專利名稱：電子電路、電子裝置和電子儀器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子電路、電子裝置和電子儀器。
背景技術(shù)：
近年，使用了稱作有機(jī)EL元件的電光元件的電光裝置引人注目。有機(jī)EL元件是自發(fā)光元件，所以不需要背光，因此期待著能實(shí)現(xiàn)低耗電、高視場(chǎng)角、高對(duì)比度比的電光裝置。
在這種電光裝置中的稱作有源矩陣型的電光裝置中，在其顯示部中配置有用于控制提供給有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電流的像素電路。
像素電路具有用于在其內(nèi)部保持與數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)的電荷量的電容器、按照所述電荷量控制所述驅(qū)動(dòng)電流的晶體管。
國(guó)際公開(kāi)第WO98/36406號(hào)論文可是，在具有稱作有機(jī)EL元件的電流驅(qū)動(dòng)元件作為電光元件的像素電路中，所述晶體管的特性偏移有時(shí)直接反映到電光元件的亮度中，所以有必要抑制所述晶體管的特性偏移。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的之一在于提供能抑制晶體管的特性偏移的電子電路、電子裝置和電子儀器。
此外，例如當(dāng)使用所述數(shù)據(jù)信號(hào)作為電流信號(hào)時(shí)，向像素電路的數(shù)據(jù)寫入時(shí)間增加，或耗電增大。因此，本發(fā)明的又一目的在于提供適于當(dāng)把電流信號(hào)作為數(shù)據(jù)信號(hào)使用時(shí)的數(shù)據(jù)寫入時(shí)間的縮短和省電化的電子電路、電子裝置和電子儀器。
本發(fā)明的電子電路包括具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第1電路部和所述第2電路部中的至少任意一個(gè)包含串聯(lián)或并聯(lián)的單位元件。
由此，以電流信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)電容元件的寫入，所以能抑制單位元件的特性偏移。此外，通過(guò)串聯(lián)或并聯(lián)單位元件，不但抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供生成具有與輸入電流的電流水平不同電流水平的電流的電子電路。
本發(fā)明的電子電路包括具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第1電路部包含并聯(lián)的多個(gè)單位元件。
由此，以電流信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)電容元件的寫入，所以能抑制單位元件的特性偏移。此外，通過(guò)并聯(lián)第1電路部的單位元件，不但抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供生成具有與輸入電流的電流水平不同電流水平的電流的電子電路。
本發(fā)明的電子電路包括具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第2電路部包含串聯(lián)的多個(gè)單位元件。
由此，以電流信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)電容元件的寫入，所以能抑制單位元件的特性偏移。此外，通過(guò)串聯(lián)第1電路部的單位元件，不但抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供生成具有與輸入電流的電流水平不同電流水平的電流的電子電路。
本發(fā)明的電子電路包括具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第1電路部包含并聯(lián)的多個(gè)單位元件；所述第2電路部包含串聯(lián)的多個(gè)單位元件。
由此，以電流信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)電容元件的寫入，所以能抑制單位元件的特性偏移。此外，通過(guò)并聯(lián)第1電路部的單位元件，串聯(lián)第2電路部的單位元件，不但抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供生成具有與輸入電流的電流水平不同電流水平的電流的電子電路。
本發(fā)明的電子電路包括具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第1電路部和所述第2電路部的至少任意一個(gè)包含電串聯(lián)或并聯(lián)的多個(gè)單位元件；所述多個(gè)單位元件的電連接由控制用元件控制。
由此，以電流信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)電容元件的寫入，所以能抑制單位元件的特性偏移。此外，通過(guò)同時(shí)使用構(gòu)成第1電路部和第2電路部的單位元件數(shù)，所以不但抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供生成具有與輸入電流的電流水平不同電流水平的電流的電子電路。
在該電子電路中，所述多個(gè)單位元件中所述第1電路部和所述第2電路部公共的單位元件至少有一個(gè)。
由此，能用電流鏡電路構(gòu)成第1電路部和第2電路部。
在該電子電路中，所述多個(gè)單位元件具有同一驅(qū)動(dòng)能力。
由此，能提高電流鏡電路的鏡像特性。
在該電子電路中，希望統(tǒng)一形成所述多個(gè)單位元件。
由此，能容易構(gòu)成第1電路部和第2電路部。
在該電子電路中，所述第1電流水平比所述第2電流水平大。
由此，能以高速向電容元件寫入第1電流。
在該電子電路中，所述第2電流水平比所述第1電流水平大。
由此，能放大第1電流的電流水平。
在該電子電路中，包含供給所述第2電流的電子元件。
由此，不但抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供具有根據(jù)與輸入電流的電流水平不同的電流水平而驅(qū)動(dòng)的電光元件的電子電路。
在該電子電路中，所述電子元件可以是電光元件或電流驅(qū)動(dòng)元件。
由此，不但抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供具有根據(jù)與輸入電流的電流水平不同的電流水平而驅(qū)動(dòng)的電光元件或電流驅(qū)動(dòng)元件的電子電路。
在該電子電路中，所述電子元件可以是有機(jī)EL元件。
由此，不但抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供具有根據(jù)與輸入電流的電流水平不同的電流水平而驅(qū)動(dòng)的有機(jī)EL元件的電子電路。
本發(fā)明的電子裝置具有第1信號(hào)線和第2信號(hào)線、多個(gè)單位電路，所述多個(gè)單位電路分別包括與所述第1信號(hào)線連接，通過(guò)從所述第1信號(hào)線供給的開(kāi)關(guān)信號(hào)控制導(dǎo)通狀態(tài)或截止裝置的開(kāi)關(guān)元件；與所述第2信號(hào)線連接，通過(guò)所述開(kāi)關(guān)元件變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，從所述第2信號(hào)線供給的具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第1電路部和所述第2電路部中的至少任意一個(gè)包含串聯(lián)或并聯(lián)的單位元件。
由此，以電流信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)電容元件的寫入，所以能抑制單位元件的特性偏移。此外，通過(guò)串聯(lián)或并聯(lián)單位元件，不但抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供生成具有與輸入電流的電流水平不同電流水平的電流的電子裝置。
本發(fā)明的電子裝置具有第1信號(hào)線和第2信號(hào)線、多個(gè)單位電路，所述多個(gè)單位電路分別包括與所述第1信號(hào)線連接，通過(guò)從所述第1信號(hào)線供給的開(kāi)關(guān)信號(hào)控制導(dǎo)通狀態(tài)或截止裝置的開(kāi)關(guān)元件；與所述第2信號(hào)線連接，通過(guò)所述開(kāi)關(guān)元件變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，從所述第2信號(hào)線供給的具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第1電路部包含并聯(lián)的多個(gè)單位元件。
由此，以電流信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)電容元件的寫入，所以能抑制單位元件的特性偏移。此外，通過(guò)并聯(lián)第1電路部的單位元件，不但抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供生成具有與輸入電流的電流水平不同電流水平的電流的電子裝置。
