提高了；根據(jù)本發(fā)明，與已經(jīng)提到過(guò)的文獻(xiàn)FR 2 790 583中所述的驅(qū)動(dòng)方法相反，在整個(gè)持續(xù)操作的期間(或者“顯示階段”)，中心電極的電勢(shì)總是嚴(yán)格地高于一個(gè)或另一個(gè)側(cè)電極的電勢(shì)，從而中心電極總是作為陽(yáng)極。
使中心電極在整個(gè)持續(xù)操作期間(或整個(gè)顯示階段)作為陽(yáng)極的一個(gè)有利方法是使該電極為浮動(dòng)電極；這是因?yàn)?，根?jù)電容分壓器橋原理，在這樣的結(jié)構(gòu)中，中心電極的電勢(shì)介于兩個(gè)相鄰側(cè)電極的電勢(shì)之間，從而該中心電極的電勢(shì)總是嚴(yán)格地高于一個(gè)或另一個(gè)側(cè)電極的電勢(shì)。這樣的結(jié)構(gòu)的經(jīng)濟(jì)上的優(yōu)點(diǎn)在于，它不需要用于面板中心電極的特殊的持續(xù)供應(yīng)，也不需要用于供應(yīng)的開(kāi)關(guān)或驅(qū)動(dòng)器。
為了獲得發(fā)光效率的更大提高，優(yōu)選的是，與上述的文獻(xiàn)FR2 790 583的教導(dǎo)相反，使中心電極具有足夠的寬度以有利于持續(xù)放電期間的電子擴(kuò)散和等離子體正虛擬柱的延伸；優(yōu)選的是，該中心電極的寬度大于分開(kāi)和隔離同一三元組電極的側(cè)電極的間隙；如果同一三元組電極的兩個(gè)間隙具有不同的值，中心電極的寬度大于較大的間隙；優(yōu)選的是，該中心電極的寬度大于80μm。
該中心電極的寬度尤其可以在100μm和200μm之間。
有利的是，中心電極甚至可以大于200μm；特別是，在這種情況下，存在著放電的矩陣激發(fā)的危險(xiǎn)，也就是說(shuō)，這些放電的激發(fā)不是發(fā)生在三元組電極之間(共面激發(fā)的情況下)而是發(fā)生在屬于一個(gè)板的第一陣列的電極與屬于另一個(gè)板的三元組電極中的電極之間；應(yīng)設(shè)法避免矩陣激發(fā)，這是因?yàn)?，與共面激發(fā)相反，根據(jù)面板的單元(cell)壁的材料的電特性，矩陣激發(fā)從面板的一個(gè)單元到另一個(gè)單元極大地波動(dòng)，尤其是對(duì)于磷光體材料，它的電特性從一個(gè)單元到另一個(gè)單元是不同的；這些電特性包括電容率、靜電荷、電介質(zhì)厚度和次級(jí)電子發(fā)射；為了避免或限制這樣矩陣激發(fā)，優(yōu)選的是-分開(kāi)和隔離同一三元組電極的相鄰電極的間隙小于80μm，以及-提供放電氣體填充空間的板之間的間距大于130μm。
有利的是，中心電極的寬度大于每個(gè)側(cè)電極的寬度。
在每一系列持續(xù)脈沖之間，通常具有選擇性尋址或選擇性清除操作；在選擇性尋址操作之前，通常具有起動(dòng)操作(priming)和清除操作，這兩種操作都是半選擇性或非選擇性的。為此目的，本發(fā)明的主題還是根據(jù)本發(fā)明的上述方法，其還包括在每一個(gè)持續(xù)操作之前或之后，通過(guò)在跨過(guò)所述區(qū)域的所述第一陣列的電極與跨過(guò)所述區(qū)域的三元組電極中的至少一個(gè)電極之間施加至少一個(gè)電壓脈沖，使選擇性尋址或清除操作只應(yīng)用到在所述系列期間希望持續(xù)發(fā)光的所述區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域上。
在尋址操作的情況下，上述情況發(fā)生在每個(gè)持續(xù)操作之前，并且相應(yīng)的尋址脈沖以本身已知的方式被使用，以便在所述區(qū)域中的介電層上產(chǎn)生電荷，從而獲得眾所周知的等離子面板的記憶效應(yīng)。
該方法對(duì)應(yīng)于通過(guò)選擇性尋址進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的常規(guī)模式，所述選擇性尋址可以應(yīng)用于以下方法中即在該方法中，放電區(qū)的排列或排列組在顯示階段之前被連續(xù)地尋址，或者在該方法中排列或排列組被尋址，同時(shí)其它排列或排列組被顯示(這種情況稱(chēng)作“AWD”)。
在清除操作的情況中，上述情況發(fā)生在每個(gè)持續(xù)操作之后，相應(yīng)的清除脈沖以本身已知的方式被采用，以便除去所述區(qū)域中的介電層上的電荷并使記憶效應(yīng)停止。
