專利名稱：電激發(fā)光式顯示裝置的驅(qū)動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種驅(qū)動電路，特別是一種應(yīng)用于驅(qū)動電激發(fā)光式顯示裝置的驅(qū)動電路。
背景技術(shù)：
由于信息科技的發(fā)展，平面顯示器(Flat Panel Display；FPD)逐漸成為電子應(yīng)用產(chǎn)品中的主流，涉及日常生活中的各種電器用品，包括電視、汽車儀表板、手表、廣告看板、手機、計算機屏幕等。目前平面顯示器的技術(shù)有三種，即液晶式(Liquid Crystal Display；LCD)、等離子式(PlasmaDisplay Panel；PDP)與電激發(fā)光式(Electron luminescent Display；ELD)。
其中液晶式顯示器由于成本低，耗電量小，已經(jīng)大量使用于筆記型計算機，目前也漸漸成為桌上型計算機的主流配備。不過，液晶式仍有許多亟待克服的技術(shù)問題，例如視角不良、反應(yīng)時間慢、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、無法大型化與生產(chǎn)成本高等。相對地，電激發(fā)光式顯示器沒有視角的限制、發(fā)光卻不發(fā)熱、并具有可撓與輕薄短小等特性，這使得電激發(fā)光式平面顯示器在未來有極大發(fā)展?jié)摿Α?br> 由于電激發(fā)光式面板為發(fā)光體受激自發(fā)光，因此不需背光源，且其反應(yīng)時間及視角皆不受限制，因此在動畫顯示上比液晶顯示器有更好的效果。此外由于電激發(fā)光式面板將發(fā)光體涂布或濺鍍在導(dǎo)電層之外，因此體積可以制作得較液晶面板還小，因此無論在耗電量、反應(yīng)速度、及體積上電激發(fā)光式面板都比液晶面板有更大的競爭優(yōu)勢。
目前利用電流驅(qū)動(current programming)的電激發(fā)光式顯示裝置的面板，其數(shù)據(jù)線(Data Line)需要電流源提供電流來驅(qū)動像素。為了提供不同的灰度，所需提供的電流大小也不一樣，此時在驅(qū)動電路中就必須要具有一個數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器(Digital to Analog Current Converter，DCC)來達成此一目的，其驅(qū)動電路方塊圖如圖1所示，是一以六位(6-bit)信號為范例的情況。
如圖所示，現(xiàn)有技術(shù)所使用的驅(qū)動電路包括有一移位寄存器(shiftregister)10、數(shù)據(jù)寄存器(data register)20、電壓數(shù)據(jù)鎖存器(voltage datalatch)30、一電流源(current source)40、一數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器(Digital toAnalog Current Converter)50、一移位寄存器60以及一電流鎖存器(currentlatch)70。其中移位寄存器10為一n位的移位寄存器，其與數(shù)據(jù)寄存器20耦接。數(shù)據(jù)寄存器20為一6位的數(shù)據(jù)寄存器，其與電壓數(shù)據(jù)鎖存器30耦接。電壓數(shù)據(jù)鎖存器30亦為一6位鎖存器，其與數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器50耦接。電流源40為一2位的電流源，其與數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器50耦接。電流鎖存器70與數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器50耦接。移位寄存器60為一m位的移位寄存器，其與數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器50耦接。圖標(biāo)中的實線代表電壓信號，虛線代表電流信號。
因此，當(dāng)一數(shù)據(jù)移位信號由數(shù)據(jù)移位寄存器10輸入后，再經(jīng)由數(shù)據(jù)寄存器20、電壓數(shù)據(jù)鎖存器30輸出為一電壓信號，續(xù)經(jīng)數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器50轉(zhuǎn)換成一電流信號，最后經(jīng)由m位移位寄存器60以及電流鎖存器70輸出有m×n個輸出電流。
圖1中的驅(qū)動電路，其主要特征在于參考電流由2位的電流源40提供給6位的數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器50，然后經(jīng)由電流鏡(current mirror)的方式，利用組件面積的不同來產(chǎn)生不同的標(biāo)準(zhǔn)電流，再根據(jù)電壓鎖存(voltagelatch)的電壓來選擇輸出的電流大小以達到將數(shù)字電壓(digital voltage)轉(zhuǎn)換成模擬電流(analog current)的目的。