本發(fā)明的電子裝置具有第1信號(hào)線和第2信號(hào)線、多個(gè)單位電路，所述多個(gè)單位電路分別包括與所述第1信號(hào)線連接，通過(guò)從所述第1信號(hào)線供給的開(kāi)關(guān)信號(hào)控制導(dǎo)通狀態(tài)或截止裝置的開(kāi)關(guān)元件；與所述第2信號(hào)線連接，通過(guò)所述開(kāi)關(guān)元件變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，從所述第2信號(hào)線供給的具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第2電路部包含串聯(lián)的多個(gè)單位元件。
由此，以電流信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)電容元件的寫入，所以能抑制單位元件的特性偏移。此外，通過(guò)串聯(lián)第1電路部的單位元件，不但抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供生成具有與輸入電流的電流水平不同電流水平的電流的電子裝置。
本發(fā)明的電子裝置具有第1信號(hào)線和第2信號(hào)線、多個(gè)單位電路，所述多個(gè)單位電路分別包括與所述第1信號(hào)線連接，通過(guò)從所述第1信號(hào)線供給的開(kāi)關(guān)信號(hào)控制導(dǎo)通狀態(tài)或截止裝置的開(kāi)關(guān)元件；與所述第2信號(hào)線連接，通過(guò)所述開(kāi)關(guān)元件變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，從所述第2信號(hào)線供給的具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第1電路部包含并聯(lián)的多個(gè)單位元件；所述第2電路部包含串聯(lián)的多個(gè)單位元件。
由此，以電流信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)電容元件的寫入，所以能抑制單位元件的特性偏移。此外，通過(guò)并聯(lián)第1電路部的單位元件，串聯(lián)第2電路部的單位元件，不但抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供生成具有與輸入電流的電流水平不同電流水平的電流的電子裝置。
本發(fā)明的電子裝置具有第1信號(hào)線和第2信號(hào)線、多個(gè)單位電路，所述多個(gè)單位電路分別包括與所述第1信號(hào)線連接，通過(guò)從所述第1信號(hào)線供給的開(kāi)關(guān)信號(hào)控制導(dǎo)通狀態(tài)或截止裝置的開(kāi)關(guān)元件；與所述第2信號(hào)線連接，通過(guò)所述開(kāi)關(guān)元件變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，從所述第2信號(hào)線供給的具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第1電路部和所述第2電路部的至少任意一個(gè)包含電串聯(lián)或并聯(lián)的多個(gè)單位元件；所述多個(gè)單位元件的電連接由控制用元件控制。
由此，以電流信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)電容元件的寫入，所以能抑制單位元件的特性偏移。此外，通過(guò)同時(shí)使用構(gòu)成第1電路部和第2電路部的單位元件數(shù)，不但抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供生成具有與輸入電流的電流水平不同電流水平的電流的電子裝置。
在該電子裝置中，所述多個(gè)單位元件中所述第1電路部和所述第2電路部公共的單位元件至少有一個(gè)。
由此，能用電流鏡電路構(gòu)成第1電路部和第2電路部。
在該電子裝置中，所述多個(gè)單位元件具有同一驅(qū)動(dòng)能力。
由此，能提高電流鏡電路的鏡像特性。
在該電子裝置中，可以統(tǒng)一形成所述多個(gè)單位元件。
由此，能容易構(gòu)成具有第1電路部和第2電路部的電光裝置。
在該電子裝置中，所述第1電流水平比所述第2電流水平大。
由此，能以高速向電容元件寫入第1電流。
在該電子裝置中，所述第2電流水平比所述第1電流水平大。
由此，能放大第1電流的電流水平。
在該電子裝置中，包含供給所述第2電流的電子元件。
由此，不但抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供具有根據(jù)與輸入電流的電流水平不同的電流水平而驅(qū)動(dòng)的電光元件的電子裝置。
在該電子裝置中，所述電子元件是電光元件或電流驅(qū)動(dòng)元件。
由此，不但抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供具有根據(jù)與輸入電流的電流水平不同的電流水平而驅(qū)動(dòng)的電光元件或電流驅(qū)動(dòng)元件的電子裝置。
在該電子裝置中，所述電子元件是有機(jī)EL元件。
由此，不但抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供具有根據(jù)與輸入電流的電流水平不同的電流水平而驅(qū)動(dòng)的有機(jī)EL元件的電子裝置。
本發(fā)明的電子儀器安裝了所述電子電路。
由此，能提高抑制了晶體管的特性偏移的電子儀器。此外，通過(guò)串聯(lián)或并聯(lián)單位元件，不但能抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供設(shè)置了生成具有與輸入電流的電流水平不同的電流水平的電流的電子電路的電子儀器。
本發(fā)明的電子儀器安裝了所述電子裝置。
由此，能提高抑制了晶體管的特性偏移的電子儀器。此外，通過(guò)串聯(lián)或并聯(lián)單位元件，不但能抑制構(gòu)成的晶體管的占有面積增大，而且能提供設(shè)置了生成具有與輸入電流的電流水平不同的電流水平的電流的電子裝置的電子儀器。


圖1是表示本實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的電路結(jié)構(gòu)的電路框圖。
圖2是表示顯示面板部和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的電路框圖。
圖3是用于說(shuō)明實(shí)施例1的像素電路的電路圖。
圖4是用于說(shuō)明實(shí)施例1的像素電路的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖5是用于說(shuō)明實(shí)施例2的像素電路的電路圖。
圖6是用于說(shuō)明實(shí)施例2的像素電路的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖7是用于說(shuō)明實(shí)施例2的像素電路的等效電路圖。
圖8是用于說(shuō)明實(shí)施例2的像素電路的等效電路圖。
圖9是用于說(shuō)明實(shí)施例3的移動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖10是表示用于說(shuō)明實(shí)施例3的移動(dòng)電話的結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖中βs、βp—作為驅(qū)動(dòng)能力的增益系數(shù)；Cn—作為電容元件的保持電容器；Ie1—作為第2電流的驅(qū)動(dòng)電流；Idata—作為第1電流的數(shù)據(jù)電流；10—作為電子裝置的有機(jī)EL顯示器；20—作為電子電路的像素電路；21—作為電子元件的有機(jī)EL元件；30—作為第2電路部的驅(qū)動(dòng)電流生成電路部；40—作為第1電路部的電流供給電路部；70—作為電子儀器的移動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī)；80—作為電子儀器的移動(dòng)電話。
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施例1)下面，根據(jù)圖1～圖4說(shuō)明把本發(fā)明具體化的實(shí)施例1。圖1是表示作為電子裝置的有機(jī)EL顯示器的電路結(jié)構(gòu)的電路框圖。圖2是表示顯示面板部和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的電路框圖。圖3是像素電路的電路圖。圖4是表示像素電路的動(dòng)作的時(shí)序圖。
有機(jī)EL顯示器10如圖1所示，具有控制電路11、顯示面板部12、掃描線驅(qū)動(dòng)電路13、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路14。
有機(jī)EL顯示器10的控制電路11、掃描線驅(qū)動(dòng)電路13和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路14可以分別由獨(dú)立的電子元件構(gòu)成。
例如，控制電路11、掃描線驅(qū)動(dòng)電路13和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路14可以分別由1芯片的半導(dǎo)體集成電路器件構(gòu)成。
此外，控制電路11、掃描線驅(qū)動(dòng)電路13和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路14的全部或一部分可以由可編程IC芯片構(gòu)成，它的功能可由寫入IC芯片中的程序在軟件上實(shí)現(xiàn)。
控制電路11根據(jù)從未圖示的外部裝置輸出的圖像數(shù)據(jù)，分別生成用于在顯示面板部12上顯示所需圖像的掃描控制信號(hào)和數(shù)據(jù)控制信號(hào)。此外，控制電路11向掃描線驅(qū)動(dòng)電路13輸出掃描控制信號(hào)，向數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路14輸出數(shù)據(jù)控制信號(hào)。
