專利名稱：每個單元中包括肖克萊二極管的雙穩(wěn)態(tài)有機電致發(fā)光板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有記憶效應(yīng)的電致發(fā)光圖像顯示板、一種包括此板的設(shè)備以及一種驅(qū)動此板以便顯示圖像的方法。
背景技術(shù)：
已經(jīng)公知的是包括有放置在如基于多晶硅等半導(dǎo)體基片上的電致發(fā)光單元陣列的電致發(fā)光板；這種板通常是有源矩陣板。
被稱為“雙穩(wěn)態(tài)”或“記憶效應(yīng)”板的電致發(fā)光板是公知的，其中，每個電致發(fā)光單元—可以響應(yīng)選擇激活電壓尋址信號，從穩(wěn)定的關(guān)(OFF)狀態(tài)切換到穩(wěn)定的開(ON)狀態(tài)，或者反之，響應(yīng)擦除電壓尋址信號，從穩(wěn)定的開狀態(tài)切換到穩(wěn)定的關(guān)狀態(tài)；以及—通過施加對于板上的所有單元都相同的持續(xù)電壓，可以保持在通過此地址信號已經(jīng)設(shè)置了的關(guān)或開狀態(tài)。
參考文獻(xiàn)US 4035774-IBM、US 4808880-CENT和US 6188175 B1-CDT公開了這種類型的板，其中，每個單元包括堆疊并串聯(lián)的電致發(fā)光層和光電導(dǎo)層。
參考文獻(xiàn)FR 2 037 158描述了這種類型的板，其中，每個單元包括串聯(lián)的光發(fā)射二極管和p-n-p-n結(jié)。在此文獻(xiàn)中所公開的板的缺點在于必須通過三個電極陣列進行驅(qū)動，這是因為在此文獻(xiàn)圖3和圖4中所描述的設(shè)備包括—公共電極陣列，將每個光發(fā)射二極管的接線端之一與發(fā)生器20和21(圖3)或51和54(圖4)的接線端(正接線端)相連；—只侍服于尋址(即對p-n-p-n結(jié)的狀態(tài)的切換)的電極陣列，將每個p-n-p-n結(jié)的接線端之一直接與選擇裝置23或53相連；
—只侍服于持續(xù)(即尋址之后的單元的電源)的電極陣列，將每個p-n-p-n結(jié)的相同接線端通過充電限制電阻于選擇裝置23或53相連。
因而，在參考文獻(xiàn)FR 2 037 158中公開的板包括三個電極陣列。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是，簡化設(shè)置有p-n-p-n結(jié)的板的結(jié)構(gòu)；另一目的是，提供適用于這些簡化板的驅(qū)動裝置。
為此目的，本發(fā)明的主題是一種圖像顯示板，所述圖像顯示板包括放置在基片上的電致發(fā)光單元陣列、第一和第二電極陣列，其中，每個單元包括串聯(lián)在所述第一陣列電極和所述第二陣列電極之間的有機電致發(fā)光層和p-n-p-n或n-p-n-p結(jié)，其中，對于每個單元，所述板的電極并不直接與所述結(jié)的n型中間子層或p型中間子層相連。
設(shè)計這種結(jié)，作為肖克萊二極管(Shockley diode)進行工作；從而，獲得新型的雙穩(wěn)態(tài)板。
n型中間子層或p型中間子層，在n1-p1-n2-p2堆疊中，對應(yīng)于子層p1和n2，或者在p’1-n’1-p’2-n’2堆疊中，對應(yīng)于子層n’1和p’2；在傳統(tǒng)的p-n-p-n或n-p-n-p結(jié)中，這些中間子層可以用作設(shè)置結(jié)的狀態(tài)-導(dǎo)通或關(guān)斷-的“觸發(fā)器”，有時，這完全不是本發(fā)明中的情況；這是因為，按照本發(fā)明，這些子層并不與板的每個電極相連，從而極大地簡化了板的生產(chǎn)。