所述方法對(duì)應(yīng)于通過(guò)選擇性清除進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的常規(guī)模式。
優(yōu)選的是，在跨過(guò)所述區(qū)域的所述第一陣列的電極與跨過(guò)所述區(qū)域的三元組電極的中心電極之間施加選擇性電壓脈沖。
通過(guò)這樣將所有選擇性尋址或清除操作轉(zhuǎn)移到中心電極，對(duì)于即使使用共用電極的點(diǎn)，也能構(gòu)造系列相鄰放電區(qū)域的側(cè)電極，例如作為對(duì)應(yīng)于第n排的三元組電極的下側(cè)電極和作為對(duì)應(yīng)于下一相鄰排第(n+1)排的三元組電極的上側(cè)電極；這樣，本發(fā)明的主題是根據(jù)本發(fā)明的方法，其中經(jīng)同一三元組電極提供的所有區(qū)域形成所述面板的一排，在任何兩個(gè)相鄰的排上，一方面第一三元組電極，而另一方面第二三元組電極分別通過(guò)所述相鄰排，第一三元組電極的側(cè)電極與最靠近的第二三元組電極的側(cè)電極電連接到相同的電勢(shì)上。
優(yōu)選的是，所述兩個(gè)電連接電極形成兩個(gè)相鄰排共用的電極。
本發(fā)明的主題也是一種等離子面板，可以用于實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的方法，所述等離子面板包括-前板和后板，它們彼此平行并在它們之間提供充滿放電氣體的空間；-所述板中的一個(gè)板包括至少電極的至少第一陣列，另一個(gè)板包括三元組電極的至少第二陣列，它的總方向與第一陣列的電極的方向接近垂直；-每個(gè)三元組電極包括兩個(gè)相對(duì)的側(cè)電極和一個(gè)中心電極；-位于第一陣列的電極與第二電極陣列的三元組電極之間的交叉點(diǎn)處的空間形成發(fā)光區(qū)以及將被顯示的圖像的點(diǎn)的矩陣；-三元組電極涂有介電層；-用于在每個(gè)所述交叉區(qū)域中控制放電的裝置，尤其是通過(guò)持續(xù)操作進(jìn)行控制；其特征在于，所述控制裝置被設(shè)計(jì)為在持續(xù)操作期間，中心電極總是作為陽(yáng)極。
在上述提到的其中中心電極為浮動(dòng)電極并且沒(méi)有外部連接的情況下，面板不包括用于這些電極的特殊持續(xù)供應(yīng)以及用于供應(yīng)它們的驅(qū)動(dòng)器。
優(yōu)選的是，所述中心電極的寬度大于分開(kāi)和隔離同一三元組電極的相鄰電極的間隙；在實(shí)踐中，中心電極的寬度大于80μm。其它與電極和/或面板單元的幾何形狀有關(guān)的優(yōu)選情況已經(jīng)被提到，尤其在中心電極的寬度大于每個(gè)側(cè)電極的寬度的有益情況中。
優(yōu)選的是，經(jīng)同一三元組電極提供的所有區(qū)域形成所述面板的一排，在任何兩個(gè)相鄰的排上，一方面第一三元組電極，而另一方面第二三元組電極分別通過(guò)所述相鄰排，第一三元組電極的側(cè)電極與最靠近的第二三元組電極的側(cè)電極電連接到相同的電勢(shì)上；優(yōu)選的是，所述兩個(gè)電連接電極形成兩個(gè)相鄰排共用的電極。
通過(guò)閱讀以下參照附圖以非限定例子的方式給出的描述，將會(huì)獲得對(duì)本發(fā)明更好理解，其中圖1是已在前面描述過(guò)的現(xiàn)有技術(shù)中的等離子面板的具有三個(gè)共面電極的單元的示意性剖面圖，與文獻(xiàn)FR2 790 583的圖4具有相同的標(biāo)號(hào)；圖2A至圖2H1(無(wú)圖2E)已描述過(guò)，示出了當(dāng)根據(jù)文獻(xiàn)FR2 790 583中所述的現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)，在圖1的單元中電荷的變化和發(fā)光的發(fā)生；圖3A至3F示出了當(dāng)根據(jù)文本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)，在類(lèi)似于圖1的單元但具有更寬中心電極的根據(jù)本發(fā)明的單元中電荷的變化和發(fā)光的發(fā)生；圖4通過(guò)4個(gè)標(biāo)為20，13，14和5的時(shí)序圖，示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