顯示面板部12如圖2所示，將具有發(fā)光層由有機(jī)材料構(gòu)成的電子元件或作為電子元件的有機(jī)EL元件21的多個(gè)電路或作為電位電路的像素電路20配置為矩陣狀。即，把像素電路20配置在與沿著列方向延伸的M條數(shù)據(jù)線Xm(m＝1～M；m是整數(shù))和沿著行方向延伸的N條掃描線Yn(n＝1～N，n是整數(shù))的交叉部對(duì)應(yīng)的位置。此外，在本實(shí)施例中，有機(jī)EL元件21是對(duì)于由所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路14生成的作為第1電流的數(shù)據(jù)電流Idata的大小，以1/25左右大小的作為第2電流的驅(qū)動(dòng)電流Ie1適當(dāng)發(fā)光的有機(jī)EL元件。此外，被配置、形成在像素電路20內(nèi)的后面描述的晶體管通常由TFT(薄膜晶體管)構(gòu)成。
掃描線驅(qū)動(dòng)電路13根據(jù)從所述控制電路11輸出的所述掃描控制信號(hào)，選擇設(shè)置在顯示面板部12中N條掃描線Yn的1條掃描線，向選擇的掃描線供給掃描信號(hào)。
數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路14具有多個(gè)單一線驅(qū)動(dòng)器23。各單一線驅(qū)動(dòng)器23與設(shè)置在顯示面板部12上的數(shù)據(jù)線Xm連接。各單一線驅(qū)動(dòng)器23根據(jù)從控制電路11輸出的數(shù)據(jù)控制信號(hào)，分別生成數(shù)據(jù)電流Idata1～I(xiàn)datam。此外，各單一線驅(qū)動(dòng)器23通過(guò)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線X1～Xm，分別向各像素電路20供給生成的數(shù)據(jù)電流Idata1～I(xiàn)datam。各像素電路20分別按照數(shù)據(jù)電流Idata1～I(xiàn)datam設(shè)定同一像素電路20的內(nèi)部狀態(tài)，控制流向各有機(jī)EL元件21的驅(qū)動(dòng)電流Ie1，控制同一有機(jī)EL元件21的亮度等級(jí)。
下面，根據(jù)圖3說(shuō)明這樣構(gòu)成的有機(jī)EL顯示器10的像素電路20。此外，各像素電路20的電路結(jié)構(gòu)都相同，所以為了便于說(shuō)明，說(shuō)明配置在第m條數(shù)據(jù)線Xm和第n條掃描線Yn的交叉部上上的像素電路20。
像素電路20包含5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs、5個(gè)電流供給用晶體管Qp、第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2、保持電容器Cn。而且，所述驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs和電流供給用晶體管Qp、第1開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、保持電容器Cn分別與權(quán)利要求書中所述的單位元件、開(kāi)關(guān)元件、電容元件對(duì)應(yīng)。此外，驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs和電流供給用晶體管Qp的導(dǎo)電類型分別是p型(p溝道)。此外，第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2的導(dǎo)電類型分別是n型(n溝道)。
各驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs是把作為其驅(qū)動(dòng)能力的增益系數(shù)設(shè)定為βs的作為驅(qū)動(dòng)用晶體管而起作用的晶體管。各電流供給用晶體管Qp是把作為其驅(qū)動(dòng)能力的增益系數(shù)設(shè)定為βp的作為開(kāi)關(guān)晶體管而起作用的晶體管。此外，在本實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的增益系數(shù)βs設(shè)定為與所述電流供給用晶體管Qp的增益系數(shù)βp相等。
第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2分別是作為按照從所述掃描線驅(qū)動(dòng)電路13供給的掃描信號(hào)控制導(dǎo)通和截止的開(kāi)關(guān)元件而起作用的晶體管。
5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs彼此串聯(lián)。即，驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的漏極和與該驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs相鄰配置的驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的源極彼此連接。而且，所述5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs中，其源極與相鄰的驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的漏極不連接的驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs與向其源極供給驅(qū)動(dòng)電壓的電源線VL連接。此外，所述5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs中，其漏極與相鄰的驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的源極不連接的驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的漏極與有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極連接。
此外，串聯(lián)的所述5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的各柵極公共連接在電流供給用晶體管Qp的各柵極上。而且，如上所述，彼此串聯(lián)的5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs構(gòu)成作為第2電路部的驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30。
此外，在構(gòu)成所述驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30的5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的彼此連接的柵極和所述電源線VL之間連接有保持電容器Cn。
5個(gè)電流供給用晶體管Qp彼此并聯(lián)。即，5個(gè)電流供給用晶體管Qp的各源極、各柵極和各漏極彼此連接，連接在所述電源線VL上。電流供給用晶體管Qp的各柵極彼此連接，連接在構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30的5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的各柵極上。
電流供給用晶體管Qp的各漏極彼此連接，連接在第1開(kāi)關(guān)用晶體管Q1上。第1開(kāi)關(guān)用晶體管Q1的源極與所述數(shù)據(jù)線Xm連接，電連接在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路14上。第1開(kāi)關(guān)用晶體管Q1的柵極與作為第1信號(hào)線的第1副掃描線Yn1連接，連接在所述掃描線驅(qū)動(dòng)電路13上。而且，如上所述，用彼此并聯(lián)的5個(gè)電流供給用晶體管Qp構(gòu)成作為第1電路部的電流供給電路部40。用驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30和電流供給電路部40構(gòu)成電流值變換部件。
此外，在構(gòu)成電流供給電路部40的5個(gè)電流供給用晶體管Qp的漏極和電流供給用晶體管Qp的各柵極之間連接有第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q2。第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q2的柵極與作為第2信號(hào)線的第2掃描線Yn2連接，電連接在所述掃描線驅(qū)動(dòng)電路13上。即，通過(guò)第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q2變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，把構(gòu)成電流供給電路部40的5個(gè)電流供給用晶體管Qp分別二極管連接。而且，通過(guò)把各電流供給用晶體管Qp二極管連接，各電流供給用晶體管Qp和構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30的5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs通過(guò)所述保持電容器Cn構(gòu)成電流鏡電路。
此外，由所述第1、第2副掃描線Yn1、Yn2構(gòu)成掃描線Yn。
