專利名稱：主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示器面板的驅(qū)動電路，且特別是有關(guān)于一種主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路。
如

圖1所示，為現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏的像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)。現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏的每個像素由二個晶體管一個電容器(2T1C)所組合而成。其中，晶體管M1柵極耦接至閘控線路(Gate Line)10，另二端則分別耦接至數(shù)據(jù)線路(Data Line)20與晶體管M2柵極。晶體管M2源極耦接至電源(Vdd)，漏極耦接至有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)P極端。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)N極端則接至接地電壓(GND)。電容器Cs耦接于晶體管M2源極與柵極之間。
當(dāng)閘控線路10動作時，晶體管M1可視為一個開關(guān)(Switch)開啟(On)，此時驅(qū)動電壓可由數(shù)據(jù)線路20輸入并且快速地儲存于電容器Cs中。在驅(qū)動電壓輸入電容器Cs的同時，此驅(qū)動電壓可對晶體管M2產(chǎn)生偏壓(Bias)，因此固定電流Id即可通過有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，使得有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)發(fā)光。
由上述可知，圖1的有機(jī)發(fā)光二極管像素驅(qū)動電路為電壓驅(qū)動。利用驅(qū)動電壓來使得晶體管M2產(chǎn)生偏壓，并使有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)發(fā)光。由于為了將周邊電路整合于顯示屏中，所以大部分的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示屏的像素驅(qū)動電路的晶體管均是利用低溫多晶硅(Low TemperaturePoly-Silicon，LTPS)制程所完成的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)。然而，此種薄膜晶體管由于制程的問題，其門限電壓(Threshold Voltage)與遷移率(Mobility)會有一定程度的變動。而導(dǎo)致輸入電容器Cs的驅(qū)動電壓相同卻產(chǎn)生不同大小的電流。因此，流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的電流不同，發(fā)光強(qiáng)度也會不同。
如圖2所示，是現(xiàn)有另一有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏的像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)。此電路為電流驅(qū)動的像素驅(qū)動電路。此有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏的每個像素是由四個晶體管一個電容器(4T1C)所組合而成。其中，晶體管M1柵極耦接至第一掃描線路(Scan 1)30，另二端則分別耦接至數(shù)據(jù)線路(Data Line)50與晶體管M3漏極。晶體管M2柵極耦接至第一掃描線路(Scan 1)30，另二端則分別耦接至數(shù)據(jù)線路(Data Line)50與晶體管M3柵極。晶體管M3源極耦接至電源(Vdd)，漏極耦接至晶體管M4源極。晶體管M4柵極耦接至第二掃描線路(Scan 2)40，漏極耦接至有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)P極端。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)N極端則接至接地電壓(GND)。電容器Cs耦接于晶體管M3源極與柵極之間。
此電路結(jié)構(gòu)可分成二個狀態(tài)，分別由第一掃描線路30與第二掃描線路40來控制。其中第一掃描線路30與第二掃描線路40的信號為同一時鐘(Clock)信號；在高電平時，第一掃描線路30動作，晶體管M1、M2開啟；在低電平時，第二掃描線路動作40，M4開啟。
第一狀態(tài)為記憶狀態(tài)(Memorizing State)，當(dāng)?shù)谝粧呙杈€路30動作而第二掃描線路40未動作時，晶體管M1、M2可視為開關(guān)開啟，晶體管M4關(guān)閉(Off)，此時驅(qū)動電流可由電壓源(Vdd)對電容器Cs充電，并產(chǎn)生電壓。在驅(qū)動電流充電電容器Cs的同時，電容器Cs上的電壓可對晶體管M3產(chǎn)生偏壓(Bias)，因此驅(qū)動電流Id1(Id2為零)會經(jīng)由晶體管M3、M1流至數(shù)據(jù)線路50。
第二狀態(tài)為發(fā)射狀態(tài)(Emission State)，當(dāng)?shù)谝粧呙杈€路30未動作而第二掃描線路40動作時，晶體管M1、M2關(guān)閉，晶體管M4可視為開關(guān)開啟，此時根據(jù)電容器Cs儲存的電壓來偏壓晶體管M3并產(chǎn)生電流Id2(Id1為零)，并經(jīng)由晶體管M4流通過有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，使得有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)發(fā)光。