例施加到共面三元組電極的電極上(側(cè)電極13，14和中心電極20)的電勢(shì)隨時(shí)間的變化以及施加到尋址電極5上的電勢(shì)隨時(shí)間的變化；圖5A至5C示出了根據(jù)共面電極和分開(kāi)這些電極的間隙的寬度，在現(xiàn)有技術(shù)中的等離子面板的具有兩個(gè)共面電極的單元中放電的擴(kuò)散；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)特別實(shí)施例，等離子面板的三個(gè)具有不同顏色的相鄰單元組的項(xiàng)視圖和兩個(gè)剖面?zhèn)纫晥D，其中三元組電極的每個(gè)側(cè)電極為面板的兩個(gè)相鄰排所共用，并且由透明導(dǎo)電材料制成；以及圖7示出了類(lèi)似于圖6的頂視圖，唯一的區(qū)別是側(cè)電極由不透明的導(dǎo)電格柵形成；圖8示出了圖6的變體，其中具有較大寬度的中心電極設(shè)置有總線(bus)，所述總線位于該電極的放電激發(fā)邊緣處；圖9示出了圖7的變體，其中中心電極具有較大寬度。
為了使說(shuō)明簡(jiǎn)單以及突出本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別和優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于實(shí)現(xiàn)相同功能的元件使用相同的標(biāo)號(hào)表示。
根據(jù)本發(fā)明的等離子面板與上述的(圖1)和文獻(xiàn)FR2 790 583(圖4)所述的等離子面板基本相同，但有以下區(qū)別，所述的區(qū)別是優(yōu)化發(fā)光效率所必需的，所述區(qū)別為每個(gè)三元組電極的中心電極20足夠?qū)捯杂兄诎l(fā)光期間等離子體正虛擬柱的延伸和電子的擴(kuò)散；在實(shí)踐中，該中心電極的寬度大于分開(kāi)電極的間隔；從而該中心電極的寬度大于50μm，優(yōu)選大于80μm；每個(gè)三元組的中心電極的寬度一般在100和200μm之間。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D3A-3F描述根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)等離子面板的方法，特別是在根據(jù)本發(fā)明的持續(xù)階段(sustain phase)中驅(qū)動(dòng)等離子面板的方法，圖3A-3F示出了在介電層17的表面上的電荷的變化，其中圖3A-3F與圖2A-2H1中的表示習(xí)慣相同。
-在將常規(guī)的尋址脈沖施加于第一陣列的電極5與第二電極陣列的三元組電極13，20，14之間的交叉點(diǎn)上時(shí)，在該尋址電極5和該三元組電極中的至少一個(gè)電極之間，在尋址放電之后獲得如圖3A所示的電荷分布，側(cè)電極14相對(duì)于其它電極，即側(cè)電極13(0V)和中心電極20(0V)被提高到+300V；從而電子聚集在三元組電極的側(cè)電極上，離子主要積聚在三元組電極的中心電極上，所述中心電極較現(xiàn)有技術(shù)要寬。
-如在常規(guī)的顯示序列中一樣，兩個(gè)側(cè)電極的電勢(shì)被變換，電極13相對(duì)于相對(duì)的側(cè)電極14(0V)被提高到+200V；與現(xiàn)有技術(shù)相反，在施加該第一持續(xù)脈沖的時(shí)候，中心電極20的電勢(shì)接著被提高到在兩個(gè)相對(duì)電極13，14具有的電勢(shì)中相對(duì)較高的那個(gè)電勢(shì)水平，即在本例中為200V，并保持這一值直到第一持續(xù)脈沖終止；然后，中心電極作為陽(yáng)極；這產(chǎn)生圖3B所示的構(gòu)造，與現(xiàn)有技術(shù)一樣，第一主持續(xù)發(fā)光發(fā)生(見(jiàn)箭頭)，從而引起如圖3C所示的電荷反轉(zhuǎn)；在該電荷反轉(zhuǎn)期間，電子在中心電極20和側(cè)電極13上擴(kuò)散，其中所述中心電極20的寬度比現(xiàn)有技術(shù)中的寬度寬得多，從而引起較現(xiàn)有技術(shù)更大的等離子體正虛擬柱的延伸，并引起更高發(fā)光效率的發(fā)光；-接著，通過(guò)再次變換兩個(gè)側(cè)電極的電勢(shì)，施加第二持續(xù)脈沖；電極14相對(duì)于相對(duì)的側(cè)電極13