結(jié)的n-p或p-n界面的平面可以與多個單元的發(fā)射表面的平面平行或者垂直于所述平面。
這種雙穩(wěn)態(tài)板勝出現(xiàn)有技術(shù)的板的主要優(yōu)點是，在所述雙穩(wěn)態(tài)板中，借助于每個單元內(nèi)部的光電導(dǎo)元件獲得雙穩(wěn)態(tài)效應(yīng)。這是因為—所獲得的記憶效應(yīng)與環(huán)境光無關(guān)；在具有光電導(dǎo)元件的板中，環(huán)境光的效應(yīng)可能會使這些元件偶然發(fā)生錯誤；在按照本發(fā)明的板中，完全消除了這種風(fēng)險；而且—這種板在電致發(fā)光元件的接線端以及在p-n-p-n或n-p-n-p結(jié)的接線端都不需要分路(shunt)；這種板不需要放大層。
因而，與前述FR 2 037 158中公開的板不同，在這里，板只包括兩個電極陣列；因而，僅利用兩個電極陣列來獲得雙穩(wěn)態(tài)記憶效應(yīng)板，由此，極大地簡化了板的生產(chǎn)。
總之，本發(fā)明的主題是一種板，所述板包括放置在基片上的電致發(fā)光單元陣列、第一和第二電極陣列，其中每個單元包括串聯(lián)在所述第一陣列電極和所述第二陣列電極之間的有機電致發(fā)光層和p-n-p-n或n-p-n-p結(jié)，而且其中，所述板的電極并不直接與所述p-n-p-n或n-p-n-p結(jié)的n型中間子層或p型中間子層相連。
優(yōu)選地，所述多個單元的所述p-n-p-n或n-p-n-p結(jié)通過絕緣元件相互電絕緣。
優(yōu)選地，每個單元包括插入在所述電致發(fā)光層與所述結(jié)之間的電荷注入元件。
優(yōu)選地，所述電荷注入元件是不透明的。
本發(fā)明的主題也是一種用于顯示被分成象素或子象素的圖像的設(shè)備，所述設(shè)備包括按照前述權(quán)利要求之一所述的板，其特征在于所述設(shè)備包括電源和驅(qū)動裝置—適用于將被稱為寫入觸發(fā)信號Va的信號接連地施加在當(dāng)時處于尋址階段的第二陣列的每個電極上，以及，在此期間，將被稱為持續(xù)信號VS的信號施加在當(dāng)時處于持續(xù)階段的第二陣列的其他電極上；以及—在將寫入信號Va施加在第二陣列的所述電極上期間，適用于將被稱為狀態(tài)信號的信號同時施加在第一陣列的電極上，根據(jù)是否想要在第二陣列的這個電極隨后的持續(xù)階段期間、分別不激活或激活連接在第一陣列的所述電極與第二陣列的所述電極之間的單元，所述狀態(tài)信號或者為VOff，或者為VOn。
按照驅(qū)動矩陣板的傳統(tǒng)方法，兩個尋址階段之間的持續(xù)階段的持續(xù)時間使其能夠?qū)Π迳蠁卧牧炼冗M行調(diào)制，具體地，產(chǎn)生顯示每幅圖像所需的灰度級。
優(yōu)選地，如果VT是板上單元的接線端上的電壓，在此電壓VT之上，使處于未激活或關(guān)狀態(tài)的單元切換到激活或開狀態(tài)，并且如果VD是板上單元的接線端上的電壓，在此電壓VD之下，使處于激活或開狀態(tài)的單元切換到未激活或關(guān)狀態(tài)，由于Voff大于Von，設(shè)計所述電源和驅(qū)動裝置，使得—Va-Von≥VT而Va-Voff＜VT—VS-Von＜VT而VS-Voff＞VD。