然而此一架構(gòu)因為是利用相同的參考電位產(chǎn)生電流，因此一旦組件因為制作過程或其它因素使得晶體管的臨界電壓(threshold voltage，Vth)分布不同，則會相對的影響到輸出的標(biāo)準(zhǔn)電流的變化，因而使得誤差產(chǎn)生。此誤差可能造成驅(qū)動電路的誤動作，抑或需要其它電路以減少此誤差以維持驅(qū)動電路輸出電流的穩(wěn)定。另一個因素是采用電流鏡的方式產(chǎn)生電流，因為兩個晶體管必須要完全匹配，不匹配則會有差異。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上的問題，本發(fā)明的主要任務(wù)在于提供一種電激發(fā)光式顯示裝置的驅(qū)動電路，以解決現(xiàn)有的驅(qū)動電路中因為臨界電壓造成的誤差。
為了解決這個問題，本發(fā)明使用參考電流源和電流復(fù)制(current copy)的方式來產(chǎn)生模擬電流，而不使用現(xiàn)有技術(shù)所采用的電流鏡的方式，以減低因為臨界電壓Vth變化所產(chǎn)生的誤差。主要是因為采用電流復(fù)制方式的電路結(jié)構(gòu)，其晶體管對臨界電壓Vth的變化較不敏感，因此可以有效的降低因為臨界電壓變化所產(chǎn)生的誤差，進而提高整體驅(qū)動電路以及系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
因此，為達到上述目的，本發(fā)明所揭示的電激發(fā)光式顯示裝置的驅(qū)動電路，包括有一n位移位寄存器、一p位數(shù)據(jù)寄存器、一電壓數(shù)據(jù)鎖存器、一電流源、一n+1位移位寄存器、n個數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器、一m位移位寄存器、以及一電流鎖存器，其中該數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器中包括有一第一電流存儲單元，其耦接至該n+1位移位寄存器，當(dāng)該第一電流存儲單元開啟時，用以提供該電流源所提供的電流，當(dāng)該第一電流存儲單元關(guān)閉時，用以儲存該電流源所提供的電流；以及一第二電流存儲單元，其耦接至該n+1位移位寄存器，當(dāng)該第二電流存儲單元開啟時，用以儲存該第一電流存儲單元所儲存的電流。
有關(guān)本發(fā)明的特征與實施方式，將配合圖示作優(yōu)選實施例的詳細(xì)說明如下。


圖1為現(xiàn)有的電激發(fā)光式顯示裝置的驅(qū)動電路方塊圖；圖2為本發(fā)明所揭示的電流復(fù)制單元應(yīng)用于數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器中的電路圖；圖3為本發(fā)明所揭示的電激發(fā)光式顯示裝置的驅(qū)動電路方塊圖；圖4為本發(fā)明所揭示的電激發(fā)光式顯示裝置的驅(qū)動電路詳細(xì)電路圖；圖5為本發(fā)明所揭示的驅(qū)動電路仿真圖；以及圖6為本發(fā)明所揭示的驅(qū)動電路仿真圖。
附圖標(biāo)記說明10............................移位寄存器20............................數(shù)據(jù)寄存器30............................電壓數(shù)據(jù)鎖存器40............................電流源41............................電流源
50............................數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器51............................數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器60............................移位寄存器70............................電源鎖存器80............................移位寄存器CM1...........................第一電流存儲單元CM2...........................第二電流存儲單元M1............................第一晶體管M2............................第二晶體管M3............................第三晶體管Cs1...........................第一儲存電容M4............................第四晶體管M5............................第五晶體管M6............................第六晶體管Cs2...........................第二儲存電容M7............................第七晶體管Vdd line......................電源線Vss line......................接地線Iref...........................定電流Iout...........................輸出電流具體實施方式