(0V)被提高到+200V；在施加該第二持續(xù)脈沖時(shí)，中心電極20的電勢(shì)再次保持在兩個(gè)相對(duì)電極13，14具有的電勢(shì)中相對(duì)較高的那個(gè)電勢(shì)水平上，即在本例中為200V；中心電極仍然作為陽(yáng)極；這產(chǎn)生如圖3D所示的構(gòu)造，第二主持續(xù)發(fā)光被啟動(dòng)(見(jiàn)箭頭)，引起如圖3F中所示的電荷反轉(zhuǎn)，圖3E示出了其過(guò)渡狀態(tài)；在該電荷反轉(zhuǎn)期間，電子再次在中心電極20和側(cè)電極14上擴(kuò)散，其中中心電極比現(xiàn)有技術(shù)中的大很多，從而引起更大的等離子體正虛擬柱的延伸，并引起更高發(fā)光效率的發(fā)光；-在僅包括兩個(gè)主持續(xù)脈沖的該第一完整持續(xù)周期之后，接著開(kāi)始第二周期；通過(guò)再次變換兩個(gè)側(cè)電極的電勢(shì)，但仍然不改變中心電極20的電勢(shì)，施加第二周期的第一主持續(xù)脈沖；這時(shí)電極13相對(duì)于相對(duì)側(cè)電極14(0V)被提高到+200V，中心電極仍然作為陽(yáng)極；這一構(gòu)造引起已在圖3C示出的電荷反轉(zhuǎn)，代表了第二周期的第一持續(xù)放電的結(jié)束，所得到的釋放與第一周期一樣具有很高的發(fā)光效率。
接著像第一周期一樣繼續(xù)第二持續(xù)周期，電荷運(yùn)動(dòng)與第一周期中的電荷運(yùn)動(dòng)相同在第二周期的所述第一持續(xù)放電(圖3C)結(jié)束后，接著進(jìn)行第二周期的第二持續(xù)放電(圖3D至3F)，其仍然具有很高的發(fā)光效率。
適當(dāng)?shù)臅r(shí)候，進(jìn)一步的相同持續(xù)周期連續(xù)跟隨直到所希望的持續(xù)時(shí)間段用完，施加到電極的電壓脈沖形成一系列持續(xù)脈沖。
因此可以看出，持續(xù)脈沖系列只引起很高發(fā)光效率的放電；總的來(lái)說(shuō)，通過(guò)中心電極總是作為陽(yáng)極的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以及中心電極的大于現(xiàn)有技術(shù)中的寬度，極大地提高和優(yōu)化了等離子面板的發(fā)光效率。
根據(jù)本發(fā)明，所獲得的放電延長(zhǎng)(discharge extension)使得有可能在每個(gè)區(qū)域內(nèi)增加等離子中的正虛擬柱的體積，在所述等離子體的正虛擬柱中具有低電場(chǎng)并且產(chǎn)生具有很高效率的紫外光子發(fā)射。
在設(shè)有成對(duì)共面持續(xù)電極3，4的現(xiàn)有技術(shù)的等離子面板中，如圖5A示意性示出，已知至少兩種提高發(fā)光效率的手段-通過(guò)增加每一對(duì)電極的寬度，從而延長(zhǎng)放電，如圖5B所示；但是不同放電區(qū)域之間發(fā)生干擾(稱(chēng)作色度亮度干擾，crosstalk)的危險(xiǎn)對(duì)該寬度施加了上限，從而對(duì)發(fā)光效率的提高施加了上限；
-通過(guò)增加分開(kāi)成對(duì)共面電極的間隙，從而限制放電區(qū)域中的電場(chǎng)；這樣，由于場(chǎng)排列呈現(xiàn)近似半圓形的形狀(與圖5B相反，其中間隙太小)，因此延長(zhǎng)了每個(gè)區(qū)域深度中的放電路徑，如圖5C所示；然而，這種間隙的增加不利地改變了放電激發(fā)條件(帕邢定律)，需要更高的激發(fā)電壓，從而導(dǎo)致電子部件的成本過(guò)度增加；結(jié)果，對(duì)于能夠以充分低的電壓脈沖驅(qū)動(dòng)面板的需要極大地限制了間隙的增加。
本發(fā)明使得有可能使用這兩種手段，同時(shí)避免了這些局限性；中心電極使得有可能將兩個(gè)相對(duì)的共面電極間隔開(kāi)而不改變放電激發(fā)條件。