優(yōu)選地，所述電源和驅(qū)動裝置也適用于在第二陣列電極的每個尋址階段，同時將被稱為補償信號的信號VC施加在第一陣列的多個電極上，其中，對于在所述尋址階段接收到數(shù)據(jù)信號Von的第一陣列的電極，VC＝VOff，而對于在所述尋址階段接收到數(shù)據(jù)信號Voff的第一陣列的電極，VC＝Von。
從而，這樣也防止為了尋址第二陣列的電極而向第一陣列的電極發(fā)送的信號在其處于持續(xù)階段的同時影響此第二陣列的其他電極，因此干擾了與這些電極相對應(yīng)的亮度級。
優(yōu)選地，設(shè)計所述電源和驅(qū)動裝置，使得在每個尋址階段，施加所述補償信號VC的持續(xù)時間大約等于施加數(shù)據(jù)信號Von或Voff的持續(xù)時間。


在閱讀以下作為非限制性示例并參照附圖所給出的描述時，將更為清楚地理解本發(fā)明，其中圖1示出了如圖6所示的單元的電路圖；圖2示出了圖1所示的兩個串聯(lián)元件的電流電壓特性；圖3示出了在向圖1和圖6中的單元的接線端上施加電壓的循環(huán)期間，由該單元發(fā)射的光強度中的變化；圖4示出了在使用如圖5所示的驅(qū)動方法時，施加在此單元的接線端上的多種電壓；圖5按照設(shè)置有如圖1和圖6所示、由這些電極所連接的單元的本發(fā)明示出了施加在兩個行電極Yn和Yn+1上以及施加在列電極Xp上的電壓的時序圖；以及圖6是本發(fā)明一個實施例的板的單元的示意性橫截面。
示出了時序圖的附圖并未考慮數(shù)值的比例，以便更好地展示出如果考慮到比例而不能清晰表現(xiàn)出的特定細(xì)節(jié)。
具體實施例方式
可以如下制造按照本發(fā)明一個實施例的板1、在基片7上沉積導(dǎo)電薄膜，如基于鋁的導(dǎo)電薄膜等；2、為了獲得行電極陣列Yn，刻蝕導(dǎo)電薄膜；3、在基片的整個有源表面上，沉積順序摻雜了p-n-p-n的四層層疊層半導(dǎo)體材料，以便獲得適用于形成肖克萊型結(jié)的疊層；例如，通過化學(xué)氣相沉積，沉積a-Si的層疊層，通過適當(dāng)?shù)剡x擇沉積氣體的特性，對這些層中的每一層進行不同的摻雜；4、在基片的整個有源表面上，沉積有機電致發(fā)光層的電荷注入材料；優(yōu)選地，為了防止光到達(dá)p-n-p-n結(jié)的層，選擇不透明材料；5、刻蝕在步驟3和步驟4沉積的層，以便形成用于絕緣每個象素或子象素的p-n-p-n肖克萊二極管2和注入層元件；使用適當(dāng)選擇的刻蝕處理，從而在鋁電極線上停止刻蝕；6、為了絕緣，在每個象素或子象素特定的p-n-p-n結(jié)和注入層元件之間應(yīng)用電絕緣4，通過旋涂在絕緣層的整個表面上沉積光敏聚合物，之后，在此層中，產(chǎn)生限定了每個象素的發(fā)射區(qū)域的孔；方便地，應(yīng)用此絕緣體能夠使表面變平，以便準(zhǔn)備用有機OLED多層進行涂覆；7、通過蒸發(fā)，在整個表面上進行如CuPC/TPD/Alq3型傳統(tǒng)OLED多層等有機電致發(fā)光層的傳統(tǒng)沉積；在彩色板的情況下，使用掩膜，有選擇并順序地沉積針對多種顏色—紅、綠和藍(lán)的三種OLED多層；8、例如，通過沉積LiF/Al/ITO多層等，通過沉積透明或半透明的導(dǎo)電材料，形成與行電極垂直的列電極Xp的陣列；可以通過掩膜進行有選擇的沉積形成這些電極；如果表面上包括如陰極分離器等形態(tài)特征(topographical feature)，也可以在整個表面上形成這種多層，由這些特征分隔，從而形成電極；以及9、以眾所周知的方式，封裝整個部件。
圖6示出了通過此處理所獲得的板上的單元的橫截面，其中，將多個層表示如下1鋁行電極；2順序摻雜p-n-p-n的a-Si疊層；3導(dǎo)電不透明的電荷注入層；4使單元相互電絕緣的聚合物層；5有機電致發(fā)光層；6透明或半透明的列電極；7基片。