下面，說(shuō)明這樣構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30和電流供給電路部40的作用。
一般，當(dāng)具有相等的增益系數(shù)的多個(gè)晶體管彼此串聯(lián)時(shí)，彼此串聯(lián)的晶體管的合成增益系數(shù)成為把各晶體管的增益系數(shù)除以連接的晶體管數(shù)而取得的值。即如果用n表示串聯(lián)的晶體管數(shù)，用β表示各晶體管的增益系數(shù)，則彼此串聯(lián)的晶體管數(shù)的合成增益系數(shù)βso如下所述。
βso＝β/n因此，本實(shí)施例的具有增益系數(shù)βs的5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30的合成增益系數(shù)βso如下所述。
βso＝βs/5此外，當(dāng)彼此并聯(lián)具有相等的增益系數(shù)的多個(gè)晶體管時(shí)，彼此并聯(lián)的晶體管的合成增益系數(shù)成為把各晶體管的增益系數(shù)乘以連接的晶體管數(shù)而取得的值。即如果用n表示串聯(lián)的晶體管數(shù)，用βp表示各晶體管的增益系數(shù)，則并聯(lián)的晶體管的合成增益系數(shù)βpo＝βp·n因此，本實(shí)施例的具有增益系數(shù)βp的5個(gè)電流供給用晶體管Qp構(gòu)成的電流供給電路部40的各合成增益系數(shù)βpo如下所述。
βpo＝5βp這里，如果用所述驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30和電流供給電路部40的各合成增益系數(shù)βso、βpo表示數(shù)據(jù)電流Idata和驅(qū)動(dòng)電流Ie1的相對(duì)比率，則如下所述。
Idata∶Ie1＝βso∶βpo這里，驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30的合成增益系數(shù)βso為βs/5，電流供給電路部40的合成增益系數(shù)βpo為5βp，因此，數(shù)字電流Idata與驅(qū)動(dòng)電流Ie1的相對(duì)比率表示如下，Idata∶Ie1＝5βp∶βs/5所述電流供給用晶體管Qp的增益系數(shù)βp如上所述，設(shè)定為與所述驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的增益系數(shù)βs相等，所以以上表達(dá)式表示如下。
Idata∶Ie1＝βpo∶βso
＝5∶1/5因此，數(shù)據(jù)電流Idata由以下表達(dá)式表示。
Idata＝25Ie1因此，本發(fā)明的像素電路20能供給具有驅(qū)動(dòng)電流Ie1的25倍電流水平的數(shù)據(jù)電流Idata，所以只這部分就能以高速把對(duì)于數(shù)據(jù)電流Idata的所述第1電流水平寫入保持電容器Cn中。此外，對(duì)保持電容器Cn的數(shù)據(jù)寫入是電流信號(hào)的數(shù)據(jù)電流Idata，所以能抑制各像素電路20的所述驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的閾值電壓的特性偏移。
并且，所述驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs和電流供給用晶體管Qp分別形成為具有相同的增益系數(shù)，所以與用不同的增益系數(shù)形成電流鏡電路時(shí)相比，能提高鏡像特性的精度。
接著，計(jì)算配置在具有驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30和電流供給電路部40的像素電路20中的全部晶體管的占有面積。
首先，計(jì)算構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30的5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的占有面積S1。一般，當(dāng)晶體管的溝道長(zhǎng)度相等時(shí)，晶體管的占有面積與增益系數(shù)成比例。所述各驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的增益系數(shù)βs分別相等，所以，如果以SQs表示各驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的占有面積，則驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30的占有面積S1如下所述。
S1＝5SQs接著，計(jì)算構(gòu)成電流供給電路部40的5個(gè)電流供給用晶體管Qp的占有面積S2。所述電流供給用晶體管Qp的增益系數(shù)βp分別相等，所以，如果用SQp表示各電流供給用晶體管Qp的占有面積，則5個(gè)電流供給用晶體管Qp的占有面積S2如下所述。
S2＝5SQp因此，如果分別用SQ1、SQ2表示所述第1第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2的占有面積，則配置在所述像素電路20中的全部晶體管的占有面積St如下所述。
St＝5SQs+5SQp+SQ1+SQ2這里，如上所述，所述驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的增益系數(shù)βs和所述電流供給用晶體管Qp的增益系數(shù)βp設(shè)定為相等，所以驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的占有面積SQs和電流供給用晶體管Qp的占有面積SQp變?yōu)橄嗟鹊闹?。此外，?第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2如上所述，分別是作為開(kāi)關(guān)元件起作用的晶體管。因此，假定第1開(kāi)關(guān)用晶體管Q1的占有面積SQ1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q2的占有面積SQ2相等，假定這些占有面積SQ1、SQ2與所述驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs和電流供給用晶體管Qp的所述占有面積SQ相等。這樣，如果以SQs表示驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的占有面積St，則像素電路20的全部晶體管的占有面積St如下所述。
St＝5SQs+5SQp+SQ1+SQ2＝12SQs接著，計(jì)算用1個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs構(gòu)成所述驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30，用1個(gè)電流供給用晶體管Qp構(gòu)成所述電流供給電路部40，其他第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2配置與所述像素電路20相同的像素電路的全部晶體管的占有面積Ao。此外，這時(shí)，假定所述電流供給用晶體管Qp的增益系數(shù)是所述驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的增益系數(shù)的25倍。通過(guò)這樣假定，能向保持電容器Cn供給與所述像素電路20相同的電流水平的數(shù)據(jù)電流Idata。
這樣，如上所述，晶體管的占有面積與增益系數(shù)對(duì)應(yīng)增大，所以所述電流供給用晶體管Qp的占有面積SQp和驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的占有面積SQs的關(guān)系表示如下。
SQp＝25SQs因此，所述占有面積Ao表示如下。
Ao＝SQp+SQs+SQ1+SQ2＝25SQs+SQs+SQ1+SQ2＝26SQs+SQ1+SQ2這里，與配置在所述像素電路20中的全部晶體管的占有面積St的情形同樣，假定第1、第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q2的各占有面積SQ1和SQ2彼此相等。而且，如果假定第1、第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q2的各占有面積SQ1和SQ2與驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的占有面積SQs相等，則所述占有面積Ao表示如下。
Ao＝26SQs+SQ1+SQ2＝28SQs
從以上結(jié)果可知，與用1個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30，并且用1個(gè)電流供給用晶體管Qp構(gòu)成電流供給電路部40的像素電路相比，圖3所示的像素電路20對(duì)于驅(qū)動(dòng)電流Ie1能供給相同的數(shù)據(jù)電流Idata的電流量，并且能把晶體管的占有面積削減60％。所述數(shù)據(jù)電流Idata和驅(qū)動(dòng)電流Ie1的相對(duì)比率越大，該晶體管的占有面積So的削減比率越大。因此，在像素電路的開(kāi)口率方面，用多個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30，并且用多個(gè)電流供給用晶體管Qp構(gòu)成電流供給電路部40的像素電路取得了能使開(kāi)口率更大的效果。