并且，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)-由于中心電極在整個(gè)持續(xù)階段都保持相同的電勢(shì)，所以用于驅(qū)動(dòng)面板的所述系統(tǒng)便于操作，因而非常經(jīng)濟(jì)；-由于中心電極比現(xiàn)有技術(shù)中的寬，因此該電極易于以更低成本生產(chǎn)。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D4描述用于本發(fā)明的等離子面板的放電區(qū)域的完整尋址/持續(xù)周期的ADS型方案的完整例子-首先，非選擇性階段I，稱(chēng)作起動(dòng)階段，向第二共面陣列的中心電極20施加均勻增加的電壓，其中該均勻增加的電壓大于第一陣列的尋址電極5的電壓，以便在中心電極20和側(cè)電極之間產(chǎn)生被稱(chēng)作“正電阻”放電的放電，從而產(chǎn)生被稱(chēng)作“起動(dòng)電荷”的在尋址階段所需要的電荷，同時(shí)產(chǎn)生最小量的發(fā)光以便保持良好的圖像對(duì)比；-其次，被稱(chēng)作清除階段的又一個(gè)非選擇性階段II，在不改變尋址電極5的電壓的情況下，對(duì)中心電極20施以均勻減小的電壓，只對(duì)側(cè)電極中的一個(gè)電極14施加恒定的電壓，其中這個(gè)恒定的電壓設(shè)計(jì)為總是大于中心電極20的電壓，從而產(chǎn)生低發(fā)光效率的放電，以便清除在前面的起動(dòng)操作期間儲(chǔ)存在介電層17表面上的電荷；-在第三階段III，這個(gè)時(shí)間段是稱(chēng)作尋址階段的選擇性階段，一方面同時(shí)對(duì)第一陣列的各個(gè)電極5施加尋址脈沖，另一方面，連續(xù)地對(duì)第二陣列的各個(gè)中心電極20施加尋址脈沖，同時(shí)保持側(cè)電極14的電壓與前一階段的電勢(shì)相同，并且對(duì)另一側(cè)電極13施加與尋址電極5的最低電壓相同的電壓，同時(shí)在尋址脈沖外側(cè)，保持中心電極20的電壓在兩個(gè)側(cè)電極13，14的電壓之間，從而將電荷沉積在電介質(zhì)17表面上希望在下一個(gè)持續(xù)階段持續(xù)放電的區(qū)域中；-最后，非選擇性持續(xù)階段IV，在已對(duì)三個(gè)共面電極13，20，14施加了近似相同的正電壓Ve，同時(shí)將第一陣列的尋址電極5保持在零電壓之后，在不改變中心電極20的電壓的條件下，對(duì)每個(gè)側(cè)電極13，14交替地施加零電壓；這樣，該中心電極20在整個(gè)持續(xù)階段總是作為陽(yáng)極；電壓Ve以本身已知的方式設(shè)計(jì)，以便在前已確址的區(qū)域中獲得釋放，而不在非確址的區(qū)域中獲得釋放。
在該第一持續(xù)階段之后，新的尋址/持續(xù)周期可以以本身已知的方式重復(fù)，以便在帶有記憶效應(yīng)的AC等離子面板上顯示圖像。
因此，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)有利的變體，所有選擇性尋址或清除操作被轉(zhuǎn)移動(dòng)到中心電極；通過(guò)這種改進(jìn)，有可能將三元組電極的每個(gè)側(cè)電極聚合成組并電連接到板上的相鄰三元組電極的最接近的側(cè)電極。
這兩個(gè)連接的電極甚至可以形成僅僅一個(gè)單電極21，從而使三元組陣列的電極總數(shù)減少三分之一；這樣，對(duì)于在一個(gè)電極內(nèi)，第二電極陣列的電極總數(shù)或者共面放電陣列的電極總數(shù)等于現(xiàn)有技術(shù)中的共面陣列的電極的總數(shù)，其中現(xiàn)有技術(shù)中的共面陣列為電極對(duì)陣列；因此，與現(xiàn)有的僅有兩個(gè)共面電極的等離子面板的制造相比，根據(jù)這一變體的等離子面板的制造和驅(qū)動(dòng)裝置的制造也不昂貴。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D5和圖6給出根據(jù)這一有益變體的等離子面板的一個(gè)實(shí)施例的描述，圖5和圖6示出了等離子面板的放電區(qū)域，在該區(qū)域每個(gè)像素P包括三個(gè)被隔離物16分開(kāi)的相鄰放電區(qū)9R，9G，9B，所述隔離物16從承載第一電極陣列5的后板的介電層15延伸到承載電極三元組13，20，14的前板的介電層17；相鄰的一方面的三元組13，20，14和另一方面的三元組13′，20′，14′(未示出)被與隔離物16垂直的隔離物6相互分隔開(kāi)；第一陣列的電極5在本例中偏移并位于隔離物16之下，并設(shè)有位于每一放電區(qū)9R，9G，9B中且朝向該區(qū)域中部延伸的分支51；優(yōu)選的是，第一陣列的電極5設(shè)置有用于促進(jìn)在三元組的每個(gè)側(cè)電極13，14和同一三元組的中心電極20之間形成顯示放電的裝置；從而，優(yōu)選每個(gè)放電區(qū)域有兩個(gè)分支51，這些分支位于中心電極20的任一側(cè)；隔離物6，16與介電層15，17共同限定放電單元；放電單元9R，9G，9B的壁，除了前板以外，分別涂以紅、綠、藍(lán)不同顏色的磷光體，當(dāng)它們被經(jīng)放電發(fā)出的紫外線激發(fā)時(shí)，適合發(fā)出這些顏色的射線；在位于電極上方的區(qū)域中，介電層一般涂以薄的保護(hù)層，該保護(hù)層發(fā)射次級(jí)電子，一般為基于MgO的層。