從而，在多個單元的p-n-p-n結(jié)之間，層4形成絕緣元件。
在每個單元，電荷注入層3形成電荷注入元件；由絕緣元件將多個單元的電荷注入元件相互電絕緣；這些注入元件并不與陣列的任何電極相連。
所獲得的板的結(jié)的n-p或p-n界面的平面在這種情況下以對于每個單元堆疊p-n-p-n結(jié)和有機電致發(fā)光層的方式平行于多個單元的發(fā)射表面的平面。
對于每個單元所獲得的記憶效應(yīng)被設(shè)計成能夠使用一種連續(xù)針對板上的每行單元的步驟，包括尋址階段，企圖接通此行中要被接通的單元；以及然后，持續(xù)階段，企圖將此行的單元保持在先前尋址階段已經(jīng)設(shè)置或釋放的狀態(tài)下；當(dāng)一行單元處于尋址階段時，板上其他行的所有單元均處于持續(xù)階段。
按照驅(qū)動矩陣板的傳統(tǒng)方法，持續(xù)階段的持續(xù)時間用以對板上單元的亮度進行調(diào)制，尤其用以產(chǎn)生顯示每幅圖像所需的灰度級。
因而，通過以下步驟實現(xiàn)一種采用板上單元的記憶效應(yīng)的驅(qū)動方法—在尋址階段期間，將接通電壓Va-Von只施加在要被接通單元的接線端上；以及—在持續(xù)階段期間，向所有單元的接線端施加持續(xù)電壓，該持續(xù)電壓可以波動，但對于先前被接通的單元，必須保持足夠高，以保持接通，并且足夠低，不至于冒險接通先前被關(guān)斷的單元。
因而，尋址階段是選擇階段；相反，保持階段是非選擇性的，能夠向所有單元的接線端施加相同的電壓，并極大地簡化了驅(qū)動該板的方式。
實際上，存在兩大類驅(qū)動這種板的方法—或者，順序?qū)ぶ钒宓乃行?，然后，啟動持續(xù)階段；于是，尋址和持續(xù)階段在時間上相互分離；—或者，當(dāng)正在對一行或一組行進行尋址的同時，其他行處于持續(xù)階段；因而，尋址和持續(xù)階段相互交錯。
具有相互分離的尋址和持續(xù)階段的第一種方法的缺點在于由于在尋址階段，板上的單元并不發(fā)光，板失去了最大亮度方面的性能。
從亮度的觀點來看，本發(fā)明涉及尋址和持續(xù)階段相互交錯的最大優(yōu)點；于是，問題在于針對一行的尋址而發(fā)送給列電極的信號也影響其他行，盡管這些行處于持續(xù)階段，因而，干擾了與這些行相對應(yīng)的單元亮度級；這樣，一行的單元亮度級受到發(fā)送給其他行的尋址信號的影響，干擾了圖像顯示質(zhì)量。
按照本發(fā)明的驅(qū)動方法能夠通過如下所述的補償操作，避免這個缺點。
圖1示出了連接在一個陣列的電極的點A和另一陣列的電極的點B之間的、如圖6所示的板上單元的等價電路圖；板上的每個單元可以在電學(xué)上表示為通過公共點C與p-n-p-n結(jié)SD串聯(lián)的發(fā)光二極管LED。
現(xiàn)在，我們將更為精確地描述如何在每個板單元的操作中方便地獲得記憶效應(yīng)。
圖2示出了圖1所示類型的單元的兩個元件LED和SD中的每一個的電流(I)-電壓(V)特性—實線表示OLED型發(fā)光二極管的傳統(tǒng)特性曲線；—虛線表示作為肖克萊型二極管進行工作的p-n-p-n結(jié)的傳統(tǒng)特性曲線，如在文章“Physique des semi-conducteurs et descomposants électroniques[Physics of semiconductors andelectronic components]”Henry Mathieu，Masson出版，第四版，ISBN2-225-83151-3，1997年中所描述的那樣；在低電壓處，此元件具有非常高的阻抗SDRH；在擊穿電壓SDVBO之上，此結(jié)的阻抗突然下降到SDRL＜＜SDRH的水平；之后，沿相反的方向，在被稱為熄滅電壓SDVO＜＜SDVBO以下，此結(jié)的阻抗再次顯著地升高到初始水平；在切換時，沿上升方向或沿下降方法，結(jié)中的電流被稱為SDIBO。