關(guān)于本發(fā)明所采用的電流復(fù)制電路，請參考圖2，為一個位(1-bit)的電路，其中包括有一第一電流存儲單元CM1以及一第二電流存儲單元CM2，每一電流存儲單元分別包括有三個晶體管以及一儲存電容。第一電流存儲單元包括有一第一場效晶體管(field effect transistor，F(xiàn)ET)M1，一第二場效晶體管M2，一第三場效晶體管M3。
一般而言，場效晶體管主要有兩類金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)與結(jié)型場效晶體管(JFET)，場效晶體管利用外加電場控制其電流，為一種電壓控制型電流源。本發(fā)明采用金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管為主要組件，其中第一場效晶體管M1為N通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(NMOS)，第二場效晶體管M2為N通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管，而第三場效晶體管M3為P通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(PMOS)。第一場效晶體管M1的柵極(gate)系與第二場效晶體管M2的柵極相耦接，并連接至一數(shù)據(jù)移位寄存器的輸出電位，第一場效晶體管M1的源極(source)分別與第二場效晶體管M2以及第三晶體管M3的源極相耦接，第二場效晶體管M2的漏極(drain)與第三晶體管M3的柵極耦接，第三晶體管M3的漏極耦接至一電源線(Vdd Line)。此外，在第三晶體管M3的柵極與漏極間另耦接有一第一儲存電容Cs1。
第二電流存儲單元CM2包含有一第四晶體管M4，第五晶體管，以及一第六晶體管，均為N通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管。第四晶體管M4的源極與第一晶體管M1、第二晶體管M2以及第三晶體管M3的源極耦接，第四晶體管M4的柵極與第五晶體管M5的柵極耦接，第四晶體管M4的漏極與第五晶體管M5以及第六晶體管M6的漏極耦接，第五晶體管M5的源極與第六晶體管M6的柵極耦接，第六晶體管M6的源極連接至一接地線(Vss Line)，第六晶體管M6的柵極與源極間耦接有一第二儲存電容Cs2。
第一電流存儲單元CM1與第二電流存儲單元CM2的運作敘述如下當(dāng)?shù)谝浑娏鞔鎯卧狢M1位于高電位時，第一晶體管M1與第二晶體管M2導(dǎo)通而成開啟狀態(tài)(ON)，此時第一電流存儲單元CM1為開啟。因此，一由外部提供的一參考電流Iref會經(jīng)由第三晶體管M3以及第一晶體管M1導(dǎo)通。當(dāng)?shù)谝浑娏鞔鎯卧狢M1位于低電位時，第一晶體管M1與第二晶體管M2不導(dǎo)通而成關(guān)閉狀態(tài)(OFF)，此時第一電流存儲單元CM1為關(guān)閉，在此同時，第一儲存電容Cs1會將當(dāng)時的第三晶體管M3導(dǎo)通時Iref的Vgs的電壓儲存起來。在下一個時間點，第二電流存儲單元CM2開啟，第一電流存儲單元CM1會將上一時間點儲存于其中的參考電流Iref提供給第二電流存儲單元CM2，進而儲存在第二電流存儲單元CM2中。此時就可以利用一控制信號來控制第七晶體管M7的開啟或關(guān)閉，以決定輸出電流Iout為0或者是參考電流Iref。第七晶體管M7的作用有如一開關(guān)，可將其視為一開關(guān)組件，當(dāng)其開啟時，輸出參考電流Iref。
圖2中的第一電流存儲單元CM1與第二電流存儲單元CM2以串聯(lián)方式(serial)連接，亦可以并聯(lián)方式(parallel)連接。
以下將對本發(fā)明所揭示的電流復(fù)制單元應(yīng)用于驅(qū)動電路中的運作方式，作一詳細(xì)說明。請參考圖3，為本發(fā)明所揭示的電激發(fā)光式顯示裝置的驅(qū)動電路的電路方塊圖。