根據(jù)已描述的本發(fā)明的有益變體，與面板的第n排相應(yīng)的第一三元組的下側(cè)電極14和第二三元組的上側(cè)電極13′連接到相同的總線22′上，所述第二三元組與第一三元組相鄰，在本例中對(duì)應(yīng)于面板的下一排第(n+1)排；由于在兩個(gè)相鄰排中每個(gè)側(cè)三元組電極被共用，因此如果N是面板中排的總數(shù)，則在共面陣列或第二陣列中總共只有2N+1個(gè)電極，這樣就簡(jiǎn)化了面板的制造，每個(gè)電極由中心總線20，20′或者側(cè)總線22，22′供電；側(cè)總線22，22′是不透明的并且在本例中位于隔離物6的頂部，以便不阻礙從放電區(qū)域9R，9G，9B發(fā)出的可見(jiàn)光的發(fā)射。
側(cè)總線22′接著與它所連接的兩個(gè)側(cè)電極14和13′形成同一個(gè)電極21；所有第二電極陣列或陣列排由用于選擇性尋址或清除操作的中心電極20，20′和電極21交替地形成，所述電極21為兩排相鄰放電區(qū)域所共用，所述放電區(qū)域不用于選擇性尋址或清除操作。
根據(jù)圖6所示的實(shí)施例，為了吸收從放電區(qū)域9R，9G，9B發(fā)出的可見(jiàn)光，電極13，14，13′由透明導(dǎo)電材料制成，如氧化錫(SnO)或混合氧化錫銦(ITO)。
根據(jù)如圖7所示的相同類(lèi)型的等離子面板的可選實(shí)施例，中心電極20，20′或側(cè)電極21由排列成格柵的不透明導(dǎo)體的子陣列形成，例如-中心電極20，20′包括兩個(gè)不透明的平行導(dǎo)體201，203，每個(gè)導(dǎo)體具有限定一個(gè)間隙的前部，并且兩個(gè)平行導(dǎo)體201，203通過(guò)設(shè)置在每個(gè)單元9R，9G，9B中心處的不透明橫向分支202電連接在一起；-供應(yīng)單元9R，9G，9B的電極14和供應(yīng)相鄰排的單元9′R，9′G，9′B的電極13′都連接到同一總線22′，以便形成被兩個(gè)連續(xù)排所共用的電極21，每個(gè)電極包括具有限定間隙的前部并與中心電極20的導(dǎo)體201，203平行布置的不透明側(cè)導(dǎo)體140；每個(gè)側(cè)導(dǎo)體140經(jīng)由位于每個(gè)單元9R，9G，9B，9′R，9′G，9′B的中心處的不透明Y形分支電連接到總線22′；每個(gè)Y形分支包括作為Y的“根部”的主導(dǎo)體141和形成Y的“臂”的兩個(gè)次級(jí)導(dǎo)體142，143；這些分支經(jīng)“臂”142，143連接到總線22′，同時(shí)它們的另一端經(jīng)由“根部”141連接到側(cè)導(dǎo)體140；這種分支的Y形布置有利于放電期間的放電長(zhǎng)度的改變，從而有益于面板的發(fā)光效率。
中心電極20，20′和/或側(cè)電極21的不透明導(dǎo)體的格柵排列更經(jīng)濟(jì)，這是因?yàn)樗苊饬巳鐖D6中前述實(shí)施例那樣使用昂貴的透明導(dǎo)電材料；形成格柵的導(dǎo)體和分支的寬度足夠小，足以限制對(duì)放電單元或區(qū)域的阻礙，同時(shí)它們的寬度又足夠大，足以獲得產(chǎn)生放電所需要的電傳導(dǎo)。
可使用其它形狀的格柵，例如圖7中電極13的形狀，包括通過(guò)橫向分支134連接在一起的三個(gè)平行導(dǎo)體131，132，133，所述分支134位于隔離物16的上方以便限制單元的阻礙。