下面，參照?qǐng)D4說(shuō)明具有所述驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30和電流供給電路部40的像素電路20的驅(qū)動(dòng)方法。圖4是作為提供給第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2的開(kāi)關(guān)信號(hào)的第1掃描信號(hào)SC1和第2掃描信號(hào)SC2、流過(guò)有機(jī)EL元件21的驅(qū)動(dòng)電流Ie1的時(shí)序圖。
此外，在圖4中，Tc、T1和T2分別表示驅(qū)動(dòng)周期、數(shù)據(jù)寫入期間和發(fā)光期間。驅(qū)動(dòng)周期Tc由數(shù)據(jù)寫入期間T1和發(fā)光期間T2構(gòu)成。驅(qū)動(dòng)周期Tc意味著所述有機(jī)EL元件21一次一次被更新的周期，與所謂的幀周期相同。
首先，從掃描線驅(qū)動(dòng)電路13在給定的數(shù)據(jù)寫入期間T1中分別通過(guò)第1和第2副掃描線Yn1、Yn2提供使第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2為導(dǎo)通狀態(tài)的第1和第2掃描信號(hào)SC1、SC2。如果被提供使第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2為導(dǎo)通狀態(tài)的第1和第2掃描信號(hào)，則第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2在數(shù)據(jù)寫入期間T1中分別變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。由此，向像素電路20供給了數(shù)據(jù)電流Idata，并且構(gòu)成電流供給電路部40的5個(gè)電流供給用晶體管Qp二極管連接。而且，所述電流供給用晶體管Qp和構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30的5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs電連接，構(gòu)成電流鏡電路。這樣，所述數(shù)據(jù)電流Idata通過(guò)所述電流供給電路部40，與作為所述第1電流水平的數(shù)據(jù)電流Idatam的電流水平相對(duì)的電荷量保持在所述保持電容器Cn中。結(jié)果，與保持在所述保持電容器Cn中的電荷量相應(yīng)的電壓外加到構(gòu)成所述驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30的5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的各柵極/源極之間。
接著，所述數(shù)據(jù)寫入期間T1后，在給定的發(fā)光期間T2中，從所述掃描線驅(qū)動(dòng)電路13通過(guò)第1和第2副掃描線Yn1、Yn2提供使第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2為截止裝置的第1和第2掃描信號(hào)SC1、SC2。如果被提供使第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2為截止裝置的第1和第2掃描信號(hào)，第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2分別在發(fā)光期間T2中變?yōu)榻刂寡b置。由此，與保持在所述保持電容器Cn中的電荷量相應(yīng)的電壓外加在構(gòu)成所述驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30的5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的各柵極/源極之間。而且，各驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs生成基于與所述保持電容器Cn中保持的電荷量相應(yīng)的電壓的大小的驅(qū)動(dòng)電流Ie1。這時(shí)，由所述驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30生成的所述驅(qū)動(dòng)電流Ie1的電流水平成為所述數(shù)據(jù)電流Idata的1/25倍的值。
此外，第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Qs1、Qs2設(shè)定為在數(shù)據(jù)寫入期間T1中變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，在發(fā)光期間T2中變?yōu)榻刂寡b置，但是并不局限于此。
(1)這樣，在本實(shí)施例中，通過(guò)串聯(lián)具有彼此相等的增益系數(shù)βs的5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs，形成了驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30。此外，通過(guò)并聯(lián)具有彼此相等的增益系數(shù)βp的5個(gè)電流供給用晶體管Qp，形成了電流供給電路部40。而且，通過(guò)把構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30的驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的各柵極與構(gòu)成電流供給電路部40的電流供給用晶體管Qp的各柵極連接，驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs和電流供給用晶體管Qp構(gòu)成了電流鏡電路。而且，在所述驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的各柵極上連接了保持與數(shù)據(jù)電流Idata相對(duì)的電荷量的數(shù)據(jù)電流Idata。此外，把所述電流供給電路部40電連接在供給數(shù)據(jù)電流Idata的數(shù)據(jù)線Xm上。而且，由所述驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30生成的驅(qū)動(dòng)電流Ie1提供給有機(jī)EL元件21。
由此，能把數(shù)據(jù)電流Idata的電流水平設(shè)定為驅(qū)動(dòng)電流Ie1的25倍。因此，該部分就能以高速把數(shù)據(jù)電流Idata寫入保持電容器Cn中。此外，數(shù)據(jù)向所述保持電容器Cn的寫入以電流信號(hào)的數(shù)據(jù)電流Idata進(jìn)行，所以能抑制各像素電路20的驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs的閾值電壓等特性的偏移。
(2)而且，在本實(shí)施例中，利用具有給定增益系數(shù)的晶體管的并聯(lián)和串聯(lián)的方法即單位元件的組合，構(gòu)成了電流鏡電路。由此，與用具有不同增益系數(shù)的晶體管構(gòu)成電流鏡電路時(shí)相比，能提高鏡像特性的精度。
(3)在本實(shí)施例中，通過(guò)串聯(lián)具有彼此相等的增益系數(shù)βs的5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs，形成了驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30。此外，通過(guò)并聯(lián)具有彼此相等的增益系數(shù)βp的5個(gè)電流供給用晶體管Qp，形成了電流供給電路部40。由此，能提供不但供給具有驅(qū)動(dòng)電流Ie1的25倍的電流水平的數(shù)據(jù)電流Idata，而且能抑制開(kāi)口率的下降的像素電路。
(實(shí)施例2)下面，參照?qǐng)D5～圖8說(shuō)明把本發(fā)明具體化的實(shí)施例2。此外，在本實(shí)施例中，對(duì)于與所述實(shí)施例1相同的構(gòu)成構(gòu)件，采用相同符號(hào)，省略了它的詳細(xì)說(shuō)明。
圖5是配置在有機(jī)EL顯示器10的顯示面板部12上的像素電路50的電路圖。圖6是表示像素電路的動(dòng)作的時(shí)序圖。圖7和圖8分別是像素電路50的等效電路。
像素電路50包含兼有所述實(shí)施例1中描述的驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30和電流供給電路部40的作用的電流控制電路部60。如果詳細(xì)描述，則像素電路50包括作為驅(qū)動(dòng)用晶體管起作用的5個(gè)第1～第5晶體管Qd1～Qd5、作為開(kāi)關(guān)元件起作用的第1～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q1～Q7、保持電容器Cn和有機(jī)EL元件21。而且，所述第1～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q1～Q7中的第4～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q4～Q7與權(quán)利要求書中所述的控制用元件對(duì)應(yīng)。
所述5個(gè)第1～第5晶體管Qd1～Qd5的導(dǎo)電類型都為p型(p溝道)。此外，所述七個(gè)第1～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q1～Q7的導(dǎo)電類型都為n型(n溝道)。第1～第5晶體管Qd1～Qd5設(shè)定為其增益系數(shù)βd都相等。分別按照從所述掃描線驅(qū)動(dòng)電路13供給的掃描信號(hào)，控制了第1～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q1～Q7的導(dǎo)通和截止。