與圖1中使用現(xiàn)有技術(shù)的驅(qū)動電路相比較，圖1的驅(qū)動電路是利用電流鏡的數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器來產(chǎn)生模擬電流，產(chǎn)生的模擬電流再送到電流鎖存器(Current Latch)儲存，之后再輸出到面板的像素。而圖3的驅(qū)動電路是利用一組標(biāo)準(zhǔn)的電流源作為整個面板所使用的參考電流，然后利用電流復(fù)制的方式存入數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器中，然后再利用數(shù)字信號來選擇輸出的電流大小，經(jīng)由電流鎖存器儲存的電流復(fù)制單元都儲存同樣的參考電流，而且電流復(fù)制架構(gòu)的電路結(jié)構(gòu)對臨界電壓Vth的變化很不敏感，因此可以有效地降低因為臨界電壓Vth變化所產(chǎn)生的誤差，進而提高整體的均勻度。
如圖3所示，為應(yīng)用本發(fā)明所揭示的數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動電路，此實施例所應(yīng)用者為6位的數(shù)據(jù)，包括有一移位寄存器10、數(shù)據(jù)寄存器20、電壓數(shù)據(jù)鎖存器30、一電流源41、一數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器51、一移位寄存器60、一電流鎖存器70以及一移位寄存器80。其中移位寄存器10為一n位的移位寄存器，其與數(shù)據(jù)寄存器20耦接。數(shù)據(jù)寄存器20為一6位的數(shù)據(jù)寄存器，其與電壓數(shù)據(jù)鎖存器30耦接。電壓數(shù)據(jù)鎖存器30亦為一6位鎖存器，其與數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器50耦接。電流源41為一6位的電流源，其與數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器51耦接。電流鎖存器70與數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器51耦接。移位寄存器60為一m位的移位寄存器，其與數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器51耦接。移位寄存器80為一n+1位的移位寄存器，其與數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器51耦接。
因此，當(dāng)一數(shù)據(jù)移位信號由數(shù)據(jù)移位寄存器10輸入后，再經(jīng)由數(shù)據(jù)寄存器20、電壓數(shù)據(jù)鎖存器30輸出為一電壓信號，續(xù)經(jīng)數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器51轉(zhuǎn)換成一數(shù)字電流信號，共輸出有n個數(shù)字電流信號，最后經(jīng)由m位移位寄存器60以及電流鎖存器70輸出有m×n個模擬輸出電流，以驅(qū)動面板的像素。
圖4中所示為圖3中的驅(qū)動電路的詳細(xì)電路圖。如圖所示，6位的電流源41提供一六位的電流源給六位的數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器51，第一位的電流源提供給數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器51中第一位的電流復(fù)制單元，第一電流存儲單元CM1中的第一晶體管M1的漏極連接至電流源41的第一位輸出電位。
第一電流存儲單元CM1于高電位時開啟，此高電位由移位寄存器80的第一位的輸出電位提供。第二電流存儲單元CM2于高電位時開啟，此高電位由移位寄存器80的第n+1位的輸出電位提供。因此，本發(fā)明的驅(qū)動電路應(yīng)用于n個數(shù)據(jù)時，需額外提供一個n+1位的移位寄存器，用以控制數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器51中的電流存儲單元的開啟狀態(tài)。同時，亦需要n位的數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器。若以6位記錄每一筆數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)寄存器20、電壓數(shù)據(jù)鎖存器30、電流源41、以及數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器51均為6位。移位寄存器10以及移位寄存器80則配合數(shù)據(jù)的筆數(shù)。
圖4所示的電流源41為6個位各提供不同的參考電流，Iref、Iref×2、Iref×4、Iref×8、Iref×16、Iref×32，第一電流存儲單元CM1與第二電流存儲單元CM2的開啟電壓由移位寄存器80提供。當(dāng)?shù)谝浑娏鞔鎯卧狢M1開啟的時候，為6個位的第一電流存儲單元CM1存儲電流的時間，第二電流存儲單元CM2開啟的時候，是第二電流存儲單元CM2存儲電流的時間，當(dāng)?shù)谄呔w管M7控制信號為高電位時的時候，利用6bit的控制信號來輸出不同的電流值并將數(shù)據(jù)寫入電流鎖存器70中，當(dāng)電源鎖存器70的致能信號為高電位的時候，電源鎖存器70輸出數(shù)據(jù)至像素中。