假設(shè)處于導(dǎo)通位置的p-n-p-n結(jié)的低阻抗SDRL與施加有擊穿電壓SDVBO量級的電壓的發(fā)光二極管LED的阻抗相比較較小；當(dāng)兩個元件LED和SD串聯(lián)時，在p-n-p-n結(jié)SD切換到低阻抗導(dǎo)通位置時發(fā)光二極管的接線端上的電壓被稱為LEDVBO。
如果CELLV是施加在兩個元件的串聯(lián)的接線端上的電壓，則CELLV＝SDV+LEDV，其中—SDV＝SDRH/(SDRH+LEDR)·CELLV (R1)—LEDV＝LEDRH/(SDRH+LEDR)·CELLV (R2)其中LEDR是發(fā)光二極管的動態(tài)阻抗。
如果I是此串聯(lián)中的電流強度，此串聯(lián)的特征曲線可以分為由過渡區(qū)分隔的兩個工作區(qū)域處于關(guān)狀態(tài)的第一工作區(qū)域，其中，I＜SDIBO；第一過渡關(guān)/開區(qū)域，其中，I接近SDIBO；處于開狀態(tài)的第二工作區(qū)域，其中I＞SDIBO；以及第二過渡開/關(guān)區(qū)域。
1、第一工作區(qū)域I＜SDIBO(關(guān)狀態(tài))在串聯(lián)的接線端上的電壓按照這些元件的動態(tài)電阻在元件LED和SD之間進行分配這樣，SDV＝SDRH·I，以及LEDV＝LEDRH·I。
其中，LEDRH是處于與p-n-p-n二極管未導(dǎo)通的區(qū)域相對應(yīng)的“高阻”區(qū)域中的發(fā)光二極管的動態(tài)電阻。
2、第一過渡區(qū)域p-n-p-n二極管的關(guān)/開切換設(shè)VT為關(guān)/開切換時施加在串聯(lián)的接線端上的電壓；連續(xù)地有以下狀態(tài)—剛好在切換到開狀態(tài)之前，CELLV＝VT-ε‘，而且SDVSDVBO，I＝SDIBO-ε；由于單元仍然處于關(guān)狀態(tài)，于是與先前一樣，VT-ε‘＝(SDRH+LEDRH)·(SDIBO-ε)，于是，在二極管的接線端的電壓LEDVBO為LEDRH·SDIBO；—剛好在切換到開狀態(tài)之后，CELLV＝VT+ε‘，由于單元現(xiàn)在處于開狀態(tài)，則SDV＝SDVO＜＜SDVBO。
于是，電流I將等于SDIBO+ε；電壓SDV等于SDRL·I，而且如果發(fā)光二極管LED適應(yīng)SD結(jié)的整個阻抗變化，則LEDV＝LEDRH·I+(SDRH-SDRL)·I。
但是，此工作點并不穩(wěn)定，而串聯(lián)中的電流I將增加到數(shù)值IP＞SDIBO，從而VT+ε‘＝(SDRL+LEDRL)·IP，其中，LEDRL是處于與p-n-p-n二極管導(dǎo)通的區(qū)域相對應(yīng)的“低阻”區(qū)域中的發(fā)光二極管的動態(tài)電阻，并且其中LEDRL＜LEDRH。
這樣，SDV＝SDVP＝SDRL·IP，以及LEDV＝LEDVP＝LEDRL·IP。
3、第二工作區(qū)域I＞SDIBO(開狀態(tài))已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在串聯(lián)的接線端上的電壓CELLV可以下降到關(guān)/開切換數(shù)值VT以下，同時將串聯(lián)保持在開狀態(tài)；于是，電流強度下降到IP以下，同時保持在IBO以上。