第1～第5晶體管Qd1～Qd5中的第1晶體管Qd1的源極連接在供給驅(qū)動(dòng)電壓Vdd的電源線VL上。第1晶體管Qd1的漏極連接在第2晶體管Qd2的源極或漏極中的一方的電極上。第1晶體管Qd1的源極通過(guò)第4開(kāi)關(guān)用晶體管Q4連接在所述第2晶體管Qd2的與第1晶體管Qd1的漏極不連接的一方的電極上。
第2晶體管Qd2的與第4開(kāi)關(guān)用晶體管Q4連接的源極或漏極與第3晶體管Qd3的漏極或源極連接。第2晶體管Qd2的與第3晶體管Qd3的漏極或源極不連接的電極連接在第6開(kāi)關(guān)用晶體管Q6的源極或漏極上。第6開(kāi)關(guān)用晶體管Q6的與第6開(kāi)關(guān)用晶體管Q6的源極或漏極不連接的電極連接載第3晶體管Qd3的與第2晶體管Qd2不連接的電極上。
第3晶體管Qd3的與第6開(kāi)關(guān)用晶體管Q6的源極或漏極連接的電極與第4晶體管Qd4的漏極或源極連接。第3晶體管Qd3的與第4晶體管Qd4的漏極或源極不連接的電極連接在第5開(kāi)關(guān)用晶體管Q5的源極或漏極上。第5開(kāi)關(guān)用晶體管Q5的與第3晶體管Qd3的源極或漏極不連接的電極連接在第4晶體管Qd4的與第3晶體管Qd3不連接的電極上。
第4晶體管Qd4的與第5開(kāi)關(guān)用晶體管Q5的源極或漏極連接的源極或漏極連接在第5晶體管Qd5的源極上。第4晶體管Qd4的與第5開(kāi)關(guān)用晶體管Q5的漏極或源極不連接的電極連接在第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q7的源極或漏極上。第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q7的與第4晶體管Qd4不連接的電極連接在第5晶體管Qd5的漏極上。第5晶體管Qd5的漏極連接在第1開(kāi)關(guān)用晶體管Q1的漏極上。第1開(kāi)關(guān)用晶體管Q1的源極連接在數(shù)據(jù)線Xm上，電連接在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路14上。
此外，所述第4～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q4～Q7的各柵極彼此連接，公共連接在第3副掃描線Yn3上。
而且，這樣配置的所述第1～第5晶體管Qd1～Qd5的各柵極彼此公共連接，連接在保持電容器Cn和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q2的漏極上。保持電容器Cn的與所述第1～第5晶體管Qd1～Qd5的各柵極不連接的電極連接在所述電源線VL上。此外，第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q2的源極分別連接在所述第1開(kāi)關(guān)用晶體管Q1的漏極和第3開(kāi)關(guān)用晶體管Q3的漏極上。第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q2的柵極與第1開(kāi)關(guān)用晶體管Q1的柵極公共連接，連接在第1副掃描線Yn1上。第3開(kāi)關(guān)用晶體管Q3的柵極連接在第2副掃描線Yn1上。第3開(kāi)關(guān)用晶體管Q3的源極連接在有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極上。有機(jī)EL元件21的陰極接地。
下面，說(shuō)明具有所述電流控制電路部60的像素電路50的作用。
構(gòu)成像素電路50的電流控制電路部60按照從掃描線驅(qū)動(dòng)電路13供給的第3掃描信號(hào)SC3，分別控制所述第4～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q4～Q7的導(dǎo)通和截止，把合成增益系數(shù)設(shè)定為變化的。如果詳細(xì)描述，則電流控制電路部60向像素電路50供給數(shù)據(jù)電流Idata時(shí)，從掃描線驅(qū)動(dòng)電路13向第4～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q4～Q7的各柵極供給使第4～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q4～Q7為導(dǎo)通狀態(tài)的第3掃描信號(hào)SC3。這樣，第4～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q4～Q7分別變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。
這時(shí)，構(gòu)成所述電流控制電路部60的5個(gè)第1～第5晶體管Qd1～Qd5彼此并聯(lián)。如果使用第1～第5晶體管Qd1～Qd5的增益系數(shù)βd，則第1～第5晶體管Qd1～Qd5彼此并聯(lián)而成的電流控制電路部60的合成增益系數(shù)βpo變?yōu)槿缦隆?br> βpo＝5βd此外，當(dāng)電流控制電路部60生成驅(qū)動(dòng)電流Ie1時(shí)，從掃描線驅(qū)動(dòng)電路13向第4～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q4～Q7的各柵極供給使第4～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q4～Q7為截止裝置的第3掃描信號(hào)SC3。這樣，第4～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q4～Q7分別變?yōu)榻刂寡b置。
這時(shí)，構(gòu)成所述電流控制電路部60的5個(gè)第1～第5晶體管Qd1～Qd5彼此串聯(lián)。如果使用第1～第5晶體管Qd1～Qd5的增益系數(shù)βd，則第1～第5晶體管Qd1～Qd5彼此串聯(lián)而成的電流控制電路部60的合成增益系數(shù)βso變?yōu)槿缦隆?br> Bso＝βd/5因此，如果用所述第1～第5晶體管Qd1～Qd5彼此并聯(lián)時(shí)的合成增益系數(shù)βpo和串聯(lián)時(shí)的合成增益系數(shù)βso表示數(shù)據(jù)電流Idata和驅(qū)動(dòng)電流Ie1，則變?yōu)橐韵碌谋磉_(dá)式。
Idata∶Ie1＝βpo∶βso＝5βd∶βd/5＝5∶1/5因此，用以下表達(dá)式表示數(shù)據(jù)電流Idata。
Idata＝25Ie1因此，本實(shí)施例的像素電路50能供給具有驅(qū)動(dòng)電流Ie1的25倍電流水平的數(shù)據(jù)電流Idata。即所述數(shù)據(jù)電流Idata的電流水平是驅(qū)動(dòng)電流Ie1的電流水平的25倍，所以該部分就能以高速向保持電容器Cn寫入數(shù)據(jù)電流Idatam。此外，數(shù)據(jù)向所述保持電容器Cn的寫入是電流信號(hào)的數(shù)據(jù)電流Idata，所以能抑制各像素電路50的所述第1～第5晶體管Qd1～d5的閾值電壓等特性的偏移。
接著，計(jì)算具有所述電流控制電路部60的像素電路50中配置的全部晶體管的占有面積。
如果分別用SQd1～SQd5表示第1～第5晶體管Qd1～Qd5的各占有面積，用SQ1～SQ7表示第1～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q1～Q7的各占有面積，則像素電路50的全部晶體管的占有面積St如下所述。
St＝SQd1+SQd2+SQd3+SQd4+SQd5+SQ1+SQ2+SQ3+SQ4+SQ5+SQ6+SQ7這里，所述第1～第5晶體管Qd1～Qd5的增益系數(shù)βd都是相等的值，所以各第1～第5晶體管Qd1～Qd5的各占有面積SQd1～SQd5變?yōu)橄嗟鹊闹?。此外，?～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q1～Q7分別是作為開(kāi)關(guān)元件而起作用的晶體管，所以假定它的占有面積相等。
因此，如果用SQd表示第1～第5晶體管Qd1～Qd5的占有面積，用SQo表示第1～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q1～Q7的占有面積，則配置在所述像素電路50中的全部晶體管的占有面積St變?yōu)槿缦滤觥?br> St＝SQd1+SQd2+SQd3+SQd4+SQd5+SQ1+SQ2+SQ3+SQ4+SQ5+SQ6+SQ7＝5SQd+7SQo這里，第1～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q1～Q7的占有面積SQt假定與所述第1～第5晶體管Qd1～Qd5的占有面積SQd相等。這樣，如果用SQo表示第1～第5晶體管Qd1～Qd5的占有面積，則像素電路50的全部晶體管的占有面積St變?yōu)槿缦滤觥?br> St＝5SQd+7SQo＝12SQd。
因此，在具有所述電流控制電路部60的像素電路50中也能取得與所述實(shí)施例1同樣的效果。
下面，參照?qǐng)D6～圖8說(shuō)明具有所述電流控制電路部60的像素電路50的驅(qū)動(dòng)方法。圖6是提供給第1、第2和第3開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2、Q3的第1、第2和第3掃描信號(hào)SC1、SC2、SC3和流向有機(jī)EL元件21的驅(qū)動(dòng)電流Ie1的時(shí)序圖。