本發(fā)明所揭示的驅(qū)動電路仿真圖請參考圖5與圖6。圖5為一3bit數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器加上電流鎖存器的仿真結(jié)果，3個位各提供不同的參考電流，Iref、Iref×2、Iref×4。當(dāng)?shù)谝浑娏鞔鎯卧狢M1開啟的時候，為6個位的第一電流存儲單元CM1存儲電流的時間，第二電流存儲單元CM2開啟的時候，是第二電流存儲單元CM2存儲電流的時間，當(dāng)?shù)谄呔w管M7控制信號為高電位時的時候，利用3bit的控制信號來輸出不同的電流值并將數(shù)據(jù)寫入電流鎖存器70中，當(dāng)電源鎖存器70的致能信號為高電位的時候，電源鎖存器70輸出數(shù)據(jù)至像素中。
本發(fā)明所揭示以電流復(fù)制方式作為數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器中電流復(fù)制單元的基本單元，以一對多的方式減少面積，并可以忽略組件的差異而提高整體驅(qū)動電路的穩(wěn)定性。
雖然本發(fā)明以前所述的優(yōu)選實施例如上所示，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作適當(dāng)?shù)母倪M與改動，因此本發(fā)明的專利保護范圍須視本說明書所附的權(quán)利要求書所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電激發(fā)光式顯示裝置的驅(qū)動電路，包括有一n位移位寄存器，用以根據(jù)一數(shù)據(jù)移位信號輸出n筆移位電壓信號；一p位數(shù)據(jù)寄存器，與該n位移位寄存器耦接，用以根據(jù)一p位數(shù)字信號以及該n筆移位電壓信號輸出n筆p位數(shù)據(jù)移位信號；一電壓數(shù)據(jù)鎖存器，用以根據(jù)一鎖存信號以及該n筆p位數(shù)據(jù)電壓信號輸出n筆p位電壓數(shù)據(jù)信號的電流源；一電流源，用以提供p位的電流源；一n+1位移位寄存器，用以輸出n+1筆移位電壓信號；n個數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器，其與該n+1位移位寄存器以及該電流源耦接，用以根據(jù)該p位的電流源以及該n+1筆移位電壓信號輸出n筆模擬電流信號；一m位移位寄存器，用以輸出m筆移位電壓信號至該數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器；以及一電流鎖存器，其與該數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器和該m位移位寄存器耦接，用以根據(jù)該n筆模擬電流信號以及該m筆移位電壓信號輸出m×n筆模擬電流信號。
2.如權(quán)利要求1所述的電激發(fā)光式顯示裝置的驅(qū)動電路，其中該數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器中還包括有p個電流復(fù)制單元，且該電流復(fù)制單元還包括有一第一電流存儲單元以及一第二電流存儲單元，分別耦接至該n+1位移位寄存器，用以存儲該電流源的電流。
3.如權(quán)利要求2所述的電激發(fā)光式顯示裝置的驅(qū)動電路，其中該第一電流存儲單元包括有一第一晶體管，具有一柵極、一漏極以及一源極，該柵極耦接至該n+1位移位寄存器；一第二晶體管，具有一柵極、一漏極以及一源極，該柵極耦接至該第一晶體管的柵極，該源極耦接至該第一晶體管的源極；一第三晶體管，具有一柵極、一漏極以及一源極，該柵極耦接至該第二晶體管的漏極，該源極耦接至該第一晶體管的源極，該漏極耦接至一電源線(Vdd Line)；以及一第一儲存電容，耦接于該第三晶體管的柵極與漏極間。
4.如權(quán)利要求3所述的電激發(fā)光式顯示裝置的驅(qū)動電路，其中該第一晶體管與該第二晶體管為一N通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管，該第三晶體管為一P通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管。
5.如權(quán)利要求2所述的電激發(fā)光式顯示裝置的驅(qū)動電路，其中該第二電流存儲單元包括有一第四晶體管，具有一柵極、一漏極以及一源極，該柵極耦接至該n+1位移位寄存器，該源極與該第一晶體管的源極耦接；一第五晶體管，具有一柵極、一漏極以及一源極，該柵極與該第四晶體管的柵極耦接，該漏極與該第四晶體管的漏極耦接；一第六晶體管，具有一柵極、一漏極以及一源極，該柵極與該第五晶體管的源極耦接，該漏極與該第四晶體管的漏極耦接，該源極連接至一接地線(Vss Line)；以及一第二儲存電容，耦接于該第六晶體管的柵極與源極間。