4、第二過渡區(qū)域p-n-p-n二極管的開/關(guān)切換在開/關(guān)切換時施加在串聯(lián)的接線端上的電壓被稱為VD；從而，VD＝SDVO+LEDVBO。
由于系統(tǒng)具有兩個工作區(qū)域，所以被稱為雙穩(wěn)態(tài)系統(tǒng)。
這里應(yīng)當(dāng)注意的是，無論肖克萊二極管SD的阻抗如何，電流都流過發(fā)光二極管LED因而，在該系統(tǒng)的兩個狀態(tài)下，都發(fā)光；但是，在關(guān)/開或開/關(guān)過渡區(qū)域中的電流變化足夠大，以產(chǎn)生適用于顯示圖像所需的對比度的光強度變化。
對于中間電壓CELLV＝VS，使得VD＜VS＜VT，因而，二極管發(fā)出大量的光；如果SDVSUS是這時在p-n-p-n結(jié)的接線端的電壓，而LEDVSUS是在發(fā)光二極管的接線端的電壓，則VS＝SDVSUS+LEDVSUS。
圖3針對與施加在剛剛已經(jīng)描述過的兩個元件的串聯(lián)的接線端上的電壓的增長和之后電壓的下降相對應(yīng)的循環(huán)，描述了二極管的發(fā)光強度；此圖清楚地對應(yīng)于傳統(tǒng)的雙穩(wěn)態(tài)工作；如圖6所示，按照本發(fā)明的單元的結(jié)構(gòu)真正地提供了想要的記憶效應(yīng)。
現(xiàn)在，將對在將前述類型的驅(qū)動方法施加在按照本發(fā)明的電致發(fā)光板上時所獲得的記憶效應(yīng)進行更為精確的描述。
按照這種傳統(tǒng)的驅(qū)動方法，圖5描述了
—在板上的行n電極和列p電極之間設(shè)置的單元En，p，點亮此單元的完整尋址階段“尋址-n”，使單元持續(xù)點亮t＞t1，—對于下一行單元En+1，p的完整尋址階段“尋址-n+1”，不接通此單元，保持關(guān)閉t＞t2。
三個時序圖Yn、Yn+1、Xp表示為了獲得此序列而施加在行電極Yn、Yn+1和列電極Xp上的電壓。
按照本發(fā)明并參照圖5，每個尋址階段順序包括擦除操作OE、寫入操作OW和補償操作OC。
圖5的底部示出了這些單元的開狀態(tài)或關(guān)狀態(tài)、在這些單元的接線端上的電位值En，p、En+1，p。
按照本發(fā)明的板設(shè)置有適合于將以下信號傳遞給電極的電源和驅(qū)動裝置—在行電極的情況下，或者為擦除電壓VE-Y或者為寫入觸發(fā)Va或者為持續(xù)電壓VS；—在列電極的情況下，或者為數(shù)據(jù)激活電壓Von或者為數(shù)據(jù)非激活電壓Voff或者為數(shù)據(jù)擦除電壓VE-X。
實現(xiàn)這種電壓裝置在本領(lǐng)域的技術(shù)人員的能力范圍之內(nèi)，在這里將不再進行詳細(xì)描述。
為了獲得在圖5的底部所示的開或關(guān)狀態(tài)，因而，需要的是，通過在圖1所示的單元的接線端上施加—向處于關(guān)狀態(tài)的單元施加電位差(Va-Von)，將此單元切換為開狀態(tài)；—向處于開狀態(tài)或關(guān)狀態(tài)的單元施加電位差(VS-Von)、(VS-Voff)或(Va-Voff)，將此單元分別保持在開狀態(tài)或關(guān)狀態(tài)；以及—向處于開狀態(tài)的單元施加電位差(VE-Y-VE-X)，將此單元切換為關(guān)狀態(tài)。