由上述可知，圖2的有機(jī)發(fā)光二極管像素驅(qū)動電路是以第一掃描線路30動作來利用驅(qū)動電流來充電電容器Cs產(chǎn)生電壓并偏壓晶體管M4，使得驅(qū)動電流(Id1)經(jīng)由晶體管M1輸出至數(shù)據(jù)線路50，此時為記憶狀態(tài)。而當(dāng)?shù)诙呙杈€40動作時為發(fā)射狀態(tài)，由于晶體管M1、M2已經(jīng)關(guān)閉，因此，電流(Id2)可通過晶體管M4與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
上述由四個晶體管一個電容器(4T1C)所組合成的有機(jī)發(fā)光二極管像素驅(qū)動電路相對于二個晶體管一個電容器(2T1C)所組合成的有機(jī)發(fā)光二極管像素驅(qū)動電路，其優(yōu)點是可以補(bǔ)償門限電壓與遷移率的問題。然而，如圖3所示，其為四個晶體管一個電容器(4T1C)所組合成的有機(jī)發(fā)光二極管像素驅(qū)動電路在二個狀態(tài)的電流曲線圖。由于在記憶狀態(tài)以及發(fā)射狀態(tài)時，在晶體管M3漏極端(節(jié)點a)的等效阻抗不同，因此會導(dǎo)致此二狀態(tài)的電流(Id1與Id2)大小不同。由圖3可看出，晶體管M3不同的偏壓(VCs1～VCs10)在二個狀態(tài)時會產(chǎn)生不同的電流(Id1與Id2)。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路，其根據(jù)第一掃描線路與第二掃描線路的動作由數(shù)據(jù)線路輸入驅(qū)動電壓，此驅(qū)動電路包括晶體管；電容器一端耦接至晶體管的柵極，另一端耦接至接地電壓；以及有機(jī)發(fā)光二極管的P型端耦接至晶體管的源極，N極端耦接至接地電壓；其中，在記憶狀態(tài)時，驅(qū)動電流充電電容器至一特定電壓用以偏壓晶體管與有機(jī)發(fā)光二極管；而在發(fā)射狀態(tài)時，利用此特定電壓來偏壓晶體管與有機(jī)發(fā)光二極管。
本發(fā)明又提出一種主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路，根據(jù)第一掃描線路與第二掃描線路的動作由數(shù)據(jù)線路輸入驅(qū)動電壓，此驅(qū)動電路包括晶體管；電容器一端耦接至晶體管的柵極，另一端耦接至電壓源；以及，有機(jī)發(fā)光二極管的P型端耦接至電壓源，N極端耦接至晶體管的源極；其中，在記憶狀態(tài)時，驅(qū)動電流充電電容器至一特定電壓用以偏壓晶體管與有機(jī)發(fā)光二極管；而在發(fā)射狀態(tài)時，利用此特定電壓來偏壓晶體管與有機(jī)發(fā)光二極管。
本發(fā)明又提出一種主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動方法，包括下列步驟在第一掃描線路動作時，形成電流路徑使得驅(qū)動電流可對電容器充電至特定電壓；以及，在第二掃描線路動作時，利用此特定電壓來產(chǎn)生偏壓電流并流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管；其中，此特定電壓偏壓于串接的晶體管柵極與有機(jī)發(fā)光二極管之間，使得驅(qū)動電流與偏壓電流約略相等。
本發(fā)明的有益效果是，不論在記憶狀態(tài)或者發(fā)射狀態(tài)其特定電壓皆偏壓于晶體管與有機(jī)發(fā)光二極管上。因此，在記憶狀態(tài)或者發(fā)射狀態(tài)時流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管的電流會幾乎相等。
為了更進(jìn)一步說明本發(fā)明特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下130第一掃描線路140第二掃描線路
150數(shù)據(jù)線路如圖4所示，是本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏的像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)的第一實施例。此有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏的每個像素是由四個晶體管一個電容器(4T1C)所組合而成。其中，晶體管M1柵極耦接至第一掃描線路(Scan 1)130，另二端則分別耦接至數(shù)據(jù)線路(Data Line)150與晶體管M3漏極。晶體管M2柵極耦接至第一掃描線路(Scan 1)130，另二端則分別耦接至晶體管M3漏極與晶體管M4柵極。晶體管M3源極耦接至電源(Vdd)，柵極耦接至第二掃描線路140。晶體管M4柵極之外的二端耦接至晶體管M3漏極與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)P極端。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)N極端則接至接地電壓(GND)。電容器Cs耦接于晶體管M4柵極與接地電壓之間。
此電路結(jié)構(gòu)可分成二個狀態(tài)，分別由第一掃描線路與第二掃描線路來控制。其中第一掃描線路130與第二掃描線路140的信號為同一時鐘(Clock)信號；在高電平時，第一掃描線路130動作，晶體管M1、M2開啟；在低電平時，第二掃描線路140動作，M3開啟。