6.如權(quán)利要求5所述的電激發(fā)光式顯示裝置的驅(qū)動電路，其中該第四晶體管、該第五晶體管與該第六晶體管為一N通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管。
7.一種數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器，應(yīng)用于一電激發(fā)光式顯示裝置的驅(qū)動電路中以將數(shù)字電壓信號轉(zhuǎn)換為模擬電流信號，該驅(qū)動電路包括有一n位移位寄存器、一p位數(shù)據(jù)寄存器、一電壓數(shù)據(jù)鎖存器、一電流源、一n+1位移位寄存器、n個數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器、一m位移位寄存器、以及一電流鎖存器，其特征在于該數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器包括有一第一電流存儲單元，其耦接至該n+1位移位寄存器，當(dāng)該第一電流存儲單元開啟時，用以提供該電流源所提供的電流，當(dāng)該第一電流存儲單元關(guān)閉時，用以儲存該電流源所提供的電流；以及一第二電流存儲單元，其耦接至該n+1位移位寄存器，當(dāng)該第二電流存儲單元開啟時，用以儲存該第一電流存儲單元所儲存的電流。
8.如權(quán)利要求7所述的數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器，其中該第一電流存儲單元包括有一第一晶體管，具有一柵極、一漏極以及一源極，該柵極耦接至該n+1位移位寄存器；一第二晶體管，具有一柵極、一漏極以及一源極，該柵極耦接至該第一晶體管的柵極，該源極耦接至該第一晶體管的源極；一第三晶體管，具有一柵極、一漏極以及一源極，該柵極耦接至該第二晶體管的漏極，該源極耦接至該第一晶體管的源極，該漏極耦接至一電源線(Vdd Line)；以及一第一儲存電容，耦接于該第三晶體管的柵極與漏極間。
9.如權(quán)利要求8所述的數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器，其中該第一晶體管與該第二晶體管為一N通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管，該第三晶體管為一P通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管。
10.如權(quán)利要求7所述的數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器，其中該第二電流存儲單元包括有一第四晶體管，具有一柵極、一漏極以及一源極，該柵極耦接至該n+1位移位寄存器，該源極與該第一晶體管的源極耦接；一第五晶體管，具有一柵極、一漏極以及一源極，該柵極與該第四晶體管的柵極耦接，該漏極與該第四晶體管的漏極耦接，一第六晶體管，具有一柵極、一漏極以及一源極，該柵極與該第五晶體管的源極耦接，該漏極與該第四晶體管的漏極耦接，該源極連接至一接地線(Vss Line)；以及一第二儲存電容，耦接于該第六晶體管的柵極與源極間。
11.如權(quán)利要求10所述的數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器，其中該第四晶體管、該第五晶體管與該第六晶體管為一N通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管。
全文摘要
一種電激發(fā)光式顯示裝置的驅(qū)動電路，包括有一n位移位寄存器、一p位數(shù)據(jù)寄存器、一電壓數(shù)據(jù)鎖存器、一電流源、一n+1位移位寄存器、n個數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器、一m位移位寄存器、以及一電流鎖存器，其中該數(shù)字模擬電流轉(zhuǎn)換器中包括有一第一電流存儲單元，其耦接至該n+1位移位寄存器，當(dāng)該第一電流存儲單元開啟時，用以提供該電流源所提供的電流，當(dāng)該第一電流存儲單元關(guān)閉時，用以儲存該電流源所提供的電流；以及一第二電流存儲單元，其耦接至該n+1位移位寄存器，當(dāng)該第二電流存儲單元開啟時，用以儲存該第一電流存儲單元所儲存的電流。
文檔編號G09G3/00GK1534561SQ03108
公開日2004年10月6日 申請日期2003年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月2日
發(fā)明者孟昭宇, 薛瑋杰, 石安 申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司