專利名稱：低溫多晶硅平面顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種平面顯示面板，且特別是有關(guān)于一種低溫多晶硅(LawTemperature Poly Silicon，LTPS)平面顯示面板。
背景技術(shù)：
信息通信產(chǎn)業(yè)已成為現(xiàn)今的主流產(chǎn)業(yè)，特別是攜帶型的各式通信顯示產(chǎn)品更是發(fā)展的重點(diǎn)，其中當(dāng)然也包括了平面顯示面板?，F(xiàn)在應(yīng)用在平面顯示面板的技術(shù)主要有下列幾種等離子顯示板(Plasma Display Panel，PDP)、液晶顯示面板(Liquid Crystal Display，LCD)、無(wú)機(jī)電激發(fā)光顯示面板(Electro-luminescent Display)、發(fā)光二極管陣列顯示面板(Light EmittingDiode Display)、真空螢光顯示面板(Vacuum Fluorescent Display)、場(chǎng)致發(fā)射顯示面板(Field Emission Display，F(xiàn)ED)以及電變色顯示面板(Electro-chromic Display)等。然而，與其他平面顯示技術(shù)相比較，低溫多晶硅平面顯示面板因其畫面清晰度高、省電、制造簡(jiǎn)易、低成本、低操作溫度范圍等優(yōu)點(diǎn)而具有極大的應(yīng)用潛力，可望成為下一代的平面顯示面板的主流。
請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為習(xí)知的低溫多晶硅平面顯示面板操作時(shí)序圖，當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg在低電平時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata無(wú)法寫入。而當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg為高電平的T1時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata開始寫入，使得像素(Pixel)電壓Vpixel開始上升。在T2時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg轉(zhuǎn)為低電平，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata傳送完畢，像素電壓Vpixel充電完成且繼續(xù)維持，以點(diǎn)亮該像素。在T3時(shí)，發(fā)生如拔去電池等不正常斷電的情況，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg和數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata瞬間變?yōu)?伏特，因?yàn)橄袼仉娐返腘MOS薄膜晶體管(TFT)已關(guān)斷，致仍然維持其電平而無(wú)法立即完全放電，所以會(huì)在顯示面板上留下殘影，殘影存留的時(shí)間可能為數(shù)十秒到幾分鐘不等。
請(qǐng)參照?qǐng)D2，圖2為習(xí)知的低溫多晶硅平顯示面板的像素電路NMOS薄膜晶體管的特性圖。其中，Vgl為柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg的低電平，Vgh為柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg的高電平。如前所述造成的殘影現(xiàn)象的原因，是因?yàn)镹MOS薄膜晶體管的閾值電壓(Threshold Voltage)與驅(qū)動(dòng)電路相同地為大于0伏特，因此，在柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg變?yōu)?伏特時(shí)，關(guān)斷NMOS薄膜晶體管，以致像素電壓Vpixel無(wú)法立即完成放電。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的就是在提供一種低溫多晶硅平面顯示面板，使其在不正常斷電時(shí)，不會(huì)在顯示面板上出現(xiàn)殘影。
本發(fā)明提供一種低溫多晶硅平面顯示面板，該低溫多晶硅平面顯示面板包括像素電路及驅(qū)動(dòng)電路，像素電路具有驅(qū)動(dòng)顯示面板像素的NMOS薄膜晶體管，且NMOS薄膜晶體管的閾值電壓不大于0伏特。而驅(qū)動(dòng)電路則連接到像素電路，用以產(chǎn)生一柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，來(lái)驅(qū)動(dòng)上述的NMOS薄膜晶體管。其中柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)具有一高電平，以及一低電平，而上述的NMOS薄膜晶體管的閾值電壓大于該柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的低電平。
因?yàn)樗鯪MOS薄膜晶體管閾值電壓不大于0伏特，使得低溫多晶硅平面顯示面板即使不正常斷電，依舊不會(huì)出現(xiàn)殘影。
本發(fā)明還提供一種低溫多晶硅平面顯示面板，該低溫多晶硅平面顯示面板，包括像素電路及驅(qū)動(dòng)電路，像素電路具有驅(qū)動(dòng)顯示面板像素的多個(gè)PMOS薄膜晶體管，且PMOS薄膜晶體管的閾值電壓不小于0伏特。而驅(qū)動(dòng)電路則連接像素電路，用以產(chǎn)生一柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，來(lái)驅(qū)動(dòng)所述PMOS薄膜晶體管。其中柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)具有一高電平，以及一低電平。而上述的PMOS薄膜晶體管的閾值電壓小于柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的高電平。
因?yàn)樗鯬MOS薄膜晶體管閾值電壓不小于0伏特，使得低溫多晶硅平面顯示面板即使不正常斷電，依舊不會(huì)出現(xiàn)殘影。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是公知的低溫多晶硅平面顯示面板操作時(shí)序圖；圖2是公知的低溫多晶硅平面顯示面板的像素電路的NMOS薄膜晶體管特性圖；
圖3是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的一種低溫多晶硅平面顯示面板示意圖；圖4是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的低溫多晶硅平面顯示面板的操作時(shí)序圖；圖5是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的像素電路的NMOS薄膜晶體管特性圖以及圖6是表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的一種低溫多晶硅平面顯示面板示意圖；附圖標(biāo)記說明10 像素電路11 NMOS薄膜晶體管12 顯示像素13 電容20 驅(qū)動(dòng)電路30 像素電路31 PMOS薄膜晶體管32 顯示像素33 電容40 驅(qū)動(dòng)電路具體實(shí)施方式