為了獲得想要的記憶效應(yīng)，必須設(shè)計應(yīng)用于按照本發(fā)明的板的驅(qū)動方法，使得施加在行或列電極上、上面參照圖5所描述的信號的數(shù)值滿足以下關(guān)系—(Va-Von)＞VT，
—VD＜(VS-Von)，VD＜(VS-Voff)而且(Va-Voff)＜VT，—(VE-Y-VE-X)＜VD。
優(yōu)選地，為了簡化板的電壓和驅(qū)動裝置，取Von等于零。
在寫入到板上的行Yn的每次操作OW之前，通常執(zhí)行擦除操作OE，此操作在于將擦除信號VE-Y以及VE-X分別施加在尋址和持續(xù)電極以及數(shù)據(jù)電極上；需要選擇VE-Y-VE-X＜VD，從而關(guān)閉由所述尋址和持續(xù)電極提供的單元；通常，如圖5所示，為了簡化電壓和驅(qū)動裝置，選擇電壓，使得VE-Y＝VE-X＝Von。
在用于寫入到板上的行Yn的每次寫入操作OW期間，發(fā)送給多個列X1、…、Xp、…的信號的平均值依賴于在此行Yn中要被激活或不被激活的單元的數(shù)目；在此寫入操作期間，板上所有的其他行都處于持續(xù)階段，由施加在這些行上的電位VS與施加在列電極Xp上的電位Von或Voff之間的電位差為這些行的激活單元供電；因而，可以看到在處于持續(xù)階段的單元的接線端上的電位差依賴于其所屬于的列而變化VS-Von或VS-Voff；因此，其他行的單元所發(fā)出的光功率將根據(jù)其所屬的列，依賴于是否要激活行Yn的單元而變化。
跟隨在每個寫入操作之后的補償操作OC能夠避免此缺點如圖5所示，此操作在于向在前一寫入操作OW期間接收到數(shù)據(jù)信號Von的列X施加電壓VOff，或者向在前一寫入操作OW期間接收到數(shù)據(jù)信號Voff的列X施加信號Von；此外，如果施加此補償信號的持續(xù)時間近似等于施加前一數(shù)據(jù)信號Von或Voff的持續(xù)時間，可以說是，通過結(jié)合寫入操作的持續(xù)時間和補償操作的持續(xù)時間，無論對哪一行進行尋址以及無論在這些行中要激活或不要激活的單元的數(shù)目，所有列平均都接收到相同的電位，從而能夠避免前述缺點；按照本發(fā)明合并在尋址階段中的這些補償操作能夠確保板上未尋址單元的發(fā)射均勻性。
從而，我們已經(jīng)示出了可以如何以非常簡單的方式、借助于所獲得的記憶效應(yīng)方便地驅(qū)動按照本發(fā)明的電致發(fā)光板，優(yōu)選地，通過在尋址階段中增加補償操作，驅(qū)動按照本發(fā)明的電致發(fā)光板。
已經(jīng)參照其中每個單元對應(yīng)于圖6的電致發(fā)光板，對本發(fā)明進行了描述；但是，顯而易見的是，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不偏離所附權(quán)利要求的范圍的前提下，可以實現(xiàn)其他類型的板。
具體地，可以使用n-p-n-p結(jié)代替上述的p-n-p-n結(jié)；于是，需要在板的制造期間，轉(zhuǎn)換陽極層和陰極層；換句話說，如果在肖克萊二極管上首先沉積陽極層，將選擇如上所述的p-n-p-n型結(jié)；相反，如果在肖克萊二極管上首先沉積陰極層，將選擇n-p-n-p型結(jié)。
權(quán)利要求
1.一種圖像顯示板，所述圖像顯示板包括放置在基片上的電致發(fā)光單元陣列、第一和第二陣列電極(1、6)，其中，每個單元包括串聯(lián)在所述第一陣列電極和所述第二陣列電極之間的有機電致發(fā)光層(5)和p-n-p-n或n-p-n-p結(jié)(2)，其中，對于每個單元，所述板的電極并不直接與所述結(jié)的n型中間子層或p型中間子層相連，其特征在于所述電致發(fā)光層(5)是有機物，而且其中，所述板只包括兩個電極陣列(1、6)。