第一狀態(tài)為記憶狀態(tài)(Memorizing State)，當(dāng)?shù)谝粧呙杈€路130動作而第二掃描線路140未動作時，晶體管M1、M2可視為開關(guān)開啟(On)，晶體管M3關(guān)閉(Off)。此時驅(qū)動電流可由數(shù)據(jù)線路150輸入并且經(jīng)由晶體管M1、M2快速地充電電容器Cs至一特定電壓。在電容器Cs充電的同時，此特定電壓可同時對晶體管M4與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)產(chǎn)生偏壓(Bias)，因此驅(qū)動電流Id1(Id2為零)由數(shù)據(jù)線路150流向有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，使得有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)發(fā)光。
第二狀態(tài)為發(fā)射狀態(tài)(Emission State)，當(dāng)?shù)谝粧呙杈€路130未動作而第二掃描線路140動作時，晶體管M1、M2關(guān)閉，晶體管M3可視為開關(guān)開啟，由于電容器Cs儲存的特定電壓已經(jīng)對晶體管M4與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)產(chǎn)生偏壓(Bias)，因此晶體管M3產(chǎn)生電流Id2(Id1為零)經(jīng)由晶體管M4流通過有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，使得有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)發(fā)光。
在本發(fā)明的實施例中可以發(fā)現(xiàn)，不論是在記憶狀態(tài)以及發(fā)射狀態(tài)，電容器Cs上的特定電壓皆作為晶體管M4與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的偏壓(Bias)。因此，此二狀態(tài)流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的電流會幾乎相同，即Id1＝Id2。所以，現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏的像素驅(qū)動電路中記憶狀態(tài)以及發(fā)射狀態(tài)所產(chǎn)生不同大小的電流，將可完全解決。
如圖5所示，為本發(fā)明四個晶體管一個電容器(4T1C)所組合成的有機(jī)發(fā)光二極管像素驅(qū)動電路在二個狀態(tài)的偏壓電流曲線圖。由于在記憶狀態(tài)以及發(fā)射狀態(tài)時，驅(qū)動電壓皆作為晶體管M4與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的偏壓(Bias)，因此此二狀態(tài)的偏壓電流(Id1與Id2)大小非常接近。由圖5可看出，晶體管M4與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的各種不同偏壓(Bias)，在二狀態(tài)變化時Id1與Id2不會相差太多。
如圖6所示，為本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏的像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)的第二實施例。與第一實施例相比較，晶體管M2’柵極耦接至第一掃描線路(Scan1)130，另二端則分別耦接至數(shù)據(jù)線路150與晶體管M4柵極。第二實施例的二個狀態(tài)也會產(chǎn)生與第一實施例相同的結(jié)果，即特定電壓同時偏壓于晶體管M4與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，因此，在二狀態(tài)變化時Id1與Id2幾乎相等。
如圖7所示，為本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏的像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)的第三實施例。此有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏的每個像素是由四個晶體管一個電容器(4T1C)所組合而成。其中，晶體管M5柵極耦接至第一掃描線路(Scan 1)130，另二端則分別耦接至數(shù)據(jù)線路(Data Line)150與晶體管M7漏極。晶體管M6柵極耦接至第一掃描線路(Scan 1)130，另二端則分別耦接至數(shù)據(jù)線路150與晶體管M7柵極。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)P極端則耦接至電壓源(Vdd)。電容器Cs耦接于晶體管M7柵極與電壓源(Vdd)之間。晶體管M7源極耦接至有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)N極端。晶體管M8柵極耦接至第二掃描線路，另二端耦接至晶體管M7漏極與接地電壓(GND)。