圖8示出了圖6的變體(部件使用相同的標(biāo)號(hào))，其中帶有中心透明電極20，其寬度大于每個(gè)側(cè)電極13或14中的寬度，中心電極還設(shè)置有兩個(gè)不透明導(dǎo)電總線201，203，它們位于該電極的放電激發(fā)邊緣處；由于這樣的導(dǎo)電總線的厚度一般大于電極的透明部分的厚度，一般基于ITO，因此覆蓋這些總線的介電層的厚度小于覆蓋電極透明部分的介電層的厚度；因此，由于在中心電極的激發(fā)邊緣處介電層的厚度小于激發(fā)邊緣之間或遠(yuǎn)離激發(fā)邊緣處的厚度，因此有利地降低了放電激發(fā)電壓，避免了任何矩陣放電啟動(dòng)，并促進(jìn)了根據(jù)本發(fā)明目的之一的共面激發(fā)。
圖9示出了圖7的變體(使用相同的部件標(biāo)號(hào))，其中帶有中心電極20，其寬度有利地大于每個(gè)側(cè)電極13或14的寬度；中心電極20的不透明橫向分支202和側(cè)電極13，14的那些不透明分支134在本例中位于限定單元的隔離肋16上；它們可沿著隔離肋略微延伸。已參照常規(guī)AC等離子面板和持續(xù)放電涉及在電介質(zhì)表面上的電荷反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)模式對(duì)發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明；很明顯，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，在不偏離權(quán)利要求的范圍的情況下，本發(fā)明可以應(yīng)用于其它類(lèi)型的顯示面板以及其它的驅(qū)動(dòng)模式；本發(fā)明特別適用于以高頻或射頻驅(qū)動(dòng)的等離子面板，其中電極間的持續(xù)放電至少被部分地穩(wěn)定化。
權(quán)利要求
1.一種用于驅(qū)動(dòng)具有共面持續(xù)放電和記憶效應(yīng)的AC圖像顯示等離子面板的方法，所述面板包括-前板和后板，它們彼此平行并在它們之間提供充滿放電氣體的空間；-所述板中的一個(gè)板(12)包括電極(5)的至少第一陣列，另一個(gè)板(11)包括三元組電極(13，20，14)的至少第二陣列，它的總方向與第一陣列的電極(5)的方向接近垂直；-每個(gè)三元組電極包括兩個(gè)相對(duì)的側(cè)電極(13，14)和一個(gè)中心電極(20)；-位于第一陣列的電極(5)和第二電極陣列的三元組電極(13，20，14)之間的交叉點(diǎn)處的空間形成發(fā)光區(qū)(9)和將被顯示的圖像的點(diǎn)的矩陣；-三元組電極(13，20，14)涂有介電層(17)；所述方法包括至少一個(gè)這樣的持續(xù)操作通過(guò)在每個(gè)三元組電極的電極之間施加一系列持續(xù)電壓脈沖，使得在每個(gè)期望持續(xù)發(fā)光的交叉區(qū)域(9)中產(chǎn)生持續(xù)放電；其特征在于，在所述持續(xù)操作期間，每個(gè)所述三元組電極的中心電極(20)總是作為陽(yáng)極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述中心電極(20)的寬度大于分開(kāi)和隔離同一三元組電極的相鄰電極的間隙；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述中心電極(20)的寬度大于80μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述中心電極(20)的寬度在100μm和200μm之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述中心電極(20)的寬度大于所述側(cè)電極(13，14)的寬度。
6.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在每一個(gè)持續(xù)操作之前或之后，通過(guò)在跨過(guò)所述區(qū)域的所述第一陣列的電極和跨過(guò)所述區(qū)域的三元組電極中的至少一個(gè)電極之間施加至少一個(gè)電壓脈沖，使得選擇性尋址或清除操作只應(yīng)用到在所述系列期間希望持續(xù)發(fā)光的每個(gè)所述區(qū)域中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在跨過(guò)所述區(qū)域的所述第一陣列的電極和跨過(guò)所述區(qū)域的三元組電極的中心電極之間施加所述選擇性電壓脈沖。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，經(jīng)由同一三元組電極(13，20，14；13′，20′，14′)提供的所有區(qū)域(9R，9G，9B等)形成所述面板的一排，在任何兩個(gè)相鄰的排上，一方面第一三元組電極(13，20，14)，而另一方面第二三元組電極(13′，20′，14′)分別通過(guò)所述相鄰排，第一三元組電極的側(cè)電極(14)與最靠近的第二三元組電極的側(cè)電極(13′)電連接到相同的電勢(shì)。