請(qǐng)參照?qǐng)D3，其表示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的低溫多晶硅平面顯示面板示意圖，其中，所表示的像素電路圖10，僅以在低溫多晶硅顯示面板的多個(gè)像素里的其中之一為代表。驅(qū)動(dòng)電路20連接到像素電路10。其中像素電路10包含NMOS薄膜晶體管11、顯示像素12、以及電容13。驅(qū)動(dòng)電路20將柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg連接到NMOS薄膜晶體管11的柵極端，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata連接到NMOS薄膜晶體管11的漏極端。顯示像素12與電容13連接到NMOS薄膜晶體管11的源(Source)極端，而像素電壓Vpixel則控制顯示像素12的明暗色彩的變化。
驅(qū)動(dòng)電路20會(huì)送一柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg，以驅(qū)動(dòng)NMOS薄膜晶體管11，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg具有高電平為10伏特，低電平為-5伏特。而NMOS薄膜晶體管11的閾值電壓小于或等于0伏特，但大于-5伏特。
當(dāng)該柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg為-5伏特時(shí)，低于該NMOS薄膜晶體管11的閾值電壓，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata不可寫入。當(dāng)該柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg為10伏特時(shí)，大于該NMOS薄膜晶體管11的閾值電壓，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata可以寫入，于是對(duì)電容13充電。若此時(shí)不正常的斷電，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg會(huì)瞬間變?yōu)?伏特，此時(shí)由于仍高于閾值電壓，所以電容13可快速放電，而不會(huì)造成殘影現(xiàn)象。
請(qǐng)參照?qǐng)D4，圖4為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的低溫多晶硅平面顯示面板的操作時(shí)序圖。柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg在低電平時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata不可寫入，所以像素電壓Vpixel維持在低電平。在柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg在高電平的T1時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata開始寫入，于是像素電壓Vpixel開始充電。到T2時(shí)充電完成，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg也降回低電平，于是像素電壓Vpixel維持在所需的電平。在T3時(shí)，顯示面板不正常斷電，但像素電壓Vpixel可以立即完成放電，而不會(huì)在顯示面板上造成殘影現(xiàn)象。
請(qǐng)參照?qǐng)D5，圖5為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的低溫多晶硅平顯示面板的像素電路的NMOS薄膜晶體管特性圖，本實(shí)施例的NMOS薄膜晶體管的閾值電壓不大于0伏特，所以在柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg變?yōu)?伏特時(shí)，NMOS薄膜晶體管不會(huì)關(guān)斷，以致像素電壓Vpixel可以立即完成放電。
請(qǐng)參照?qǐng)D6，其表示依照本發(fā)明第二實(shí)施例的低溫多晶硅平面顯示面板示意圖，驅(qū)動(dòng)電路40連接到像素電路30。其中像素電路包含PMOS薄膜晶體管31、顯示像素32、以及電容33。驅(qū)動(dòng)電路將柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg連接到一PMOS薄膜晶體管31的柵極端，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata連接到該P(yáng)MOS薄膜晶體管31的漏極端。顯示像素32與電容33連接到該P(yáng)MOS薄膜晶體管31的源極端，電容33的端電壓Vpixel，則控制顯示像素32的明暗色彩的變化。
該驅(qū)動(dòng)電路40會(huì)送一柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg，以驅(qū)動(dòng)PMOS薄膜晶體管31，該柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg具有高電平為Vgh，低電平為Vgl。而該P(yáng)MOS薄膜晶體管11的閾值電壓大于或等于0伏特，但小于Vgh。
因?yàn)镻MOS薄膜晶體管的工作特性，與NMOS薄膜晶體管剛好相反，所以柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg的工作情況，也與上一實(shí)施例相反，因此，在此不再贅述。
雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可進(jìn)行更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以所提出的權(quán)利要求限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種低溫多晶硅平面顯示面板，包括一像素電路，具有驅(qū)動(dòng)顯示面板像素的多個(gè)NMOS薄膜晶體管，所述NMOS薄膜晶體管的閾值電壓不大于0伏特；以及一驅(qū)動(dòng)電路，連接該像素電路，產(chǎn)生一柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，用以驅(qū)動(dòng)所述NMOS薄膜晶體管。
2.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅平面顯示面板，其中所述NMOS薄膜晶體管的閾值電壓大于該柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的一低電平。
3.如權(quán)利要求2所述的低溫多晶硅平面顯示面板，其中該低電平為-5伏特。
4.一種低溫多晶硅平面顯示面板，包括一像素電路，具有驅(qū)動(dòng)顯示面板像素的多個(gè)PMOS薄膜晶體管，所述PMOS薄膜晶體管的閾值電壓不小于0伏特；以及一驅(qū)動(dòng)電路，連接該像素電路，產(chǎn)生一柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，用以驅(qū)動(dòng)所述PMOS薄膜晶體管。
5.如權(quán)利要求4所述的低溫多晶硅平面顯示面板，其中所述PMOS薄膜晶體管的閾值電壓小于該柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的一高電平。
全文摘要
一種低溫多晶硅平面顯示面板，包含一像素電路及一驅(qū)動(dòng)電路，該像素電路具有多個(gè)NMOS薄膜晶體管，使所述NMOS薄膜晶體管的閾值電壓在0伏特以下，使得該面板在不正常斷電時(shí)，像素電路還能正常放電，解決顯示面板殘影的問題。
文檔編號(hào)G09G3/00GK1581246SQ0315308
公開日2005年2月16日 申請(qǐng)日期2003年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月12日
發(fā)明者林孝義, 黃繡琪 申請(qǐng)人:統(tǒng)寶光電股份有限公司