首先，從所述掃描線驅(qū)動(dòng)電路13在給定的數(shù)據(jù)寫入期間T1中，通過(guò)第1副掃描線Yn1提供使第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2為導(dǎo)通狀態(tài)的第1掃描信號(hào)SC1。此外，這時(shí)，從掃描線驅(qū)動(dòng)電路1 3通過(guò)第2副掃描線Yn2提供使第3開(kāi)關(guān)用晶體管Q3為截止裝置的第3掃描信號(hào)SC3。從掃描線驅(qū)動(dòng)電路13通過(guò)第3副掃描線Yn3提供使第4～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q4～Q7為導(dǎo)通狀態(tài)的第3掃描信號(hào)SC3。
如果被提供使第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2為導(dǎo)通狀態(tài)的第1掃描信號(hào)SC1，則第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2分別變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此外，如果被提供使第3開(kāi)關(guān)用晶體管Q3為截止裝置的第3掃描信號(hào)SC3，則第3開(kāi)關(guān)用晶體管Q3變?yōu)榻刂寡b置。如果被提供使第4～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q4～Q7為導(dǎo)通狀態(tài)的第3掃描信號(hào)SC3，則第4～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q4～Q7變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。
圖7是所述數(shù)據(jù)寫入期間T1中的像素電路50的等效電路。在數(shù)據(jù)寫入期間T1中，從所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路14提供的數(shù)據(jù)電流Idata通過(guò)數(shù)據(jù)線Xm提供給所述像素電路50。而且，與所述數(shù)據(jù)電流Idata相對(duì)的電荷量保持在保持電容器Cn中。這時(shí)，構(gòu)成像素電路50的電流控制電路部60的5個(gè)第1～第5晶體管Qd1～Qd5如圖7所示，彼此并聯(lián)。第1～第5晶體管Qd1～Qd5彼此并聯(lián)而成的電流控制電路部60的合成增益系數(shù)βpo變?yōu)?βd。在保持電容器Cn中存儲(chǔ)有保持該狀態(tài)的電荷。
接著，從所述掃描線驅(qū)動(dòng)電路1 3在給定的發(fā)光期間T2中，通過(guò)第1副掃描線Yn1提供使第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2為截止裝置的第1掃描信號(hào)SC1。此外，這時(shí)，從掃描線驅(qū)動(dòng)電路1 3通過(guò)第2副掃描線Yn2提供使第3開(kāi)關(guān)用晶體管Q3為導(dǎo)通狀態(tài)的第3掃描信號(hào)SC3。從掃描線驅(qū)動(dòng)電路13通過(guò)第3副掃描線Yn3提供使第4～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q4～Q7為截止裝置的第3掃描信號(hào)SC3。
如果被提供使第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2為截止裝置的第1掃描信號(hào)SC1，則第1和第2開(kāi)關(guān)用晶體管Q1、Q2分別變?yōu)榻刂寡b置。此外，如果被提供使第3開(kāi)關(guān)用晶體管Q3為導(dǎo)通狀態(tài)的第3掃描信號(hào)SC3，則第3開(kāi)關(guān)用晶體管Q3變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。如果被提供使第4～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q4～Q7為截止裝置的第3掃描信號(hào)SC3，則第4～第7開(kāi)關(guān)用晶體管Q4～Q7變?yōu)榻刂寡b置。
圖8是所述發(fā)光期間T2中的像素電路50的等效電路。發(fā)光期間T2中的電流控制電路部60如圖8所示，構(gòu)成電流控制電路部60的5個(gè)第1～第5晶體管Qd1～Qd5彼此串聯(lián)。5個(gè)第1～第5晶體管Qd1～Qd5彼此串聯(lián)而成的電流控制電路部60的合成增益系數(shù)βso變?yōu)棣耫/5。
而且，像素電路50根據(jù)保持在所述保持電容器Cn中的與數(shù)據(jù)電流Idata相對(duì)的電荷量所對(duì)應(yīng)的所述電壓，用彼此串聯(lián)的第1～第5晶體管Qd1～Qd5生成驅(qū)動(dòng)電流Ie1。而且，通過(guò)把所述驅(qū)動(dòng)電流Ie1提供給有機(jī)EL元件21，有機(jī)EL元件21按照驅(qū)動(dòng)電流Ie1的電流水平發(fā)光。
結(jié)果，在具有電流控制電路部60的像素電路50中，也能取得與所述實(shí)施例1同樣的效果。
(實(shí)施例3)下面，根據(jù)圖9和圖10說(shuō)明作為實(shí)施例1和2中說(shuō)明的電光裝置的有機(jī)EL顯示器10在電子儀器中的應(yīng)用。有機(jī)EL顯示器10能應(yīng)用于移動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、數(shù)字相機(jī)等各種電子儀器。
圖9是表示移動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)的立體圖。在圖9中，個(gè)人計(jì)算機(jī)70具有設(shè)置了鍵盤71的主體部72、使用了所述有機(jī)EL顯示器10的顯示部件73。
這時(shí)，使用了所述有機(jī)EL顯示器10的顯示部件73也發(fā)揮與所述實(shí)施例同樣的效果。
圖10是表示移動(dòng)電話的結(jié)構(gòu)的立體圖。在圖10中，移動(dòng)電話80具有多個(gè)操作按鍵81、受話口82、送話口83、使用了所述有機(jī)EL顯示器10的顯示部件84。
此外，發(fā)明的實(shí)施例并不局限于所述實(shí)施例，也可以按如下實(shí)施。
在所述實(shí)施例中，構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30的5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs彼此串聯(lián)，構(gòu)成電流供給電路部40的5個(gè)電流供給用晶體管Qp彼此并聯(lián)。結(jié)果，通過(guò)向像素電路20供給具有比驅(qū)動(dòng)電流Ie1大的電流水平的數(shù)據(jù)電流Idata，縮短了向保持電容器Cn的寫入時(shí)間。也可以把構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30的5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs彼此并聯(lián)，把構(gòu)成電流供給電路部40的5個(gè)電流供給用晶體管Qp彼此串聯(lián)。由此，能實(shí)現(xiàn)包含根據(jù)具有小的電流水平的數(shù)據(jù)電流Idata，生成具有大的電流水平的驅(qū)動(dòng)電流Ie1的放大功能的電子裝置。能向像素電路20供給具有更大電流水平的數(shù)據(jù)電流Idata。結(jié)果，在所述有機(jī)EL顯示器10以外，也能應(yīng)用于MRAM(磁阻元件)等的存儲(chǔ)器、光檢測(cè)元件等檢測(cè)裝置。
在所述實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30由5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs構(gòu)成。此外，電流供給電路部40由5個(gè)電流供給用晶體管Qp構(gòu)成。也可以由5個(gè)以上或5個(gè)以下的驅(qū)動(dòng)用晶體管Qs構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電流生成電路部30。此外，也可以由5個(gè)以上或5個(gè)以下的電流供給用晶體管Qp構(gòu)成電流供給電路部40。由此，與以往的像素電路相比，不削減開(kāi)口率，能向像素電路20供給具有比驅(qū)動(dòng)電流Ie1大的電流量的數(shù)據(jù)電流Idata。
關(guān)于變更了所述實(shí)施例1和2的各晶體管的極性的結(jié)構(gòu)，也能取得同樣的效果。
在所述實(shí)施例中，使用有機(jī)EL元件21作為電子元件，但是也可以把它適合于其他電子元件。例如，可以適合于LED和FED等發(fā)光元件。
在所述實(shí)施例中，作為電子裝置，適合于使用了具有有機(jī)EL元件21的像素電路20的有機(jī)EL顯示器10，但是它也可以適合于使用了具有發(fā)光層由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的無(wú)機(jī)EL元件的像素電路的顯示器。
在所述實(shí)施例中，是設(shè)置了由1色構(gòu)成的有機(jī)EL元件21的像素電路20、50的有機(jī)EL顯示器10，但是也可以應(yīng)用于對(duì)紅色、綠色、藍(lán)色等三色有機(jī)EL元件21設(shè)置了各色用像素電路20、50的EL顯示器。
權(quán)利要求
1.一種電子電路，其特征在于包括具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第1電路部和所述第2電路部中的至少任意一個(gè)包含串聯(lián)或并聯(lián)的單位元件。