2.按照權(quán)利要求1所述的板，其特征在于所述多個單元的所述p-n-p-n或n-p-n-p結(jié)(2)通過絕緣元件(4)相互電絕緣。
3.按照前述權(quán)利要求之一所述的板，其特征在于每個單元包括插入在所述電致發(fā)光層(5)與所述結(jié)(2)之間的電荷注入元件(3)。
4.按照權(quán)利要求3所述的板，其特征在于所述電荷注入元件(3)是不透明的。
5.一種用于顯示被分成象素或子象素的圖像的設(shè)備，所述設(shè)備包括按照前述權(quán)利要求之一所述的板，其特征在于所述設(shè)備包括電源和驅(qū)動裝置—適用于將被稱為寫入觸發(fā)信號Va的信號接連地施加在當(dāng)時處于尋址階段的第二陣列的每個電極上，以及，在此期間，將被稱為持續(xù)信號VS的信號施加在當(dāng)時處于持續(xù)階段的第二陣列的其他電極上；以及—在將寫入信號Va施加在第二陣列的所述電極(Yn)上的期間，適用于將被稱為狀態(tài)信號的信號同時施加在第一陣列的電極(X1、…、Xp、…)上，根據(jù)是否想要在第二陣列的這個電極隨后的持續(xù)階段期間、分別不激活或激活連接在第一陣列的所述電極與第二陣列的所述電極之間的單元，所述狀態(tài)信號或者為VOff，或者為VOn。
6.按照權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于如果VT是板上單元的接線端上的電壓，在此電壓VT之上，使處于未激活或關(guān)狀態(tài)的單元切換到激活或開狀態(tài)，并且如果VD是板上單元的接線端上的電壓，在此電壓VD之下，使處于激活或開狀態(tài)的單元切換到未激活或關(guān)狀態(tài)，由于Voff大于Von，設(shè)計所述電源和驅(qū)動裝置，使得—Va-Von≥VT而Va-Voff＜VT—VS-Von＜VT而VS-Voff＞VD。
7.按照權(quán)利要求5或6所述的設(shè)備，其特征在于所述電源和驅(qū)動裝置也適用于在第二陣列電極(Yn)的每個尋址階段，同時將被稱為補償信號的VC施加在第一陣列的多個電極(X1、…、Xp、…)上，其中，對于在所述尋址階段接收到數(shù)據(jù)信號Von的第一陣列的電極，VC＝VOff，而對于在所述尋址階段接收到數(shù)據(jù)信號Voff的第一陣列的電極，VC＝Von。
8.按照權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其特征在于設(shè)計所述電源和驅(qū)動裝置，使得在每個尋址階段，施加所述補償信號VC的持續(xù)時間大約等于施加數(shù)據(jù)信號Von或Voff的持續(xù)時間。
全文摘要
一種圖像顯示板，所述圖像顯示板包括放置在基片上的電致發(fā)光單元陣列、至少第一和第二陣列電極(1、6)；每個單元包括串聯(lián)在所述第一陣列電極和所述第二陣列電極之間的有機電致發(fā)光層(5)和p－n－p－n或n－p－n－p結(jié)(2)。所獲得的雙穩(wěn)態(tài)板比較便宜，而且對環(huán)境光不敏感。
文檔編號G09G3/30GK1499900SQ2003101045
公開日2004年5月26日 申請日期2003年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月5日
發(fā)明者克里斯托夫·費里, 讓-保羅·達(dá)古瓦, 克里斯托夫 費里, 蕖ご錒磐 申請人:湯姆森許可貿(mào)易公司