因此，在記憶狀態(tài)時，晶體管M5、M6可視為開關(guān)開啟(On)，晶體管M8關(guān)閉(Off)。此時驅(qū)動電流可由電壓源(Vdd)輸入并且經(jīng)由晶體管M6快速地對電容器Cs充電至一特定電壓。在驅(qū)動電流充電電容器Cs的同時，此特定電壓可同時對晶體管M7與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)產(chǎn)生偏壓(Bias)，因此驅(qū)動電流Id1(Id2為零)由有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)流向數(shù)據(jù)線路150，使得有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)發(fā)光。而在發(fā)射狀態(tài)時，晶體管M5、M6關(guān)閉，晶體管M8可視為開關(guān)開啟，由于電容器Cs儲存的特定電壓已經(jīng)對晶體管M7與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)產(chǎn)生偏壓(Bias)，因此晶體管M7產(chǎn)生電流Id2(Id1為零)流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，使得有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)發(fā)光。而在此二狀態(tài)流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的電流會幾乎相同，即Id1＝Id2。
如圖8所示，是本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏的像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)的第四實施例。與第三實施例相比較，晶體管M6’柵極耦接至第一掃描線路(Scan1)130，另二端則分別耦接至晶體管M4漏極與晶體管M4柵極。第四實施例的二個狀態(tài)也會產(chǎn)生與第三實施例相同的結(jié)果，即特定電壓同時偏壓于晶體管M4與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，因此，在二狀態(tài)變化時Id1與Id2幾乎相等。
因此，本發(fā)明的優(yōu)點是提供一有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏的像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)。本發(fā)明不論在記憶狀態(tài)或者發(fā)射狀態(tài)其特定電壓皆偏壓于晶體管與有機(jī)發(fā)光二極管上。因此，在記憶狀態(tài)或者發(fā)射狀態(tài)時流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管的電流會幾乎相等。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，但其并非用以限定本發(fā)明，本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，做出的等效結(jié)構(gòu)變換，均包含在本發(fā)明的專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路，根據(jù)一第一掃描線路與一第二掃描線路的動作由一數(shù)據(jù)線路輸入一驅(qū)動電流，其特征在于，該驅(qū)動電路包括一晶體管；一電容器，該電容器一端耦接至該晶體管的柵極，另一端耦接至一接地電壓；以及一有機(jī)發(fā)光二極管，該有機(jī)發(fā)光二極管的P型端耦接至該晶體管的源極，該有機(jī)發(fā)光二極管的N極端耦接至該接地電壓；其中，在一記憶狀態(tài)時，該驅(qū)動電流充電該電容器用以產(chǎn)生一特定電壓來偏壓該晶體管與該有機(jī)發(fā)光二極管；而在一發(fā)射狀態(tài)時，利用該特定電壓偏壓該晶體管與該有機(jī)發(fā)光二極管。
2.如權(quán)利要求1所述的主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路，其特征在于，還包括一記憶狀態(tài)電路，耦接于該第一掃描線路、該數(shù)據(jù)線路、該晶體管柵極與該晶體管漏極，用以在該第一掃描線路動作時，將該驅(qū)動電流由該數(shù)據(jù)線路輸入至并充電該電容器至該特定電壓，使得該驅(qū)動電流由該數(shù)據(jù)線路流經(jīng)該晶體管與該有機(jī)發(fā)光二極管。
3.如權(quán)利要求2所述的主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路，其中該記憶狀態(tài)電路包括一第一開關(guān)，該第一開關(guān)的一端耦接至該數(shù)據(jù)線路，該第一開關(guān)的另一端耦接至該晶體管漏極，該第一開關(guān)的控制端耦接至該第一掃描線路；以及一第二開關(guān)，該第二開關(guān)的一端耦接至該晶體管漏極，該第二開關(guān)的另一端耦接至該晶體管柵極，該第二開關(guān)的控制端耦接至該第一掃描線路。
4.如權(quán)利要求2所述的主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路，其特征在于，該記憶狀態(tài)電路包括一第一開關(guān)，該第一開關(guān)的一端耦接至該數(shù)據(jù)線路，該第一開關(guān)的另一端耦接至該晶體管漏極，該第一開關(guān)的控制端耦接至該第一掃描線路；以及一第二開關(guān)，該第二開關(guān)的一端耦接至該數(shù)據(jù)線路，該第二開關(guān)的另一端耦接至該晶體管柵極，該第二開關(guān)的控制端耦接至該第一掃描線路。