2.一種電子電路，其特征在于包括具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第1電路部包含并聯(lián)的多個(gè)單位元件。
3.一種電子電路，其特征在于包括具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第2電路部包含串聯(lián)的多個(gè)單位元件。
4.一種電子電路，其特征在于包括具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第1電路部包含并聯(lián)的多個(gè)單位元件；所述第2電路部包含串聯(lián)的多個(gè)單位元件。
5.一種電子電路，其特征在于包括具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第1電路部和所述第2電路部的至少任意一個(gè)包含電串聯(lián)或并聯(lián)的多個(gè)單位元件；所述多個(gè)單位元件的電連接由控制用元件控制。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任意一項(xiàng)所述的電子電路，其特征在于所述多個(gè)單位元件中至少有一個(gè)為所述第1電路部和所述第2電路部共用的單位元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任意一項(xiàng)所述的電子電路，其特征在于所述多個(gè)單位元件具有同一驅(qū)動(dòng)能力。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任意一項(xiàng)所述的電子電路，其特征在于統(tǒng)一形成所述多個(gè)單位元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任意一項(xiàng)所述的電子電路，其特征在于所述第1電流水平比所述第2電流水平大。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任意一項(xiàng)所述的電子電路，其特征在于所述第2電流水平比所述第1電流水平大。
11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任意一項(xiàng)所述的電子電路，其特征在于包含供給所述第2電流的電子元件。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子電路，其特征在于所述電子元件是電光元件或電流驅(qū)動(dòng)元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子電路，其特征在于所述電子元件是有機(jī)EL元件。
14.一種電子裝置，具有第1信號(hào)線和第2信號(hào)線、多個(gè)單位電路，其特征在于所述多個(gè)單位電路分別包括與所述第1信號(hào)線連接，由從所述第1信號(hào)線供給的開(kāi)關(guān)信號(hào)控制其導(dǎo)通狀態(tài)或截止裝置的開(kāi)關(guān)元件；與所述第2信號(hào)線連接，通過(guò)所述開(kāi)關(guān)元件變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，使從所述第2信號(hào)線供給的具有通過(guò)第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第1電路部和所述第2電路部中的至少任意一個(gè)包含串聯(lián)或并聯(lián)的單位元件。
15.一種電子裝置，具有第1信號(hào)線和第2信號(hào)線、多個(gè)單位電路，其特征在于所述多個(gè)單位電路分別包括與所述第1信號(hào)線連接，由從所述第1信號(hào)線供給的開(kāi)關(guān)信號(hào)控制其導(dǎo)通狀態(tài)或截止裝置的開(kāi)關(guān)元件；與所述第2信號(hào)線連接，通過(guò)所述開(kāi)關(guān)元件變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，使從所述第2信號(hào)線供給的具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第1電路部包含并聯(lián)的多個(gè)單位元件。
16.一種電子裝置，具有第1信號(hào)線和第2信號(hào)線、多個(gè)單位電路，其特征在于所述多個(gè)單位電路分別包括與所述第1信號(hào)線連接，由從所述第1信號(hào)線供給的開(kāi)關(guān)信號(hào)控制其導(dǎo)通狀態(tài)或截止裝置的開(kāi)關(guān)元件；與所述第2信號(hào)線連接，通過(guò)所述開(kāi)關(guān)元件變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，使從所述第2信號(hào)線供給的具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第2電路部包含串聯(lián)的多個(gè)單位元件。
17.一種電子裝置，具有第1信號(hào)線和第2信號(hào)線、多個(gè)單位電路，其特征在于所述多個(gè)單位電路分別包括與所述第1信號(hào)線連接，由從所述第1信號(hào)線供給的開(kāi)關(guān)信號(hào)控制其導(dǎo)通狀態(tài)或截止裝置的開(kāi)關(guān)元件；與所述第2信號(hào)線連接，通過(guò)所述開(kāi)關(guān)元件變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，使從所述第2信號(hào)線供給的具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第1電路部包含并聯(lián)的多個(gè)單位元件；所述第2電路部包含串聯(lián)的多個(gè)單位元件。
18.一種電子裝置，具有第1信號(hào)線和第2信號(hào)線、多個(gè)單位電路，其特征在于所述多個(gè)單位電路分別包括與所述第1信號(hào)線連接，由從所述第1信號(hào)線供給的開(kāi)關(guān)信號(hào)控制其導(dǎo)通狀態(tài)或截止裝置的開(kāi)關(guān)元件；與所述第2信號(hào)線連接，通過(guò)所述開(kāi)關(guān)元件變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，使從所述第2信號(hào)線供給的具有第1電流水平的第1電流通過(guò)的第1電路部；保持與所述第1電流水平相應(yīng)的電荷量的電容元件；根據(jù)保持在所述電容元件中的所述電荷量，生成具有與所述第1電流水平不同的第2電流水平的第2電流的第2電路部；所述第1電路部和所述第2電路部的至少任意一個(gè)包含電串聯(lián)或并聯(lián)的多個(gè)單位元件；所述多個(gè)單位元件的電連接由控制用元件控制。
19.根據(jù)權(quán)利要求14～18中任意一項(xiàng)所述的電子裝置，其特征在于所述多個(gè)單位元件中至少有一個(gè)為所述第1電路部和所述第2電路部共用的單位元件。
20.根據(jù)權(quán)利要求14～18中任意一項(xiàng)所述的電子裝置，其特征在于所述多個(gè)單位元件具有同一驅(qū)動(dòng)能力。
21.根據(jù)權(quán)利要求14～20中任意一項(xiàng)所述的電子裝置，其特征在于統(tǒng)一形成所述多個(gè)單位元件。
22.根據(jù)權(quán)利要求14～21中任意一項(xiàng)所述的電子裝置，其特征在于所述第1電流水平比所述第2電流水平大。
23.根據(jù)權(quán)利要求14～21中任意一項(xiàng)所述的電子裝置，其特征在于所述第2電流水平比所述第1電流水平大。
24.根據(jù)權(quán)利要求14～23中任意一項(xiàng)所述的電子裝置，其特征在于包含供給所述第2電流的電子元件。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的電子裝置，其特征在于所述電子元件是電光元件或電流驅(qū)動(dòng)元件。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的電子裝置，其特征在于所述電子元件是有機(jī)EL元件。
27.一種電子儀器，其特征在于安裝了權(quán)利要求1～13中任意一項(xiàng)所述的電子電路。
28.一種電子儀器，其特征在于安裝了權(quán)利要求14～25中任意一項(xiàng)所述的電子裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子電路、電子裝置及電子儀器。通過(guò)串聯(lián)具有彼此相等的增益系數(shù)的5個(gè)驅(qū)動(dòng)用晶體管(Qs)，形成驅(qū)動(dòng)電流生成電路部(30)。通過(guò)并聯(lián)具有彼此相等的增益系數(shù)的5個(gè)電流供給用晶體管(Qp)，形成電流供給電路部(40)。而且，所述驅(qū)動(dòng)用晶體管(Qs)的各柵極與所述電流供給用晶體管(Qp)的各柵極連接。而且，所述電流供給電路部(40)與供給數(shù)據(jù)電流(Idatam)的數(shù)據(jù)線Xm電連接。此外，由所述驅(qū)動(dòng)電流生成電路部(30)生成的驅(qū)動(dòng)電流(Ie1)提供給有機(jī)EL元件(21)。由此可縮短數(shù)據(jù)的寫入時(shí)間并節(jié)省電力的消耗。
文檔編號(hào)G09G3/32GK1490778SQ0312498
公開(kāi)日2004年4月21日 申請(qǐng)日期2003年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月26日
發(fā)明者河西利幸 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社