9.一種等離子面板，能夠用于實(shí)施根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)要求所述的方法，所述等離子面板包括-前板和后板，它們彼此平行并在它們之間提供充滿放電氣體的空間；-所述板中的一個(gè)板(12)包括電極(5)的至少第一陣列，另一個(gè)板(11)包括三元組電極(13，20，14)的至少第二陣列，它的總方向與第一陣列的電極(5)的方向接近垂直；-每個(gè)三元組電極包括兩個(gè)相對(duì)的側(cè)電極(13，14)和一個(gè)中心電極(20)；-位于第一陣列的電極(5)和第二電極陣列的三元組電極(13，20，14)之間的交叉點(diǎn)處的空間形成發(fā)光區(qū)(9)和將被顯示的圖像的點(diǎn)的矩陣；-三元組電極(13，20，14)涂有介電層(17)；-用于控制在每個(gè)所述交叉區(qū)域(9)中的放電的裝置，尤其是通過(guò)持續(xù)操作進(jìn)行控制；其特征在于，所述控制裝置被設(shè)計(jì)為在持續(xù)操作期間，中心電極(20)總是作為陽(yáng)極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子面板，其特征在于，所述中心電極(20)的寬度大于分開(kāi)和隔離同一三元組電極的相鄰電極的間隙；
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子面板，其特征在于，所述中心電極(20)的寬度大于80μm。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子面板，其特征在于，所述中心電極(20)的寬度在100μm和200μm之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子面板，其特征在于，所述分開(kāi)和隔離同一三元組電極的相鄰電極的間隙小于80μm，并且，提供所述放電氣體填充空間的板之間的間距大于130μm。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子面板，其特征在于，所述中心電極(20)的寬度大于200μm。
15.根據(jù)權(quán)利要求11-14中任一項(xiàng)所述的等離子面板，其特征在于，所述中心電極(20)的寬度大于每個(gè)所述側(cè)電極(13，14)的寬度。
16.根據(jù)權(quán)利要求9-15中任一項(xiàng)所述的等離子面板，其特征在于，經(jīng)由同一三元組電極(13，20，14；13′，20′，14′)提供的所有區(qū)域(9R，9G，9B等)形成所述面板的一排，在任何兩個(gè)相鄰的排上，一方面第一三元組電極(13，20，14)，而另一方面第二三元組電極(13′，20′，14′)分別通過(guò)所述相鄰排，第一三元組電極的側(cè)電極(14)與最靠近的第二三元組電極的側(cè)電極(13′)電連接到相同的電勢(shì)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子面板，其特征在于，所述兩個(gè)電連接的電極(14，13′)形成為兩個(gè)相鄰排所共用的電極(21)。
全文摘要
由于面板的共面板包括三元組電極，每個(gè)三元組電極包括兩個(gè)相對(duì)的側(cè)電極(13，14)和一個(gè)中心電極(20)，并且在持續(xù)施加期間，通過(guò)在三元組電極的電極之間施加一系列持續(xù)電壓脈沖，使得中心電極(20)總是作為陽(yáng)極。通過(guò)這種布置，并且優(yōu)選中心電極(20)具有適當(dāng)?shù)膶挾龋瑯O大地提高了面板的發(fā)光效率。
文檔編號(hào)G09G3/292GK1514991SQ02811496
公開(kāi)日2004年7月21日 申請(qǐng)日期2002年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月13日
發(fā)明者洛朗·泰西耶, 洛朗 泰西耶 申請(qǐng)人:湯姆森等離子體公司