5.如權(quán)利要求1所述的主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路，其特征在于，還包括一發(fā)射狀態(tài)電路，耦接于一電壓源、該晶體管漏極與該第二掃描線路，用以在該第二掃描線路動作時，根據(jù)該特定電壓產(chǎn)生一電流由該電壓源流經(jīng)該晶體管與該有機(jī)發(fā)光二極管。
6.如權(quán)利要求5所述的主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路，其特征在于，該發(fā)射狀態(tài)電路包括一第三開關(guān)，該第三開關(guān)的一端耦接至該電壓源，該第三開關(guān)的另一端耦接至該晶體管漏極，該第三開關(guān)的控制端耦接至該第二掃描線路。
7.一種主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路，根據(jù)一第一掃描線路與一第二掃描線路的動作由一數(shù)據(jù)線路輸出一驅(qū)動電流，其特征在于，該驅(qū)動電路包括一晶體管；一電容器，該電容器一端耦接至該晶體管的柵極，另一端耦接至一電壓源；以及一有機(jī)發(fā)光二極管，該有機(jī)發(fā)光二極管的P型端耦接至該電壓源，該有機(jī)發(fā)光二極管的N極端耦接至該晶體管的源極；其中，在一記憶狀態(tài)時，該驅(qū)動電流充電該電容器用以產(chǎn)生一特定電壓來偏壓該晶體管與該有機(jī)發(fā)光二極管；而在一發(fā)射狀態(tài)時，利用該特定電壓偏壓該晶體管與該有機(jī)發(fā)光二極管。
8.如權(quán)利要求7所述的主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路，其特征在于，還包括一記憶狀態(tài)電路，耦接于該第一掃描線路、該數(shù)據(jù)線路、該晶體管柵極與該晶體管漏極，用以在該第一掃描線路動作時，將該驅(qū)動電流由該電壓源充電該電容器至該驅(qū)動電壓產(chǎn)生一特定電壓，并使得該驅(qū)動電流由該電壓源流經(jīng)該晶體管、該有機(jī)發(fā)光二極管與該數(shù)據(jù)線路。
9.如權(quán)利要求8所述的主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路，其特征在于，該記憶狀態(tài)電路包括一第一開關(guān)，該第一開關(guān)的一端耦接至該數(shù)據(jù)線路，該第一開關(guān)的另一端耦接至該晶體管漏極，該第一開關(guān)的控制端耦接至該第一掃描線路；以及一第二開關(guān)，該第二開關(guān)的一端耦接至該晶體管漏極，該第二開關(guān)的另一端耦接至該晶體管柵極，該第二開關(guān)的控制端耦接至該第一掃描線路。
10.如權(quán)利要求8所述的主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路，其特征在于，該記憶狀態(tài)電路包括一第一開關(guān)，該第一開關(guān)的一端耦接至該數(shù)據(jù)線路，該第一開關(guān)的另一端耦接至該晶體管漏極，該第一開關(guān)的控制端耦接至該第一掃描線路；以及一第二開關(guān)，該第二開關(guān)的一端耦接至該數(shù)據(jù)線路，該第二開關(guān)的另一端耦接至該晶體管柵極，該第二開關(guān)的控制端耦接至該第一掃描線路。
11.如權(quán)利要求7所述的主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路，其特征在于，還包括一發(fā)射狀態(tài)電路，耦接于一接地電壓、該晶體管漏極與該第二掃描線路，用以在該第二掃描線路動作時，根據(jù)該特定電壓產(chǎn)生一偏壓電流由該電壓源流經(jīng)該晶體管與該有機(jī)發(fā)光二極管。
12.如權(quán)利要求11所述的主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路，其特征在于，該發(fā)射狀態(tài)電路包括一第三開關(guān)，該第三開關(guān)的一端耦接至該接地電壓，該第三開關(guān)的另一端耦接至該晶體管漏極，該第三開關(guān)的控制端耦接至該第二掃描線路。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動電路，根據(jù)一第一掃描線路與一第二掃描線路的動作由一數(shù)據(jù)線路輸入一驅(qū)動電流，該驅(qū)動電路包括一晶體管；一電容器，該電容器一端耦接至該晶體管的柵極，另一端耦接至一接地電壓；以及一有機(jī)發(fā)光二極管，該有機(jī)發(fā)光二極管的P型端耦接至該晶體管的源極，該有機(jī)發(fā)光二極管的N極端耦接至該接地電壓；其中，在一記憶狀態(tài)時，該驅(qū)動電流充電該電容器用以產(chǎn)生一特定電壓來偏壓該晶體管與該有機(jī)發(fā)光二極管；而在一發(fā)射狀態(tài)時，利用該特定電壓偏壓該晶體管與該有機(jī)發(fā)光二極管。由上述驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)，在記憶狀態(tài)或者發(fā)射狀態(tài)時流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管的電流會幾乎相等。
文檔編號G09G3/30GK1440013SQ0310640
公開日2003年9月3日 申請日期2003年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月24日
發(fā)明者薛瑋杰 申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司